JP7107043B2 - 電力変換装置 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを積層した電力変換装置に関する。
従来から、半導体素子を内蔵した複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管とを積層した積層体を備える電力変換装置が知られている（下記特許文献１参照）。この電力変換装置では、個々の半導体モジュールに直流バスバーを接続してある。この直流バスバーを介して、半導体モジュールを直流電源に電気接続してある。
上記電力変換装置は、半導体素子をスイッチング動作させ、これにより、上記直流電源から供給される直流電力を多相交流電力に変換するよう構成されている。
特開２０１１－１３５７２５号公報
しかしながら、上記電力変換装置は、スイッチング動作させたときに、半導体素子に大きなサージが加わる可能性が考えられる。すなわち、半導体素子をスイッチング動作させると、直流バスバーに寄生するインダクタンスが原因となって、個々の半導体素子に、当該半導体素子に加わるサージ（以下、自己サージとも記す）が発生する。また、この自己サージが、直流バスバーを伝搬して別の相の半導体素子に加わることもある（以下、重畳サージとも記す）。
上記電力変換装置では、複数の半導体素子をスイッチング動作させると、ある半導体素子に、上記自己サージと、他の半導体素子から伝わった重畳サージとが同時に加わることがある。そのため、これらのサージが同時に加わった場合でも耐えられるように、耐圧の高い半導体素子を用いる等の工夫をする必要があった。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、半導体素子に大きな重畳サージが加わることを抑制できる電力変換装置を提供しようとするものである。
本発明の一態様は、
半導体素子（２０）を内蔵した複数の半導体モジュール（２）と、
該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管（３）と、
上記半導体素子を内蔵していない複数のダミーモジュール（５）と、
直流電源（８）と個々の上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー（４）とを備え、
上記半導体モジュール又は上記ダミーモジュールと、上記冷却管とを交互に積層して積層体（１０）を形成してあり、
上記複数の半導体モジュールによって、上記直流電源から供給される直流電力を、互いに位相が異なる複数系統の交流出力を組み合わせた多相交流電力に変換するインバータ回路（１１）を構成してあり、
複数の上記半導体モジュールを同時にスイッチング動作させて一つの上記交流出力を発生するよう構成され、該一つの上記交流出力を発生する複数の上記半導体モジュールによって半導体モジュール群（２９，２９ U ，２９ V と，２９ W ）を構成してあり、該半導体モジュール群に含まれる個々の上記半導体モジュールは、上記冷却管を介して互いに隣り合うよう配され、
上記ダミーモジュールは、上記積層体の積層方向（Ｘ）について互いに隣り合い且つ上記交流出力の位相が互いに異なる２つの上記半導体モジュール群の間に介在しており、
上記ダミーモジュールは、上記半導体モジュール群において互いに隣り合う２つの上記半導体モジュールの間に介在していない、電力変換装置（１）にある。
上記電力変換装置においては、交流出力の位相が互いに異なる２個の半導体モジュールの間に、上記ダミーモジュールを介在させてある。
そのため、半導体素子に加わる重畳サージを低減できる。すなわち、上記ダミーモジュールを介在させると、交流出力の位相が互いに異なる２個の半導体モジュールの間隔を広げることができる。そのため、上記重畳サージが直流バスバーを伝播する距離が長くなり、この直流バスバーに寄生するインダクタンスにより、重畳サージを低減させることができる。したがって、個々の半導体素子に、他の半導体素子から大きな重畳サージが加わることを抑制できる。
以上のごとく、上記態様によれば、半導体素子に大きな重畳サージが加わることを抑制できる電力変換装置を提供することができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決する手段に記載した括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであり、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
