CN114345825A - 掩模的清洗方法、清洗液、清洗装置、以及有机器件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及掩模的清洗方法、清洗液、清洗装置、以及有机器件的制造方法。一种对掩模进行清洗的清洗方法，其具备通过使清洗液与掩模接触而对掩模进行清洗的清洗工序。清洗液包含碘化钾和碘。清洗液的温度小于25℃。

Description

掩模的清洗方法、清洗液、清洗装置、以及有机器件的制造 方法

技术领域

本申请的实施方式涉及掩模的清洗方法、清洗液、清洗装置、以及有机器件的制造方法。

背景技术

近年来，在智能手机、平板电脑等电子器件中，市场上要求高精细的显示装置。显示装置例如具有400ppi以上或800ppi以上等的元件密度。

由于响应性良好、或/和对比度高，有机EL显示装置受到瞩目。作为形成有机EL显示装置的元件的方法，通过蒸镀将构成元件的材料附着于基板的方法是众所公知的。例如，首先准备以与元件对应的图案形成了阳极的基板。接着，经由掩模的贯通孔将有机材料附着于阳极上，从而在阳极上形成有机层。接着，在有机层上形成阴极。通过清洗装置除去附着于掩模的有机材料。清洗后的掩模会再度利用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-100263号公报

发明内容

发明所要解决的问题

作为形成阴极等电极的方法，有经由掩模的贯通孔而使导电性材料附着于有机层的方法。为了再度利用掩模，要求确立对附着有导电性材料的掩模进行清洗的方法。

用于解决问题的手段

根据本申请的一实施方式的对掩模进行清洗的清洗方法具备通过使清洗液与上述掩模接触从而对上述掩模进行清洗的清洗工序，

上述清洗液包含碘化钾和碘，

上述清洗液的温度小于25℃。

发明的效果

根据本申请的一实施方式，能够清洗附着有导电性材料的掩模。

附图说明

图1是示出根据本申请的一实施方式的有机器件的一例的截面图。

图2是示出具备掩模装置的蒸镀装置的一例的图。

图3是示出掩模装置的一例的俯视图。

图4是示出掩模的一例的俯视图。

图5是示出掩模的一例的俯视图。

图6是示出掩模的截面结构的一例的图。

图7是示出附着有金属材料的掩模的一例的截面图。

图8是示出清洗工序中在掩模中产生的缺陷的一例的截面图。

图9是示出清洗装置的一例的图。

图10是示出掩模的一例的俯视图。

图11是示出例1～例26的清洗方法的评价结果的图。

具体实施方式

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，“基板”、“基材”、“板”、“片”、“膜”等意味着作为某种构成的基础的物质的术语并不是仅基于称呼上的不同而相互区别开。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，关于形状、几何学的条件以及确定它们的程度的例如“平行”、“正交”等术语、长度或角度的值等，并不限定于严格的含义，而是包含可期待同样功能的程度的范围来进行解释。

本说明书和本附图中，设定某构件或某区域等某种构成在其它构件或其它区域等其它构成的“上”或“下”、“上侧”或“下侧”、或者“上方”或“下方”的情况下，只要没有特别说明，则包括某种构成与其它构成直接接触的情况。进一步，还包括某种构成与其它构成之间包含另外的构成的情况，即间接接触的情况。另外，只要没有特别说明，“上”、“上侧”、“上方”，或者“下”、“下侧”、“下方”这种语句也可以上下方向倒转。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，有时对同一部分或具有同样的功能的部分赋予相同的符号或类似的符号，并省略其重复的说明。另外，为了便于说明，附图的尺寸比例有时与实际的比例不同、或者有时在附图中省略部分构成。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则可以在不产生矛盾的范围内与其它实施方式或变形例进行组合。另外，其它实施方式之间、其它实施方式与变形例也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。另外，变形例之间也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则关于制造方法等方法公开2个以上的工序时，也可以在所公开的工序之间实施未公开的其它工序。另外，在不产生矛盾的范围内，所公开的工序的顺序是任意的。

本说明书和本附图中，只要没有特别说明，则“～”这一符号所表示的数值范围包含位于“～”这一符号前后的数值。例如，“34～38质量％”这种表述所划定的数值范围与“34质量％以上且38质量％以下”这一表述所划定的数值范围是相同的。

本说明书的一实施方式中，对在制造有机EL显示装置时为了在基板上形成电极而使用掩模的例子进行说明。但是，掩模的用途并无特别限定，能够对用于各种用途的掩模适用本实施方式。例如，为了形成用于显示或投影用于表示虚拟现实即所谓VR、增强现实所即谓AR的图像或影像的装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模。另外，为了形成液晶显示装置的电极等除了有机EL显示装置以外的显示装置的电极，也可以使用本实施方式的掩模。另外，为了形成压力传感器的电极等除了显示装置以外的有机器件的电极，也可以使用本实施方式的掩模。

本申请的第1方式是一种清洗方法，其为对掩模进行清洗的清洗方法，其中，

该清洗方法具备通过使清洗液与上述掩模接触而对上述掩模进行清洗的清洗工序，

上述清洗液包含碘化钾和碘，

上述清洗液的温度小于25℃。

本申请的第2方式为根据上述第1方式的清洗方法，其中，

上述清洗工序可以具备将上述掩模浸渍在容纳于清洗槽的上述清洗液中的浸渍工序。

本申请的第3方式为根据上述第2方式的清洗方法，其中，

上述清洗工序可以具备对上述清洗液施加超声波的超声波工序。

本申请的第4方式为根据上述第3方式的清洗方法，其中，

上述超声波的频率可以为100kHz以上。

本申请的第5方式为根据上述第4方式的清洗方法，其中，

上述超声波的频率可以为1MHz以下。

本申请的第6方式为根据上述第1方式至上述第5方式的各个清洗方法，其中，

上述清洗液中的上述碘的浓度可以为20g/L以下。

本申请的第7方式为根据上述第1方式至上述第6方式的各个清洗方法，其中，

上述清洗液的pH可以为5.00以下。

本申请的第8方式为根据上述第1方式至上述第7方式的各个清洗方法，其中，

上述掩模可以包含含有镍的铁合金。

本申请的第9方式为根据上述第1方式至上述第8方式的各个清洗方法，其中，

上述掩模的厚度可以为100μm以下。

本申请的第10方式为根据上述第1方式至上述第9方式的各个清洗方法，其中，

上述清洗工序可以除去附着于上述掩模的金属材料。

本申请的第11方式为根据上述第10方式的清洗方法，其中，

上述金属材料可以包含镁银。

本申请的第12方式是一种清洗液，其为用于对掩模进行清洗而使用的清洗液，其中，

该清洗液包含碘化钾和碘。

本申请的第13方式是一种清洗装置，其为对掩模进行清洗的清洗装置，其中，

该清洗装置具备容纳清洗液的至少1个的清洗槽，

上述清洗液包含碘化钾和碘。

本申请的第14方式为根据上述第13方式的清洗装置，其中，

上述至少1个的清洗槽包括容纳上述清洗液的第1清洗槽和容纳上述清洗液的第2清洗槽，

上述清洗装置可以具备将上述掩模从上述第1清洗槽传送至上述第2清洗槽的传送机构。

本申请的第15方式是一种制造方法，其为有机器件的制造方法，其中，

该制造方法具备：

第2电极形成工序，其依次使用2个以上的掩模通过蒸镀法在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极；和

清洗工序，其通过使第12方式所述的清洗液与上述掩模接触而对上述掩模进行清洗。

参照附图对本申请的一实施方式进行详细说明。需要说明的是，以下所示的实施方式为本申请的实施方式的一例，本申请并不解释为仅限于这些实施方式。

首先，对具备通过使用掩模而形成的电极的有机器件100进行说明。图1是示出有机器件100的一例的截面图。

有机器件100包含基板110和沿基板110的面内方向排列的2个以上的元件115。元件115例如为像素。基板110可以包含2种以上的元件115。例如，基板110可以包含第1元件115A和第2元件115B。虽然未图示，但基板110还可以包含第3元件。第1元件115A、第2元件115B和第3元件例如为红色像素、蓝色像素和绿色像素。

元件115可以具有第1电极120、位于第1电极120上的有机层130和位于有机层130上的第2电极140。

有机器件100可以具备位于俯视下相邻的两个第1电极120之间的绝缘层160。绝缘层160例如含有聚酰亚胺。绝缘层160可以在第1电极120的端部重叠。

有机器件100可以为有源矩阵型。例如，虽然未图示，但有机器件100可以具备与2个以上的元件115分别电连接的开关。开关例如为晶体管。开关能够控制对于相应的元件115的电压或电流的ON/OFF。

基板110可以为具有绝缘性的板状的构件。基板110优选具有能够使光透过的透明性。作为基板110的材料，可以使用例如石英玻璃、PYREX(注册商标)玻璃、合成石英板等没有挠性的刚性材料，或者树脂膜、光学用树脂板、薄玻璃等具有挠性的柔性材料等。另外，基材可以为在树脂膜的单面或两面具有阻隔层的层积体。

元件115构成为，通过在第1电极120与第2电极140之间施加电压，或者通过在第1电极120与第2电极140之间流通电流，从而实现某种功能。例如，元件115为有机EL显示装置的像素的情况下，元件115能够放出构成影像的光。

第1电极120包含具有导电性的材料。例如，第1电极120包含金属、具有导电性的金属氧化物、其它具有导电性的无机材料等。第1电极120可以包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等具有透明性和导电性的金属氧化物。

有机层130包含有机材料。当有机层130通电时，则有机层130能够发挥一些功能。通电是指对有机层130施加电压，或者使有机层130流通电流。作为有机层130，能够使用通过通电而放出光的发光层、通过通电而光的透射率、折射率发生变化的层等。有机层130可以含有有机半导体材料。

如图1所示，有机层130可以包含第1有机层130A和第2有机层130B。第1有机层130A包含在第1元件115A中。第2有机层130B包含在第2元件115B中。虽然未图示，但有机层130可以包含第3元件所含的第3有机层。第1有机层130A、第2有机层130B和第3有机层例如为红色发光层、蓝色发光层和绿色发光层。

若在第1电极120与第2电极140之间施加电压，则位于两者之间的有机层130被驱动。有机层130为发光层的情况下，光从有机层130放出，光从第2电极140侧或第1电极120侧向外部导出。

有机层130还可以包含空孔注入层、空孔传输层、电子传输层、电子注入层、电荷产生层等。

第2电极140包含金属等具有导电性的材料。第2电极140是通过使用了掩模的蒸镀法而形成于有机层130之上。作为构成第2电极140的材料，能够使用铂、金、银、铜、铁、锡、铬、铝、铟、锂、钠、钾、钙、镁、铬、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、碳等。这些材料可以单独使用，也可以组合两种以上使用。使用两种以上的情况下，可以将由各材料构成的层进行层积。另外，可以使用包含两种以上材料的合金。例如，能够使用MgAg等镁合金、AlLi、AlCa、AlMg等铝合金。MgAg也称作镁银。优选使用镁银作为第2电极140的材料。也可以使用碱金属类和碱土金属类的合金等。例如，可以使用氟化锂、氟化钠、氟化钾等。

镁银中的银的重量比例例如可以为5％以上，可以为50％以上，也可以为90％以上。银的重量比例例如可以为95％以下，可以为97％以下，也可以为99％以下。银的重量比例的范围也可以通过由5％、50％和90％构成的第1组、和/或由95％、97％和99％构成的第2组而确定。银的重量比例的范围也可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。银的重量比例的范围也可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。银的重量比例的范围也可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为5％以上99％以下，可以为5％以上97％以下，可以为5％以上95％以下，可以为5％以上90％以下，可以为5％以上50％以下，可以为50％以上99％以下，可以为50％以上97％以下，可以为50％以上95％以下，可以为50％以上90％以下，可以为90％以上99％以下，可以为90％以上97％以下，可以为90％以上95％以下，可以为95％以上99％以下，可以为95％以上97％以下，也可以为97％以上99％以下。

如图1所示，第2电极140可以包含第1层140A和第2层140B。第1层140A为通过使用第1掩模的蒸镀工序而形成的层。第2层140B为通过使用第2掩模的蒸镀工序而形成的层。像这样，本实施方式中可以使用2个以上的掩模而形成第2电极140。由此，俯视下第2电极140的图案的自由度提高。例如，有机器件100能够包含俯视下不存在第2电极140的区域。与存在第2电极140的区域相比，不存在第2电极140的区域能够具有高透射率。

如图1所示，第1层140A的端部与第2层140B的端部可以部分重叠。由此，能够将第1层140A与第2层140B电连接。

虽然未图示，但第2电极140可以包含第3层等其它层。第3层等其它层可以与第1层140A和第2层140B电连接。

在以下的说明中，对第2电极140的构成之中的第1层140A、第2层140B、第3层等所共通的构成进行说明的情况下，使用“第2电极140”这一术语和符号。

第2电极140的厚度例如可以为5nm以上，可以为20nm以上，可以为50nm以上，也可以为100nm以上。第1层140A的厚度例如可以为200nm以下，可以为500nm以下，可以为1μm以下，也可以为100μm以下。第2电极140的厚度的范围可以通过由5nm、20nm、50nm和100nm构成的第1组、和/或由200nm、500nm、1μm和100μm构成的第2组而确定。第2电极140的厚度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。第2电极140的厚度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。第2电极140的厚度的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为5nm以上100μm以下，可以为5nm以上1μm以下，可以为5nm以上500nm以下，可以为5nm以上200nm以下，可以为5nm以上100nm以下，可以为5nm以上50nm以下，可以为5nm以上20nm以下，可以为20nm以上100μm以下，可以为20nm以上1μm以下，可以为20nm以上500nm以下，可以为20nm以上200nm以下，可以为20nm以上100nm以下，可以为20nm以上50nm以下，可以为50nm以上100μm以下，可以为50nm以上1μm以下，可以为50nm以上500nm以下，可以为50nm以上200nm以下，可以为50nm以上100nm以下，可以为100nm以上100μm以下，可以为100nm以上1μm以下，可以为100nm以上500nm以下，可以为100nm以上200nm以下，可以为200nm以上100μm以下，可以为200nm以上1μm以下，可以为200nm以上500nm以下，可以为500nm以上100μm以下，可以为500nm以上1μm以下，也可以为1μm以上100μm以下。

接着，对通过蒸镀法而形成第2电极140的方法进行说明。图2是示出蒸镀装置10的图。蒸镀装置10实施使蒸镀材料蒸镀至对象物的蒸镀处理。

如图2所示，蒸镀装置10可以在其内部具备蒸镀源6、加热器8、以及掩模装置40。另外，蒸镀装置10还可以具备用于将蒸镀装置10的内部制成真空气氛的排气单元。蒸镀源6例如为坩埚，容纳金属材料等蒸镀材料7。加热器8对蒸镀源6进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料7蒸发。掩模装置40以与坩埚6相对的方式而配置。

如图2所示，掩模装置40可以具备至少1个的掩模50、和支撑掩模50的框架41。框架41可以含有开口42。掩模50可以以俯视下横切开口42的方式固定于框架41。另外，框架41可以在将掩模50向其面方向拉伸的状态下进行支撑，以抑制掩模50弯曲。

如图2所示，掩模装置40以使掩模50与作为蒸镀材料7附着的对象物的基板110相对的方式配置于蒸镀装置10内。掩模50包含使从蒸镀源6飞来的蒸镀材料7通过的2个以上的贯通孔53。在以下的说明中，掩模50的面之中，将位于基板110侧的面称作第1面51a，将位于第1面51a的相反侧的面称作第2面51b。

如图2所示，蒸镀装置10可以具备配置于基板110的第2面112侧的冷却板4。冷却板4可以具备用于使制冷剂在冷却板4的内部循环的流路。冷却板4能够抑制蒸镀工序时基板110的温度上升。

如图2所示，蒸镀装置10可以具备配置于基板110的第2面112侧的磁铁5。磁铁5也可以配置于冷却板4的面之中与掩模装置40相反一侧的面。磁铁5能够通过磁力使掩模装置40的掩模50向基板110侧吸引。由此，能够减小掩模50与基板110之间的间隙，或者能够消除间隙。由此，能够抑制蒸镀工序中产生阴影。本申请中，阴影是指蒸镀材料7进入掩模50与基板110之间的间隙由此第2电极140的厚度变得不均一的现象。

图3是示出掩模装置40的一例的俯视图。掩模50的形状可以为具有长度方向和与长度方向正交的宽度方向的矩形。长度方向上的掩模50的尺寸比宽度方向上的掩模50的尺寸小。在以下的说明中，将长度方向称作掩模第1方向，将宽度方向称作掩模第2方向。掩模50可以包含第1端501、第2端502、第3端503和第4端504。第1端501和第2端502为掩模第1方向D1上的掩模50的端部。第1端501和第2端502可以包含沿掩模第2方向D2延伸的部分。第3端503和第4端504为掩模第2方向D2上的掩模50的端部。第3端503和第4端504可以包含沿掩模第1方向D1延伸的部分。

掩模装置40可以具备在沿掩模第2方向D2排列的2个以上的掩模50。在掩模第1方向D1的两端部，掩模50例如可以通过焊接而固定于框架41。也可以在掩模第1方向D1上对掩模50施加张力的状态下，将掩模50的两端部固定于框架41。掩模50被固定于框架41后，框架41可以在掩模第1方向D1上对掩模50施加张力。

图3中，符号L表示掩模第1方向D1上的掩模50的尺寸，即掩模50的长度。长度L例如可以为150mm以上，可以为300mm以上，也可以为600mm以上。长度L例如可以为1000mm以下，可以为1700mm以下，也可以为2500mm以下。长度L的范围可以通过由150mm、300mm和600mm构成的第1组、和/或由1000mm、1700mm和2500mm构成的第2组而确定。长度L的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。长度L的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。长度L的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为150mm以上2500mm以下，可以为150mm以上1700mm以下，可以为150mm以上1000mm以下，可以为150mm以上600mm以下，可以为150mm以上300mm以下，可以为300mm以上2500mm以下，可以为300mm以上1700mm以下，可以为300mm以上1000mm以下，可以为300mm以上600mm以下，可以为600mm以上2500mm以下，可以为600mm以上1700mm以下，可以为600mm以上1000mm以下，可以为1000mm以上2500mm以下，可以为1000mm以上1700mm以下，也可以为1700mm以上2500mm以下。

图3中，符号W表示掩模第2方向D2上的掩模50的尺寸，即掩模50的宽度。宽度W比长度L小。长度L相对于宽度W的比例、即L/W例如可以为2以上，可以为5以上，也可以为10以上。L/W例如可以为20以下，可以为50以下，也可以为100以下。L/W的范围可以通过由2、5和10构成的第1组、和/或由20、50和100构成的第2组而确定。L/W的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。L/W的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。L/W的范围也可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为2以上100以下，可以为2以上50以下，可以为2以上20以下，可以为2以上10以下，可以为2以上5以下，可以为5以上100以下，可以为5以上50以下，可以为5以上20以下，可以为5以上10以下，可以为10以上100以下，可以为10以上50以下，可以为10以上20以下，可以为20以上100以下，可以为20以上50以下，也可以为50以上100以下。

在像后述那样一边对清洗液施加超声波一边清洗掩模50的情况下，有时掩模50中会产生固有振动的波。由于长度L比宽度W大，所以固有振动的波容易产生于长度L的方向，即掩模第1方向D1。由于容易确定固有振动的波的方向，因此在由空孔现象而致的对掩模50的损害与固有振动相关的情况下，容易实施对策。

框架41可以具有矩形的轮廓。例如，框架41包含沿掩模第1方向D1延伸的一对第1边区域411与沿掩模第2方向D2延伸的一对第2边区域412。掩模第1方向D1上的掩模50的端部可以固定于第2边区域412。第2边区域412可以比第1边区域411长。框架41的开口42可以由一对第1边区域411和一对第2边区域412所包围。

图4是示出掩模50的一例的俯视图。如图3和图4所示，掩模50包含第1端部50a、第2端部50b、单元格54和周围区域55。单元格54包含沿掩模50的面方向规则地配置的一组贯通孔53。在使用掩模50制作有机EL显示装置等显示装置的情况下，1个单元格54对应于1个有机EL显示装置的显示区域。周围区域55是包围单元格54的区域。第1端部50a是从第1端501延展到单元格54的区域。第2端部50b是从第2端502延展到单元格54的区域。第1端部50a和第2端部50b固定于第2边区域412。

如图3和图4所示，掩模50包含沿掩模第1方向D1排列的2个以上的单元格54。这种情况下，第1端部50a是最接近第1端501的单元格54与第1端501之间的区域，第2端部50b是最接近第2端502的单元格54与第2端502之间的区域。

接下来，对掩模50的贯通孔53进行详细地说明。图5是示出形成上述第2电极140的第1层140A时所使用的第1掩模50的一例的俯视图。图6是第1掩模50的沿着图5的线IV-IV的截面图。在以下的说明中，第1掩模50也简称为掩模50。掩模50包含沿掩模50的面方向排列的2个以上的贯通孔53。贯通孔53使金属板51从第1面51a向第2面51b贯通。2个以上的贯通孔53可以沿不同的2个方向排列。

贯通孔53包含位于金属板51的第1面51a侧的第1凹部531，和位于第2面51b侧、与第1凹部531连接的第2凹部532。俯视下，第2凹部532的尺寸r2可以比第1凹部531的尺寸r1大。第1凹部531可以通过将金属板51从第1面51a侧进行蚀刻等加工而形成。第2凹部532可以通过将金属板51从第2面51b侧进行蚀刻等加工而形成。

第1凹部531与第2凹部532在圆周状的连接部533处连接。连接部533可以划分出在俯视掩模50的情况下贯通孔53的开口面积为最小的贯通部534。

在贯通孔53的排列方向上的贯通部534的尺寸r例如可以为10μm以上，可以为50μm以上，也可以为100μm以上。贯通部534的尺寸r例如可以为500μm以下，可以为1mm以下，也可以为5mm以下。贯通部534的尺寸r的范围可以通过由10μm、50μm和100μm构成的第1组、和/或由500μm、1mm和5mm构成的第2组而确定。贯通部534的尺寸r的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。贯通部534的尺寸r的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。贯通部534的尺寸r的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为10μm以上5mm以下，可以为10μm以上1mm以下，可以为10μm以上500μm以下，可以为10μm以上100μm以下，可以为10μm以上50μm以下，可以为50μm以上5mm以下，可以为50μm以上1mm以下，可以为50μm以上500μm以下，可以为50μm以上100μm以下，可以为100μm以上5mm以下，可以为100μm以上1mm以下，可以为100μm以上500μm以下，可以为500μm以上5mm以下，可以为500μm以上1mm以下，也可以为1mm以上5mm以下。

贯通部534的尺寸r由透过贯通孔53的光而划定。例如，沿掩模50的法线方向使平行光入射至掩模50的第1面51a或第2面51b中的一者，使其透过贯通孔53从第1面51a或第2面51b中的另一者出射。然后，采用出射的光在掩模50的面方向中所占的区域的尺寸作为贯通部534的尺寸r。

