JP7052148B2 - 変動低抵抗ライン不揮発性メモリ素子及びその動作方法 - Google Patents
変動低抵抗ライン不揮発性メモリ素子及びその動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7052148B2 JP7052148B2 JP2021523505A JP2021523505A JP7052148B2 JP 7052148 B2 JP7052148 B2 JP 7052148B2 JP 2021523505 A JP2021523505 A JP 2021523505A JP 2021523505 A JP2021523505 A JP 2021523505A JP 7052148 B2 JP7052148 B2 JP 7052148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- low resistance
- variable low
- base
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 126
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 101100194606 Mus musculus Rfxank gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POFLWUZZHNNFGH-UHFFFAOYSA-N [Sn]=O.[In].[Sn]=O Chemical compound [Sn]=O.[In].[Sn]=O POFLWUZZHNNFGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/223—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements using MOS with ferroelectric gate insulating film
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
- G11C11/225—Auxiliary circuits
- G11C11/2275—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/10—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the top-view layout
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
図4Aないし図4Cは、図1の電子素子に関し、電流経路範囲制御方法を説明するための図面である。
Claims (14)
- 自発分極性材料を含むベースと、
前記ベースの一面に隣接するように配置されたゲートと、
前記ゲートを通じて前記ベースに電場を印加して、前記ベースに形成され、相異なる方向の分極を有する少なくとも二つの分極領域と、
選択的に前記相異なる方向の分極を有する分極領域の境界に対応する変動低抵抗ラインと、
前記変動低抵抗ラインに接するように位置するソースと、
前記変動低抵抗ラインに接するように位置するドレインと、を含み、
前記変動低抵抗ラインは、前記ベースの領域のうち、前記変動低抵抗ラインと隣接した他の領域よりも電気的抵抗が低い領域に形成され、
前記分極領域は、前記ベースの厚さに垂直な平面方向に互いに隣接するように位置し、
前記変動低抵抗ラインは、前記ソースとドレインを電気的に連結するように備えられ、
前記変動低抵抗ラインは、前記ベースの表面方向に前記ゲートから離隔されるように位置し、
前記変動低抵抗ラインは、前記ベースの表面から垂直な方向にベースの全厚にわたって形成され、
前記ゲートは、ゲートに隣接した領域に既に形成されている分極の方向が他の方向に変更されるように電場が印加され、
前記変動低抵抗ラインは、前記ゲートを通じた電場を制御して、前記分極領域の制御によって生成または消滅し、電場が取り除かれた後には、形成された低抵抗ラインの形態をそのまま保持して情報の不揮発性特性を有する不揮発性メモリ素子。 - 前記分極領域は、第1方向の分極を有する第1領域と、選択的に前記第1方向と逆になる第2方向の分極を有する第2領域とを含み、
前記変動低抵抗ラインは、前記第1領域と第2領域との間に位置することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記第1領域及び前記第2領域は、同じ厚さを有することを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記第2領域は、第1厚さを有し、前記第1領域は、前記第1厚さよりも厚い第2厚さを有する部分を含むことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記ゲートは、前記第1領域及び第2領域のうち一つの領域に電場を印加するように備えられたことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記ゲートは、前記第1領域及び第2領域のうち、少なくともゲートに隣接した領域の分極方向を制御するように備えられたことを特徴とする請求項5に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記変動低抵抗ラインは、前記ゲートを通じた電場の強度を制御して、前記ベースの厚さ方向への前記変動低抵抗ラインの深みが制御されて、前記ベースの全厚にわたって形成されるように制御されることを含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記変動低抵抗ラインは、
前記ゲートを通じた電場の印加時間を制御して、前記ベースとの距離が制御されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。 - 前記ベースは、強誘電性材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 前記変動低抵抗ラインは、前記ゲートを通じて印加された電場が取り除かれても保持されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ素子。
- 自発分極性材料を含むベースと、前記ベースの一面に隣接するように配置されたゲートと、前記ゲートから離隔され、かつ前記ベースに接するように配置されるソース及びドレインと、を含む不揮発性メモリ素子に対して、
前記ベースに、第1方向の分極を有する第1領域を形成するステップと、
前記ゲートを通じて前記ベースに第1電圧を印加して、前記第1領域のうち前記ゲートに隣接するように、前記第1方向と逆になる第2方向の分極を有する第2領域を形成するステップと、
前記ゲートを通じて前記ベースに前記第1電圧を第1時間保持して、前記第2領域を成長させ、前記第1領域と第2領域との間に位置し、前記ソース及びドレインと電気的に連結される変動低抵抗ラインを形成するステップと、を含み、
前記第1領域及び第2領域は、前記ベースの厚さに垂直な平面方向に互いに隣接するように位置し、
前記変動低抵抗ラインは、前記ソースとドレインを電気的に連結するように備えられ、
前記変動低抵抗ラインは、前記ベースの表面方向に前記ゲートから離隔されるように位置し、
前記変動低抵抗ラインは、前記ベースの表面から垂直な方向にベースの全厚にわたって形成され、
前記ゲートを通じて前記ベースに第2電圧を印加して、ゲートに隣接した第2領域を、前記第1方向の分極を有する第1領域に変換するステップと、
前記ゲートを通じて前記ベースに前記第2電圧を第2時間保持して、前記第1領域を成長させ、前記第1領域が前記変動低抵抗ラインを通過するようにするステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ素子の動作方法。 - 前記第2電圧は、前記第1電圧と相異なっていることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記第2時間は、前記第1時間以上であることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
