JP7057480B2 - ガス分析システム、ガス分析方法、及びガス分析用コンピュータプログラム製品 - Google Patents
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Description
図1に示すように、本発明の実施形態に係るガス分析システム、又はガス分析器は、センサユニット1と、温度制御装置16と、ガス供給装置17と、速度測定装置18と、信号処理装置40とを含む。センサユニット1は、図2に示すように、管状のセンサセル31内に収納された「ボールSAWセンサ」を、SAWセンサ2として有している。管状のセンサセル31は、ブロック状の支持台11上に配置された板状の取付補助板(アダプタ)14上に固定される。センサセル31が構成する管状のトポロジに対し、SAWセンサ2は球状であるので、センサセル31の内部構造はSAWセンサ2の下部を取り付けるための凹部分を有する。電極支持ベース部32は、電極支持ベース部32の底部がセンサセル31の上壁に垂直に開口された窓部の内壁に挿入されるように、センサセル31上に固定される。電極支持ベース部32の底部を垂直方向に貫通するようにカナル(導管)が構成され、カナルの下部の開口部は、SAWセンサ2の上部を部分的に覆う。さらに、電極支持ベース部32の最上部はセンサセルキャップ33によって塞がれる。
非特許文献2において、SAWの漏洩減衰係数αLは、
ΔαL≡[(f2/f1)uα1-α2]/l ……(4)
として定義される。但し、上付き添字の「u」は、被検ガスによる減衰量の周波数依存性を表す指標であり、1.8以上、2.3以下の値であり、lは、SAW伝搬長である。
α1=a0F1 z+a1(w)F1 u+a2F1 y ……(5)
α2=a0F2 z+a1(w)F2 u+a2F2 y ……(6)
但し、F1=f1/f0であり、F2=f2/f0であり、F0は、基準周波数である。また、SAWの伝搬長lに関しては、
ΔαL=αL(F1 1-uF2 u-F2)+(a2/l)(F1 y-uF2 u-F2 y) ……(8)
特殊な場合として、F2=3F1、F1=1、及び粘弾性損失となるべき損失をu=2を定義する(非特許文献3参照)。この場合、
ΔαL=αL(3u-3)+(a2/l)(3u-3y)=6αL+(a2/l)(9-3y) ……(9)
となる。式(9)から、
G=(γM)1/2=A(T1/2/P)(ΔαL-d)
A=(ρsVs 2R1/2)/(6f0)、 d=(a2/l)(9-3y) ……(11)
G1=A(T1 1/2/P1)(ΔαL,1-d)、
及び G2=A(T2 1/2/P2)(ΔαL,2-d)、
A=(P2G2/T2 1/2-P1G1/T1 1/2)/(ΔαL,2-ΔαL,1)、及び
d=ΔαL,1-P1G1/(AT1 1/2) ……(12)
となる。第2の測定においては、全てのパラメータ(T2,P2,G2)をパラメータ(T1,P1,G1)と異ならせる必要はない。異なるガス種を、同じ温度及び同じ圧力で測定する、即ち、校正条件(T2=T1,P2=P1,G2≠G1)で測定することもできるし、圧力のみを変えて測定する、即ち、校正条件(T2=T1,P2≠P1,G2=G1)で測定することもできる。一定温度T又は一定圧力Pの環境下においては、校正は、以下の式によって行うことができる。
G=B(ΔαL-d) ……(13)
但し、B=A(T1/2/P) ……(14)
である。
ΔαV≡{α2-(F2/F1)α1}/l
=(a1(w)/l)(F2 2-F1F2)+(a2/l)(F2 y-F1 y-1F2)……(15)
F2=3F1及びF1=1の特殊な場合において、
ΔαV=6(a1(w)/l)+(a2/l)(3y-3) ……(16)
となる。
<背景ガスの測定>
背景ガスのガス分析のためのテスト測定は被検ガスとしての微量水分が種々の背景ガス内に混合された水分添加ガスを用いて実行される。図6に示すように、テスト測定のために使用されるガス供給装置17は、複数のガス供給源52a,52b,52c,52dと、ガスコントローラ50と、水分発生器54とを含む。複数のガス供給源52a,52b,52c,52dの各々は、背景ガスのガス容器と、背景ガスの流量を制御するための流量コントローラとを含み、背景ガスを、ガス切り替えバルブ50及び水分発生器54を介してセンサユニット1に供給する。尚、図6においては、説明の便宜のため、速度測定装置18を省略している点に留意すべきである。テスト測定においては、例えば、ガス供給源52aは、窒素(N2)ガスを供給し、ガス供給源52bは、アルゴン(Ar)ガスを供給し、ガス供給源52cは、メタン(CH4)ガスを供給し、また、ガス供給源52dは、空気を供給する。ガス切り替えバルブ50は、波形データプロセッサ44の通信部45の命令によって、ガス供給源52a,52b,52c,52dからの背景ガスを選択するために切り替わる。水分発生器54は、図5に示す通信部45の命令によって、背景ガス内の被検ガスとして、微量水分を所定の濃度で生成する。従って、所定の露点の水分が添加されたガス、又は所定の水分濃度を、センサユニット1に供給することができる。
式(13)及び(14)内の係数B及び項dを決定するための校正の例を以下に説明する。校正手順において、-60℃の露点、即ち10.7ppmvの水分濃度を持つ水分添加ガスは、図6に示すガス供給装置17のガス供給源52a~52dから供給される空気、N2、Ar、及びCH4の背景ガスで使用される。水分添加ガスにおいて、背景ガスは、空気、N2、Ar、及びCH4の順序で変更され、第1及び第2減衰量α1及びα2は、図9に示すように計測される。そして、リーク係数ΔαLは、図10でプロットされるように、第1減衰量α1及び第2減衰量α2を用いて測定される。この測定において、SAWの伝搬長lは、l=41.47mmに設定される。N2及びArを用いた校正の場合、ガスパラメータGと、N2及びArに関するガスパラメータGの周知の値を用いて計算されたリーク係数ΔαLとの関係は、図12における白抜きの円のようにプロットされる。2つの白抜きの円を結んで、M=0でG=0まで延びる直線を想定すると、式(13)及び(14)でデバイス損失によって生じる係数B及び項dは、B=0.1085、及びd=58.53dB/mとして校正される。
図9における第1の背景ガス及び第4の背景ガスが未知であると仮定すると、空気及びCH4である第1及び第4の背景ガスを、それぞれ、標的ガスX2及びX1とする。そして、標的ガスX2及びX1は、図1に示すように、本発明の実施形態に係るガス分析器を用いることによって評価される。
-50℃の露点、及び38.8ppmvの水分濃度という水分添加ガスにおいて、背景ガスX3,X4,X5,X6は、標的ガスとして使用される。背景ガスは、図13に示すように、X6、X3、X5、及びX4の順序で変更され、リーク係数ΔαLは、図14に示されるように測定される。図15の表に示される背景ガスX3,X4,X5,X6の測定されたガスパラメータG*は、N2、Ar、CH4、及び空気に対応する6.26、8.17、4.56、及び6.35の正しいガスパラメータGに非常に近いので、標的ガスは、それぞれ、X3=N2、X4=Ar、X5=CH4、及びX6=空気と判断できる。測定されたガスパラメータG*は、図16の推定された直線に非常に近く、その測定誤差は、図15の表に示されるように、2.7%以下である。
本発明の実施形態に係るガス分析器においては、背景ガスの組成が変化したときであっても、粘弾性係数Δαvを用いて高精度で、背景ガス内の被検ガスの濃度を測定することもできる。粘弾性係数Δαvが背景ガスの組成には依存せず、水分量のみに依存するということを検証するために、式(4)を用いて求められたリーク係数ΔαLと、式(15)を用いて求められた粘弾性係数Δαvは、図18及び図19に示すように、約65時間という長い時間のスパンにおいて比較される。図19に示すように、約65時間のスパンで、水分量を10.7ppmv、38.8ppmv、及び127ppmvにそれぞれ対応する-60℃、-50℃、及び-40℃の露点となるように変化させている。図18と図19の比較から、図18に示すリーク係数ΔαLは、水分量に独立していることが確認できる。一方、図19に示す粘弾性係数Δαvは、背景ガスの組成の変化にほぼ独立しており、水分量の変化のみを表すことが分かる。従って、粘弾性係数Δαvは、各背景ガスに関し、時間がかかる再校正の手順を行うことなく、異なる背景ガスについて水分測定を行うに際し有益である。
第2実施例となる以下の説明においては、M(バー)、G(バー)、γ(バー)、Cp(バー)、及びCv(バー)等の表記は、M、G、γ、Cp、及びCv等の文字の最上部に水平な直上線、又は直上バーを付加した記号を意味している。
<混合ガスへの適用>
複数の成分ガスを有する混合ガスにおいて、平均ガスパラメータG(バー)は、
G(バー)={γ(バー)M(バー)}1/2
={Cp(バー)/Cv(バー)}1/2M(バー) ……(17)
によって与えられる。但し、M(バー)は、平均分子量であり、γ(バー)は、定積平均比熱Cv(バー)に対する定圧平均比熱Cp(バー)の平均比熱比である。M(バー)、Cp(バー)、及びCV(バー)は、
G(バー)={[(CPA-CPB)x+CPB][(MA-MB)x+MB]/[(CVA-CVB)x+CVB]}1/2 ……(19)
として得られる。但し、xはガスXAのモル分率であり、MA、CPA及びCVAはそれぞれ、ガスXAの分子量、定圧比熱、及び定積比熱であり、そして、MB、CPV、CVBはそれぞれ、ガスXBの分子量、定圧比熱、及び定積比熱である。
Gs(バー)=(γM)1/2(バー) ……(20)
を単純平均した値の変化を示す曲線に合致しないことに留意すべきである。
さらに、グローブボックスの内部がパージガスに置き換えられたかどうかをチェックするために、本発明の実施形態に係るガス分析器を用いることも可能である。例えば、Li-イオン電池又は金属を対象物とする3Dプリンタに使われるグローブボックスでは、グローブボックス内の空気及び水分をパージガスで置き換えることが要求される。パージガスとして、アルゴン、ヘリウム、N2等のような不活性ガス、又はそれら不活性ガスの混合ガスを、空気及び水分中の酸素(O2)との意図しない化学反応を回避するために適宜使用できる。グローブボックス内にパージガスを導入することによって、空気及び水分を取り除いている間、パージガスと空気は、混合ガスとなっているので、この場合、パージガスの濃度は時間と共に増加するであろう。従って、式(19)のガスパラメータG(バー)を用いて、グローブボックス内の空気と混合した成分ガスとしてのパージガスの濃度を測定することが可能となる。また、グローブボックス内のパージガスの空間分布の測定に対し十分な精度を期待できる。さらに、被検ガスとして、グローブボックス内の水分の濃度を式(15)の粘弾性係数Δαvを用いて測定できる。
マイヤーの関係式によれば、Cpi=Cvi+Rであり、式(19)は、
V(バー)=[γ(バー)RT/M(バー)]1/2= {[1+R/(CV(バー))]RT/M(バー)}1/2……(22)
としてガス分析で測定される。式(22)においては、分子量の独立した量だけでなく、比熱比についても、利用可能となっていない。しかし、ガス分析器が式(17)のガスパラメータG(バー)を与える場合には、平均分子量M(バー)及び平均比熱比γ(バー)は、
x1M1+x2M2+x3M3= G(バー)(RT)1/2/V(バー) ……(24)
[x1(CV1+R)+x2(CV2+R)+x3(CV3+R)]/(x1CV1+x2CV2+x3CV3)
=G(バー)V(バー)/(RT)1/2 ……(25)
