JP7027323B2 - エッチング液組成物及びエッチング方法 - Google Patents
エッチング液組成物及びエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7027323B2 JP7027323B2 JP2018546262A JP2018546262A JP7027323B2 JP 7027323 B2 JP7027323 B2 JP 7027323B2 JP 2018546262 A JP2018546262 A JP 2018546262A JP 2018546262 A JP2018546262 A JP 2018546262A JP 7027323 B2 JP7027323 B2 JP 7027323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- etching solution
- copper
- solution composition
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
(実施例1~10)
表1に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物(実施例組成物No.1~10)を得た。なお、成分の合計が100質量%となるように水を配合した。実施例組成物No.1~7については、pH調整剤として酸性フッ化水素アンモニウムを用いた。
表2に示す配合となるように各成分を混合してエッチング液組成物(比較組成物1~3)を得た。なお、成分の合計が100質量%となるように水を配合し、pH調整剤として酸性フッ化水素アンモニウムを用いた。
(実施例11~20)
厚さ200μmのPET基体上にITO層(50nm)、Cu層(200nm)、及びCuNi層(30nm)をこの順に積層した基体に、液状レジストを用いて幅10μm、開口部10μmのレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基体を縦20mm×横20mmに切断してテストピースを得た。得られたテストピースに対し、実施例組成物No.1~10を用いて、35℃、1分間、撹拌下でディップ式によるパターンエッチング(エッチング処理)を行った。
比較組成物1~3を用いたこと以外は、上記の実施例11~20と同様にして、ディップ式によるパターンエッチングを行った。
厚さ200μmのPET基体上にITO層(50nm)、Cu層(200nm)、及びCuNi層(30nm)をこの順に積層した基体に、ドライフィルムレジストを用いて幅10μm、開口部10μmのレジストパターンを形成した。レジストパターンを形成した基体を縦20mm×横20mmに切断してテストピースを得た。得られたテストピースに対し、実施例組成物No.1~10を用いて、35℃、1分間、撹拌下でディップ式によるパターンエッチング(エッチング処理)を行った。
レーザー顕微鏡を使用して、細線の状態、及びレジストパターンの幅と細線の幅とのズレを評価した。細線の状態については、細線上部の特定の長さの欠けの有無を確認することで評価した。具体的には、0.5μm以上の長さの欠けが確認できなかったものを「++」と評価し、0.5μm以上1μm未満の長さの欠けが確認できたものを「+」と評価し、1μm以上の長さの欠けが確認できたものを「-」と評価した。
Claims (2)
- 請求項1に記載のエッチング液組成物を用いて銅系層をエッチングする工程を有するエッチング方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016206758 | 2016-10-21 | ||
JP2016206758 | 2016-10-21 | ||
PCT/JP2017/036624 WO2018074279A1 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-10 | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018074279A1 JPWO2018074279A1 (ja) | 2019-08-08 |
JP7027323B2 true JP7027323B2 (ja) | 2022-03-01 |
Family
ID=62018552
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018546262A Active JP7027323B2 (ja) | 2016-10-21 | 2017-10-10 | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7027323B2 (ja) |
KR (1) | KR102340997B1 (ja) |
CN (1) | CN109844910B (ja) |
TW (1) | TWI797093B (ja) |
WO (1) | WO2018074279A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113126831A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 | 蚀刻液、触控面板及其制作方法 |
JP2021195572A (ja) * | 2020-06-09 | 2021-12-27 | メック株式会社 | エッチング剤およびエッチング方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187945A (ja) | 2000-12-27 | 2005-07-14 | Ebara Udylite Kk | 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤 |
JP2012140651A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Adeka Corp | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
JP2016098386A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 関東化學株式会社 | 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法 |
JP2016108659A (ja) | 2014-11-27 | 2016-06-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116083A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-12 | Hitachi Ltd | 銅または銅合金用溶解液、その製造方法、銅または銅合金のエッチング方法、化学研磨方法および形成方法、ならびに、プリント配線基板の製造方法 |
JPH11140669A (ja) * | 1997-11-04 | 1999-05-25 | Ebara Densan Ltd | エッチング液 |
DE10313517B4 (de) * | 2003-03-25 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Lösung zum Ätzen von Kupfer, Verfahren zum Vorbehandeln einer Schicht aus Kupfer sowie Anwendung des Verfahrens |
TWI288046B (en) * | 2003-11-14 | 2007-10-11 | Showa Denko Kk | Polishing composition and polishing method |
KR101084676B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2011-11-22 | 주식회사 엘지화학 | 1차 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물 및 화학적 기계적 연마 방법 |
