JP7004444B2 - 電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、センサと、半導体装置と、を有する電子機器であり、半導体装置は、第1積和演算回路と、第2積和演算回路と、第1スイッチ回路と、第2スイッチ回路と、を有し、第1積和演算回路は、第1端子を有し、第2積和演算回路は、第2端子を有し、第1スイッチ回路は、第3端子と、第4端子と、を有し、第2スイッチ回路は、第5端子と、第6端子と、を有し、第1端子は、第3端子と電気的に接続され、第2端子は、第5端子と電気的に接続され、第4端子は、第6端子と電気的に接続され、第1スイッチ回路は、第3端子と、第4端子と、の間を導通状態、又は非導通状態にする機能を有し、第2スイッチ回路は、第5端子と、第6端子と、の間を導通状態、又は非導通状態にする機能を有し、センサは、第1データを取得する機能を有し、半導体装置は、第1データと、利用者によって選択された第2データと、に応じて、第3データを生成する機能を有し、第2データは、第1輝度及び第1色調に対応する設定値を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)において、第1表示素子と、第2表示素子と、を有し、第3データは、第2輝度及び第2色調に対応する設定値を有する第4データと、第3輝度及び第3色調に対応する設定値を有する第5データと、を有し、第1表示素子は、光の反射によって、第2輝度及び第2色調に対応する設定値に応じた画像を表示する機能を有し、第2表示素子は、自発光によって、第3輝度及び第3色調に対応する設定値に応じた画像を表示する機能を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)、又は前記(2)において、第2スイッチ回路の構成は、第1スイッチ回路と同じ構成であり、第5端子は、第3端子に相当し、第6端子は、第4端子に相当し、第1スイッチ回路は、第1トランジスタと、第2トランジスタと、第1容量素子と、を有し、第1トランジスタのソース又はドレインの一方は、第2トランジスタのゲートと電気的に接続され、第1容量素子の1対の電極の一方は、第1トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、第2トランジスタのソース又はドレインの一方は、第3端子と電気的に接続され、第2トランジスタのソース又はドレインの他方は、第4端子の各々と電気的に接続されることを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(3)において、第1トランジスタと、第2トランジスタと、の少なくとも一のチャネル形成領域は、インジウム、元素M(元素Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズ)、亜鉛の少なくとも一を含む酸化物を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)乃至(4)のいずれか一において、第2積和演算回路の構成は、第1積和演算回路と同じ構成であり、第1積和演算回路は、第1メモリセルと、第2メモリセルと、オフセット回路と、を有し、第1メモリセルは、オフセット回路と電気的に接続され、第2メモリセルは、オフセット回路と電気的に接続され、第1メモリセルは、第1アナログデータを保持する機能と、第1信号を選択信号として印加したときに、第1アナログデータに応じた第1電流を流す機能と、を有し、第2メモリセルは、第2アナログデータを保持する機能と、第1信号を選択信号として印加したときに、第2アナログデータに応じた第2電流を流す機能と、を有し、オフセット回路は、第1電流と第2電流との差分電流に相当する第3電流を流す機能を有し、第1メモリセルは、第2信号を選択信号として印加したときに、第2信号と、第1アナログデータと、に応じた第4電流を流す機能と、を有し、第2メモリセルは、第2信号を選択信号として印加したときに、第2信号と、第2アナログデータと、に応じた第5電流を流す機能と、を有し、第1積和演算回路は、第4電流と第5電流との差分電流から第3電流を差し引いた第6電流を出力する機能を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(5)において、第1メモリセルと、第2メモリセルと、オフセット回路と、は、それぞれ第3トランジスタを有し、第3トランジスタは、チャネル形成領域に、インジウム、元素M(元素Mはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、またはスズ)、亜鉛の少なくとも一を含む酸化物を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(1)乃至(6)のいずれか一において、センサは、第1センサ部を有し、第1センサ部は、第1遮光膜と、第2遮光膜と、複数の光センサと、を有し、第1遮光膜は、第1距離の間隔毎に、複数の第1開口部を有し、第2遮光膜は、第1距離よりも長い第2距離の間隔毎に、複数の第2開口部を有し、第1遮光膜は、光センサの上方に位置し、第2遮光膜は、第1遮光膜の上方に位置し、複数の光センサの一と、複数の第1開口部の一と、複数の第2開口部の一と、が互いに重なる領域を有することを特徴とする電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(7)において、センサは、第2センサ部を有し、第2センサ部は、加速度センサを有する電子機器である。
又は、本発明の一態様は、前記(8)に記載の電子機器の動作方法であって、第1乃至第6ステップを有し、第1ステップは、電子機器に、第2データが入力されるステップを有し、第2ステップは、第1センサ部において、光を受けることで、光の照度、及び入射角度に応じた第6データを生成するステップを有し、第3ステップは、第2センサ部において、電子機器の傾きに応じた第7データを生成するステップを有し、第1データは、第6データと、第7データと、を有し、第4ステップは、第1データを、センサから半導体装置に送信するステップを有し、第5ステップは、半導体装置において、第1データと、第2データと、に応じて、重み係数を出力するステップを有し、第6ステップは、半導体装置において、第1データと、重み係数と、に応じて、第3データを出力するステップを有することを特徴とする動作方法である。
又は、本発明の一態様は、センサと、半導体装置と、表示部と、を有する移動体であり、半導体装置は、第1積和演算回路と、第2積和演算回路と、第1スイッチ回路と、第2スイッチ回路と、を有し、第1積和演算回路は、第1端子を有し、第2積和演算回路は、第2端子を有し、第1スイッチ回路は、第3端子と、第4端子と、を有し、第2スイッチ回路は、第5端子と、第6端子と、を有し、第1端子は、第3端子と電気的に接続され、第2端子は、第5端子と電気的に接続され、第4端子は、第6端子と電気的に接続され、第1スイッチ回路は、第3端子と、第4端子と、の間を導通状態、又は非導通状態にする機能を有し、第2スイッチ回路は、第5端子と、第6端子と、の間を導通状態、又は非導通状態にする機能を有し、センサは、第1データを取得する機能を有し、半導体装置は、第1データと、利用者によって選択された第2データと、に応じて、第3データを生成する機能を有し、第2データは、第1輝度及び第1色調に対応する設定値を有し、表示部は、第3データに基づき表示を行う移動体である。
又は、本発明の一態様は、前記(10)において、センサは、筐体に設けられている移動体である。
<構成例>
