JP7008291B1

JP7008291B1 - マスクの洗浄方法、洗浄液、洗浄装置、及び有機デバイスの製造方法

Info

Publication number: JP7008291B1
Application number: JP2021163062A
Authority: JP
Inventors: 圭治徳永; 友祐中村; 勝也小幡
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2020-10-14
Filing date: 2021-10-01
Publication date: 2022-01-25
Anticipated expiration: 2041-10-01
Also published as: TW202231373A; KR20220049464A; CN114345825A; JP2022064889A; CN114345825B; JP2022064858A

Abstract

【課題】電極を形成する方法に使用したマスクを再利用するために、導電性材料が付着したマスクを洗浄する方法を提供する【解決手段】マスク５０を洗浄する洗浄方法であって、マスクに洗浄液７０を接触させることによってマスク５０を洗浄する洗浄工程を備える。洗浄液７０は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む。洗浄液７０の温度は、２５℃未満である。【選択図】図９

Description

本開示の実施形態は、マスクの洗浄方法、洗浄液、洗浄装置、及び有機デバイスの製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の電子デバイスにおいて、高精細な表示装置が、市場から求められている。表示装置は、例えば、４００ｐｐｉ以上または８００ｐｐｉ以上等の素子密度を有する。

応答性の良さと、または／およびコントラストの高さと、を有するため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の素子を形成する方法として、素子を構成する材料を蒸着により基板に付着させる方法が知られている。例えば、まず、素子に対応するパターンで陽極が形成されている基板を準備する。続いて、マスクの貫通孔を介して有機材料を陽極の上に付着させ、陽極の上に有機層を形成する。続いて、有機層の上に陰極を形成する。マスクに付着した有機材料は、洗浄装置によって除去される。洗浄されたマスクは再利用される。

特開２００６－１００２６３号公報

陰極などの電極を形成する方法として、マスクの貫通孔を介して導電性材料を有機層に付着させる方法が考えられる。マスクを再利用するためには、導電性材料が付着したマスクを洗浄する方法の確立が求められる。

本開示の一実施形態による、マスクを洗浄する洗浄方法は、
前記マスクに洗浄液を接触させることによって前記マスクを洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄液は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含み、
前記洗浄液の温度は、２５℃未満である。

本開示の一実施形態によれば、導電性材料が付着したマスクを洗浄できる。

本開示の一実施形態による有機デバイスの一例を示す断面図である。マスク装置を備えた蒸着装置の一例を示す図である。マスク装置の一例を示す平面図である。マスクの一例を示す平面図である。マスクの一例を示す平面図である。マスクの断面構造の一例を示す図である。金属材料が付着したマスクの一例を示す断面図である。洗浄工程においてマスクに生じる欠陥の一例を示す断面図である。洗浄装置の一例を示す図である。マスクの一例を示す平面図である。例１～例２６の洗浄方法の評価結果を示す図である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「基板」や「基材」や「板」や「シート」や「フィルム」などのある構成の基礎となる物質を意味する用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待してもよい程度の範囲を含めて解釈する。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、ある部材又はある領域等のある構成が、他の部材又は他の領域等の他の構成の「上に」や「下に」、「上側に」や「下側に」、又は「上方に」や「下方に」とする場合、ある構成が他の構成に直接的に接している場合を含む。さらに、ある構成と他の構成との間に別の構成が含まれている場合、つまり間接的に接している場合も含む。また、特別な説明が無い限りは、「上」や「上側」や「上方」、又は、「下」や「下側」や「下方」という語句は、上下方向が逆転してもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられてもよい。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられてもよい。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

本明細書および本図面において、特別な説明が無い限りは、「～」という記号によって表現される数値範囲は、「～」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４～３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上且つ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

本明細書の一実施形態においては、マスクが、有機ＥＬ表示装置を製造する際に電極を基板上に形成するために用いられる例について説明する。ただし、マスクの用途が特に限定されることはなく、種々の用途に用いられるマスクに対し、本実施形態を適用することができる。例えば、仮想現実いわゆるＶＲや拡張現実いわゆるＡＲを表現するための画像や映像を表示又は投影するための装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、液晶表示装置の電極などの、有機ＥＬ表示装置以外の表示装置の電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。また、圧力センサの電極などの、表示装置以外の有機デバイスの電極を形成するために、本実施形態のマスクを用いてもよい。

本開示の第１の態様は、マスクを洗浄する洗浄方法であって、
前記マスクに洗浄液を接触させることによって前記マスクを洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄液は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含み、
前記洗浄液の温度は、２５℃未満である、洗浄方法である。

本開示の第２の態様は、上述した第１の態様による洗浄方法において、
前記洗浄工程は、洗浄槽に収容されている前記洗浄液に前記マスクを浸すディップ工程を備えていてもよい。

本開示の第３の態様は、上述した第２の態様による洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記洗浄液に超音波を付与する超音波工程を備えてもよい。

本開示の第４の態様は、上述した第３の態様による洗浄方法において、
前記超音波の周波数は、１００ｋＨｚ以上であってもよい。

本開示の第５の態様は、上述した第４の態様による洗浄方法において、
前記超音波の周波数は、１ＭＨｚ以下であってもよい。

本開示の第６の態様は、上述した第１の態様から上述した第５の態様のそれぞれによる洗浄方法において、
前記洗浄液における前記ヨウ素の濃度は、２０ｇ／Ｌ以下であってもよい。

本開示の第７の態様は、上述した第１の態様から上述した第６の態様のそれぞれによる洗浄方法において、
前記洗浄液のｐＨは、５．００以下であってもよい。

本開示の第８の態様は、上述した第１の態様から上述した第７の態様のそれぞれによる洗浄方法において、
前記マスクは、ニッケルを含む鉄合金を含んでいてもよい。

本開示の第９の態様は、上述した第１の態様から上述した第８の態様のそれぞれによる洗浄方法において、
前記マスクの厚みは、１００μｍ以下であってもよい。

本開示の第１０の態様は、上述した第１の態様から上述した第９の態様のそれぞれによる洗浄方法において、
前記洗浄工程は、前記マスクに付着している金属材料を除去してもよい。

本開示の第１１の態様は、上述した第１０の態様による洗浄方法において、
前記金属材料は、マグネシウム銀を含んでいてもよい。

本開示の第１２の態様は、マスクを洗浄するために用いられる洗浄液であって、
ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む、洗浄液である。

本開示の第１３の態様は、マスクを洗浄する洗浄装置であって、
洗浄液を収容する少なくとも１つの洗浄槽を備え、
前記洗浄液は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む、洗浄装置である。

本開示の第１４の態様は、上述した第１３の態様による洗浄装置において、
前記少なくとも１つの洗浄槽は、前記洗浄液を収容する第１の洗浄槽と、前記洗浄液を収容する第２の洗浄槽と、を含み、
前記洗浄装置は、前記第１の洗浄槽から前記第２の洗浄槽へ前記マスクを搬送する搬送機構を備えていてもよい。

本開示の第１５の態様は、有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、２以上のマスクを順に用いて蒸着法によって第２電極を形成する第２電極形成工程と、
第１２の態様に記載の洗浄液を前記マスクに接触させることによって前記マスクを洗浄する洗浄工程と、備える、製造方法である。

本開示の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態のみに限定して解釈されるものではない。

まず、マスクを用いることにより形成される電極を備える有機デバイス１００について説明する。図１は、有機デバイス１００の一例を示す断面図である。

有機デバイス１００は、基板１１０と、基板１１０の面内方向に沿って並ぶ複数の素子１１５と、を含む。素子１１５は、例えば画素である。基板１１０は、２以上の種類の素子１１５を含んでいてもよい。例えば、基板１１０は、第１素子１１５Ａ及び第２素子１１５Ｂを含んでいてもよい。図示はしないが、基板１１０は、第３素子を含んでいてもよい。第１素子１１５Ａ、第２素子１１５Ｂ及び第３素子は、例えば、赤色画素、青色画素及び緑色画素である。

素子１１５は、第１電極１２０と、第１電極１２０上に位置する有機層１３０と、有機層１３０上に位置する第２電極１４０と、を有していてもよい。

有機デバイス１００は、平面視において隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０を備えていてもよい。絶縁層１６０は、例えばポリイミドを含んでいる。絶縁層１６０は、第１電極１２０の端部に重なっていてもよい。

有機デバイス１００は、アクティブ・マトリクス型であってもよい。例えば、図示はしないが、有機デバイス１００は、複数の素子１１５のそれぞれに電気的に接続されているスイッチを備えていてもよい。スイッチは、例えばトランジスタである。スイッチは、対応する素子１１５に対する電圧又は電流のＯＮ／ＯＦＦを制御することができる。

基板１１０は、絶縁性を有する板状の部材であってもよい。基板１１０は、好ましくは、光を透過させる透明性を有する。基板１１０の材料としては、例えば、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のないリジッド材、あるいは、樹脂フィルム、光学用樹脂板、薄ガラス等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができる。また、基材は、樹脂フィルムの片面または両面にバリア層を有する積層体であってもよい。

素子１１５は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧が印加されることにより、又は、第１電極１２０と第２電極１４０との間に電流が流れることにより、何らかの機能を実現するよう構成されている。例えば、素子１１５が、有機ＥＬ表示装置の画素である場合、素子１１５は、映像を構成する光を放出することができる。

第１電極１２０は、導電性を有する材料を含む。例えば、第１電極１２０は、金属、導電性を有する金属酸化物や、その他の導電性を有する無機材料などを含む。第１電極１２０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの、透明性及び導電性を有する金属酸化物を含んでいてもよい。

有機層１３０は、有機材料を含む。有機層１３０に通電されると、有機層１３０は、何らかの機能を発揮することができる。通電とは、有機層１３０に電圧が印加されること、又は有機層１３０に電流が流れることを意味する。有機層１３０としては、通電により光を放出する発光層、通電により光の透過率や屈折率が変化する層などを用いることができる。有機層１３０は、有機半導体材料を含んでいてもよい。

図１に示すように、有機層１３０は、第１有機層１３０Ａ及び第２有機層１３０Ｂを含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａは、第１素子１１５Ａに含まれる。第２有機層１３０Ｂは、第２素子１１５Ｂに含まれる。図示はしないが、有機層１３０は、第３素子に含まれる第３有機層を含んでいてもよい。第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂ及び第３有機層は、例えば、赤色発光層、青色発光層及び緑色発光層である。

第１電極１２０と第２電極１４０との間に電圧を印加すると、両者の間に位置する有機層１３０が駆動される。有機層１３０が発光層である場合、有機層１３０から光が放出され、光が第２電極１４０側又は第１電極１２０側から外部へ取り出される。

有機層１３０は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを更に含んでいてもよい。

第２電極１４０は、金属などの、導電性を有する材料を含む。第２電極１４０は、マスクを用いる蒸着法によって有機層１３０の上に形成される。第２電極１４０を構成する材料としては、白金、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、アルミニウム、インジウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウム、クロム、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、炭素等を用いることができる。これらの材料は、単独で用いても、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。２種類以上を用いる場合には、各材料からなる層を積層してもよい。また、２種類以上の材料を含む合金を用いてもよい。例えば、ＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金を用いることができる。ＭｇＡｇのことを、マグネシウム銀とも称する。マグネシウム銀は、第２電極１４０の材料として好ましく用いられる。アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金等を用いてもよい。例えば、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等を用いてもよい。

マグネシウム銀における銀の重量比率は、例えば、５％以上でもよく、５０％以上でもよく、９０％以上でもよい。銀の重量比率は、例えば、９５％以下でもよく、９７％以下でもよく、９９％以下でもよい。銀の重量比率の範囲は、５％、５０％及び９０％からなる第１グループ、及び／又は、９５％、９７％及び９９％からなる第２グループによって定められてもよい。銀の重量比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。銀の重量比率の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。銀の重量比率の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５％以上９９％以下でもよく、５％以上９７％以下でもよく、５％以上９５％以下でもよく、５％以上９０％以下でもよく、５％以上５０％以下でもよく、５０％以上９９％以下でもよく、５０％以上９７％以下でもよく、５０％以上９５％以下でもよく、５０％以上９０％以下でもよく、９０％以上９９％以下でもよく、９０％以上９７％以下でもよく、９０％以上９５％以下でもよく、９５％以上９９％以下でもよく、９５％以上９７％以下でもよく、９７％以上９９％以下でもよい。

図１に示すように、第２電極１４０は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含んでいてもよい。第１層１４０Ａは、第１のマスクを用いる蒸着工程によって形成される層である。第２層１４０Ｂは、第２のマスクを用いる蒸着工程によって形成される層である。このように、本実施の形態においては、２以上のマスクを用いて第２電極１４０を形成してもよい。これにより、平面視における第２電極１４０のパターンの自由度が高くなる。例えば、有機デバイス１００は、平面視において第２電極１４０が存在しない領域を含むことができる。第２電極１４０が存在しない領域は、第２電極１４０が存在する領域に比べて高い透過率を有することができる。

図１に示すように、第１層１４０Ａの端部と第２層１４０Ｂの端部とが部分的に重なっていてもよい。これにより、第１層１４０Ａと第２層１４０Ｂとを電気的に接続できる。

図示はしないが、第２電極１４０は、第３層などのその他の層を含んでいてもよい。第３層などのその他の層は、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂに電気的に接続されていてもよい。

以下の説明において、第２電極１４０の構成のうち、第１層１４０Ａ、第２層１４０Ｂ、第３層などに共通する構成を説明する場合には、「第２電極１４０」という用語及び符号を用いる。

第２電極１４０の厚みは、例えば、５ｎｍ以上でもよく、２０ｎｍ以上でもよく、５０ｎｍ以上でもよく、１００ｎｍ以上でもよい。第１層１４０Ａの厚みは、例えば、２００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以下でもよく、１μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、５ｎｍ、２０ｎｍ、５０ｎｍ及び１００ｎｍからなる第１グループ、及び／又は、２００ｎｍ、５００ｎｍ、１μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。第２電極１４０の厚みの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１００μｍ以下でもよく、５００ｎｍ以上１μｍ以下でもよく、１μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

次に、第２電極１４０を蒸着法によって形成する方法について説明する。図２は、蒸着装置１０を示す図である。蒸着装置１０は、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する。

図２に示すように、蒸着装置１０は、その内部に、蒸着源６、ヒータ８、及びマスク装置４０を備えていてもよい。また、蒸着装置１０は、蒸着装置１０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。蒸着源６は、例えばるつぼであり、金属材料などの蒸着材料７を収容する。ヒータ８は、蒸着源６を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料７を蒸発させる。マスク装置４０は、るつぼ６と対向するよう配置されている。

図２に示すように、マスク装置４０は、少なくとも１つのマスク５０と、マスク５０を支持するフレーム４１と、を備えていてもよい。フレーム４１は、開口４２を含んでいてもよい。マスク５０は、平面視において開口４２を横切るようにフレーム４１に固定されていてもよい。また、フレーム４１は、マスク５０が撓むことを抑制するように、マスク５０をその面方向に引っ張った状態で支持していてもよい。

マスク装置４０は、図２に示すように、蒸着材料７を付着させる対象物である基板１１０にマスク５０が対面するよう、蒸着装置１０内に配置されている。マスク５０は、蒸着源６から飛来した蒸着材料７を通過させる複数の貫通孔５３を含む。以下の説明において、マスク５０の面のうち、基板１１０の側に位置する面を第１面５１ａと称し、第１面５１ａの反対側に位置する面を第２面５１ｂと称する。

蒸着装置１０は、図２に示すように、基板１１０の第２面１１２側に配置されている冷却板４を備えていてもよい。冷却板４は、冷却板４の内部に冷媒を循環させるための流路を有していてもよい。冷却板４は、蒸着工程の際に基板１１０の温度が上昇することを抑制することができる。

蒸着装置１０は、図２に示すように、基板１１０の第２面１１２側に配置されている磁石５を備えていてもよい。磁石５は、冷却板４の面のうちマスク装置４０とは反対の側の面に配置されていてもよい。磁石５は、磁力によってマスク装置４０のマスク５０を基板１１０側に引き寄せることができる。これにより、マスク５０と基板１１０との間の隙間を低減したり、隙間をなくしたりすることができる。このことにより、蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制することができる。本願において、シャドーとは、マスク５０と基板１１０との間の隙間に蒸着材料７が入り込み、これによって第２電極１４０の厚みが不均一になる現象のことである。

図３は、マスク装置４０の一例を示す平面図である。マスク５０の形状は、長さ方向及び長さ方向に直交する幅方向を有する矩形であってもよい。長さ方向におけるマスク５０の寸法は、幅方向におけるマスク５０の寸法よりも小さい。以下の説明において、長さ方向をマスク第１方向とも称し、幅方向をマスク第２方向とも称する。マスク５０は、第１端５０１、第２端５０２、第３端５０３及び第４端５０４を含んでもよい。第１端５０１及び第２端５０２は、マスク第１方向Ｄ１におけるマスク５０の端である。第１端５０１及び第２端５０２は、マスク第２方向Ｄ２に延びる部分を含んでいてもよい。第３端５０３及び第４端５０４は、マスク第２方向Ｄ２におけるマスク５０の端である。第３端５０３及び第４端５０４は、マスク第１方向Ｄ１に延びる部分を含んでもよい。

マスク装置４０は、マスク第２方向Ｄ２に並ぶ複数のマスク５０を備えていてもよい。マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１の両端部において、例えば溶接によってフレーム４１に固定されていてもよい。マスク５０の両端部は、マスク第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力が加えられた状態で、フレーム４１に固定されてもよい。マスク５０がフレーム４１に固定された後、フレーム４１は、マスク第１方向Ｄ１においてマスク５０に張力を加えてもよい。

図３において、符号Ｌは、マスク第１方向Ｄ１におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の長さを表す。長さＬは、例えば、１５０ｍｍ以上でもよく、３００ｍｍ以上でもよく、６００ｍｍ以上でもよい。長さＬは、例えば、１０００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以下でもよく、２５００ｍｍ以下でもよい。長さＬの範囲は、１５０ｍｍ、３００ｍｍ及び６００ｍｍからなる第１グループ、及び／又は、１０００ｍｍ、１７００ｍｍ及び２５００ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。長さＬの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。長さＬの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。長さＬの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１５０ｍｍ以上２５００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、１５０ｍｍ以上３００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、３００ｍｍ以上６００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、６００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下でもよく、１０００ｍｍ以上１７００ｍｍ以下でもよく、１７００ｍｍ以上２５００ｍｍ以下でもよい。

図３において、符号Ｗは、マスク第２方向Ｄ２におけるマスク５０の寸法を、すなわちマスク５０の幅を表す。幅Ｗは、長さＬよりも小さい。幅Ｗに対する長さＬの比率であるＬ／Ｗは、例えば、２以上でもよく、５以上でもよく、１０以上でもよい。Ｌ／Ｗは、例えば、２０以下でもよく、５０以下でもよく、１００以下でもよい。Ｌ／Ｗの範囲は、２、５及び１０からなる第１グループ、及び／又は、２０、５０及び１００からなる第２グループによって定められてもよい。Ｌ／Ｗの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。Ｌ／Ｗの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。Ｌ／Ｗの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、２以上１００以下でもよく、２以上５０以下でもよく、２以上２０以下でもよく、２以上１０以下でもよく、２以上５以下でもよく、５以上１００以下でもよく、５以上５０以下でもよく、５以上２０以下でもよく、５以上１０以下でもよく、１０以上１００以下でもよく、１０以上５０以下でもよく、１０以上２０以下でもよく、２０以上１００以下でもよく、２０以上５０以下でもよく、５０以上１００以下でもよい。

後述するように洗浄液に超音波を付与しながらマスク５０を洗浄する場合、マスク５０に固有振動の波が生じることがある。長さＬが幅Ｗよりも大きいので、固有振動の波は、長さＬの方向に、すなわちマスク第１方向Ｄ１に生じやすい。固有振動の波の方向が特定されやすいので、キャビテーションによるマスク５０へのダメージと固有振動とが相関を有する場合に、対策を施しやすい。

フレーム４１は、矩形の輪郭を有していてもよい。例えば、フレーム４１は、マスク第１方向Ｄ１に延びる一対の第１辺領域４１１と、マスク第２方向Ｄ２に延びる一対の第２辺領域４１２と、を含んでもよい。マスク第１方向Ｄ１におけるマスク５０の端部が第２辺領域４１２に固定されていてもよい。第２辺領域４１２は、第１辺領域４１１よりも長くてもよい。フレーム４１の開口４２は、一対の第１辺領域４１１及び一対の第２辺領域４１２によって囲まれていてもよい。

図４は、マスク５０の一例を示す平面図である。図３及び図４に示すように、マスク５０は、第１端部５０ａ、第２端部５０ｂ、セル５４及び周囲領域５５を含んでもよい。セル５４は、マスク５０の面方向に沿って規則的に配置された一群の貫通孔５３を含む。マスク５０を用いて有機ＥＬ表示装置などの表示装置を作製する場合、１つのセル５４は、１つの有機ＥＬ表示装置の表示領域に対応する。周囲領域５５は、セル５４を囲む領域である。第１端部５０ａは、第１端５０１からセル５４まで広がる領域である。第２端部５０ｂは、第２端５０２からセル５４まで広がる領域である。第１端部５０ａ及び第２端部５０ｂは、第２辺領域４１２に固定されている。

図３及び図４に示すように、マスク５０は、マスク第１方向Ｄ１に並ぶ２以上のセル５４を含んでもよい。この場合、第１端部５０ａは、最も第１端５０１に近接するセル５４と第１端５０１との間の領域であり、第２端部５０ｂは、最も第２端５０２に近接するセル５４と第２端５０２との間の領域である。

次に、マスク５０の貫通孔５３について詳細に説明する。図５は、上述の第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する際に用いられる第１のマスク５０の一例を示す平面図である。図６は、図５の線IV-IVに沿った第１のマスク５０の断面図である。以下の説明において、第１のマスク５０のことを単にマスク５０とも称する。マスク５０は、マスク５０の面方向に並ぶ複数の貫通孔５３を含んでもよい。貫通孔５３は、第１面５１ａから第２面５１ｂへ金属板５１を貫通している。複数の貫通孔５３は、異なる２方向に沿って並んでいてもよい。

貫通孔５３は、金属板５１の第１面５１ａ側に位置する第１凹部５３１と、第２面５１ｂ側に位置し、第１凹部５３１に接続されている第２凹部５３２と、を含んでもよい。平面視において、第２凹部５３２の寸法ｒ２は、第１凹部５３１の寸法ｒ１よりも大きくてもよい。第１凹部５３１は、金属板５１を第１面５１ａ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。第２凹部５３２は、金属板５１を第２面５１ｂ側からエッチングなどで加工することによって形成されてもよい。

第１凹部５３１と第２凹部５３２とは、周状の接続部５３３において接続されている。接続部５３３は、マスク５０の平面視において貫通孔５３の開口面積が最小になる貫通部５３４を画成していてもよい。

貫通孔５３が並ぶ方向における貫通部５３４の寸法ｒは、例えば、１０μｍ以上でもよく、５０μｍ以上でもよく、１００μｍ以上でもよい。貫通部５３４の寸法ｒは、例えば、５００μｍ以下でもよく、１ｍｍ以下でもよく、５ｍｍ以下でもよい。貫通部５３４の寸法ｒの範囲は、１０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第１グループ、及び／又は、５００μｍ、１ｍｍ及び５ｍｍからなる第２グループによって定められてもよい。貫通部５３４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５３４の寸法ｒの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。貫通部５３４の寸法ｒの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０μｍ以上５ｍｍ以下でもよく、１０μｍ以上１ｍｍ以下でもよく、１０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５０μｍ以上１ｍｍ以下でもよく、５０μｍ以上５００μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１００μｍ以上５ｍｍ以下でもよく、１００μｍ以上１ｍｍ以下でもよく、１００μｍ以上５００μｍ以下でもよく、５００μｍ以上５ｍｍ以下でもよく、５００μｍ以上１ｍｍ以下でもよく、１ｍｍ以上５ｍｍ以下でもよい。

貫通部５３４の寸法ｒは、貫通孔５３を透過する光によって画定される。例えば、マスク５０の法線方向に沿って平行光をマスク５０の第１面５１ａ又は第２面５１ｂの一方に入射させ、貫通孔５３を透過させて第１面５１ａ又は第２面５１ｂの他方から出射させる。そして、出射した光がマスク５０の面方向において占める領域の寸法を、貫通部５３４の寸法ｒとして採用する。

マスク５０の厚みＴは、例えば、５μｍ以上でもよく、１０μｍ以上でもよく、１５μｍ以上でもよく、２０μｍ以上でもよい。マスク５０の厚みＴは、例えば、２５μｍ以下でもよく、３０μｍ以下でもよく、５０μｍ以下でもよく、１００μｍ以下でもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ及び２０μｍからなる第１グループ、及び／又は、２５μｍ、３０μｍ、５０μｍ及び１００μｍからなる第２グループによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。マスク５０の厚みＴの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、５μｍ以上１５μｍ以下でもよく、５μｍ以上１０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下でもよく、１０μｍ以上１５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、１５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２５μｍ以下でもよく、１５μｍ以上２０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上３０μｍ以下でもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下でもよく、２５μｍ以上１００μｍ以下でもよく、２５μｍ以上５０μｍ以下でもよく、２５μｍ以上３０μｍ以下でもよく、３０μｍ以上１００μｍ以下でもよく、３０μｍ以上５０μｍ以下でもよく、５０μｍ以上１００μｍ以下でもよい。

マスク５０の厚みＴを測定する方法としては、接触式の測定方法を採用することができる。接触式の測定方法としては、ボールブッシュガイド式のプランジャーを備える、ハイデンハイン社製の長さゲージHEIDENHAIN-METROの「MT1271」を用いることができる。

なお、マスク５０の貫通孔５３の断面形状は、図６に示す形状には限られない。また、マスク５０の貫通孔５３の形成方法は、エッチングに限られることはなく、様々な方法を採用可能である。例えば、貫通孔５３が生じるようにめっきを行うことによってマスク５０を形成してもよい。

マスク５０を構成する材料としては、例えば、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、マスク５０の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、４０質量％以上且つ４３質量％以下のニッケルを含む４２アロイ、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを用いることができる。このような鉄合金を用いることにより、マスク５０の熱膨張係数を低くすることができる。例えば、基板１１０としてガラス基板が用いられる場合に、マスク５０の熱膨張係数を、ガラス基板と同等の低い値にすることができる。これにより、蒸着工程の際、基板１１０に形成される蒸着層の寸法精度や位置精度がマスク５０と基板１１０との間の熱膨張係数の差に起因して低下することを抑制することができる。

有機デバイス１００の製造方法においては、第１のマスク５０に加えて、第２のマスクが用いられてもよい。第２のマスクは、例えば、上述の第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する際に用いられる。第２のマスクは、第１のマスク５０と同様に、第２のマスクの面方向に並ぶ複数の貫通孔を含んでいてもよい。第２のマスクの貫通孔は、第２層１４０Ｂが第１層１４０Ａに部分的に重なるように構成されている。

次に、本実施の形態が解決しようとする課題を説明する。

マスク５０を用いた蒸着用によって基板１１０上に層を形成する工程においては、蒸着材料がマスク５０に付着して堆積する。堆積量が多くなると、蒸着工程の間に堆積物がマスク５０から剥がれることが考えられる。また、堆積量が多くなると、堆積物に起因する貫通孔の形状の変化が無視できなくなると考えられる。従って、複数回の蒸着工程においてマスク５０を繰り返し利用する場合、マスク５０を洗浄して堆積物を除去することが好ましい。

従来、マスクを用いた蒸着方法は、有機層１３０を形成するために用いられてきた。有機層１３０は、マスクの貫通孔を介して有機材料を第１電極１２０上に付着させることによって形成される。有機材料が付着したマスクを洗浄する洗浄液として、有機溶剤が用いられている。

マスク５０を用いた蒸着方法によって第２電極１４０を形成する場合、導電性材料が付着したマスク５０を洗浄する方法の確立が求められる。図７は、導電性材料を含む蒸着材料７が付着したマスク５０の一例を示す図である。

導電性材料を除去するための洗浄液として、酸を用いることが考えられる。しかしながら、酸を用いる場合、マスク５０の金属板５１が溶解してしまうことが考えられる。また、環境上の問題が生じてしまうことも考えられる。

導電性材料を除去するための洗浄液として、マスク５０の金属板５１が溶解しない程度の弱酸性を示すヨウ素及びヨウ素化合物を含む水溶液を用いることが考えられる。

しかしながら、本件発明者らが研究を行ったところ、ヨウ素及びヨウ素化合物を含む水溶液を用いる場合は、マスク５０に穴などの欠陥が生じる可能性があることが判明した。図８は、洗浄工程においてマスク５０に生じる欠陥５６の一例を示す断面図である。欠陥５６が貫通孔５３の壁面に達すると、貫通部５３４の寸法ｒが変化することがある。例えば図８に示すように、欠陥５６が生じている貫通孔５３の寸法ｒが、その他の貫通孔５３の寸法ｒよりも大きくなることが考えられる。欠陥５６が生じているマスク５０を利用して第２電極１４０を形成すると、第２電極１４０の形状、寸法などの精度が低下してしまう。

本実施の形態の洗浄方法によれば、このような課題を解決できる。以下、洗浄方法について説明する。洗浄方法は、マスク５０に洗浄液を接触させることによってマスク５０を洗浄する洗浄工程を備える。図９は、洗浄方法を実施するための洗浄装置６０の一例を示す図である。

洗浄装置６０は、洗浄液７０を直接的に又は間接的に収容する洗浄槽６１を備える。マスク５０を洗浄液７０に浸すディップ工程を実施することにより、マスク５０を洗浄できる。洗浄液７０は、直接的に洗浄槽６１に収容されていてもよく、間接的に洗浄槽６１に収容されていてもよい。マスク５０は、フレーム４１に固定された状態で洗浄液７０に浸されてもよい。すなわち、ディップ工程は、フレーム４１及びマスク５０を含むマスク装置４０を洗浄液７０に浸してもよい。
「直接的」とは、洗浄液７０が洗浄槽６１の壁面に接していることを意味する。
「間接的」とは、洗浄液７０が洗浄槽６１の壁面に接していないことを意味する。間接的な収容の例は、洗浄液７０を収容している容器を洗浄槽６１の内側に配置するという形態である。この形態によれば、洗浄槽６１の壁面が洗浄液７０によって汚染されることを抑制できる。洗浄槽６１には、水などの液体が収容されていてもよい。
容器を構成する材料としては、ガラス、樹脂、金属などを用いることができる。ガラスとしては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英、琺瑯などを用いることができる。樹脂としては、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリカーボネート、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ナイロン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ＡＢＳ、ポリスチレン、塩化ビニル樹脂などを用いることができる。ＡＢＳとは、アクリロニトリル、ブタジエン、スチレンの共重合合成樹脂である。フッ素樹脂としては、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥなどを用いることができる。ＰＴＦＥとは、テトラフルオロエチレンの重合体である。ＥＴＦＥとは、テトラフルオロエチレンとエチレンの共重合体である。

洗浄液７０について説明する。洗浄液７０は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む。ヨウ化カリウムは、例えば、下記の式（１）に示す化学平衡の状態にある。ヨウ素は、例えば、下記の式（２）に示す化学平衡の状態にある。

洗浄液７０は、導電性材料を溶解することによって、導電性材料をマスク５０から除去してもよい。洗浄液７０によって導電性材料を除去する際に生じる化学反応について説明する。ここでは、導電性材料がマグネシウム及び銀を含む場合について説明する。
下記の式（３）、（４）は、マグネシウムが洗浄液７０に溶解する際に生じると考えられる化学反応の一例である。

下記の式（５）、（６）又は式（５）、（７）は、銀が洗浄液７０に溶解する際に生じると考えられる化学反応の一例である。

上述の式（１）～（７）以外の化学反応が洗浄液７０において生じていてもよい。

洗浄液７０の温度は、例えば、１０℃以上でもよく、１５℃以上でもよく、１８℃以上でもよく、２０℃以上でもよい。洗浄液７０の温度は、例えば、２５℃未満でもよく、２３℃以下でもよい。洗浄液７０の温度の範囲は、１０℃、１５℃、１８℃及び２０℃からなる第１グループ、及び／又は、２５℃及び２３℃からなる第２グループによって定められてもよい。洗浄液７０の温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。洗浄液７０の温度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。洗浄液７０の温度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１０℃以上２３℃以下でもよく、１０℃以上２５℃未満でもよく、１０℃以上２０℃以下でもよく、１０℃以上１８℃以下でもよく、１０℃以上１５℃以下でもよく、１５℃以上２３℃以下でもよく、１５℃以上２５℃未満でもよく、１５℃以上２０℃以下でもよく、１５℃以上１８℃以下でもよく、１８℃以上２３℃以下でもよく、１８℃以上２５℃未満でもよく、１８℃以上２０℃以下でもよく、２０℃以上２３℃以下でもよく、２０℃以上２５℃未満でもよく、２３℃以上２５℃未満でもよい。

温度が高いほど、導電性材料が洗浄液７０に溶解しやすくなる。温度が低いほど、洗浄工程においてマスク５０に欠陥が生じることを抑制できる。

図９に示すように、洗浄装置６０は、温度制御装置６３を備えていてもよい。温度制御装置６３は、洗浄槽６１に収容されている洗浄液７０の温度を制御する。温度制御装置６３は、洗浄液７０の温度が上述の範囲内になるよう、洗浄液７０の温度を制御できる。温度制御装置６３は、洗浄液７０の温度を上述の範囲外に制御する機能又は能力を有していてもよい。例えば、温度制御装置６３は、洗浄液７０の温度を１０℃以上３０℃以下や１５℃以上３０℃以下に制御する機能又は能力を有していてもよい。

洗浄液７０におけるヨウ素の濃度は、例えば、５ｇ／Ｌ以上でもよく、６ｇ／Ｌ以上でもよく、８ｇ／Ｌ以上でもよい。ヨウ素の濃度は、例えば、１０ｇ／Ｌ以下でもよく、１５ｇ／Ｌ以下でもよく、２０ｇ／Ｌ以下でもよい。ヨウ素の濃度の範囲は、５ｇ／Ｌ、６ｇ／Ｌ及び８ｇ／Ｌからなる第１グループ、及び／又は、１０ｇ／Ｌ、１５ｇ／Ｌ及び２０ｇ／Ｌからなる第２グループによって定められてもよい。ヨウ素の濃度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。ヨウ素の濃度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。ヨウ素の濃度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下でもよく、５ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下でもよく、５ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下でもよく、５ｇ／Ｌ以上８ｇ／Ｌ以下でもよく、５ｇ／Ｌ以上６ｇ／Ｌ以下でもよく、６ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下でもよく、６ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下でもよく、６ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下でもよく、６ｇ／Ｌ以上８ｇ／Ｌ以下でもよく、８ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下でもよく、８ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下でもよく、８ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以上１５ｇ／Ｌ以下でもよく、１５ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下でもよい。

ヨウ素の濃度は、例えば、ヨウ化カリウム又はヨウ素の固体、又は水を洗浄液７０に追加することによって調整できる。

ヨウ素の濃度は、洗浄液７０中に存在するヨウ素が全てヨウ素分子I₂の形態にあると仮定した場合の数値である。ヨウ素の濃度を測定する方法としては、酸化還元滴定を用いることができる。

洗浄液７０のｐＨは、例えば、４．００以上でもよく、４．１０以上でもよく、４．２５以上でもよい。洗浄液７０のｐＨは、例えば、４．５０以下でもよく、４．８０以下でもよく、５．００以下でもよい。洗浄液７０のｐＨの範囲は、４．００、４．１０及び４．２５からなる第１グループ、及び／又は、４．５０、４．８０及び５．００からなる第２グループによって定められてもよい。洗浄液７０のｐＨの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。洗浄液７０のｐＨの範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。洗浄液７０のｐＨの範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、４．００以上５．００以下でもよく、４．００以上４．８０以下でもよく、４．００以上４．５０以下でもよく、４．００以上４．２５以下でもよく、４．００以上４．１０以下でもよく、４．１０以上５．００以下でもよく、４．１０以上４．８０以下でもよく、４．１０以上４．５０以下でもよく、４．１０以上４．２５以下でもよく、４．２５以上５．００以下でもよく、４．２５以上４．８０以下でもよく、４．２５以上４．５０以下でもよく、４．５０以上５．００以下でもよく、４．５０以上４．８０以下でもよく、４．８０以上５．００以下でもよい。

ヨウ素のｐＨを測定する方法としては、アズワンｐＨ計ＡＳ６００を用いることができる。ｐＨ計を校正するためのｐＨ標準液としては、ｐＨ４．０１、ｐＨ６．８６、ｐＨ９．１８を用いることができる。

洗浄液７０を用いる洗浄処理の時間は、例えば、１分間以上でもよく、５分間以上でもよく、１０分間以上でもよい。洗浄工程の時間は、例えば、２０分間以下でもよく、４０分間以下でもよく、６０分間以下でもよい。洗浄工程の時間の範囲は、１分間、５分間及び１０分間からなる第１グループ、及び／又は、２０分間、４０分間及び６０分間からなる第２グループによって定められてもよい。洗浄工程の時間の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。洗浄工程の時間の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。洗浄工程の時間の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１分間以上６０分間以下でもよく、１分間以上４０分間以下でもよく、１分間以上２０分間以下でもよく、１分間以上１０分間以下でもよく、１分間以上５分間以下でもよく、５分間以上６０分間以下でもよく、５分間以上４０分間以下でもよく、５分間以上２０分間以下でもよく、５分間以上１０分間以下でもよく、１０分間以上６０分間以下でもよく、１０分間以上４０分間以下でもよく、１０分間以上２０分間以下でもよく、２０分間以上６０分間以下でもよく、２０分間以上４０分間以下でもよく、４０分間以上６０分間以下でもよい。

洗浄装置６０は、２以上の洗浄槽６１を備えていてもよい。図９に示す例において、洗浄装置６０は、第１の洗浄槽６１、第２の洗浄槽６１及び第３の洗浄槽６１を備えている。この場合、洗浄装置６０は、洗浄槽６１の間でマスク５０を搬送する搬送機構を備えていてもよい。図９に示す例において、搬送機構は、矢印Ａ１で示すように、マスク５０を第１の洗浄槽６１の洗浄液７０に浸す。続いて、処理時間が経過した後、搬送機構はマスク５０を第１の洗浄槽６１の洗浄液７０から引き上げる。続いて、搬送機構は、矢印Ｂ１で示すように、マスク５０を第１の洗浄槽６１から第２の洗浄槽６１へ搬送する。続いて、搬送機構は、矢印Ａ２で示すように、マスク５０を第２の洗浄槽６１の洗浄液７０に浸す。続いて、処理時間が経過した後、搬送機構はマスク５０を第２の洗浄槽６１の洗浄液７０から引き上げる。続いて、搬送機構は、矢印Ｂ２で示すように、マスク５０を第２の洗浄槽６１から第３の洗浄槽６１へ搬送する。続いて、搬送機構は、矢印Ａ３で示すように、マスク５０を第３の洗浄槽６１の洗浄液７０に浸す。続いて、処理時間が経過した後、搬送機構はマスク５０を第３の洗浄槽６１の洗浄液７０から引き上げる。

洗浄装置６０が２以上の洗浄槽６１を備えることにより、各洗浄槽６１における処理時間を一定に維持しながら、マスク５０が受ける洗浄処理の合計時間を調整することができる。洗浄装置６０が２以上の洗浄槽６１を備える場合、上述の洗浄処理の時間の数値範囲は、複数の洗浄槽６１においてマスク５０が受ける洗浄処理の合計時間に対して適用される。

洗浄工程は、洗浄液７０に超音波を付与する超音波工程を備えていてもよい。この場合、洗浄装置６０は、超音波制御装置６２を備えていてもよい。超音波制御装置６２は、洗浄液７０に付与する超音波の周波数、出力などを制御する。超音波制御装置６２は、例えば超音波振動子を含む。超音波振動子は、例えば圧電セラミックスを含む。
超音波振動子は、洗浄液７０に接するように洗浄槽６１の内側に配置されていてもよい。この場合、超音波振動子は、洗浄槽６１に固定されていない、いわゆる投げ込み式のものであってもよい。若しくは、超音波振動子は、洗浄槽６１に固定されていてもよい。
超音波振動子は、洗浄槽６１の壁面に固定されていてもよい。例えば、超音波振動子は、洗浄槽６１の外側において洗浄槽６１の底面に設置されていてもよい。

超音波の周波数は、例えば、５０ｋＨｚ以上でもよく、７５ｋＨｚ以上でもよく、１００ｋＨｚ以上でもよい。超音波の周波数は、例えば、２００ｋＨｚ以下でもよく、５００ｋＨｚ以下でもよく、１ＭＨｚ以下でもよい。超音波の周波数の範囲は、５０ｋＨｚ、７５ｋＨｚ及び１００ｋＨｚからなる第１グループ、及び／又は、２００ｋＨｚ、５００ｋＨｚ及び１ＭＨｚからなる第２グループによって定められてもよい。超音波の周波数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。超音波の周波数の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。超音波の周波数の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、５０ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下でもよく、５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下でもよく、５０ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下でもよく、５０ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下でもよく、５０ｋＨｚ以上７５ｋＨｚ以下でもよく、７５ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下でもよく、７５ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下でもよく、７５ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下でもよく、７５ｋＨｚ以上１００ｋＨｚ以下でもよく、１００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下でもよく、１００ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下でもよく、１００ｋＨｚ以上２００ｋＨｚ以下でもよく、２００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下でもよく、２００ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下でもよく、５００ｋＨｚ以上１ＭＨｚ以下でもよい。

超音波の出力密度は、例えば、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上でもよく、０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以上でもよい。超音波の出力密度は、例えば、０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよい。超音波の出力密度の範囲は、０．００５Ｗ／ｃｍ^２、０．０１Ｗ／ｃｍ^２及び０．０２７Ｗ／ｃｍ^２からなる第１グループ、及び／又は、０．０５４Ｗ／ｃｍ^２、０．０８１Ｗ／ｃｍ^２、０．０８５Ｗ／ｃｍ^２及び０．１Ｗ／ｃｍ^２からなる第２グループによって定められてもよい。超音波の出力密度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。超音波の出力密度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。超音波の出力密度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．００５Ｗ／ｃｍ^２以上０．０１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０１Ｗ／ｃｍ^２以上０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０２７Ｗ／ｃｍ^２以上０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０５４Ｗ／ｃｍ^２以上０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０８１Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよく、０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以上０．１Ｗ／ｃｍ^２以下でもよい。

超音波の出力密度は、超音波制御装置６２において設定される超音波の出力を、超音波振動子の面積で割ることによって算出される。

図９に示すように、洗浄装置６０は、処理液７６が収容された洗浄槽６１を備えていてもよい。処理液７６は、例えば水である。マスク５０を処理液７６に浸すことにより、マスク５０に付着している洗浄液７０を除去できる。図９に示すように、洗浄装置６０は、マスク５０を乾燥させる乾燥装置７７を備えていてもよい。

洗浄工程は、ディップ工程の前に実施される予備処理工程を備えてもよい。予備処理工程は、例えば、マスク５０に付着している蒸着材料にレーザを照射するレーザ照射工程を含んでもよい。洗浄工程は、レーザ照射工程を含まなくてもよい。レーザ照射工程が実施されない場合であっても、溶解を利用して導電性材料をマスク５０から除去することにより、マスク５０を適切に洗浄できる。

次に、有機デバイス１００を製造する方法の一例について説明する。

まず、第１電極１２０が形成されている基板１１０を準備する。第１電極１２０は、例えば、第１電極１２０を構成する導電層をスパッタリング法などによって基板１１０に形成した後、フォトリソグラフィー法などによって導電層をパターニングすることによって形成される。隣り合う２つの第１電極１２０の間に位置する絶縁層１６０が基板１１０に形成されていてもよい。

続いて、第１有機層１３０Ａ、第２有機層１３０Ｂなどを含む有機層１３０を第１電極１２０上に形成する。第１有機層１３０Ａは、例えば、第１有機層１３０Ａに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。例えば、マスクを介して第１有機層１３０Ａに対応する第１電極１２０上に有機材料などを蒸着させることにより、第１有機層１３０Ａを形成することができる。第２有機層１３０Ｂも、第２有機層１３０Ｂに対応する貫通孔を有するマスクを用いる蒸着法によって形成されてもよい。

続いて、有機層１３０上に第２電極１４０を形成する第２電極形成工程を実施する。例えば、第１のマスク５０を用いる蒸着法によって第２電極１４０の第１層１４０Ａを形成する工程を実施する。例えば、第１のマスク５０を介して金属材料などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第１層１４０Ａを形成することができる。続いて、第２のマスク５０を用いる蒸着法によって第２電極１４０の第２層１４０Ｂを形成する工程を実施してもよい。例えば、第２マスク５０を介して金属材料などの導電性材料などを有機層１３０などの上に蒸着させることにより、第２層１４０Ｂを形成することができる。このようにして、図１に示すように、第１層１４０Ａ及び第２層１４０Ｂを含む第２電極１４０を形成することができる。これによって、図１に示す有機デバイス１００を得ることができる。

続いて、上述の洗浄液７０を用いる洗浄方法によって第１のマスク５０、第２のマスク５０などのマスク５０を洗浄する洗浄工程を実施してもよい。これにより、マスク５０に付着した導電性材料を除去できる。また、洗浄の際にマスク５０に穴などの欠陥が生じることを抑制できる。このため、マスク５０を再利用できる。

上述した一実施形態を様々に変更できる。以下、必要に応じて図面を参照しながら、その他の実施形態について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した一実施形態と同様に構成され得る部分について、上述の一実施形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いる。重複する説明は省略する。また、上述した一実施形態において得られる作用効果がその他の実施形態においても得られることが明らかである場合、その説明を省略する場合もある。

図１０は、第２電極１４０を形成する際に用いられるマスク５０の一例を示す平面図である。複数の貫通孔５３は、第１の方向に沿って並んでいてもよい。各貫通孔５３は、第１の方向に直交する方向に延びていてもよい。

洗浄液は、ヨウ化カリウム、ヨウ素及び有機化合物を含んでいてもよい。有機化合物は、１つ以上のカルボキシ基を含む。有機化合物は、カルボン酸、アミノ酸、ニトロカルボン酸などの有機酸を含んでいてもよい。有機化合物は、有機酸の塩を含んでいてもよい。有機酸の塩は、イオン結合を含んでいてもよい。イオン結合は、カルボキシ基において生じていてもよい。有機酸の塩の例は、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩などである。アンモニウム塩は、「－ＣＯＯＮＨ_４」の構造を含む。ナトリウム塩は、「－ＣＯＯＮａ」の構造を含む。カリウム塩は、「－ＣＯＯＫ」の構造を含む。

有機酸が２つのカルボキシ基を含む場合、１つのカルボキシ基においてイオン結合が生じていてもよく、２つのカルボキシ基においてイオン結合が生じていてもよく、イオン結合が生じていなくてもよい。２つのカルボキシ基において生じるイオン結合は、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、有機酸の塩は、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩のうちの１種を含んでいてもよく、２種を含んでいてもよい。

有機酸が３つのカルボキシ基を含む場合、１つのカルボキシ基においてイオン結合が生じていてもよく、２つのカルボキシ基においてイオン結合が生じていてもよく、３つのカルボキシ基においてイオン結合が生じていてもよく、イオン結合が生じていなくてもよい。３つ以上のカルボキシ基において生じるイオン結合は、同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、有機酸の塩は、アンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩のうちの１種を含んでいてもよく、２種を含んでいてもよく、３種を含んでいてもよい。

洗浄液が有機化合物又は有機酸の塩を含むことにより、洗浄の際にマスク５０に穴などの欠陥が生じることを抑制できる。理由の１つとして、洗浄の際にマスク５０の表面又はその周辺に存在する有機化合物又は有機酸の塩が、保護材として機能することが考えられる。しかしながら、欠陥を抑制できることの理由は、上記の理由には限られない。

洗浄液における有機化合物又は有機酸の塩の濃度は、例えば、１．０ｇ／Ｌ以上でもよく、３．０ｇ／Ｌ以上でもよく、１０ｇ／Ｌ以上でもよい。有機化合物又は有機酸の塩の濃度は、例えば、５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、４５０ｇ／Ｌ以下でもよい。有機化合物又は有機酸の塩の濃度の範囲は、１．０ｇ／Ｌ、３．０ｇ／Ｌ及び１０ｇ／Ｌからなる第１グループ、及び／又は、５０ｇ／Ｌ、１５０ｇ／Ｌ及び４５０ｇ／Ｌからなる第２グループによって定められてもよい。有機化合物又は有機酸の塩の濃度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の１つと、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の１つとの組み合わせによって定められてもよい。有機化合物又は有機酸の塩の濃度の範囲は、上述の第１グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。有機化合物又は有機酸の塩の濃度の範囲は、上述の第２グループに含まれる値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、１．０ｇ／Ｌ以上４５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１．０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１．０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１．０ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下でもよく、１．０ｇ／Ｌ以上３．０ｇ／Ｌ以下でもよく、３．０ｇ／Ｌ以上４５０ｇ／Ｌ以下でもよく、３．０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、３．０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下でもよく、３．０ｇ／Ｌ以上１０ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以上４５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１０ｇ／Ｌ以上５０ｇ／Ｌ以下でもよく、５０ｇ／Ｌ以上４５０ｇ／Ｌ以下でもよく、５０ｇ／Ｌ以上１５０ｇ／Ｌ以下でもよく、１５０ｇ／Ｌ以上４５０ｇ／Ｌ以下でもよい。

カルボン酸、アミノ酸、ニトロカルボン酸などの有機酸の例は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、アラキドン酸、エイコサペンタエン酸、ベヘン酸、ドコサヘキサエン酸、ソルビン酸、乳酸、リンゴ酸、グリコール酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、メリト酸、ケイ皮酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、アコニット酸、ピルビン酸、オキサロ酢酸、アミノ酸、グルタミン酸、アスパラギン酸、アルギニン、リシン、ヒスチジン、グルタミン、アラニン、スレオニン、プロリン、メチオニン、グリシン、グリシルグリシン、グリシルグリシルグリシン、アラニン、グリシルアラニン、アミノカプロン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、スレオニン、システイン、メチオニン、リジン、アスパラギン、グルタミン、プロリン、フェニルアラニン、チロシン、トリプトファン、トレオニン、シスチン、ヒドロキシプロリン、ヒドロキシリシン、サイロキシン、O-ホスホセリン、β-アラニン、サルコシン、オルニチン、シトルリン、クレアチン、γ-アミノ酪酸、オパイン、トリメチルグリシン、テアニン、トリコロミン酸、カイニン酸、ドウモイ酸、イボテン酸、アクロメリン酸、ニトロ酢酸、o-ニトロソ安息香酸、m-ニトロソ安息香酸、p-ニトロソ安息香酸、o-ニトロ安息香酸、m-ニトロ安息香酸、p-ニトロ安息香酸、2,4-ジニトロ安息香酸、2，4，6‐トリニトロ安息香酸、3-ニトロフタル酸、5-ニトロイソフタル酸、ニトロテレフタル酸、3-ニトロフタル酸無水物などである。

アミノ酸は、α-アミノ酸であってもよい。グリシン以外のα-アミノ酸は、Ｌ体のみを含んでいてもよく、Ｄ体のみを含んでいてもよく、Ｌ体及びＤ体を含んでいてもよい。

次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

例１
３６重量％のニッケルを含む鉄合金からなる金属板を準備した。金属板の厚みは２６μｍであった。続いて、金属板を切断することによって、評価１及び評価２を実施するための２つのサンプルを作製した。評価１及び評価２のための２つのサンプルのことを、第１サンプル及び第２サンプルとも称する。平面視におけるサンプルの形状は、７０ｍｍの長辺及び２０ｍｍの短辺を備える長方形であった。

ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む洗浄液を準備した。洗浄液の材料を下記に示す。
・ヨウ化カリウムを含む剥離剤４５０ｇ
・純水１０００ｍｌ
・関東化学社製のヨウ素２０ｇ
剥離剤としては、奥野製薬工業社製のトップリップＩＳＧ－Ｓを用いた。準備工程においては、まず、トップリップＩＳＧ－Ｓに純水を加えて水溶液を作製した。続いて、水溶液にヨウ素を加えることによって、洗浄液を作製した。
ヨウ化カリウムと純水とを混合すると吸熱反応が生じるので、水溶液の温度が低下する。低温の状態で水溶液にヨウ素を加えると、ヨウ素が水溶液に溶けにくい。この点を考慮し、水溶液の温度が元の純水の温度に戻った後、水溶液にヨウ素を加えた。
剥離剤におけるヨウ化カリウムの濃度は９０重量％であった。洗浄液におけるヨウ素の濃度は２０ｇ／Ｌであった。洗浄液のｐＨは４．３２であった。

洗浄液が収容された洗浄槽６１を準備した。洗浄液の容積は５０ｍｌであった。洗浄液の温度は３５℃であった。続いて、サンプルを洗浄液７０に６０分間にわたって浸した。

洗浄液から取り出したサンプルの表面を、流水で５分すすぎ、エアーガンにて水滴を除去した後、評価１を実施した。評価１においては、サンプルの表面を、光学顕微鏡を用いて観察した。第１サンプルの表面及び第２サンプルの表面に、１０μｍの寸法を超える穴が観察された。観察条件は下記のとおりである。
倍率：５０倍
観察範囲：１５０．０μｍ(縦)×１８０．０μｍ(横)

１０μｍの寸法を超える穴の数及び寸法を測定した。結果を図１１の「評価１」の列に示す。図１１の「評価１」の「判定」の列において、「ＮＧ」は、第１サンプルの表面又は第２サンプルの表面に、１０μｍの寸法を超える穴が観察されたことを表す。「ＯＫ」は、第１サンプルの表面及び第２サンプルの表面に、１０μｍの寸法を超える穴が観察されなかったことを表す。「評価１」の「個数」の列は、１０μｍの寸法を超える穴の数を表す。「評価１」の「寸法」の列は、平面視における穴の最大寸法を表す。「個数」及び「寸法」の列の上の段は、第１サンプルの評価結果を表す。「個数」及び「寸法」の列の下の段は、第２サンプルの評価結果を表す。例１の第１サンプルにおいて、１０μｍの寸法を超える穴の数は５であり、５個の穴のうち最大の穴は、平面視において９０μｍの寸法を有していた。例１の第２サンプルにおいて、１０μｍの寸法を超える穴の数は３であり、３個の穴のうち最大の穴は、平面視において７０μｍの寸法を有していた。

評価１に加えて、評価２を実施した。評価２においては、洗浄液から取り出したサンプルの表面を、評価１の場合と同一の条件で、光学顕微鏡を用いて観察した。結果を図１１の「評価２」の列に示す。「評価２」の列において、「ＯＫ」は、第１サンプルの表面及び端面並びに第２サンプルの表面及び端面にクラックが観察されなかったことを表す。「ＮＧ」は、第１サンプルの表面及び端面並びに第２サンプルの表面及び端面にクラックが観察されたことを表す。

例２～６
洗浄液の温度を変更して、例１の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。結果を図１１に示す。

洗浄液の温度が２５℃未満である場合、具体的には２３℃以下である場合、穴は観察されなかった。一方、洗浄液の温度が２５℃以上である場合、穴が観察された。温度を下げることで、洗浄速度が低減されるために、穴の発生が抑制されたと考えられる。

例４～例６に関しては、第３サンプル及び第４サンプルを用いて、評価３を実施した。評価３においては、洗浄方法における洗浄特性を評価した。

具体的には、まず、例１の場合と同様に、３６重量％のニッケルを含む鉄合金からなる金属板を準備した。金属板の厚みは２６μｍであった。続いて、金属板を切断することによって、サンプルを作製した。平面視におけるサンプルの形状は、７０ｍｍの長辺及び２０ｍｍの短辺を備える長方形であった。続いて、蒸着法によってマグネシウム銀の膜をサンプル上に形成した。
上述の第３サンプルは、マグネシウム銀の膜が形成されたサンプルを意味する。マグネシウム銀の膜の厚みは５００ｎｍであった。マグネシウム銀におけるマグネシウムと銀の膜厚の比率は、９：１であった。マグネシウムと銀の膜厚の比率は、蒸着時の水晶振動子によって検出される。
上述の第４サンプルは、第３サンプルの場合とは異なる比率を有するマグネシウム銀の膜が形成されたサンプルを意味する。マグネシウム銀の膜の厚みは５００ｎｍであった。マグネシウム銀におけるマグネシウムと銀の膜厚の比率は、１：９であった。マグネシウムと銀の膜厚の比率は、蒸着時の水晶振動子によって検出される。

続いて、例４～例６の洗浄方法によって第３サンプル及び第４サンプルをそれぞれ１０分間にわたって洗浄した。その後、洗浄液から取り出した第３サンプル及び第４サンプルの表面を、流水で５分すすぎ、エアーガンにて水滴を除去した後、光学顕微鏡を用いて観察した。光学顕微鏡を用いることによって観察される画像を目視することにより、例４～例５においては、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去されていることを確認した。マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。図１１の「評価３」の列において、「ＯＫ」は、光学顕微鏡を用いることによって観察される画像を目視した結果、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去されており、マグネシウム銀の膜の残渣が確認されなかったことを表す。
例６においては、洗浄時間が１０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が完全には除去されなかった。洗浄時間が３０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去され、マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。

例７
例４の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。具体的には、例４の場合と同一の洗浄液が収容された洗浄槽６１を準備した。続いて、超音波振動子を用いて、１ＭＨｚの周波数及び５０Ｗの出力を有する超音波を洗浄液に付与した。超音波振動子の面積は３７０×２５０ｍｍ^２であった。超音波の出力密度は０．０５４Ｗ／ｃｍ^２であった。続いて、例４の場合と同一の条件で、サンプルを洗浄液に浸した。

洗浄液から取り出したサンプルの表面を、例１の場合と同一の条件で、光学顕微鏡を用いて観察した。サンプルの表面に、１０μｍの寸法を超える穴は観察されなかった。高周波にすることで、キャビテーションによるサンプルへのダメージが低減されるために、穴の発生が抑制されたと考えられる。

また、例４の場合と同様に、評価３を実施した。具体的には、例７の洗浄方法によって第３サンプル及び第４サンプルをそれぞれ１０分間にわたって洗浄した。洗浄液から取り出した第３サンプル及び第４サンプルの表面を、例４の場合と同一の条件で観察した。第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去されていることを確認した。マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。

例８～１３
超音波の周波数又は出力を変更して、例４の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。結果を図１１に示す。図１１の「評価２」の列に示すように、例１０、１１においは、サンプルにクラックが観察された。クラックは、超音波に基づいて生じたと考えられる。例８、９、１３の洗浄方法においては、評価１、２のいずれもＯＫであった。高周波、低出力にすることで、キャビテーションによるサンプルへのダメージが低減されるために、穴の発生が抑制されたと考えられる。

また、例４の場合と同様に、評価３を実施した。具体的には、例８、９、１３の洗浄方法によって第３サンプル及び第４サンプルをそれぞれ１０分間にわたって洗浄した。洗浄液から取り出した第３サンプル及び第４サンプルの表面を、例４の場合と同一の条件で観察した。第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去されていることを確認した。マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。

例７～例１１から分かるように、洗浄液に付与される超音波の周波数は、５０ｋＨｚ以上であることが好ましく、１００ｋＨｚ以上であることがより好ましい。例９、１２、１３から分かるように、洗浄液に付与される超音波の出力密度は、０．１Ｗ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、０．０８５Ｗ／ｃｍ^２以下であることがより好ましい。

例１４～１８
洗浄液のヨウ素の濃度及び剥離剤の濃度の少なくとも一方を変更して、例９の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。結果を図１１に示す。例１５～１８の洗浄方法においては、評価１、２のいずれもＯＫであった。例９、１４、１５から分かるように、洗浄液のヨウ素の濃度は、４０ｇ／Ｌ未満であることが好ましく、２０ｇ／Ｌ以下であることがより好ましい。例１４～１８から分かるように、洗浄液のヨウ素の濃度は、１０ｇ／Ｌ以下であってもよく、８ｇ／Ｌ以下であってもよく、６ｇ／Ｌ以下であってもよい。洗浄液の剥離剤の濃度は、３００ｇ／Ｌ以下であってもよい。洗浄液の剥離剤やヨウ素濃度を下げることで、洗浄効率が低減されるために、穴の発生が抑制されたと考えられる。例１３～１８から分かるように、洗浄液のｐＨが４．０以上の場合、評価２はＯＫであった。洗浄液のｐＨが４．２４の場合、評価１がＮＧであり、洗浄液のｐＨが４．２５以上の場合、評価１もＯＫであった。洗浄液のｐＨは、４．０以上であることが好ましく、４．２５以上であることがより好ましい。

また、例４の場合と同様に、評価３を実施した。具体的には、例１５～１８の洗浄方法によって第３サンプル及び第４サンプルをそれぞれ１０分間にわたって洗浄した。洗浄液から取り出した第３サンプル及び第４サンプルの表面を、例４の場合と同一の条件で観察した。第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去されていることを確認した。マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。

例１９
剥離剤としてヨウ化カリウム４５０ｇを用いたこと以外は、例９の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。結果を図１１に示す。例９、１４～１９から分かるように、洗浄液のｐＨは、５．００以下であることが好ましい。

例２０～２３
洗浄液の温度を変更して、例９の場合と同様に、評価１及び評価２を実施した。図１１に示すように、例２０～２３においては、穴及びクラックは観察されなかった。例２０～２３においては、洗浄液の温度が例９の場合に比べて低いので、穴、クラックなどの欠陥が生じにくい。従って、例２０～２３の評価結果は妥当と考える。

例７～１１の評価結果から分かるように、超音波の周波数が高いほど、穴、クラックなどの欠陥が生じにくい。従って、図１１には示されていないが、例２０～２３のように洗浄液の温度を１０℃以上２０℃以下に設定し、超音波の周波数を２００ｋＨｚ以上１０００ｋＨｚ以下に設定した場合、穴及びクラックは観察されないと予想される。

洗浄液に超音波を付与すると、洗浄の能力は高くなるが、穴、クラックなどの欠陥は生じやすくなる。従って、図１１には示されていないが、例２３のように洗浄液の温度を１０℃に設定し、超音波を洗浄液に付与しない場合、穴及びクラックは観察されないと予想される。

また、例９の場合と同様に、評価３を実施した。結果を図１１に示す。

例２４
洗浄液の温度を１８℃に変更して、例１の場合と同様に、評価１～３を実施した。結果を図１１に示す。

例２５
洗浄液のヨウ素の濃度を１０ｇ／Ｌに変更して、例２４の場合と同様に、評価１～３を実施した。結果を図１１に示す。評価３に関して、洗浄時間が１０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が完全には除去されなかった。洗浄時間が３０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去され、マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。
洗浄液の温度が１８℃の場合、１０ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下のヨウ素の濃度の範囲において、例２４及び例２５と同様の結果が生じることが予想される。

例２６
洗浄液のヨウ素の濃度を１０ｇ／Ｌに変更して、例６の場合と同様に、評価１～３を実施した。結果を図１１に示す。評価３に関して、洗浄時間が１０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が完全には除去されなかった。洗浄時間が３０分間の場合、第３サンプル及び第４サンプルからマグネシウム銀の膜が除去され、マグネシウム銀の膜の残渣は確認されなかった。
洗浄液の温度が１５℃の場合、１０ｇ／Ｌ以上２０ｇ／Ｌ以下のヨウ素の濃度の範囲において、例６及び例２６と同様の結果が生じることが予想される。

４冷却板
５磁石
６蒸着源
７蒸着材料
８ヒータ
１０蒸着装置
４０マスク装置
４１フレーム
４２開口
５０マスク
５１金属板
５１ａ第１面
５１ｂ第２面
５３貫通孔
５６欠陥
６０洗浄装置
６１洗浄槽
６２超音波制御装置
６３温度制御装置
７０洗浄液
７６処理液
７７乾燥装置
１００有機デバイス
１１０基板
１１１第１面
１１２第２面
１１５Ａ第１素子
１１５Ｂ第２素子
１２０第１電極
１３０有機層
１３０Ａ第１有機層
１３０Ｂ第２有機層
１４０第２電極
１４０Ａ第１層
１４０Ｂ第２層
１４５電極重なり領域
１６０絶縁層

Claims

マスクを洗浄する洗浄方法であって、
前記マスクに洗浄液を接触させることによって前記マスクを洗浄する洗浄工程を備え、
前記洗浄液は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含み、
前記洗浄液の温度は、２５℃未満であり、
前記洗浄液における前記ヨウ素の濃度は、２０ｇ／Ｌ以下である、洗浄方法。
前記洗浄工程は、洗浄槽に収容されている前記洗浄液に前記マスクを浸すディップ工程を備える、請求項１に記載の洗浄方法。
前記洗浄工程は、前記洗浄液に超音波を付与する超音波工程を備える、請求項２に記載の洗浄方法。
前記超音波の周波数は、１００ｋＨｚ以上である、請求項３に記載の洗浄方法。
前記超音波の周波数は、１ＭＨｚ以下である、請求項４に記載の洗浄方法。
前記洗浄液のｐＨは、５．００以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の洗浄方法。
前記マスクは、ニッケルを含む鉄合金を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の洗浄方法。
前記マスクの厚みは、１００μｍ以下である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の洗浄方法。
前記洗浄工程は、前記マスクに付着している金属材料を除去する、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の洗浄方法。
前記金属材料は、マグネシウム銀を含む、請求項９に記載の洗浄方法。
マスクを洗浄するために用いられる洗浄液であって、
ヨウ化カリウム及びヨウ素を含み、
前記洗浄液における前記ヨウ素の濃度は、２０ｇ／Ｌ以下である、洗浄液。
マスクを洗浄する洗浄装置であって、
洗浄液を収容する少なくとも１つの洗浄槽を備え、
前記洗浄液は、ヨウ化カリウム及びヨウ素を含み、
前記洗浄液における前記ヨウ素の濃度は、２０ｇ／Ｌ以下である、洗浄装置。
前記少なくとも１つの洗浄槽は、前記洗浄液を収容する第１の洗浄槽と、前記洗浄液を収容する第２の洗浄槽と、を含み、
前記洗浄装置は、前記第１の洗浄槽から前記第２の洗浄槽へ前記マスクを搬送する搬送機構を備える、請求項１２に記載の洗浄装置。
有機デバイスの製造方法であって、
基板上の第１電極上の有機層上に、２以上のマスクを順に用いて蒸着法によって第２電極を形成する第２電極形成工程と、
ヨウ化カリウム及びヨウ素を含む洗浄液を前記マスクに接触させることによって前記マスクを洗浄する洗浄工程と、備え、
前記第２電極形成工程は、第１の前記マスクを用いる蒸着法によって、前記第２電極の第１層を形成する工程と、第２の前記マスクを用いる蒸着法によって、前記第１層に部分的に重なる前記第２電極の第２層を形成する工程と、を含む、製造方法。