掩模50的厚度T例如可以为5μm以上，可以为10μm以上，可以为15μm以上，也可以为20μm以上。掩模50的厚度T例如可以为25μm以下，可以为30μm以下，可以为50μm以下，也可以为100μm以下。掩模50的厚度T的范围可以通过由5μm、10μm、15μm和20μm构成的第1组、和/或由25μm、30μm、50μm和100μm构成的第2组而确定。掩模50的厚度T的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。掩模50的厚度T的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。掩模50的厚度T的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为5μm以上100μm以下，可以为5μm以上50μm以下，可以为5μm以上30μm以下，可以为5μm以上25μm以下，可以为5μm以上20μm以下，可以为5μm以上15μm以下，可以为5μm以上10μm以下，可以为10μm以上100μm以下，可以为10μm以上50μm以下，可以为10μm以上30μm以下，可以为10μm以上25μm以下，可以为10μm以上20μm以下，可以为10μm以上15μm以下，可以为15μm以上100μm以下，可以为15μm以上50μm以下，可以为15μm以上30μm以下，可以为15μm以上25μm以下，可以为15μm以上20μm以下，可以为20μm以上100μm以下，可以为20μm以上50μm以下，可以为20μm以上30μm以下，可以为20μm以上25μm以下，可以为25μm以上100μm以下，可以为25μm以上50μm以下，可以为25μm以上30μm以下，可以为30μm以上100μm以下，可以为30μm以上50μm以下，也可以为50μm以上100μm以下。

作为测定掩模50的厚度T的方法，可以采用接触式的测定方法。作为接触式的测定方法，可以使用具备滚珠导套式的柱塞的HEIDENHAIN公司制造的长度计HEIDENHAlN-METRO的“MT1271”。

需要说明的是，掩模50的贯通孔53的截面形状不限于图6所示的形状。另外，掩模50的贯通孔53的形成方法并不限于蚀刻，而是可以采用各种方法。例如，可以通过进行镀覆而形成掩模50，以生成贯通孔53。

作为构成掩模50的材料，例如可以使用包含镍的铁合金。铁合金还可以在镍之外进一步包含钴。例如，作为掩模50的材料，可以使用镍和钴的含量为合计30质量％以上且54质量％以下、且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为包含镍或者镍和钴的铁合金，可以使用包含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材料、在30质量％以上且34质量％以下的镍的基础上还包含钴的超因瓦合金材料、包含40质量％以上且43质量％以下的镍的42合金、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。通过使用这样的铁合金，能够降低掩模50的热膨胀系数。例如，使用玻璃基板作为基板110的情况下，能够将掩模50的热膨胀系数设为与玻璃基板同等低的值。由此，蒸镀工序时能够抑制因掩模50与基板110之间的热膨胀系数的差而导致的形成于基板110的蒸镀层的尺寸精度、位置精度降低。

在有机器件100的制造方法中，在第1掩模50之外，还可以使用第2掩模。第2掩模例如在形成上述第2电极140的第2层140B时使用。第2掩模与第1掩模50同样，可以包含沿第2掩模的面方向排列的2个以上的贯通孔。第2掩模的贯通孔构成为第2层140B与第1层140A部分重叠的方式。

接下来，对本实施方式所要解决的问题进行说明。

通过使用了掩模50的蒸镀法而在基板110上形成层的工序中，蒸镀材料附着并堆积于掩模50。堆积量多时，认为在蒸镀工序之间，堆积物会从掩模50剥离。另外认为，堆积量多时，起因于堆积物的贯通孔的形状的变化变得无法忽视。因此，在2次以上的蒸镀工序中反复利用掩模50的情况下，优选清洗掩模50以除去堆积物。

以往，为了形成有机层130，利用使用了掩模的蒸镀方法。有机层130是通过使有机材料经由掩模的贯通孔而附着于第1电极120上而形成的。作为对附着了有机材料的掩模进行清洗的清洗液，使用有机溶剂。

在通过使用了掩模50的蒸镀方法而形成第2电极140的情况下，要求确立对附着有导电性材料的掩模50进行清洗的方法。图7是示出附着有包含导电性材料的蒸镀材料7的掩模50的一例的图。

作为用于除去导电性材料的清洗液，考虑使用酸。但是，使用酸的情况下，认为掩模50的金属板51会溶解。另外，还认为会产生环境上的问题。

作为用于除去导电性材料的清洗液，考虑使用表现出掩模50的金属板51不会溶解的程度的弱酸性的包含碘和碘化合物的水溶液。

但是，本申请发明人进行研究时，得知在使用包含碘和碘化合物的水溶液的情况下，掩模50可能产生孔等缺陷。图8是示出清洗工序中在掩模50产生的缺陷56的一例的截面图。缺陷56到达贯通孔53的壁面时，贯通部534的尺寸r可能变化。例如如图8所示，认为产生了缺陷56的贯通孔53的尺寸r比其它贯通孔53的尺寸r大。若利用产生了缺陷56的掩模50形成第2电极140，则第2电极140的形状、尺寸等精度降低。

根据本实施方式的清洗方法，能够解决这样的问题。以下，对清洗方法进行说明。清洗方法具备通过使清洗液与掩模50接触而对掩模50进行清洗的清洗工序。图9是示出用于实施清洗方法的清洗装置60的一例的图。

清洗装置60具备直接或间接容纳清洗液70的清洗槽61。通过实施将掩模50浸渍在清洗液70中的浸渍工序，能够清洗掩模50。清洗液70可以直接容纳于清洗槽61，也可以间接容纳于清洗槽61。掩模50可以以固定于框架41的状态浸渍在清洗液70中。即，浸渍工序可以是将包含框架41和掩模50的掩模装置40浸渍在清洗液70中。

“直接”是指清洗液70与清洗槽61的壁面接触。

“间接”是指清洗液70不与清洗槽61的壁面接触。间接容纳的例子是将容纳了清洗液70的容器配置于清洗槽61的内侧这样的方式。根据该方式，能够抑制清洗槽61的壁面被清洗液70所污染。清洗槽61也可以容纳水等液体。

作为构成容器的材料，可以使用玻璃、树脂、金属等。作为玻璃，可以使用钠钙玻璃、无碱玻璃、石英、琺瑯等。作为树脂，可以使用环氧树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、聚氨酯、聚碳酸酯、氟树脂、丙烯酸类树脂、尼龙、聚丙烯、聚乙烯、ABS、聚苯乙烯、氯乙烯树脂等。ABS是指丙烯腈、丁二烯、苯乙烯的共聚合成树脂。作为氟树脂，可以使用PTFE、ETFE等。PTFE是指四氟乙烯的聚合物。ETFE是指四氟乙烯与乙烯的共聚物。

对清洗液70进行说明。清洗液70包含碘化钾和碘。碘化钾例如处于下述式(1)所示的化学平衡的状态。碘例如处于下述式(2)所示的化学平衡的状态。

清洗液70可以通过将导电性材料溶解而将导电性材料从掩模50除去。对通过清洗液70除去导电性材料时发生的化学反应进行说明。在此，对导电性材料包含镁和银的情况进行说明。

下述的式(3)、(4)是认为镁溶解于清洗液70时发生的化学反应的一例。

Mg+I₂→Mg²⁺(aq)+2I-(aq)…(3)

Mg²⁺(aq)+2I^-(aq)+8H₂O→MgI₂·8H₂O…(4)

下述的式(5)、(6)或式(5)、(7)是认为银溶解于清洗液70时发生的化学反应的一例。

2Ag+I₂→2AgI…(5)

AgI+I₃ ^-→[AgI₄]^-…(6)

AgI+3I^-→[AgI₄]^3-…(7)