本実施の形態では、上述した課題を解決することができるハイブリッド表示装置を有する電子機器の例について、説明する。
また、図示していないが、図1(A)に示した情報端末5200は、マイクを有する構成であってもよい。この構成により、例えば、情報端末5200に携帯電話のような通話機能を付することができる。
本実施の形態では、実施の形態1に示したハイブリッド表示装置の表示部を制御するコントローラIC(Integrated Chip)について、説明する。
図2は、コントローラIC115の構成例を示すブロック図である。コントローラIC115は、インターフェース150、フレームメモリ151、デコーダ152、センサコントローラ153、コントローラ154、クロック生成回路155、画像処理部160、メモリ170、タイミングコントローラ173、レジスタ175、ソースドライバ180、およびタッチセンサコントローラ184を有する。
本実施の形態では、実施の形態2で説明した情報処理回路165が有するニューラルネットワークの回路の構成例について説明する。
本発明の一態様のハイブリッド表示装置に利用できるニューラルネットワークの種類の一として、階層型ニューラルネットワークについて説明する。
次に、階層型ニューラルネットワークを構成する半導体装置の例について、説明する。
スイッチ回路MSWの構成の一例を図8に示す。図8に示すスイッチ回路MSW1は、一方のx本の配線と、他方のx本の配線と、を電気的に接続する、又は非接続にする回路である。xは、1以上の整数であり、構成する配線の本数によって変更することができる。例えば、スイッチ回路MSW-RW、又はスイッチ回路MSW-WWに、スイッチ回路MSW1を用いる場合、xをnとして構成すればよい。また、例えば、スイッチ回路MSW-B、及びスイッチ回路MSW-WDに、スイッチ回路MSW1を用いる場合、xをmとして構成すればよい。
スイッチ回路MSWの構成について、図8とは別の一例を図9に示す。図9に示すスイッチ回路MSW2は、スイッチ回路MSW1と同様に、一方のx本の配線と、他方のx本の配線と、を電気的に接続する、又は非接続にする回路である。xは構成する配線の本数によって変更することができる。
図7(A)に示した回路NNCの具体的な一例を図10に示す。
次に、上述した階層型ニューラルネットワークを実現するための積和演算回路の構成例について、説明する。
次に、オフセット回路710に適用できる回路構成の例について説明する。図12に、オフセット回路710の一例として、オフセット回路711を示す。
次に、定電流回路CI、及び定電流回路CIrefの内部の構成例について説明する。
次に、カレントミラー回路CMの内部の構成例について説明する。
次に、メモリセルアレイ720に適用できる回路構成の例について説明する。図17に、メモリセルアレイ720の一例として、メモリセルアレイ721を示す。
ここでは、半導体装置700の動作の一例について説明する。なお、本動作例で説明する半導体装置700は、オフセット回路710として、図18に示すオフセット回路751を適用し、かつ半導体装置700のメモリセルアレイ720として、図19に示すメモリセルアレイ760を適用した構成とする。
時刻T01から時刻T02までの間において、配線WW[i]に高レベル電位(図20ではHighと表記している。)が印加され、配線WW[i+1]に低レベル電位(図20ではLowと表記している。)が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位(図20ではGNDと表記している。)よりもVPR-VX[i,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR-VX[i,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]にはそれぞれ基準電位(図20ではREFPと表記している。)が印加されている。
時刻T02から時刻T03までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr11のゲートに低レベル電位が印加されるため、メモリセルAM[i,j]、メモリセルAM[i,j+1]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr11は非導通状態となる。
時刻T03から時刻T04までの間において、配線WW[i]に低レベル電位が印加され、配線WW[i+1]に高レベル電位が印加されている。加えて、配線WD[j]には接地電位よりもVPR-VX[i+1,j]大きい電位が印加され、配線WD[j+1]には接地電位よりもVPR-VX[i+1,j+1]大きい電位が印加され、配線WDrefには接地電位よりもVPR大きい電位が印加されている。更に、時刻T02から引き続き、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]には、それぞれ基準電位が印加されている。
時刻T04から時刻T05までの間において、時刻T01から時刻T02までの間の動作、又は時刻T03から時刻T04までの間の動作と同様に、残りのメモリセルAMに第1アナログデータに対応する電位が書き込まれ、残りのメモリセルAMrefに電位VPRが書き込まれるものとする。したがって、全てのメモリセルAMのそれぞれのトランジスタTr12に流れる電流の総和は、列出力回路OUT[j]の出力端子OT[j]から配線B[j]に流れる電流となり、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。
時刻T06から時刻T11までの間については、図21を用いて説明する。時刻T06から時刻T07までの間において、配線ORPを高レベル電位とし、配線ORMを高レベル電位とする。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr3のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr3は導通状態となる。そのため、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれの容量素子C1の第1端子に低レベル電位が印加され、容量素子C1の電位が初期化される。また、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr23のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr23は導通状態となる。そのため、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれの容量素子C3の第1端子に低レベル電位が印加され、容量素子C3の電位が初期化される。なお、時刻T06の時点において、配線OSPには低レベル電位が印加されて、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr2を非導通状態とし、配線OSMには低レベル電位が印加されて、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr22を非導通状態としている。
時刻T07から時刻T08までの間において、配線ORP及び配線ORMを低レベル電位とする。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr3のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタTr3は非導通状態となる。また、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr23のゲートに低レベル電位が印加されるため、トランジスタTr23は非導通状態となる。