実施形態１における、電力変換装置の断面図であって、図２のI-I断面図。 実施形態１における、電力変換装置の断面図であって、図３のII-II断面図。 図２のIII-III断面図。 図３から正極バスバー及び交流バスバーを取り除いた図。 実施形態１における、電力変換装置の回路図。 実施形態１における、スイッチング動作を行ったときに半導体素子に加わる電圧の波形図。 実施形態２における、電力変換装置の断面図。 図７に、直流バスバー及び交流バスバーを取り付けた図。 実施形態２における、スイッチング動作を行ったときの、中間半導体モジュール群に含まれる半導体素子の電圧波形図。 実施形態２における、スイッチング動作を行ったときの、最遠半導体モジュール群に含まれる半導体素子の電圧波形図。 実施形態３における、電力変換装置の断面図。 図１１に、直流バスバー及び交流バスバーを取り付けた図。 実施形態４における、電力変換装置の断面図。 実施形態４における、電力変換装置の回路図。 参考形態における、電力変換装置の断面図。 比較形態における、電力変換装置の断面図。 図１６に、直流バスバー及び交流バスバーを取り付けた図。 比較形態における、スイッチング動作を行ったときに半導体素子に加わる電圧の波形図。
（実施形態１）
上記電力変換装置に係る実施形態について、図１～図６を参照して説明する。図１、図２に示すごとく、本形態の電力変換装置１は、半導体素子２０（図５参照）を内蔵した複数の半導体モジュール２と、複数の冷却管３と、半導体素子２０を内蔵していない複数のダミーモジュール５と、一対の直流バスバー４（４P，４N）とを備える。冷却管３は、半導体モジュール２を冷却するために設けられている。直流バスバー４は、直流電源８と個々の半導体モジュール２との間の電流経路をなしている。
図１に示すごとく、半導体モジュール２又はダミーモジュール５と、冷却管３とを交互に積層して積層体１０を構成してある。また、図５に示すごとく、本形態では、複数の半導体モジュール２によって、インバータ回路１１を構成してある。インバータ回路１１は、直流電源８から供給される直流電力を、互いに位相が異なる複数系統の交流出力（すなわち、単相交流電力）を組み合わせた多相交流電力に変換する回路である。
ダミーモジュール５は、交流出力の位相が互いに異なる２個の半導体モジュール２の間（２Uと２Vの間、及び２Vと２Wの間）に介在している。
本形態の電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。本形態では図５に示すごとく、上述したように、複数の半導体モジュール２を用いて、インバータ回路１１を構成してある。インバータ回路１１は、直流電源８の直流電力を、三相交流電力に変換する。これにより、交流負荷８１（三相交流モータ）を駆動し、上記車両を走行させている。
図５に示すごとく、本形態では、互いに並列に接続された３個の半導体モジュール２を同時にスイッチング動作させさせている。これら３個の半導体モジュール２によって、一つの交流出力を発生するよう構成してある。
一つの交流出力を発生する複数の半導体モジュール２によって、半導体モジュール群２９が構成されている。本形態の電力変換装置１は、Ｕ相用半導体モジュール群２９Uと、Ｖ相用半導体モジュール群２９Vと、Ｗ相用半導体モジュール群２９Wとの、３個の半導体モジュール群２９を備える。Ｕ相用半導体モジュール群２９Uによって、Ｕ相の交流出力を発生している。同様に、Ｖ相用半導体モジュール群２９VによってＶ相の交流出力を発生し、Ｗ相用半導体モジュール群２９WによってＷ相の交流出力を発生している。
図１に示すごとく、１つの半導体モジュール群２９を構成する個々の半導体モジュール２は、冷却管３を介して互いに隣り合う位置に配されている。２個の半導体モジュール群２９の間に、ダミーモジュール５が介在している。すなわち、Ｕ相用半導体モジュール群２９UとＶ相用半導体モジュール群２９Vとの間、及びＶ相用半導体モジュール群２９VとＷ相用半導体モジュール群２９Wとの間に、それぞれダミーモジュール５が介在している。これにより、積層体１０の積層方向（Ｘ方向）における、２つの半導体モジュール群２９の間隔を広げている。
図２に示すごとく、本形態の半導体モジュール２は、半導体素子２０（図５参照）を内蔵した本体部２１と、該本体部２１から突出した一対の直流端子２２（２２P，２２N）と、交流端子２３と、制御端子２４とを備える。直流端子２２は、それぞれ直流バスバー４に接続している。制御端子２４は、制御回路部１９に接続している。この制御回路部１９によって、半導体素子２０のスイッチング動作を制御している。また、交流端子２３には、交流バスバー６が接続している。この交流バスバー６を介して、多相交流電力を交流負荷８１に供給している。
また、電力変換装置１のケース１３内には、コンデンサ１２が配されている。このコンデンサ１２を用いて、直流電源８の直流電圧を平滑化している。上記直流バスバー４は、コンデンサ１２に接続している。
直流バスバー４には、正極バスバー４Pと負極バスバー４Nとがある。正極バスバー４Pは、半導体モジュール２の正極端子２２Pに接続している。また、負極バスバー４Nは、負極端子２２Nに接続している。
図１に示すごとく、複数の冷却管３のうち、Ｘ方向における一端に位置する端部冷却管３aには、冷媒１７を導入するための導入管１４と、冷媒１７を導出するための導出管１５とが接続している。また、Ｘ方向に隣り合う２本の冷却管３の間には、連結管１６が介在している。連結管１６は、冷却管３の長手方向（Ｙ方向）における、冷却管３の両端部に配されている。導入管１４から冷媒１７を導入すると、冷媒１７は連結管１６を通って全ての冷却管３内を流れ、導出管１５から導出される。これにより、個々の半導体モジュール２を冷却している。
また、ケース１３の壁部１３１と積層体１０との間には、加圧部材１８（板ばね）が配されている。この加圧部材１８を用いて、積層体１０をＸ方向に加圧している。これにより、冷却管３と半導体モジュール２との接触圧を確保すると共に、積層体１０をケース１３内に固定している。
なお、上記ダミーモジュール５は、アルミニウム等の金属からなる。ダミーモジュール５を、剛性の高い金属製とすることにより、加圧部材１８の圧力が加わっても変形しないようにしてある。
また、図３に示すごとく、正極バスバー４Pには、正極端子２２Pを挿通して接続するための端子用切欠部４１（４１P）を形成してある。本形態では、正極端子２２Pを、端子用切欠部４１Pに挿通した状態で、正極バスバー４Pに溶接してある。また、正極バスバー４Pには、直流端子２２の突出方向（Ｚ方向）から見たときにダミーモジュール５を視認可能なダミー用切欠部４２（４２P）を形成してある。ダミー用切欠部４２は、Ｘ方向において２個の端子用切欠部４１の間に形成されている。ダミー用切欠部４２は、端子用切欠部４１と同一形状に形成されている。
図４に示すごとく、負極バスバー４Nも、正極バスバー４Pと同様に、端子用切欠部４１（４１N）及びダミー用切欠部４２（４２N）を備える。
図３、図４に示すごとく、個々の直流バスバー４（４P，４N）は、コンデンサ１２に接続するためのコンデンサ接続部４９（４９P，４９N）を備える。個々のコンデンサ接続部４９は、Ｘ方向における、直流バスバー４の中央部に形成されている。
図３に示すごとく、直流バスバー４の、コンデンサ接続部４９から端子用切欠部４１までの間に、主インダクタンスＬAが寄生している。また、２つの半導体モジュール群２９の間に相間インダクタンスＬBが寄生している。本形態では、上記ダミーモジュール５を挿入してあるため、２つの半導体モジュール群２９のＸ方向間隔が長くなっており、比較的大きな相間インダクタンスＬBが寄生している。半導体素子２０をスイッチング動作させると、図６に示すごとく、主インダクタンスＬAが原因となって、当該半導体素子２０に加わるサージ（すなわち、自己サージＶS1）が生じる。また、直流バスバー４には相間インダクタンスＬBが寄生しているため、自己サージＶS1は、直流バスバー４を伝播して隣の半導体モジュール２に伝わる間に、減衰する。そのため、個々の半導体モジュール２には、隣の半導体モジュール２から大きなサージ（すなわち、重畳サージＶS2）が加わりにくい。
本形態の作用効果について説明する。図１に示すごとく、本形態では、交流出力の位相が互いに異なる２個の半導体モジュール２の間（すなわち、半導体モジュール２U，２Vの間、および半導体モジュール２V，２Wの間）に、ダミーモジュール５を介在させてある。
そのため、個々の半導体素子２０に、大きな重畳サージＶS2が加わることを抑制できる。すなわち、ダミーモジュール５を介在させると、交流出力の位相が互いに異なる２個の半導体モジュール２の間隔を広げることができる。そのため、図３に示すごとく、重畳サージＶS2が直流バスバー４を伝播する距離が長くなり、この直流バスバー４に寄生する相間インダクタンスＬBによって、重畳サージＶS2を低減させることができる。したがって、個々の半導体素子２０に、他の半導体素子２０から大きな重畳サージＶS2が加わることを抑制できる。
