JP7104809B2 - 結合層とピンニング層の格子整合を用いた磁気トンネル接合 - Google Patents
結合層とピンニング層の格子整合を用いた磁気トンネル接合 Download PDFInfo
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Description
[0001] 本開示の実施形態は、広くは、磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）用途のための磁気トンネル接合構造を製造することに関する。
[0002] スピントランスファートルク磁気ランダムアクセスメモリ、すなわちSTT-MRAMは、そのメモリセルに磁気トンネル接合構造を採用し、２つの強磁性層が、薄い絶縁層又は「誘電体」層によって互いから離間されている。磁性層の一方は、固定された磁気極性を有し、他方は、２つの状態の間で選択的に変更可能な磁気極性を有する。磁性層が、垂直磁気異方性を有する場合、変更可能な極性層の極性は、磁気トンネル接合構造すなわち「MTJ」構造を含む膜層の積層体の深さ方向において、固定された極性層と同じ極性を有するか、又は固定された極性層とは逆の極性を有するかの間で切り替えることができる。MTJの両端間の電気抵抗は、固定された極性層に対して変更可能な極性層の極性の関数である。２つの層の極性が、MTJの深さ方向において同じである場合、MTJの両端間の電気抵抗は低く、MTJの深さ方向において互いに逆であるときに、MTJの両端間の電気抵抗は高くなる。したがって、セルの両端間の電気抵抗は、１又は０の値を示すために使用することができ、したがって、例えば、低抵抗状態を１のデータ値を有するものとして使用し、高抵抗状態を０のデータ値として使用することによって、データ値を記憶することができる。
[0003] MTJ積層体を形成するために、第１のピンニング層及び第２のピンニング層、並びに第１のピンニング層と第２のピンニング層との間にある合成反フェリ磁性（SyF）結合層を含む、膜層積層体が製造される。SyF結合層により、第１のピンニング層及び第２のピンニング層の表面原子は、磁場に曝露されると、SyF結合層の表面原子と整列し、これにより第１のピンニング層及び第２のピンニング層のそれぞれの磁気モーメントの配向をピンニング（ピン止め）する。第１のピンニング層と第２のピンニング層は、それぞれ、同様な磁気モーメントを含み、したがって、外部磁場が従来のMTJ積層体１００Ａに印加されたときに、同様に反応することとなる。SyF結合層は、第１のピンニング層と第２のピンニング層の磁気モーメントの逆平行（anti-parallel）位置合わせを維持する。
[0004] MTJが、非磁性層によって分離された２つ以上の強磁性層を含む合成反フェリ磁性（SyF）層を採用する場合、SyF結合は、その高温処理、例えば、摂氏約４００度以上の温度での処理の後に失われ得る。更に、磁場がMTJ積層体に印加されるときに、双極子場が生成され得る。磁気双極子は電流の閉循環であり、双極子場が、MTJ積層体の磁気記憶層を含むMTJ積層体の性能を妨害する可能性がある。
[0005] したがって、処理温度に耐え、双極子場の影響を低減させることができる改善されたMTJ積層体が、依然として必要とされている。
[0006] 本開示は、広くは、メモリセルに使用される磁気トンネル接合（MTJ）積層体の設計及び製造に関する。
[0007] 一実施例では、デバイスが、磁気トンネル接合積層体を備え、磁気トンネル接合積層体が、第１の二重層と第１の二重層の上に形成された第１の格子整合層とを含む第１のピンニング層を含み、第１の格子整合層は、プラチナ又はパラジウムを含む。デバイスのMTJ積層体は、第１のピンニング層の第１の格子整合層に接触している合成反フェリ磁性（SyF）結合層、及びSyF結合層に接触している第２のピンニング層を更に含む。第２のピンニング層は、プラチナ又はパラジウムから形成された第２の格子整合層を含み、第２の格子整合層は、SyF結合層に接触している。
[0008] 一実施例では、磁気トンネル接合積層体が、第１の複数の二重層と第１の複数の二重層の上に形成された第１の格子整合層とを含む第１のピンニング層であって、第１の格子整合層が、プラチナ又はパラジウムを含み、第１の複数の二重層の各二重層が、第１のコバルト中間層と、プラチナ、ニッケル、パラジウム、又はそれらの合金若しくは組み合わせの第２の中間層とを含む、第１のピンニング層、第１のピンニング層上に形成された合成反フェリ磁性（SyF）結合層、及びSyF結合層上に形成された第２のピンニング層であって、SyF結合層上に形成された第２の格子整合層を含む第２のピンニング層を含む。
[0009] 別の一実施例では、磁気トンネル接合（MTJ）積層体が、緩衝層、緩衝層の上に形成され且つクロムから形成されたシード層、及びシード層に接触している第１のピンニング層を含む。第１のピンニング層は、第１の二重層と第１の二重層の上に形成された第１の格子整合層を含み、第１の格子整合層は、プラチナ又はパラジウムのうちの少なくとも１つから形成されている。第１の二重層は、コバルト中間層と、プラチナ、ニッケル、又はパラジウムを含む少なくとも１つの中間層とを含む。MTJ積層体は、第１のピンニング層上に形成された合成反フェリ磁性（SyF）結合層、及びSyF結合層上に形成された第２のピンニング層を更に含み、第２のピンニング層は、SyF結合層上に形成された第２の格子整合層を含み、第２の格子整合層は、プラチナ又はパラジウムを含む。MTJ積層体は、第２のピンニング層上に形成された構造ブロッキング層であって、タンタル、モリブデン、又はタングステンのうちの少なくとも１つを含む構造ブロッキング層、構造ブロッキング層上に形成された磁気基準層、磁気基準層上に形成されたトンネルバリア層、及びトンネルバリア層上に形成された磁気記憶層を更に含む。
[0010] 上述の本開示の特徴を詳細に理解し得るように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は、付随する図面に例示されている。しかし、添付図面は例示的な実施形態のみを示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではなく、その他の等しく有効な実施形態も許容され得ることに留意されたい。
[0019] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると考えられている。
[0020] 本開示の実施形態は、磁気トンネル接合（MTJ）積層体、並びにSTT MRAMメモリセル及びメモリに関する。ここで、MTJ積層体は、MTJ積層体が上部電極と下部電極との間に挟まれるように、上部及び下部電極を含む膜積層体内に組み込まれる。MTJ積層体をパターニングして、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）内で使用される複数の個別メモリセルを形成することができる。MRAMセルの各MTJ積層体内には、２つの磁性層が存在し、一方の磁性層は固定された極性を有し、他方は、層の両端間に電圧を印加するか、又はその磁性層に電流を印加することによって切り替えることができる極性を有する。MRAMの両端間の電気抵抗は、第１の磁性層と第２の磁性層との間の相対的な極性に基づいて変化する。第１の磁性層と第２の磁性層は、それぞれ、本明細書では、磁気基準層と磁気記憶層と称される。MTJ積層体から形成されたメモリセルは、セルの両端間に印加された電圧が存在するとき、又はセルを通過する電流が存在するときに動作する。十分な強度の電圧の印加に応じて、切り替え可能な磁性層の極性が変更され得る。加えて、セルの抵抗は、磁気記憶層の磁気極性を切り替えるために必要とされる閾値を下回る比較的低い電圧で、セルの両端間の電流対電圧の関係性を測定することによって特定され得る。
[0021] 本明細書で説明される基本的なMTJ積層体は、基板上に薄膜層を堆積させ、究極的にはそれらの堆積した膜層をパターニングし、エッチングするために、複数の堆積チャンバを使用して形成される。本明細書で説明されるMTJ積層体を形成するために使用される堆積チャンバは、物理的気相堆積（PVD）チャンバを含む。ここで、PVDチャンバを使用して、MTJ積層体の複数の薄膜層を形成する。MTJ積層体は、緩衝層、緩衝層上のシード層、シード層上の第１のピンニング層、第１のピンニング層上の合成反フェリ磁性（SyF）結合層、SyF結合層上の第２のピンニング層、及び第２のピンニング層上のブロッキング層を含む。本明細書で説明されるPVDの動作では、チャンバが減圧状態に維持されている間に、アルゴン（Ar）、ヘリウム（He）、クリプトン（Kr）、及び／又はキセノン（Xe）などの不活性ガス又は希ガスから、プラズマが生成される。PVDプロセスチャンバは、少なくとも１つのスパッタリングターゲットを更に含み、基板が、スパッタリングターゲットの概して平坦な表面に対向して内部に配置される。スパッタリングターゲットは、電気的に駆動されるように電源に接続されるか、又は、プラズマを介して電源の回路内の陰極状態を自己確立して、例えば、スパッタリングチャンバの接地部分を接地する。基板は、スパッタリングチャンバ内のペデスタル又は他の構造上に配置され、ペデスタル又は他の構造は、浮遊電位であっても、接地に接続されても、又はバイアスされて、アノード若しくは接地回路にプラズマを誘導するためにカソードターゲット内にアノードを形成してもよい。スパッタリングチャンバ内の不活性ガス原子の正にイオン化された部分は、負にバイアスされたターゲットに電気的に引き付けられ、したがって、プラズマのイオンがターゲットに衝突し、それによって、ターゲット材料の原子を放出させ、基板上に堆積させて、基板上の（１以上の）ターゲット材料から成る薄膜を形成する。
[0022] 化合物の薄膜を形成するために、この化合物を含むスパッタリングターゲットを、Arプラズマを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリングすることができる。別の一実施例では、基板上に化合物層を堆積させるために複数のスパッタリングターゲットが使用され、各スパッタリングターゲットは、基板上に薄膜として形成される化合物の１以上の元素を含む。複数のスパッタリングターゲットが、PVDチャンバ中に存在し、Arプラズマ又は他のガスベースのプラズマを使用してスパッタリングされて、基板上に所望の化合物層を形成することができる。更に、MTJ積層体の層を形成するための本明細書で使用されるPVDの動作では、金属-酸化物と金属-窒化物が、金属-酸化物スパッタリングターゲット又は金属-窒化物スパッタリングターゲットの何れかを使用して形成される。代替的な実施形態では、Arプラズマと酸素（O2）又は窒素（N2）の何れかとがPVDチャンバ内に存在する間に、金属酸化物又は金属窒化物の金属から成る１以上の金属スパッタリングターゲットをスパッタリングすることによって、MTJ積層体の金属-酸化物層又は金属-窒化物層が、PVDチャンバ内で形成される。一実施例では、PVDチャンバが、内部に配置された複数のスパッタリングターゲットを有し、PVDチャンバ内の各スパッタリングターゲットは、電源によってバイアスされて、負のDCバイアスを直接印加することによって、若しくはターゲット上にカソード状態を電気的に駆動若しくは自己確立するための波形を使用することによって、又はそれらの組み合わせの何れかによって、その上に負のバイアスを確立する。この実施例では、PVDチャンバの内側のシールドが、複数のターゲットのうちの１以上のターゲットをプラズマから遮断するように構成され、基板上に薄膜を形成するために、PVDチャンバ内に形成されたプラズマのイオンが、ターゲットのうちの少なくとも１つに衝突してそこからターゲット材料原子を放出又はスパッタリングすることを可能にしている。この実施例では、１以上のスパッタリングターゲットが、Arプラズマに曝露され、それらのスパッタリングは、連続的に又は同時に基板上に所望の膜組成を形成し、O2又はN2が、それぞれ基板上の膜層生成のためにArプラズマに加えて使用されるときに、別のPVDチャンバが使用されて、金属-酸化物層及び金属-窒化物層を形成する。
[0023] PVDシステムは、中央ロボット基板移送チャンバに結合された１以上のPVDスパッタリングチャンバを含んでよい。中央ロボット基板移送チャンバは、それに結合された装填ステーションと、それに連結されたスパッタリングチャンバとの間で、基板を移動させるように構成されている。PVDシステムは、例えば、１０×１０－９Torrのベース減圧に維持される。それによって、その上にMTJが形成されている基板は、MTJ膜層積層体の製造中にPDVチャンバの間で及びPVD間で移動されるときに、外部の雰囲気に曝露されない。基板上にMTJ膜層積層体の最初の薄膜を形成する前に、基板は、減圧チャンバ内でガス抜きされ、Arガスプラズマを使用して、又は中央ロボット移送チャンバに連結された専用の予洗浄チャンバ内のHe／Hガスプラズマ内で予洗浄される。１以上のPVDチャンバを使用してＭTJ積層体を製造中に、Ar、Kr、He、又はXeなどの１以上の希スパッタリングガス又は不活性スパッタリングガスを、PVDチャンバのそれぞれの中に配置することができる。ガスはイオン化されてチャンバ内にプラズマを生成し、プラズマのイオンは負にバイアスされた（１以上の）スパッタリングターゲットに衝突して、ターゲットから表面原子を放出させ、PVDスパッタリングチャンバ内に位置付けられた基板上に（１以上の）ターゲット材料の薄膜を堆積させる。一実施形態では、１以上のPVDチャンバ内の処理圧力が、約２mTorrから約３mTorrであってよい。実施形態に応じて、PVDプラットフォーム内の基板支持ペデスタル（又は基板がその上に配置され得る他の構造）は、MTJ積層体の少なくともシード層、第１及び第２のピンニング層、SyF結合層、並びに緩衝層の製造中に摂氏－２００度から摂氏６００度に保持される。
[0024] 図１Ａは、磁気トンネル接合（MTJ）積層体の概略図である。図１Ａは、タングステン（W）、窒化タンタル（TaN）、窒化チタン（Tin）の導電層、又はそれらの他の金属層を含む、基板１０２を含むMTJ積層体１００Ａを示している。幾つかの実施例では、基板１０２が、１以上のトランジスタ、ビット若しくはソースライン、及び他のメモリライン（前もってその中又はその上に製造されている）、又はMRAMメモリを形成するために使用され、前もってその上に製造若しくは形成される他の素子を含む。その上にMTJ積層体が形成される基板は、２００mm未満の直径、２００mmの直径、約３００mm、約４５０mmの直径、又は他の直径を含む寸法を有してよく、円形又は矩形若しくは正方形の板を有してよい。
[0025] 従来のMTJ積層体１００Ａ内の緩衝層１０４は、内部に基板を有するPVDチャンバ内で１以上のターゲットをスパッタリングすることによって基板１０２上に形成され、ここでは、CoxFeyBz、TaN、Ta、又はそれらの組み合わせのうちの１以上の層を含む。シード層１０６は、PVDチャンバ内でのスパッタリングを介して、緩衝層１０４の上に堆積される。緩衝層１０４は、基板へのシード層１０６の接着を改善するために、従来のMTJ積層体１００Ａ内で使用される。ここで、シード層１０６は、プラチナ（Pt）又はルテニウム（Ru）を含み、内部に基板を有するPVDチャンバ内で、Pt若しくはRu又はそれらの合金のターゲットをスパッタリングすることによって形成される。シード層１０６は、緩衝層１０４とシード層１０６との間の格子不整合を低減させ又は排除することによって、従来のMTJ積層体１００Ａ内で続いて堆積する層の接着及びシーディング（seeding）を改善するために使用される。
[0026] 第１のピンニング層１０８が、スパッタリングによってシード層１０６上に形成される。第１のピンニング層１０８は、ここで、コバルト（Co）層、１以上のCo含有二重層、又はコバルト層と１以上のCo含有二重層との組み合わせを含む。合成反フェリ磁性（SyF）結合層１１０は、ここで、スパッタリングによって第１のピンニング層１０８の上に形成される。SyF結合層１１０は、そのターゲットからスパッタリングされたルテニウム（Ru）、ロジウム（Rh）、Cr、又はイリジウム（Ir）から形成されてよい。第２のピンニング層１１２は、スパッタリングによってSyF結合層１１０の上に形成される。第２のピンニング層１１２は、ここでは、単一のコバルト（Co）層から形成される。SyF結合層１１０は、第１のピンニング層１０８と第２のピンニング層１１２との間に位置付けられ、第１のピンニング層１０８と第２のピンニング層１１２の表面原子を、磁場に曝露すると、SyF結合層１１０の表面原子と整列し、それによって、第１のピンニング層１０８と第２のピンニング層１１２のそれぞれの磁気モーメントの配向をピンニング（ピン止め）する。第１のピンニング層１０８と第２のピンニング層１１２は、それぞれ、同様な磁気モーメントを含み、したがって、外部磁場が従来のMTJ積層体１００Ａに印加されたときに、同様に反応することとなる。SyF結合層１１０は、第１のピンニング層１０８と第２のピンニング層１１２の磁気モーメントの逆平行（anti-parallel）位置合わせを維持する。
[0027] 第２のピンニング層１１２の上には、ここで、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）、又はこれらの組み合わせを含む構造ブロッキング層１１４が形成される。構造ブロッキング層１１４は、第１のピンニング層１０８及び第２のピンニング層１１２の結晶構造とは異なるその結晶構造のために採用される。構造ブロッキング層１１４は、従来のMTJ積層体１００Ａと、MRAMメモリセルを形成するために従来のMTJ積層体１００Ａに接続され得る金属接点と、の間の短絡の形成を防止する。
[0028] 更に、従来のMTJ積層体１００Ａでは、磁気基準層１１６が、PVDチャンバ内でスパッタリングすることによって、構造ブロッキング層１１４の上に形成される。トンネルバリア層１１８が、磁気基準層１１６の上に形成され、磁気記憶層１２０が、トンネルバリア層１１８の上に形成される。トンネルバリア層１１８、磁気基準層１１６、及び磁気記憶層１２０のそれぞれは、１以上のPVDチャンバ内で、Arプラズマを使用して、ターゲットをスパッタリングすることによって形成される。磁気基準層１１６と磁気記憶層１２０は、それぞれ、組成が異なり得るCoxFeyBz合金を含む。更に、磁気記憶層１２０は、Ta、Mo、W、若しくはHf、又はそれらの組み合わせのうちの１以上の層を含んでよい。トンネルバリア層１１８は、絶縁材料を含み、MgOのような誘電体材料から製造されてよい。従来のMTJ積層体１００Ａのトンネルバリア層１１８内で大きなトンネル磁気抵抗比（TMR）を生成するように、トンネルバリア層１１８の組成及び厚さが選択される。TMRは、従来のMTJ積層体１００Ａ内の抵抗の逆平行状態（Rap）から平行状態（Rp）への変化を測定したものであり、式（（Rap-Rp）／Rp）を使用してパーセントで表すことができる。従来のMTJ積層体１００Ａにバイアスを印加すると、トンネルバリア層１１８は、スピン偏極電子によって横断され、このトンネルバリア層１１８を通る電子の透過は、磁気基準層１１６と磁気記憶層１２０との間の導電性をもたらす。
[0029] PVDチャンバ内でのスパッタリングによって、キャッピング層１２２が、磁気記憶層１２０上に形成され、ここで、複数の中間層を含む。キャッピング層１２２は、MgOなどの誘電体材料から製造された第１のキャッピング中間層１２２Ａを含む。Ru、Ir、Ta、又はそれらの組み合わせなどの金属材料を含む第２のキャッピング中間層１２２Ｂが、第１のキャッピング中間層１２２Ａの上に形成される。第１のキャッピング中間層１２２Ａは、ハードマスクエッチングのためのエッチング停止層として作用し、MTJ積層体１００Ａを腐食から保護する。第２のキャッピング中間層１２２Ｂは、図１Ｂに関して以下で説明されるように、従来のMTJ積層体１００Ａが後でパターニングされるときに、トランジスタ又は接点と電気的に通じるように構成されている。ハードマスク層１２４は、スパッタリングによって、PVDチャンバ内で形成される。ハードマスク層１２４は、第２のキャッピング中間層１２２Ｂの上に形成されて、従来のMTJ積層体１００Ａを保護し、その後の動作中にパターニングされてよい。
[0030] 図１Ｂは、MTJ積層体１００Ａ、及び、本開示の実施形態に従って製造され図２Ａ～図２Ｆで示されるMTJ積層体を含む、メモリデバイスを製造する方法１００Ｂのフロー図である。方法１００Ｂは、スパッタリングによって薄膜層を堆積させるように構成されたPVDシステムの複数のPVDチャンバ内で部分的に実行される。基板１０２は、PVDシステムの中央ロボット移送チャンバを介して、スパッタリングチャンバの間及びスパッタリングチャンバ間で移動されてよく、図１ＡのMTJ積層体１００Ａ及び本開示の実施形態に従って製造される以下で示され説明されるMTJ積層体を含む、様々な薄膜層を形成することができる。別の一実施例では、上述のように、複数のスパッタリングターゲットが、PVDチャンバ内に配置され、PVDチャンバの内側のシールドが、複数のスパッタリングターゲットを、プラズマへの曝露から選択的に保護し、又はあるターゲットをプラズマに選択的に曝露するように構成されている。シールドは、方法１００Ｂの種々の動作で回転されて、連続的に又は同時に、１以上のターゲットをPVDチャンバ内のプラズマに曝露する。
[0031] したがって、図１Ａの層は、方法１００Ｂに関して本明細書で参照される。方法１００Ｂの動作は、アルゴン（Ar）、ヘリウム（He）、クリプトン（Kr）、キセノン（Xe）、酸素（O2）、又は窒素（N2）を含む１以上のガスをプラズマ種として使用して、１以上のPVDチャンバ内で実行される。PVDチャンバ内の処理圧力は、方法１００Ｂ中に、約２mTorrから約３mTorrであってよい。実施形態に応じて、PVDプラットフォーム内の基板支持ペデスタル（又は基板がその上に配置され得る他の構造）は、MTJ積層体のピンニング層及びシード層の製造中に、摂氏－２００度から摂氏６００度に保持される。
[0032] 基板１０２は、MTJ積層体１００Ａの各層に使用される（１以上の）スパッタリングターゲットの組成に応じて、PVDチャンバの間及びPVDチャンバ間で移動することができ、又は本明細書で説明されるように、複数のターゲットが電源に接続され、シールドがターゲットの一部を選択的に保護するように構成され、それによって、１以上のターゲットが、連続的に若しくは同時に露出され、所望の膜組成を形成するか、又は両方の技法を実行することができる。PVDチャンバ内でのスパッタリング中に、Arがスパッタリングガスとして使用されるときに、プラズマのArイオンが、１以上の露出したスパッタリングターゲットに衝突し、スパッタリングターゲットの表面原子を放出させ、基板上に薄膜として堆積させる。方法１００Ｂでは、動作１２８Ａにおいて、図１Ａの基板１０２などの基板が、ガス抜き及びArガスプラズマ内又はHe／Hプラズマ内での予洗浄を含む動作を受ける。方法１００Ｂ中、基板は、中央ロボット基板移送チャンバを通るか又は介して処理チャンバ間で移動される。動作１２８Ｂでは、基板１０２が、中央ロボット基板移送チャンバから複数のPVDチャンバのうちのPVDチャンバに移送される。続いて、動作１３０では、、緩衝層１０４が、PVDチャンバのターゲットにおけるスパッタリングによって、基板１０２上に堆積される。１kWから１００kWの電力が、本明細書で説明される１以上のPVDチャンバに印加されて、Arの一部分をイオン化し、動作１３０で使用されるプラズマを生成する。ターゲットの放出された表面原子は、基板１０２上に堆積して、緩衝層１０４を形成する。
[0033] 動作１３０で緩衝層１０４を形成する間、CoxFeyBz、TaN、及び／又はTaを含む１以上のスパッタリングターゲットが、Arプラズマを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリングされて、緩衝層１０４を形成する。緩衝層１０４がTaであるか又はTaを含む一実施形態では、緩衝層１０４が、Taターゲット及びArプラズマを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリングされる。緩衝層１０４がTaNであるか又はTaNを含む一実施例では、TaN緩衝層１０４を形成するために、窒素ガス（N2）がPVDチャンバ中に存在し、TaスパッタリングターゲットをスパッタリングするためにArプラズマが使用されるときに、動作１３０が実行される。緩衝層１０４がTaNであるか又はTaNを含む別の一実施例では、緩衝層１０４を形成するために、TaNスパッタリングターゲット及びArプラズマを使用して、PVDチャンバ内で動作１３０が実行される。緩衝層１０４及びそれに続く層の形成中に、使用される１以上のPVDチャンバは、減圧に維持される。
[0034] 続いて、動作１３２では、シード層１０６が、PVDチャンバ内でターゲットをスパッタリングすることによって緩衝層１０４上に堆積される。動作１３２の一実施形態では、シード層１０６が、緩衝層１０４を堆積させるために使用されるスパッタリングターゲットとは異なるスパッタリングターゲットを使用して、緩衝層１０４を形成するために使用されたPVDチャンバと同じPVDチャンバ内で形成される。第１のピンニング層１０８は、動作１３４において、PVDチャンバ内でターゲットをスパッタリングすることによって、シード層１０６上に堆積される。第１のピンニング層１０８は、従来のMTJ積層体１００Ａにおける一実施例として示されており、Arプラズマを使用して１以上のターゲットをスパッタリングすることによって、動作１３４において、PVDチャンバ内で形成されてよい。第１のピンニング層１０８がCo層である一実施例では、PVDチャンバ内でArプラズマを使用してCoターゲットがスパッタリングされる。第１のピンニング層１０８が１以上の二重層を含む一実施例では、動作１３４が、二重層の第１の中間層を形成するためにCoスパッタリングターゲットを使用し、二重層の第２の中間層を形成するために異なる元素から成る別のスパッタリングターゲットを使用する。実施形態に応じて、Coスパッタリングターゲットと他の元素のスパッタリングターゲットは、同じPVDチャンバ内でArプラズマを使用してスパッタリングされてよく、又は二重層の各層が個別のPVDチャンバ内で形成されてよい。
[0035] 本明細書の他の実施例と組み合わされ得る本開示の実施形態による一実施例では、図２Ａ及び図２Ｃで示されているような第１のピンニング層２０８が、動作１３４において、PDVチャンバを使用して形成される。この実施例では、第１のピンニング層２０８が、１以上のスパッタリングターゲットを使用して、動作１３４においてPVDチャンバ内で形成される。第１のピンニング層２０８を堆積させるために、キセノン（Xe）又はアルゴン（Ar）ガスが、約２sccm～４０sccmの流量でPVDチャンバに導入される。Xe又はArガスは、５０W～１００００Wの電力が負電圧でターゲットに印加されてプラズマを生成する間、PVDチャンバに導入される。別の一実施例では、Xe又はArガスが、５sccmから２０sccmの流量で、幾つかの実施例では、１０sccmの流量で、PVDチャンバに導入される。別の一実施例では、第１のピンニング層２０８を形成するために使用される１以上のスパッタリングターゲットに印加される電力が、１００Wから８００Wであり、別の一実施例では、１以上のスパッタリングターゲットに印加される電力が、４００Wであってよい。
[0036] 第１のピンニング層２０８の組成に応じて、Xeガスを、動作１３４におけるPVDチャンバ内でのスパッタリング動作において使用して、プラズマを生成することができる。というのも、Xeガスは、Arよりも重いガスであり、したがって、Ar又は他のより軽いガスを使用して生成されたイオンよりも高い原子量を有するイオンを生成するからである。したがって、Xeプラズマは、Arプラズマよりも大きいエネルギーでターゲットに衝突し、Ptなどの層をスパッタリング堆積させるために使用されてよい。本開示における第１のピンニング層２０８の一実施例では、Xe、Ar、又はそれらの混合物が、約１０sccmからの流量でPVDチャンバの中に導入され、４００Wの電力が、負電圧でターゲットに印加されて、Ar又はXeプラズマを生成する。一実施例では、第１のピンニング層２０８が、Pdターゲット又はPtターゲットをスパッタリングすることによって、Pd又はPtの格子整合層から製造される。第１のピンニング層２０８の格子整合層は、約１Åから約３Åの厚さを有する。
[0037] 別の一実施例では、第１のピンニング層２０８が、２つの中間層を含む少なくとも１つの二重層を含み、Pt又はPdを含む格子整合層が、図２Ｃで示されているように、少なくとも１つの二重層の上に形成される。少なくとも１つの二重層が、格子整合層に加えて第１のピンニング層２０８を形成するために使用される一実施例では、二重層が、Coの第１の中間層と、Pt、Pd、若しくはNi、又はそれらの組み合わせ若しくは合金などの別の元素の第２の中間層とを含む。第１のピンニング層２０８の二重層は、動作１３４において、Coターゲットと、Pt、Pd、若しくはNi、又はそれらの組み合わせ若しくは合金から形成されたターゲットとを含む、複数のターゲットを含むPVDチャンバ内、又は個別のPVDチャンバ内で形成されてよい。個別のPVDチャンバでは、１つのPVDチャンバが、Coターゲットを含み、他のPVDチャンバが、Pt、Pd、若しくはNi、又はそれらの組み合わせ若しくは合金のターゲットを含む。一実施例では、複数のスパッタリングターゲットが、単一のPVDチャンバ内に配置され、Arプラズマ及び／又はXeプラズマを使用してスパッタリングされる。Coターゲットと他の元素のターゲットのそれぞれは、本明細書で説明されるシールドを使用して、プラズマに選択的に曝露することができる。選択的なターゲットの曝露は、二重層のCo中間層及び他の元素の中間層を形成して、結果として得られる二重層を形成する。図２Ｃで示されているように、中間層の堆積は、第１のピンニング層２０８の１以上の二重層を形成するために、複数の反復で、動作１３４において繰り返されてよい。
[0038] PVDチャンバ内でAr、Kr、又はXeプラズマを使用して、Ru、Cr、Rh、又はIrのターゲットをスパッタリングすることによって、動作１３６において、第１のピンニング層１０８上にSyF結合層１１０が堆積される。図２Ａで示されているような本開示の実施形態によるSyF結合層２１０の一実施例では、SyF結合層２１０が、Ru、Cr、Rh、又はIrのスパッタリングターゲットを使用して、動作１３６においてPVDチャンバ内で堆積される。動作１３６でSyF結合層２１０を形成する一実施例では、Kr又はXeをプラズマガスとして使用して、PVDチャンバ内でIrスパッタリングターゲットがスパッタリングされる。そこからプラズマが生成されるところのXeガス又はKrガスは、１０sccmから２５sccmの流量で、幾つかの実施例では、１６sccmの流量で、PVDチャンバの中に導入される。動作１３６でSyF結合層２１０を形成する別の一実施例では、PVDチャンバ内で、Arプラズマを使用して、Ruスパッタリングターゲットがスパッタリングされる。Ruターゲットをスパッタリングするためのプラズマを生成するために使用されるArガスは、例えば、２sccmから１０sccmであってよいガス流量でPVDチャンバに導入され、幾つかの実施例では、Arガスの流量が６sccmである。更に、動作１３６における一実施例では、Kr、Xe、又はArガスの何れかがPVDチャンバ内で使用されるときに、１５０Wと３００Wの間の電力が負電圧でターゲットに印加されて、Kr、Xe、又はArプラズマを生成し、維持する。他の実施例では、約２５０Wの電力が、ターゲットに印加される。SyF結合層２１０は、動作１３６において、第１のピンニング層２０８の格子整合層と接触するように堆積される。
[0039] 第２のピンニング層１１２は、動作１３８において、PVDチャンバ内でSyF結合層１１０上に堆積される。一実施例では、第２のピンニング層１１２が、PVDチャンバ内でCoターゲット及びArプラズマを使用してCoから形成される。別の一実施例では、第２のピンニング層１１２が、二重層を含み、二重層と接触するように形成されたCo層を含んでも含まなくてもよい。この実施例では、第２のピンニング層１１２が、Coスパッタリングターゲット及び第２の金属のスパッタリングターゲットを使用して、PVDチャンバ内で形成され、シールドが調整されて、Coと第２の金属のスパッタリングターゲットのそれぞれを、少なくとも１回の反復において別々に露出させて、第２のピンニング層１１２の１以上の二重層を形成する。他の実施例では、第２のピンニング層１１２の二重層の各層が、異なるPVDチャンバ内で形成されてよい。その場合、１つのPVDチャンバは、Coスパッタリングターゲットを含み、別のPVDチャンバは、第２の金属のスパッタリングターゲットを含む。
[0040] 図２Ａ及び図２Ｄで示されているような本開示の実施形態による第２のピンニング層２１２の一実施例では、第２のピンニング層２１２が、スパッタリングされるターゲット材料に応じて、Arプラズマ及び／又はXeプラズマを使用して、動作１３８において、PVDチャンバ内で堆積される。本開示の一実施形態では、XeプラズマでPtターゲットをスパッタリングすることによって、Ptの格子整合層がSyF結合層２１０上に堆積される動作１３８において、第２のピンニング層２１２が製造される。一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、Coの第１の中間層と、Pt、Ni、又はPdの第２の中間層と、を含む二重層を更に含む。二重層は、第２のピンニング層２１２の格子整合層上に形成される。
[0041] 少なくとも１つの二重層が第２のピンニング層の一部分として形成される一実施例では、二重層が、二重層の第１の中間層を形成するためのCoスパッタリングターゲットと、二重層の第２の中間層を形成するための第２の金属のスパッタリングターゲットとを使用して、PVDチャンバ内で形成される。第２のスパッタリングターゲットは、Pt、Pd、又はNiから形成されてよい。別の一実施例では、第２のスパッタリングターゲットが、Pt、Pd、又はNiのうちの１以上を含む合金から形成されてよく、シールドを調整して、Coスパッタリングターゲットと第２の金属のスパッタリングターゲットとのそれぞれを、少なくとも１回の反復において別々に露出させて、第２のピンニング層２１２の１以上の二重層を形成する。Ptのような金属が第２のピンニング層２１２を形成するために使用されるときに、Xeを第２のピンニング層２１２の堆積に使用することができる。というのも、XeはArより重いガスであり、したがって、PVDチャンバ内でのスパッタリングプロセス中に、Ptを含むより重い金属とより効果的に相互作用することができるからである。一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、少なくとも１つの二重層の上に形成されたCo層を更に含む。少なくとも１つの二重層の上に形成されたCo層は、最大１０Åまでの厚さを有してよい。一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、０．３nmから１５nmの全体的な厚さを有してよい。PVDチャンバ内でプラズマを生成するためにXeガスが使用される一実施形態では、Xeガスが、約２sccmから約４０sccm、又は５sccmから２０sccmの流量でPVDチャンバの中に導入され、幾つかの実施形態では、Xeガスが、約１０sccmの流量でPVDチャンバの中に導入される。第２のピンニング層２１２の形成中に、５０Wから約１０００Wの電力が、負電圧でターゲットに印加されて、Ar及び／又はXeプラズマを生成し、維持する。幾つかの実施例では、１００Wから６００Wの電力が、負電圧でターゲットに印加されて、Ar及び／又はXeプラズマを生成し、維持し、幾つかの実施形態では、約２００Wの電力が、負電圧でターゲットに印加される。
[0042] 構造ブロッキング層１１４が、動作１４０で、PDVチャンバ内に形成される。そのチャンバは、構造ブロッキング層１１４の意図された組成に応じて、Ta、Mo、及び／又はWを含むスパッタリングターゲットを含む。Ta、Mo、及びWのうちの２以上のスパッタリングターゲットが使用されるときに、各ターゲットは、個別のPVDチャンバ内で使用されてよく、又は、２以上のスパッタリングターゲットは、構造ブロッキング層１１４の意図された組成に応じて、上述のシールド調整を使用して、PVDチャンバ内で連続的に又は同時にスパッタリングされてもよい。続いて、磁気基準層１１６が、動作１４２において、構造ブロッキング層１１４上に堆積され、MTJ積層体１００Ａの他の層も形成され得るPVDチャンバ内で形成されてよい。これは、例えば、緩衝層１０４と磁気基準層１１６の両方が、CoxFeyBzベースである場合、緩衝層１０４などの他の層の組成に依存し得る。磁気基準層１１６は、CoxFeyBz合金であるスパッタリングターゲットを使用して、PVDチャンバ内で形成されてよい。他の実施例では、磁気基準層１１６が、Co、Fe、若しくはBの個々のスパッタリングターゲットを使用して、又は、合金スパッタリングターゲットと単一元素のスパッタリングターゲット（例えば、CoFeターゲットとBターゲット）の組み合わせによって、堆積されてよい。
[0043] トンネルバリア層１１８は、動作１４４において、磁気基準層１１６上に堆積される。動作１４４の一実施例では、トンネルバリア層１１８が、MgOなどの金属-酸化物ターゲット及びArガスベースのプラズマを使用して、PVDチャンバ内で形成される。代替的な一実施形態では、トンネルバリア層１１８が、動作１４４において、トンネルバリア層１１８の金属‐酸化物を形成するために、O2がPVDチャンバ内に存在する間に、Mg、Ti、Hf、Ta、又はAlなどの金属ターゲット、及びArガスベースのプラズマを使用して、PVDチャンバ内で形成される。動作１４６では、磁気記憶層１２０が、PVDチャンバ内で形成される。磁気記憶層１２０の形成は、意図された組成に応じて様々なやり方で行われ得る。磁気記憶層１２０は、CoxFeyBzの１以上の層、及び、幾つかの実施例では、Ta、Mo、W、又はHfの１以上の層を含んでよい。したがって、PVDチャンバ内での磁気記憶層１２０の堆積は、Arプラズマと、CoxFeyBz合金ターゲット、若しくはCo、Fe、及びBの個々のターゲット、又はCoFeターゲット及びBターゲットなどの合金ターゲット及び元素ターゲットの組み合わせを含んでよい。磁気記憶層１２０がTa、Mo、W、又はHfを含む実施例では、Ta、Mo、W、又はHfのスパッタリングターゲットが、Arから生成されたプラズマを使用して、チャンバ内でスパッタリングされる。
[0044] 一実施例では、磁気記憶層１２０が、Arプラズマを使用して単一のPVDチャンバ内で形成されてよい。磁気記憶層１２０は、CoxFeyBz及びTa、Mo、W、又はHfの層を形成するために使用される上述のものなどの１以上のターゲットを露出又は保護するようにシールドを調整することによって、堆積されてよい。別の一実施例では、磁気記憶層１２０のCoxFeyBz層が、Arプラズマを使用して、CoxFeyBz合金ターゲットを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリングされる。別の一実施例では、CoxFeyBz層が、個々のCo、Fe、及びBターゲット並びにArガスベースのプラズマを使用して、PVDチャンバ内で形成される。更に別の一実施例では、CoxFeyBz層が、Arガスベースのプラズマと、合金ターゲット及び化合物元素ターゲット（例えば、CoFeターゲット及びBターゲット）とを使用して、PVDチャンバ内で形成される。磁気記憶層１２０のTa、Mo、W、又はHf層は、Taターゲット、Moターゲット、Wターゲット、又はHfターゲットを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリングされてよい。
[0045] 動作１４８では、キャッピング層１２２が、磁気記憶層１２０上に堆積される。一実施形態では、キャッピング層２２２の第１のキャッピング中間層１２２Ａが、酸化物層が形成されるときに、動作１４８中で、Arプラズマ及びO2の両方がPVDチャンバ内に存在するため、非酸化物層が形成されるPVDチャンバとは異なり得るPVDチャンバ内で形成される。第１のキャッピング中間層１２２Ａは、Arプラズマを使用して、Mgターゲットをスパッタリングすることによって、PVDチャンバ内で堆積され、O2もまたPVDチャンバ内に存在する。動作１４８における別の一実施例では、第１のキャッピング中間層１２２Ａが、MgOスパッタターゲット及びArプラズマを使用して、PVDチャンバ内で形成される。第１のキャッピング中間層１２２Ａが、トンネルバリア層１１８と同じ材料（例えば、Mg）から形成される一実施例では、動作１４４に使用されるPVDチャンバが、第１のキャッピング中間層１２２Ａを形成するために動作１４８で使用されるのと同じPVDチャンバであってよい。第２のキャッピング中間層１２２Ｂが、動作１５０において、第１のキャッピング中間層１２２Ａ上に堆積される。動作１４８においてO2が使用される場合、動作１５０は、第１のキャッピング中間層１２２Ａをスパッタリングするために使用されたものとは別の異なるPVDチャンバ内で行われてよい。というのも、第１のキャッピング中間層１２２Ａを形成するために、PVDチャンバ内で使用されるO2が存在しないからである。第２のキャッピング中間層１２２Ｂは、Arプラズマと、Ru、Ir、及び／又はTaから成る１以上のスパッタリングターゲットとを使用して、PVDチャンバ内で形成される。第２のキャッピング中間層１２２Ｂの組成に応じて、動作１５０は、例えば、動作１３６でSyF結合層１１０を形成するためにも使用されるPVDチャンバ内で行われてよい。
[0046] 更に、方法１００Ｂでは、動作１５２において、ハードマスク層１２４が、PVDチャンバ内で、第２のキャッピング中間層１２２Ｂの上に堆積される。MTJ積層体１００Ａで使用されるハードマスク層１２４の種類に応じて、動作１５２は、O2の存在下で又はO2が存在しない状態で行われてよい。例えば、ハードマスク層１２４が、金属-酸化物ハードマスクである場合、動作１５２中に、金属-酸化物層を形成するために１以上の金属スパッタリングターゲットと共にO2及びArベースのプラズマを使用することができ、或いは、ハードマスク層１２４を堆積させるために金属-酸化物スパッタリングターゲットを使用することができ、この場合、動作１５０でハードマスク層１２４を形成するためにO2を使用しない。ハードマスク層１２４がアモルファスカーボン又はスピンオンカーボンである幾つかの実施形態では、動作１５２が、CVDチャンバ又はスピンオン堆積チャンバ内で行われる。
[0047] 更に、方法１００Ｂでは、動作１２８Ａ～１５２で形成されたMTJ積層体１００Ａ（又は図２Ａにおいて以下で示されるMTJ積層体２００）は、方法１００Ｂの動作１５４によって集合的に示されている１以上のプロセスを受けてよい。これらの動作には、高温（摂氏４００度のオーダー）動作を含めることができる。一実施例では、動作１５４におけるプロセスが、予パターニングアニール動作（pre-patterning anneal operation）を含んでよく、それに続いて、MTJパターニング動作が行われる。代替的な一実施形態では、動作１５４におけるMTJパターニングが、ハードマスク層１２４をパターニングするなどの複数のプロセスを含んでよく、ハードマスク層１２４がパターニングされた後に、パターニングされたハードマスク層をエッチングマスクとして使用して、MTJ積層体１００Aをエッチングして、MTJ積層体１００Ａから複数の個別のピラーを形成する動作を更に含んでよい。
[0048] 動作１５４における代替的な一実施形態では、MTJ積層体１００Ａ内の（１以上の）磁気記憶層及び（１以上の）磁気基準層を含む、膜積層体の格子構造を、修復、圧縮、及び強化するために、熱アニーリング動作が実行される。動作１５４で実行される熱アニーリングは、少なくとも（１以上の）磁気基準層１１６及び（１以上の）磁気記憶層１２０の材料を更に結晶化させるように作用することができる。これらの層の堆積時の（１以上の）磁気基準層及び（１以上の）磁気記憶層の結晶化は、所望の電気的及び機械的特性を維持しながら、MTJ積層体１００Ａの垂直異方性を確立する。方法１００Ｂの動作の後で製造されるMTJ積層体の実施形態が、以下で図示され、説明される。それらの実施形態は、動作１５４で実行される熱アニーリング動作の後、及び／又は、摂氏４００度のオーダーの高温で行われる追加の又は代替的なバックエンド処理動作の間、ピンニング層の堆積したままの面心立法（fcc）<111>結晶構造を維持するように構成されている。本開示の実施形態に従って製造されたMTJ積層体は、第１のピンニング層と第２のピンニング層との間にSyF結合層を含む。一実施形態では、第１のピンニング層が第１の格子整合層を含み、第２のピンニング層が第２の格子整合層を含み、第１の格子整合層と第２の格子整合層のそれぞれは、プラチナ（Pt）又はパラジウム（Pd）から形成されている。第１のピンニング層の第１の格子整合層と第２のピンニング層の第２の格子整合層は、本明細書でそのように称される。その理由は、少なくとも部分的に、第１の格子整合層と第２の格子整合層のそれぞれがそれらから製造されるところの材料が、SyF結合層が製造されるところの材料の約＋／－４％以内の格子定数を有するように選択されるからである。SyF結合層は、第１のピンニング層の第１の格子整合層と第２のピンニング層の第２の格子整合層のそれぞれと接触している。これは、SyF結合層が、第１ピンニング層のCo層と第２ピンニング層のCo層とに接触している他のMTJ積層体と対照的である。
[0049] 一実施形態では、第１のピンニング層及び／又は第２のピンニング層のそれぞれが、それぞれの格子整合層と接触するように形成された少なくとも１つの二重層を更に含む。一実施例では、第１のピンニング層からの第１の格子整合層と第２のピンニング層からの第２の格子整合層のそれぞれが、SyF結合層と接触しており、SyF結合層はIrから形成されている。各二重層は、第１の中間層及び第２の中間層を含む。第１のピンニング層の一実施例では、第１のピンニング層が、第１の格子整合層及び二重層を含み、二重層が、Coの第１の中間層及びNiの第２の中間層を含む。第１のピンニング層の別の一実施例では、第１のピンニング層が、第１の格子整合層を含み、少なくとも１つの二重層が、Coの第１の中間層及びPtの第２の中間層を含む。第１のピンニング層の別の一実施例では、第１のピンニング層が、第１の格子整合層を含み、少なくとも１つの二重層が、Coの第１の中間層及びPdの第２の中間層を含む。第２のピンニング層の一実施例では、第２のピンニング層が、第２の格子整合層及び二重層を含み、二重層が、Coの第１の中間層及びPtの第２の中間層を含む。別の一実施例では、第２のピンニング層が、第２の格子整合層及び二重層を含み、二重層が、Coの第１の中間層及びPdの第２の中間層を含む。別の一実施例では、第２のピンニング層が、第２の格子整合層及び二重層を含み、二重層が、Coの第１の中間層及びNiの第２の中間層を含む。第２の格子整合層は、Irを含むSyF結合層と接触している。更に、第２のピンニング層の一実施例では、Co層が、１以上の二重層の上に形成され、構造ブロッキング層と接触している。
[0050] 実施形態に応じて、第１のピンニング層と第２のピンニング層は、それぞれ、同じ層構造、材料、及び／又は厚さを含んでよく、或いは、層構造、材料、及び／又は厚さが異なってよい。本明細書で説明されるMTJ積層体を使用する場合、第１のピンニング層とSyF結合層との間、及び、SyF結合層と第２のピンニング層との間に、改善された格子整合が存在する。改善された格子整合は、後述するように、双極子場が磁気記憶層に及ぼす影響を低減させる。本明細書で説明される格子整合は、第１のピンニング層、第２のピンニング層、及びSyF結合層を含む、層を製造することを含む。そのようにして、本明細書で格子不整合と呼ばれる第１のピンニング層とSyF結合層との間の格子定数の差異、同様に、第２のピンニング層とSyF結合層との間の格子不整合が低減される。格子不整合は式（１）で規定される。すなわち、
LM=[(a1-a2)/a1]x100 （１）
LM=[(a1-a2)/a1]x100 （１）
[0051] 式（１）では、a1が第１の材料の格子定数であり、a2が第２の材料の格子定数である。本開示の実施形態では、MTJ積層体のSyF結合層と第１のピンニング層との間の格子不整合は、約＋／－４％未満であり、SyF結合層と第２のピンニング層との間の格子不整合は、約＋／－４％未満である。
[0052] 更に、本明細書で説明されるMTJ積層体では、第１のピンニング層と第２のピンニング層のそれぞれが、少なくとも１つの二重層を含むときに、第１のピンニング層と第２のピンニング層の各二重層の中間層の厚さの比率を調整して、磁場が印加されているときに積層体への双極子場の影響を低減させることができる。本明細書で説明される厚さの比率は、２つ以上の二重層が使用される場合、ピンニング層内の各二重層について計算されてよい。他の実施例では、厚さの比率が、二重層にわたる平均として計算されてよい。それによって、ピンニング層についての厚さの比率は、ピンニング層の二重層にわたる第１の中間層の厚さの平均と第２の中間層の厚さの平均を使用して計算される。厚さの比率は、以下で詳細に説明され、それは、ピンニング層の二重層の第１の中間層の厚さとピンニング層の二重層の第２の中間層の厚さの計算である。本明細書で説明されるMTJ積層体を使用する場合、SyF結合層の結晶構造、及び磁気基準層と磁気記憶層との磁気的な結合は、アニーリング後であっても、堆積したままの状態と実質的に同じに維持される。例えば、本明細書で説明されるMTJ積層体は、０．５時間から少なくとも３時間の期間だけ摂氏約４００度であってよく、したがって、MTJ積層体の磁気特性及び電気特性が維持される。
[0053] 図２Ａは、本開示の一実施形態による、MTJ積層体２００の概略図である。図示されている実施形態では、緩衝層２０４が、PVDチャンバ内でのスパッタリングを介して、基板２０２の導電性部分上又は基板２０２の導電性薄膜上に形成される。基板２０２は、タングステン（W）、窒化タンタル（TaN）、窒化チタン（Tin）、又は他の金属層のうちの１以上を含んでよい。緩衝層２０４は、シード層２０６の基板２０２への接着を改善する。シード層２０６の基板２０２への接着の改善は、MTJ積層体２００の続いて堆積される層の形成及び性能において助けとなる。緩衝層２０４は、CoxFeyBz、Ta、及び／又はTaNを含み、Arプラズマを使用して、PVDチャンバ内での１以上のPVD堆積動作で形成される。一実施例では、緩衝層１０４が、ArプラズマとCoxFeyBz合金であるスパッタリングターゲットとを使用して、PVDチャンバ内で形成される。別の一実施例では、緩衝層１０４が、Co、Fe、又はBの個々のスパッタリングターゲットを使用して形成される。別の一実施例では、緩衝層１０４が、合金スパッタリングターゲットと単一元素のスパッタリングターゲットとの組み合わせ（例えば、CoFeターゲットとBターゲット）を使用して形成される。Ta層が緩衝層２０４内に含まれる一実施例では、Ta層が、Taターゲット及びArプラズマを使用してPVD層内で形成されてよい。
[0054] 一実施例では、緩衝層２０４が、TaNを含み、Taターゲット、Arプラズマ、及びN2を使用して、PVDチャンバ内で基板２０２上にスパッタリングされる。N2は、TaターゲットからスパッタリングされたTa材料と反応して、TaNの層を形成する。別の一実施例では、緩衝層２０４を形成するために、Arプラズマを有するPVDチャンバ内で、TaNスパッタリングターゲットが使用される。一実施例では、緩衝層２０４が、基板２０２上の導電層上に直接的に且つそれと接触するようにスパッタリングされる。他の実施例では、基板２０２上の導電層と緩衝層２０４との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない導電性遷移層が存在する。緩衝層２０４は、図示されている実施形態では任意選択的に採用され、本明細書で説明される幾つかの実施形態では使用されないかもしれない。緩衝層２０４が採用されるときに、緩衝層２０４の全体的な厚さは、０Å（緩衝層を使用しない）から約６０Åである。一実施例では、緩衝層２０４が、１０Åまでの厚さの基板２０２上の導電層上に直接的に且つそれと接触するようにスパッタリングされる、Ta、TaN、又はCoxFeyBzの単一層である。別の一実施例では、緩衝層２０４が、２以上の層の組み合わせであり、緩衝層２０４の各層は、Ta、TaN、又はCoxFeyBzである。この実施例では、緩衝層２０４の各層が、１Åからから６０Åの厚さを有してよい。緩衝層２０４がTaやCoxFeyBzの代わりにTaNから形成される一実施例では、緩衝層２０４が、２０Åまでの厚さを有してよい。本明細書の他の実施例と組み合わされ得る別の一実施例では、緩衝層２０４を形成するために、CoxFeyBzのみが採用される。この実施例では、緩衝層２０４が、約１０Åの厚さを有してよい。別の一実施例では、Ta又はTaNのうちの少なくとも一方が、CoxFeyBzと併せて採用され、緩衝層２０４を形成する。この実施例では、緩衝層２０４の厚さが、約２０Åである。
[0055] シード層２０６は、１以上のターゲットをスパッタリングすることによって、PVDチャンバ内で堆積される。シード層２０６は、緩衝層２０４上に堆積される。シード層２０６は、Cr又はPtを含む。PVDチャンバ内でのシード層２０６の形成は、動作１３２において詳細に上述された。一実施形態では、シード層２０６が、１００Å以下の厚さを有する。本明細書の他の実施例と組み合わされ得る一実施例では、シード層２０６が、約３０Åから約６０Åの厚さを有する。一実施例では、シード層２０６が、緩衝層２０４上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、シード層２０６と緩衝層２０４との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0056] 更に、MTJ積層体２００において、第１のピンニング層２０８が、PVDチャンバ内でシード層２０６上に形成される。第１のピンニング層２０８の形成は、図１Ｂの方法１００Ｂの動作１３４で詳細に上述され、Ar又はXeプラズマと１以上のスパッタリングターゲットとを使用して、PVDチャンバ内で行われる。一実施例では、第１のピンニング層２０８が、様々な材料の１以上の二重層、及び１以上の二重層の上に形成された格子整合層として製造される。それによって、図２Ｃで示されているように、第１のピンニング層の格子整合層は、SyF結合層２１０と接触している。第１のピンニング層の格子整合層２０８は、Pt又はPdから形成されてよい。第１のピンニング層２０８は、Xeプラズマを使用して、Pt又はPdスパッタリングターゲットを使用して、１以上の二重層の上に堆積される。１以上の二重層が第１のピンニング層２０８内に含まれる一実施例では、各二重層が、Coの第１の中間層と別の元素又は合金の第２の中間層とを含む。第１のピンニング層２０８の少なくとも１つの二重層は、Arプラズマを使用してCoターゲットをスパッタリングし、続いて、Ar又はXeプラズマを使用して、Pt、Ni、若しくはPd、又はそれらの組み合わせ若しくは合金の第２のターゲットをスパッタリングすることによって形成される。第１のピンニング層２０８の二重層を形成するために、Coターゲットに加えてPtがスパッタリングされるターゲットである一実施例では、Arプラズマの代わりに又はArプラズマに加えて、Xeプラズマを使用することができる。第１のピンニング層を形成するために１以上の二重層が使用される一実施形態では、二重層のCoを含む第１の中間層を形成することによって、PVDチャンバ内で繰り返し堆積サイクルが実行されてよい。二重層の第１の中間層は、Coを含まないターゲットを遮蔽することによって形成されてよい。続いて、Coターゲット及び他のターゲットを遮蔽して、二重層の第２の中間層を堆積させるために使用される第２の元素を含む第２のターゲットを露出させる。第１の中間層と第２の中間層の堆積は、第１のピンニング層２０８の１以上の二重層を形成するために、反復する様式で繰り返されてよい。一実施例では、第１のピンニング層２０８が、シード層２０６上に直接的に且つシード層２０６と接触するように、PVDチャンバ内で形成される。他の実施例では、シード層２０６と第１のピンニング層２０８との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0057] 合成反フェリ磁性（SyF）結合層２１０は、PVDチャンバ内で第１のピンニング層２０８上に堆積され、第２のピンニング層２１２は、SyF結合層２１０上にスパッタリング堆積される。SyF結合層２１０は、Ruスパッタリングターゲット、Rhスパッタリングターゲット、Crスパッタリングターゲット、又はIrスパッタリングターゲットを用いて、Kr又はXeプラズマを使用して、PVDチャンバ内で形成される。SyF結合層２１０は、約３Aから約１０Aの厚さを有する。一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、Ar又はXeプラズマを使用して、PVDチャンバ内のPtターゲット又はPdターゲットをスパッタリングすることによって製造され、SyF結合層２１０上に第２のピンニング層２１２の格子整合層を形成する。幾つかの実施例では、第２のピンニング層２１２が、格子整合層の上に形成された少なくとも１つの二重層を含む。第２のピンニング層２１２の少なくとも１つの二重層は、Coの第１の中間層と、Ni、Pd、若しくはPt、又はそれらの組み合わせ若しくは合金の第２の中間層とを含む。一実施例では、SyF結合層２１０が、第１のピンニング層２０８の格子整合層及び第２のピンニング層２１２の格子整合層上に直接的に且つそれらと接触するように形成される。他の実施例では、SyF結合層２１０と第１のピンニング層２０８又は第２のピンニング層２１２のうちの一方又は両方との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0058] 第２のピンニング層２１２の形成は、上述の図１Ｂの方法１００Ｂの動作１３８で説明されている。第２のピンニング層２１２は、SyF結合層２１０上に形成されたPt又はPdの格子整合層、並びに格子整合層の上に形成された１以上の二重層を含む。第２のピンニング層２１２の格子整合層は、Xeプラズマを使用してPtターゲット又はPdターゲットをスパッタリングすることによって、３Åまでの厚さに形成されてよい。１以上の二重層が第２のピンニング層２１２内に含まれる一実施例では、第１の二重層が、格子整合層上に形成され、Coの第１の中間層と、Pd、Ni、若しくはPt、又はそれらの組み合わせ若しくは合金などの別の元素の第２の中間層とを含む。二重層は、Arプラズマを使用してCoターゲットをスパッタリングし、続いてXe又はArプラズマを使用して、Pt、Ni、若しくはPd、又はそれらの組み合わせ若しくは合金の第２ターゲットをスパッタリングすることによって形成される。一実施形態では、Coターゲット及び第２のターゲットを使用して、PVDチャンバ内での第１の中間層及び第２の中間層の繰り返し堆積サイクルを使用して、第２のピンニング層２１２の１以上の二重層を形成することができる。第２のピンニング層２１２の各二重層の厚さは、約４Åから約１５Åであってよい。一実施例では、第２のピンニング層２１２の厚さが、約０．３nmから１５nmである。第２のピンニング層２１２の代替的な構成が、図２Ｄで示されている。
[0059] 第１のピンニング層２０８と第２のピンニング層が、それぞれ、１以上の二重層を含む一実施形態では、各ピンニング層について厚さの比率が規定され得る。本明細書で説明される厚さの比率は、各ピンニング層の１以上の二重層の中間層の厚さの比率である。本明細書で説明される厚さの比率は、（X：Y）zとして表すことができる。ここで、XはCoを含む第１の中間層の厚さであり、YはPt、Ni、若しくはPd、又はPt、Ni、及び／若しくはPdの合金の第２の中間層の厚さであり、zは厚さの比率に関連付けられた層を示し、例えば、厚さの比率が第１のピンニング層２０８についてのものであるか、又は第２のピンニング層２１２についてのものであるかを示す。一実施例では、第１のピンニング層２０８の第１の中間層が、１Åから８Åの厚さを有し、第１のピンニング層２０８の第２の中間層が、１Åから８Åの厚さを有する。別の一実施例では、第２のピンニング層２１２の第１の中間層が、１Åから８Åの厚さを有し、第２のピンニング層２１２の第２の中間層が、１Åから８Åの厚さを有する。この実施例では、第１のピンニング層２０８の厚さの比率[（Co：Y）208]が、第２のピンニング層２１２の厚さの比率[（Co：Y）212］より大きい。
[0060] MTJ積層体２００の製造の後に、MTJ積層体２００をエッチングすることを含む動作を、MRAMデバイス製造の一部分として実行することができる。エッチング後、磁場がMRAMデバイスに印加されると、磁気双極子場が、第１のピンニング層２０８から磁気記憶層２２０（後述する）まで生成される。双極子場は、磁気記憶層２２０を含むMTJ積層体２００の層の性能に悪影響を及ぼす可能性がある。第２のピンニング層２１２は、MTJ積層体２００内の第１のピンニング層２０８よりも磁気記憶層２２０に近いので、第１のピンニング層２０８の厚さの比率は、第２のピンニング層２１２の厚さの比率よりも大きい。それは、磁気記憶層２２０が受ける双極子場を最小化する。したがって、第１のピンニング層２０８の磁気材料含有量を、第２のピンニング層２１２の磁気材料含有量と比較して増加させることによって、磁気記憶層２２０が受ける双極子場が低減される。第１のピンニング層又は第２のピンニング層の磁気材料含有量は、磁場の印加に応じて磁化を保持することができるCo又はNiなどの材料の量である。これは、これもまた１以上のピンニング層を形成するために使用することができる、Pt又はPdなどの材料とは対照的である。一実施例では、第１のピンニング層の厚さの比率（Co：Y）208は、１：１から８：１であってよく、第２のピンニング層の厚さの比率（Co：Y）212は、１：１から８：８であってよい。この実施例では、MTJ積層体２００が、８：１の厚さの比率（Co：Y）208を有する第１のピンニング層２０８と、８：８の厚さの比率（Co：Y）212を有する第２のピンニング層２１２とを含む。別の一実施例では、MTJ積層体２００が、８：３の厚さの比率（Co：Y）208を有する第１のピンニング層２０８と、３：７の厚さの比率（Co：Y）212を有する第２のピンニング層２１２とを含む。他の実施例では、比率（Co：Y）208及び（Co：Y）212は、[（Co：Y）208＞（Co：Y）212]で、更に変更することができる。YがNiなどの磁気材料であるときに、厚さの比率は、実施形態に応じて更に調整されてよく、及び／又は、第１のピンニング層２０８を形成するために使用される二重層の数よりも少ない数の二重層を使用して、第２のピンニング層２１２を形成することができる。幾つかの実施例では、第２のピンニング層２１２が、二重層を含まない。
[0061] 更に、MTJ積層体２００では、構造ブロッキング層２１４が、任意選択的に、PVDチャンバ内での材料のスパッタリングによって第２のピンニング層２１２上に形成される。構造ブロッキング層２１４は、MTJ積層体２００と、MRAMメモリセルを形成するためにMTJ積層体２００に接続され得る金属接点と、の間の短絡の形成を防止する。一実施例では、PVDチャンバ内での構造ブロッキング層２１４の堆積中に、層の意図される組成に応じて、１以上の個々のTa、Mo、又はWのスパッタリングターゲットが、Arプラズマを使用してPVDチャンバ内でスパッタリングされてよい。別の一実施例では、PVDチャンバ内での構造ブロッキング層２１４の堆積中に、Ta、Mo、及び／又はWの合金を含む１以上の合金ターゲットが、Arプラズマを使用してPVDチャンバ内でスパッタリングされてよい。構造ブロッキング層２１４は、<100>方向に配向された体心立方（bcc）構造であり、それぞれが面心立方<111>方向に配向され得るシード層２０６並びに第１のピンニング層２０８及び第２のピンニング層２１２とは対照的である。構造ブロッキング層２１４は、０（層なし）Åから約８Åの厚さを有し、一実施例では、４Åの厚さがスパッタリング堆積される。一実施例では、構造ブロッキング層２１４が、スパッタリング堆積によって、第２のピンニング層２１２上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、構造ブロッキング層２１４と第２のピンニング層２１２との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0062] 磁気基準層２１６は、Arプラズマを使用して、PVDチャンバ内でスパッタリング堆積されることによって、構造ブロッキング層２１４上に形成される。磁気基準層２１６は、単一のCo－Fe－B合金スパッタリングターゲットを使用して、又は、Coスパッタリングターゲット、Feスパッタリングターゲット、若しくはBスパッタリングターゲットのうちの２以上を使用することによって、PVDチャンバ内で形成されてよい。別の一実施例では、磁気基準層２１６が、Arプラズマ並びにCoFeターゲット及びBターゲットなどの合金ターゲット及び元素ターゲットを使用して、PVDチャンバ内で形成されてよい。磁気基準層２１６は、１Åから１５Åの厚さにスパッタリングすることができ、一実施例では、１０Åの厚さに形成することができる。磁気基準層２１６は、CoxFeyBzを含み、ここで、zは約１０重量%から約４０重量%であり、yは約２０重量%から約６０重量%であり、xは７０重量％以下である。一実施形態では、zが少なくとも２０重量％である。一実施例では、磁気基準層２１６が、構造ブロッキング層２１４上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、磁気基準層２１６と構造ブロッキング層２１４との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0063] トンネルバリア層２１８が、PVDチャンバ内でArプラズマ内でターゲットのスパッタリングを使用して、磁気基準層２１６上に形成される。トンネルバリア層２１８は、酸化マグネシウム（MgO）、二酸化ハフニウム（HfO2）、二酸化チタン（TiO2）、酸化タンタル（TaOx）、酸化アルミニウム（Al2O3：アルミナ）、又は様々な用途に適した他の材料などの金属-酸化物を含む。したがって、トンネルバリア層２１８は、Arプラズマ及び金属-酸化物のスパッタターゲットを使用して、PVDチャンバ内で形成されてよい。代替的に、トンネルバリア層２１８は、Arプラズマ及びO2並びに所望の金属-酸化物の金属スパッタリングターゲットを使用して、PVDチャンバ内で形成されてよい。ここで、金属スパッタリングターゲットからスパッタリングされた金属層がO2に暴露されると、金属酸化物層が形成される。トンネルバリア層２１８は、１Åから１５Åの厚さを有し、幾つかの実施形態では、１０Åの厚さを有する。一実施例では、トンネルバリア層２１８が、磁気基準層２１６上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、トンネルバリア層２１８と磁気基準層２１６との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。