JP2010232486A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Nagase Chemtex Corp | エッチング用組成物 |
JP6101421B2 (ja) * | 2010-08-16 | 2017-03-22 | インテグリス・インコーポレーテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
JP5933950B2 (ja) | 2011-09-30 | 2016-06-15 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 銅または銅合金用エッチング液 |
KR102048022B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2019-12-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 |
JP6207248B2 (ja) * | 2013-06-17 | 2017-10-04 | 株式会社Adeka | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
JP6531612B2 (ja) | 2014-11-27 | 2019-06-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
-
2017
- 2017-10-10 WO PCT/JP2017/036624 patent/WO2018074279A1/ja active Application Filing
- 2017-10-10 KR KR1020197010956A patent/KR102340997B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-10 CN CN201780064257.5A patent/CN109844910B/zh active Active
- 2017-10-10 JP JP2018546262A patent/JP7027323B2/ja active Active
- 2017-10-20 TW TW106136173A patent/TWI797093B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005187945A (ja) | 2000-12-27 | 2005-07-14 | Ebara Udylite Kk | 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤 |
JP2012140651A (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Adeka Corp | 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法 |
JP2016098386A (ja) | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 関東化學株式会社 | 銅、モリブデン金属積層膜エッチング液組成物、該組成物を用いたエッチング方法および該組成物の寿命を延ばす方法 |
JP2016108659A (ja) | 2014-11-27 | 2016-06-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 液体組成物およびこれを用いたエッチング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190052091A (ko) | 2019-05-15 |
CN109844910A (zh) | 2019-06-04 |
CN109844910B (zh) | 2023-04-28 |
JPWO2018074279A1 (ja) | 2019-08-08 |
TWI797093B (zh) | 2023-04-01 |
TW201823516A (zh) | 2018-07-01 |
WO2018074279A1 (ja) | 2018-04-26 |
KR102340997B1 (ko) | 2021-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI600746B (zh) | 選擇性移除鈦氮化物硬遮罩及蝕刻殘留物的移除 | |
KR101333551B1 (ko) | 구리와 몰리브덴 합금막의 식각액 조성물 | |
US9741827B2 (en) | Etchant and method of manufacturing display device by using the same | |
EP2922086B1 (en) | Composition, system, and process for TiNxOy removal | |
WO2020062590A1 (zh) | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 | |
KR20150089887A (ko) | 구리막 및 티타늄막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
JP2003034875A (ja) | めっき方法 | |
KR102203444B1 (ko) | 에칭액 조성물 및 에칭 방법 | |
CN103695908A (zh) | 一种新型的有机碱微蚀液 | |
JP2014084489A (ja) | エッチング液、これを用いたエッチング方法及び半導体素子の製造方法 | |
KR102517903B1 (ko) | 식각액 조성물, 및 식각액 조성물을 이용한 식각 방법 | |
JP7027323B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
TWI675093B (zh) | 蝕刻劑組合物和製造用於液晶顯示器的陣列基板的方法 | |
TWI658123B (zh) | 用於銅層及鈦層之蝕刻溶液組成物及使用其製備用於液晶顯示器之陣列基板的方法 | |
JP2017171992A (ja) | 銀含有材料用エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
WO2021117478A1 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
KR101695571B1 (ko) | 과산화수소계 금속 식각용 조성물 | |
JP6892785B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
JP7449129B2 (ja) | 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
KR102142419B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
JP2017172004A (ja) | 銅系層用エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
JP6662671B2 (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
JP2017199791A (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 | |
CN114592191A (zh) | 蚀刻液、蚀刻方法及铟镓锌氧化物半导体器件 | |
JP2018152423A (ja) | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200925 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200925 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7027323 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |