JP7087702B2 - ノズルプレートの製造方法、インクジェットヘッドの製造方法、ノズルプレート及びインクジェットヘッド - Google Patents
ノズルプレートの製造方法、インクジェットヘッドの製造方法、ノズルプレート及びインクジェットヘッド Download PDFInfo
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一方で、原子層堆積法を用いると、欠陥の少ない高品質な保護膜が得られるものの、成膜に時間が掛かる。
このように、上記従来の技術では、耐久性に優れた保護膜を効率良く形成するのが容易でないという課題がある。
ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に、プラズマCVD法により第1の保護膜を形成する第1の成膜工程、
前記第1の保護膜に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行うことにより前記第1の保護膜の内部応力を緩和する保護膜表面処理工程、
前記保護膜表面処理工程の後に、前記第1の保護膜の表面に、プラズマCVD法により前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜を形成する第2の成膜工程、
を含む。
ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に、プラズマCVD法により第1の保護膜を形成する第1の成膜工程、
前記第1の保護膜に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行う保護膜表面処理工程、
前記保護膜表面処理工程の後に、前記第1の保護膜の表面に、プラズマCVD法により前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜を形成する第2の成膜工程、
を含み、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の材料が炭化ケイ素である。
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のノズルプレートの製造方法において、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜は、炭化ケイ素、炭化酸化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル又はタンタルシリケートからなる。
請求項4に記載の発明は、請求項1から3のいずれか一項に記載のノズルプレートの製造方法において、
前記第1の成膜工程の前に、前記基板に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行う基板表面処理工程を含む。
前記第1の成膜工程では、前記基板の表面のうち、少なくとも前記ノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面に前記第1の保護膜を形成する。
前記第2の成膜工程の後に、前記第2の保護膜のうち前記ノズル開口面に沿って形成されている部分に重ねて撥液膜を形成する撥液膜形成工程を含む。
請求項1から6のいずれか一項に記載のノズルプレートの製造方法を含む。
ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートであって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に設けられた第1の保護膜と、
前記第1の保護膜の表面に設けられた、前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜と、
を備え、
前記第1の保護膜と前記第2の保護膜との間には、前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の応力の相違による界面があり、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の材料が炭化ケイ素である。
請求項8に記載のノズルプレートを備える。
インクジェット記録装置100は、搬送ベルト101、搬送ローラー102、ヘッドユニット103などを備える。
本実施形態のインクジェットヘッド1では、これらのアルカリ性のインクや酸性のインクからインクジェットヘッド1を保護するために保護膜12(図3参照)が設けられている。この保護膜12の形成位置や形成方法については後に詳述する。
インクジェットヘッド1は、ヘッドチップ2と、共通インク室70と、支持基板80と、配線部材3と、駆動部4などを備える。