- 前記変動低抵抗ラインは、前記ゲートに前記第1電圧の印加が終了しても保持されるようにすることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ素子の動作方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020180133895A KR102007391B1 (ko) | 2018-11-02 | 2018-11-02 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
KR10-2018-0133895 | 2018-11-02 | ||
PCT/KR2019/014052 WO2020091307A1 (ko) | 2018-11-02 | 2019-10-24 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021535620A JP2021535620A (ja) | 2021-12-16 |
JP7052148B2 true JP7052148B2 (ja) | 2022-04-11 |
Family
ID=67612836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021523505A Active JP7052148B2 (ja) | 2018-11-02 | 2019-10-24 | 変動低抵抗ライン不揮発性メモリ素子及びその動作方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11211405B2 (ja) |
JP (1) | JP7052148B2 (ja) |
KR (1) | KR102007391B1 (ja) |
CN (1) | CN112956041A (ja) |
WO (1) | WO2020091307A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102652757B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2024-04-02 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
KR102007391B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2019-08-06 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
KR102662869B1 (ko) * | 2018-12-27 | 2024-05-10 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
KR102656291B1 (ko) * | 2019-04-10 | 2024-04-12 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102302898B1 (ko) * | 2019-07-25 | 2021-09-23 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102642566B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2024-03-04 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102246249B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2021-04-30 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102642562B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2024-03-04 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102246248B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2021-04-30 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102272521B1 (ko) * | 2019-08-14 | 2021-07-06 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자, 이의 제조 방법 및 이의 제어 방법 |
KR102271382B1 (ko) * | 2019-12-10 | 2021-07-01 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102293876B1 (ko) * | 2019-12-10 | 2021-08-27 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
KR102472111B1 (ko) * | 2020-07-22 | 2022-12-01 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4262339A (en) | 1979-04-05 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Ferroelectric digital device |
US5886920A (en) | 1997-12-01 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Variable conducting element and method of programming |
JP2002270789A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Toshiba Corp | 強誘電体メモリ |
WO2004107466A1 (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 電気スイッチおよびそれを用いた記憶素子 |
JP2007173395A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 記憶装置 |
JP2018509777A (ja) | 2015-01-24 | 2018-04-05 | ▲復▼旦大学Fundan University | 非破壊読み出し強誘電体メモリ及びその製造方法並びに操作方法 |
US20180277683A1 (en) | 2017-03-21 | 2018-09-27 | International Business Machines Corporation | Mobile ferroelectric single domain wall implementation of a symmetric resistive processing unit |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7719071B1 (en) * | 2003-05-27 | 2010-05-18 | University Of Iowa Research Foundation | Bipolar spin transistors and the applications of the same |
KR20060106165A (ko) | 2005-04-06 | 2006-10-12 | 삼성전자주식회사 | 저저항 금속라인을 갖는 플래시 메모리와 그 제조방법 |
KR100673017B1 (ko) | 2005-12-07 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR20080030732A (ko) | 2006-10-02 | 2008-04-07 | 엠텍비젼 주식회사 | 가변 저항을 가지는 읽기 전용 메모리 장치 |
KR102616129B1 (ko) * | 2016-02-26 | 2023-12-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 멀티 레벨 강유전체 메모리 장치 및 그 제조방법 |
CN106449739B (zh) * | 2016-10-19 | 2023-09-12 | 中国人民解放军国防科学技术大学 | 基于量子点的单电子自旋过滤器及单电子自旋过滤方法 |