及び
x1+x2+x3 = 1 ……(26)
の結果となる。連立一次方程式(24)、(25)、及び(26)を解くことにより、モル分率(x1, x2, x3)を求めることができる。
水素が、天然ガス、例えば、メタン及びエタンの混合ガスに注入され、x1=[H2]、X2=[CH4]、x3=[C2H6]である場合、モル分率(x1、x2、x3)は、式(24)から式(25)によって求められる。
水素がメタンに注入され、x1=[H2]、X2=[CH4]である場合、
G(バー)={[x1(CV1+R)+x2(CV2+R)](x1M1+x2M2)/(x1CV1+x2CV2)}1/2 ……(27)
x1 +x2 = 1 ……(28)
である。そして、モル分率(x1、x2)は、式(27)及び式(28)によって求められる。
図1及び図5に示すように、実施形態に係るガス分析器は、10kHzから100kHzの範囲内の周波数を持つ超音波を用いて、速度測定装置18によってガスの音速を測定することができる。平均音速は、
V(バー) = {1/[ρ(バー) KG(バー)]}1/2 ……(29)
と、平均密度ρ(バー)及び平均圧縮率KG(バー)によって表される。このような場合では、式(1)と同様に、
αL(バー) = f[ρ(バー)/KG(バー)]1/2/(ρSVS 2) ……(30)
として、平均漏洩減衰係数αL(バー)を表すのが有益である。そして、式(29)及び式(30)から、平均圧縮率及び平均密度は、
KG (バー) = {f/[ρSVS 2]}{1/[V(バー)α(バー)]} ……(31)
ρ(バー) = {[ρSVS 2]/f}{αL(バー)/V(バー)} ……(32)
のように求められる。平均漏洩減衰係数αL(バー)は、式(10)と同様に、
本発明は、実施形態を参照することよって上記のように説明してきたが、本発明がその開示の一部をなす明細書の記述及び図面に限定されることを意図していないことを理解すべきである。即ち、様々な代替の実施形態、実施例、及び技術的応用例が、この開示に係る技術分野における通常の知識を有する者に明白となるであろう。本発明は、ここでは開示しない様々な実施形態を包含する点に留意すべきである。従って、本発明の技術的範囲は、上記の説明から妥当に導かれる特許請求の範囲に記載された発明特定事項によってのみ定められるものである。
2 SAWセンサ(ボールSAWセンサ)
2a 平面型SAWセンサ
10 温度コントロールユニット
11 支持台
12 ペルチェ素子
13 サーミスタ
14 アダプタ
16 温度制御装置
17 ガス供給装置
18 速度測定装置
20 圧電体球
20a 圧電体基板
21 コリメートビーム
22 センサ電極
22a 入力電極
22b 出力電極
23, 23a 感応膜
31 センサセル
32 電極支持ベース部
33 センサセルキャップ
34 電極収納管
35 外部電極
36 配管
40 信号処理装置
42 信号発生器/受信器
42a 信号発生器
42b 信号受信器
44 波形データプロセッサ
45 通信部
46 計算部
47 比較部
48 記憶部
50 ガス切り替えバルブ
52a, 52b, 52c, 52d ガス供給源
54 水分発生器
Claims (20)
- 圧電体基板、前記圧電体基板上を伝搬する第1及び第2周波数の弾性表面波のコリメートビームを発生させるセンサ電極、前記コリメートビームが通過する位置に配置され、背景ガス内に含まれる被検ガスを吸着する感応膜を有するセンサと、
前記コリメートビームを励起するために前記センサ電極にバースト信号を送信する信号発生器、前記圧電体基板上に前記コリメートビームが伝搬した後に前記センサ電極を通して前記コリメートビームの第1周波数を持つ第1帰還バースト信号および第2周波数を持つ第2帰還バースト信号を受信する信号受信器、基準ガスの基準ガスパラメータと基準リーク係数との関係並びに前記背景ガスの標的リーク係数によって、標的ガスパラメータを計算するデータプロセッサを有する信号処理装置と、
を備え、前記データプロセッサは、前記標的リーク係数を前記第1及び第2帰還バースト信号の波形データから求められる前記第1帰還バースト信号の第1減衰量及び前記第2帰還バースト信号の第2減衰量を含む式によって計算することを特徴とするガス分析システム。 - ΔαLを前記標的リーク係数、Gを前記標的ガスパラメータ、f1を前記第1周波数、f2を前記第2周波数、α1を前記第1減衰量、α2を前記第2減衰量、uを1.8≦u≦2.3を満たす実数、lを前記弾性表面波の伝搬長、Tを前記背景ガスの温度、Pを前記背景ガスの圧力、Aを前記センサでの損失によって生じる係数、dを前記センサでの損失によって生じる項として、前記標的リーク係数及び前記標的ガスパラメータは、
Δα L ≡[(f2/f1)uα1-α2]/l、
G=A(T1/2/P)(ΔαL-d)
によって与えられる請求項1に記載のガス分析システム。 - 前記基準ガスパラメータの各々は、前記基準ガスの各々の分子量と、前記基準ガスの各々の定積比熱に対する定圧比熱の比との積の平方根として計算され、
前記基準リーク係数の各々は、複数の基準バースト信号の波形データを使用することで、第1の基準バースト信号の第1の基準減衰量と、第2の基準バースト信号の第2の基準減衰量とによって計算する、 請求項1に記載のガス分析システム。 - 前記データプロセッサは、前記背景ガスのガス種を判断するために、前記標的ガスパラメータを前記基準ガスパラメータと比較する、請求項1に記載のガス分析システム。
- 前記データプロセッサは、前記被検ガスの濃度を計算するために、前記背景ガスの粘弾性係数を測定し、前記粘弾性係数は、前記第1減衰量及び前記第2減衰量によって求める請求項1に記載のガス分析システム。
- Δαvを粘弾性係数、f1を前記第1周波数、f2を前記第2周波数、α1を前記第1減衰量、α2を前記第2減衰量、zを0.8≦z≦1.3を満たす実数、lを前記弾性表面波の伝搬長として、前記粘弾性係数は、
Δαv≡[α2-(f2/f1)zα1]/l
によって与えられる請求項5に記載のガス分析システム。 - 前記背景ガスは、複数の成分ガスを含み、
前記基準ガスパラメータの各々は、前記複数の成分ガスの平均分子量と、前記複数の成分ガスの各々の定積平均比熱に対する定圧平均比熱の比との積の平方根として定義される、請求項1に記載のガス分析システム。 - 前記背景ガスは、2つの成分ガスの混合ガスであり、前記データプロセッサは、前記基準ガスパラメータによって、前記複数の成分ガスのいずれかの濃度を計算する請求項7に記載のガス分析システム。
- 前記背景ガスは、天然ガスと、前記天然ガス内に注入された水素との混合ガスである請求項8に記載のガス分析システム。
- 前記背景ガスの音速を測定する速度測定装置をさらに備え、
前記データプロセッサは、前記標的リーク係数と前記速度測定装置を使って測定された前記背景ガスの平均音速とによって、平均漏洩減衰係数を計算し、
前記データプロセッサは、前記平均漏洩減衰係数と前記平均音速とによって、前記背景ガスの平均圧縮率と前記背景ガスの平均濃度とを計算する請求項7に記載のガス分析システム。 - 前記データプロセッサは、さらに、平均ガスパラメータと前記平均音速とによって、平均比熱比と平均分子量とを計算する請求項10に記載のガス分析システム。
- 圧電体基板上において弾性表面波を発生するセンサ電極及び被検ガスを吸着する感応膜を有する弾性表面波センサを使用するガス分析方法であって、
前記被検ガスを含む背景ガスを、前記弾性表面波センサを有するセンサセル内に流すステップと、
前記センサ電極にバースト信号を送信して第1及び第2周波数を持つ弾性表面波のコリメートビームを励起し、前記感応膜の配置された位置を前記コリメートビームが通過するように、前記圧電体基板上に前記コリメートビームを伝搬させるステップと、
前記コリメートビームが前記圧電体基板上を伝搬した後に、前記センサ電極を通して前記コリメートビームを受信し、前記コリメートビームを介して前記第1周波数を持つ第1帰還バースト信号及び前記第2周波数を持つ第2帰還バースト信号を受信するステップと、
前記背景ガスの標的リーク係数を、前記第1帰還バースト信号の波形データから求められる第1減衰量及び前記第2帰還バースト信号の波形データから求められる第2減衰量を含む式から得て、基準ガスの基準ガスパラメータと基準リーク係数の関係並びに前記標的リーク係数によって、標的ガスパラメータを計算するステップと、
を含むガス分析方法。 - 前記基準ガスパラメータの各々は、前記基準ガスの各々の分子量と、前記基準ガスの各々の定積比熱に対する定圧比熱の比との積の平方根として計算され、
前記基準リーク係数の各々は、複数の基準バースト信号の波形データを使用することで、第1の基準バースト信号の第1の基準減衰量と、第2の基準バースト信号の第2の基準減衰量とによって計算する請求項12に記載のガス分析方法。 - 前記背景ガスのガス種を判断するために、前記標的ガスパラメータを前記基準ガスパラメータと比較するステップをさらに含む請求項12に記載のガス分析方法。
- 前記被検ガスの濃度を計算するために、前記背景ガスの粘弾性係数を測定するステップをさらに具備し、前記粘弾性係数を、前記第1減衰量及び前記第2減衰量によって計算する請求項13に記載のガス分析方法。
- 前記背景ガスは、複数の成分ガスを含み、
前記基準ガスパラメータの各々は、前記複数の成分ガスの平均分子量と、前記複数の成分ガスの各々の定積平均比熱に対する定圧平均比熱の比との積の平方根として定義される請求項12に記載のガス分析方法。 - 前記背景ガスは、2つの成分ガスの混合ガスであり、
前記基準ガスパラメータによって、前記複数の成分ガスのいずれかの濃度を計算するステップをさらに含む請求項16に記載のガス分析方法。 - 速度測定装置を使用して前記背景ガスの平均音速を測定するステップと、
平均漏洩減衰係数と前記平均音速とによって、前記背景ガスの平均圧縮率と前記背景ガスの平均濃度とを計算するステップと、をさらに含む請求項12に記載のガス分析方法。 - 平均ガスパラメータと前記平均音速とによって、平均比熱比と平均分子量とを計算するステップをさらに含む請求項18に記載のガス分析方法。
- 圧電体基板上において弾性表面波を発生するセンサ電極及び被検ガスを吸着する感応膜を有する弾性表面波センサを使用するガス分析をコンピュータに実施させるためのプログラムを、コンピュータ読取可能記録媒体に格納したコンピュータプログラム製品であって、
前記被検ガスを含む背景ガスを、前記弾性表面波センサを有するセンサセル内に流させる命令と、
前記センサ電極にバースト信号を送信して第1及び第2周波数を持つ弾性表面波のコリメートビームを励起し、前記感応膜の配置された位置を前記コリメートビームが通過するように、前記圧電体基板上に前記コリメートビームを伝搬させる命令と、
前記コリメートビームが前記圧電体基板上を伝搬した後に、前記センサ電極を通して前記コリメートビームを受信し、前記コリメートビームを介して前記第1周波数を持つ第1帰還バースト信号及び前記第2周波数を持つ第2帰還バースト信号を受信させる命令と、
前記背景ガスの標的リーク係数を、前記第1帰還バースト信号の波形データから求められる第1減衰量及び前記第2帰還バースト信号の波形データから求められる第2減衰量を含む式から得て、基準ガスの基準ガスパラメータと基準リーク係数の関係並びに前記標的リーク係数によって、標的ガスパラメータを計算させる命令と、
を含む一連の処理を、コンピュータに実施させるプロブラムを格納したコンピュータプログラム製品。
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