従来の電力変換装置１は、図１６に示すごとく、互いに位相が異なる２個の半導体モジュール２の間に、ダミーモジュール５を介在させていなかった。そのため、図１７に示すごとく、互いに位相が異なる２個の半導体モジュール２の間隔が狭く、直流バスバー４に大きな相間インダクタンスＬBが寄生しにくかった。そのため、重畳サージＶS2が減衰しにくく、隣の半導体モジュール２から大きな重畳サージＶS2が伝わりやすかった。したがって、図１８に示すごとく、スイッチング動作を行ったときに、半導体素子２０に、自己サージＶS1と大きな重畳サージＶS2とが同時に加わることがあった。そのため、耐圧が高い半導体素子２０を用いたり、サージＶS（自己サージＶS1と重畳サージＶS2の和）を低減できるように、スイッチング速度を低減したりする必要があった。
これに対して、本発明は、図１に示すごとく、互いに位相が異なる２個の半導体モジュール２の間にダミーモジュール５を介在させているため、これらの半導体モジュール２の間隔を長くすることができる。そのため、重畳サージＶS2が直流バスバー４を伝播する距離が長くなり、直流バスバー４のインダクタンス（相間インダクタンスＬB）によって、重畳サージＶS2を減衰しやすい。したがって、図６に示すごとく、個々の半導体素子２０に、他の半導体素子２０から大きな重畳サージＶS2が加わることを抑制できる。
また、本形態では図５に示すごとく、複数の半導体モジュール２によって半導体モジュール群２９を構成してある。そして、半導体モジュール群２９を構成する複数の半導体モジュール２を同時にスイッチング動作させて、一つの交流出力を発生するよう構成してある。また、図１に示すごとく、２個の半導体モジュール群２９の間に、ダミーモジュール５を介在させてある。
このようにすると、複数の半導体モジュール２を同時にスイッチング動作させるため、個々の半導体モジュール２に流れる電流は小さくても、電力変換装置１全体として大きな電流を流すことができる。
また、大きな電流を流す場合は、スイッチング動作させたときに大きなサージが発生しやすいが、本形態ではダミーモジュール５を挿入してあるため、上述したように、個々の半導体素子２０に大きな重畳サージＶS2が加わることを抑制できる。そのため、サージＶSを低減しつつ、大きな電流を流すことができる。
また、図３に示すごとく、直流バスバー４は、直流端子２２を挿通して接続するための端子用切欠部４１と、ダミー用切欠部４２とを備える。ダミー用切欠部４２は、Ｘ方向において、２個の端子用切欠部４１の間に形成されている。
このようにすると、重畳サージＶS2が他の半導体モジュール２へ伝播する際に、ダミー用切欠部４２を迂回するため、重畳サージＶS2の伝播距離を特に長くすることができる。そのため、相間インダクタンスＬBを大きくすることができ、重畳サージＶS2を低減しやすい。
また、本形態では、ダミーモジュール５と、半導体モジュール２の本体部２１との、大きさ及び形状を実質的に等しくしてある。
そのため、ダミーモジュール５の挿入位置を容易に変更することができる。後述するように、交流負荷８１の消費電力によっては、半導体モジュール２の数を変更し（図１３参照）、これに伴ってダミーモジュール５の挿入位置を変更することがある。本形態では、ダミーモジュール５と、半導体モジュール２の本体部２１との、大きさ及び形状を実質的に等しくしてあるため、これらの位置を容易に入れ替えることができる。
以上のごとく、本形態によれば、半導体素子に大きな重畳サージが加わることを抑制できる電力変換装置を提供することができる。
以下の実施形態においては、図面に用いた符号のうち、実施形態１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施形態１と同様の構成要素等を表す。
（実施形態２）
本形態は、介在させるダミーモジュール５の数を変更した例である。図７に示すごとく、本形態では、２個の半導体モジュール群２９（２９F，２９M）の間に、２個のダミーモジュール５を介在させてある。そのため、図８に示すごとく、重畳サージＶS2が直流バスバー４を伝播する距離を、より長くすることができ、直流バスバー４に寄生する相間インダクタンスＬBを大きくすることができる。そのため、これらの半導体モジュール群２９（２９F，２９M）に加わる重畳サージＶS2を、より低減できる。
より詳しくは、本形態では図７に示すごとく、複数の半導体モジュール群２９のうち、Ｘ方向において端部冷却管３aから最も遠い位置に配された最遠半導体モジュール群２９F（本形態ではＷ相用半導体モジュール群２９W）と、これよりも端部冷却管３a側に配された中間半導体モジュール群２９M（本形態ではＶ相用半導体モジュール群２９V）との間に、２個のダミーモジュール５を介在させてある。
このようにすると、中間半導体モジュール群２９Mと最遠半導体モジュール群２９Fとの間隔を長くすることができる。したがって、図８に示すごとく、これらの半導体モジュール群２９M，２９Fの間を重畳サージＶS2が伝播する距離が長くなり、重畳サージＶS2をより低減できる。そのため、中間半導体モジュール群２９Mおよび最遠半導体モジュール群２９Fに含まれる半導体素子２０に大きな重畳サージＶS2が加わることを抑制できる。特に、最遠半導体モジュール群２９Fは、中間半導体モジュール群２９Mのみに隣接しているため、最遠半導体モジュール群２９Fには、大きな重畳サージＶS2が加わりにくい。
したがって、最遠半導体モジュール群２９Fに含まれる半導体素子２０のスイッチング速度（図１０参照）を、中間半導体モジュール群２９Mに含まれる半導体素子２０のスイッチング速度（図９参照）よりも、速くすることができる。スイッチング速度を早くすると、最遠半導体モジュール群２９Fに含まれる半導体素子２０には、より大きな自己サージＶS1が加わるが、この半導体モジュール２には重畳サージＶS2が特に加わりにくいため、全体のサージＶS（＝ＶS1＋ＶS2）が半導体素子２０の耐圧を超える不具合は発生しにくい。また、最遠半導体モジュール群２９Fは、端部冷却管３a（すなわち、導入管１４及び導出管１５を接続した冷却管３）から最も遠いため、冷媒１７の圧損が大きく、冷媒１７が流れにくい。そのため、最遠半導体モジュール群２９Fは冷却効率が低いが、スイッチング速度を速くすることができるため、スイッチング損を低減できる。そのため、最遠半導体モジュール群２９Fに含まれる個々の半導体モジュール２の温度が、過度に上昇することを抑制できる。
また、図８に示すごとく、本形態では、直流バスバー４のうち、Ｚ方向から見たときに２つの半導体モジュール群２９M，２９Fの間に存在する部位に、２個のダミー用切欠部４２を形成してある。
このようにすると、重畳サージＶS2が２個のダミー用切欠部４２を迂回するため、重畳サージＶS2の伝播距離をさらに長くすることができる。したがって、重畳サージＶS2をより減衰しやすい。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
なお、本形態では、２つの半導体モジュール群２９（２９M,２９F）の間に２個のダミーモジュール５を介在させたが、本発明はこれに限るものではなく、３個以上のダミーモジュール５を介在させてもよい。
（実施形態３）
本形態は、ダミーモジュール５の数を変更した例である。本形態では図１１に示すごとく、端部冷却管３aに最も近い位置に配された最近半導体モジュール群２９N（本形態ではＵ相用半導体モジュール群２９U）と、中間半導体モジュール群２９Mとの間に２個のダミーモジュール５を介在させてある。また、実施形態２と同様に、中間半導体モジュール群２９Mと最遠半導体モジュール群２９Fとの間にも２個のダミーモジュール５を介在させてある。
このようにすると、図１２に示すごとく、最近半導体モジュール群２９Nと中間半導体モジュール群２９Mとの間隔を広げることができるため、重畳サージＶS2が、これらの半導体モジュール群２９N，２９Mの間を伝播する距離を長くすることができる。そのため、これらの間の相間インダクタンスＬBを大きくすることができ、重畳サージＶS2をより低減させることができる。また、実施形態２と同様に、中間半導体モジュール群２９Mと最遠半導体モジュール群２９Fとの間でも、重畳サージＶS2が伝わりにくくなる。したがって、全ての半導体モジュール２について、他の半導体モジュール２から加わる重畳サージＶS2を低減することが可能になる。
また、図１２に示すごとく、本形態では、直流バスバー４のうち、Ｚ方向から見たときに最近半導体モジュール群２９Nと中間半導体モジュール群２９Mとの間に存在する部位に、２個のダミー用切欠部４２を形成してある。
このようにすると、これら２つの半導体モジュール群２９N，２９Mの間において、重畳サージＶS2が２個のダミー用切欠部４２を迂回することになる。そのため、これらの半導体モジュール群２９N，２９M間における、重畳サージＶS2の伝播距離をさらに長くすることができ、重畳サージＶS2をより効果的に低減できる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
（実施形態４）
本形態は、半導体モジュール群２９を構成する半導体モジュール２の数を変更した例である。図１３、図１４に示すごとく、本形態では、２個の半導体モジュール２を用いて、半導体モジュール群２９（２９U，２９V，２９W）を構成してある。交流負荷８１の消費電力が低い場合は、このように、２個の半導体モジュール２を用いて、半導体モジュール群２９を構成することができる。また、個々の半導体モジュール群２９の間には、１個のダミーモジュール５が介在している。
また、本形態の電力変換装置１は、補助半導体モジュール２’（２U’，２V’，２W’）を備える。これらの補助半導体モジュール２’によって、補助交流負荷８１’を駆動している。補助交流負荷８１’は、例えば、車両のリアモータとすることができる。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
（参考形態）
本形態は、半導体モジュール２の数を変更した例である。図１５に示すごとく、本形態の電力変換装置１は、３個の半導体モジュール２を備える。個々の半導体モジュール２の間に、ダミーモジュール５が介在している。上記３個の半導体モジュール２によって、直流電力を三相交流電力に変換するインバータ回路１１を構成してある。
その他、実施形態１と同様の構成および作用効果を備える。
本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の実施形態に適用することが可能である。
１ 電力変換装置
１０ 積層体
１１ インバータ回路
２ 半導体モジュール
２０ 半導体素子
３ 冷却管
４ 直流バスバー
５ ダミーモジュール

Claims (3)

  1. 半導体素子（２０）を内蔵した複数の半導体モジュール（２）と、
    該半導体モジュールを冷却する複数の冷却管（３）と、
    上記半導体素子を内蔵していない複数のダミーモジュール（５）と、
    直流電源（８）と個々の上記半導体モジュールとの間の電流経路をなす一対の直流バスバー（４）とを備え、
    上記半導体モジュール又は上記ダミーモジュールと、上記冷却管とを交互に積層して積層体（１０）を形成してあり、
    上記複数の半導体モジュールによって、上記直流電源から供給される直流電力を、互いに位相が異なる複数系統の交流出力を組み合わせた多相交流電力に変換するインバータ回路（１１）を構成してあり、
    複数の上記半導体モジュールを同時にスイッチング動作させて一つの上記交流出力を発生するよう構成され、該一つの上記交流出力を発生する複数の上記半導体モジュールによって半導体モジュール群（２９，２９ U ，２９ V と，２９ W ）を構成してあり、該半導体モジュール群に含まれる個々の上記半導体モジュールは、上記冷却管を介して互いに隣り合うよう配され、
    上記ダミーモジュールは、上記積層体の積層方向（Ｘ）について互いに隣り合い且つ上記交流出力の位相が互いに異なる２つの上記半導体モジュール群の間に介在しており、
    上記ダミーモジュールは、上記半導体モジュール群において互いに隣り合う２つの上記半導体モジュールの間に介在していない、電力変換装置（１）。
  2. 上記２つの上記半導体モジュール群の間に、複数個の上記ダミーモジュールを介在させてある、請求項１に記載の電力変換装置。
  3. 上記半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部（２１）と、該本体部から突出しそれぞれ上記直流バスバーに接続した一対の直流端子（２２）とを備え、上記直流バスバーには、上記直流端子を挿通して接続するための端子用切欠部（４１）を形成してあると共に、上記直流端子の突出方向（Ｚ）から見たときに上記ダミーモジュールを視認可能なダミー用切欠部（４２）を形成してあり、該ダミー用切欠部は、上記積層体の積層方向において２個の上記端子用切欠部の間に形成されている、請求項１または２に記載の電力変換装置。
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