ノズル141は、基板11の下面に円形の開口部を有する円筒状の孔である。ノズル141は、開口部とは反対側が連通路142に連通している。以下では、基板11のうちノズル141の開口部が設けられている面をノズル開口面11aと記す。
連通路142は、ノズル141よりも大きな直径を有しノズル141と同心の円筒状の孔であり、基板11の上面に開口部を有する。
ノズル141の開口部の直径は、15~30μm程度、ノズル141のZ方向の長さ(ノズル長)は、10~30μm程度とすることができ、連通路142の直径は、100~200μm程度とすることができる。
保護膜12の厚さは、特には限られないが、例えば50nm~500nm程度とすることが望ましい。
このような耐インク性を有する材質からなる保護膜12は、基板11がインク(特に、アルカリ性のインクや酸性のインク)により浸食されるのを抑制する。また、保護膜12は、後述する撥液膜13の下地膜の役割も果たす。耐インク性を有する保護膜12は、インクと接触しても剥離が生じにくいため、保護膜12を下地膜とすることで、撥液膜13が下地膜としての保護膜12とともに剥離する不具合の発生を抑制することができる。
図4(a)は、従来の単層の保護膜の走査型電子顕微鏡による断面写真であり、図4(b)は、本実施形態の2層構造の保護膜12の走査型電子顕微鏡による断面写真である。
図4(b)の断面写真から、本実施形態の保護膜12では、第1の保護膜121と第2の保護膜122との間に、応力の相違による界面12aがあることが分かる。他方で、図4(a)に示される従来の単層の保護膜には、界面がない。
また、撥液膜13には、ノズル141の形成位置に撥液膜13を貫通する開口部が設けられており、ノズル141から吐出されるインクは、当該開口部から射出される。
図5は、ノズルプレート10の製造方法に係る処理(ノズルプレート製造処理)の手順を示すフローチャートである。
図6及び図7は、ノズルプレート10の製造方法を説明する断面図である。
すなわち、まず基板11の下面に形成されたレジスト91に対し、フォトリソグラフィー法により、ノズル141の位置に開口部91aを形成する(図6(a))。次に、レジスト91をマスクとして基板11に対する垂直方向のエッチングを行い、ノズル141の開口パターンを形成する(図6(b))。このエッチングは、深掘りRIE(Deep Reactive Ion Etching)を行うRIE装置や、放電形式に誘導結合方式を採用したドライエッチング装置であるICP(Inductively Coupled Plasma)-RIEエッチング装置等のドライエッチング装置を用いて行うことができる。また、プロセスガスとして、SF6やC4F8などを用い、エッチング開口の側面を保護する保護層の形成と垂直方向へのドライエッチングとを繰り返し行うボッシュプロセスによって垂直性に優れたエッチング加工を行うことができる。また、基板11としてSOI基板を用いた場合、エッチングストッパー層までエッチングが進んだ段階でエッチングを停止させることができるため、ノズル141のノズル長を高精度に作り込むことができる。
次に、基板11の上面に形成されたレジスト92に対し、フォトリソグラフィー法により、連通路142の位置に開口部92aを形成する(図6(b))。このレジスト92をマスクとして、ノズル141の形成と同様に基板11に対して垂直方向のエッチングを行うことで、ノズル141に連通する連通路142を形成する(図6(c))。これにより、基板11にノズル141及び連通路142からなる貫通孔14が形成される。
具体的には、基板11が設置されたチャンバー内を0.03Paに減圧した上で、チャンバー内にアルゴンガス(10sccm)及び水素ガス(20sccm)を導入し、基板11と所定の対向電極との間に200Vのバイアス電圧を300Wの電力で印加する。これにより、アルゴンガス及び水素ガスがイオン化(プラズマ化)されるとともに、基板11がマイナスに帯電し、アルゴンイオン及び水素イオンが基板11の表面に向かって飛翔して衝突する。アルゴンイオンを衝突させることで、基板11の表面に付着した不純物や薄い酸化被膜が除去されて清浄化される。また、水素イオンを衝突させることで、基板11の表面の酸化が抑制される。
このようなイオンボンバード処理により、基板11に対する第1の保護膜121の密着性を向上させることができる。
撥液膜13の形成後、フッ素系溶剤(例えば、ノベック1200(スリーエムジャパン株式会社製))で洗浄して、未反応のフッ素含有有機ケイ素化合物を除去する。
ステップS109からステップS110までの処理は、撥液膜形成工程に対応する。
実験1では、本実施形態の方法で形成された保護膜12の耐インク性(耐食性)を評価した。
具体的には、シリコンの基板11上に、プラズマCVD法により炭化ケイ素からなる第1の保護膜121を形成し、当該第1の保護膜121に対してイオンボンバード処理を行い、これにプラズマCVD法により炭化ケイ素からなる第2の保護膜122を積層させ、厚さ500nmの保護膜12を形成したものを実施例とした。
また、途中でイオンボンバード処理を行わずに厚さ500nmの炭化ケイ素からなる保護膜を形成したものを比較例とした。
実験1では、実施例及び比較例を、アルカリ性のインクに浸漬して、保護膜の剥離状態を観察した。より詳しくは、一般的に流通しているアルカリ性のインクよりも高いpH(pH11)のインクを用いるとともに、インクが変性しない程度に温度を上げることで、加速試験を行った。
このうち、図8(a)は、比較例のサンプルに対して6か月相当の加速試験を行った後の保護膜の表面を撮影した写真である。この図に示されるように、途中でイオンボンバード処理を行わない比較例では、6か月相当の加速試験で保護膜の剥離(図8(a)中の領域90)が観察された。
一方、図8(b)は、実施例のサンプルに対して24か月相当の加速試験を行った後の保護膜12の表面を撮影した写真である。この図に示されるように、途中でイオンボンバード処理を行った実施例では、24か月相当の加速試験を行っても保護膜12の剥離は見られず、優れた耐久性を有していることが確認された。
実験2では、本実施形態の方法で形成された保護膜12を下地膜として形成した撥液膜13の耐インク性(耐食性)を評価した。
具体的には、基板11上に、実験1の実施例と同一の方法で形成した保護膜12を下地膜として撥液膜13を形成したものを実施例とした。
また、基板11上に、実験1の比較例と同一の方法で形成した保護膜を下地膜として撥液膜13を形成したものを比較例とした。
撥液膜13は、上述のオプツール(登録商標)を用いて形成した。
実験2では、実施例及び比較例の各サンプルをアルカリ性のインクに浸漬し、一定期間ごとに取り出して、所定の基準インクを滴下して静的接触角を測定した。当該基準インクに対して所望の撥液性が得られる接触角の範囲の下限値は、50度である。
図9では、各サンプルをアルカリ性のインクに浸漬した浸漬時間(加速試験による換算浸漬時間)ごとの基準インクに対する接触角がグラフ上にプロットされている。
図9のグラフに示されるように、比較例のサンプルでは、6か月相当の換算浸漬期間で接触間が60度を下回って劣化が激しくなり、12か月相当の換算浸漬期間の経過後には、基準値を大きく下回って完全に撥液性を失う結果となった。
一方、実施例のサンプルでは、12か月相当の換算浸漬期間の経過後も、基準値より大きい接触角が維持されており、優れた耐久性を有していることが確認された。
このような方法によれば、第1の保護膜121に対するイオンボンバード処理によって第1の保護膜121の応力が緩和されることで、第1の保護膜121の基板11に対する密着性を高めることができる。よって、プラズマCVD法による成膜で第1の保護膜121に微小な欠陥が生じていても、当該欠陥にインクが侵入した場合の第1の保護膜121と基板11との界面のインクによる浸食が進みにくいため、当該欠陥を起点として第1の保護膜121(及びその上に積層された第2の保護膜122)が剥離する不具合の発生を抑制することができる。
また、第1の保護膜121に第2の保護膜122を重ねて形成することで、第1の保護膜121が、微小な欠陥や、応力の緩和時に生じた微小なクラックなどを有していても、これらの欠陥やクラックを第2の保護膜122で覆ってインクが侵入しにくい構造とすることができる。
また、第1の保護膜121及び第2の保護膜122の形成をプラズマCVD法で行うことで、第1の保護膜121及び第2の保護膜122を短時間で形成することができ、ノズルプレート10の生産性を高めることができる。また、第1の保護膜121の形成、第1の保護膜121に対するイオンボンバード処理、及び第2の保護膜122の形成は、いずれも真空(減圧)環境下で行われ、途中で真空を破る必要がないため、同一のチャンバー内でこれらの各処理を連続して行うことでノズルプレート10の生産性を高めることができる。
よって、上記実施形態の方法によれば、耐久性に優れた保護膜12を効率良く形成することができる。
このような構成によれば、応力が緩和されて基板11に対する高い密着性を有する第1の保護膜121が設けられていることで、第1の保護膜121が微小な欠陥を有していても、当該欠陥を起点として第1の保護膜121(及びその上に積層された第2の保護膜122)が剥離する不具合の発生を抑制することができる。
また、第1の保護膜121に第2の保護膜122が積層されていることで、第1の保護膜121が有する微小な欠陥やクラックを第2の保護膜122で覆って当該欠陥やクラックにインクが侵入しにくい構造とすることができる。
例えば、上記実施形態では、保護膜12を第1の保護膜121及び第2の保護膜122からなる2層構造とする例を用いて説明したが、保護膜12の構成はこれに限られず、3層以上の保護膜を積層させた構成としても良い。この場合には、最下層の保護膜に加え、最上層を除く各層の保護膜に対してイオンボンバード処理を行うことで、各層の膜応力を小さくして層間での剥離を抑制することができる。
1a インク吐出面
2 ヘッドチップ
3 配線部材
4 駆動部
10 ノズルプレート
11 基板
11a ノズル開口面
12 保護膜
121 第1の保護膜
122 第2の保護膜
12a 界面
13 撥液膜
14 貫通孔
141 ノズル
142 連通路
20 圧力室基板
21 圧力室
30 振動板
40 スペーサー基板
50 配線基板
60 圧電素子
70 共通インク室
80 支持基板
100 インクジェット記録装置
101 搬送ベルト
102 搬送ローラー
103 ヘッドユニット
M 記録媒体
Claims (9)
- ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に、プラズマCVD法により第1の保護膜を形成する第1の成膜工程、
前記第1の保護膜に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行うことにより前記第1の保護膜の内部応力を緩和する保護膜表面処理工程、
前記保護膜表面処理工程の後に、前記第1の保護膜の表面に、プラズマCVD法により前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜を形成する第2の成膜工程、
を含むノズルプレートの製造方法。 - ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートの製造方法であって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に、プラズマCVD法により第1の保護膜を形成する第1の成膜工程、
前記第1の保護膜に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行う保護膜表面処理工程、
前記保護膜表面処理工程の後に、前記第1の保護膜の表面に、プラズマCVD法により前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜を形成する第2の成膜工程、
を含み、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の材料が炭化ケイ素であるノズルプレートの製造方法。 - 前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜は、炭化ケイ素、炭化酸化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化タンタル又はタンタルシリケートからなる請求項1に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1の成膜工程の前に、前記基板に対し、減圧環境下でイオンボンバード処理を行う基板表面処理工程を含む請求項1から3のいずれか一項に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第1の成膜工程では、前記基板の表面のうち、少なくとも前記ノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面に前記第1の保護膜を形成する請求項1から4のいずれか一項に記載のノズルプレートの製造方法。
- 前記第2の成膜工程の後に、前記第2の保護膜のうち前記ノズル開口面に沿って形成されている部分に重ねて撥液膜を形成する撥液膜形成工程を含む請求項5に記載のノズルプレートの製造方法。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載のノズルプレートの製造方法を含むインクジェットヘッドの製造方法。
- ノズルからインクを吐出するインクジェットヘッドに用いられる、前記ノズルを有するノズルプレートであって、
前記ノズルをなす貫通孔が設けられた基板と、
前記基板の表面のうち、前記ノズルの開口部が設けられているノズル開口面及び前記貫通孔の内壁面のうち少なくとも一部に設けられた第1の保護膜と、
前記第1の保護膜の表面に設けられた、前記第1の保護膜と同一組成の第2の保護膜と、
を備え、
前記第1の保護膜と前記第2の保護膜との間には、前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の応力の相違による界面があり、
前記第1の保護膜及び前記第2の保護膜の材料が炭化ケイ素であるノズルプレート。 - 請求項8に記載のノズルプレートを備えるインクジェットヘッド。
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