[0064] 一実施形態では、MTJ積層体２００が、本明細書で説明されるように、PVDチャンバ内でスパッタリング動作を使用してトンネルバリア層２１８上に形成された磁気記憶層２２０を更に含む。磁気記憶層２２０は、CoxFeyBzの１以上の層、及び、幾つかの実施例では、Ta、Mo、W、又はHfの１以上の層を含んでよい。したがって、PVDチャンバ内での磁気記憶層２２０の堆積は、Arプラズマ、CoxFeyBz合金ターゲット、又はCo、Fe、及びBの個々のターゲット、或いは、CoFeターゲット及びBターゲットなどの合金ターゲット及び元素ターゲットの組み合わせを使用することを含んでよい。磁気記憶層２２０がTa、Mo、W、又はHfのうちの１以上から形成される実施例では、Ta、Mo、W、又はHfのスパッタリングターゲットが、Arから生成されたプラズマを使用してチャンバ内でスパッタリングされる。
[0065] 磁気記憶層２２０は、磁気記憶層２２０を形成するために使用される１以上の材料を含む要因に応じて、約５Åから約２０Åの厚さを有する。一実施例では、磁気記憶層が、CoxFeyBzから製造されており、ここで、zは約１０重量%から約４０重量%であり、yは約２０重量%から約６０重量%であり、xは７０重量％以下である。この一実施例では、磁気記憶層２２０の厚さが、約５Åから４０Åである。別の一実施例では、磁気記憶層２２０の厚さが、約２０Åである。一実施例では、磁気記憶層２２０が、トンネルバリア層２１８上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、磁気記憶層２２０とトンネルバリア層２１８との間に、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。磁気記憶層は、以下の図２Ｅで示されている。
[0066] 更に、MTJ積層体２００の一実施形態では、キャッピング層２２２が、磁気記憶層２２０上に形成され、鉄（Fe）を含有する酸化物を含む、キャッピング層２２２を形成する複数の中間層を含む。加えて、幾つかの実施形態では、ハードマスク層２２４が、キャッピング層２２２上に直接的に且つそれと接触するように形成される。別の一実施例では、ハードマスク層２２４が、キャッピング層２２２とハードマスク層２２４との間に遷移層を有する状態で、キャッピング層２２２上に形成され、そのような遷移層は、MTJ積層体２００の性能に影響を及ぼさない。ハードマスク層２２４は、金属-酸化物、アモルファスカーボン、セラミック、金属材料、又はそれらの組み合わせから形成されてよい。一実施例では、磁気記憶層２２０が、キャッピング層２２２上に直接的に且つそれと接触するように形成される。他の実施例では、磁気記憶層２２０とキャッピング層２２２との間に、MTJ積層体２００の性能に影響を及ぼさない遷移層が存在する。キャッピング層２２２は、以下の図２Ｆで示されている。
[0067] 図２Ｂは、本開示の実施形態による、緩衝層２０４の拡大図である。緩衝層２０４は、タンタル（Ta）又はTaNから形成されてよい。他の実施例と組み合わされ得る別の一実施例では、緩衝層２０４が、Ta及びTaNの層状積層体を含む。本明細書の実施例と組み合わされ得る他の実施例では、緩衝層２０４が、CoxFeyBzを、単独で、又はTa、TaN、若しくはTa／TaN層状積層体と組み合わせて含む。緩衝層２０４の一実施例では、緩衝層２０４が、少なくとも１つの二重層２０４Ｄを含む。少なくとも１つの二重層２０４Ｄは、少なくとも１つの二重層２０４Ｄの少なくとも１回の反復で、基板２０２上に交互様式で形成された第１の緩衝中間層２０４Ａ及び第２の緩衝中間層２０４Ｂを含む。この実施例では、第１の緩衝中間層２０４ＡがTaから形成され、第２の緩衝中間層２０４ＢがTaNから形成され、第１の緩衝中間層２０４Ａが基板２０２と接触している。別の一実施例では、第１の緩衝中間層２０４ＡがTaNから形成され、第２の緩衝中間層２０４ＢがTaから形成され、したがって、TaNが基板２０２と直接接触している。
[0068] 緩衝層２０４の他の実施例では、図２Ａで示されるように、CoxFeyBzが、緩衝層２０４に単独で使用され、したがって、基板２０２と直接接触するだろう。別の一実施例では、図２Ｂで示されているように、第３の緩衝層２０４Ｃが、少なくとも１つの二重層２０４Ｄの上に形成される。この実施例では、第３の緩衝層２０４Ｃは、CoxFeyBzから製造され、１０Åまでの厚さを有するように形成される。したがって、緩衝層２０４の構成に応じて、緩衝層２０４の厚さは、１Åから６０Åの範囲内である。一実施例では、第３の緩衝層２０４Ｃ（CoxFeyBz）が採用され、zは約１０重量%から約４０重量%であり、yは約２０重量%から約６０重量%であり、xは７０重量％以下である。
[0069] 図２Ｃは、本開示の一実施形態による、第１のピンニング層２０８の拡大図である。一実施形態では、第１のピンニング層２０８が、少なくとも１つの二重層２３０から製造され、２つ以上の二重層が採用されるときに、それらの２つ以上の二重層は、二重層積層体２３４を形成すると言うことができる。各二重層２３０は、第１の中間層２０８Ａ及び第２の中間層２０８Ｂから製造される。第１のピンニング層２０８の二重層は、（X／Y）n、（２０８Ａ／２０８Ｂ）nとして表され、ここで、各二重層は、第１の材料Xと第２の異なる材料Yとの組み合わせであり、nは、第１のピンニング層２０８内の二重層の数である。一実施形態では、XがCoであり、YがPt、Ni、又はPdのうちの１つである。図２Ｃの実施例では、n＝４であるが、代替的な実施形態では、nが、１から１０である。一実施形態では、少なくとも１つの二重層２３０が、約２Åから約１６Åの厚さを有する。一実施例では、第１の中間層２０８Ａが、Co層から形成され、約１Åから約８Åの厚さを有する。第２の中間層２０８Ｂは、Pt、Pd、若しくはNi、又はこれらの組み合わせ若しくは合金から形成されてよく、約１Åから約８Åの厚さを有する。第１のピンニング層２０８の更に別の一実施形態では、少なくとも１つの二重層２３０が、シード層２０６上に直接的に且つそれと接触するように形成され、格子整合層２０８Ｃが、少なくとも１つの二重層２３０の頂部の上に形成される。図２ＡのMTJ積層体２００のようなMTJ積層体では、格子整合層２０８Ｃが、SyF結合層２１０と接触している。一実施形態では、格子整合層２０８Ｃが、１Åから３Åの厚さを有する。この実施例では、格子整合層２０８ＣがPtであり、別の一実施例では、格子整合層２０８ＣがPdである。実施形態に応じて、格子整合層２０８Ｃ及び幾つかの実施例では少なくとも１つの二重層２３０を含む１以上の層を含み得る第１のピンニング層２０８の全体的な厚さは、１nmから約１８nmである。他の実施例では、第１のピンニング層２０８とシード層２０６との間に、MTJ積層体の特性に悪影響を及ぼさない１以上の遷移層が形成されてよい。
[0070] 図２Ｄは、本開示の実施形態による、第２のピンニング層２１２の拡大図である。一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、格子整合層２１２Ａから製造され、格子整合層２１２Ａが、SyF結合層２１０上に且つそれと接触するように形成される。一実施形態では、格子整合層２１２Ａが、１Åから３Åの厚さを有するPt又はPdの層を含む。第２のピンニング層２１２の一実施例では、少なくとも１つの二重層２３２が、格子整合層２１２Ａの上に形成される。各二重層２３２は、Coであってよい第１の中間層２１２Ｂと、Pt、Ni、若しくはPd、又はそれらの組み合わせ若しくは合金であってよい第２の中間層２１２Ｃとを含む。二重層２３２などの２つ以上の二重層が、第２のピンニング層２１２内に採用されたときに、２つ以上の二重層は、二重層積層体２３６と称され得る。したがって、図１Ｂで示されているように、１以上の二重層が動作１３８で堆積されるときに、個別のスパッタリングターゲットを使用して、二重層２３０の第１の中間層２０８Ａ及び第２の中間層２０８Ｂのそれぞれを形成することができる。第２のピンニング層２１２の少なくとも１つの二重層２３２は、（X／Y）n、（２１２Ａ／２１２Ｂ）nとして表され、ここで、nは二重層の数である。図２Ｄでは、n＝４であるが、代替的な実施形態では、nは１から５である。一実施形態では、少なくとも１つの二重層２３２が、約２Åから約１６Åの全体的な厚さを有する。一実施例では、第１の中間層２１２Ｂが、約１Åから約８Åの厚さを有するCo層であり、第２の中間層２１２Ｃが、約１Åから約８Åの厚さを有する。様々な実施形態では、第２の中間層２１２Ｃが、Ni、Pt、若しくはPd、又はこれらの組み合わせ若しくは合金を含む。
[0071] 更に別の一実施形態では、第２のピンニング層２１２が、少なくとも１つの二重層２３２の頂部の上に形成されたCoの上層２１２Ｄを含む。第２のピンニング層２１２の他の実施例では、上層２１２Ｄが存在しない。図２Ｄで示されていない別の一実施例では、Coの上層２１２Ｄが、格子整合層２１２Ａ上に形成される。一実施形態では、上層２１２Ｄが、約１Åから約１０Åの厚さを有する。実施形態に応じて、第２のピンニング層２１２の全体的な厚さは、０．３nmから約１５nmである。第２のピンニング層２１２は、本明細書で説明されるように、少なくとも１つの二重層２３２を含む１以上の層を含んでよい。幾つかの実施例では、少なくとも１つの二重層２３２と第２のピンニング層２１２との間に遷移層が採用されてよい。他の実施例では、少なくとも１つの二重層２３２とSyF結合層２１０との間に遷移層が形成されてよい。他の実施例では、少なくとも１つの二重層２３２と第２のピンニング層２１２との間、及び、少なくとも１つの二重層２３２とSAF結合層２１０との間に遷移層が形成されてよい。そのような遷移層（複数可）は、MTJ積層体の性能に影響を及ぼさない。
[0072] 一実施形態では、第１のピンニング層２０８と第２のピンニング層２１２が、それぞれ、同じ中間層の組成及び／又は異なる中間層の厚さを含む。代替的な一実施形態では、第１のピンニング層２０８と第２のピンニング層２１２は、それぞれ、異なる組成及び／又は厚さを含む。一実施形態では、第１のピンニング層２０８が、Coの第１の中間層及びPtの第２の中間層を含む、少なくとも１つの二重層を含み、少なくとも１つの二重層の上に形成されたPt又はPdの第１の格子整合層を更に含む。第１のピンニング層２０８の第１の格子整合層は、Irから形成されたSyF結合層２１０と接触している。この実施例では、第２のピンニング層２１２が、SyF結合層２１０の上に形成され、SyF結合層２１０と接触するように形成されたPt又はPdの第２の格子整合層を含む。幾つかの実施例では、第２のピンニング層２１２が、第２の格子整合層の上に形成された１以上の二重層を更に含む。一実施形態では、第２のピンニング層２１２の１以上の二重層が、Coの第１の中間層及びPtの第２の中間層を含む。別の一実施例では、第１のピンニング層２０８が、Coの第１の中間層及びNiの第2の中間層を含む、少なくとも１つの二重層を含み、更に、第１の格子整合層がIrから形成されたSyF結合層２１０と接触するように、少なくとも１つの二重層の上に形成されたPt又はPdの第１の格子整合層を含む。この実施例では、第２のピンニング層２１２が、SyF結合層２１０と接触するように形成されたPt又はPdの第２の格子整合層を含み、任意選択的に、第２の格子整合層の上に形成された１以上の二重層を含む。この実施例では、第２のピンニング層２１２の１以上の二重層が、Coの第１の中間層及びPtの第２の中間層を含む。
[0073] 図２Ｅは、本開示の実施形態による、例示的な磁気記憶層２２０の拡大図である。図２Ｅで示されているように、磁気記憶層２２０の第１の磁性層２２０Ａと磁気記憶層２２０の第２の磁性層２２０Ｂは、それぞれ、CoxFeyBzから製造される。Ta、Mo、W、Hf、又はそれらの組み合わせから製造された第３の層２２０Ｃが、それらの間に配置される。第３の層２２０Ｃは、ホウ素、酸素、又は他のドーパントなどのドーパントを含んでよい。したがって、磁気記憶層２２０は、３つの層、すなわち、第１の磁性層２２０Ａ及び第２の磁性層２２０Ｂ、並びに第１の磁性層２２０Ａと第２の磁性層２２０Ｂとの間に配置された第３の層２２０Ｃから製造される。第３の層２２０Ｃは、基板平面（例えば、基板２０２に垂直な平面）に垂直なピンニング（ピン止め）モーメントを強め、これは、磁気異方性、すなわち構造の磁気特性の方向依存性を促進する。
[0074] 図２Ｆは、本開示の一実施形態による、例示的なキャッピング層２２２の拡大図である。キャッピング層２２２の全体的な厚さは、２Åから１２０Åであり、幾つかの実施形態では、キャッピング層（例えば、図２Ｆで示されているような全ての中間層）の全体的な所望の厚さは、約６０Åである。一実施形態では、キャッピング層２２２が、複数の中間層を含む。第１のキャッピング中間層２２２Ａは、磁気記憶層２２０上に直接的に形成されたMgO又は別の鉄含有酸化物から製造されて、約２Åから約１０Åの厚さを有する。第１のキャッピング中間層２２２Ａの頂部の上に、Ru、Ir、又はそれらの組み合わせの第２のキャッピング中間層２２２Ｂが、１Åから約３０Åの厚さで形成される。一実施形態では、任意選択的に、第３のキャッピング中間層２２２Ｃが、第２のキャッピング中間層２２２Ｂ上に、１Åから約３０Åの厚さで、Taから形成される。したがって、キャッピング層２２２の幾つかの実施形態は、第３のキャッピング中間層２２２Ｃを含まない。一実施形態では、任意選択的に、第２のキャッピング中間層２２２Ｄが、第３のキャッピング中間層２２２Ｃ上に形成され、Ru、Ir、又はそれらの組み合わせから５０Åまでの厚さで形成される。様々な実施形態では、キャッピング層２２２が、第１のキャッピング層２２２Ａのみ、若しくは第１のキャッピング中間層２２２Ａ及び第２のキャッピング中間層２２２Ｂ、又は第１のキャッピング中間層２２２Ａ、第２のキャッピング中間層２２２Ｂ、及び第３のキャッピング中間層２２２Ｃ、すなわち、第１、第２、及び第３のキャッピング層２２２Ａ～２２２Ｃを含む。幾つかの実施形態では、MTJ積層体の性能が（１以上の）遷移層によって悪影響を受けないように、遷移層が、第１のキャッピング中間層２２２Ａ、第２のキャッピング中間層２２２Ｂ、及び第３のキャッピング中間層２２２Ｃのうちの幾つか又は全部の間で使用されてよく、或いは、キャッピング層２２２と磁気記憶層２２０との間にあってもよい。
[0075] 本明細書で説明されたMTJ積層体は、少なくとも、第１のピンニング層とSyF結合層との間の格子整合、及び第２のピンニング層とSyF結合層との間の格子整合のために、摂氏４００度以上の温度で処理を受けた後の性能が改善された。SyF結合層と第１及び第２のピンニング層のそれぞれとの間の格子整合は、SyF結合層と第１のピンニング層との接触部分、及びSyF結合層と第２のピンニング層との接触部分における、粗さの形成を防止する。そのような粗さの形成は、MTJ積層体の性能に悪影響を及ぼす１以上の層における平坦性の欠如をもたらす。更に、第１のピンニング層と第２のピンニング層のそれぞれが二重層を含む一実施例では、第１のピンニング層と第２のピンニング層の各二重層の各中間層の厚さの比率を選択して、MTJ積層体に磁場が印加されたときの双極子場の影響を低減させることができる。したがって、本開示の実施形態に従って製造されたMTJ積層体は、高温処理の後で、構造的完全性、並びに望ましい磁気特性及び電気特性を維持することができる。
[0076] 上記は、本開示の実施形態に向けられているが、本開示の他の及び更なる実施形態が、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって規定される。
Claims (15)
- 磁気トンネル接合積層体を備えるデバイスであって、磁気トンネル接合積層体が、
第１の二重層と、前記第１の二重層の上に形成されたプラチナ又はパラジウムを含む第１の格子整合層とを含む、第１のピンニング層、
前記第１のピンニング層の前記第１の格子整合層と接触している合成反フェリ磁性結合層、及び
前記合成反フェリ磁性結合層と接触している第２のピンニング層であって、前記合成反フェリ磁性結合層と接触しているプラチナ又はパラジウムを含む第２の格子整合層を含む、第２のピンニング層を含む、デバイス。 - 前記第１のピンニング層の全体的な厚さが、１nmから１８nmであり、前記第２のピンニング層の全体的な厚さが、０．３nmから１５nmである、請求項１に記載のデバイス。
- 前記第１の二重層が、１Åから７Åの厚さを有するコバルトの第１の中間層と、プラチナ、ニッケル、パラジウム、又はそれらの合金若しくは組み合わせの１Åから８Åの厚さを有する第２の中間層とを含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記第１の格子整合層が１Åから３Åの厚さ有し、前記第２の格子整合層が１Åから３Åの厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記合成反フェリ磁性結合層が、ルテニウム、クロム、ロジウム、又はイリジウムを含み、３Åから１０Åの厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
- 前記第２のピンニング層が、１Åから８Åの厚さを有するコバルトの第１の中間層と、プラチナ、ニッケル、若しくはパラジウム、又はそれらの合金若しくは組み合わせから形成された１Åから８Åの厚さを有する第２の中間層と、から形成される二重層を更に含む、請求項１に記載のデバイス。
- 前記第２のピンニング層と接触している構造ブロッキング層、
前記構造ブロッキング層と接触している磁気基準層、
前記磁気基準層と接触しているトンネルバリア層、及び
前記トンネルバリア層と接触している磁気記憶層を更に含む、請求項１に記載のデバイス。 - 前記第１の格子整合層の格子定数と前記第２の格子整合層の格子定数のそれぞれが、前記合成反フェリ磁性結合層の格子定数の＋／－４％以内である、請求項１に記載のデバイス。
- 磁気トンネル接合積層体であって、
第１の複数の二重層と、前記第１の複数の二重層の上に形成されたプラチナ又はパラジウムを含む第１の格子整合層とを含む、第１のピンニング層であって、前記第１の複数の二重層の各二重層が、第１のコバルト中間層と、プラチナ、ニッケル、若しくはパラジウム、又はそれらの合金若しくは組み合わせの第２の中間層とから形成されている、第１のピンニング層、
前記第１のピンニング層上に形成された合成反フェリ磁性結合層、及び
前記合成反フェリ磁性結合層上に形成された第２のピンニング層であって、前記合成反フェリ磁性結合層上に形成された第２の格子整合層を含む第２のピンニング層を含む、積層体。 - 前記第２のピンニング層が、前記第２の格子整合層上に形成された第２の二重層、及び前記第２の二重層上に形成された１Åから１０Åの厚さを有するコバルト層を更に含む、請求項９に記載の積層体。
- 前記第２の格子整合層が、プラチナ又はパラジウムを含む、請求項９に記載の積層体。
- 前記第２のピンニング層上の構造ブロッキング層であって、タンタル、モリブデン、又はタングステンのうちの少なくとも１つを含み、１Åから８Åの厚さを有する構造ブロッキング層、
前記構造ブロッキング層上の磁気基準層、
前記磁気基準層上のトンネルバリア層、及び
前記トンネルバリア層上の磁気記憶層を更に含む、請求項９に記載の積層体。 - 磁気トンネル接合積層体であって、
緩衝層、
前記緩衝層と接触するように形成されたクロムを含むシード層、
前記シード層に接触している第１のピンニング層であって、第１の二重層と前記第１の二重層の上に形成されたプラチナ又はパラジウムを含む第１の格子整合層とから形成され、前記第１の二重層が、コバルト中間層と、プラチナ、ニッケル、又はパラジウムの中間層とを含む、第１のピンニング層、
前記第１のピンニング層上に形成された合成反フェリ磁性結合層、
前記合成反フェリ磁性結合層上に形成された第２のピンニング層であって、前記合成反フェリ磁性結合層上に形成されたプラチナ又はパラジウムを含む第２の格子整合層を含む、第２のピンニング層、
前記第２のピンニング層上に形成されたタンタル、モリブデン、又はタングステンのうちの少なくとも１つを含む構造ブロッキング層、
前記構造ブロッキング層上に形成された磁気基準層、
前記磁気基準層上に形成されたトンネルバリア層、及び
前記トンネルバリア層上に形成された磁気記憶層を含む、積層体。 - 前記第２のピンニング層が、前記第２の格子整合層の上に形成された第２の二重層を更に含み、前記第２の二重層が、コバルトの第１の中間層と、プラチナ、ニッケル、若しくはパラジウム、又はそれらの合金若しくは組み合わせの第２の中間層とを更に含む、請求項１３に記載の積層体。
- 前記第１のピンニング層の前記第１の二重層が、前記第１の中間層の厚さと前記第２の中間層の厚さとの第１の厚さの比率を有し、前記第２のピンニング層の前記第２の二重層が、前記第１の中間層の厚さと前記第２の中間層との第２の厚さの比率を有し、前記第１の厚さの比率が、前記第２の厚さの比率よりも大きい、請求項１４に記載の積層体。
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