時刻T08から時刻T09までの間において、配線OSPを高レベル電位とする。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr2のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr2は導通状態となる。ところで、列出力回路OUT[j]から出力される電流IB[j]は、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。ここで、電流IB[j]よりも電流ICMref0が大きいとき、トランジスタTr2の第1端子から、トランジスタTr2の第2端子を経由して、容量素子C1の第1端子に電流が流れ、容量素子C1によって正の電位が保持される。これにより、トランジスタTr1のゲートの電位が保持されるため、トランジスタTr1のソース-ドレイン間に、トランジスタTr1のゲートの電位に応じた電流が流れる。
時刻T10から時刻T11までの間において、配線OSMを高レベル電位とする。このとき、列出力回路OUT[1]乃至列出力回路OUT[n]のそれぞれのトランジスタTr22のゲートに高レベル電位が印加されるため、トランジスタTr22は導通状態となる。ところで、列出力回路OUT[j]から出力される電流IB[j]は、ΣI0[i,j](このΣはiについて和をとっている。)となる。ここで、電流IB[j]よりも電流ICMref0が小さいとき、容量素子C3の第1端子から、トランジスタTr22の第2端子を経由して、トランジスタTr22の第1端子に電流が流れ、容量素子C3によって電位が保持される。これにより、トランジスタTr21のゲートの電位が保持されるため、トランジスタTr21のソース-ドレイン間に、トランジスタTr21のゲートの電位に応じた電流が流れる。
時刻T12以降は、図22を用いて説明する。時刻T12から時刻T13までの間において、配線RW[i]に基準電位(図22ではREFPと表記している。)よりもVW[i]高い電位が印加される。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、電位VW[i]が印加されるため、トランジスタTr12のゲートの電位が上昇する。
時刻T13から時刻T14までの間において、配線RW[i]には接地電位が印加されている。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、及びノードNref[i]の電位は、それぞれ時刻T11から時刻T12までの間の電位に戻る。
時刻T14から時刻T15までの間において、配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW[i+1]高い電位を印加するものとする。このとき、時刻T12から時刻T13までの動作と同様に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、電位VW[i+1]が印加されるため、トランジスタTr12のゲートの電位が上昇する。
時刻T15から時刻T16までにおいて、配線RW[i+1]には接地電位を印加している。このとき、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T13から時刻T14までの間の電位に戻る。
時刻T16から時刻T17までにおいて、配線RW[i]、及び配線RW[i+1]を除く配線RW[1]乃至配線RW[m]のそれぞれの電位を基準電位とし、配線RW[i]に基準電位よりもVW2[i]高い電位を印加し、配線RW[i+1]に基準電位よりもVW2[i+1]低い電位を印加するものとする。このとき、時刻T12から時刻T13までの動作と同様に、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、電位VW2[i]が印加されるため、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、及びメモリセルAMref[i]のそれぞれのトランジスタTr12のゲートの電位が上昇する。同時に、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、電位-VW2[i+1]が印加されるため、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれのトランジスタTr12のゲートの電位が下降する。
時刻T17以降において、配線RW[i]、配線RW[i+1]には接地電位を印加している。このとき、メモリセルAM[i,1]乃至メモリセルAM[i,n]、メモリセルAM[i+1,1]乃至メモリセルAM[i+1,n]、メモリセルAMref[i]、及びメモリセルAMref[i+1]のそれぞれの容量素子C2の第2端子に、接地電位が印加されるため、ノードN[i,1]乃至ノードN[i,n]、ノードN[i+1,1]乃至ノードN[i+1,n]、ノードNref[i]、及びノードNref[i+1]の電位は、それぞれ時刻T15から時刻T16までの間の電位に戻る。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したハイブリッド表示装置の輝度、及び色調を調整する動作例(調光、及び調色の動作例)について説明する。なお、前述したとおり、輝度、及び色調を調整には、実施の形態3で説明したニューラルネットワークを用いる。
ステップS1-0では、利用者が情報端末5200を操作して、情報端末5200の表示部5222に対して、好みの輝度、及び色調を選択することで間接的に当該輝度、及び色調に対応するレジスタの設定データを選択する。このレジスタの設定データは、実施の形態3で説明するニューラルネットワークによる情報処理システムにおいて、教師データとして扱われる。なお、該設定データは、反射素子10aに表示する画像データの輝度及び色調に対応する設定値と、発光素子10bに表示する画像データの輝度及び色調に対応する設定値と、を有する。
ステップS2-1では、ステップS1-1と同様に、光センサ143によって、外光の入射角度、照度の測定が行われる。
本実施の形態では、実施の形態1に示したハイブリッド表示装置の表示部について、説明する。
図25は、表示装置の構成例を示すブロック図である。表示装置130は、表示ユニット110、及びタッチセンサユニット120を有する。また、表示装置130は、実施の形態1で示した情報端末5200の表示部5222の構成要素の一として、適用することができる。
表示ユニット110は、画素アレイ111、ゲートドライバ113、ゲートドライバ114、および実施の形態2で説明したコントローラIC115を有する。
図25に示す、タッチセンサユニット120は、センサアレイ121、および周辺回路125を有する。周辺回路125は、TSドライバ126、センス回路127を有する。周辺回路125は専用ICで構成することができる。
本実施の形態では、反射素子と発光素子とを用いた表示装置の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射素子として液晶素子を用い、発光素子としてEL材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、表示装置の構成例について説明する。
本実施の形態では、反射素子と発光素子とを用いた表示装置が有する、画素の構成例について説明する。なお、本実施の形態では、反射素子として液晶素子を用い、発光素子としてEL材料を用いた発光素子を用いる場合を例に挙げて、本発明の一態様に係る画素300の構成例について説明する。
本実施の形態では、図28(A)に示した表示装置200を例に挙げて、反射素子と発光素子とを用いた表示装置200の具体的な構成例について説明する。
次いで、図34(A)に、本発明の一態様に係る表示装置200の、外観の一例を示す。図34(A)に示す表示装置200は、基板500上に画素部501と、反射素子を有する画素用の走査線駆動回路502と、発光素子を有する画素用の走査線駆動回路503と、を有する。また、IC504は反射素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線506を介して画素部501に電気的に接続されている。また、IC505は発光素子を有する画素用の信号線駆動回路を有し、配線507を介して画素部501に電気的に接続されている。
本実施の形態では、表示装置に入射する光の角度を検知するための、光センサの構成例について説明する。
<CAC-OSの構成>
以下では、本発明の一態様に係るトランジスタに用いることができるCAC(Cloud‐Aligned Composite)-OSの構成について説明する。
本実施の形態では、ニューラルネットワークの構成の一例を説明する。特に、学習を行う機能(学習機能又は学習手段ともいう)を、装置に対してどのように搭載するかについて述べる。
学習を行う際は、画像処理部800に、学習データD1(例えば、外光強度などに対応したデータ)及び教師データD2(例えば、利用者が選んだ色彩、輝度などに対応したデータ)が入力される。学習データ及び教師データを、それぞれを学習信号及び教師信号ともいう。
学習終了後に画像処理(画像補正)を行う際、すなわち通常動作時には、新たに取得した入力データD3(例えば、外光強度などに対応するデータ)が画像処理部800に入力され、当該入力データD3及び重み係数を用いてニューラルネットワークによる計算を行い、画像処理に適したパラメータを取得する。計算は、図3、4を用いて説明したとおり、積和演算回路(図11)と図6(A)に示す回路とを用いて行う。
ホスト801内には、ソフトウェアSOFTとして学習を行うためのプログラム(学習プログラムともいう)が格納されている。
一方、画像処理部800内には、ハードウェアHARDとして、画像処理に適したパラメータを取得するための回路が設けられている。具体的には、積和演算回路165aと図6(A)に示す回路とが設けられている。積和演算回路165aとしては、図11に示すものと同様のものを用いることができる。画像処理部800内に学習機能を搭載しない点が、図36(A)の構成と異なる。
学習を行う際は、図36(A)の構成とは異なり、ホスト801に、学習データD1(例えば、外光強度などに対応するデータ)及び教師データD2(例えば、利用者の選んだ色彩、輝度などに対応するデータ)が入力される。
学習終了後の画像処理(通常動作)は、図36(A)の構成と同様に行うことができる。すなわち、画像処理部800内のハードウェアHARD(積和演算回路165aと、図6(A)に示す回路)を用いて、新たに取得した入力データD3と重み係数によるニューラルネットワーク計算を行い、画像処理に適したパラメータを取得する。このように、ソフトウェアSOFTではなく、画像処理部800においてハードウェアHARDを用いて行うため、効率良く演算が行える。
本発明の一態様に係る表示装置は、上述したものに限られず、様々な電子機器に搭載することが可能である。表示装置を建造物又は移動体(車、飛行機等)に搭載する場合には、センサを設ける筐体として建造物又は移動体を適用してもよい。
移動体の例について説明する。
<画素の回路構成>
本発明の一態様の表示装置は画素1500を有する。画素1500はマトリクス状に配置されており、m行n列目(m、nは自然数)の画素1500を画素1500(m,n)と表記する。
図45は、画素1500の駆動方法を示すタイミングチャートである。図45では、配線SP_Lの電位、配線Scan_L[1]の電位、配線Scan_L[2]の電位、配線Scan_L[3]の電位、配線Scan_L[4]の電位、配線Scan_E[1]の電位、配線Scan_E[2]の電位、配線Data_Lの電位および配線Data_Eの電位を示す。なお、配線SP_Lはスタートパルスを供給する機能を有する。また、例えば本発明の一態様の表示装置がp列分(pは2以上の整数)の画素1500を有する場合、配線Data_Lは例えば配線Data_L[1]乃至配線Data_L[p]を示し、配線Data_Eは例えば配線Data_E[1]乃至配線Data_E[p]を示す。
以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の2つの端子を第1端子、第2端子と呼ぶ場合や、第3端子、第4端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載するトランジスタが2つ以上のゲートを有するとき(この構成をデュアルゲート構造という場合がある)、それらのゲートを第1ゲート、第2ゲートと呼ぶ場合や、フロントゲート、バックゲートと呼ぶ場合がある。特に、「フロントゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。また、「バックゲート」という語句は、単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
本明細書において、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「絶縁体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン(ドレイン端子、ドレイン領域又はドレイン電極)とソース(ソース端子、ソース領域又はソース電極)の間にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソース-ドレイン間に電流を流すことができるものである。
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、又は、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
本明細書等において、XとYとが接続されている、と記載する場合は、XとYとが電気的に接続されている場合と、XとYとが機能的に接続されている場合と、XとYとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含むものとする。
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が-10°以上10°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、-5°以上5°以下の場合も含まれる。また、「略平行」とは、二つの直線が-30°以上30°以下の角度で配置されている状態をいう。また、「垂直」とは、二つの直線が80°以上100°以下の角度で配置されている状態をいう。したがって、85°以上95°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、二つの直線が60°以上120°以下の角度で配置されている状態をいう。
本明細書において、結晶が三方晶又は菱面体晶である場合、六方晶系として表す。
SNL 配線
CTαβ 容量素子
GL 配線
SL 配線
GE 配線
GEa 配線
GEb 配線
DL 配線
DLa 配線
DLb 配線
AL 配線
ML 配線
MLa 配線
MLb 配線
PD1 フォトダイオード
PD2 フォトダイオード
PD3 フォトダイオード
PD4 フォトダイオード
PD5 フォトダイオード
PD6 フォトダイオード
PD7 フォトダイオード
PD8 フォトダイオード
PD9 フォトダイオード
PD10 フォトダイオード
PD11 フォトダイオード
PD フォトダイオード
OUT[1] 列出力回路
OUT[j] 列出力回路
OUT[n] 列出力回路
Cref 参照列出力回路
AM[1,1] メモリセル
AM[i,1] メモリセル
AM[m,1] メモリセル
AM[1,j] メモリセル
AM[i,j] メモリセル
AM[i+1,j] メモリセル
AM[i,j+1] メモリセル
AM[i+1,j+1] メモリセル
AM[m,j] メモリセル
AM[1,n] メモリセル
AM[i,n] メモリセル
AM[m,n] メモリセル
AMref[1] メモリセル
AMref[i] メモリセル
AMref[i+1] メモリセル
AMref[m] メモリセル
N[1,1] ノード
N[i,1] ノード
N[m,1] ノード
N[1,j] ノード
N[i,j] ノード
N[i+1,j] ノード
N[i,j+1] ノード
N[i+1,j+1] ノード
N[m,j] ノード
N[1,n] ノード
N[i,n] ノード
N[m,n] ノード
Nref[i] ノード
Nref[i+1] ノード
ORP 配線
OSP 配線
ORM 配線
OSM 配線
B[1] 配線
B[j] 配線
B[j+1] 配線
B[n] 配線
Bref 配線
RW[1] 配線
RW[i] 配線
RW[i+1] 配線
RW[m] 配線
WW[1] 配線
WW[i] 配線
WW[i+1] 配線
WW[m] 配線
WD[1] 配線
WD[j] 配線
WD[j+1] 配線
WD[n] 配線
WDref 配線
VR 配線
VDDL 配線
VSSL 配線
CM カレントミラー回路
CI 定電流回路
CIref 定電流回路
CT1 端子
CT1-1 端子
CT1-2 端子
CT1-3 端子
CT2 端子
CT3 端子
CT4 端子
CT5[1] 端子
CT5[j] 端子
CT5[j+1] 端子
CT5[n] 端子
CT6[1] 端子
CT6[j] 端子
CT6[j+1] 端子
CT6[n] 端子
CT7 端子
CT8 端子
OT[1] 出力端子
OT[j] 出力端子
OT[j+1] 出力端子
OT[n] 出力端子
OTref 出力端子
IL[1] 配線
IL[j] 配線
IL[j+1] 配線
IL[n] 配線
ILref 配線
BG[1] 配線
BG[j] 配線
BG[j+1] 配線
BG[n] 配線
BGref 配線
OL[1] 配線
OL[j] 配線
OL[j+1] 配線
OL[n] 配線
OLref 配線
NCMref ノード
Tr1 トランジスタ
Tr2 トランジスタ
Tr3 トランジスタ
Tr4 トランジスタ
Tr5 トランジスタ
Tr6 トランジスタ
Tr7 トランジスタ
Tr8 トランジスタ
Tr9 トランジスタ
Tr11 トランジスタ
Tr12 トランジスタ
Tr21 トランジスタ
Tr22 トランジスタ
Tr23 トランジスタ
Tr31 トランジスタ
Tr32 トランジスタ
Tr41 トランジスタ
Tr42 トランジスタ
C1 容量素子
C2 容量素子
C3 容量素子
C4 容量素子
C5 容量素子
NNC 回路
MSW スイッチ回路
MSW-B スイッチ回路
MSW-RW スイッチ回路
MSW-WD スイッチ回路
MSW-WW スイッチ回路
MSW1 スイッチ回路
MSW2 スイッチ回路
U[1,1] 積和演算回路
U[1,N] 積和演算回路
U[M,1] 積和演算回路
U[M,N] 積和演算回路
SW 回路
B 端子
RW 端子
WD 端子
WW 端子
TH1 端子
TH2 端子
TV1 端子
TV2 端子
SWB 配線
SWW 配線
HRW[1] 配線群
HRW[2] 配線群
HRW[3] 配線群
HRW[4] 配線群
HRW[5] 配線群
HRW[6] 配線群
HWW[1] 配線群
HWW[2] 配線群
HWW[3] 配線群
VWD[1] 配線群
VWD[2] 配線群
VWD[3] 配線群
VB[1] 配線群
VB[2] 配線群
VB[4] 配線群
VB[5] 配線群
VB[7] 配線群
VB[8] 配線群
M1 トランジスタ
M2 トランジスタ
M3 トランジスタ
Cs1 容量素子
Cs2 容量素子
ANODE 配線
CSCOM 配線
Data_E 配線
Data_L 配線
TCOM 配線
VCOM 配線
Scan_E 配線
Scan_L 配線
10 画素
10a 反射素子
10b 発光素子
100 基板
101 基板
102 表示部
103 表示部
104 接着層
110 表示ユニット
111 画素アレイ
113 ゲートドライバ
114 ゲートドライバ
115 コントローラIC
120 タッチセンサユニット
121 センサアレイ
125 周辺回路
126 TSドライバ
127 センス回路
130 表示装置
140 ホスト
141 センサ
143 光センサ
144 開閉センサ
145 外光
146 加速度センサ
150 インターフェース
151 フレームメモリ
152 デコーダ
153 センサコントローラ
154 コントローラ
155 クロック生成回路
160 画像処理部
161 ガンマ補正回路
162 調光回路
163 調色回路
164 EL補正回路
165 情報処理回路
165a 積和演算回路
165b スイッチ回路
165c バス
170 メモリ
173 タイミングコントローラ
175 レジスタ
180 ソースドライバ
181 ソースドライバ
182 ソースドライバ
184 タッチセンサコントローラ
200 表示装置
201 基板
202 基板
203 発光素子
204 液晶素子
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 画素電極
208 共通電極
209 液晶層
210 層
210a 層
210b 層
300 画素
301 液晶素子
302 発光素子
303 トランジスタ
304 容量素子
305 トランジスタ
306 トランジスタ
307 容量素子
308 トランジスタ
309 トランジスタ
310 トランジスタ
311 導電層
312 絶縁層
313 半導体層
314 導電層
315 導電層
316 絶縁層
317 導電層
318 絶縁層
319 導電層
320 導電層
321 導電層
322 半導体層
323 導電層
324 絶縁層
325 絶縁層
326 導電層
327 導電層
328 絶縁層
329 導電層
330 絶縁層
331 EL層
332 導電層
333 接着層
334 着色層
335 スペーサ
336 遮光層
340 導電層
341 絶縁層
342 半導体層
343 絶縁層
344 導電層
345 絶縁層
346 導電層
347 導電層
348 導電層
349 導電層
350 画素
351 画素
351a 画素
351b 画素
351c 画素
351d 画素
360 絶縁層
361 導電層
362 接着層
363 絶縁層
364 配向膜
365 配向膜
366 液晶層
411 回路
413 回路
414 回路
415 回路
500 基板
501 画素部
502 走査線駆動回路
503 走査線駆動回路
504 IC
505 IC
506 配線
508 FPC
509 FPC
510 FPC
511 配線
512 配線
513 画素
514 表示領域
515 表示領域
516 表示領域
517 表示領域
518 表示領域
600 光センサ
601 遮光膜
602 遮光膜
700 半導体装置
710 オフセット回路
711 オフセット回路
712 オフセット回路
713 オフセット回路
715 オフセット回路
716 オフセット回路
720 メモリセルアレイ
721 メモリセルアレイ
751 オフセット回路
760 メモリセルアレイ
800 画像処理部
801 ホスト
1000 車体
1002 窓部
1004 光センサ
1004L 光センサ
1004R 光センサ
1012 ダッシュボード
1015 ピラー
1031 表示部
1032 演算回路
1033L カメラ
1033R カメラ
1034 光センサ
1035 光センサ
1051A 表示部
1051B 表示部
1051C 表示部
1051D 表示部
1052A 表示部
1052B 表示部
1052C 表示部
1060 表示部
1061 窓部
1071L カメラ
1071R カメラ
1072L カメラ
1072R カメラ
1073L カメラ
1073R カメラ
1301 自動車
1302 バス
1303 電車
1304 飛行機
1311 窓部
1500 画素
1501 液晶素子
1502 発光素子
5200 情報端末
5201 情報端末
5221 筐体
5222 表示部
5223 操作ボタン
5224 スピーカ
5225X 光センサ
5225Y 光センサ
Claims (1)
- 第1センサと、第2センサと、ニューラルネットワークと、表示装置と、筐体と、を有し、
前記第1センサ及び前記第2センサは、外光の入射角度及び照度に対応する第1データを取得する機能を有し、
前記ニューラルネットワークは、前記第1データと、利用者によって選択された輝度及び色調に対応する第2データと、に応じて、第3データを生成する機能を有し、
前記表示装置は、前記第3データに基づき表示を行う、電子機器であって、
平面視において、前記表示装置を用いてなる矩形状の表示部の周囲は前記筐体によって囲まれ、
前記第1センサは、前記表示部の短辺に沿うように前記筐体上に配置され、
前記第2センサは、前記表示部の長辺に沿うように前記筐体上に配置され、
前記表示装置は、第1の走査線駆動回路と、第2の走査線駆動回路と、第1の表示素子と、第2の表示素子と、を有し、
前記第1の表示素子は、第1のトランジスタと、第1の容量と、液晶素子と、を有し、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方に映像信号が入力され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第1の容量の第1の電極と、前記液晶素子とに電気的に接続され、
前記第2の表示素子は、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第2の容量と、発光素子と、を有し、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方に映像信号が入力され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲートと、前記第2の容量の第2の電極と、に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記第1の走査線駆動回路から信号が入力され、
前記第2のトランジスタのゲートには、前記第2の走査線駆動回路から信号が入力され、
前記第1の走査線駆動回路と前記第2の走査線駆動回路とは、前記表示部を挟んで設けられ、
前記第1の走査線駆動回路と前記第2の走査線駆動回路には、同じFPCから信号が入力され、
前記第1の電極と、前記第2の電極との間で容量を形成する、電子機器。
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Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10726233B2 (en) * | 2017-08-09 | 2020-07-28 | Fingerprint Cards Ab | Providing test patterns for sensor calibration |
CN110197263B (zh) * | 2018-02-27 | 2020-10-09 | 上海寒武纪信息科技有限公司 | 集成电路芯片装置及相关产品 |
CN112970029A (zh) * | 2018-09-13 | 2021-06-15 | 辉达公司 | 用于自主机器应用中传感器视盲检测的深度神经网络处理 |
KR102598956B1 (ko) * | 2018-10-15 | 2023-11-07 | 현대자동차주식회사 | 차량 승객 감지 장치, 그를 포함한 시스템 및 그 방법 |
KR102532091B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2023-05-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109493726A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
US10838556B2 (en) * | 2019-04-05 | 2020-11-17 | Apple Inc. | Sensing system for detection of light incident to a light emitting layer of an electronic device display |
CN109935206B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基于神经网络的显示器件亮度补偿方法、装置及设备 |
CN113853322A (zh) * | 2019-05-28 | 2021-12-28 | 贝尔-赫拉恒温控制有限公司 | 用于车辆的显示装置 |
US11869449B2 (en) | 2019-06-13 | 2024-01-09 | Saturn Licensing Llc | Image processing device, image processing method, display device having artificial intelligence function, and method of generating trained neural network model |
KR20220024015A (ko) | 2019-06-21 | 2022-03-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 전자 기기 |
US20200410319A1 (en) * | 2019-06-26 | 2020-12-31 | Micron Technology, Inc. | Stacked artificial neural networks |
US11721160B2 (en) * | 2019-08-09 | 2023-08-08 | Igt | Artificial intelligence (AI) implementations for modifying user interface elements of a gaming device, and related systems, devices, and methods |
US11527582B1 (en) | 2019-09-24 | 2022-12-13 | Apple Inc. | Display stack with integrated photodetectors |
US11611058B2 (en) | 2019-09-24 | 2023-03-21 | Apple Inc. | Devices and systems for under display image sensor |
CN110673812B (zh) * | 2019-09-29 | 2023-02-24 | Oppo广东移动通信有限公司 | 终端设备的显示方法、装置、终端设备和存储介质 |
JP7348809B2 (ja) | 2019-10-29 | 2023-09-21 | コイト電工株式会社 | 表示制御装置 |
US11468146B2 (en) | 2019-12-06 | 2022-10-11 | Globalfoundries U.S. Inc. | Array of integrated pixel and memory cells for deep in-sensor, in-memory computing |
CN111131612B (zh) | 2019-12-20 | 2021-05-07 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 屏幕色温控制方法、装置、存储介质及移动终端 |
KR20210084016A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 삼성전자주식회사 | 조도를 측정하는 방법 및 그 전자 장치 |
US11592873B2 (en) | 2020-02-14 | 2023-02-28 | Apple Inc. | Display stack topologies for under-display optical transceivers |
US11195580B2 (en) * | 2020-02-26 | 2021-12-07 | Globalfoundries U.S. Inc. | Integrated pixel and two-terminal non-volatile memory cell and an array of cells for deep in-sensor, in-memory computing |
US11295664B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-04-05 | Apple Inc. | Display-synchronized optical emitters and transceivers |
US11327237B2 (en) | 2020-06-18 | 2022-05-10 | Apple Inc. | Display-adjacent optical emission or reception using optical fibers |
US11487859B2 (en) | 2020-07-31 | 2022-11-01 | Apple Inc. | Behind display polarized optical transceiver |
US20230283276A1 (en) * | 2020-08-03 | 2023-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
US11694606B2 (en) | 2020-11-23 | 2023-07-04 | Industrial Technology Research Institute | Display device with sensing element |
JP2022127597A (ja) | 2021-02-19 | 2022-08-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
US11839133B2 (en) | 2021-03-12 | 2023-12-05 | Apple Inc. | Organic photodetectors for in-cell optical sensing |
KR20230050546A (ko) * | 2021-10-07 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
CN116472575A (zh) * | 2021-11-18 | 2023-07-21 | 瑞仪光电(苏州)有限公司 | 显示装置、电流校正值的建立方法与电流校正系统 |
WO2023106049A1 (ja) * | 2021-12-10 | 2023-06-15 | ソニーグループ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
US11468818B1 (en) | 2022-02-10 | 2022-10-11 | Kyndryl, Inc. | Brightness adaptation |
TWI823349B (zh) * | 2022-04-19 | 2023-11-21 | 凌通科技股份有限公司 | 互動音樂標籤系統以及互動音樂標籤系統之聲音處理方法 |
US20230420043A1 (en) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation |
TWI828206B (zh) * | 2022-06-24 | 2024-01-01 | 旺宏電子股份有限公司 | 記憶體裝置及其用以執行乘加運算之運作方法 |
CN115206230B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-04-28 | 浙江传媒学院 | 驱动电路及其驱动控制方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230326A (ja) | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体集積回路装置およびその駆動方法 |
US20070290284A1 (en) | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Jamie Lyn Shaffer | Incident light angle detector for light sensitive integrated circuit |
JP2008197509A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電気機器 |
US20130037700A1 (en) | 2010-09-10 | 2013-02-14 | Denso Corporation | Optical sensor |
US20130063471A1 (en) | 2010-05-12 | 2013-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
JP2016038586A (ja) | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、情報処理装置、プログラム |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2517410B2 (ja) | 1989-05-15 | 1996-07-24 | 三菱電機株式会社 | 学習機能付集積回路装置 |
JPH03109815A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-09 | Hitachi Ltd | 半導体スイッチ回路 |
JPH0731705B2 (ja) | 1992-08-24 | 1995-04-10 | 東京工業大学長 | 自己学習型積和演算回路素子及び回路 |
JP3363632B2 (ja) * | 1994-12-16 | 2003-01-08 | 株式会社リコー | 画像情報表示装置 |
JP2907057B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | 輝度自動調整装置 |
JP2002196688A (ja) | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Sony Corp | 画像表示装置 |
EP2688058A3 (en) | 2004-12-15 | 2014-12-10 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
CA2504571A1 (en) * | 2005-04-12 | 2006-10-12 | Ignis Innovation Inc. | A fast method for compensation of non-uniformities in oled displays |
US20070075935A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-05 | Ralph Mesmer | Flat-panel display with hybrid imaging technology |
JP2008225381A (ja) | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
JP4513865B2 (ja) | 2008-01-25 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 並列演算装置および並列演算方法 |
US20150145883A1 (en) * | 2012-04-26 | 2015-05-28 | Qualcomm Incorporated | Altering attributes of content that is provided in a portion of a display area based on detected inputs |
US9542029B2 (en) * | 2013-09-30 | 2017-01-10 | Fca Us Llc | Vehicle multi-mode vertical-split-screen display |
JP2015122020A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | シナプティクス・ディスプレイ・デバイス合同会社 | タッチパネル制御回路及びそれを備える半導体集積回路 |
US20150332641A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Innolux Corporation | Transflective panel device |
US9672593B2 (en) * | 2014-06-25 | 2017-06-06 | International Business Machines Corporation | Lens distortion correction using a neurosynaptic system |
US9911395B1 (en) * | 2014-12-23 | 2018-03-06 | Amazon Technologies, Inc. | Glare correction via pixel processing |
JP6674838B2 (ja) | 2015-05-21 | 2020-04-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子装置 |
WO2017037568A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device or electronic device including the semiconductor device |
US20160005362A1 (en) * | 2015-09-08 | 2016-01-07 | Mediatek Inc. | Determination Of Optical Condition And Adjustment Of Display |
WO2017068490A1 (en) | 2015-10-23 | 2017-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
KR102609997B1 (ko) | 2015-10-23 | 2023-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 모듈 및 전자 기기 |
US20170206862A1 (en) * | 2016-01-20 | 2017-07-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of regulating brightness of a display screen |
US9851942B2 (en) | 2016-03-10 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9934826B2 (en) * | 2016-04-14 | 2018-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP6659957B2 (ja) * | 2016-06-06 | 2020-03-04 | 富士通株式会社 | 情報処理装置、イジング装置及び情報処理装置の制御方法 |
US10504204B2 (en) * | 2016-07-13 | 2019-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JP2001230326A (ja) | 2000-02-17 | 2001-08-24 | Nec Corp | 半導体集積回路装置およびその駆動方法 |
US20070290284A1 (en) | 2006-06-19 | 2007-12-20 | Jamie Lyn Shaffer | Incident light angle detector for light sensitive integrated circuit |
JP2008197509A (ja) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Epson Imaging Devices Corp | 液晶表示装置及び電気機器 |
US20130063471A1 (en) | 2010-05-12 | 2013-03-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
US20130037700A1 (en) | 2010-09-10 | 2013-02-14 | Denso Corporation | Optical sensor |
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