除了上述式(1)～(7)以外的化学反应也可以在清洗液70中发生。

清洗液70的温度例如可以为10℃以上，可以为15℃以上，可以为18℃以上，也可以为20℃以上。清洗液70的温度例如可以为小于25℃，也可以为23℃以下。清洗液70的温度的范围可以通过由10℃、15℃、18℃和20℃构成的第1组、和/或由25℃和23℃构成的第2组而确定。清洗液70的温度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。清洗液70的温度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。清洗液70的温度的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为10℃以上23℃以下，可以为10℃以上且小于25℃，可以为10℃以上20℃以下，可以为10℃以上18℃以下，可以为10℃以上15℃以下，可以为15℃以上23℃以下，可以为15℃以上且小于25℃，可以为15℃以上20℃以下，可以为15℃以上18℃以下，可以为18℃以上23℃以下，可以为18℃以上且小于25℃，可以为18℃以上20℃以下，可以为20℃以上23℃以下，可以为20℃以上且小于25℃，也可以为23℃以上且小于25℃。

温度越高，导电性材料越易溶解于清洗液70。温度越低，越能够抑制清洗工序中在掩模50中产生缺陷。

如图9所示，清洗装置60可以具备温度控制装置63。温度控制装置63对容纳于清洗槽61的清洗液70的温度进行控制。温度控制装置63能够以使清洗液70的温度在上述范围内的方式对清洗液70的温度进行控制。温度控制装置63可以具有将清洗液70的温度控制为上述范围以外的功能或能力。例如，温度控制装置63可以具有将清洗液70的温度控制为10℃以上30℃以下、或15℃以上30℃以下的功能或能力。

清洗液70中的碘的浓度例如可以为5g/L以上，可以为6g/L以上，也可以为8g/L以上。碘的浓度例如可以为10g/L以下，可以为15g/L以下，也可以为20g/L以下。碘的浓度的范围可以通过由5g/L、6g/L和8g/L构成的第1组、和/或由10g/L、15g/L和20g/L构成的第2组而确定。碘的浓度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。碘的浓度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。碘的浓度的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为5g/L以上20g/L以下，可以为5g/L以上15g/L以下，可以为5g/L以上10g/L以下，可以为5g/L以上8g/L以下，可以为5g/L以上6g/L以下，可以为6g/L以上20g/L以下，可以为6g/L以上15g/L以下，可以为6g/L以上10g/L以下，可以为6g/L以上8g/L以下，可以为8g/L以上20g/L以下，可以为8g/L以上15g/L以下，可以为8g/L以上10g/L以下，可以为10g/L以上20g/L以下，可以为10g/L以上15g/L以下，也可以为15g/L以上20g/L以下。

碘的浓度能够通过例如向清洗液70补充碘化钾或碘的固体、或者补充水而调整。

碘的浓度是假定存在于清洗液70中的碘全部处于碘分子I₂的形态的情况下的数值。作为测定碘的浓度的方法，可以使用氧化还原滴定。

清洗液70的pH例如可以为4.00以上，可以为4.10以上，也可以为4.25以上。清洗液70的pH例如可以为4.50以下，可以为4.80以下，也可以为5.00以下。清洗液70的pH的范围可以通过由4.00、4.10和4.25构成的第1组、和/或由4.50、4.80和5.00构成的第2组而确定。清洗液70的pH的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。清洗液70的pH的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。清洗液70的pH的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为4.00以上5.00以下，可以为4.00以上4.80以下，可以为4.00以上4.50以下，可以为4.00以上4.25以下，可以为4.00以上4.10以下，可以为4.10以上5.00以下，可以为4.10以上4.80以下，可以为4.10以上4.50以下，可以为4.10以上4.25以下，可以为4.25以上5.00以下，可以为4.25以上4.80以下，可以为4.25以上4.50以下，可以为4.50以上5.00以下，可以为4.50以上4.80以下，也可以为4.80以上5.00以下。

作为测定碘的pH的方法，可以使用AS-1pH计AS600。作为用于校正pH计的pH标准液，可以使用pH4.01、pH6.86、pH9.18。

使用清洗液70的清洗处理的时间例如可以为1分钟以上，可以为5分钟以上，也可以为10分钟以上。清洗工序的时间例如可以为20分钟以下，可以为40分钟以下，也可以为60分钟以下。清洗工序的时间的范围可以通过由1分钟、5分钟和10分钟构成的第1组、和/或由20分钟、40分钟和60分钟构成的第2组而确定。清洗工序的时间的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。清洗工序的时间的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。清洗工序的时间的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为1分钟以上60分钟以下，可以为1分钟以上40分钟以下，可以为1分钟以上20分钟以下，可以为1分钟以上10分钟以下，可以为1分钟以上5分钟以下，可以为5分钟以上60分钟以下，可以为5分钟以上40分钟以下，可以为5分钟以上20分钟以下，可以为5分钟以上10分钟以下，可以为10分钟以上60分钟以下，可以为10分钟以上40分钟以下，可以为10分钟以上20分钟以下，可以为20分钟以上60分钟以下，可以为20分钟以上40分钟以下，也可以为40分钟以上60分钟以下。

清洗装置60可以具备2个以上的清洗槽61。图9所示的例中，清洗装置60具备第1清洗槽61、第2清洗槽61和第3清洗槽61。这种情况下，清洗装置60可以在清洗槽61之间具备对掩模50进行传送的传送机构。图9所示的例中，如箭头A1所示，传送机构将掩模50浸渍于第1清洗槽61的清洗液70。接着，经过处理时间之后，传送机构将掩模50从第1清洗槽61的清洗液70拉起。接着，如箭头B1所示，传送机构将掩模50从第1清洗槽61传送至第2清洗槽61。接着，如箭头A2所示，传送机构将掩模50浸渍于第2清洗槽61的清洗液70。接着，经过处理时间之后，传送机构将掩模50从第2清洗槽61的清洗液70拉起。接着，如箭头B2所示，传送机构将掩模50从第2清洗槽61传送至第3清洗槽61。接着，如箭头A3所示，传送机构将掩模50浸渍于第3清洗槽61的清洗液70。接着，经过处理时间之后，传送机构将掩模50从第3清洗槽61的清洗液70拉起。

清洗装置60具备2个以上的清洗槽61，从而能够一边使各清洗槽61中的处理时间维持一定，一边调整掩模50所受的清洗处理的总时间。清洗装置60具备2个以上的清洗槽61的情况下，上述清洗处理的时间的数值范围适用掩模50在2个以上的清洗槽61中所受的清洗处理的总时间。

清洗工序可以具备对清洗液70施加超声波的超声波工序。这种情况下，清洗装置60可以具备超声波控制装置62。超声波控制装置62对向清洗液70施加的超声波的频率、输出功率等进行控制。超声波控制装置62包含例如超声波振子。超声波振子包含例如压电陶瓷。

超声波振子可以以与清洗液70接触的方式配置于清洗槽61的内侧。这种情况下，超声波振子可以不固定于清洗槽61、即所谓投入式。或者，超声波振子也可以固定于清洗槽61。

超声波振子也可以固定于清洗槽61的壁面。例如，超声波振子可以设置于清洗槽61的外侧中的清洗槽61的底面。

超声波的频率例如可以为50kHz以上，可以为75kHz以上，也可以为100kHz以上。超声波的频率例如可以为200kHz以下，可以为500kHz以下，也可以为1MHz以下。超声波的频率的范围可以通过由50kHz、75kHz和100kHz构成的第1组、和/或由200kHz、500kHz和1MHz构成的第2组而确定。超声波的频率的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。超声波的频率的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。超声波的频率的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为50kHz以上1MHz以下，可以为50kHz以上500kHz以下，可以为50kHz以上200kHz以下，可以为50kHz以上100kHz以下，可以为50kHz以上75kHz以下，可以为75kHz以上1MHz以下，可以为75kHz以上500kHz以下，可以为75kHz以上200kHz以下，可以为75kHz以上100kHz以下，可以为100kHz以上1MHz以下，可以为100kHz以上500kHz以下，可以为100kHz以上200kHz以下，可以为200kHz以上1MHz以下，可以为200kHz以上500kHz以下，也可以为500kHz以上1MHz以下。

超声波的输出功率密度例如可以为0.005W/cm²以上，可以为0.01W/cm²以上，也可以为0.027W/cm²以上。超声波的输出功率密度例如可以为0.054W/cm²以下，0.081W/cm²以下，可以为0.085W/cm²以下，也可以为0.1W/cm²以下。超声波的输出功率密度的范围可以通过由0.005W/cm²、0.01W/cm²和0.027W/cm²构成的第1组、和/或由0.054W/cm²、0.081W/cm²、0.085W/cm²和0.1W/cm²构成的第2组而确定。超声波的输出功率密度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。超声波的输出功率密度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。超声波的输出功率密度的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为0.005W/cm²以上0.1W/cm²以下，可以为0.005W/cm²以上0.085W/cm²以下，可以为0.005W/cm²以上0.081W/cm²以下，可以为0.005W/cm²以上0.054W/cm²以下，可以为0.005W/cm²以上0.027W/cm²以下，可以为0.005W/cm²以上0.01W/cm²以下，可以为0.01W/cm²以上0.1W/cm²以下，可以为0.01W/cm²以上0.085W/cm²以下，可以为0.01W/cm²以上0.081W/cm²以下，可以为0.01W/cm²以上0.054W/cm²以下，可以为0.01W/cm²以上0.027W/cm²以下，可以为0.027W/cm²以上0.1W/cm²以下，可以为0.027W/cm²以上0.085W/cm²以下，可以为0.027W/cm²以上0.081W/cm²以下，可以为0.027W/cm²以上0.054W/cm²以下，可以为0.054W/cm²以上0.1W/cm²以下，可以为0.054W/cm²以上0.081W/cm²以下，可以为0.054W/cm²以上0.085W/cm²以下，可以为0.081W/cm²以上0.1W/cm²以下，也可以为0.085W/cm²以上0.1W/cm²以下。

超声波的输出功率密度可以通过将超声波控制装置62中所设定的超声波的输出功率除以超声波振子的面积而算出。

如图9所示，清洗装置60可以具备容纳了处理液76的清洗槽61。处理液76例如为水。通过将掩模50浸渍于处理液76，能够除去附着于掩模50的清洗液70。如图9所示，清洗装置60可以具备使掩模50干燥的干燥装置77。

清洗工序可以具备在浸渍工序之前实施的预处理工序。预处理工序包含例如对附着于掩模50的蒸镀材料照射激光的激光照射工序。清洗工序也可以不包含激光照射工序。即使在不实施激光照射工序的情况下，也能够通过利用溶解而将导电性材料从掩模50除去，从而将掩模50合适地清洗。

接下来，对制造有机器件100的方法的一例进行说明。

首先，准备形成有第1电极120的基板110。第1电极120例如是通过溅射法等将构成第1电极120的导电层形成于基板110后，通过光刻法等将导电层进行图案化而形成的。位于相邻的2个第1电极120之间的绝缘层160也可以形成于基板110。

接着，将包含第1有机层130A、第2有机层130B等的有机层130形成于第1电极120上。第1有机层130A例如可以通过使用了掩模的蒸镀法而形成，所述掩模具有与第1有机层130A对应的贯通孔。例如，能够通过使有机材料等经由掩模而蒸镀在与第1有机层130A对应的第1电极120上，从而形成第1有机层130A。第2有机层130B也可以通过使用了掩模的蒸镀法而形成，所述掩模具有与第2有机层130B对应的贯通孔。

接着，实施在有机层130上形成第2电极140的第2电极形成工序。例如，实施通过使用了第1掩模50的蒸镀法而形成第2电极140的第1层140A的工序。例如，使金属材料等导电性材料等经由第1掩模50而蒸镀于有机层130等之上，能够形成第1层140A。接着，可以实施通过使用了第2掩模的蒸镀法而形成第2电极140的第2层140B的工序。例如，使金属材料等导电性材料等经由第2掩模50而蒸镀于有机层130等之上，能够形成第2层140B。像这样，如图1所示，能够形成包含第1层140A和第2层140B的第2电极140。由此，能够得到图1所示的有机器件100。

接着，可以实施清洗工序，所述清洗工序通过使用了上述清洗液70的清洗方法而对第1掩模50、第2掩模50等掩模50进行清洗。由此，能够除去附着于掩模50的导电性材料。另外，能够抑制清洗时在掩模50产生孔等缺陷。因此，能够再度利用掩模50。

上述一实施方式可以进行各种变更。以下，根据需要一边参照附图，一边对其它实施方式进行说明。在以下的说明和以下的说明所使用的附图中，对可以与上述一实施方式同样地构成的部分，使用与上述一实施方式中的对应的部分所使用的符号相同的符号。省略重复的说明。另外，上述一实施方式中所得的作用效果显然也可在其它实施方式中获得的情况下，有时会省略其说明。

图10是示出形成第2电极140时所使用的掩模50的一例的俯视图。2个以上的贯通孔53可以沿第1方向排列。各贯通孔53也可以沿与第1方向正交的方向延展。

清洗液可以包含碘化钾、碘和有机化合物。有机化合物包含1个以上的羧基。有机化合物可以包含羧酸、氨基酸、硝基羧酸等有机酸。有机化合物也可以包含有机酸的盐。有机酸的盐可以包含离子键。离子键可以在羧基中产生。有机酸的盐的例子为铵盐、钠盐、钾盐等。铵盐包含“-COONH₄”结构。钠盐包含“-COONa”结构。钾盐包含“-COOK”结构。

有机酸包含2个羧基的情况下，可以在1个羧基中生成离子键，也可以在2个羧基中生成离子键，也可以不生成离子键。在2个羧基中生成的离子键可以相同，也可以不同。例如，有机酸的盐可以包含铵盐、钠盐、钾盐之中的1种，也可以包含2种。

有机酸包含3个羧基的情况下，可以在1个羧基中生成离子键，可以在2个羧基中生成离子键，可以在3个羧基中生成离子键，也可以不生成离子键。在3个以上的羧基中生成的离子键可以相同，可以不同。例如，有机酸的盐可以包含铵盐、钠盐、钾盐之中的1种，可以包含2种，也可以包含3种。

清洗液包含有机化合物或有机酸的盐，从而能够抑制清洗时在掩模50产生孔等缺陷。作为理由之一，认为清洗时存在于掩模50的表面或其周边的有机化合物或有机酸的盐作为保护材料而发挥功能。但是，能够抑制缺陷的理由不限于上述理由。

清洗液中的有机化合物或有机酸的盐的浓度例如可以为1.0g/L以上，可以为3.0g/L以上，也可以为10g/L以上。有机化合物或有机酸的盐的浓度例如可以为50g/L以下，可以为150g/L以下，也可以为450g/L以下。有机化合物或有机酸的盐的浓度的范围可以通过由1.0g/L、3.0g/L和10g/L构成的第1组、和/或由50g/L、150g/L和450g/L构成的第2组而确定。有机化合物或有机酸的盐的浓度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意一者与上述第2组所包含的值之中的任意一者的组合而确定。有机化合物或有机酸的盐的浓度的范围可以由上述第1组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。有机化合物或有机酸的盐的浓度的范围可以由上述第2组所包含的值之中的任意两者的组合而确定。例如，可以为1.0g/L以上450g/L以下，可以为1.0g/L以上150g/L以下，可以为1.0g/L以上50g/L以下，可以为1.0g/L以上10g/L以下，可以为1.0g/L以上3.0g/L以下，可以为3.0g/L以上450g/L以下，可以为3.0g/L以上150g/L以下，可以为3.0g/L以上50g/L以下，可以为3.0g/L以上10g/L以下，可以为10g/L以上450g/L以下，可以为10g/L以上150g/L以下，可以为10g/L以上50g/L以下，可以为50g/L以上450g/L以下，可以为50g/L以上150g/L以下，也可以为150g/L以上450g/L以下。

羧酸、氨基酸、硝基羧酸等有机酸的例子为：甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、异丁酸、戊酸、异戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、月桂酸、十四酸、十五酸、棕榈酸、十七酸、硬脂酸、油酸、亚油酸、亚麻酸、结核菌硬脂酸、花生酸、花生四烯酸、二十烷五烯酸、山嵛酸、二十二碳六烯酸、山梨酸、乳酸、苹果酸、乙醇酸、柠檬酸、酒石酸、葡萄糖酸、苯甲酸、邻苯二甲酸、间苯二甲酸、对苯二甲酸、水杨酸、没食子酸、苯六甲酸、肉桂酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、富马酸、马来酸、乌头酸、乙酰甲酸、草酰乙酸、氨基酸、谷氨酸、天冬氨酸、精氨酸、赖氨酸、组氨酸、谷氨酰胺、丙氨酸、苏氨酸、脯氨酸、甲硫氨酸、甘氨酸、甘氨酰甘氨酸、甘氨酰甘氨酰甘氨酸、丙氨酸、甘氨酰丙氨酸、氨基己酸、缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸、丝氨酸、苏氨酸、半胱氨酸、甲硫氨酸、赖氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、脯氨酸、苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸、苏氨酸、胱氨酸、羟基脯氨酸、羟基赖氨酸、甲状腺素、O-磷酸丝氨酸、β-丙氨酸、肌氨酸、鸟氨酸、瓜氨酸、甲胍基乙酸、γ-氨基丁酸、冠瘿碱(opine)、三甲基甘氨酸、茶氨酸、三氨基酸、红藻氨酸、软骨藻酸、石斛酸、丙烯醛酸、硝基乙酸、邻亚硝基苯甲酸、间亚硝基苯甲酸、对亚硝基苯甲酸、邻硝基苯甲酸、间硝基苯甲酸、对硝基苯甲酸、2,4-二硝基苯甲酸、2,4,6-三硝基苯甲酸、3-硝基邻苯二甲酸、5-硝基间苯二甲酸、硝基对苯二甲酸、3-硝基邻苯二甲酸酐等。

氨基酸可以为α-氨基酸。除了甘氨酸以外的α-氨基酸可以仅包含L体，可以仅包含D体，也可以包含L体和D体。

实施例

接下来，通过实施例对本申请的实施方式进行更具体的说明，但本申请的实施方式只要不超出其要点，则不限于以下的实施例所述。

例1

准备由包含36重量％的镍的铁合金构成的金属板。金属板的厚度为26μm。接着，通过将金属板切断，制作了用于实施评价1和评价2的2个样品。也将用于评价1和评价2的2个样品称作第1样品和第2样品。俯视下的样品的形状为具备70mm的长边和20mm的短边的长方形。

准备包含碘化钾和碘的清洗液。清洗液的材料如下述所示。

·包含碘化钾的剥离剂450g

·纯水1000ml

·关东化学公司制造的碘20g

作为剥离剂，使用奥野制药工业公司制造的TOP RIP ISG-S。在准备工序中，首先，向TOP RIP ISG-S加入纯水而制作水溶液。接着，向水溶液加入碘，从而制作了清洗液。

由于碘化钾与纯水混合时会发生吸热反应，因此水溶液的温度降低。在低温的状态下向水溶液加入碘时，碘难以溶于水溶液。考虑到该点，在水溶液的温度恢复到原来的纯水的温度后，向水溶液加入碘。

剥离剂中的碘化钾的浓度为90重量％。清洗液中的碘的浓度为20g/L。清洗液的pH为4.32。

准备容纳有清洗液的清洗槽61。清洗液的容积为50ml。清洗液的温度为35℃。接着，将样品在清洗液70中浸渍60分钟。

将从清洗液中取出的样品的表面用流水漂洗5分钟，用喷气枪除去水滴后，实施评价1。评价1中，使用光学显微镜观察样品的表面。第1样品的表面和第2样品的表面上观察到超过10μm尺寸的孔。观察条件如下所述。

倍率：50倍

观察范围：150.0μm(纵)×180.0μm(横)

测定超过10μm尺寸的孔的数量和尺寸。结果示于图11的“评价1”一列。图11的“评价1”的“判定”一列中，“NG”表示在第1样品的表面或第2样品的表面观察到超过10μm尺寸的孔。“OK”表示未在第1样品的表面和第2样品的表面观察到超过10μm尺寸的孔。“评价1”的“个数”一列表示超过10μm尺寸的孔的数量。“评价1”的“尺寸”一列表示俯视下孔的最大尺寸。“个数”和“尺寸”一列的上段表示第1样品的评价结果。“个数”和“尺寸”一列的下段表示第2样品的评价结果。例1的第1样品中，超过10μm尺寸的孔的数量为5，5个孔之中最大的孔在俯视下具有90μm尺寸。例1的第2样品中，超过10μm尺寸的孔的量数为3，3个孔之中最大的孔在俯视下具有70μm尺寸。

在评价1之外，实施了评价2。在评价2中，对从清洗液中取出的样品的表面，在与评价1的情况相同的条件下，使用光学显微镜进行观察。结果示于图11的“评价2”一列。“评价2”一列中，“OK”表示未在第1样品的表面和端面以及第2样品的表面和端面观察到裂纹。“NG”表示在第1样品的表面和端面以及第2样品的表面和端面观察到裂纹。

例2～6

改变清洗液的温度，与例1的情况同样地实施评价1和评价2。结果示于图11。

清洗液的温度小于25℃的情况下，具体地为23℃以下的情况下，未观察到孔。另一方面，清洗液的温度为25℃以上的情况下，观察到孔。可以认为，温度降低导致清洗速度降低，因此抑制了孔的发生。

关于例4～例6，使用第3样品和第4样品实施评价3。评价3中，对清洗方法中的清洗特性进行评价。

具体地说，首先，与例1的情况同样地，准备包含36重量％的镍的铁合金构成的金属板。金属板的厚度为26μm。接着，将金属板切断，从而制作了样品。俯视下的样品的形状为具备70mm的长边和20mm的短边的长方形。接着，通过蒸镀法将镁银的膜形成在样品上。

上述第3样品是指形成有镁银的膜的样品。镁银的膜的厚度为500nm。镁银中的镁与银的膜厚的比例为9：1。镁与银的膜厚的比例是利用蒸镀时的水晶振子而检测。

上述第4样品是指形成有具有与第3样品的情况下不同的比例的镁银的膜的样品。镁银的膜的厚度为500nm。镁银中的镁与银的膜厚的比例为1：9。镁与银的膜厚的比例是利用蒸镀时的水晶振子而检测。

接着，利用例4～例6的清洗方法将第3样品和第4样品分别清洗10分钟。其后，将从清洗液中取出的第3样品和第4样品的表面用流水漂洗5分钟，用喷气枪除去水滴后，使用光学显微镜进行观察。对利用光学显微镜而观察到的图像，用目视确认到在例4～例5中，从第3样品和第4样品除去了镁银的膜。未确认到镁银的膜的残渣。图11的“评价3”一列中，“OK”表示对使用光学显微镜观察到的图像进行目视的结果，确认到从第3样品和第4样品除去了镁银的膜，未确认到镁银的膜的残渣。

在例6中，在清洗时间为10分钟的情况下，未从第3样品和第4样品完全除去镁银的膜。清洗时间为30分钟的情况下，从第3样品和第4样品除去了镁银的膜，未确认到镁银的膜的残渣。

例7

与例4的情况同样地，实施了评价1和评价2。具体地说，准备与例4的情况相同的容纳有清洗液的清洗槽61。接着，使用超声波振子，向清洗液施加具有1MHz的频率和50W的输出功率的超声波。超声波振子的面积为370×250mm²。超声波的输出功率密度为0.054W/cm²。接着，在与例4的情况相同的条件下，将样品浸渍于清洗液。

对从清洗液中取出的样品的表面，在与例1的情况相同的条件下，使用光学显微镜进行观察。在样品的表面未观察到超过10μm尺寸的孔。可以认为，通过设定为高频，因为降低了由空孔现象导致的对样品的损害，从而抑制了孔的发生。

另外，与例4的情况同样地，实施评价3。具体地说，根据例7的清洗方法对第3样品和第4样品分别清洗10分钟。对从清洗液中取出的第3样品和第4样品的表面，在与例4的情况相同的条件下进行观察。确认到从第3样品和第4样品除去了镁银的膜。未确认到镁银的膜的残渣。

例8～13

改变超声波的频率或输出功率，与例4的情况同样地实施评价1和评价2。结果示于图11。如图11的“评价2”一列所示，例10、11中，在样品中观察到裂纹。可以认为，裂纹是基于超声波而产生的。在例8、9、13的清洗方法中，评价1、2的任一者都是OK。可以认为，通过设定为高频、低输出功率，减少了由空孔现象导致的对样品的损害，从而抑制了孔的发生。

另外，与例4的情况同样地，实施评价3。具体地说，利用例8、9、13的清洗方法将第3样品和第4样品分别清洗10分钟。对从清洗液中取出的第3样品和第4样品的表面，在与例4的情况相同的条件下进行观察。确认到从第3样品和第4样品除去了镁银的膜。未确认到镁银的膜的残渣。

从例7～例11可知，向清洗液施加的超声波的频率优选为50kHz以上，更优选为100kHz以上。从例9、12、13可知，向清洗液施加的超声波的输出功率密度优选为0.1W/cm²以下，更优选为0.085W/cm²以下。

例14～18

改变清洗液的碘的浓度和剥离剂的浓度中的至少一者，与例9的情况同样地，实施评价1和评价2。结果示于图11。在例15～18的清洗方法中，评价1、2的任一者都为OK。从例9、14、15可知，清洗液的碘的浓度优选小于40g/L，更优选为20g/L以下。从例14～18可知，清洗液的碘的浓度可以为10g/L以下，可以为8g/L以下，也可以为6g/L以下。清洗液的剥离剂的浓度可以为300g/L以下。可以认为，因为降低清洗液的剥离剂或碘浓度会降低清洗效率，因此抑制了孔的发生。从例13～18可知，清洗液的pH为4.0以上的情况下，评价2为OK。清洗液的pH为4.24的情况下，评价1为NG，清洗液的pH为4.25以上的情况下，评价1也为OK。清洗液的pH优选为4.0以上，更优选为4.25以上。

另外，与例4的情况同样地，实施评价3。具体地说，利用例15～18的清洗方法将第3样品和第4样品分别清洗10分钟。对从清洗液中取出的第3样品和第4样品的表面，在与例4的情况相同的条件下进行观察。确认到从第3样品和第4样品除去了镁银的膜。未确认到镁银的膜的残渣。

例19

除了使用碘化钾450g作为剥离剂以外，与例9的情况同样地，实施评价1和评价2。结果示于图11。从例9、14～19可知，清洗液的pH优选为5.00以下。

例20～23

改变清洗液的温度，与例9的情况同样地，实施评价1和评价2。如图11所示，在例20～23中，未观察到孔和裂纹。在例20～23中，与例9的情况相比，因为清洗液的温度低，所以难以生成孔、裂纹等缺陷。因此，认为例20～23的评价结果是妥当的。

从例7～11的评价结果可知，超声波的频率越高，越难以生成孔、裂纹等缺陷。因此，虽然图11中未示出，但可以预测到像例20～23那样将清洗液的温度设定为10℃以上20℃以下、将超声波的频率设定为200kHz以上1000kHz以下的情况下，不会观察到孔和裂纹。

对清洗液施加超声波时，虽然清洗的能力提高了，但易于生成孔、裂纹等缺陷。因此，虽然图11中未示出，但可以预测到像例23那样将清洗液的温度设定为10℃、不对清洗液施加超声波的情况下，不会观察到孔和裂纹。

另外，与例9的情况同样地，实施评价3。结果示于图11。

例24

将清洗液的温度改变为18℃，与例1的情况同样地，实施评价1～3。结果示于图11。

例25

将清洗液的碘的浓度改变为10g/L，与例24的情况同样地，实施评价1～3。结果示于图11。关于评价3，清洗时间为10分钟的情况下，未从第3样品和第4样品完全除去镁银的膜。清洗时间为30分钟的情况下，从第3样品和第4样品除去了镁银的膜，且未确认到镁银的膜的残渣。

清洗液的温度为18℃的情况下，可以预测到在10g/L以上20g/L以下的碘的浓度的范围中，会产生与例24和例25同样的结果。

例26

将清洗液的碘的浓度改变为10g/L，与例6的情况同样地，实施评价1～3。结果示于图11。关于评价3，清洗时间为10分钟的情况下，未从第3样品和第4样品完全除去镁银的膜。清洗时间为30分钟的情况下，从第3样品和第4样品除去了镁银的膜，且未确认到镁银的膜的残渣。

清洗液的温度为15℃的情况下，可以预测到在10g/L以上20g/L以下的碘的浓度的范围中，会产生与例6和例26同样的结果。

符号的说明

4 冷却板

5 磁铁

6 蒸镀源

7 蒸镀材料

8 加热器

10 蒸镀装置

40 掩模装置

41 框架

42 开口

50 掩模

51 金属板

51a 第1面

51b 第2面

53 贯通孔

56 缺陷

60 清洗装置

61 清洗槽

62 超声波控制装置

63 温度控制装置

70 清洗液

76 处理液

77 干燥装置

100 有机器件

110 基板

111 第1面

112 第2面

115A 第1元件

115B 第2元件

120 第1电极

130 有机层

130A 第1有机层

130B 第2有机层

140 第2电极

140A 第1层

140B 第2层

145 电极重叠区域

160 绝缘层

Claims (15)

1.一种清洗方法，其为对掩模进行清洗的清洗方法，其中，所述清洗方法具备通过使清洗液与所述掩模接触而对所述掩模进行清洗的清洗工序，

所述清洗液包含碘化钾和碘，

所述清洗液的温度小于25℃。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，所述清洗工序具备将所述掩模浸渍在容纳于清洗槽的所述清洗液中的浸渍工序。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其中，所述清洗工序具备对所述清洗液施加超声波的超声波工序。

4.根据权利要求3所述的清洗方法，其中，所述超声波的频率为100kHz以上。

5.根据权利要求4所述的清洗方法，其中，所述超声波的频率为1MHz以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其中，所述清洗液中的所述碘的浓度为20g/L以下。

7.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其中，所述清洗液的pH为5.00以下。

8.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其中，所述掩模包含含有镍的铁合金。

9.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其中，所述掩模的厚度为100μm以下。

10.根据权利要求1～5中任一项所述的清洗方法，其中，所述清洗工序除去附着于所述掩模的金属材料。

11.根据权利要求10所述的清洗方法，其中，所述金属材料包含镁银。

12.一种清洗液，其为用于对掩模进行清洗而使用的清洗液，其中，所述清洗液包含碘化钾和碘。

13.一种清洗装置，其为对掩模进行清洗的清洗装置，其中，

所述清洗装置具备容纳清洗液的至少1个的清洗槽，

所述清洗液包含碘化钾和碘。

14.根据权利要求13所述的清洗装置，其中，

所述至少1个的清洗槽包含容纳所述清洗液的第1清洗槽和容纳所述清洗液的第2清洗槽，

所述清洗装置具备将所述掩模从所述第1清洗槽传送至所述第2清洗槽的传送机构。

15.一种制造方法，其为有机器件的制造方法，其中，

该制造方法具备：

第2电极形成工序，其依次使用2个以上的掩模通过蒸镀法在基板上的第1电极上的有机层上形成第2电极；和

清洗工序，其通过使权利要求12所述的清洗液与所述掩模接触而对所述掩模进行清洗。

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