KR20180106661A (ko) * | 2017-03-21 | 2018-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 강유전성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
CN108155191B (zh) * | 2017-12-01 | 2020-06-30 | 东南大学 | 一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法 |
KR102007391B1 (ko) * | 2018-11-02 | 2019-08-06 | 브이메모리 주식회사 | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 |
-
2018
- 2018-11-02 KR KR1020180133895A patent/KR102007391B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-10-24 JP JP2021523505A patent/JP7052148B2/ja active Active
- 2019-10-24 WO PCT/KR2019/014052 patent/WO2020091307A1/ko active Application Filing
- 2019-10-24 CN CN201980072575.5A patent/CN112956041A/zh active Pending
- 2019-10-24 US US17/290,630 patent/US11211405B2/en active Active
-
2021
- 2021-11-16 US US17/527,368 patent/US20220077164A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4262339A (en) | 1979-04-05 | 1981-04-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Ferroelectric digital device |
US5886920A (en) | 1997-12-01 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Variable conducting element and method of programming |
JP2002270789A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Toshiba Corp | 強誘電体メモリ |
WO2004107466A1 (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | 電気スイッチおよびそれを用いた記憶素子 |
JP2007173395A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 記憶装置 |
JP2018509777A (ja) | 2015-01-24 | 2018-04-05 | ▲復▼旦大学Fundan University | 非破壊読み出し強誘電体メモリ及びその製造方法並びに操作方法 |
US20180277683A1 (en) | 2017-03-21 | 2018-09-27 | International Business Machines Corporation | Mobile ferroelectric single domain wall implementation of a symmetric resistive processing unit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220077164A1 (en) | 2022-03-10 |
WO2020091307A1 (ko) | 2020-05-07 |
US11211405B2 (en) | 2021-12-28 |
KR102007391B1 (ko) | 2019-08-06 |
JP2021535620A (ja) | 2021-12-16 |
CN112956041A (zh) | 2021-06-11 |
US20210313336A1 (en) | 2021-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7052148B2 (ja) | 変動低抵抗ライン不揮発性メモリ素子及びその動作方法 | |
KR102652757B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102662869B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102084030B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
JP7055244B2 (ja) | 電場を利用した電流経路範囲制御方法及び電子回路 | |
KR102474130B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102154638B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102246247B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102484129B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102467760B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102230796B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102629599B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102059485B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102246246B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102606509B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102623526B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102198947B1 (ko) | 변동 저저항 라인 비휘발성 메모리 소자 및 이의 동작 방법 | |
KR102656291B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102370745B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102302898B1 (ko) | 변동 저저항 영역 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR102293876B1 (ko) | 변동 저저항 라인 기반 전자 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR20200083908A (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 | |
KR20200083842A (ko) | 변동 저저항 영역 기반 메모리 소자 및 이의 제어 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210616 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210616 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7052148 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |