JP7046604B2 - フラット型ガス放電管デバイスおよび方法 - Google Patents

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本出願は、「ＭＩＣＲＯ ＦＬＡＴ ＧＡＳ ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ ＴＵＢＥＳ」という表題の２０１５年３月１７日に出願された米国仮出願第６２／１３４，５３３号の優先権を主張し、その開示は、その全体が参照により明示的に本明細書に組み込まれる。

本開示は、フラット型ガス放電管に関する。

多くの電子デバイスおよび回路は、２つの電極の間に閉じ込められている所定の体積のガスを有するガス放電管（ＧＤＴ）デバイスを利用している。十分な電位差が２つの電極の間に存在するとき、ガスは、導電性媒体を提供するように電離し、それによって、アークの形態で電流を設けることができる。

そのような動作原理に基づいて、ＧＤＴは、電気的な障害の間に、さまざまな用途に関して信頼性が高くて効果的な過電圧保護を提供するように構成され得る。幾つかの用途では、ＧＤＴは、例えば、半導体アバランシェダイオードまたはサイリスタデバイスよりも好ましいことがある。半導体デバイスは、典型的に、より高い静電容量を有しており、それは、印加される電圧に依存する。これは、保護された通信チャネルにおいて、回復不可能な歪み、および、高い挿入損失やリターンロスを引き起こす可能性がある。したがって、ＧＤＴは、過電圧などのような電気的な障害に対する保護が望まれる電気通信および他の用途において、頻繁に使用されている。

幾つかの実装形態では、本開示は、ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスに関し、ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスは、第１の側および第２の側を有し、開口部を画定する第１の絶縁体基板を含む。ＧＤＴデバイスは、第１の絶縁体基板の第１の側および第２の側にそれぞれ装着されている第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板であって、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板の内向きの表面、ならびに、第１の絶縁体基板の開口部が、チャンバを画定するようになっている、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板をさらに含む。ＧＤＴデバイスは、チャンバの１つまたは複数の内向きの表面に実装された第１の電極および第２の電極をさらに含む。ＧＤＴデバイスは、ＧＤＴデバイスの少なくとも１つの外部表面に実装された第１の端子および第２の端子をさらに含む。ＧＤＴデバイスは、第１の電極および第２の電極と第１の端子および第２の端子との間にそれぞれ設けられた電気的な接続をさらに含む。

幾つかの実施形態では、第１の電極および第２の電極は、第２の絶縁体基板の内向きの表面に実装されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の電極および第２の電極は、それぞれ、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板の内向きの表面に実装されてもよい。

幾つかの実施形態では、第１の絶縁体基板は、セラミック層を含んでいてもよい。第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板のそれぞれがセラミック層を含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、ＧＤＴデバイスは、チャンバの封止を容易にするように構成されている第１のシールおよび第２のシールをさらに含んでいてもよい。第１のシールは、第２の絶縁体基板と第１の絶縁体基板との間に実装されてもよく、第２のシールは、第３の絶縁体基板と第１の絶縁体基板との間に実装されてもよい。幾つかの実施形態では、第１のシールおよび第２のシールのそれぞれは、導電性のシールまたは非導電性のシールであることが可能である。

幾つかの実施形態では、第１の端子および第２の端子は、少なくとも第２の絶縁体基板に実装されてもよい。第１の端子および第２の端子は、第３の絶縁体基板にも実装されてもよく、第２の絶縁体基板のそれらのそれぞれの第１の端子および第２の端子に電気的に接続されている。

幾つかの実施形態では、電気的な接続は、第１の内部ビアを含むことが可能であり、第１の内部ビアは、第２の絶縁体基板を通って延在しており、第１の電極を第１の端子に電気的に接続するように構成されている。電気的な接続は、第２の内部ビアをさらに含むことが可能であり、第２の内部ビアは、第３の絶縁体基板を通って延在しており、第３の絶縁体基板の外向きの表面の導体特徴部に第２の電極を電気的に接続するように構成されている。電気的な接続は、第３の内部ビアをさらに含むことが可能であり、第３の内部ビアは、第３の絶縁体基板、第１の絶縁体基板、および第２の絶縁体基板を通って延在しており、第３の内部ビアは、第３の絶縁体基板の外向きの表面の導体特徴部と第２の端子を電気的に接続するように構成されている。電気的な接続は、外部導電性特徴部をさらに含むことが可能であり、外部導電性特徴部は、ＧＤＴデバイスのサイドエッジに実装されており、第３の絶縁体基板の外向きの表面の導体特徴部と第２の端子を電気的に接続するように構成されている。外部導電性特徴部は、キャスタレーション特徴部（ｃａｓｔｅｌｌａｔｉｏｎ ｆｅａｔｕｒｅ）を含むことが可能であり、キャスタレーション特徴部は、導電性の材料によって少なくとも部分的に充填されおよび／またはめっきされている。

幾つかの実施形態では、電気的な接続は、第１のメタライズ（金属化）されたトレースと第２のメタライズされたトレースとを含むことが可能であり、第１のメタライズされたトレースは、第１の電極からＧＤＴデバイスの第１のサイドエッジへ横方向に延在しており、第２のメタライズされたトレースは、第２の電極からＧＤＴデバイスの第２のサイドエッジへ横方向に延在している。第１のサイドエッジおよび第２のサイドエッジは、対向するエッジであることが可能である。電気的な接続は、第１の外部導電性特徴部と第２の外部導電性特徴部とをさらに含むことが可能であり、第１の外部導電性特徴部は、第１のサイドエッジに実装されており、第１のメタライズされたトレースを第１の端子に電気的に接続するように構成されており、第２の外部導電性特徴部は、第２のサイドエッジに実装されており、第２のメタライズされたトレースを第２の端子に電気的に接続するように構成されている。第１の外部導電性特徴部および第２の外部導電性特徴部のそれぞれは、キャスタレーション特徴部を含むことが可能であり、キャスタレーション特徴部は、導電性の材料によって少なくとも部分的に充填されおよび／またはめっきされている。

幾つかの実施形態では、第１の端子は、第２の絶縁体基板に実装されてもよく、第２の端子は、第３の絶縁体基板に実装されてもよい。電気的な接続は、第１のメタライズされたトレースと第２のメタライズされたトレースとを含むことが可能であり、第１のメタライズされたトレースは、第１の電極から第２の絶縁体基板のサイドエッジにおける場所またはその近くの場所へ横方向に延在しており、第２のメタライズされたトレースは、第２の電極から第３の絶縁体基板のサイドエッジにおける場所またはその近くの場所へ横方向に延在している。第２の絶縁体基板のサイドエッジおよび第３の絶縁体基板のサイドエッジは、対向するエッジであることが可能である。電気的な接続は、第１の外部導電性特徴部と第２の外部導電性特徴部とをさらに含むことが可能であり、第１の外部導電性特徴部は、第２の絶縁体基板のサイドエッジに実装されており、第１のメタライズされたトレースを第１の端子に電気的に接続するように構成されており、第２の外部導電性特徴部は、第３の絶縁体基板のサイドエッジに実装されており、第２のメタライズされたトレースを第２の端子に電気的に接続するように構成されている。第１の外部導電性特徴部および第２の外部導電性特徴部のそれぞれは、キャスタレーション特徴部を含むことが可能であり、キャスタレーション特徴部は、導電性の材料によって少なくとも部分的に充填されおよび／またはめっきされている。

幾つかの実施形態では、電気的な接続は、第１の内部導電性ビアと第２の内部導電性ビアとをさらに含むことが可能であり、第１の内部導電性ビアは、第２の絶縁体基板を通じて実装されており、第１のメタライズされたトレースを第１の端子に電気的に接続するように構成されており、第２の内部導電性ビアは、第３の絶縁体基板を通じて実装されており、第２のメタライズされたトレースを第２の端子に電気的に接続するように構成されている。

幾つかの実施形態では、開口部は、円筒状の形状を有することが可能である。幾つかの実施形態では、第１の絶縁体基板は、少なくとも１つの追加的な開口部をさらに画定することが可能であり、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板は、少なくとも１つの追加的な開口部のそれぞれのためのそれぞれの追加的な第１の電極および第２の電極を含み、アレイで配置されている複数のチャンバを画定するようになっている。幾つかの実施形態では、複数のチャンバのうちの少なくとも幾つかが電気的に相互接続されてもよい。

幾つかの実施形態では、ＧＤＴデバイスは、別のＧＤＴデバイスをさらに含むことが可能であり、別のＧＤＴデバイスは、ＧＤＴデバイスに積層され、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバを設けるようになっている。幾つかの実施形態では、積層されたチャンバのうちの少なくとも幾つかが、電気的に相互接続されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバのそれぞれが、実質的に封止されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバは、ホールを通じて連通していることが可能である。

幾つかの実施形態では、積層されたチャンバに関連付けられている第１の電極および最後の電極が、それぞれ、第１の端子および第２の端子に電気的に接続されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の電極と最後の電極との間の中央電極は、第３の端子に電気的に接続されてもよい。

幾つかの実施形態では、ＧＤＴデバイスは、第３の電極と、第３の電極に電気的に接続されている第３の端子とをさらに含んでいてもよい。

幾つかの実装形態では、本開示は、ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスを製造するための方法に関する。方法は、第１の側および第２の側を有し、開口部を画定する第１の絶縁体基板を提供または形成するステップを含む。方法は、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板をそれぞれ第１の絶縁体基板の第１の側および第２の側に装着するステップであって、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板の内向きの表面、ならびに、第１の絶縁体基板の開口部が、チャンバを画定するようになっている、ステップをさらに含む。第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板のそれぞれが、チャンバの方を向く表面に実装された電極を含む。方法は、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板の少なくとも１つの外部表面に第１の端子および第２の端子を形成するステップをさらに含む。方法は、第１の電極および第２の電極と第１の端子および第２の端子をそれぞれ電気的に接続するステップをさらに含む。

幾つかの実装形態では、本開示は、ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスを製造するための方法に関する。方法は、第１の側および第２の側ならびに開口部のアレイを有する第１の絶縁体プレートを提供または形成するステップを含む。方法は、第２の絶縁体および第３の絶縁体を提供または形成するステップであって、それぞれが、表面に実装された電極のアレイ、および、それぞれの電極に電気的に接続されている導体特徴部を含む、ステップをさらに含む。方法は、第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートを、それぞれ、第１の絶縁体プレートの第１の側および第２の側に装着するステップであって、第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートの電極のアレイが、開口部のアレイを通じて互いに面するようになっており、それによって、チャンバのアレイを画定する、ステップをさらに含む。

幾つかの実施形態では、当該方法は、第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートの少なくとも１つの表面に、第１の電極および第２の電極のそれぞれの対に関する第１の端子および第２の端子を形成するステップをさらに含んでいてもよい。方法は、第１の電極および第２の電極のそれぞれの対と第１の端子および第２の端子をそれぞれ電気的に接続するステップをさらに含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートのそれぞれは、表面に実装されたシールのアレイをさらに含むことが可能であり、対応するチャンバが実質的に封止されたチャンバになるようになっている。幾つかの実施形態では、第１の絶縁体プレート、第２の絶縁体プレート、および第３の絶縁体プレートのそれぞれは、セラミックプレートを含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、導体特徴部は、第２の絶縁体プレートを通って延在する第１の内部ビアと、第３の絶縁体プレートを通って延在する第２の内部ビアとを含んでいてもよい。第１の端子および第２の端子は、第２の絶縁体プレートに形成されてもよい。第１の内部ビアは、対応する第１の電極と対応する第１の端子との間に電気的な接続を提供することができる。第２の内部ビアは、対応する第２の電極と第３の絶縁体プレートの導体特徴部との間に電気的な接続を提供することができる。

幾つかの実施形態では、電気的に接続するステップは、それぞれの導体特徴部と対応する第２の端子との間に電気的な経路を形成するステップをさらに含んでいてもよい。それぞれの導体特徴部と対応する第２の端子との間の電気的な経路は、第３の絶縁体プレート、第１の絶縁体プレート、および第２の絶縁体プレートを通る導電性ビアを含んでいてもよい。それぞれの導体特徴部と対応する第２の端子との間の電気的な経路は、導電性キャスタレーションビアの一部分を含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、当該方法は、チャンバのアレイを複数の個々のＧＤＴデバイスに分離するステップをさらに含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、導体特徴部は、第１のメタライズされたトレースと第２のメタライズされたトレースとを含むことが可能であり、第１のメタライズされたトレースは、横方向に延在し、第２の絶縁体プレートの対応ユニットの第１のサイドエッジに第１の電極を電気的に接続しており、第２のメタライズされたトレースは、横方向に延在し、第３の絶縁体プレートの対応するユニットの第２のサイドエッジに第２の電極を電気的に接続している。第２の絶縁体プレートの第１のサイドエッジは、第１のメタライズされたトレースと第１の端子を電気的に接続する導電性キャスタレーションを含むことが可能であり、第３の絶縁体プレートの第２のサイドエッジは、第２のメタライズされたトレースと第２の端子を電気的に接続する導電性キャスタレーションを含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、方法は、チャンバのアレイを複数の個々のＧＤＴデバイスに分離するステップをさらに含んでいてもよい。分離するステップは、第２の絶縁体プレートの第１のサイドエッジおよび第３の絶縁体プレートの第２のサイドエッジに沿ったキャスタレーションが露出させられることを結果として生じさせることができる。

幾つかの実施形態では、第１の端子および第２の端子は、第２の絶縁体プレートに実装されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の端子および第２の端子は、第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートの両方に実装されてもよい。

幾つかの実施形態では、第２の絶縁体プレートの第１のサイドエッジに沿って導電性材料によって充填めっきされたキャスタレーションは、第１の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートの対応するサイドエッジを通って延在していてもよく、第３の絶縁体プレートの第２のサイドエッジに沿って導電性材料によって充填および／またはめっきされたキャスタレーションは、第１の絶縁体プレートおよび第２の絶縁体プレートの対応するサイドエッジを通って延在することが可能である。

幾つかの実施形態では、第１の端子は、第２の絶縁体プレートに形成されてもよく、第２の端子は、第３の絶縁体プレートに形成されてもよい。

幾つかの実施形態では、分離するステップは、それぞれの個々のＧＤＴデバイスが１つのチャンバを含むようにチャンバのアレイを分離するステップを含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、分離するステップは、それぞれの個々のＧＤＴデバイスが複数のチャンバを含むようにチャンバのアレイを分離するステップを含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、方法は、複数のチャンバのうちの少なくとも幾つかを電気的に相互接続させるステップをさらに含んでいてもよい。

幾つかの実施形態では、当該方法は、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバを設けるように、別のＧＤＴデバイスとＧＤＴデバイスを積層させるステップをさらに含んでいてもよい。方法は、積層されたチャンバのうちの少なくとも幾つかを電気的に相互接続させるステップをさらに含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバのそれぞれが、実質的に封止されてもよい。幾つかの実施形態では、第１の積層されたチャンバおよび第２の積層されたチャンバは、ホールを通じて連通していることが可能である。

本開示を要約する目的のために、本発明の特定の態様、利点、および、新規な特徴が、本明細書で説明されている。すべてのそのような利点が、必ずしも、本発明の任意の特定の実施形態にしたがって実現され得るわけではないことが理解されるべきである。したがって、本発明は、本明細書で教示または示唆され得るような他の利点を必ずしも実現することなく、本明細書で教示されているような１つの利点または一群の利点を実現または最適化する様式で、具現化され、または実施されてもよい。

本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ガス放電管（ＧＤＴ）側断面図である。 ２つの電極のそれぞれが、導電性ビアなどのような１つまたは複数の内部基板貫通接続部を通じてその対応する端子に電気的に接続されてもよい、例示的なＧＤＴを示す図である。 電極とそれらのそれぞれの端子の間の電気的な接続が、１つまたは複数の導電性ビアと、フラット型ＧＤＴのそれぞれのエッジに沿った１つまたは複数の外部導電性特徴部とを含んでいてもよい、例示的なＧＤＴを示す図である。 ２つの電極のそれぞれが、絶縁体基板に形成されているコネクタトレースを通じて、および、フラット型ＧＤＴのそれぞれのエッジに沿った１つまたは複数の外部導電性特徴部を通じて、その対応する端子に電気的に接続されてもよい、例示的なＧＤＴを示す図である。 図２のフラット型ＧＤＴのより具体的な例であり得るフラット型ＧＤＴの側断面図である。 図５Ａのフラット型ＧＤＴの上側斜視図である。 図５Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない上側斜視図である。 図５Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない下側斜視図である。 図３のフラット型ＧＤＴのより具体的な例であり得るフラット型ＧＤＴの側断面図である。 図６Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない上側斜視図である。 図６Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない下側斜視図である。 図４のフラット型ＧＤＴのより具体的な例であり得るフラット型ＧＤＴの側断面図である。 図７Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない上側斜視図である。 図７Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない下側斜視図である。 図４のフラット型ＧＤＴの別のより具体的な例であり得るフラット型ＧＤＴの側断面図である。 図８Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない上側斜視図である。 図８Ａのフラット型ＧＤＴの組み立てられていない下側斜視図である。 どのように第１の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが図２、図５の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 図９Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図９Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１０Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１０Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１１Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１１Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが、図３、図６の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 図１６Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１６Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１７Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１７Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１８Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図１８Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第２の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第３の絶縁体プレートが、図４、図７、図８の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 図２３Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図２３Ｂの第１の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図２４Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図２４Ｂの第２の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図２５Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 図２５Ｂの第３の絶縁体プレートがどのようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 加工された絶縁体プレートが、どのように積層され、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるようにさらに加工され得るかの例を示す図である。 本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴが３つ以上の端子を含んでいてもよい例を示す図である。 本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴが３つ以上の端子を含んでいてもよい例を示す図である。 図３０Ａ、図３０Ｂの例と同様であり得るが、中央端子が上側表面および下側表面の両方に実装された、例示的なフラット型ＧＤＴを示す図である。 図３０Ａ、図３０Ｂの例と同様であり得るが、中央端子が上側表面および下側表面の両方に実装された、例示的なフラット型ＧＤＴを示す図である。 本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴが、封止されたチャンバの一方の側にすべての電極を含んでいてもよい例を示す図である。 本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴが、封止されたチャンバの一方の側にすべての電極を含んでいてもよい例を示す図である。 封止されたチャンバの一方の側にすべての電極を有するフラット型ＧＤＴの別の例を示す図である。 封止されたチャンバの一方の側にすべての電極を有するフラット型ＧＤＴの別の例を示す図である。 本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有する別の例示的なフラット型ＧＤＴの側断面図である。 図３１の例示的なＧＤＴと同様の例示的なフラット型ＧＤＴを示す図である。 図３１の例示的なＧＤＴと同様の別の例示的なフラット型ＧＤＴを示す図である。 図３１のフラット型ＧＤＴに関して利用され得る第１の絶縁体基板の組み立てられていない平面図である。 図３１のフラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板および／または第３の絶縁体基板として利用され得る絶縁体基板の端子側の組み立てられていない平面図である。 図３３Ｂの絶縁体基板の電極側の組み立てられていない平面図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように第１の絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して、第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して、第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して、第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して、第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 どのように絶縁体プレートが、図４、図３１～図３３の例に関して、第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして利用されるように加工され得るかの例を示す図である。 図３４Ｂの第１の絶縁体プレート、図３５Ｅの２つの絶縁体プレートによって積層が形成され得る、例示的なプロセスステップを示す図である。 積層構造の図３６の３つの絶縁体層を示す図である。 図３７の絶縁体プレートのアセンブリが、複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるように分離され得ることの例を示す図である。 積層構造で実装された複数の封止されたチャンバを有するＧＤＴデバイスの例を示す図である。 積層構造で実装された複数の封止されたチャンバを有するＧＤＴデバイスの別の例を示す図である。 図３９の例と同様の積層構造を有しているが、複数のチャンバが互いに連通している、ＧＤＴデバイスの例を示す図である。 図４０の例と同様の積層構造を有しているが、複数のチャンバが互いに連通している、ＧＤＴデバイスの例を示す図である。 図３９の例と同様の積層構造を有しているが、中央電極が第３の端子に電気的に接続され得る、ＧＤＴデバイスの例を示す図である。 図４３の例と同様の積層構造を有しているが、複数のチャンバが互いに連通していることが可能である、ＧＤＴデバイスの例を示す図である。

本明細書で提供される見出しは、もしあるとしても、便宜上のためだけのものであり、特許請求の範囲の発明または意味に必ずしも影響を与えない。

概要
本明細書で説明されているのは、絶縁体基板等のような基板に形成された１つまたは複数の電極を有するフラット型ガス放電管（ＧＤＴ）に関するデバイスおよび方法の例である。フラット型ＧＤＴに関する追加的な詳細は、ＤＥＶＩＣＥＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＲＥＬＡＴＥＤ ＴＯ ＦＬＡＴ ＧＡＳ ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ ＴＵＢＥＳという表題の米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に見出すことができ、それは、その全体が参照により明示的に組み込まれ、その開示は、本出願の明細書の一部と考えられるべきである。

図１は、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴ１００の側断面図を示している。フラット型ＧＤＴ１００は、開口部１０８を画定する第１の絶縁体基板１０２を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、そのような第１の絶縁体基板は、例えば、セラミックを含む。第１の絶縁体基板１０２は、第１の側（例えば、図１に示されているような下側）および第２の側（例えば、図１に示されているような上側）を含むように示されている。

図１は、第１の絶縁体基板１０２の第１の側に実装される第２の絶縁体基板１０４と、第１の絶縁体基板１０２の第２の側に実装される第３の絶縁体基板１０６とをさらに示している。幾つかの実施形態では、第２の絶縁体基板１０４および第３の絶縁体基板１０６のいずれかまたは両方は、例えば、セラミックを含んでいてもよい。そのような第１、第２、および第３の絶縁体基板を用いて、さまざまな例が本明細書で説明されているが、本開示の１つまたは複数の特徴は、また、３つよりも多くのまたは３つよりも少ない絶縁体基板を利用して実装されてもよいことが理解されよう。例えば、フラット型ＧＤＴは、それを通る開口部を有する絶縁体基板と、本明細書で説明されているような電極を有する上側絶縁体基板または下側絶縁体基板とを含んでいてもよい。そのような構成では、他方の電極は、絶縁体基板ベースの電極として、対向する側に装着されていてもよい。別の例では、フラット型ＧＤＴは、チャンバを有する２つの絶縁体基板を含むことが可能であり、チャンバは、一方または両方の絶縁体基板によって画定され、それぞれの絶縁体基板は、本明細書で説明されているような電極を有している。さまざまな例が、事前焼成されたセラミック基板の使用に基づいて本明細書で説明されているが、本開示の１つまたは複数の特徴は、また、例えば、同時焼成セラミック基板および関連の製造プロセスを利用して、または、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板および関連の製造プロセスを利用して、実装されてもよいことが理解されよう。

図１の例では、シール１２０によって、第２の絶縁体基板１０４が第１の絶縁体基板１０２の下側に装着されてもよい。同様に、第３の絶縁体基板１０６は、シール１２２によって、第１の絶縁体基板１０２の上側に装着されてもよい。シール１２０、１２２のそれぞれは、電気導体または電気絶縁体であることが可能である。導電性シールは、例えば、銅－銀（ＣｕＳｉｌ）材料などのようなろう付け／はんだ材料によって形成されてもよい。非導電性のシールは、例えば、ガラス／グルーの非導電性接着剤材料によって形成されてもよい。幾つかの実施形態では、対応する基板どうしを接合するのに先立って、シールが対応する絶縁体基板（１０４または１０６）の表面に形成され、および／または、第１の絶縁体基板１０２の対応する表面に形成されてもよい。幾つかの実施形態では、すべての３つの絶縁体基板は、例えば、ろう付けまたは封止オーブンを利用して同時に接合されてもよい。同時焼成セラミック基板または低温セラミック（ＬＴＣＣ）基板を利用する実施形態では、絶縁体基板間のシールは、例えば、焼成プロセスの間に、隣接する基板どうしのダイレクトボンディングによって実現されてもよい。

図１の例では、電極１１４が、第２の絶縁体基板１０４に実装されるように示されている。同様に、電極１１６は、第３の絶縁体基板１０６に実装されるように示されている。したがって、実質的に封止されたチャンバが、開口部１０８と、それらのそれぞれ第１および第２の電極を備える第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６とによって形成されてもよい。

図１の例では、第１および第２の電極１１４、１１６は、１２４として全体的に示されている２つ以上の端子に電気的に接続されてもよい。そのような電気的な接続が電極１１４、１１６と端子１２４のうちの幾つかまたはすべてとの間でどのように実装されるかのさまざまな例が、より詳細に本明細書で説明されている。

シールの例
図１の例示的なフラット型ＧＤＴ１００および本明細書で説明されている他のより具体的な例では、シール１２０、１２２は、導電性のシール、非導電性のシール、または、それらの任意の組合せであってもよい。そのような導電性のシールおよび非導電性のシールに関連する例が、より詳細に本明細書で説明されている。同時焼成セラミック基板または低温セラミック（ＬＴＣＣ）基板を利用する実施形態では、絶縁体基板間のシールは、例えば、焼成プロセスの間に、隣接する基板どうしのダイレクトボンディングによって実現されてもよい。

電極と端子との間の接続の例
図２～図４は、電極１１４、１１６がそれらのそれぞれの端子にどのように電気的に接続され得るかのより多くの例を示している。図２は、電極１１４、１１６のそれぞれは、導電性ビアなどのような１つまたは複数の内部基板貫通接続部を通じて、その対応する端子に電気的に接続され得る例を示している。図３は、電極１１４、１１６とそれらのそれぞれの端子との間の電気的な接続が、１つまたは複数の導電性ビアと、フラット型ＧＤＴ１００のそれぞれのエッジに沿った１つまたは複数の外部導電性特徴部とを含んでいてもよい例を示している。図４は、電極１１４、１１６のそれぞれが、絶縁体基板１０４、１０６に形成されているコネクタトレースを通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００のそれぞれのエッジに沿った１つまたは複数の外部導電性特徴部を通じて、その対応する端子に電気的に接続され得る例を示している。説明の目的のために、そのようなトレースは、コネクタ、導体、メタライズ層、または、それらの任意の組合せであるとして説明されてもよく、電気的な経路を提供するようになっていることが理解されよう。

図２を参照すると、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２、第２の絶縁体基板１０４、第３の絶縁体基板１０６、シール１２０、１２２、および電極１１４、１１６を含むように示されており、それらは、図１の例と同様であってもよく、第１の絶縁体基板１０２の開口部１０８によって容易にされる封止されたチャンバを形成するようになっている。シール１２０、１２２は、導電性でもよいしまたは非導電性でもよい。

図２の例では、端子１５０、１６０は、フラット型ＧＤＴ１００の下側に実装されるように示されており、例えば、表面装着用途を容易にするようになっている。第２の絶縁体基板１０４の電極１１４は、ビア１５２などのような基板貫通接続部を通じて、端子１５０に電気的に接続されるように示されている。第３の絶縁体基板１０６の電極１１６は、ビア１６６などのような基板貫通接続部、第３の絶縁体基板１０６の表面のコネクタトレース１６４、ならびに、第３の絶縁体基板１０６、第１の絶縁体基板１０２、および第２の絶縁体基板１０４を通じて延在するビア１６２などのような接続を通じて、端子１６０に電気的に接続されるように示されている。幾つかの実施形態では、基板貫通接続部１５２、１６６、１６２のうちの幾つかまたはすべては、導電性ビアであることが可能である。そのような導電性ビアがどのように形成され得るかという例はより詳細には米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

図３を参照すると、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２、第２の絶縁体基板１０４、第３の絶縁体基板１０６、シール１２０、１２２、および電極１１４、１１６を含むように示されており、それらは、図１の例と同様であってもよく、第１の絶縁体基板１０２の開口部１０８によって容易にされる封止されたチャンバを形成するようになっている。シール１２０、１２２は、導電性でもよいしまたは非導電性でもよい。

図３の例では、端子１７０、１８０は、フラット型ＧＤＴ１００の下側（端子１７０ａ、１８０ａを備える）および上側（端子１７０ｂ、１８０ｂを備える）の両方に実装されるように示されており、例えば、直立配向または倒置配向のいずれかで表面装着用途を容易にするようになっている。第２の絶縁体基板１０４の電極１１４は、ビア１７２などのような基板貫通接続部を通じて、端子１７０に電気的に接続されるように示されている。第３の絶縁体基板１０６の電極１１６は、ビア１８６などのような基板貫通接続部、第３の絶縁体基板１０６の表面のコネクタトレース１８４、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーション１８２などのような外部導電性特徴部を通じて、端子１８０に電気的に接続されるように示されている。

幾つかの実施形態では、端子１７０に電気的に接続されているキャスタレーション１７４などのような外部導電性特徴部が実装されていてもよいしまたはされていなくてもよい。例えば、フラット型ＧＤＴ１００が、示されているように、端子１７０、１８０によって下側を通じて表面装着されるように設計されている場合、外部導電性特徴部１７４は、必要とされない可能性があり、または、望まれない可能性がある。別の例では、端子は、（図３に示されているように見たときに）上側に実装されていてもよい。そのような構成を実現するために、外部導電性特徴部１７４に（したがって電極１１４に）電気的に接続されている端子が、図３のフラット型ＧＤＴ１００の左上側に形成されてもよい。上側の他方の端子に関し、コネクタトレース１８４が端子として設けられ、それによって、電極１１６への電気的な接続が提供されてもよい。

幾つかの実施形態では、外部導電性特徴部１８２、１７４のうちの幾つかまたはすべては、例えば、ビアまたはその一部分などのような、充填および／またはめっきされたキャスタレーション特徴部を含んでいてもよい。そのようなキャスタレーション特徴部がどのように形成され得るかという例はより詳細に米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

図４を参照すると、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２、第２の絶縁体基板１０４、第３の絶縁体基板１０６、シール１２０、１２２、および電極１１４、１１６を含むように示され、それらは、図１の例と同様であってもよく、第１の絶縁体基板１０２の開口部１０８によって容易にされる封止されたチャンバを形成するようになっている。シール１２０、１２２は導電性でも非導電性でもよい。

図４の例では、端子は、フラット型ＧＤＴ１００の下側および上側の両方に実装されるように示されており、例えば、フラット型ＧＤＴ１００のいずれかの側に表面装着することを容易にするようになっている。より具体的には、端子１９０ａ、２００ａは、フラット型ＧＤＴ１００の下側に実装されており、端子１９０ｂ、２００ｂは、フラット型ＧＤＴ１００の上側に実装されている。図４のフラット型ＧＤＴ１００は、そのような構成で説明されているが、本開示の１つまたは複数の特徴は、一方の側だけに端子を備えた状態でも実装されてもよいことが理解されよう。

図４の例では、第２の絶縁体基板１０４の電極１１４は、導電性トレース１９４などのような横方向接続、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーション１９２などのような外部導電性特徴部を通じて、端子１９０ａ、１９０ｂに電気的に接続されるように示されている。同様に、第３の絶縁体基板１０６の電極１１６は、導電性トレース２０４などのような横方向接続、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーション２０２などのような外部導電性特徴部を通じて、端子２００ａ、２００ｂに電気的に接続されるように示されている。

幾つかの実施形態では、外部導電性特徴部１９２、２０２のうちの幾つかまたはすべては、例えば、ビアまたはその一部分などのような、充填および／またはめっきされたキャスタレーション特徴部を含んでいてもよい。そのようなキャスタレーション特徴部がどのように形成されてもよいかという例が、より詳細に米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

フラット型ＧＤＴのより具体的な例
図５～図８は、図２～図４を参照して上記に説明されている構成のより具体的な例を示している。所定の電極から端子への構成に関して、シールは、導電性でも非導電性でもよい。

図５～図８のさまざまな例では、第１の絶縁体基板１０２およびそれらのそれぞれの開口部１０８、第２の絶縁体基板１０４、ならびに、第３の絶縁体基板１０６は、図１～図４を参照して説明されているものと概して同様であることが可能である。同様に、図５～図８のさまざまな例における導電性のシールおよび／または非導電性のシールは、図１～図４を参照して説明されているものと概して同様であることが可能である。幾つかの具体的な例では、そのようなシールは、対応する設計を適当に収納するように構成されてもよく、そのような変形例が、より詳細に本明細書で説明されている。

内部導電性ビアを備えるフラット型ＧＤＴに関する例
図５Ａ～図５Ｄは、電極と端子との間に電気的な接続を提供するための複数の内部基板貫通ビアを有する例示的なフラット型ＧＤＴ１００のさまざまな図を示している。図５Ａは、側断面図を示しており、図５Ｂは、上側斜視図を示しており、図５Ｃは、組み立てられていない上側斜視図を示しており、図５Ｄは、組み立てられていない下側斜視図を示している。図５Ａ～図５Ｄの例では、シールは、本明細書で説明されているように、導電性でも非導電性でもよい。図５Ａ～図５Ｄのそのようなフラット型ＧＤＴ１００は、図２を参照して本明細書で説明されているフラット型ＧＤＴ１００の具体的な例であり得る。

図５Ａ～図５Ｄの例では、基板貫通接続部（図２の中の１５２、１６６、１６２）は、導電性の基板貫通ビア１５２、１６６、１６２として示されている。より具体的には、ビア１５２は、第２の絶縁体基板１０４を通じて形成されるように示されており、電極１１４を端子１５０に電気的に接続する。ビア１６６は、第３の絶縁体基板１０６を通じて形成されるように示されており、電極１１６を第３の絶縁体基板１０６の上側のコネクタトレース１６４に電気的に接続する。ビア１６２は、第３の絶縁体基板１０６、第１の絶縁体基板１０２、および、第２の絶縁体基板１０４を通じて形成されるように示されており、コネクタトレース１６４（したがって電極１１６）を端子１６０に電気的に接続する。

図５Ｂ、図５Ｃを参照すると、２つの例示的なビア１６６が、コネクタトレース１６４に電気的に接続されるように示されている。同様に、２つの例示的なビア１６２が、コネクタトレース１６４に電気的に接続されるように示されている。他の数のビア（例えば、２つよりも少ない、または、２つよりも多い）が利用されてもよいことが理解されよう。

また、図５Ｂ、図５Ｃを参照すると、コネクタトレース１６４は、メタライズ層であってもよく、メタライズ層は、デバイスのオン状態の間に発生させられる熱エネルギーをパッケージの内側の電極１１６から除去するために、十分な熱経路を提供するように構成されている。同様に、端子１５０は、ヒートシンクとして作用するように構成され、電極１１４から熱を除去するように構成されてもよい。

また、図５Ｂ、図５Ｃを参照すると、コネクタトレース１６４は、ビア１６６とビア１６２との間に電気的な接続を提供するように寸法決めされているメタライズ層であることが可能である。そのようなメタライズ層は、例えば、厚膜のプリンティング、めっき、または、他の蒸着およびパターニング、例えば、エッチングなどを含む、複数の技術を利用して、第３の絶縁体基板１０６の上側表面に形成されてもよい。

図５Ａ～図５Ｄの例では、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２と第２の絶縁体基板１０４との間にシール１２０を含み、第１の絶縁体基板１０２と第３の絶縁体基板１０６との間にシール１２２を含むように示されている。そのようなシールは、導電性のシール、非導電性のシール、または、それらの任意の組合せであってもよい。

図５Ｃ、図５Ｄを参照すると、２つのビア１６２は、シール１２０、１２２を通って延在するように示されている。したがって、シール１２０、１２２が導電性の場合、電極１１６および対応する端子１６０は、導電性のシール１２０、１２２に電気的に接続されている。そのような構成では、電極１１４、１１６のいずれかまたは両方は、２つの電極の間に十分な電気的な絶縁ギャップを提供するように適当に寸法決めされてもよい。シール１２０、１２２が非導電性の場合には、または、２つのビア１６２が絶縁のエリアによって取り囲まれており、したがって、導電性のシール１２０、１２２に電気的に接続されていない場合には、電極１１４、１１６のいずれかまたは両方のエリアが、２つの電極の間に十分な電気的な絶縁距離を維持しながら増加させられ得る。

図５Ａ、図５Ｄに示されているように、電極１１６は、第３の絶縁体基板１０６の下側に形成されてもよい。同様に、図５Ａ、図５Ｃに示されているように、電極１１４は、第２の絶縁体基板１０４の上側に形成されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような電極（１１４、１１６）のそれぞれは、簡単な金属層であってもよく、または、ワッフルパターンなどのような特徴部を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、放射性コーティングが、電極にプリントされてもよい。幾つかの実施形態では、予備電離ラインおよび／またはパターンが、絶縁体基板のうちの１つまたは複数に形成され、ブレークダウンパラメータを制御することが可能である。そのような特徴のうちの１つまたは複数に関する例が、より詳細に米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

内部ビアおよび外部接続を備えるフラット型ＧＤＴに関する例
図６Ａ～図６Ｃは、電極と端子との間に電気的な接続を提供するための内部基板貫通ビアおよび外部導電性特徴部の両方を有する例示的なフラット型ＧＤＴ１００のさまざまな図を示している。図６Ａは、側断面図を示しており、図６Ｂは、組み立てられていない上側斜視図を示しており、図６Ｃは、組み立てられていない下側斜視図を示している。図６Ａ～図６Ｃの例では、シールは、本明細書で説明されているように、導電性でも非導電性でもよい。図６Ａ～図６Ｃのそのようなフラット型ＧＤＴ１００は、図３を参照して本明細書で説明されているフラット型ＧＤＴ１００のより具体的な例であることが可能である。

図６Ａ～図６Ｃの例では、基板貫通接続部（図３の中の１７２、１８６）は、導電性の基板貫通ビア１７２、１８６として示されており、外部導電性特徴部（図３の中の１７４、１８２）は、メタライズされたキャスタレーション１７４、１８２であることが可能である。より具体的には、ビア１７２は、第２の絶縁体基板１０４を通じて形成されるように示されており、電極１１４を端子１７０に電気的に接続する。キャスタレーション１７４は、フラット型ＧＤＴ１００のサイドエッジに含まれ得、端子１７０に電気的に接続される。ビア１８６は、第３の絶縁体基板１０６を通じて形成されるように示されており、電極１１６を第３の絶縁体基板１０６の上側のコネクタトレース１８４に電気的に接続する。キャスタレーション１８２は、フラット型ＧＤＴ１００のサイドエッジに含まれるように示されており、コネクタトレース１８４（したがって電極１１６）を端子１８０に電気的に接続する。

図６Ｂ、図６Ｃを参照すると、２つの例示的なビア１８６が、電極１１６とコネクタトレース１８４との間に電気的な接続を提供するように示されている。他の数のビア（例えば、２つよりも少ない、または、２つよりも多い）が利用されてもよいことが理解されよう。コネクタトレース１８４は、ビア１８６と側部キャスタレーション１８２との間に電気的な接続を提供するように寸法決めされたメタライズ層であってもよい。幾つかの実施形態では、コネクタトレース１８４は、例えば、厚膜のプリンティング、めっき、または、他の蒸着およびパターニング、例えば、エッチングなどを含む、複数の技術を利用して、形成されてもよい。

図６Ａ～図６Ｃの例では、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２と第２の絶縁体基板１０４との間にシール１２０を含み、第１の絶縁体基板１０２と第３の絶縁体基板１０６との間にシール１２２を含むように示されている。そのようなシールは、導電性のシール、非導電性のシール、または、それらの任意の組合せであることが可能である。

図６Ａ、図６Ｂに示されているように、電極１１４は、第２の絶縁体基板１０４に形成されてもよい。同様に、図６Ａ、図６Ｃに示されているように、電極１１６は、第３の絶縁体基板１０６に形成されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような電極（１１４、１１６）のそれぞれは、簡単な金属層であってもよく、または、ワッフルパターンなどのような特徴部を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、放射性コーティングが、電極にプリントされてもよい。幾つかの実施形態では、予備電離ラインおよび／またはパターンが、絶縁体基板のうちの１つまたは複数に形成され、ブレークダウンパラメータを制御することが可能である。そのような特徴のうちの１つまたは複数に関する例が、より詳細に米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

ビアなしのフラット型ＧＤＴに関する例
図７、図８は、フラット型ＧＤＴの例を示しており、その例においては、電極とそれらのそれぞれの端子との間の電気的な接続は内部導電性ビアの使用なしに作製されてもよい。図７Ａ～図７Ｃは、２つの端子がフラット型ＧＤＴの一方のサイドに実装されてもよい例を示している。図８Ａ～図８Ｃは、２つの端子がフラット型ＧＤＴの両方の側のそれぞれに実装されてもよい例を示している。

図７Ａ～図７Ｃは、電極とキャスタレーションビアなどのような外部導電性特徴部との間に電気的な接続を提供するためのメタライズされたトレースを有する例示的なフラット型ＧＤＴ１００のさまざまな図を示しており、外部導電性特徴部は、それらのそれぞれの端子に電気的に接続されている。図７Ａは、側断面図を示しており、図７Ｂは、組み立てられていない上側斜視図を示しており、図７Ｃは、組み立てられていない下側斜視図を示している。図７Ａ～図７Ｃの例では、シール１２０、１２２は、本明細書で説明されているように導電性でも非導電性でもよい。図７Ａ～図７Ｃのそのようなフラット型ＧＤＴ１００は、図４を参照して本明細書で説明されているフラット型ＧＤＴ１００のより具体的な例であり得る。

図７Ａ～図７Ｃの例では、横方向接続（図４の中の１９４、２０４）が、メタライズされたトレース１９４、２０４として示されている。より具体的には、メタライズされたトレース１９４は、第２の絶縁体基板１０４に実装されるように示されており、フラット型ＧＤＴ１００の対応する側に形成されているキャスタレーションビア１９２に電極１１４を電気的に接続する。キャスタレーションビア１９２は、端子１９０に電気的に接続されるように示されており、電極１１４が端子１９０に電気的に接続される。同様に、メタライズされたトレース２０４は、第３の絶縁体基板１０６に実装されるように示されており、フラット型ＧＤＴ１００の対応する側に形成されているキャスタレーションビア２０２に電極１１６を電気的に接続する。キャスタレーションビア２０２は、端子２００に電気的に接続されるように示されており、電極１１６が端子２００に電気的に接続される。

幾つかの実施形態では、ならびに、図７Ａ、図７Ｂを参照すると、メタライズされたトレース１９４は第２の絶縁体基板１０４に形成されてもよい。電極１１４のいくらかまたはすべては、メタライズされたトレース１９４の一部分に形成されてもよく、メタライズされたトレース１９４が電極１１４とキャスタレーションビア１９２との間に電気的な接続を提供する。同様に、シール１２０の一部分が、メタライズされたトレース１９４の一部分に形成されてもよい。シール１２０が導電性の場合には、シール１２０がキャスタレーションビア２０２に電気的接触をしていないという条件で、シール１２０は、メタライズされたトレース１９４を通じて電極１１４に電気的接触をしていながら封止機能を提供してもよい。シール１２０が非導電性の場合には、シール１２０は、電極１１４に電気的接触をしていない状態で封止機能を提供することが可能である。幾つかの実施形態では、メタライズされたトレース１９４は、例えば、厚膜モリブデンマンガン（ｍｏｌｌｙ ｍａｎｇａｎｅｓｅ）または厚膜タングステンによって形成されてもよく、例えば、プリンティング技術を利用して、ニッケルまたはろう付け／はんだ材料（例えば、銅－銀（ＣｕＳｉｌ）材料）によってめっきされてもよい。

同様に、図７Ａ、図７Ｃを参照すると、メタライズされたトレース２０４は、第３の絶縁体基板１０６に形成されてもよい。電極１１６のいくらかまたはすべては、メタライズされたトレース２０４の一部分に形成されてもよく、メタライズされたトレース２０４が電極１１６とキャスタレーションビア２０２との間に電気的な接続を提供する。同様に、シール１２２がキャスタレーションビア１９２に電気的接触をしていないという条件で、シール１２２の一部分が、メタライズされたトレース２０４の一部分に形成されてもよい。シール１２２が導電性の場合には、シール１２２は、メタライズされたトレース２０４を通じて電極１１６に電気的接触をしていながら封止機能を提供することが可能である。シール１２２が非導電性の場合には、シール１２２は、電極１１６に電気的接触をしていない状態で封止機能を提供することが可能である。幾つかの実施形態では、メタライズされたトレース２０４は、例えば、厚膜モリブデンマンガンまたは厚膜タングステンによって形成されてもよく、例えば、プリンティング技術を利用して、ニッケルまたはろう付け／はんだ材料（例えば、銅－銀（ＣｕＳｉｌ）材料）によってめっきされてもよい。

図７Ａ～図７Ｃの例では、メタライズされたトレース（１９４または２０４）およびその対応するシール（１２０または１２２）は、別々の層として形成されているものとして説明されている。幾つかの実施形態においては、シール１２０、１２２が導電性の場合、メタライズされたトレース（１９４または２０４）およびその対応する導電性シール（１２０または１２２）は、単一の導電性層としてパターン化され、一緒に形成されてもよいことが理解されよう。また、幾つかの実施形態では、シール１２０、１２２が導電性の場合には、メタライズされたトレース（１９４または２０４）は、ガラス、金属酸化物、またはポリマーなどのような、絶縁体層によって分離されてもよく、メタライズされたトレースが、対応する導電性シール（１２０または１２２）に電気的接触をしないようになっていることが理解されよう。メタライズされたトレース（１９４または２０４）を対応するシール（１２０または１２２）から電気的に隔離することによって、非導電性のシールを使用する設計上の利点の幾つかまたはすべてが、本明細書で説明されているように実現されてもよい。

図７Ａ～図７Ｃの例では、電極１１４、１１６のそれぞれは、簡単な金属層として実装されてもよく、または、ワッフルパターンなどのような特徴部を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、放射性コーティングが、電極にプリントされてもよい。幾つかの実施形態では、予備電離ラインおよび／またはパターンが、絶縁体基板のうちの１つまたは複数に形成され、ブレークダウンパラメータを制御することが可能である。そのような特徴のうちの１つまたは複数に関する例が、より詳細に米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に説明されている。

図７Ａ～図７Ｃの例では、フラット型ＧＤＴ１００は、一方の側に実装された端子１９０、２００を有している。したがって、そのようなフラット型ＧＤＴは、例えば、その側が回路基板に接触する状態で装着されてもよい。幾つかの用途では、フラット型ＧＤＴをいずれかの側に装着することができることが望ましい場合がある。図８Ａ～図８Ｃは、フラット型ＧＤＴの例を示しており、それは、図７Ａ～図７Ｃの例と内部的には同様であるが、フラット型ＧＤＴの上側表面および下側表面の両方に端子を有している。

図８Ａ～図８Ｃは、図７Ａ～図７Ｃの例と内部的には同様であるが、フラット型ＧＤＴの上側表面および下側表面の両方に端子を有する、例示的なフラット型ＧＤＴ１００のさまざまな図を示している。図８Ａは、側断面図を示しており、図８Ｂは、組み立てられていない上側斜視図を示しており、図８Ｃは、組み立てられていない下側斜視図を示している。図８Ａ～図８Ｃの例では、シール１２０、１２２は、本明細書で説明されているように、導電性でも非導電性でもよい。図８Ａ～図８Ｃのそのようなフラット型ＧＤＴ１００は、図４を参照して本明細書で説明されているフラット型ＧＤＴ１００のより具体的な例であり得る。

図８Ａ～図８Ｃの例では、キャスタレーションビア１９２（メタライズされたトレース１９４を通じて電極１１４に電気的に接続されている）は、下側端子１９０ａおよび上側端子１９０ｂのそれぞれに電気的に接続されるように示されている。同様に、キャスタレーションビア２０２（メタライズされたトレース２０４を通じて電極１１６に電気的に接続されている）は、下側端子２００ａおよび上側端子２００ｂのそれぞれに電気的に接続されるように示されている。したがって、フラット型ＧＤＴ１００は、下側端子１９０ａ、２００ａまたは上側端子１９０ｂ、２００ｂを利用して装着されてもよい。

図７、図８の例では、それらのそれぞれの電極からそれぞれのキャスタレーションビアへ横方向に延在するメタライズされたトレースは、内部基板貫通ビアを使用することなく、それぞれの端子への電気的な接続が作製されることを可能にすることができる。したがって、所定の電極は、導電性ビアなしで実装されてもよく、それによって、所定の隔離経路のための電極のいずれかまたは両方の最大化された寸法またはより大きい寸法を可能にする。そのように導電性ビアがないことは、電極がより柔軟性を備えて実装されることを可能にすることができる（例えばより大きい面積の電極）。

フラット型ＧＤＴの追加的な例
図３１～図３３は、フラット型ＧＤＴの例を示しており、その例では、電極とそれらのそれぞれの端子との間の電気的な接続が、導電性キャスタレーションなどのような外部導電性特徴部を使用することによって、または、内部導電性ビアを使用することによって、作製されてもよい。図３１～図３３の例では、１つの端子が、フラット型ＧＤＴの両サイドのそれぞれに実装されてもよい。

図３１、図３３Ａ～図３３Ｃは、電極とキャスタレーションビアなどのような外部導電性特徴部との間に電気的な接続を提供するためのメタライズされたトレースを有する例示的なフラット型ＧＤＴ１００のさまざまな図を示しており、外部導電性特徴部はそれらのそれぞれの端子に電気的に接続されている。図３１は、第１のサイド（例えば、図３１に示されているような下側）および第２のサイド（例えば、図３１に示されているような上側）を有する第１の絶縁体基板を有するフラット型ＧＤＴ１００の側断面図を示している。例示的なフラット型ＧＤＴ１００は、第１の絶縁体基板１０２の第１のサイドに実装される第２の絶縁体基板１０４と、第１の絶縁体基板１０２の第２のサイドに実装される第３の絶縁体基板１０６とをさらに含むように示されている。幾つかの実施形態では、第１、第２、および第３の絶縁体基板１０２、１０４、１０６のそれぞれは、例えば、アルミナセラミックなどのようなセラミックを含んでいてもよい。そのようなアルミナセラミックは、優秀な電気的な絶縁、望ましい機械的な特性、望ましい熱特性（例えば、高い融点）、および、望ましい耐腐食性などのような、１つまたは複数の特性を提供することができる。

図３２Ａは、図３１の例示的なＧＤＴ１００と同様の例示的なフラット型ＧＤＴ１００を示している。しかし、図３２Ａのフラット型ＧＤＴ１００は、内部導電性ビア１９１、２０１を含むように示されており、内部導電性ビア１９１、２０１は、それぞれの電極（１１４、１１６、横方向接続１９４、２０４を通じて）と端子（１９０、２００）との間に電気的な接続を提供する。したがって、図３３Ｂ、図３３Ｃの組み立てられていない図は、そのような内部導電性ビアを含むように、および、キャスタレーションビアなどのような外部導電性特徴部を除去するように、適当に修正されてもよいことが理解されよう。

図３２Ａの例では、導電性トレースなどのような横方向接続１９４、２０４が、それぞれの電極１１４、１１６を導電性ビア１９１、２０１に電気的に接続するために利用されている。幾つかの実施形態では、電極と導電性ビアとの間の電気的な接続は直接的に作製されてもよい。

例えば、図３２Ｂは、図３２Ａの例示的なＧＤＴ１００と同様のＧＤＴ１００を示している。しかし、図３２Ｂのフラット型ＧＤＴ１００は、内部の電気的な接続１１５ａ、１１５ｂを含むように示されており、内部の電気的な接続１１５ａ、１１５ｂは、それぞれの電極１１４、１１６と端子１９０、２００との間に直接的な電気的な接続を提供することが可能である。そのような内部の電気的な接続（１１５ａ、１１５ｂ）は、例えば導電性ビアであってもよい。幾つかの実施形態では、図３２Ｂの例示的な構成は、複数のチャンバが積層に配置されている積層構造が望まれるときに、とりわけ有用である可能性がある。そのような積層構造に関する例が、より詳細に本明細書で説明されている。

幾つかの用途では、そのような内部導電性ビアの使用は、メタライズされた絶縁体貫通接続部が、実質的に完全なままで残され、シンギュレーションプロセスの間に分割されないことを可能にすることができる。そのような実質的に完全な内部導電性ビアは、電極とそれらのそれぞれの端子との間の導電性の維持を可能にすることができる。

また、幾つかの実施形態では、図３１～図３３に関連して説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴは、キャスタレーションビアなどのような１つまたは複数の外部導電性特徴部と、１つまたは複数の内部導電性ビアとを含んでいてもよいことが理解されよう。

図３３Ａは、第１の絶縁体基板１０２の組み立てられていない平面図を示しており、図３３Ｂ、図３３Ｃは、図３１の例示的なフラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい、絶縁体基板（１０４、１０６）の端子側（図３３Ｂ）および電極側（図３３Ｃ）の組み立てられていない平面図を示している。本明細書で説明されているように、適当な修正が図３３Ｂ、図３３Ｃの例に対して行われてもよく、図３２の例示的なフラット型ＧＤＴが設けられ、図３２では、内部導電性ビア（１９１、２０１）が図３１の外部導電性キャスタレーション（１９１、２０１）の代わりに利用されている。

図３１、図３３Ａ～図３３Ｃを参照すると、第１の絶縁体基板１０２は、開口部１０８を含むことが可能であり、開口部１０８は、封止された容積の形成を可能にするように寸法決めされており、第１および第２の電極１１４、１１６が、封止された容積の対向する側に実装されている。第１の電極１１４は、横方向接続（例えば、メタライズされたトレース）１９４を通じて、図３１の外部接続（例えば、導電性キャスタレーション）１９１、または、図３２の内部接続（例えば、導電性ビア）１９１を通じて、フラット型ＧＤＴ１００の第１のサイドの第１の端子１９０に電気的に接続されるように示されている。同様に、第２の電極１１６は、横方向接続（例えば、メタライズされたトレース）２０４を通じて、図３１の外部接続（例えば、導電性キャスタレーション）２０１、または、図３２の内部接続（例えば、導電性ビア）２０１を通じて、フラット型ＧＤＴ１００の第２のサイドの第２の端子２００に電気的に接続されるように示されている。

図３１～図３３を参照すると、シール１２０は、第１の絶縁体基板１０２と第２の絶縁体基板１０４との間に実装されてもよい。同様に、シール１２２は、第１の絶縁体基板１０２と第３の絶縁体基板１０６との間に実装されてもよい。幾つかの実施形態では、シール１２０、１２２は、本明細書で説明されているように、導電性でも非導電性でもよい。

図３１～図３３の例では、第１の絶縁体基板１０２は、第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６に対して概して対称であり得る。さらに、第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６のそれぞれは、電極、横方向の導電性トレース、シール、および導電性キャスタレーションを有する共通の絶縁体基板によって実装されてもよい。どのようにフラット型ＧＤＴがそのような共通の絶縁体基板を利用して製造されてもよいかの例が、図３４～図３８を参照して説明されている。

図３１～図３３の例では、横方向接続がメタライズされたトレース１９４、２０４として示されている。より具体的には、メタライズされたトレース１９４は、第２の絶縁体基板１０４に実装されるように示されており、図３１のフラット型ＧＤＴ１００の対応するサイドに形成されている導電性キャスタレーション１９１または図３２のフラット型ＧＤＴの導電性ビア１９１に第１の電極１１４を電気的に接続する。導電性キャスタレーション１９１は、第１の端子１９０に電気的に接続されるように示されており、第１の電極１１４がフラット型ＧＤＴ１００の第１のサイドの第１の端子１９０に電気的に接続される。

同様に、メタライズされたトレース２０４は、第３の絶縁体基板１０６に実装されるように示されており、図３１のフラット型ＧＤＴ１００の対応するサイドに形成されている導電性キャスタレーション２０１または図３２のフラット型ＧＤＴの導電性ビア２０１に第２の電極１１６を電気的に接続する。導電性キャスタレーション２０１は、第２の端子２００に電気的に接続されるように示されており、第２の電極１１６がフラット型ＧＤＴ１００の第２のサイドの第２の端子２００に電気的に接続される。

幾つかの実施形態では、図３１～図３３を参照すると、メタライズされたトレース１９４は、第２の絶縁体基板１０４に形成されてもよい。第１の電極１１４のいくらかまたはすべては、メタライズされたトレース１９４の一部分に形成されてもよく、メタライズされたトレース１９４が第１の電極１１４と図３１の導電性キャスタレーション１９１または図３２の導電性ビア１９１との間に電気的な接続を提供する。幾つかの実施形態では、シール１２０は、メタライズされたトレース１９４に形成されてもよい。シール１２０が非導電性の場合には、シール１２０は、第１の電極１１４に電気的接触をしていない状態で封止機能を提供することが可能である。

同様に、メタライズされたトレース２０４は、第３の絶縁体基板１０６に形成されてもよい。第２の電極１１６のいくらかまたはすべては、メタライズされたトレース２０４の一部分に形成されてもよく、メタライズされたトレース２０４が第２の電極１１６と図３１の導電性キャスタレーション２０１または図３２の導電性ビア２０１との間に電気的な接続を提供する。幾つかの実施形態では、シール１２２は、メタライズされたトレース２０４に形成されてもよい。シール１２２が非導電性の場合には、シール１２２が、第２の電極１１６に電気的接触をしていない状態で封止機能を提供することが可能である。

図３１～図３３の例では、電極１１４、１１６のそれぞれは、簡単な金属層として実装されてもよく、または、ワッフルパターンなどのような特徴部を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、放射性コーティングが電極にプリントされてもよい。幾つかの実施形態では、予備電離ラインおよび／またはパターンが、絶縁体基板および／または封止された容積１０８に関連付けられた表面のうちの１つまたは複数に形成され、ブレークダウンパラメータを制御することが可能である。

図３１～図３３の例では、フラット型ＧＤＴ１００は、フラット型ＧＤＴ１００の対向する側に実装された端子１９０、２００を有している。したがって、そのようなフラット型ＧＤＴは、電気的なコンポーネントと直列に利用されてもよく、比較的に大きいはんだ付け可能な端子を提供し得る。例えば、フラット型の金属酸化物バリスタ（ＭＯＶ）が、フラット型デバイスとして実装されてもよく、図３１～図３３を参照して説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴ１００は、そのようなフラット型のＭＯＶデバイスのいずれかの側または両方の側のそれぞれにはんだ付けされ、フラット型ＧＤＴ１００によって提供される１つまたは複数の大きいはんだ付け可能な端子を設けることが可能である。

製造プロセスの例
図９～図２９、図３４～図３８は、図１～図８、図３１～図３３を参照して本明細書で説明されているさまざまなフラット型ＧＤＴを製造するために利用されてもよいプロセスの例を示している。本明細書で説明されているプロセス例では、さまざまなステップのうちの幾つかまたは実質的にすべては、絶縁体基板に対応するユニットのアレイを有する絶縁体プレートに実装されてもよい。そのようなユニットは、複数の個々のユニットを設けるために分離されてもよく、複数の個々のユニットは、実質的に最終的な形態であるか、または、さらに加工されてもよい。次いで、そのような完成された形態の個々のユニットのそれぞれが、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴになることが可能である。

図９Ａ、図９Ｂは、概して境界線３０１ａによって画定された個々のユニットのアレイを有する第１の絶縁体プレート３００ａが、どのように、チャンバホール１０８のアレイおよび基板貫通ビア１６２のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図２、図５を参照して本明細書で説明されている第１の絶縁体基板１０２として利用されてもよい。

図９Ａ、図９Ｂの例では、チャンバホール１０８および基板貫通ビア１６２は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１０Ａ、図１０Ｂは、概して境界線３０１ｂによって画定された個々のユニットのアレイを有する第２の絶縁体プレート３００ｂが、どのように、基板貫通ビア１５２のアレイおよび基板貫通ビア１６２のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図２、図５を参照して本明細書で説明されている第２の絶縁体基板１０４として利用されてもよい。

図１０Ａ、図１０Ｂの例では、基板貫通ビア１５２および基板貫通ビア１６２は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１１Ａ、図１１Ｂは、概して境界線３０１ｃによって画定された個々のユニットのアレイを有する第３の絶縁体プレート３００ｃが、どのように、基板貫通ビア１６６のアレイおよび基板貫通ビア１６２のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図２、図５を参照して本明細書で説明されている第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。

図１１Ａ、図１１Ｂの例では、基板貫通ビア１６６および基板貫通ビア１６２は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１２Ａは、図９Ｂの部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を示している。図１２Ｂは、そのような絶縁体プレートが、ビア１６２を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２の両方の側にシールリング１２０、１２２を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、ビア１６２は、導電性金属をビア１６２の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。シールリング１２０、１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。上述の充填されたビアおよびシールリングが形成されると、アセンブリは、さらなる処理に先立って乾燥および焼成させられ得る。

本明細書で説明されているように、シールリング１２０、１２２は、導電性でも非導電性でもよい。シールリング１２０、１２２が導電性である場合には、そのようなリングは、導電性ビア１６２と第２および第３の絶縁体プレート３０４、３０６の中のそれらの対応するビアとの電気的な接続を容易にすることができる。シールリング１２０、１２２が非導電性である場合には（例えば、ガラスまたはエポキシなどのような絶縁体）、適当にサイズ決めされた開口部が、シールリング１２０、１２２の中に形成されてもよく（例えば、プリンティングプロセスの間に形成される円形開口部）、異なる絶縁体プレートの導電性ビア間の電気的な接続の形成を可能にする。例えば、シールリング１２０、１２２の中のそのような開口部は、導電性材料（例えば、はんだ、ろう付け、または導電性エポキシ）（例えば、銅－銀（ＣｕＳｉｌ）材料）によって、選択的に充填および／またはめっきされてもよい。シールリング１２０、１２２の中の開口部の中のそのような導電性材料は、封止プロセスの間に溶融し、溶解し、または硬化し、エンドツーエンドで隣接する充填された２つの導電性ビアの間に電気的な接続を設けることが可能である。幾つかの実施形態では、充填されたビアおよびシールリングの上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０２のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

図１３Ａは、図１０Ｂの部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を示している。図１３Ｂは、そのような絶縁体プレートが、ビア１５２およびビア１６２を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側にシールリング１２０を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、ビア１５２、１６２は、導電性金属をビア１５２、１６２の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。シールリング１２０は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。

図１３Ｂの例では、シールリング１２０およびビア１６２の形成は、図１２Ｂを参照して説明されているように実装され、導電性のシールリングおよび非導電性のシールリングを収納することが可能である。

図１３Ｂの例では、電極１１４は、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側に形成されてもよく、端子１５０、１６０は、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の下側に形成されてもよい。（所定のユニットに関して）電極１１４および端子１５０の両方がともに導電性であるので、それらは、充填された導電性ビア１５２に直接的に形成されてもよい。示されている例では、単一の導電性層が、近接するユニットの端子１５０、１６０のために形成されるように示されており、分離される際、それぞれが、対応する個々のユニットの端子となる。また、そのような近接する端子は、別々にパターン化および形成されてもよいことが理解されよう。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、シールリング、電極、および端子の上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０４のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

図１４Ａは、図１１Ｂの部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を示している。図１４Ｂは、そのような絶縁体プレートが、ビア１６６およびビア１６２を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側にシールリング１２２を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、ビア１６６、１６２は、導電性金属をビア１６６、１６２の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。シールリング１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。

図１４Ｂの例では、シールリング１２０およびビア１６２の形成は、図１２Ｂを参照して説明されているように実装され、導電性のシールリングおよび非導電性のシールリングを収納することが可能である。

図１４Ｂの例では、電極１１６は、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側に形成されてもよく、コネクタトレース１６４は、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の上側に形成されてもよい。（所定のユニットに関して）電極１１６およびコネクタトレース１６４の両方がともに導電性であるので、それらは、充填された導電性ビア１６６に直接的に形成されてもよい。同様に、コネクタトレース１６４は、充填された導電性ビア１６２に直接的に形成されてもよい。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、シールリング、電極、およびコネクタトレースの上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０６のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

幾つかの実施形態では、次いで、絶縁体プレート３０２、３０４、３０６は、メタライズされたエリアをカバーするようにめっきされてもよい。そのようなめっきは、例えば、ニッケル、および、選択的に選択的な銅を含んでいてもよい。

図１５Ａ～図１５Ｄは、図１２Ｂ、図１３Ｂ、図１４Ｂの加工された絶縁体プレート３０２、３０４、３０６が、それぞれ、どのように積層され、さらに、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有する複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるように加工されてもよいかの例を示している。図１５Ａでは、第２の絶縁体プレート３０４に第１の絶縁体プレート３０２を位置決めすることによって、および、次いで、第１の絶縁体プレート３０２に第３の絶縁体プレート３０６を位置決めすることによって、積層が形成されてもよい。幾つかの実施形態では、スタッキング装置（積層装置）が、３つの絶縁体プレートの個々のユニットのアライメントにおいて十分な精度を確保するように利用されてもよい。そのようなアライメントは、例えば、すべての３つの絶縁体プレートを通じて電気的な接続を提供することになるビア１６２のアライメントを含んでいてもよい。

図１５Ｂは、個々のフラット型ＧＤＴ１００になることになるもののアレイを画定するように積層および配列させられた３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６を示している。そのような積層アセンブリは、フラット型ＧＤＴ１００のアレイを形成するように硬化させられ得、それぞれが、所望のガスで充填されている封止されたチャンバを有している。例えば、積層アセンブリは、炉の中に設置されてもよく、空気が、所望のガス混合物と交換されてもよい。次いで、絶縁体プレート間のシールリング層が溶融または硬化する点まで、温度が上昇させられ、それによって、所望のガス混合物で充填されたそれぞれのチャンバを実質的に封止することが可能である。

図１５Ｃは、絶縁体プレートのそのようなアセンブリの例を示しており、そこでは、チャンバが、一対の絶縁体プレートの間のシールリングによって実質的に封止されている。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、炉から取り出され、例えば、露出された端子および金属特徴部（例えば、コネクタトレース１６４および任意の露出されたビア）にめっきを形成させることが可能である。そのようなめっきは、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、選択的に、デバイスのアレイの中にある状態で所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。

図１５Ｄは、図１５Ｃの加工ステップから結果として生じる絶縁体プレートのアセンブリが、複数の個々のフラット型ＧＤＴ１００を設けるように分離されることの例を示している。そのようなシンギュレーションは、例えば、切断、ソーイングなどによって実現されてもよい。幾つかの実施形態では、２つ以上のフラット型ＧＤＴ１００が、機械的に接続した状態、および、選択的に、電気的に接続した状態のままにされ、アレイ化されたＧＤＴデバイスを生成させることが可能である。

幾つかの実施形態では、分離されたフラット型ＧＤＴ１００のそれぞれは、選択的に、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料によってめっきされてもよく、もしまだ行われていなければ、所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。次いで、そのような完成した製品は、回路基板などのような別の装置の中にパッケージ化されるかまたは実装されてもよい。

図１６Ａ、図１６Ｂは、概して境界線３０１ａによって画定された個々のユニットのアレイを有する第１の絶縁体プレート３００ａが、どのように、チャンバホール１０８のアレイおよびキャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図３、図６を参照して本明細書で説明されている第１の絶縁体基板１０２として利用されてもよい。

図１６Ａ、図１６Ｂの例では、チャンバホール１０８およびキャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１７Ａ、図１７Ｂは、概して境界線３０１ｂによって画定された個々のユニットのアレイを有する第２の絶縁体プレート３００ｂが、どのように、基板貫通ビア１７２のアレイおよびキャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図３、図６を参照して本明細書で説明されている第２の絶縁体基板１０４として利用されてもよい。

図１７Ａ、図１７Ｂの例では、基板貫通ビア１７２およびキャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１８Ａ、図１８Ｂは、概して境界線３０１ｃによって画定された個々のユニットのアレイを有する第３の絶縁体プレート３００ｃが、どのように、基板貫通ビア１８６のアレイおよびキャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図３、図６を参照して本明細書で説明されている第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。

図１８Ａ、図１８Ｂの例では、基板貫通ビア１８６およびキャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図１９Ａは、図１６Ｂの部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を示している。図１９Ｂは、そのような絶縁体プレートが、キャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２の両方の側にシールリング１２０、１２２を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、キャスタレーションビア３２０は、導電性金属をビア３２０の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、または、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。シールリング１２０、１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２０、１２２は、導電性でも非導電性でもよい。上述の充填されたビアおよびシールリングが形成されると、アセンブリは、さらなる処理に先立って乾燥および焼成させられ得る。

図２０Ａは、図１７Ｂの部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を示している。図２０Ｂは、そのような絶縁体プレートが、ビア１７２およびキャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側にシールリング１２０を形成するようにさらに加工されてもよいことを示している。例えば、ビア１７２、３２０は、導電性金属をビア１７２、３２０の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、または、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。シールリング１２０は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２０は、導電性でも非導電性でもよい。

図２０Ｂの例では、電極１１４は、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側に形成されてもよく、端子１７０、１８０は、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の下側に形成されてもよい。（所定のユニットに関して）電極１１４および端子１７０の両方がともに導電性であるので、それらは、充填された導電性ビア１７２のそれぞれの端部に直接的に形成されてもよい。示されている例では、単一の導電性層が、近接するユニットの端子１７０、１８０のために形成されるように示されており、分離される際、それぞれが、対応する個々のユニットの端子になる。また、そのような近接する端子は、別々にパターン化および形成されてもよいことが理解されよう。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、シールリング、電極、および端子の上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０４のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

図２１Ａは、図１８Ｂの部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を示している。図２１Ｂは、そのような絶縁体プレートが、ビア１８６およびキャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側にシールリング１２２を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、ビア１８６、３２０は、導電性金属をビア１８６、３２０の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、または、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。シールリング１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２２は、導電性でも非導電性でもよい。

図２１Ｂの例では、電極１１６は、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側に形成されてもよく、コネクタトレース１８４は、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の上側に形成されてもよい。（所定のユニットに関して）電極１１６およびコネクタトレース１６４の両方がともに導電性であるので、それらは、充填された導電性ビア１８６のそれぞれの端部に直接的に形成されてもよい。同様に、コネクタトレース１６４は、充填されたキャスタレーションビア３２０に直接的に形成されてもよい。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、シールリング、電極、およびコネクタトレースの上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０６のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

幾つかの実施形態では、次いで、絶縁体プレート３０２、３０４、３０６は、メタライズされたエリアをカバーするようにめっきされてもよい。そのようなめっきは、例えば、ニッケル、および、選択的に選択的な銅を含んでいてもよい。

図２２Ａ～図２２Ｄは、図１９Ｂ、図２０Ｂ、図２１Ｂの加工された絶縁体プレート３０２、３０４、３０６が、それぞれ、どのように積層され、さらに、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有する複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるように加工されてもよいかの例を示している。図２２Ａでは、第２の絶縁体プレート３０４に第１の絶縁体プレート３０２を位置決めすることによって、および、次いで、第１の絶縁体プレート３０２に第３の絶縁体プレート３０６を位置決めすることによって、積層が形成されてもよい。幾つかの実施形態では、積層装置が、３つの絶縁体プレートの個々のユニットのアライメントにおいて十分な精度を確保するように利用されてもよい。そのようなアライメントは、例えば、外部の電気的な接続を提供することになるキャスタレーションビア３２０のアライメントを含んでいてもよい。

図２２Ｂは、個々のフラット型ＧＤＴ１００のアレイを画定するように積層および配列させられた３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６を示している。そのような積層された積層アセンブリは、フラット型ＧＤＴ１００のアレイを形成するように硬化させられてもよく、それぞれが、所望のガスで充填されている封止されたチャンバを有している。例えば、積層アセンブリは、炉の中に設置されてもよく、空気が、所望のガス混合物と交換されてもよい。次いで、絶縁体プレート間のシールリング層が溶融または硬化する点まで、温度が上昇させられ、それによって、所望のガス混合物で充填されたそれぞれのチャンバを実質的に封止することが可能である。

図２２Ｃは、絶縁体プレートのそのようなアセンブリの例を示しており、そこでは、チャンバが、一対の絶縁体プレートの間のシールリングによって実質的に封止されている。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、炉から取り出されてもよく、例えば、露出された端子および金属特徴部（例えば、コネクタトレース１６４および任意の露出されたビア）にめっきを形成させることが可能である。そのようなめっきは、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、選択的に、デバイスのアレイの中にある状態で所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。

図２２Ｄは、図２２Ｃの加工ステップから結果として生じる絶縁体プレートのアセンブリが、複数の個々のフラット型ＧＤＴ１００を設けるように分離されることの例を示している。そのようなシンギュレーションは、例えば、切断、ソーイングなどによって実現されてもよい。幾つかの実施形態では、２つ以上のフラット型ＧＤＴ１００が、機械的に接続した状態、および、選択的に、電気的に接続した状態のままにされ、アレイ化されたＧＤＴデバイスを生成させることが可能である。

個々のフラット型ＧＤＴ１００が分離される際、一対の近接するユニットの間のキャスタレーションビア３２０は、おおよそ半分にされたビアになり、それによって、図３、図６を参照して説明されているキャスタレーション１７４、１８２になる。そのようなキャスタレーションの露出された表面は、例えば、ニッケルおよびスズによってめっきされてもよい。

幾つかの実施形態では、分離されたフラット型ＧＤＴ１００のそれぞれは、選択的に、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料によってめっきされてもよく、次いで、もしまだ行われていなければ、所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。次いで、そのような完成した製品は、回路基板などのような別の装置の中にパッケージ化されるかまたは実装されてもよい。

図２３Ａ、図２３Ｂは、概して境界線３０１ａによって画定された個々のユニットのアレイを有する第１の絶縁体プレート３００ａが、どのように、チャンバホール１０８のアレイおよびキャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図４、図７、図８を参照して本明細書で説明されている第１の絶縁体基板１０２として利用されてもよい。

図２３Ａ、図２３Ｂの例では、チャンバホール１０８およびキャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図２４Ａ、図２４Ｂは、概して境界線３０１ｂによって画定された個々のユニットのアレイを有する第２の絶縁体プレート３００ｂが、どのように、キャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図４、図７、図８を参照して本明細書で説明されている第２の絶縁体基板１０４として利用されてもよい。

図２４Ａ、図２４Ｂの例では、キャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図２５Ａ、図２５Ｂは、概して境界線３０１ｃによって画定された個々のユニットのアレイを有する第３の絶縁体プレート３００ｃが、どのように、キャスタレーションビア３２０のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図４、図７、図８を参照して本明細書で説明されている第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。

図２５Ａ、図２５Ｂの例では、キャスタレーションビア３２０は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図２６Ａは、図２３Ｂの部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２を示している。図２６Ｂは、そのような絶縁体プレートが、キャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第１の絶縁体プレート３０２の両方の側にシールリング１２０、１２２を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。例えば、キャスタレーションビア３２０は、導電性金属をビア３２０の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、また、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。シールリング１２０、１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２０、１２２は、導電性でも非導電性でもよい。上述の充填されたビアおよびシールリングが形成されると、アセンブリは、さらなる処理に先立って乾燥および焼成させられ得る。

図２７Ａは、図２４Ｂの部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４を示している。図２７Ｂは、そのような絶縁体プレートが、キャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側に導電性トレース１９４を形成するようにさらに加工されてもよいことを示している。また、シールリング１２０も、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側に形成されてもよい。それぞれのシールリング１２０の一部分は、導電性トレース１９４の対応する部分をカバーしてもよい。

キャスタレーションビア３２０は、導電性金属をビア３２０の中へ引き込むために真空を利用し導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、または、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。導電性トレース１９４およびシールリング１２０は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２０は、導電性でも非導電性でもよい。

図２７Ｂの例では、電極１１４は、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の上側に形成されてもよく、端子１９０ａ、２００ａは、部分的に加工された第２の絶縁体プレート３０４の下側に形成されてもよい。示されている例では、単一の導電性層が、近接するユニットの端子１９０ａ、２００ａのために形成されるように示されており、分離される際、それぞれが、対応する個々のユニットの端子になる。また、そのような近接する端子は、別々にパターン化および形成されてもよいことが理解されよう。

図２７Ｂの例では、それぞれの電極１１４は、対応する導電性トレース１９４を少なくとも部分的にカバーするように形成されてもよい。したがって、電極１１４は、本明細書で説明されているように、対応するキャスタレーションビア３２０に電気的に接続されてもよい。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、導電性トレース、シールリング、電極、および端子の上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０４のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

図２８Ａは、図２５Ｂの部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６を示している。図２８Ｂは、そのような絶縁体プレートが、キャスタレーションビア３２０を導電性材料で充填するようにさらに加工され、また、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側に導電性トレース２０４を形成するようにさらに加工されてもよいことを示されている。また、シールリング１２２も、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側に形成されてもよい。それぞれのシールリング１２２の一部分が、導電性トレース２０４の対応する部分をカバーしてもよい。

キャスタレーションビア３２０は、導電性金属をビア３２０の中へ引き込むために真空を利用して、導電性金属によって充填されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような充填されたキャスタレーションビアは、表面レベルを越えて延在していてもよく、または、追加的な導電性材料が、そのようなビアの端部に導入されてもよく、別の絶縁体プレートと積層される際、対応するキャスタレーションビアと接合することを可能にする。導電性トレース２０４およびシールリング１２２は、例えば、プリンティングによって形成されてもよい。本明細書で説明されているように、シールリング１２２は、導電性でも非導電性でもよい。

図２８Ｂの例では、電極１１６は、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の下側に形成されてもよく、端子１９０ｂ、２００ｂは、部分的に加工された第３の絶縁体プレート３０６の上側に形成されてもよい。示されている例では、単一の導電性層が、近接するユニットの端子１９０ｂ、２００ｂのために形成されるように示されており、分離される際、それぞれが、対応する個々のユニットの端子になる。また、そのような近接する端子は、別々にパターン化および形成されてもよいことが理解されよう。

図２８Ｂの例では、それぞれの電極１１６は、対応する導電性トレース２０４を少なくとも部分的にカバーするように形成されてもよい。したがって、電極１１６は、本明細書で説明されているように、対応するキャスタレーションビア３２０に電気的に接続されてもよい。

幾つかの実施形態では、充填されたビア、導電性トレース、シールリング、電極、および端子の上述の形成の間および／または後に、１つまたは複数の乾燥プロセスおよび焼成プロセスが実施されてもよい。そのような乾燥プロセスおよび焼成プロセスは、絶縁体プレート３０６のさらなる処理に先立って実施されてもよい。

幾つかの実施形態では、次いで、絶縁体プレート３０２、３０４、３０６は、メタライズされたエリアをカバーするようにめっきされてもよい。そのようなめっきは、例えば、ニッケル、および、選択的に選択的な銅を含んでいてもよい。

図２８Ａ、図２８Ｂの例では、上側端子１０９ｂ、２００ｂは、図８Ａ～図８Ｃの例示的な構成を設けるために含まれてもよく、図８Ａ～図８Ｃにおいて、フラット型ＧＤＴ１００は、いずれかの側を通じて装着されてもよい。そのような上側端子（１０９ｂ、２００ｂ）は、図７Ａ～図７Ｃの例示的な構成を設けるために、図２８Ａ、図２８Ｂの例では省略されてもよく、図７Ａ～図７Ｃにおいて、フラット型ＧＤＴ１００は、一方の側だけに端子を有している。

図２９Ａ～図２９Ｄは、図２６Ｂ、図２７Ｂ、図２８Ｂの加工された絶縁体プレート３０２、３０４、３０６が、それぞれ、どのように積層され、さらに、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有する複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるように加工されてもよいかの例を示している。図２９Ａでは、第２の絶縁体プレート３０４に第１の絶縁体プレート３０２を位置決めすることによって、および、次いで、第１の絶縁体プレート３０２に第３の絶縁体プレート３０６を位置決めすることによって、積層が形成されてもよい。幾つかの実施形態では、積層装置が、３つの絶縁体プレートの個々のユニットのアライメントにおいて十分な精度を確保するように利用されてもよい。そのようなアライメントは、例えば、外部の電気的な接続を提供することになるキャスタレーションビア３２０のアライメントを含んでいてもよい。

図２９Ｂは、個々のフラット型ＧＤＴ１００になることになるもののアレイを画定するように積層および配列させられた３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６を示している。そのような積層アセンブリは、フラット型ＧＤＴ１００のアレイを形成するように硬化させられ得、それぞれが、所望のガスで充填されている封止されたチャンバを有している。例えば、積層アセンブリは、炉の中に設置されてもよく、空気が、所望のガス混合物と交換されてもよい。次いで、絶縁体プレート間のシールリング層が溶融または硬化する点まで、温度が上昇させられ、それによって、所望のガス混合物で充填されたそれぞれのチャンバを実質的に封止することができる。

図２９Ｃは、絶縁体プレートのそのようなアセンブリの例を示しており、そこでは、チャンバが、一対の絶縁体プレートの間のシールリングによって実質的に封止されている。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、炉から取り出されてもよく、例えば、露出された端子および金属特徴部（例えば、任意の露出されたビア）にめっきを形成させることができる。そのようなめっきは、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、絶縁体プレートの封止されたアセンブリは、選択的に、デバイスのアレイの中にある状態で所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。

図２９Ｄは、図２９Ｃの加工ステップから結果として生じる絶縁体プレートのアセンブリが、複数の個々のフラット型ＧＤＴ１００を設けるように分離されることの例を示している。そのようなシンギュレーションは、例えば、切断、ソーイングなどによって実現されてもよい。幾つかの実施形態では、２つ以上のフラット型ＧＤＴ１００が、機械的に接続した状態、および、選択的に、電気的に接続した状態のままにされ、アレイ化されたＧＤＴデバイスを生成させることができる。

個々のフラット型ＧＤＴ１００が分離される際、一対の近接するユニットの間のキャスタレーションビア３２０は、おおよそ半分にされたビアになり、それによって、図４、図７、図８を参照して説明されているキャスタレーション１９２、２０２になる。そのようなキャスタレーションの露出された表面は、例えば、ニッケルおよびスズによってめっきされてもよい。

幾つかの実施形態では、分離されたフラット型ＧＤＴ１００のそれぞれは、選択的に、例えば、スズまたは他のはんだ付け可能な材料によってめっきされてもよく、次いで、もしまだ行われていなければ、所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。次いで、そのような完成した製品は、回路基板などのような別の装置の中にパッケージ化されるかまたは実装されてもよい。

図３４Ａ、図３４Ｂは、概して境界線５０１によって画定された個々のユニットのアレイを有する第１の絶縁体プレート５００が、どのように、チャンバホール１０８のアレイを形成するように加工されてもよく、部分的に加工された第１の絶縁体プレート５０２を設けるようになっているかの例を示している。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図４、図３１～図３３を参照して本明細書で説明されている第１の絶縁体基板１０２として利用されてもよい。

図３４Ａ、図３４Ｂの例では、第１の絶縁体プレート５００は、アルミナセラミックプレートなどのようなセラミックプレートであり得る。しかし、第１の絶縁体プレート５００は、１つまたは複数の他の電気絶縁材料から形成されてもよいことが理解されよう。図３４Ａ、図３４Ｂの例では、チャンバホール１０８は、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を利用して形成されてもよい。

図３５Ａ～図３５Ｅは、絶縁体プレートが、どのように第２の絶縁体プレートおよび／または第３の絶縁体プレートとして構成され、図４、図３１～図３３に関連して本明細書で説明されている複数の第２の絶縁体基板（１０４）および複数の第３の絶縁体基板（１０６）を設けることが可能であるかの例を示している。概して境界線（図３５Ａの中の５０５）によって画定された個々のユニットのそのようなアレイは、部分的に加工された絶縁体プレート５２０を設けるように加工されてもよい。個々のユニットに分離される際、それぞれのユニットは、図４、図３１～図３３を参照して本明細書で説明されている第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。

図３５Ａ、図３１、図３３Ｂ、図３３Ｃを参照すると、５０４として示されている絶縁体プレートが、形成または提供されてもよい。本明細書で説明されているように、そのような絶縁体プレートは、概して境界線５０５によって画定された個々のユニットのアレイを加工することを可能にするように構成されてもよい。

図３５Ｂ、図３１、図３３Ｂ、図３３Ｃを参照すると、導電性キャスタレーション特徴部５０８が、図３５Ａの絶縁体プレート５０４の選択された場所に形成されてもよく、アセンブリ５０６を設けるようになっている。幾つかの実施形態では、所定の導電性キャスタレーション５０８が、境界線（図３５Ａの中の５０５）において形成されてもよい。本明細書で説明されているように、さらに加工される際、アセンブリ５０６のそれぞれの個々のユニットは、フラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。したがって、第２の絶縁体基板１０４として利用される際、導電性キャスタレーション特徴部５０８のおおおよそ半分が、導電性キャスタレーション１９１（例えば、図３１、図３３Ｂ、図３３Ｃ）であってもよい。第３の絶縁体基板１０６として利用される際、導電性キャスタレーション特徴部５０８のおおおよそ半分が、導電性キャスタレーション２０１（例えば、図３１、図３３Ｂ、図３３Ｃ）になることが可能である。

幾つかの実施形態では、導電性キャスタレーション特徴部５０８は、本明細書で説明されているように形成されてもよく、それは、例えば、レーザおよび／または他のホール形成技術を含み、その後に金属充填技術またはめっき技術が続く。また、他の技術も、導電性キャスタレーション特徴部を形成するために利用されてもよいことが理解されよう。

図３２のフラット型ＧＤＴの第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６を得るために、図３５Ｂの例示的なプロセスステップは、絶縁体プレート５０４のそれぞれのユニットの境界線の中に１つまたは複数の内部導電性ビアを形成するように修正されてもよいことに留意されたい。そのような導電性ビアは、導電性キャスタレーション特徴部５０８の代わりに、または、導電性キャスタレーション特徴部５０８に加えて実装されてもよい。図３５Ａ～図３５Ｅの例の中の他のプロセスステップのうちの幾つかまたはすべては、内部導電性ビアを有するそのような構成を収納するように適当に修正されてもよいことが理解されよう。

図３５Ｃ、図３１、図３３Ｃを参照すると、導電性トレース５１２が、図３５Ｂの絶縁体プレートアセンブリ５０６の選択された場所に形成されてもよく、アセンブリ５１０を設けるようになっている。幾つかの実施形態では、所定の導電性トレース５１２が、所定の境界線５００の両方の側にあるように形成されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような導電性トレースは、対応する導電性キャスタレーション特徴部５０８に電気的接触をし、導電性キャスタレーション特徴部５０８の周りの２つの近接するユニットの両方の中へ延在することが可能である。さらに加工される際、アセンブリ５１０のそれぞれの個々のユニットは、フラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。したがって、第２の絶縁体基板１０４として利用される際、導電性トレース５１２は、導電性トレース１９４（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。第３の絶縁体基板１０６として利用される際、導電性トレース５１２は、導電性トレース２０４（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。

幾つかの実施形態では、導電性トレース５１２は、例えば、厚膜モリブデンマンガンまたは厚膜タングステンによって形成されてもよく、例えば、プリンティング技術、焼成技術、およびめっき技術を利用して、銅またはニッケルまたはろう付け／はんだ材料（例えば、銅－銀（ＣｕＳｉｌ）材料）によってめっきされてもよい。また、他の技術も、導電性トレースを形成するために利用されてもよいことが理解されよう。

図３５Ｃ、図３１、図３３Ｃを依然として参照すると、端子５１４が、絶縁体プレートアセンブリ５１０の選択された場所に形成されてもよい。幾つかの実施形態では、所定の端子５１４が、所定の境界線５００の両方の側にあるように形成されてもよい。幾つかの実施形態では、そのような端子は、対応する導電性キャスタレーション特徴部５０８に電気的接触をし、導電性キャスタレーション特徴部５０８の周りの２つの近接するユニットの両方の中へ延在することが可能である。さらに加工される際、アセンブリ５１０のそれぞれの個々のユニットは、フラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。したがって、第２の絶縁体基板１０４として利用される際、端子５１４は、端子１９０（例えば、図３１、図３３Ｂ）であってもよい。第３の絶縁体基板１０６として利用される際、端子５１４は、端子２００（例えば、図３１、図３３Ｂ）であってもよい。

幾つかの実施形態では、端子５１４は、例えば、モリブデン－マンガンまたは厚膜タングステンなどのような導体材料の厚膜をプリンティングおよび焼成することによって形成されてもよく、その後に、焼成させられた厚膜導体材料に銅層がめっきされ、銅層にニッケル層がめっきされ、ニッケル層にスズ層または金層がめっきされる。また、他の技術も、端子を形成するために利用されてもよいことが理解されよう。

図３５Ｄ、図３１、図３３Ｃを参照すると、電極５１８が、図３５Ｃの絶縁体プレートアセンブリ５１０の選択された場所に形成されてもよく、アセンブリ５１６を設けるようになっている。幾つかの実施形態では、所定の電極５１８が、対応する導電性トレース５１２に形成されてもよい。本明細書で説明されているように、さらに加工される際、アセンブリ５１６のそれぞれの個々のユニットは、フラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。したがって、第２の絶縁体基板１０４として利用される際、電極５１８が、電極１１４（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。第３の絶縁体基板１０６として利用される際、電極５１８が、電極１１６（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。

幾つかの実施形態では、電極５１８は、本明細書で説明されているように、形成および構成されてもよい。例えば、それぞれの電極５１８は、簡単な金属層であってもよく、または、ワッフルパターンなどのような特徴部を含んでいてもよい。幾つかの実施形態では、放射性コーティングが、電極にプリントされてもよい。幾つかの実施形態では、予備電離ラインおよび／またはパターンが、絶縁体基板のうちの１つまたは複数に形成され、ブレークダウンパラメータを制御することが可能である。

図３５Ｅ、図３１、図３３Ｃを参照すると、シール５２２が、図３５Ｄの絶縁体プレートアセンブリ５１６の選択された場所に形成されてもよく、アセンブリ５２０を設けるようになっている。幾つかの実施形態では、シール５２２は、導電性トレース５１２を実質的にカバーすることが可能であり、電極５１８を露出させるようにパターン化されてもよい。本明細書で説明されているように、さらに加工される際、アセンブリ５２０のそれぞれの個々のユニットは、フラット型ＧＤＴの第２の絶縁体基板１０４および／または第３の絶縁体基板１０６として利用されてもよい。したがって、第２の絶縁体基板１０４として利用される際、シール５２２が、シール１２０（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。第３の絶縁体基板１０６として利用される際、シール５２２が、シール１２２（例えば、図３１、図３３Ｃ）であってもよい。

幾つかの実施形態では、シール５２２は、本明細書で説明されているように形成されてもよく、それは、例えば、グレイジング技術によって形成されたガラスとして含む。また、他の技術も、シールを形成するために利用されてもよいことが理解されよう。

図３６～図３８は、図３４Ｂ、図３５Ｅの加工された絶縁体プレート５０２および５２０が、それぞれ、どのように積層され、さらに、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有する複数の個々のフラット型ＧＤＴを設けるように加工されてもよいかの例を示している。図３６では、第２の絶縁体プレートとして利用されている図３５Ｅの絶縁体プレート５２０に、図３４Ｂの第１の絶縁体プレート５０２を位置決めすることによって、および、次いで、第１の絶縁体プレート５０２に、第３の絶縁体プレートとして利用されている同様の図３５Ｅの絶縁体プレート５２０を位置決めすることによって、積層が形成されてもよい。幾つかの実施形態では、積層装置が、３つの絶縁体プレートの個々のユニットのアライメントにおいて十分な精度を確保するように利用されてもよい。

幾つかの実施形態では、さまざまなプレートの上述の積層は、ネオンまたはアルゴンなどのような所望のガスを有する環境におけるラミネーションプロセスによって実施されてもよい。したがって、ラミネーションプロセスが完了すると、所望のガスが、それぞれの容積１０８（例えば、図３１）によって実質的に密封されたチャンバの中に捕捉されてもよい。

図３７は、個々のフラット型ＧＤＴ１００になることになるもののアレイを画定するように積層およびラミネートされた３つの絶縁体層５２０、５０２、５２０を示している。そのような積層アセンブリは、フラット型ＧＤＴ１００のアレイを形成するように硬化させられ得、それぞれが、所望のガスで充填されている封止されたチャンバを有している。そのようなラミネーションプロセスでは、積層アセンブリは、炉の中に設置されてもよく、空気が、所望のガス混合物（例えば、ネオンおよび／またはアルゴンを有する混合物）と交換されてもよい。次いで、絶縁体プレート間のシールが溶融または硬化する点まで、温度が上昇させられ、それによって、所望のガス混合物で充填されたそれぞれのチャンバを実質的に封止することができる。

図３８は、図３７の加工ステップから結果として生じる絶縁体プレートのアセンブリが、複数の個々のフラット型ＧＤＴ１００を設けるように分離されることの例を示している。そのようなシンギュレーションは、実質的に配列させられた境界線５０５、５０１、５０５に沿って、例えば、切断、ソーイングなどによって実現されてもよい。幾つかの実施形態では、２つ以上のフラット型ＧＤＴ１００が、機械的に接続した状態、および、選択的に、電気的に接続した状態のままにされ、アレイ化されたＧＤＴデバイスを生成させることができる。

個々のフラット型ＧＤＴ１００が分離される際、一対の近接するユニットの間のキャスタレーション特徴部（５０８）は、おおよそ半分にされた特徴部になり、それによって、図３１、図３３を参照して説明されているキャスタレーション１９１、２０１になる。そのようなキャスタレーションの露出された表面は、例えば、銅、ニッケル、およびスズによってめっきされてもよい。

幾つかの実施形態では、分離されたフラット型ＧＤＴ１００のそれぞれは、選択的に、所望の性能レベルを満たすように調整およびテストされてもよい。次いで、そのような完成した製品は、回路基板などのような別の装置の中にパッケージ化されるかまたは実装されてもよい。

図３１、図３５～図３８を参照して説明されている例では、第２および第３の絶縁体基板（１０４、１０６）のそれぞれは、一方の側に導電性キャスタレーションを有するものとして説明されている。さらに、一方の絶縁体基板の導電性キャスタレーションが、他方の絶縁体基板の導電性キャスタレーションが実装されたエッジとは反対側のエッジになるように示されている。また、他の構成も実装されてもよいことが理解されよう。例えば、導電性キャスタレーションは、第２および第３の絶縁体基板の両方に関してフラット型ＧＤＴの同じ側に実装されてもよい。

また、図３１、図３５～図３８の例では、第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６が、互いに対して横方向にオフセットされている同じ絶縁体プレートアセンブリ５２０のうちの一般的に２つから結果として生じるように説明されていることに留意されたい。しかし、第２および第３の絶縁体基板１０４、１０６は、同じでもそうでなくてもよいことが理解されよう。

他の構成を有するフラット型ＧＤＴの例
さまざまな例が、２つの端子デバイスの文脈において説明されている。幾つかの実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴が、３つ以上の端子を有するフラット型ＧＤＴの中に実装されてもよい。例えば、図３０Ａ、図３０Ｂは、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴ１００が３つの端子４１４、４１６、４１８を含んでいてもよい例を示している。図３０Ａは、本明細書で説明されているさまざまな例と同様の様式で製造および積層された３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６のアセンブリを示している。図３０Ｂは、図３０Ａの積層体から分離された後の個々のフラット型ＧＤＴ１００を示している。

図３０Ａ、図３０Ｂを参照すると、フラット型ＧＤＴ１００は、第１の端子４１４を含むことが可能であり、第１の端子４１４は、導電性トレース４０２ａを通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０３ａを通じて、第１の電極１１４に電気的に接続されている。同様に、第２の端子４１６は、導電性トレース４０２ｂを通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０３ｂを通じて、第２の電極１１６に電気的に接続されてもよい。フラット型ＧＤＴ１００は、第３の端子４１８をさらに含むことが可能であり、第３の端子４１８は、導電性ビア４０４を通じて第３の電極１１８に電気的に接続されている。

幾つかの実施形態では、第１の電極１１８は、３端子ＧＤＴの中の放電の間にＬ１グランド経路およびＬ２グランド経路（Ｌ１およびＬ２は、第１および第２の電極１１４、１１６に対応する）を提供するための中央電極であり得る。そのような放電経路は、共通のチャンバ１０８を通じて実現されてもよく、コモンモードサージに関してバランスのとれたＧＤＴを設けることができる。

図３０Ａ、図３０Ｂの例では、電極１１８は、フラット型ＧＤＴ１００の一方の側（例えば、図３０Ｂに示されているように配向されているときの下側）に実装された端子４１８に電気的に接続されるように示されている。幾つかの実施形態では、そのような電極（１１８）は、フラット型ＧＤＴの両方のサイドに実装された端子に接続されてもよい。

例えば、図３０Ｃ、図３０Ｄは、本明細書で説明されているような１つまたは複数の特徴を有するフラット型ＧＤＴ１００が３つの端子４１４、４１６、４１８を含んでいてもよいことの例を示している。図３０Ｃは、本明細書で説明されているさまざまな例と同様の様式で製造および積層された３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６のアセンブリを示している。図３０Ｄは、図３０Ｃの積層体から分離された後の個々のフラット型ＧＤＴ１００を示している。

図３０Ｃ、図３０Ｄを参照すると、フラット型ＧＤＴ１００は、フラット型ＧＤＴ１００の上側および下側の両方に実装された第３の端子４１８を含んでいてもよい。そのような第３の端子は、例えば、他の電極に関する電気的な接続のために利用されていない側壁部のキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０９を通じて、第３の電極１１８に電気的に接続されてもよい。図３０Ｄに示されている例では、そのような側壁部は、前側壁部または裏側壁部であり得る。第３の電極１１８は、導電性トレース４０１を通じてキャスタレーション４０９に電気的に接続されてもよい。

図３０Ｃ、図３０Ｄの例では、第１の端子４１４は、導電性トレース４０２ａを通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０３ａを通じて、第１の電極１１４に電気的に接続されている。同様に、第２の端子４１６は、導電性トレース４０２ｂを通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０３ｂを通じて、第２の電極１１６に電気的に接続されてもよい。

幾つかの実施形態では、第３の電極１１８は、３端子ＧＤＴの中の放電の間にＬ１グランド経路およびＬ２グランド経路（Ｌ１およびＬ２は、第１および第２の電極１１４、１１６に対応する）を提供するための中央の電極としてもよい。そのような放電経路は、共通のチャンバ１０８を通じて実現されてもよく、コモンモードサージに関してバランスのとれたＧＤＴを設けることができる。

上述の様式で構成されているので、図３０Ｄの例示的なフラット型ＧＤＴは、端子のすべての３つが上側および下側のそれぞれに存在していることに起因して、直立配向または倒置配向のいずれかで装着されてもよい。

さまざまな例が、チャンバの対向する側に実装された電極の文脈において説明されている。幾つかの実施形態では、本開示の１つまたは複数の特徴が、電極がチャンバの一方の側だけに実装されてもよいフラット型ＧＤＴの中に実装されてもよい。例えば、図３０Ｅ、図３０Ｆは、フラット型ＧＤＴ１００が、開口部を有する第１の絶縁体基板１０２と、第２の絶縁体基板１０４と、第３の絶縁体基板１０６とを含み、それらが、チャンバ１０８を画定するように一緒に積層されている例を示している。第１のシール１２０は、第１の絶縁体基板１０２と第２の絶縁体基板１０４との間に実装されてもよく、第２のシール１２２は、第１の絶縁体基板１０２と第３の絶縁体基板１０６との間に実装されてもよい。幾つかの実施形態では、第１および第２のシールは、本明細書で説明されているように、導電性または非導電性（例えば、ガラス）ことが可能である。幾つかの実施形態では、第１および第２の電極１１４、１１６は、第２の絶縁体基板１０４の表面に実装されてもよく、両方の電極が、チャンバ１０８の中へ同じ方向を向くようになっている。

図３０Ｅは、本明細書で説明されているさまざまな例と同様の様式で製造および積層された３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６のアセンブリを示している。図３０Ｆは、図３０Ｅの積層体から分離された後の、上述の特徴を有する個々のフラット型ＧＤＴ１００を示している。

図３０Ｅ、図３０Ｆの例では、第１の電極１１４は、導電性トレース１９４を通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０５ａを通じて、第１の端子１９０に電気的に接続されるように示されている。同様に、第２の電極１１４は、導電性トレース２０４を通じて、および、フラット型ＧＤＴ１００の対応するエッジのキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部４０５ｂを通じて、第２の端子２００に電気的に接続されるように示されている。

図３０Ｅ、図３０Ｆの例では、電極は、キャスタレーションなどのような外部導電性特徴部を通じて、それらのそれぞれの端子に電気的に接続されている。また、電極と端子との間の電気的な接続は、他の様式で実装されてもよいことが理解されよう。例えば、図３０Ｇ、図３０Ｈは、両方の電極１１４、１１６が同じ絶縁体基板（例えば、第２の絶縁体基板１０４）に実装されている点において、図３０Ｅ、図３０Ｆの例と同様のフラット型ＧＤＴ１００を示している。しかし、図３０Ｇ、図３０Ｈの例では、そのような電極は、内部導電性ビア４０７ａ、４０７ｂを通じて、第１および第２の端子１９０、２００に電気的に接続されるように示されている。

図３０Ｇは、本明細書で説明されているさまざまな例と同様の様式で製造および積層された３つの絶縁体層３０４、３０２、３０６のアセンブリを示している。図３０Ｈは、図３０Ｇの積層体から分離された後の、上述の特徴を有する個々のフラット型ＧＤＴ１００を示している。

幾つかの実装形態では、図３０Ｅ～図３０Ｈの例示的なフラット型ＧＤＴは、表面装着可能となる簡単で低コストの構成として実装されてもよい。同じ側にある電極の両方は、電極が互いの方を向く構成と同様の性能のレベルを提供しない可能性があるが、図３０Ｅ～図３０Ｈのフラット型ＧＤＴが利用されてもよい幾つかの用途が存在する可能性がある。

他の数の電極および／または端子は、本開示の１つまたは複数の特徴を利用して実装されてもよいことが理解されよう。

有利な特徴の例
本明細書で説明されているさまざまな例では、電極がセラミック層などのような基板層の表面に実装されてもよいことに留意されたい。幾つかの実施形態では、そのような電極は、他の導電性層を形成するためにすでに使用されている同じまたは同様の技術を利用して形成されてもよい。したがって、そのような電極構成は、他の有利な特徴の中でも、フラット型ＧＤＴの製造におけるコスト効率性を提供することができる。

また、セラミック層などのような基板層の使用は、部分的にまたは完全に製造された層のアセンブリがどのように個々のユニットに分離されてもよいかについての一貫性をより容易にすることができる。

本明細書で説明されている例のうちの幾つかまたはすべてにおいて、所定のフラット型ＧＤＴのための端子は、対応する電極も支持する１つまたは複数の基板層に実装されてもよい。したがって、そのようなフラット型ＧＤＴは、さらにパッケージングすることなく、例えば、回路基板の上で利用され、それによって、より小さいパッケージおよび／またはより良好な電気的な性能を結果として生じさせることができる。

変形例
米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号は、なかでも、実装されてもよい予備電離ライン（例えば、図６Ｃ、図６Ｄの中の２４２）を開示している。また、そのような予備電離ラインは、本開示のフラット型ＧＤＴのうちの幾つかまたはすべてにおいて実装されてもよいことが理解されよう。

本明細書で説明されているさまざまな例では、第１の絶縁体基板１０２の中の開口部１０８は、簡単な円筒状の形状を有するように示されている。米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に開示されている例を含む、他の開口部プロファイルも実装されてもよいことが理解されよう。

本明細書で説明されているさまざまな例では、フラット型ＧＤＴは、一対の電極を有する１つの封止されたチャンバの文脈において説明されている。幾つかの実施形態では、２つ以上の封止されたチャンバが組み合わせられ、フラット型ＧＤＴになることが可能であることが理解されよう。１つのフラット型ＧＤＴ当たり２つ以上のチャンバを有するそのような構成は、米国特許出願公開第２０１４／０２３９８０４号に開示されている例を含んでいてもよい（例えば、図７～図１０）。

また、それらのそれぞれの電極を支持する基板層の使用は、積層構造で配置されている複数の封止されたチャンバをフラット型ＧＤＴが有することを可能にすることができる。例えば、本明細書で説明されているようなフラット型ＧＤＴの層のアセンブリの概して平坦な性質は、２つ以上のフラット型ＧＤＴが積層されることを可能にし、また、内部および／または外部に設けられた電気的な接続を有することを可能にすることができる。

別の例では、所定の基板層は、両方の側に電極を支持することが可能である。そのような構成は、２つの封止されたチャンバが積層された構成になっている際、１つの基板層が省略されることを可能にすることができる。

図３９～図４４は、複数のチャンバが積層構造で実装されてもよいＧＤＴデバイスの例を示している。図３９～図４４のそれぞれのＧＤＴデバイス１００では、第１のチャンバ１０８ａは、絶縁体基板１０２ａ（開口部を備える）、１０４ａ、および１０６の積層によって実装されてもよい。第２のチャンバ１０８ｂは、絶縁体基板１０２ｂ（開口部を備える）、第１のチャンバ１０８ａを備える上述の積層からの上側絶縁体基板１０６、および絶縁体基板１０４ｂの積層によって、第１のチャンバ１０８ｂの上方に実装されてもよい。

図３９～図４４のそれぞれのＧＤＴデバイス１００では、シールが、２つの近接する絶縁体基板の間に実装されてもよい。より具体的には、シール１２０ａは、絶縁体基板１０４ａと絶縁体基板１０２ａとの間に実装されるように示されている。シール１２２ａは、絶縁体基板１０２ａと絶縁体基板１０６との間に実装されるように示されている。シール１２０ｂは、絶縁体基板１０６と絶縁体基板１０２ｂとの間に実装されるように示されている。シール１２２ｂは、絶縁体基板１０２ｂと絶縁体基板１０４ｂとの間に実装されるように示されている。

第１のチャンバ１０８ａに関して、第１の端部電極１１４が、絶縁体基板１０４ａの上側表面に実装されるように示されており、第１の中央電極１１８ａが、絶縁体基板１０６の下側表面に実装されるように示されている。同様に、第２のチャンバ１０８ｂに関して、第２の中央電極１１８ｂが、絶縁体基板１０６の上側表面に実装されるように示されており、第２の端部電極１１６が、絶縁体基板１０４ｂの下側表面に実装されるように示されている。

図３９の例では、２つのチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、全体的に互いから封止されてもよく、２つのチャンバ１０８ａ、１０８ｂに関連付けられている２つのＧＤＴユニットが、直列に電気的に接続されてもよい。より具体的には、第１のチャンバ１０８ａの第１の中央電極１１８ａおよび第２のチャンバ１０８ｂの第２の中央電極１１８ｂは、例えば、導電性ビア１１５を通じて電気的に接続され、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置を設けることが可能である。

図３９の例では、第１の端部電極１１４は、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置の一方の端部を形成しており、第１の端部電極１１４は、第１の端子１９０に電気的に接続されるように示されている。同様に、第２の端部電極１１６は、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置の他方の端部を形成しており、第２の端部電極１１６は、第２の端子２００に電気的に接続されるように示されている。電極と対応する端子との間のそのような電気的な接続は、本明細書で説明されているような異なる方式で実装されてもよい。例えば、電極１１４は、導電性トレース１９４を通じて、および、ＧＤＴデバイス１００の対応する側に形成されているキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部１９１を通じて、第１の端子１９０に電気的に接続されてもよい。同様に、電極１１６は、導電性トレース２０４を通じて、および、ＧＤＴデバイス１００の対応する側に形成されているキャスタレーションなどのような外部導電性特徴部２０１を通じて、第２の端子２００に電気的に接続されてもよい。

図４０の例では、図３９の例と同様に、２つのチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、全体的に互いから封止されてもよく、２つのチャンバ１０８ａ、１０８ｂに関連付けられている２つのＧＤＴユニットが、直列に電気的に接続されてもよい。より具体的には、第１のチャンバ１０８ａの第１の中央電極１１８ａおよび第２のチャンバ１０８ｂの第２の中央電極１１８ｂは、例えば、導電性ビア１１５ｂを通じて電気的に接続され、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置を設けることが可能である。

図４０の例では、第１の端部電極１１４は、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置の一方の端部を形成しており、第１の端部電極１１４は、導電性ビア１１５ａを通じて第１の端子１９０に電気的に接続されるように示されている。同様に、第２の端部電極１１６は、２つのＧＤＴユニットの上述の直列配置の他方の端部を形成しており、第２の端部電極１１６は、導電性ビア１１５ｃを通じて第２の端子２００に電気的に接続されるように示されている。上述の様式で構成されているので、ＧＤＴデバイス１００は、一方の側（例えば、下側）に第１の端子１９０を有し、反対側の側（例えば、上側）に第２の端子２００を有することが可能である。したがって、図４０のＧＤＴデバイス１００は、例えば、図３１～図３８を参照して本明細書で説明されている用途において利用されてもよい。

図４１は、図３９の例と同様の例示的なＧＤＴデバイス１００を示している。しかし、図４１の例では、第１および第２のチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、２つのチャンバを全体的に分離する絶縁体基板１０６を通じて形成された１つまたは複数の開口部１１７を通じて、互いに連通した状態になっていてもよい。さまざまな電極および端子の間の電気的な接続は、図３９の例と同様に実装されてもよい。

図４２は、図４０の例と同様の例示的なＧＤＴデバイス１００を示している。しかし、図４２の例では、第１および第２のチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、２つのチャンバを全体的に分離する絶縁体基板１０６を通じて形成された１つまたは複数の開口部１１７を通じて、互いに連通した状態になっていいてもよい。さまざまな電極および端子の間の電気的な接続は、図４０の例と同様に実装されてもよい。

図４３は、図３９の例と同様の例示的なＧＤＴデバイス１００を示しているが、中央電極１１８ａ、１１８ｂが、第３の端子２０３に電気的に接続されている。より具体的には、図４３の例では、２つのチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、互いから全体的に封止されてもよい。第１のチャンバ１０８ａの第１の中央電極１１８ａおよび第２のチャンバ１０８ｂの第２の中央電極１１８ｂは、例えば、導電性トレース１１９ａと、キャスタレーションなどのような外部導電性特徴部１１１と、導電性トレース１１９ｂとを通じて、電気的に接続されてもよい。そのようなキャスタレーションは、他の電極に関する電気的な接続のために利用されていない側壁部に実装されてもよい。図４３に示されている例では、そのような側壁部は、前側壁部または裏側壁部であり得る。

図４３の例では、キャスタレーション１１１は、下側表面まで延在しており、ＧＤＴデバイス１００の下側表面に形成されている第３の電極２０３と電気的接触をしていることが可能である。キャスタレーション１１１は、上側表面まで延在しており、ＧＤＴデバイス１００の上側表面に形成されている第３の電極２０３と電気的接触をしていることが可能である。図４３の例では、他の電極（例えば、１１４、１１６）および端子（１９０、２００）の間の電気的な接続は、図３９の例と同様に実装されてもよい。

図４４は、図４３の例と同様の例示的なＧＤＴデバイス１００を示している。しかし、図４４の例では、第１および第２のチャンバ１０８ａ、１０８ｂは、２つのチャンバを全体的に分離する絶縁体基板１０６を通じて形成された１つまたは複数の開口部１１７を通じて、互いに連通した状態になっていることが可能である。さまざまな電極および端子の間の電気的な接続は、図４３の例と同様に実装されてもよい。

図３９～図４４において積層構造のさまざまな例では、電極および端子の間のおよび／または電極と端子との間の電気的な接続は、さまざまな電気的な接続技術のより具体的な例の文脈において説明されていることが理解されよう。また、そのような積層構造は、本明細書で説明されている電気的な接続概念のいずれかを、個別にまたは任意の組合せで利用して実装されてもよいことが理解されよう。

幾つかの実施形態では、電流ハンドリング能力などのような特徴、ならびに／または、インダクタンスおよび／もしくは他の寄生値（ｐａｒａｓｉｔｉｃｓ）の低減が必要とされまたは望まれる幾つかの用途において、第３の端子（例えば、図４３、図４４）を備える上述の積層構造が望ましい可能性がある。幾つかの実施形態では、２つのガスチャンバを接続することは（例えば、図４１、図４２、図４４）、２層式の（例えば、３端子構成）ＧＤＴ１００デバイスの上部半分と底部半分との間のインパルス放電開始バランスを改善することが可能であり、したがって、コモンモードサージの間のトランスバース電圧を低減させることができる。

明細書および特許請求の範囲の全体を通じて、文脈上明白に他の意味に解釈すべき場合を除いて、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」および「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」などの用語は、排他的なまたは包括的な意味とは対照的に、包含的な意味で解釈されるべきであり、すなわち、「含むが、それに限定されない」の意味で解釈されるべきである。全体的に本明細書で使用されているように、「連結されている」の用語は、２つ以上のエレメントが直接的に接続されているか、または、１つもしくは複数の中間エレメントによって接続されているかのいずれかを表している。追加的に、「本明細書で」、「上記に」、「下記に」の用語、および、同様の取り込み（ｉｍｐｏｒｔ）の用語は、本出願の中で使用されるときには、本出願を全体として参照するべきであり、本出願の任意の特定の部分を参照するべきではない。文脈が許す場合には、単数形または複数形を使用した上記の詳細な説明の中の用語は、複数形または単数形をそれぞれ含むことができる。２つ以上の項目のリストを参照した「または」の用語に関して、その用語は、以下の用語の解釈：リストの中の項目のいずれか、リストの中の項目のすべて、および、リストの中の項目の任意の組合せ、のすべてをカバーする。

本発明の実施形態の上記の詳細な説明は、包括的であることを意図しておらず、または、上記に開示されている正確な形態に本発明を限定することを意図していない。本発明の特定の実施形態、および、本発明に関する例は、例示目的のために上記に説明されているが、当業者なら理解するように、さまざまな均等な修正例が、本発明の範囲の中で可能である。例えば、プロセスまたはブロックは、所定の順序で提示されているが、代替的な実施形態は、異なる順序で、ステップを有するルーチンを実施し、または、ブロックを有するシステムを用いることが可能であり、また、幾つかのプロセスまたはブロックは、削除、移動、追加、分割、組み合わせ、および／または、修正することができる。これらのプロセスまたはブロックのそれぞれは、さまざまな異なる方式で実装されてもよい。また、プロセスまたはブロックは、直列に実施されるように示されている場合があるが、これらのプロセスまたはブロックは、その代わりに、並列に実施することもでき、または、異なる時間に実施することもできる。

本明細書で提供されている本発明の教示は、必ずしも上記に説明されているシステムではなく、他のシステムにも適用されてもよい。上記に説明されているさまざまな実施形態のエレメントおよび行為は、さらなる実施形態を提供するために組み合わせられ得る。

本発明の幾つかの実施形態が説明されてきたが、これらの実施形態は、単なる例として提示されており、本開示の範囲を限定することは意図していない。実際に、本明細書で説明されている新規の方法およびシステムは、さまざまな他の形態で具現化されてもよく、そのうえ、本明細書で説明されている方法およびシステムの形態のさまざまな省略、置換、および変化を、本開示の精神から逸脱することなく行うことができる。添付の特許請求の範囲およびその均等物は、本開示の範囲および精神に当てはまるそのような形態または修正をカバーすることを意図している。

Claims (25)

1. ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスであって、
   第１のサイドおよび第２のサイドを有し、内壁で開口部を画定する第１の絶縁体基板と、
   前記第１の絶縁体基板の前記第１のサイドおよび前記第２のサイドにそれぞれ装着されている第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板であって、前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板の内向きの表面ならびに前記第１の絶縁体基板の前記開口部の前記内壁がチャンバを画定するようになっている、第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板と、
   前記第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板のそれぞれの前記内向きの表面に実装された第１の電極および第２の電極であって、各々の電極は自身の境界が前記開口部の前記内壁から横方向に隔てられるような寸法を有する、第１の電極および第２の電極と、
   前記チャンバの封止を容易にするように構成されている第１のシールおよび第２のシールであって、前記第１のシールは、前記第２の絶縁体基板と前記第１の絶縁体基板との間に実装され、前記第２のシールは、前記第３の絶縁体基板と前記第１の絶縁体基板との間に実装されている、第１のシールおよび第２のシールと、
   前記ＧＤＴデバイスの少なくとも１つの外部表面に実装された第１の端子および第２の端子と、
   前記第１の電極および前記第２の電極と前記第１の端子および前記第２の端子との間にそれぞれ設けられた電気的な接続であって、前記電気的な接続は、前記第１のシールと前記第２の絶縁体基板との間に設けられ、かつ前記第１の電極を前記第１の端子に電気的に接続するように実装された第１のメタライズされたトレースと、前記第２のシールと前記第３の絶縁体基板との間に設けられ、かつ前記第２の電極を前記第２の端子に電気的に接続するように実装された第２のメタライズされたトレースとを含んでいる、電気的な接続と、
   を備える、ガス放電管（ＧＤＴ）デバイス。
2. 前記第１の絶縁体基板がセラミック層を含む、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
3. 前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板のそれぞれがセラミック層を含む、請求項２に記載のＧＤＴデバイス。
4. 前記第１のシールおよび前記第２のシールのそれぞれは導電性のシールである、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
5. 前記第１のシールおよび前記第２のシールのそれぞれは非導電性のシールである、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
6. 前記第１の端子および前記第２の端子は、少なくとも前記第２の絶縁体基板に実装されている、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
7. 前記第１の端子および前記第２の端子は、前記第３の絶縁体基板にも実装されており、前記第２の絶縁体基板のそれらのそれぞれの第１の端子および第２の端子に電気的に接続されている、請求項６に記載のＧＤＴデバイス。
8. 前記第１のメタライズされたトレースは、前記第１の電極から前記ＧＤＴデバイスの第１のサイドエッジへ横方向に延在しており、
   前記第２のメタライズされたトレースは、前記第２の電極から前記ＧＤＴデバイスの第２のサイドエッジへ横方向に延在している、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
9. 前記第１のサイドエッジおよび前記第２のサイドエッジは、対向するエッジである、請求項８に記載のＧＤＴデバイス。
10. 前記電気的な接続は、第１の外部導電性特徴部と第２の外部導電性特徴部とをさらに含み、
    前記第１の外部導電性特徴部は、前記第１のサイドエッジに実装されており、前記第１のメタライズされたトレースを前記第１の端子に電気的に接続するように構成されており、
    前記第２の外部導電性特徴部は、前記第２のサイドエッジに実装されており、前記第２のメタライズされたトレースを前記第２の端子に電気的に接続するように構成されている、請求項８に記載のＧＤＴデバイス。
11. 前記第１の外部導電性特徴部および前記第２の外部導電性特徴部のそれぞれは、キャスタレーション特徴部を含み、前記キャスタレーション特徴部は、導電性の材料によって少なくとも部分的に充填され、および／またはめっきされている、請求項１０に記載のＧＤＴデバイス。
12. 前記第１の端子は、前記第２の絶縁体基板の外部表面に実装されており、前記第２の端子は、前記第３の絶縁体基板の外部表面に実装されている、請求項１に記載のＧＤＴデバイス。
13. 前記第１のメタライズされたトレースは、前記第１の電極から前記第２の絶縁体基板のサイドエッジにおける場所またはその近くの場所へ横方向に延在しており、
    前記第２のメタライズされたトレースは、前記第２の電極から前記第３の絶縁体基板のサイドエッジにおける場所またはその近くの場所へ横方向に延在している、
    請求項１２に記載のＧＤＴデバイス。
14. 前記第２の絶縁体基板の前記サイドエッジおよび前記第３の絶縁体基板の前記サイドエッジは、対向するエッジである、請求項１３に記載のＧＤＴデバイス。
15. 前記電気的な接続は、第１の外部導電性特徴部と第２の外部導電性特徴部とをさらに含み、
    前記第１の外部導電性特徴部は、前記第２の絶縁体基板の前記サイドエッジに実装されており、かつ前記第１のメタライズされたトレースを前記第１の端子に電気的に接続するように構成されており、
    前記第２の外部導電性特徴部は、前記第３の絶縁体基板の前記サイドエッジに実装されており、かつ前記第２のメタライズされたトレースを前記第２の端子に電気的に接続するように構成されている、請求項１３に記載のＧＤＴデバイス。
16. 前記第１の外部導電性特徴部および前記第２の外部導電性特徴部のそれぞれは、キャスタレーション特徴部を含み、前記キャスタレーション特徴部は、導電性の材料によって少なくとも部分的に充填され、および／またはめっきされている、請求項１５に記載のＧＤＴデバイス。
17. ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスを製造するための方法であって、
    第１のサイドおよび第２のサイドを有し、内壁で開口部を画定する第１の絶縁体基板を提供または形成することと、
    第１の電極および第２の電極をそれぞれ第２の絶縁体基板および第３の絶縁体基板に形成することと、
    前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板をそれぞれ前記第１の絶縁体基板の前記第１のサイドおよび前記第２のサイドに装着することであって、前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板の内向きの表面、ならびに、前記第１の絶縁体基板の前記開口部の前記内壁が、チャンバを画定するようになっており、各々の電極は、前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板のそれぞれの内向きの表面に存在しており、かつ自身の境界が前記開口部の前記内壁から横方向に隔てられるような寸法を有しており、前記装着することは、第１のシールを前記第２の絶縁体基板と前記第１の絶縁体基板との間に実装し、かつ第２のシールを前記第３の絶縁体基板と前記第１の絶縁体基板との間に実装することを含んでいる、前記装着することと、
    前記第２の絶縁体基板および前記第３の絶縁体基板の少なくとも１つの外部表面に第１の端子および第２の端子を形成することと、
    前記第１の電極および前記第２の電極と前記第１の端子および前記第２の端子とをそれぞれ電気的に接続することであって、前記電気的に接続することは、第１のメタライズされたトレースを前記第１のシールと前記第２の絶縁体基板との間に実装して、前記第１の電極を前記第１の端子に電気的に接続することと、第２のメタライズされたトレースを前記第２のシールと前記第３の絶縁体基板との間に実装して、前記第２の電極を前記第２の端子に電気的に接続することとを含んでいる、電気的に接続することと、
    を含む、方法。
18. ガス放電管（ＧＤＴ）デバイスを製造するための方法であって、
    第１のサイドおよび第２のサイドならびに開口部のアレイを有する第１の絶縁体プレートであって、各々の開口部が内壁を有している第１の絶縁体プレートを提供または形成することと、
    第２の絶縁体プレートおよび第３の絶縁体プレートを提供または形成することと、
    前記第２の絶縁体プレートおよび前記第３の絶縁体プレートのそれぞれの表面上の電極のアレイ、および、それぞれの電極に電気的に接続されたメタライズされたトレースを形成することと、
    前記第２の絶縁体プレートおよび前記第３の絶縁体プレートを、それぞれ、第１及び第２のシールを備えた前記第１の絶縁体プレートの前記第１のサイドおよび前記第２のサイドに装着することであって、前記第２の絶縁体プレートおよび前記第３の絶縁体プレートの電極の前記アレイが、前記開口部のアレイを通じて互いに面するようになっており、それによって、チャンバのアレイを画定し、各々の開口部と前記第２の絶縁体プレートおよび前記第３の絶縁体プレートのそれぞれの電極とは、前記それぞれの電極の境界が前記開口部の前記内壁から横方向に隔てられるような寸法を有しており、前記第２の絶縁体プレートの各々のメタライズされたトレースは前記第１のシールと前記第２の絶縁体プレートとの間に配置されており、前記第３の絶縁体プレートの各々のメタライズされたトレースは前記第２のシールと前記第３の絶縁体プレートとの間に配置されている、前記装着することと
    を含む、方法。
19. さらに、
    前記第２の絶縁体プレートおよび前記第３の絶縁体プレートの少なくとも１つの表面に、第１の電極および第２の電極の対ごとに第１の端子および第２の端子を形成することを含む、請求項１８に記載の方法。
20. さらに、
    前記第１の電極および前記第２の電極の対の各々と前記第１の端子および前記第２の端子とをそれぞれ対応する前記メタライズされたトレースを介して電気的に接続することを含む、請求項１９に記載の方法。
21. 前記第１の絶縁体プレート、前記第２の絶縁体プレート、および前記第３の絶縁体プレートのそれぞれは、セラミックプレートを含む、請求項１８に記載の方法。
22. 前記第２の絶縁体プレートに関連付けられている各々のメタライズされたトレースは、各々の第１の電極から前記第２の絶縁体プレートの対応ユニットの第１のサイドエッジへ横方向に延在し、
    前記第３の絶縁体プレートに関連付けられている各々のメタライズされたトレースは、各々の第２の電極から前記第３の絶縁体プレートの対応ユニットの第２のサイドエッジへ横方向に延在している、
    請求項１８に記載の方法。
23. 前記第２の絶縁体プレートの前記第１のサイドエッジは、前記第１のメタライズされたトレースと第１の端子とを電気的に接続する導電性キャスタレーションを含み、前記第３の絶縁体プレートの前記第２のサイドエッジは、前記第２のメタライズされたトレースと第２の端子とを電気的に接続する導電性キャスタレーションを含む、請求項２２に記載の方法。
24. さらに、
    前記チャンバのアレイを複数の個々のＧＤＴデバイスに分離することを含む、請求項２３に記載の方法。
25. 前記分離することは、前記第２の絶縁体プレートの前記第１のサイドエッジおよび前記第３の絶縁体プレートの前記第２のサイドエッジに沿った前記キャスタレーションが露出させられることを結果として生じさせる、請求項２４に記載の方法。

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