JP7025256B2 - ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
半導体デバイスなどの製造に用いられるリソグラフィ装置では、原版や基板等を保持するステージの駆動機構として、可動子の位置に応じて通電すべきコイルを選択的に切り換える多相リニアモータを用いたものが知られている。特許文献1には、このような多相リニアモータの駆動電流を制御する方法として、sin(x)+cos(x)=1の原理を利用した多相励磁正弦波駆動方式が提案されている。多相励磁正弦波駆動方式では、ステージを駆動する際、磁束密度の位相角が90度相当離れた位置にある2相のコイルに対し、それぞれの磁束密度に相当する電流を同時に流す(2相励磁する)ことで、推力ムラを低減した一定の推力を得ることができる。
特許第3501559号公報
リソグラフィ装置では、半導体デバイスの微細化や高集積化が進むにつれて、ステージの位置の計測誤差や、装置内の部品や基板などの形状誤差を管理し、基板上にパターンを高精度に形成することが求められている。そのため、このような誤差を引き起こす1つの要因である装置内部の温度についても、その変動を低減するように高精度に制御することが望ましい。しかしながら、ステージを駆動するリニアモータでは、ステージを駆動している期間とステージを停止させている期間とで発熱が大きく異なるため、それによって装置内部の温度変動を低減することが困難になりうる。
そこで、本発明は、リニアモータからの発熱を制御するために有利な技術を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのステージ装置は、ステージを駆動するステージ装置であって、第1相コイルと第2相コイルとが交互に配列された複数のコイルを含む固定子と、前記ステージに設けられた可動子とを有するリニアモータと、前記複数のコイルのうち一対の第1相コイルおよび第2相コイルに選択的に通電することにより、前記リニアモータを制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記ステージを所定位置に停止させている停止期間において、第1相コイルに通電することによって前記ステージの位置を前記所定位置に保持するとともに、前記可動子に推力を与えない位置に配置された第2相コイルに通電して発熱させる。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、リニアモータからの発熱を制御するために有利な技術を提供することができる。
露光装置の構成例を示す概略図である。 多相励磁方式のリニアモータの動作を説明するための図である。 露光装置の動作シーケンスを示すフローチャートである。 露光装置の動作とリニアモータの発熱との関係を示す図である。 第1実施形態のステージ装置の構成例を示す図である。 電流ドライバからの電流の出力タイミングと切換部での切り換えタイミングとを示す図である。 第3実施形態のステージ装置の構成例を示す図である。 所定位置の設定例を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、マスク(原版)のパターンを基板に転写する露光装置に本発明のステージ装置を適用する例を説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などの他のリソグラフィ装置においても、本発明のステージ装置を適用することができる。
<第1実施形態>
第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、本実施形態の露光装置100の構成例を示す概略図である。本実施形態の露光装置100は、例えば、照明光学系11と、マスクMを保持するマスクステージ12と、投影光学系13と、基板Wを保持する基板ステージ14と、基板ステージ14を駆動するリニアモータ20(駆動部)と、制御部30とを含みうる。制御部30は、例えばCPUやメモリなどを含み、露光装置100の各部を制御する(基板Wの露光処理を制御する)。本実施形態では、基板ステージ14を駆動するステージ装置が、リニアモータ20と制御部30とによって構成されうる。
照明光学系11は、光源から射出された光を用いて、マスクステージ12により保持されたマスクMを照明する。投影光学系13は、所定の倍率を有し、マスクMに形成されたパターンを基板W上に投影する。マスクMおよび基板Wは、マスクステージ12および基板ステージ14によってそれぞれ保持されており、投影光学系13を介して光学的にほぼ共役な位置(投影光学系13の物体面および像面)に配置される。マスクステージ12は、真空吸着力などによってマスクMを保持し、例えばXY方向に移動可能に構成される。基板ステージ14は、真空吸着力などによって基板Wを保持し、リニアモータ20によって例えばXY方向(図1に示す構成例ではX方向)に駆動される。リニアモータ20は、複数のコイル21aを含む固定子21と、基板ステージ14に設けられた可動子22とを有する。
また、露光装置100には、基板ステージ14の位置を計測する計測部16と、リニアモータ20の固定子21を温調する温調部17とを更に含みうる。計測部16は、例えばレーザ干渉計やエンコーダなどを含み、基板ステージ14(可動子22)の現在位置を計測する。図1に示す計測部16は、レーザ干渉計を含み、基板ステージ14に設けられたミラー22aにレーザ光を照射し、該ミラー22aで反射されたレーザ光を用いて基板ステージ14(可動子22)の現在位置を計測する。また、温調部17は、例えばリニアモータ20の固定子21に設けられた流路に流体を流すことによって固定子21の温調を行うように構成されうる。図1に示す温調部17は、固定子21の流路から回収管17aを介して流体を回収し、回収した流体の温度を温度センサで検出した結果に基づいて、目標温度になるように流体を温調する。そして、温調した流体を供給管17bを介して固定子21の流路に供給することにより、固定子の温調を行う。
次に、本実施形態のリニアモータ20について説明する。本実施形態のリニアモータ20は、第1相コイルと第2相コイルとが交互に配列された複数のコイル21aを固定子21に含み、可動子22の位置に応じて通電すべきコイル21aを選択的に切り換え可能な多相リニアモータとして構成される。また、本実施形態では、リニアモータ20の駆動電流を制御する方法として、多相励磁正弦波駆動方式(以下では、単に「多相励磁方式」と呼ぶことがある)が用いられる。このように構成されたリニアモータ20では、例えば、複数のコイル21aのうち、可動子22の位置に応じて選択された一対の第1相コイルおよび第2相コイルに通電することにより、可動子22の位置の制御を行うことができる。ここで、以下の説明では、第1相コイルをA相コイルとし、第2相コイルをB相コイルとしているが、その逆であってもよい(即ち、第1相コイルをB相コイルとし、第2相コイルをA相コイルとしてもよい)。
図2は、本実施形態に係る多相励磁方式のリニアモータ20の動作を説明するための図である。図2(a)~(e)は、矢印Rの方向に可動子を移動させる際のリニアモータ20の状態遷移を時系列で示す図である。図2(a)~(e)では、A相コイルとB相コイルとが交互に配列された複数のコイル21aを含む固定子21と、複数の磁石を含む可動子22とを有するリニアモータ20が図示されている。図中では、固定子21における複数のコイル21aのうち、A相コイルに対してはA1~A3の番号が付与されており、B相コイルに対してはB1~B3の番号が付与されている。このような構成のリニアモータ20では、計測部16で計測された可動子22の位置情報に基づいて選択されたA相コイルとB相コイルとに通電することにより、可動子22への推力を継続的に与えて可動子22を移動させることができる。図2(a)~(b)では、計測部16で計測された可動子22の位置情報に基づいて、通電すべきコイル21aとして、A相コイルA1およびB相コイルB1が選択され、図2(c)~(e)では、B相コイルB1およびA相コイルA2が選択されている。
また、図2(f)は、各コイル21aを通過する磁束密度状態を表す磁束密度分布の一例を示している。図2(f)において、横軸は可動子22の位置を示し、縦軸は各コイルを通過する磁束密度を示している。A相コイルの磁束密度分布は、複数のA相コイルのうち、可動子22の位置に応じて選択され通電されたA相コイルの磁束密度を連続的につないだものである。同様に、B相コイルの磁束密度分布は、複数のB相コイルのうち、可動子22の位置に応じて選択され通電されたB相コイルの磁束密度を連続的につないだものである。ここで、図2(f)に示す磁束密度分布は、矢印Rの方向に可動子22を移動させる際の例であり、実際に可動子22の位置を制御する際には、可動子22を移動させる速度やリニアモータ20に発生させる推力などに応じて位相や強度(振幅)が変わりうる。
図2において、可動子22を駆動する場合、A相コイルについては、可動子22の位置xに対して磁束密度がsin(x)になるように、可動子22の位置に応じて選択されたA相コイルに、sin(x)に比例した電流を供給する。そして、A相コイルに対して磁束密度の位相角が90度離れたB相コイルについては、磁束密度がcos(x)になるように、可動子22の位置に応じて選択されたB相コイルに、cos(x)に比例した電流を供給する。このようにすることで、A相コイルおよびB相コイルの各々において磁束と電流とで決定される推力が、sin(x)+cos(x)=1の関係となり、推力ムラを低減した一定の推力を発生することができる。
次に、露光装置100の動作シーケンスについて、図3を参照しながら説明する。図3は、露光装置100の動作シーケンスを示すフローチャートである。図3のフローチャートは、1つのロットに含まれる複数の基板Wの各々に対して露光処理を行う際の露光装置100の動作シーケンスを示しており、ロットを変更しながら繰り返し行われうる。なお、図3のフローチャートでは、基板ステージ14(可動子22)の移動に着目して説明しており、露光処理の具体的な説明については省略している。
S11では、制御部30は、基板ステージ14(可動子22)を所定位置に移動させ、当該所定位置に保持(維持)させるようにリニアモータ20を制御する。このとき、ロットの入れ替え(交換)等が行われうる。S12では、制御部30は、1つのロットに含まれる複数の基板Wのうち、露光処理を行う対象の基板W(対象基板W)を基板ステージ14上に搬送するように基板搬送機構を制御し、対象基板Wを保持するように基板ステージ14を制御する。S11およびS12の工程は、露光処理を開始する前の状態であり、基板ステージ14は停止状態(アイドリング状態)である。
S13では、制御部30は、対象基板Wが投影光学系13の下方に配置されるようにリニアモータ20を制御する。S14では、制御部30は、ステップ移動を挟みながら、対象基板Wにおける複数のショット領域の各々に対して露光処理を繰り返す。この工程での露光方式は、ステップアンドリピート方式であってもよいし、ステップアンドスキャン方式であってもよい。S15では、制御部30は、基板ステージ14(可動子22)を所定位置に移動させ、当該所定位置に保持(維持)させるようにリニアモータ20を制御する。S16では、制御部30は、基板ステージ14上から対象基板Wを回収するように基板搬送機構を制御する。S17では、制御部30は、ロット内における全ての基板Wに対して露光処理を行ったか否かを判定する。露光処理を行っていない基板Wがある場合にはS12に戻る。一方、全ての基板Wに対して露光処理を行った場合には終了する。
このような動作シーケンスにおいて、S13~S15のように基板ステージ14を移動させる頻度が高い工程では、固定子21のコイル21aに通電してリニアモータに推力を発生させるため、当該固定子21においてジュール熱が発生しうる。このときの熱量は、一般的に、単位時間あたりにコイル21aに供給された電流値の2乗と、該コイル21aの直流抵抗との積となる。近年の露光装置では、高い生産性を達成するために基板ステージ14の加速度が高まっており、このような高い加速度での繰り返し駆動により、固定子21の発熱量は数100W程度になりうる。一方、S11~S12のように、ロット内の全基板Wに対して露光処理を行った後、次のロットの基板Wに対して露光処理を開始するまでの期間では、基板ステージ14は停止状態(アイドリング状態)である。この場合、リニアモータ20は停止状態を維持するだけの力を発生すればよいため、コイル21aに供給される電流値は、基板ステージ14を移動させるときに比べて非常に小さくなる(ほぼ零になる)。
図4は、露光装置100の動作とリニアモータ20の発熱(単位時間当たりの発熱量)との関係を示す図である。図4に示すように、露光装置100では、基板ステージ14を所定位置に停止させておく停止期間と、露光処理が行われる期間、即ち、基板ステージ14の移動頻度が高い可動期間とでは、リニアモータ20の発熱が大きく異なる。(可動期間は、所定位置と異なる位置において基板ステージ14の位置を制御している期間と言うこともできる。)このように、リニアモータ20の発熱が変動すると、それに伴って装置内の温度も変動するため、基板ステージ14の位置の計測誤差や、装置内の部品、基板等の形状誤差が変化し、基板上にパターンを高精度に転写することが困難になりうる。また、固定子21の温調を行う温調部17が設けられていても、停止期間と可動期間との変更時(移行時)などに温調の制御遅れが生じることがある。
そのため、露光装置100では、停止期間でのリニアモータ20の発熱が、可動期間でのリニアモータ20の発熱に近づくように、停止期間における固定子21の各コイル21aへの通電を制御することが好ましい。上述した多相励磁方式では、停止期間において、基板ステージ14の位置を保持し且つ可動期間でのリニアモータの発熱に近づくように、A相コイルとB相コイルとで逆方向の推力を発生させることが考えられる。しかしながら、この場合、A相コイルおよびB相コイルで発生させた推力によって、基板ステージ14に意図しない応力が加わり、基板ステージ14や基板Wに歪変形が生じうる。
そこで、本実施形態では、停止期間において、第1相コイルに通電することによって基板ステージ14の位置を保持するとともに、可動子22に推力を与えない位置に配置された第2相コイルに通電する。つまり、基板ステージ14の位置を保持するための制御を第1相コイルで行い、リニアモータ20の発熱の制御を第2相コイルで行うように、リニアモータ20を制御する。これにより、多相励磁方式を用いた場合において、リニアモータ20の発熱変動と、基板ステージ14への意図しない応力とを低減することができる。ここで、上述したように、第1相コイルは、A相コイルおよびB相コイルの一方であり、第2相コイルは、A相コイルおよびB相コイルの他方である。
図5は、本実施形態のステージ装置の構成例を示す図である。図5に示すステージ装置では、基板Wを保持する基板ステージ14と、基板ステージ14を駆動するリニアモータ20と、基板ステージ14の位置を計測する計測部16(レーザ干渉計)と、制御部30とが設けられている。リニアモータ20の固定子21は、A相コイルとB相コイルとが交互に配列された複数のコイルを含む。図5に示す例では、図を分かりやすくするため、3個のA相コイルA1~A3と3個のB相コイルB1~B3とが図示されているが、A相コイルおよびB相コイルの数は、3個に限られるものではなく、4個以上であってもよい。また、制御部30は、例えば、減算器31と、位置補償器32と、電流ドライバ33a、33bと、切換部34a、34bと、選択部35と、温度補償器36とを含みうる。
減算器31は、計測部16で計測された可動子22の現在位置と目標位置との偏差を算出し、算出した偏差情報を位置補償器32に供給する。位置補償器32は、例えばPID補償器であり、減算器31からの偏差情報に基づいて、当該偏差が許容範囲に収まるように(例えば、偏差が零になるように)、基板ステージ14(可動子22)を駆動するための指令値を決定する。電流ドライバ33aは、位置補償器32からの指令値に基づいて、A相コイルに供給すべき電流を出力する。電流ドライバ33bは、位置補償器32からの指令値に基づいて、B相コイルに供給すべき電流を出力する。電流ドライバ33a、33bは、A相コイルに供給される電流とB相コイルに供給される電流とで位相角が90度異なるように電流を出力する。
切換部34aは、選択部35からの信号に基づいて、電流ドライバ33aからの電流を供給するA相コイルを切り換えるように構成される。切換部34bは、選択部35からの信号に基づいて、電流ドライバ33bからの電流を供給するB相コイルを切り換えるように構成される。切換部34a、34bは、電流の供給先をメカニカルに切り換えるように構成されてもよいし、ソフトウェア上で切り換えるように構成されてもよい。また、選択部35は、計測部16で計測された可動子22の現在位置に基づいて、複数のコイル21aの中から、通電すべき一対のA相コイルおよびB相コイルを選択する。そして、選択したA相コイルおよびB相コイルに電流の供給先が切り換わるように切換部34a、34bを制御する。
選択部35は、リニアモータ20を制御するための制御モードとして、基板ステージ14の位置を所定位置に保持する停止モード(第1モード)と、所定位置と異なる位置において基板ステージの14の位置を制御する可動モード(第2モード)を含みうる。例えば、図3のS14のように露光処理の間では、可動モードが適用される。可動モードの場合、選択部35は、計測部16で計測された可動子22の現在位置に基づいて、可動子22に推力を与えて基板ステージ14を移動させるように通電すべき一対(例えば1つずつ)のA相コイルおよびB相コイルを選択する。そして、選択されたA相コイルおよびB相コイルがそれぞれ電流の供給先となるように切換部34a、34bを制御する。
一方、図3のS11の工程のように、基板ステージ14を所定位置に保持させる場合には、停止モードが適用される。可動モードから停止モードへの変更は、計測部16で計測された基板ステージ14の位置に基づいて、基板ステージ14が所定位置に配置されたと判定された場合に行われる。
所定位置とは、A相コイルおよびB相コイルの一方のみに通電するだけで基板ステージ14の位置を保持可能となる位置、即ち、A相コイルの電流値とB相コイルの電流値との比が略100対0又は略0対100となる位置のことであり、事前に設定されうる。このように所定位置を設定するのは、A相コイルおよびB相コイルの双方を用いて基板ステージ14の位置を保持している状態では、後述するように、それらの一方を、推力を伴わずに発熱させるために使用することができないからである。図5に示す例では、B相コイルB1への通電によって基板ステージ14の位置を保持可能となる位置が所定位置として設定されている。また、所定位置は、基板ステージ上への基板Wの搬送や、基板ステージ上からの基板の回収が行われる際の基板ステージ14の位置を含むが、その他にも、例えば、ロットの交換時に基板ステージ14を待機させる位置なども含みうる。即ち、所定位置は、一箇所に限られず、複数箇所に設定されてもよい。
停止モードの場合、選択部35は、電流ドライバ33bからの電流の供給先としてB相コイルB1を選択し、B相コイルB1に電流の供給先が切り換わるように切換部34bを制御する。このとき、電流ドライバ33bからは、基板ステージ14が所定位置を保持するように位置補償器32で決定された指令値に基づいて、B相コイルB1に供給すべき電流が出力される。また、選択部35は、電流ドライバ33aからの電流の供給先として、複数のA相コイルA1~A3のうち、可動子22に推力を与えない位置に配置されたA相コイルを選択し、選択されたA相コイルに電流の供給先が切り換わるように切換部34aを制御する。例えば、選択部35は、複数のA相コイルのうち、所定位置で停止している基板ステージ14(可動子22)から最も離れたA相コイルを、電流の供給先として選択するとよい。このように電流の供給先として選択されるA相コイルは、所定位置ごとに事前に設定されていてもよく、図5に示す例では、A相コイルA3が選択されうる。このとき、電流ドライバ33aからは、温度補償器36で決定された指令値に基づいて、A相コイルに供給すべき電流が出力される。
ここで、温度補償器36について説明する。停止モードでは、基板ステージ14の位置を保持するようにコイル21a(B相コイルB1)に供給される電流は、可動モード時に比べて非常に小さい(ほぼ零となる)。そのため、温度補償器36は、可動モードでの固定子21の発熱を推定(算出)し、停止モードでの固定子21の発熱が可動モードでの推定発熱に近づくように、コイル21aに供給すべき電流指令値を決定する。例えば、温度補償器36は、可動モードでの制御期間(可動期間)における基板ステージ14の加減速時にコイル21aに印加される電流iと該コイル21aの抵抗値Rから、リニアモータ20の発熱をi×Rによって算出する。そして、可動期間に対する基板ステージ14の加減速時間の比率t%(即ち、実際にコイル21aに通電している時間の比率)をi×Rに乗ずることで、可動期間におけるリニアモータの平均発熱i×R×tを算出することができる。温度補償器36は、停止モードにおいても、算出した平均発熱i×R×tに相当する熱がコイル21aで発生するように、コイル21aに供給すべき電流指令値を決定する。
上述したように、本実施形態の露光装置100では、多相励磁式のリニアモータ20を有するステージ装置が採用される。そして、このようなステージ装置は、停止モードにおいて、リニアモータ20(固定子21)の第1相コイルに通電することによって基板ステージ14の位置を所定位置に保持するとともに、可動子22に推力を与えない位置に配置された第2相コイルに通電する。これにより、リニアモータ20からの発熱の変動を低減し、基板上にパターンを高精度に形成することができる。ここで、本実施形態のステージ装置は、基板ステージ14を駆動することに限られず、マスクステージ12など、物品を搭載するステージの駆動の際にも適用されうる。
<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態について説明する。第2実施形態は、基本的に第1実施形態を引き継ぐものであるため、以下では第1実施形態と異なる箇所について説明する。
ステージ装置では、リニアモータ20の制御モードを可動モードと停止モードとの間で変更する場合、切換部34での電流の供給先の切り換えタイミングと、電流ドライバ33での電流値の切り換えタイミングとを同期させる必要がある。しかしながら、それらの切り換えタイミングがずれてしまうと、例えばコイル21aに過電流が加わったり、逆起電力が発生したりし、基板ステージ14の位置制御が困難になることがある。そこで、本実施形態では、可動モードと停止モードとの間での制御モードの変更を、推力を伴わずに発熱させるために使用する第2相コイルへの通電を中止した状態で行う。
図6は、可動モードと停止モードとの間で変更を行う際における、電流ドライバ33からの電流の出力タイミングと切換部34での切り換えタイミングとを示す図である。図6に示すように、可動モードから停止モードに変更する場合、位置補償器32からの指令値に基づいた電流ドライバ33aからの電流出力を中止し、その状態において、電流の供給先であるA相コイルを切換部34aでA1からA3に切り換える。そして、切換部34aでのA相コイルの切り換え後に、温度補償器36からの指令値に基づいた電流ドライバ33aからの電流出力を開始する。停止モードから可動モードに変更する場合においても同様である。このような制御を行うことにより、モードの変更時に、コイル21aに過電流が加わったり、逆起電力が発生したりすることを防止することができる。
<第3実施形態>
本発明に係る第3実施形態について説明する。第3実施形態は、基本的に第1実施形態を引き継ぐものであるため、以下では第1実施形態と異なる箇所について説明する。図7は、第3実施形態のステージ装置の構成例を示す図である。第3実施形態のステージ装置は、図5に示す第1実施形態のステージ装置と比べ、固定子21の構成、および切換部34a、34bの構成が異なる。本実施形態の固定子21は、複数のA相コイルA1~A5と複数のB相コイルB1~B5とを含み、切換部34a、34bは、A相コイルおよびB相コイルの数に対応するようにそれぞれ構成されている。なお、図7では、図を分かりやすくするため、計測部16、減算器31、位置補償器32、および温度補償器36の図示を省略している。
図7に示すように、固定子21が空間的に拡がり配置されている場合、1つのコイル21aに発熱させるのではなく、複数のコイル21aで分散して発熱させる方が、空間的な熱分布の均一性の観点から好ましい。そのため、本実施形態では、停止モードの場合、選択部35は、電流ドライバ33aからの電流の供給先として、複数のA相コイルA1~A5のうち、可動子22に推力を与えない位置に配置されたA相コイルA3~A5を選択する。このように、可動子22に推力を与えない位置に配置された複数のA相コイルA3~A5が存在する場合、選択部35は、電流ドライバ33aからの電流を供給するA相コイルが経時的(所定時間ごとに)切り換わるように切換部34aを制御する。このとき、電流ドライバ33aからは、温度補償器36で決定された指令値に基づいて、A相コイルに供給すべき電流が出力される。
<第4実施形態>
本発明に係る第4実施形態について説明する。第4実施形態は、基本的に第1実施形態を引き継ぐものである。本実施形態では、停止モードでリニアモータ20を稼働させる所定位置の設定について、図8を参照しながら説明する。
図8は、所定位置の設定例を示す図である。例えば、図8に示すように、基板搬送機構18(ロボット)によって基板Wの搬送を行うときの基板ステージ14の位置は、A相コイルの電流値とB相コイルの電流値との比か略100対0又は略0対100となる複数の位置候補41の中から選択されうる。図8に示す例では、複数の位置候補41のうち、基板搬送機構18によって基板ステージ14上に基板Wを搬送するのに適した位置、例えば、基板搬送機構18による基板Wの搬送時間が最も短縮される位置42に所定位置が設定されうる。
<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板上にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
14:基板ステージ、16:計測部、20:リニアモータ、21:固定子、21a:コイル、22:可動子、30:制御部、31:減算器、32:位置補償器、33:電流ドライバ、34:切換部、35:選択部、36:温度補償器

Claims (12)

  1. ステージを駆動するステージ装置であって、
    第1相コイルと第2相コイルとが交互に配列された複数のコイルを含む固定子と、前記ステージに設けられた可動子とを有するリニアモータと、
    前記複数のコイルのうち一対の第1相コイルおよび第2相コイルに選択的に通電することにより、前記リニアモータを制御する制御部と、
    を含み、
    前記制御部は、前記ステージを所定位置に停止させている停止期間において、第1相コイルに通電することによって前記ステージの位置を前記所定位置に保持するとともに、前記可動子に推力を与えない位置に配置された第2相コイルに通電して発熱させる、ことを特徴とするステージ装置。
  2. 前記所定位置は、第2相コイルを用いずに、第1相コイルのみによって前記ステージの位置を保持することができる位置である、ことを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。
  3. 前記所定位置は、前記複数のコイルのうち、1つの第1相コイルのみによって前記ステージの位置を保持することができる位置である、ことを特徴とする請求項2に記載のステージ装置。
  4. 前記所定位置は、前記ステージ上に物品の搬送を行う位置、および前記ステージ上から物品の回収を行う位置のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。
  5. 前記制御部は、前記停止期間において、前記複数のコイルのうち前記可動子から最も離れた第2相コイルを、通電する第2相コイルとして決定する、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のステージ装置。
  6. 前記制御部は、前記停止期間において、前記可動子に推力を与えない位置に配置された複数の第2相コイルが存在する場合、通電する第2相コイルを経時的に切り換える、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のステージ装置。
  7. 前記制御部は、前記停止期間において第2相コイルに供給する電流値を、前記ステージを移動させている可動期間における前記固定子の発熱に近づくように決定する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のステージ装置。
  8. 前記制御部は、前記リニアモータの制御モードとして、第1モードと第2モードとを含み、
    前記第1モードは、前記第1相コイルに通電することによって前記ステージの位置を保持するとともに、前記可動子に推力を与えない位置に配置された第2相コイルに通電して発熱させるモードであり、
    前記第2モードは、前記複数のコイルのうち、前記可動子に推力を与えるために通電する一対の第1相コイルおよび第2相コイルを切り換えることにより前記ステージの位置を制御するモードである、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のステージ装置。
  9. 前記制御部は、第2相コイルへの通電を中止した状態で、前記第1モードと前記第2モードとの変更を行う、ことを特徴とする請求項8に記載のステージ装置。
  10. 第1相コイルに供給される電流と、第2相コイルに供給される電流とは、位相角が互いに90度異なる、ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載のステージ装置。
  11. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
    ステージを駆動する請求項1乃至10のいずれか1項に記載のステージ装置を含み、
    前記基板は、前記ステージによって保持されている、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
  12. 請求項11に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
    前記形成工程でパターンを形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
    前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110613596A (zh) * 2019-10-23 2019-12-27 深圳市慧康精密仪器有限公司 一种电磁腔冲击波源发生器
CN110613598A (zh) * 2019-10-24 2019-12-27 深圳市慧康精密仪器有限公司 一种电磁腔式气压散热冲击波源发生器
JP7465727B2 (ja) * 2020-06-10 2024-04-11 株式会社日立ハイテク 検体搬送装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016018623A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、ステージ制御方法、およびステージシステム
JP2016099736A (ja) 2014-11-19 2016-05-30 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および制御方法
JP2018041528A (ja) 2014-12-10 2018-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS501559B1 (ja) 1969-07-19 1975-01-18
JP3501559B2 (ja) * 1995-06-27 2004-03-02 キヤノン株式会社 リニア・モータ装置
US5998889A (en) * 1996-12-10 1999-12-07 Nikon Corporation Electro-magnetic motor cooling system
US6590355B1 (en) 1999-06-07 2003-07-08 Nikon Corporation Linear motor device, stage device, and exposure apparatus
JP2001119916A (ja) * 1999-10-12 2001-04-27 Nikon Corp リニアモータ装置、これを用いたステージ装置、露光装置、リニアモータの駆動方法、ステージ装置の駆動方法、露光方法、及び、デバイスの製造方法。
JP2001119918A (ja) 1999-10-13 2001-04-27 Nikon Corp リニアモータ及びこれを用いたステージ装置並びに露光装置
JP2002199782A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Nikon Corp リニアモータ装置、これを用いたステージ装置、露光装置、これを用いて製造されたデバイス、リニアモータの駆動方法、ステージ装置の駆動方法、露光方法、及び、デバイスの製造方法。
JP2004111684A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
JP3907566B2 (ja) * 2002-09-27 2007-04-18 キヤノン株式会社 位置決め装置における測定手段を初期化する方法
JP4617119B2 (ja) * 2004-08-30 2011-01-19 キヤノン株式会社 駆動装置、露光装置及びデバイス製造方法
JP2006287014A (ja) 2005-04-01 2006-10-19 Canon Inc 位置決め装置およびリニアモータ
US8324848B2 (en) * 2009-02-05 2012-12-04 Asm Assembly Automation Ltd System for maintaining thermal stability of a motion stage
JP2015082559A (ja) * 2013-10-22 2015-04-27 キヤノン株式会社 ステージ装置および露光装置
US10261419B2 (en) 2014-05-22 2019-04-16 Nikon Corporation Magnet array for moving magnet planar motor
US10158313B2 (en) 2015-10-15 2018-12-18 Nikon Corporation Current controller for cryogenically cooled motor
JP2017156465A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 キヤノン株式会社 駆動装置、リソグラフィ装置、冷却方法、および物品の製造方法
US10384913B2 (en) 2016-06-13 2019-08-20 Otis Elevatro Company Thermal management of linear motor

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016018623A (ja) 2014-07-07 2016-02-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、ステージ制御方法、およびステージシステム
JP2016099736A (ja) 2014-11-19 2016-05-30 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および制御方法
JP2018041528A (ja) 2014-12-10 2018-03-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ ステージ装置およびそれを用いた荷電粒子線装置

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