WO2023106049A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2023106049A1
WO2023106049A1 PCT/JP2022/042406 JP2022042406W WO2023106049A1 WO 2023106049 A1 WO2023106049 A1 WO 2023106049A1 JP 2022042406 W JP2022042406 W JP 2022042406W WO 2023106049 A1 WO2023106049 A1 WO 2023106049A1
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light emitting
light
display device
emitting element
wavelength
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秋彦 渡辺
耕一 永澤
真一郎 田尻
徹雄 三並
圭 木村
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ソニーグループ株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages

Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and an electronic device including the same.
  • Pulse width modulation driving is widely used in display devices (for example, LED (Light Emitting Diode) display devices) (see Patent Document 1, for example).
  • a display device using pulse width modulation driving has a problem that the circuit is complicated and it is difficult to increase the definition of pixels, and the image quality deteriorates due to flicker caused by shortening the pulse at low luminance.
  • the above problem can be solved by using the current amplitude modulation method as the driving method of the display device.
  • an emission wavelength shift occurs in the light-emitting element due to a change in the current density of the light-emitting element, resulting in color shift in the light-emitting element, which causes another problem of degraded image quality.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device capable of suppressing deterioration in image quality due to occurrence of color shift, and an electronic device including the same.
  • the display device includes: a substrate having a current amplitude modulation type drive circuit; a plurality of first light emitting elements and a plurality of second light emitting elements two-dimensionally arranged on a substrate; a wavelength correction layer capable of correcting the wavelength of light emitted from the plurality of first light emitting elements,
  • the drive circuit can independently gamma correct the first signal supplied to the first light emitting element and the second signal supplied to the second light emitting element.
  • the display device is a substrate having a current amplitude modulation type drive circuit; a plurality of first light emitting elements and a plurality of second light emitting elements two-dimensionally arranged on a substrate,
  • the first light emitting element has a resonator structure capable of correcting light emitted from the first light emitting element,
  • the drive circuit can independently gamma correct the first signal supplied to the first light emitting element and the second signal supplied to the second light emitting element.
  • An electronic device includes a display device according to the present disclosure.
  • the wavelength correction layer may contain at least one selected from the group consisting of color filters, bandpass filters, wavelength cut filters and color conversion layers.
  • the wavelength correction layer may comprise a plurality of wavelength correction parts, each wavelength correction part being provided on or above the first light emitting element.
  • the wavelength correction section may include at least one selected from the group consisting of a color filter section, a bandpass filter section, a wavelength cut filter section, and a color conversion section.
  • the wavelength correction layer may include a light blocking portion around or on the wavelength correction portion.
  • the wavelength correction layer has a plurality of openings, each opening may be provided on or above the second light emitting element.
  • the plurality of first light emitting elements includes first compound semiconductor light emitting elements capable of emitting red light
  • the plurality of second light emitting elements include second compound semiconductor light emitting elements capable of emitting green light. and a third compound semiconductor light emitting device capable of emitting blue light
  • the plurality of first light emitting elements includes first compound semiconductor light emitting elements capable of emitting green light
  • the plurality of second light emitting elements include second compound semiconductor light emitting elements capable of emitting red light. and a third compound semiconductor light emitting device capable of emitting blue light.
  • the plurality of first light emitting elements includes first compound semiconductor light emitting elements capable of emitting blue light
  • the plurality of second light emitting elements include second compound semiconductor light emitting elements capable of emitting red light
  • a third compound semiconductor light emitting device capable of emitting green light.
  • the plurality of first light emitting elements includes a first compound semiconductor light emitting element capable of emitting red light and a second compound semiconductor light emitting element capable of emitting green light, and a plurality of The second light emitting element may include a third compound semiconductor light emitting element capable of emitting blue light.
  • the plurality of first light emitting elements includes a first compound semiconductor light emitting element capable of emitting red light and a second compound semiconductor light emitting element capable of emitting blue light, and a plurality of The second light emitting element may include a third compound semiconductor light emitting element capable of emitting green light.
  • the plurality of first light emitting elements includes a first compound semiconductor light emitting element capable of emitting green light and a second compound semiconductor light emitting element capable of emitting blue light, and a plurality of The second light emitting element may include a third compound semiconductor light emitting element capable of emitting red light.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a compound semiconductor light emitting device.
  • FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the drive circuit.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing an example of the
  • FIG. 8 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 9 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 10 is a plan view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • 11A is a cross-sectional view taken along line XIA-XIA in FIG. 10.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view along line XIB-XIB in FIG. 10.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 20 is a diagram showing an example of emission spectra of a compound semiconductor light-emitting device under weak excitation and strong excitation.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 23 is a diagram showing the emission spectrum of each compound semiconductor light emitting device.
  • FIG. 24A is a front view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 24B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 25 is a perspective view of an example of the appearance of a head mounted display.
  • FIG. 26 is a perspective view showing an example of the appearance of a television device.
  • FIG. 1 is a plan view showing an example of the configuration of a display device 10 according to one embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG.
  • the display device 10 includes a circuit board 11 and a plurality of pixels 20P.
  • the display device 100 is, for example, an LED display device.
  • the display device 100 is an example of a light emitting device.
  • each layer and each member constituting the display device 10 the surface on the display surface side of the display device 10 is referred to as a first surface, and the surface opposite to the display surface is referred to as a second surface. It says.
  • the circuit board 11 is a so-called backplane.
  • the circuit board 11 drives a plurality of pixels 20P.
  • the first surface of the circuit board 11 is provided with the wiring 11a, the driving circuit 30 shown in FIG. 4, and the like.
  • the substrate body of the circuit board 11 may be composed of, for example, a semiconductor that facilitates the formation of transistors or the like, or may be composed of glass or resin with low permeability to moisture and oxygen.
  • the substrate body may be a semiconductor substrate, a glass substrate, a resin substrate, or the like.
  • Semiconductor substrates include, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass, or the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate.
  • a pixel 20P The plurality of pixels 20P are two-dimensionally arranged on the first surface of the circuit board 11 in a prescribed arrangement pattern.
  • a pixel 20P is composed of a red sub-pixel 20R, a green sub-pixel 20G, and a blue sub-pixel 20B.
  • the red sub-pixel 20R is an example of a first sub-pixel.
  • the green sub-pixel 20G and the blue sub-pixel 20B are examples of second sub-pixels.
  • the first electrodes of the red sub-pixel 20R, the green sub-pixel 20G and the blue sub-pixel 20B are connected to wiring (not shown) on the circuit board 11 by connecting members 12m such as bumps or vias.
  • the second electrodes of the red sub-pixel 20R, the green sub-pixel 20G and the blue sub-pixel 20B are connected to the wiring 11a on the circuit board 11 by connecting members 12n such as bumps or vias.
  • the plurality of pixels 20P includes a plurality of compound semiconductor light emitting elements 12R (hereinafter referred to as “light emitting elements 12R”), a plurality of compound semiconductor light emitting elements 12G (hereinafter referred to as “light emitting elements 12G”), and a plurality of compound semiconductor light emitting elements 12B. (hereinafter referred to as “light-emitting element 12B”) and a color filter 13 .
  • the green sub-pixel 20G is composed of a light-emitting element 12G and a color filter 13.
  • the red sub-pixel 20R is composed of the light emitting element 12R.
  • the blue sub-pixel 20B is composed of the light emitting element 12B.
  • the red sub-pixel 20R, the green sub-pixel 20G, and the blue sub-pixel 20B are collectively referred to as the sub-pixel 20 without particular distinction.
  • the light-emitting elements 12R, 12G, and 12B are collectively referred to as the light-emitting elements 12 without any particular distinction.
  • the light emitting element 12G is an example of a first compound semiconductor light emitting element, and the light emitting elements 12R and 12B are examples of a second compound semiconductor light emitting element.
  • the plurality of light emitting elements 12G are two-dimensionally arranged on the first surface of the circuit board 11 in a prescribed arrangement pattern such as matrix or delta.
  • the light emitting element 12G can emit green light.
  • the light emitting element 12G is configured to generate an emission wavelength shift in accordance with a change in the current density of the light emitting element 12G. As shown in FIG. 20, the emission spectrum of the light emitting element 12G may shift to the short wavelength side as the current density increases.
  • the light emitting element 12G is a GaN-based compound semiconductor light emitting element
  • the emission spectrum of the light emitting element 12G shifts to the short wavelength side as the current density increases.
  • the light emitting element 12G is, for example, a green LED element.
  • the light emitting element 12G as shown in FIG. 3, includes a compound semiconductor laminate 120G, a first electrode 121G, and a second electrode 122G.
  • the compound semiconductor laminate 120G includes a first compound semiconductor layer 123G, a light emitting layer 124G, and a second compound semiconductor layer 125G in this order.
  • the second surface of the first compound semiconductor layer 123G faces the first surface of the circuit board 11.
  • a part of the second surface of the second compound semiconductor layer 125G is an exposed portion that is not covered with the light emitting layer 124G and the first compound semiconductor layer 123G.
  • a first electrode 121G is provided on the second surface of the first compound semiconductor layer 123G.
  • a second electrode 122G is provided on the exposed portion of the second compound semiconductor layer 125G.
  • the first electrodes 121G are connected to wiring (not shown) on the first surface of the circuit board 11 by connecting members 12m such as bumps or vias.
  • the second electrode 122G is connected to the wiring 11a on the first surface of the circuit board 11 by a connection member 12n such as a bump or via.
  • the light emitting layer 124G can emit green light.
  • the first compound semiconductor layer 123, the light emitting layer 124G, and the second compound semiconductor layer 125G contain, for example, a GaN-based compound semiconductor such as an InGaN-based compound semiconductor or an AlInGaN-based compound semiconductor.
  • the first compound semiconductor layer 123 has a first conductivity type
  • the second compound semiconductor layer 125G has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • the first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type, or the first conductivity type may be n-type and the second conductivity type may be p-type.
  • the light emitting elements 12G may be connected by a cathode common, or may be connected by an anode common.
  • the light emitting element 12R can emit red light.
  • the light emitting element 12R is, for example, a red LED element.
  • the light emitting element 12R as shown in FIG. 3, includes a compound semiconductor laminate 120R, a first electrode 121R, and a second electrode 122R.
  • the compound semiconductor laminate 120R includes, in order, a first compound semiconductor layer 123R, a light emitting layer 124R, and a second compound semiconductor layer 125R.
  • the light emitting layer 124R can emit red light.
  • the first compound semiconductor layer 123R, the light emitting layer 124R, and the second compound semiconductor layer 125R are, for example, AlGaInP-based compound semiconductors, AlGaInAs-based compound semiconductors, AlGaAs-based compound semiconductors, GaAsP-based compound semiconductors, GaP-based compound semiconductors, or perovskite semiconductors. including.
  • the first compound semiconductor layer 123R has a first conductivity type
  • the second compound semiconductor layer 125R has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • the red sub-pixel 20R is the same as the green sub-pixel 20G except for the above points.
  • the light emitting element 12B can emit blue light.
  • the light emitting element 12B is, for example, a blue LED element.
  • the light emitting element 12B includes a compound semiconductor laminate 120B, a first electrode 121B, and a second electrode 122B.
  • the compound semiconductor laminate 120B includes a first compound semiconductor layer 123B, a light emitting layer 124B, and a second compound semiconductor layer 125B in this order.
  • the light emitting layer 124B can emit blue light.
  • the first compound semiconductor layer 123B, the light emitting layer 124B, and the second compound semiconductor layer 125B are, for example, AlInGaN-based compound semiconductors, InGaN-based compound semiconductors, GaN-based compound semiconductors, AlGaN-based compound semiconductors, ZnSe-based compound semiconductors, ZnO-based Including compound semiconductors or perovskite semiconductors.
  • the first compound semiconductor layer 123B has a first conductivity type
  • the second compound semiconductor layer 125B has a second conductivity type opposite to the first conductivity type.
  • the blue sub-pixel 20B is the same as the green sub-pixel 20G except for the above points.
  • the color filter 13 is an example of a wavelength correction layer.
  • the color filter 13 includes a light blocking portion 13BM and a plurality of green filter portions 13G.
  • the light shielding part 13BM is a layer having a plurality of openings 13H.
  • the opening 13H penetrates through the display device 10 in the thickness direction.
  • Each opening 13H is provided above the light emitting element 12 . That is, the light shielding portion 13BM is provided in a portion between the adjacent light emitting elements 12 in plan view.
  • the light shielding portion 13BM is provided around the green filter portion 13G so as to surround the green filter portion 13G in plan view.
  • a planar view means a planar view when an object is viewed from a direction perpendicular to the display surface of the display device 10 .
  • the light shielding part 13BM has a black color.
  • the light shielding portion 13BM can shield light emitted from the light emitting element 12 .
  • the light shielding part 13BM may be a black matrix.
  • the light shielding portion 13BM includes, for example, a black resist.
  • the green filter section 13G is an example of a wavelength correction section.
  • the green filter portion 13G is provided inside the opening 13H above the light emitting element 12G.
  • the green filter section 13G can correct the emission wavelength shift caused by the current density change of the light emitting element 12G.
  • the green filter section 13G can transmit green light among the light emitted from the light emitting element 12G, but can block light other than green light.
  • the green filter section 13G may have spectral characteristics in which the peak half-value width (full width at half maximum) is in the range of 490 nm or more and 550 nm or less. It is preferable that the peak wavelength of the light emitting element 12G under weak excitation (see FIG. 20) is closer to the central wavelength of the green filter section 13G than the peak wavelength of the light emitting element 12G under strong excitation (see FIG. 20). As a result, it is possible to suppress a decrease in luminance due to the green filter section 13G.
  • the opening 13H above the light emitting element 12R may be hollow or filled with a resin transparent to the red light emitted from the light emitting element 12R.
  • the opening 13H above the light emitting element 12B may be hollow, or may be filled with a resin transparent to the blue light emitted from the light emitting element 12B.
  • FIG. 4 is a block diagram showing an example of the configuration of the drive circuit 30 provided in the display device 10 according to one embodiment.
  • the drive circuit 30 includes an image data input interface (hereinafter referred to as "data input I/F") 31, a timing controller 32, a gamma correction circuit 33A, a gamma correction circuit 33B, a horizontal scanning driver 34, a vertical scanning and a driver 35 .
  • the drive circuit 30 is a current amplitude modulation type drive circuit. As described above, the green filter portion 13G as a wavelength correction layer is provided above the wavelength-shifting light emitting element 12G. The luminance of the green sub-pixel 20G may be lowered by providing the green filter section 13G as described above.
  • the drive circuit 30 is configured to be able to control the brightness of the light emitting element 12G so as to compensate for such a decrease in brightness. In other words, the drive circuit 30 is configured to set different gamma parameters for the light emitting element 12G and the light emitting elements 12R and 12B so as to apply the gain corresponding to the reduction in luminance by the green filter section 13G. .
  • the light emitting element array 36 is composed of a plurality of light emitting elements 12 arranged two-dimensionally.
  • a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are provided on the first surface of the circuit board 11 .
  • the plurality of signal lines and the plurality of signal lines are arranged orthogonal to each other.
  • a plurality of light emitting elements 12 are provided corresponding to the intersections of the signal lines and the scanning lines, respectively.
  • the timing controller 32, the gamma correction circuit 33A and the gamma correction circuit 33B may be composed of dedicated LSI (Large Scale Integration), MPU (Micro-processing unit), ROM (Read Only Memory). and a computer system including RAM (Random Access Memory) and the like.
  • the gamma correction circuit 33B may be composed of an IC (Integrated Circuit) separately from the timing controller 32.
  • the horizontal scanning driver 34 may be composed of an IC.
  • the vertical scanning driver 35 may be composed of an IC.
  • the data input I/F 31 is an image input unit for inputting image data 37 .
  • the timing controller 32 includes an image processing section 32A and a brightness control section 32B.
  • Image processing unit 32A generates image signal SR, image signal SG, and image signal SB based on image data 37 input via data input I/F 31, and converts image signal SR and image signal SG to gamma correction circuit 33A. , and supplies the video signal SG to the gamma correction circuit 33B.
  • the video signal SR is a signal for driving the red sub-pixel 20R
  • the video signal SG is a signal for driving the green sub-pixel 20G
  • the video signal SB is a signal for driving the blue sub-pixel 20B.
  • the video signal SR, the video signal SG, and the video signal SB may be R signal, G signal, and B signal, respectively.
  • the image processing unit 32A generates a scanning signal based on the image data 37 input via the data input I/F 31 and supplies the vertical scanning driver 35 with the scanning signal.
  • the gamma correction circuit 33A gamma-corrects the video signal SR and the video signal SB supplied from the image processing section 32A, and supplies it to the horizontal scanning driver .
  • the gamma correction circuit 33B gamma-corrects the video signal SG supplied from the image processing section 32A and supplies it to the horizontal scanning driver .
  • the gamma correction circuit 33B gamma-corrects the video signal SG supplied from the image processing section 32A so as to compensate for luminance reduction due to the color filter 13, which is a wavelength correction layer.
  • the display device 10 includes two gamma correction circuits, the gamma correction circuit 33A and the gamma correction circuit 33A, for the green sub-pixel 20G including the green filter portion 13G and the red sub-pixel 20R and the blue sub-pixel not including the filter portion. This is to gamma-correct the video signal separately from the sub-pixel 20B.
  • the horizontal scanning driver 34 controls the gradation of the red sub-pixel 20R by current amplitude modulation according to the video signal SR supplied from the gamma correction circuit 33A. More specifically, for example, the horizontal scanning driver 34 supplies a current signal with a predetermined amplitude to the red sub-pixel 20R selected via the signal line based on the video signal SR supplied from the gamma correction circuit 33A.
  • the horizontal scanning driver 34 controls the gradation of the green sub-pixel 20G by current amplitude modulation according to the video signal SG supplied from the gamma correction circuit 33B. More specifically, for example, the horizontal scanning driver 34 supplies a predetermined current value to the green sub-pixel 20G selected via the signal line based on the video signal SG supplied from the gamma correction circuit 33B.
  • the horizontal scanning driver 34 controls the gradation of the blue sub-pixel 20B by current amplitude modulation according to the video signal SB supplied from the gamma correction circuit 33A. More specifically, for example, the horizontal scanning driver 34 supplies a predetermined current value to the blue sub-pixel 20B selected via the signal line based on the video signal SB supplied from the gamma correction circuit 33A.
  • the vertical scanning driver 35 scans the sub-pixels 20 on a row-by-row basis when writing video signals to the sub-pixels 20, and sequentially supplies scanning signals to the scanning lines.
  • the display device 10 includes a circuit board 11 having a current amplitude modulation type drive circuit 30, and a plurality of light emitting elements 12R, 12G, and 12B two-dimensionally arranged on the first surface of the circuit board 11. and a color filter (wavelength correction layer) 13 capable of correcting the wavelength of light emitted from the plurality of light emitting elements 12G (light whose wavelength is shifted due to changes in the current density of the light emitting elements 12G).
  • the drive circuit 30 generates a video signal (first signal) SG supplied to the light emitting element (first light emitting element) 12G and a video signal (first signal) SG supplied to the light emitting elements (second light emitting elements) 12R and 12B, respectively.
  • Second signals SR and SB are provided with gamma correction circuits 33A and 33B capable of gamma correction independently.
  • wavelength-shifted light is emitted from the light emitting element 12G and enters the green filter portion 13G of the color filter 13 as the current density of the light emitting element 12G changes.
  • the green filter section 13G transmits green light out of the wavelength-shifted light, but blocks light other than green light.
  • the drive circuit 30 gamma-corrects (amplifies) the video signal SG so as to compensate for the luminance lowered by the green filter section 13G, and drives the light-emitting element 12G by the current amplitude modulation method using the gamma-corrected video signal SG. Therefore, it is possible to suppress deterioration in image quality due to occurrence of color shift in the light emitting element 12G while suppressing a decrease in luminance of the green sub-pixel 20G.
  • the display device 10 Since the display device 10 according to one embodiment is driven by the current amplitude modulation method, image quality deterioration (flickering) peculiar to the pulse width modulation method does not occur.
  • a general-purpose GaN-based LED element or the like can be used as the green light emitting element 12G instead of using a special and expensive LED element whose wavelength shift is suppressed. Therefore, it is possible to suppress deterioration in image quality due to occurrence of color misregistration while suppressing an increase in the manufacturing cost of the display device 10 .
  • white sub-pixels without color filters i.e., white light-emitting elements
  • red, green, and blue sub-pixels configured by combining white light-emitting elements and color filters.
  • one pixel must be composed of four sub-pixels, which complicates the structure of the display device. Therefore, it may become difficult to increase the definition of the display device.
  • the display device 10 according to one embodiment has a configuration in which the color filter (the green filter portion 13G) is provided only above the green light emitting element 12G, the structure of the display device 10 can be simplified. Therefore, it is easy to increase the definition of the display device 10 .
  • the color filter 13 since the color filter 13 includes only the green filter portion 13G, it is not necessary to select the material of the green filter portion 13G in consideration of the materials of the blue filter portion and the red filter portion. , the degree of freedom of material selection for the green filter portion 13G is high.
  • a red color filter portion, a green color filter portion, and a blue color filter portion are made of the same material. Since the blue filter is provided above the short-wavelength blue light emitting element, the blue filter section is more susceptible to photodegradation than the green filter section and the red filter section. For this reason, materials for the red color filter portion, the green color filter portion, and the blue color filter portion are generally selected in consideration of the photodegradation of the blue filter.
  • the color filter 13 since the color filter 13 includes only the green filter portion 13G, the material of the green filter portion 13G can be selected without considering the optical deterioration of the blue filter portion. can. Therefore, the degree of freedom of material selection for the green filter portion 13G is increased. Therefore, the manufacturing cost of the display device 10 can be reduced.
  • the color filter 13 does not include the blue filter portion, which is more susceptible to photodegradation than the green filter portion 13G. can be placed. Therefore, the luminous efficiency of the display device 10 can be improved.
  • the number of processes can be reduced because it is not necessary to separately apply three color filters.
  • the red sub-pixel 20R and the blue sub-pixel 20B are not provided with a filter section, it is possible to prevent the brightness of the red sub-pixel 20R and the blue sub-pixel 20B from decreasing due to the color filter. .
  • the color filter 13 includes only the green filter portion 13G, it is possible to increase the positional deviation margin of the color filter 13 compared to the case where the color filter includes the red color filter portion, the green color filter portion, and the blue color filter portion. can.
  • Modification 1 Modification 1
  • the example in which the display device 10 includes the color filter 13 as the wavelength correction layer has been described, but the wavelength correction layer is not limited to the color filter 13 .
  • the display device 10 may include a color conversion layer 14G as a wavelength correction layer instead of the color filter 13.
  • the color conversion layer 14G can convert the wavelength-shifted light into green light as the current density of the light emitting element 12G changes. That is, the color conversion layer 14G can correct the emission wavelength shift caused by the current density change of the light emitting element 12G.
  • the color conversion layer 14G may be provided directly on the first surface of the light emitting element 12 or may be provided above the first surface of the light emitting element 12. Note that FIG. 5 shows an example in which the color conversion layer 14G is provided on the first surface of the light emitting element 12. As shown in FIG.
  • the color conversion layer 14G contains, for example, at least one selected from the group consisting of quantum dots (semiconductor particles) and phosphors.
  • the display device 10 may include a compound semiconductor light-emitting element 15G (hereinafter referred to as "light-emitting element 15G") that also functions as a wavelength correction layer instead of the light-emitting element 12G.
  • Light emitting element 15G has a resonator structure.
  • the resonator structure is configured to resonate and emphasize the green light contained in the light whose wavelength has been shifted as the current density of the light emitting element 15G changes. Therefore, the resonator structure can correct the wavelength-shifted light due to the current density change of the light emitting element 15G.
  • the display device 10 includes a compound semiconductor light emitting element 12UV (hereinafter referred to as "light emitting element 12UV”) instead of the light emitting element 12G, and a wavelength correction layer instead of the color filter 13.
  • a color conversion layer 16G may be provided.
  • the light emitting element 12UV can emit ultraviolet rays.
  • the light emitting element 12B is, for example, a UV LED element.
  • the color conversion layer 16G can convert ultraviolet rays emitted from the light emitting elements 12UV into green light.
  • the color conversion layer 16G may be provided directly on the first surface of the light emitting element 12UV, or may be provided above the first surface of the light emitting element 12UV. Note that FIG. 7 shows an example in which the color conversion layer 16G is directly provided on the first surface of the light emitting element 12UV.
  • the color conversion layer 16G contains, for example, at least one selected from the group consisting of quantum dots (semiconductor particles) and phosphors.
  • the red sub-pixel 20R, the green sub-pixel 20G and the blue sub-pixel 20B have the same area, but as shown in FIG. 20R and may be larger than the area of the blue sub-pixel 20B. As a result, it is possible to suppress a decrease in luminance of the green sub-pixel 20G due to the color filter 13.
  • FIG. 20G the area of green subpixel 20G may be about twice the area of red subpixel 20R or blue subpixel 20B.
  • the area of the green sub-pixel 20G is larger than the area of the red sub-pixel 20R and the blue sub-pixel 20B, as shown in FIG. It may be provided only around the green sub-pixel 20G. Since the area of the green sub-pixel 20G is larger than the area of the red sub-pixel 20R and the blue sub-pixel 20B, even if the light shielding portion 13BM is provided around the green sub-pixel 20G, the reduction in the area of the green sub-pixel 20G is suppressed. be able to. Therefore, it is possible to suppress a decrease in luminance of the green sub-pixel 20G due to the provision of the light shielding portion 13BM.
  • FIG. 11B may be composed of one red sub-pixel 20R, two green sub-pixels 20G and one blue sub-pixel 20B.
  • color filters 13 may be provided adjacently on a plurality of light emitting elements 12 . In this case, it is possible to suppress the light emitted from the light emitting elements 12R and 12B from entering the green filter portion 13G, thereby suppressing color mixture.
  • the display device 10 may comprise a protective layer 17 on the first surface of the circuit board 11, as shown in FIG.
  • a plurality of light emitting elements 12 are provided within a protective layer 17 .
  • the protective layer 17 shields the plurality of light emitting elements 12 from the outside air, and can suppress moisture intrusion into the light emitting elements 12 from the external environment.
  • the protective layer 17 has insulating properties and is transparent to visible light. In this specification, visible light refers to light in the wavelength range of 360 nm to 830 nm.
  • the protective layer 17 contains, for example, a polymer resin or an inorganic material with low hygroscopicity.
  • Polymer resins include, for example, at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet-curable resins, and the like.
  • the polymer resin may be an underfill material.
  • the inorganic material is, for example, selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), titanium oxide (TiO x ) and aluminum oxide (AlO x ). contains at least one
  • the color filter 13 may be provided on the first surface of the protective layer 17 .
  • the color filter 13 may not include the light shielding portion 13BM as shown in FIG. 12, or may include the light shielding portion 13BM as shown in FIG.
  • FIG. 14 shows an example in which the color filter 13 does not include the light shielding portion 13BM (see FIG. 2)
  • the color filter 13 may include the light shielding portion 13BM.
  • some of the plurality of openings 13H are provided on the first surface of the light emitting element 12R, and the rest of the plurality of openings 13H are provided on the first surface of the light emitting element 12B. good too.
  • the display device 10 may include a counter substrate 18 facing the first surface of the circuit board 11, as shown in FIG.
  • the counter substrate 18 may have the color filters 13 on the second surface facing the circuit board 11 .
  • FIG. 15 shows an example in which the color filter 13 does not include the light shielding portion 13BM (see FIG. 2), the color filter 13 may include the light shielding portion 13BM.
  • the counter substrate 18 has transparency to visible light.
  • the counter substrate 18 includes, for example, glass or polymer resin.
  • FIG. 7 An example in which the display device 10 has a top emission structure in which the light emitted from the light emitting element 12 is extracted from the side opposite to the circuit board 11 (see FIG. 2) has been described.
  • 10 may have a bottom emission type structure in which light emitted from the light emitting element 12 is extracted from the circuit board 19 side, as shown in FIG.
  • the circuit board 19 has transparency to visible light.
  • a color filter 13 may be provided on the first surface of the circuit board 19 .
  • FIG. 16 shows an example in which the color filter 13 does not include the light shielding portion 13BM (see FIG. 2), the color filter 13 may include the light shielding portion 13BM.
  • the green filter section 13G may be a layer having a plurality of openings 13GH.
  • the opening 13GH penetrates through the display device 10 in the thickness direction. Some of the openings 13GH are provided above the light emitting elements 12R, and the rest of the openings 13GH are provided above the light emitting elements 12B.
  • FIG. 18 shows an example in which the light blocking portion 13BM is provided on the upper surface of the green filter portion 13G provided above the light emitting element 12G.
  • the light blocking portion 13BM may not be provided on the upper surface of the green filter portion 13G provided.
  • the display device 10 may include the wavelength cut filter 21 as the wavelength correction layer as shown in FIG.
  • the wavelength cut filter 21 may include a wavelength cut filter portion 21G and a light blocking portion 13BM.
  • FIG. 20 is a diagram showing an example of emission spectra of the light emitting element 12G under weak excitation and strong excitation.
  • the emission spectrum of the light emitting element 12G shifts to the short wavelength side as the current density increases, for example.
  • the wavelength cut filter section 21G is a short wavelength cut filter section capable of cutting light having a wavelength shorter than the first specified wavelength (first cutoff wavelength). More specifically, for example, the wavelength cut filter section 21G is a short wavelength cut filter section capable of cutting light with a shorter wavelength than the wavelength range of green light.
  • the wavelength cut filter section 21R is a short wavelength cut filter section capable of cutting light having a wavelength shorter than the second specified wavelength (second cutoff wavelength). More specifically, for example, the wavelength cut filter section 21R is a short wavelength cut filter capable of cutting light with wavelengths shorter than the wavelength range of red light.
  • the display device 10 may include the bandpass filter 22 as the wavelength correction layer.
  • the band-pass filter 22 cuts light in a specified wavelength range of light in the visible range, but transmits light in a visible range other than the specified wavelength range. can be done.
  • the bandpass filter 22 may have a film shape.
  • Bandpass filter 22 may be a light absorbing material. The transmission characteristics of the bandpass filter 22 are preferably matched to the high luminance side of the spectrum of the light emitting element 12 .
  • the bandpass filter 22 may be provided over substantially the entire display area of the display device 10 and shared by the plurality of light emitting elements 12 . In this case, since it is not necessary to form a filter for each sub-pixel 20, the manufacturing process can be simplified. Also, there is no need to precisely align the filters for each sub-pixel 20 .
  • the display device 10 may include a protective layer 17 as shown in FIG. In this case, the display device 10 may have a bandpass filter 22 on the first surface of the protective layer 17 .
  • the display device 10 may further include a light blocking portion 13BM on the first surface of the bandpass filter 22 .
  • the green light emitting element 12G is configured to generate an emission wavelength shift due to changes in current density, and a wavelength correction section such as a green filter section 13G is provided on or above the light emitting element 12G.
  • a wavelength correction section such as a green filter section 13G is provided on or above the light emitting element 12G.
  • the red light emitting element 12R may be configured to generate an emission wavelength shift due to changes in current density, and a wavelength correction section such as a red filter section may be provided on or above the light emitting element 12R.
  • the blue light-emitting element 12B may be configured to generate an emission wavelength shift in accordance with changes in current density, and a wavelength correction section such as a blue filter section may be provided on or above the light-emitting element 12B.
  • the two or more sub-pixels 20 forming the pixel 20P may include the light-emitting element 12 and the wavelength corrector configured to generate an emission wavelength shift associated with a change in current density.
  • the green light emitting element 15G is configured to generate an emission wavelength shift due to a change in current density, and the green light contained in the light wavelength-shifted due to a change in current density of the light emitting element 15G
  • an example see FIG. 6 having a resonator structure capable of resonating and enhancing light has been described, the disclosure is not so limited.
  • the red light emitting element 12R is configured to generate an emission wavelength shift with current density change, and resonates and emphasizes the red light contained in the light wavelength-shifted with the current density change of the light emitting element 12R. It may have a resonator structure that can For example, when the light emitting element 12R is a GaN-based compound semiconductor light emitting element, the emission spectrum of the light emitting element 12R shifts to the short wavelength side as the current density increases.
  • the blue light emitting element 12B is configured to generate an emission wavelength shift with current density change, and resonates and emphasizes the blue light contained in the light wavelength-shifted with the current density change of the light emitting element 12B. It may have a resonator structure that can
  • Two or more sub-pixels 20 constituting the pixel 20P are configured to generate an emission wavelength shift with current density change, and the definition included in the wavelength-shifted light with current density change of the light emitting element 12 It may have a resonator structure capable of resonating and enhancing colored light.
  • the present disclosure can also employ the following configuration.
  • a substrate having a current amplitude modulation type drive circuit a plurality of first light emitting elements and a plurality of second light emitting elements two-dimensionally arranged on the substrate; a wavelength correction layer capable of correcting wavelengths of light emitted from the plurality of first light emitting elements,
  • the display device, wherein the drive circuit can independently gamma-correct a first signal supplied to the first light emitting element and a second signal supplied to the second light emitting element.
  • the first light emitting element is configured to generate an emission wavelength shift in accordance with a change in current density.
  • the display device (3) The display device according to (1) or (2), wherein the drive circuit is capable of controlling luminance of the first light emitting element so as to compensate for luminance reduction due to the wavelength correction layer.
  • the wavelength correction layer is provided only on or above the plurality of first light emitting elements.
  • the plurality of first light emitting elements include first compound semiconductor light emitting elements capable of emitting green light.
  • the plurality of second compound semiconductor light emitting elements include a plurality of second compound semiconductor light emitting elements capable of emitting red light and a plurality of third compound semiconductor light emitting elements capable of emitting blue light ( 5) The display device according to the above.
  • the plurality of first light emitting elements may include a first compound semiconductor light emitting element capable of emitting green light, a second compound semiconductor light emitting element capable of emitting red light, and a blue light emitting element.
  • the plurality of second light emitting elements include light emitting elements other than the one or two light emitting elements.
  • any one of (1) to (9), wherein the peak wavelength of the first light-emitting element under weak excitation is closer to the center wavelength of the wavelength correction layer than the peak wavelength of the first light-emitting element under strong excitation; 2.
  • the display device according to item 1. (11) The display device according to any one of (1) to (10), wherein the wavelength correction layer is a color filter. (12) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the wavelength correction layer is a wavelength cut filter. (13) The display device according to any one of (1) to (9), wherein the wavelength correction layer is a color conversion layer. (14) The display device according to any one of (1) to (10), wherein the wavelength correction layer is a bandpass filter.
  • the wavelength correction layer is provided on or above the plurality of first light emitting elements and the plurality of second light emitting elements, The display device according to any one of (1) to (10), wherein the wavelength correction layer blocks light in a partial wavelength range of the first light emitting element and transmits light in other wavelength ranges. .
  • a first sub-pixel is configured by the first light-emitting element and the wavelength correction layer
  • a second sub-pixel is configured by the second light-emitting element
  • the display device according to any one of (1) to (15), wherein the area of the first sub-pixel is larger than the area of the second sub-pixel.
  • the wavelength correction layer includes a plurality of wavelength correction parts and a light shielding part, Each wavelength correction unit is provided on or above the first light emitting element,
  • the display device according to any one of (1) to (16), wherein the light shielding section is provided around or on the wavelength correction section.
  • the first light emitting element has a resonator structure capable of correcting light emitted from the first light emitting element,
  • the display device, wherein the drive circuit can independently gamma-correct a first signal supplied to the first light emitting element and a second signal supplied to the second light emitting element.
  • the first light emitting element is configured to generate an emission wavelength shift with a change in current density
  • the display device according to (18) wherein the resonator structure can resonate and emphasize a prescribed color light contained in the light wavelength-shifted according to the current density change of the first light emitting element.
  • An electronic device comprising the display device according to any one of (1) to (19).
  • the display device 10 according to the above embodiment and its modification may be provided in various electronic devices.
  • 24A is a front view showing an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • FIG. 24B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera 310.
  • This digital still camera 310 is of an interchangeable single-lens reflex type, and has an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 312 in approximately the center of the front of a camera main body (camera body) 311, and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for a photographer to hold.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back surface of the camera body 311 .
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314 . By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can view the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • Electronic viewfinder 315 includes display device 10 .
  • FIG. 25 is a perspective view showing an example of the appearance of the head mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 on both sides of an eyeglass-shaped display 321 to be worn on the user's head.
  • the display unit 321 includes the display device 10 .
  • FIG. 26 is a perspective view showing an example of the appearance of the television device 330.
  • the television apparatus 330 has an image display screen portion 331 including, for example, a front panel 332 and a filter glass 333 , and the image display screen portion 331 includes the display device 10 .
  • Light emitting element array 37 Image data 120R, 120G, 120B Compound semiconductor laminate 121R, 121G, 121B First electrode 122R, 122G, 122B Second electrode 123R , 123G, 123B First compound semiconductor layer 124R, 124G, 124B Light emitting layer 125R, 125G, 125B Second compound semiconductor layer 310 Digital

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Abstract

色ズレの発生による画品位の低下を抑制することができる表示装置を提供する。　表示装置は、電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と、複数の第１の発光素子から出射された光の波長を補正することができる波長補正層とを備える。駆動回路は、第１の発光素子に供給される第１の信号と第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
　表示装置（例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode）表示装置）においては、パルス幅変調駆動が広く用いられている（例えば特許文献１参照）。しかしながら、パルス幅変調駆動が用いられた表示装置は、回路が複雑で画素高精細化が困難であり、また、低輝度時の短パルス化に伴うちらつき（フリッカー）により画品位が低下するという問題がある。
特開２０２１－２６０１３号公報
　表示装置の駆動方式として電流振幅変調方式を用いることで、上記問題を解消することはできる。しかしながら、発光素子の電流密度変化に伴う発光波長シフトが発光素子に発生し、発光素子に色ズレが発生するため、画品位が低下するという別の問題が発生する。
　本開示の目的は、色ズレの発生による画品位の低下を抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本開示に係る表示装置は、
　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
　基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と、
　複数の第１の発光素子から出射された光の波長を補正することができる波長補正層と
　を備え、
　駆動回路は、第１の発光素子に供給される第１の信号と第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる。
　本開示に係る表示装置は、
　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
　基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と
　を備え、
　第１の発光素子は、該第１の発光素子から出射される光を補正することができる共振器構造を有し、
　駆動回路は、第１の発光素子に供給される第１の信号と第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる。
　本開示に係る電子機器は、本開示に係る表示装置を備える。
　本開示において、波長補正層は、カラーフィルタ、バンドパスフィルタ、波長カットフィルタおよび色変換層からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。
　本開示において、波長補正層は、複数の波長補正部を備え、各波長補正部は、第１の発光素子上または上方に設けられてもよい。波長補正部は、カラーフィルタ部、バンドパスフィルタ部、波長カットフィルタ部および色変換部からなる群より選ばれた少なくとも１種を含んでもよい。
　本開示において、波長補正層は、波長補正部の周囲または波長補正部上に遮光部を備えてもよい。
　本開示において、波長補正層は複数の開口を有し、各開口は第２の発光素子上または上方に設けられてもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、赤色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、緑色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、赤色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、青色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、赤色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子、および緑色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、赤色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子、および緑色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、赤色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、緑色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
　本開示において、複数の第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子を含み、複数の第２の発光素子が、赤色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子を含んでもよい。
図１は、一実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。 図３は、化合物半導体発光素子の構成の一例を示す断面図である。 図４は、駆動回路の構成の一例を示すブロック図である。 図５は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図６は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図７は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図８は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図９は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図１０は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図１１Ａは、図１０のＸＩＡ－ＸＩＡ線に沿った断面図である。図１１Ｂは、図１０のＸＩＢ－ＸＩＢ線に沿った断面図である。 図１２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１４は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１５は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１６は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１７は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１８は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１９は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２０は、化合物半導体発光素子の弱励起時および強励起時の発光スペクトルの一例を示す図である。 図２１は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２３は、各化合物半導体発光素子の発光スペクトルを示す図である。 図２４Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図２４Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図２５は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図２６は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　一実施形態（表示装置の例）
　２　変形例（表示装置の変形例）
　３　応用例（電子機器の例）
＜１　一実施形態＞
［表示装置１０の構成］
　図１は、一実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す平面図である。図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。表示装置１０は、回路基板１１と、複数の画素２０Ｐとを備える。表示装置１００は、例えば、ＬＥＤ表示装置である。表示装置１００は、発光デバイスの一例である。
　以下の説明において、表示装置１０を構成する各層および各部材において、表示装置１０の表示面側となる面を第１の面といい、上記表示面とは反対側となる面を第２の面という。
（回路基板１１）
　回路基板１１は、いわゆるバックプレーンである。回路基板１１は、複数の画素２０Ｐを駆動する。回路基板１１の第１の面には、配線１１ａおよび図４に示された駆動回路３０等が設けられている。
　回路基板１１の基板本体は、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されてもよい。具体的には、基板本体は、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（画素２０Ｐ）
　複数の画素２０Ｐは、規定の配置パターンで回路基板１１の第１の面に２次元配置されている。画素２０Ｐは、赤色サブ画素２０Ｒと、緑色サブ画素２０Ｇと、青色サブ画素２０Ｂとにより構成されている。赤色サブ画素２０Ｒは、第１のサブ画素の一例である。緑色サブ画素２０Ｇおよび青色サブ画素２０Ｂは、第２のサブ画素の一例である。赤色サブ画素２０Ｒ、緑色サブ画素２０Ｇおよび青色サブ画素２０Ｂの第１電極は、バンプまたはビア等の接続部材１２ｍにより回路基板１１上の配線（図示せず）に接続されている。赤色サブ画素２０Ｒ、緑色サブ画素２０Ｇおよび青色サブ画素２０Ｂの第２電極は、バンプまたはビア等の接続部材１２ｎにより回路基板１１上の配線１１ａに接続されている。
　複数の画素２０Ｐは、複数の化合物半導体発光素子１２Ｒ（以下「発光素子１２Ｒ」という。）と、複数の化合物半導体発光素子１２Ｇ（以下「発光素子１２Ｇ」という。）、複数の化合物半導体発光素子１２Ｂ（以下「発光素子１２Ｂ」という。）と、カラーフィルタ１３により構成されている。具体的には、緑色サブ画素２０Ｇは、発光素子１２Ｇと、カラーフィルタ１３とにより構成されている。赤色サブ画素２０Ｒは、発光素子１２Ｒにより構成されている。青色サブ画素２０Ｂは、発光素子１２Ｂにより構成されている。
　なお、以下の説明において、赤色サブ画素２０Ｒ、緑色サブ画素２０Ｇ、青色サブ画素２０Ｂを特に区別せず総称する場合には、サブ画素２０という。発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂを特に区別せず総称する場合には、発光素子１２という。発光素子１２Ｇは、第１の化合物半導体発光素子の一例であり、発光素子１２Ｒ、１２Ｂは、第２の化合物半導体発光素子の一例である。複数の発光素子１２Ｇは、マトリクス状またはデルタ状等の規定の配置パターンで回路基板１１の第１の面に２次元配置されている。
（発光素子１２Ｇ）
　発光素子１２Ｇは、緑色光を発光することができる。発光素子１２Ｇは、発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って発光波長シフトを発生するように構成されている。発光素子１２Ｇの発光スペクトルは、図２０に示すように、電流密度の増加に伴って短波長側にシフトしてもよい。例えば、発光素子１２ＧがＧａＮ系化合物半導体発光素子である場合、発光素子１２Ｇの発光スペクトルは、電流密度の増加に伴って短波長側にシフトする。
　発光素子１２Ｇは、例えば、緑色ＬＥＤ素子である。発光素子１２Ｇは、図３に示すように、化合物半導体積層体１２０Ｇと、第１の電極１２１Ｇと、第２の電極１２２Ｇとを備える。化合物半導体積層体１２０Ｇは、第１の化合物半導体層１２３Ｇと、発光層１２４Ｇと、第２の化合物半導体層１２５Ｇとを順に備える。
　第１の化合物半導体層１２３Ｇの第２の面が、回路基板１１の第１の面に対向する。第２の化合物半導体層１２５Ｇの第２の面の一部が、発光層１２４Ｇおよび第１の化合物半導体層１２３Ｇに覆われず露出した露出部となっている。第１の電極１２１Ｇが、第１の化合物半導体層１２３Ｇの第２の面に設けられている。第２の電極１２２Ｇが、第２の化合物半導体層１２５Ｇの露出部に設けられている。第１の電極１２１Ｇは、バンプまたはビア等の接続部材１２ｍにより回路基板１１の第１の面上の配線（図示せず）に接続されている。第２の電極１２２Ｇは、バンプまたはビア等の接続部材１２ｎにより回路基板１１の第１の面上の配線１１ａに接続されている。
　発光層１２４Ｇは、緑色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１２３、発光層１２４Ｇおよび第２の化合物半導体層１２５Ｇは、例えば、ＩｎＧａＮ系化合物半導体またはＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体等のＧａＮ系化合物半導体を含む。第１の化合物半導体層１２３は第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１２５Ｇは、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。第１の導電型がｐ型であり、第２の導電型がｎ型であってもよいし、第１の導電型がｎ型であり、第２の導電型がｐ型であってもよい。発光素子１２Ｇはカソードコモンで接続されていてもよし、アノードコモンで接続されてもよい。
（発光素子１２Ｒ）
　発光素子１２Ｒは、赤色光を発光することができる。発光素子１２Ｒは、例えば、赤色ＬＥＤ素子である。発光素子１２Ｒは、図３に示すように、化合物半導体積層体１２０Ｒと、第１の電極１２１Ｒと、第２の電極１２２Ｒとを備える。化合物半導体積層体１２０Ｒは、第１の化合物半導体層１２３Ｒと、発光層１２４Ｒと、第２の化合物半導体層１２５Ｒとを順に備える。
　発光層１２４Ｒは、赤色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１２３Ｒ、発光層１２４Ｒおよび第２の化合物半導体層１２５Ｒは、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系化合物半導体、ＡｌＧａＩｎＡｓ系化合物半導体、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体、ＧａＡｓＰ系化合物半導体、ＧａＰ系化合物半導体またはペロブスカイト半導体を含む。第１の化合物半導体層１２３Ｒは第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１２５Ｒは、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。
　赤色サブ画素２０Ｒは、上記以外の点においては緑色サブ画素２０Ｇと同様である。
（発光素子１２Ｂ）
　発光素子１２Ｂは、青色光を発光することができる。発光素子１２Ｂは、例えば、青色ＬＥＤ素子である。発光素子１２Ｂは、図３に示すように、化合物半導体積層体１２０Ｂと、第１の電極１２１Ｂと、第２の電極１２２Ｂとを備える。化合物半導体積層体１２０Ｂは、第１の化合物半導体層１２３Ｂと、発光層１２４Ｂと、第２の化合物半導体層１２５Ｂとを順に備える。
　発光層１２４Ｂは、青色光を発光することができる。第１の化合物半導体層１２３Ｂ、発光層１２４Ｂおよび第２の化合物半導体層１２５Ｂは、例えば、ＡｌＩｎＧａＮ系化合物半導体、ＩｎＧａＮ系化合物半導体、ＧａＮ系化合物半導体、ＡｌＧａＮ系化合物半導体、ＺｎＳｅ系化合物半導体、ＺｎＯ系化合物半導体またはペロブスカイト半導体を含む。第１の化合物半導体層１２３Ｂは第１導電型を有し、第２の化合物半導体層１２５Ｂは、第１導電型と反対の導電型である第２導電型を有する。
　青色サブ画素２０Ｂは、上記以外の点においては緑色サブ画素２０Ｇと同様である。
（カラーフィルタ１３）
　カラーフィルタ１３は、波長補正層の一例である。カラーフィルタ１３は、遮光部１３ＢＭと、複数の緑色フィルタ部１３Ｇとを備える。
　遮光部１３ＢＭは、複数の開口１３Ｈを有する層である。開口１３Ｈは、表示装置１０の厚さ方向に貫通している。各開口１３Ｈは、発光素子１２の上方に設けられている。すなわち、遮光部１３ＢＭは、平面視において、隣接する発光素子１２の間の部分に設けられている。遮光部１３ＢＭが、平面視において、緑色フィルタ部１３Ｇを取り囲むように緑色フィルタ部１３Ｇの周囲に設けられている。本明細書において、平面視とは、表示装置１０の表示面に対して垂直な方向から対象物が見られたときの平面視を意味する。
　遮光部１３ＢＭは、黒色を有している。遮光部１３ＢＭは、発光素子１２から出射された光を遮光することができる。遮光部１３ＢＭは、ブラックマトリックスであってもよい。遮光部１３ＢＭは、例えば、黒色のレジストを含む。
　緑色フィルタ部１３Ｇは、波長補正部の一例である。緑色フィルタ部１３Ｇは、発光素子１２Ｇの上方の開口１３Ｈ内に設けられている。緑色フィルタ部１３Ｇは、発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って発生した発光波長シフトを補正することができる。具体的には例えば、緑色フィルタ部１３Ｇは、発光素子１２Ｇから出射された光のうち緑色光を透過することができるのに対して、緑色光以外の光を遮光することができる。緑色フィルタ部１３Ｇは、ピークの半値幅（半値全幅）が４９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にある分光特性を有してもよい。発光素子１２Ｇの弱励起時のピーク波長（図２０参照）が、発光素子１２Ｇの強励起時のピーク波長（図２０参照）よりも、緑色フィルタ部１３Ｇの中心波長に近いことが好ましい。これにより、緑色フィルタ部１３Ｇによる輝度低下を抑制することができる。
　発光素子１２Ｒの上方の開口１３Ｈは、空洞であってもよいし、発光素子１２Ｒから出射された赤色光に対して透明性を有する樹脂で埋められてもよい。発光素子１２Ｂの上方の開口１３Ｈは、空洞であってもよいし、発光素子１２Ｂから出射された青色光に対して透明性を有する樹脂で埋められてもよい。
[駆動回路３０の構成]
　図４は、一実施形態に係る表示装置１０に備えられた駆動回路３０の構成の一例を示すブロック図である。駆動回路３０は、画像データ入力インターフェール（以下「データ入力Ｉ／Ｆ」という。）３１と、タイミングコントローラ３２と、ガンマ補正回路３３Ａと、ガンマ補正回路３３Ｂと、水平走査ドライバ３４と、垂直走査ドライバ３５とを備える。
　駆動回路３０は、電流振幅変調方式の駆動回路である。上記のように、波長補正層としての緑色フィルタ部１３Ｇが、波長シフトする発光素子１２Ｇの上方に設けられている。緑色サブ画素２０Ｇの輝度が、上記のように緑色フィルタ部１３Ｇを設けたことで低下する虞がある。駆動回路３０は、このような輝度低下を補うように、発光素子１２Ｇの輝度制御を行うことができるように構成されている。すなわち、駆動回路３０は、緑色フィルタ部１３Ｇによる輝度低下分のゲインを印加できるように、発光素子１２Ｇと、発光素子１２Ｒ、１２Ｂとで異なるガンマパラメータを設定することができるように構成されている。
　発光素子アレイ３６は、２次元配置された複数の発光素子１２により構成されている。複数の信号線および複数の走査線が、回路基板１１の第１の面に設けられている。複数の信号線および複数の信号線は、互いに直交するように配置されている。複数の発光素子１２はそれぞれ、信号線および走査線の交点に対応して設けられている。
　タイミングコントローラ３２、ガンマ補正回路３３Ａおよびガンマ補正回路３３Ｂは、専用のＬＳＩ（Large Scale Integration：大規模集積回路）により構成されてもよいし、ＭＰＵ（Micro-processing unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）等を含むコンピュータシステムにより構成されてもよい。ガンマ補正回路３３Ｂが、タイミングコントローラ３２とは別にＩＣ（Integrated Circuit）で構成されてもよい。水平走査ドライバ３４は、ＩＣにより構成されてもよい。垂直走査ドライバ３５は、ＩＣにより構成されてもよい。
　データ入力Ｉ／Ｆ３１は、画像データ３７を入力する画像入力部である。タイミングコントローラ３２は、画像処理部３２Ａと輝度制御部３２Ｂとを備える。画像処理部３２Ａは、データ入力Ｉ／Ｆ３１を介して入力された画像データ３７に基づき、映像信号ＳＲ、映像信号ＳＧおよび映像信号ＳＢを生成し、映像信号ＳＲおよび映像信号ＳＧをガンマ補正回路３３Ａに供給し、映像信号ＳＧをガンマ補正回路３３Ｂに供給する。ここで、映像信号ＳＲは、赤色サブ画素２０Ｒを駆動するための信号であり、映像信号ＳＧは、緑色サブ画素２０Ｇを駆動するための信号であり、映像信号ＳＢは、青色サブ画素２０Ｂを駆動するための信号である。映像信号ＳＲ、映像信号ＳＧ、映像信号ＳＢはそれぞれ、Ｒ信号、Ｇ信号、Ｂ信号であってもよい。画像処理部３２Ａは、データ入力Ｉ／Ｆ３１を介して入力された画像データ３７に基づき、走査信号を生成し、垂直走査ドライバ３５に供給する。
　ガンマ補正回路３３Ａは、画像処理部３２Ａから供給された映像信号ＳＲおよび映像信号ＳＢをガンマ補正し、水平走査ドライバ３４に供給する。ガンマ補正回路３３Ｂは、画像処理部３２Ａから供給された映像信号ＳＧをガンマ補正し、水平走査ドライバ３４に供給する。具体的には例えば、ガンマ補正回路３３Ｂは、波長補正層であるカラーフィルタ１３による輝度低下を補うように、画像処理部３２Ａから供給された映像信号ＳＧをガンマ補正する。表示装置１０がガンマ補正回路３３Ａとガンマ補正回路３３Ａとの２つのガンマ補正回路を備えているのは、緑色フィルタ部１３Ｇを含む緑色サブ画素２０Ｇと、フィルタ部を含まない赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂとで別々に、映像信号をガンマ補正するためである。
　水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ａから供給された映像信号ＳＲに応じた電流振幅変調により、赤色サブ画素２０Ｒの諧調を制御する。より具体的には例えば、水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ａから供給された映像信号ＳＲに基づき、信号線を介して選択された赤色サブ画素２０Ｒに所定の振幅の電流信号を供給する。
　水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ｂから供給された映像信号ＳＧに応じた電流振幅変調により、緑色サブ画素２０Ｇの諧調を制御する。より具体的には例えば、水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ｂから供給された映像信号ＳＧに基づき、信号線を介して選択された緑色サブ画素２０Ｇに所定の電流値を供給する。
　水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ａから供給された映像信号ＳＢに応じた電流振幅変調により、青色サブ画素２０Ｂの諧調を制御する。より具体的には例えば、水平走査ドライバ３４は、ガンマ補正回路３３Ａから供給された映像信号ＳＢに基づき、信号線を介して選択された青色サブ画素２０Ｂに所定の電流値を供給する。
　垂直走査ドライバ３５は、各サブ画素２０への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線に走査信号を順次供給する。
[作用効果]
　一実施形態に係る表示装置１０では、電流振幅変調方式の駆動回路３０を有する回路基板１１と、回路基板１１の第１の面上に２次元配置された複数の発光素子１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂと、複数の発光素子１２Ｇから出射された光（発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って波長シフトされた光）の波長を補正することができるカラーフィルタ（波長補正層）１３とを備える。駆動回路３０は、発光素子（第１の発光素子）１２Ｇに供給される映像信号（第１の信号）ＳＧと、発光素子（第２の発光素子）１２Ｒ、１２Ｂにそれぞれ供給される映像信号（第２の信号）ＳＲ、ＳＢとを独立してガンマ補正することができるガンマ補正回路３３Ａ、３３Ｂを備える。
　上記構成を有する表示装置１０では、発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って、波長シフトされた光が発光素子１２Ｇから出射され、カラーフィルタ１３の緑色フィルタ部１３Ｇに入射する。緑色フィルタ部１３Ｇは、波長シフトされた光のうち緑色光を透過するのに対して、緑色光以外の光を遮光する。駆動回路３０は、緑色フィルタ部１３Ｇにより低下した輝度を補うように映像信号ＳＧをガンマ補正（増幅）し、ガンマ補正された映像信号ＳＧを用いて発光素子１２Ｇを電流振幅変調方式により駆動する。したがって、緑色サブ画素２０Ｇの輝度低下を抑制しつつ、発光素子１２Ｇの色ズレの発生による画品位の低下を抑制することができる。
　パルス幅変調駆動により駆動される表示装置では、微細nodeテクノロジーを駆使した回路の高密度化により、高精細なディスプレイ開発が試みられているが、製造コストが著しく増大してしまっている。
　一方、一実施形態に係る表示装置１０は、電流振幅変調方式により駆動されるため、パルス幅変調駆動により駆動される表示装置に比べて、回路規模を小さくすることができる。したがって、製造コストを低減することができる。
　一実施形態に係る表示装置１０は電流振幅変調方式により駆動されるため、パルス幅変調方式特有の画品位劣化(チラつき)が発生しない。
　一実施形態に係る表示装置１０では、緑色の発光素子１２Ｇとして、波長シフトが抑制された特殊で高価なＬＥＤ素子を用いるのではなく、汎用のＧａＮ系ＬＥＤ素子等を用いることができる。したがって、表示装置１０の製造コストの上昇を抑制しつつ、色ズレの発生による画品位の低下を抑制することができる。
　有機ＥＬ表示装置では、白色の発光素子とカラーフィルタとの組み合わせにより構成された赤色、緑色、青色サブ画素に対して、カラーフィルタの無い白色サブ画素（すなわち、白色の発光素子）を配置することで、カラーフィルタによる輝度低下を抑制する技術が提案されている。しかしながら、この技術では、１つの画素を４つのサブ画素で構成することが必要となるため、表示装置の構造が複雑になる。よって、表示装置の高精細化が困難になる虞がある。
　一方、一実施形態に係る表示装置１０では、緑色の発光素子１２Ｇの上方にのみカラーフィルタ（緑色フィルタ部１３Ｇ）を備える構成であるため、表示装置１０の構造を簡素化することができる。よって、表示装置１０を高精細化が容易である。
　一実施形態に係る表示装置１０では、カラーフィルタ１３は緑色フィルタ部１３Ｇのみを備えているので、緑色フィルタ部１３Ｇの材料を青色フィルタ部と赤色フィルタ部の材料を考慮して選択する必要がなく、緑色フィルタ部１３Ｇの材料選択の自由度が高い。
　一般的に、カラーフィルタでは、赤色カラーフィルタ部、緑色カラーフィルタ部および青色カラーフィルタ部は同種の材料により構成される。青色フィルタは、短波長の青色の発光素子の上方に設けられるため、青色フィルタ部は緑色フィルタ部および赤色フィルタ部に比べて光劣化が顕著である。このため、赤色カラーフィルタ部、緑色カラーフィルタ部および青色カラーフィルタ部の材料は、青色フィルタの光劣化を考慮して選択されるのが一般的である。
　一方、一実施形態に係る表示装置１０は、カラーフィルタ１３は緑色フィルタ部１３Ｇのみを備えているので、青色フィルタ部の光劣化を考慮せずに、緑色フィルタ部１３Ｇの材料を選択することができる。したがって、緑色フィルタ部１３Ｇの材料選択の自由度が高くなる。よって、表示装置１０の製造コストを低減することができる。
　一実施形態に係る表示装置１０では、カラーフィルタ１３は、緑色フィルタ部１３Ｇに比べて光劣化が顕著である青色フィルタ部を備えていないため、カラーフィルタ１３を複数の発光素子１２に近接して配置することができる。したがって、表示装置１０の発光効率を向上させることができる。
　一実施形態に係る表示装置１０では、３色のカラーフィルタの塗分けが不要であるため、工程数を削減することができる。
　一実施形態に係る表示装置１０では、赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂにはフィルタ部が備えられていないため、カラーフィルタによる赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂの輝度低下を防ぐことができる。
　カラーフィルタ１３は緑色フィルタ部１３Ｇのみを備えているので、カラーフィルタが赤色カラーフィルタ部、緑色カラーフィルタ部および青色カラーフィルタ部を備える場合に比べて、カラーフィルタ１３の位置ずれマージンを増やすことができる。
＜２　変形例＞
（変形例１）
　上記一実施形態では、表示装置１０が、波長補正層としてカラーフィルタ１３を備える例について説明したが、波長補正層はカラーフィルタ１３に限定されるものではない。
　例えば、図５に示すように、表示装置１０が、カラーフィルタ１３に代えて、波長補正層として色変換層１４Ｇを備えてもよい。色変換層１４Ｇは、発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って波長シフトされた光を緑色光に変換することができる。すなわち、色変換層１４Ｇは、発光素子１２Ｇの電流密度変化に伴って発生した発光波長シフトを補正することができる。
　色変換層１４Ｇは、発光素子１２の第１の面上に直接設けられてもよいし、発光素子１２の第１の面の上方に設けられてもよい。なお、図５では、色変換層１４Ｇが発光素子１２の第１の面上に設けられている例が示されている。色変換層１４Ｇは、例えば、量子ドット（半導体粒子）および蛍光体等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　例えば、図６に示すように、表示装置１０が、発光素子１２Ｇに代えて、波長補正層の機能が兼ね備えられた化合物半導体発光素子１５Ｇ（以下「発光素子１５Ｇ」という。）を備えてもよい。発光素子１５Ｇは、共振器構造を有する。当該共振器構造は、発光素子１５Ｇの電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる緑色光を共振させ強調することができるように構成されている。したがって、当該共振器構造は、発光素子１５Ｇの電流密度変化に伴って波長シフトされた光を補正することができる。
　例えば、図７に示すように、表示装置１０が、発光素子１２Ｇに代えて化合物半導体発光素子１２ＵＶ（以下「発光素子１２ＵＶ」という。）を備え、かつ、カラーフィルタ１３に代えて波長補正層として色変換層１６Ｇを備えてもよい。発光素子１２ＵＶは、紫外線を発光することができる。発光素子１２Ｂは、例えば、ＵＶ　ＬＥＤ素子である。
　色変換層１６Ｇは、発光素子１２ＵＶから出射された紫外線を緑色光に変換することができる。色変換層１６Ｇは、発光素子１２ＵＶの第１の面上に直接設けられてもよいし、発光素子１２ＵＶの第１の面の上方に設けられてもよい。なお、図７では、色変換層１６Ｇが発光素子１２ＵＶの第１の面上に直接設けられている例が示されている。色変換層１６Ｇは、例えば、量子ドット（半導体粒子）および蛍光体等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（変形例２）
　上記一実施形態では、赤色サブ画素２０Ｒ、緑色サブ画素２０Ｇおよび青色サブ画素２０Ｂの面積が同一である例について説明したが、図８に示すように、緑色サブ画素２０Ｇの面積が、赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂの面積より大きくてもよい。これにより、カラーフィルタ１３による緑色サブ画素２０Ｇの輝度低下を抑制することができる。例えば、緑色サブ画素２０Ｇの面積が、赤色サブ画素２０Ｒまたは青色サブ画素２０Ｂの面積の約２倍であってもよい。
　緑色サブ画素２０Ｇの面積が、赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂの面積より大きい場合、図９に示すように、遮光部１３ＢＭが、赤色サブ画素２０Ｒ、緑色サブ画素２０Ｇおよび青色サブ画素２０Ｂのうち緑色サブ画素２０Ｇの周囲のみに備えられてもよい。緑色サブ画素２０Ｇの面積は、赤色サブ画素２０Ｒおよび青色サブ画素２０Ｂの面積より大きいため、遮光部１３ＢＭが緑色サブ画素２０Ｇの周囲に備えられても、緑色サブ画素２０Ｇの面積の低下を抑制することができる。したがって、遮光部１３ＢＭが設けられたことによる緑色サブ画素２０Ｇの輝度低下を抑制することができる。
（変形例３）
　上記一実施形態では、画素２０Ｐが、１つの赤色サブ画素２０Ｒ、１つの緑色サブ画素２０Ｇおよび1つの青色サブ画素２０Ｂにより構成されている例について説明したが、画素２０Ｐが、図１０、図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、１つの赤色サブ画素２０Ｒ、２つの緑色サブ画素２０Ｇおよび１つの青色サブ画素２０Ｂにより構成されてもよい。図１１Ａ、図１１Ｂに示すように、カラーフィルタ１３が複数の発光素子１２上に隣接して設けられてもよい。この場合、発光素子１２Ｒおよび発光素子１２Ｂの出射光が緑色フィルタ部１３Ｇに入射することを抑制することができるので、混色を抑制することができる。
（変形例４）
　表示装置１０が、図１２に示すように、回路基板１１の第１の面上に保護層１７を備えてもよい。複数の発光素子１２は、保護層１７内に設けられている。保護層１７は、複数の発光素子１２を外気と遮断し、外部環境から発光素子１２内部への水分浸入を抑制することができる。保護層１７は、絶縁性を有し、かつ、可視光に対して透明性を有する。本明細書において、可視光とは、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍの波長域の光をいう。
　保護層１７は、例えば、吸湿性が低い高分子樹脂または無機材料を含む。高分子樹脂は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、アンダーフィル材であってもよい。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　上記のように、表示装置１０が回路基板１１の第１の面上に保護層１７を備える場合、保護層１７の第１の面上にカラーフィルタ１３を備えてもよい。カラーフィルタ１３は、図１２に示すように、遮光部１３ＢＭを備えていなくてもよいし、図１３に示すように、遮光部１３ＢＭを備えてもよい。
（変形例５）
　上記一実施形態では、緑色フィルタ部１３Ｇが、発光素子１２Ｇの第１の面の上方に設けられている例について説明したが、緑色フィルタ部１３Ｇが、図１４に示すように、発光素子１２Ｇの第１の面上に直接設けられてもよい。
　図１４では、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭ（図２参照）を備えていない例が示されているが、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭを備えてもよい。この場合、複数の開口１３Ｈのうち一部はそれぞれ、発光素子１２Ｒの第１の面上に設けられ、複数の開口１３Ｈのうち残りはそれぞれ、発光素子１２Ｂの第１の面上に設けられてもよい。
（変形例６）
　表示装置１０は、図１５に示すように、回路基板１１の第１の面に対向する対向基板１８を備えてもよい。この場合、対向基板１８が、回路基板１１に対向する第２の面にカラーフィルタ１３を備えてもよい。図１５では、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭ（図２参照）を備えていない例が示されているが、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭを備えてもよい。対向基板１８は、可視光に対して透明性を有している。対向基板１８は、例えば、ガラスまたは高分子樹脂を含む。
（変形例７）
　上記一実施形態では、表示装置１０が、発光素子１２から出射された光が回路基板１１とは反対側から取り出されるトップエミッション方式の構造を有する例（図２参照）について説明したが、表示装置１０が、図１６に示すように、発光素子１２から出射された光が回路基板１９側から取り出されるボトムエミッション方式の構造を有してもよい。この場合、回路基板１９は、可視光に対して透明性を有している。カラーフィルタ１３が回路基板１９の第１の面に備えられてもよい。図１６では、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭ（図２参照）を備えていない例が示されているが、カラーフィルタ１３が遮光部１３ＢＭを備えてもよい。
（変形例８）
　上記一実施形態では、遮光部１３ＢＭが、緑色フィルタ部１３Ｇを取り囲むように緑色フィルタ部１３Ｇの周囲に設けられている例について説明したが、遮光部１３ＢＭが、図１７に示すように、緑色フィルタ部１３Ｇの周りに設けられないようにしてもよい。
（変形例９）
　上記一実施形態では、遮光部１３ＢＭと緑色フィルタ部１３Ｇとが同一層内に設けられている例について説明したが、図１８に示すように、緑色フィルタ部１３Ｇ上に遮光部１３ＢＭが設けられてもよい。この場合、緑色フィルタ部１３Ｇは、複数の開口１３ＧＨを有する層であってもよい。開口１３ＧＨは、表示装置１０の厚さ方向に貫通している。複数の開口１３ＧＨのうち一部はそれぞれ、発光素子１２Ｒの上方に設けられ、複数の開口１３ＧＨのうち残りはそれぞれ、発光素子１２Ｂの上方に設けられる。
　図１８では、発光素子１２Ｇの上方に設けられた緑色フィルタ部１３Ｇの上面に遮光部１３ＢＭが設けられている例が示されているが、図１９に示すように、発光素子１２Ｇの上方に設けられた緑色フィルタ部１３Ｇの上面に遮光部１３ＢＭが設けられていなくてもよい。
（変形例１０）
　上記一実施形態では、表示装置１０が波長補正層としてカラーフィルタ１３を備える例について説明したが、図２１に示すように、表示装置１０が波長補正層として波長カットフィルタ２１を備えてもよい。波長カットフィルタ２１は、波長カットフィルタ部２１Ｇと、遮光部１３ＢＭとを備えてもよい。
　図２０は、発光素子１２Ｇの弱励起時および強励起時の発光スペクトルの一例を示す図である。発光素子１２Ｇの発光スペクトルは、例えば、電流密度の増加に伴って短波長側にシフトする。この場合、波長カットフィルタ部２１Ｇは、第１の規定波長（第１のカットオフ波長）よりも短波長の光をカットすることができる短波長カットフィルタ部である。より具体的には例えば、波長カットフィルタ部２１Ｇは、緑色光の波長域よりも短波長の光をカットすることができる短波長カットフィルタ部である。
　発光素子１２Ｒの発光スペクトルも、電流密度の増加に伴って短波長側にシフトする場合には、波長カットフィルタ２１が、図２１に示すように、発光素子１２Ｒの上方に波長カットフィルタ部２１Ｒを備えてもよい。波長カットフィルタ部２１Ｒは、第２の規定波長（第２のカットオフ波長）よりも短波長の光をカットすることができる短波長カットフィルタ部である。より具体的には例えば、波長カットフィルタ部２１Ｒは、赤色光の波長域よりも短波長の光をカットすることができる短波長カットフィルタである。
（変形例１１）
　上記一実施形態では、表示装置１０が波長補正層としてカラーフィルタ１３を備える例について説明したが、図２２に示すように、表示装置１０が波長補正層としてバンドパスフィルタ２２を備えてもよい。バンドパスフィルタ２２は、図２３に示すように、可視域の光のうち規定の波長域の光をカットするのに対して、可視域の光のうち規定の波長域以外の光を透過することができる。バンドパスフィルタ２２は、フィルム状を有してもよい。バンドパスフィルタ２２は、光吸収素材であってもよい。バンドパスフィルタ２２の透過特性は、発光素子１２のスペクトルの高輝度側に合わせることが好ましい。バンドパスフィルタ２２は、表示装置１０の表示領域の略全体に亘って設けられ、複数の発光素子１２により共有されてもよい。この場合、サブ画素２０ごとにフィルタを形成しなくてもよいため、製造工程を簡素化することができる。また、サブ画素２０ごとにフィルタを高精度に位置合わせする必要もない。
　図２２に示すように、表示装置１０が保護層１７を備えていてもよい。この場合、表示装置１０が保護層１７の第１の面上にバンドパスフィルタ２２を備えてもよい。表示装置１０がバンドパスフィルタ２２の第１の面上に遮光部１３ＢＭをさらに備えられてもよい。
（変形例１２）
　上記一実施形態および変形例では、緑色の発光素子１２Ｇが電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、緑色フィルタ部１３Ｇ等の波長補正部が発光素子１２Ｇ上または上方に備えられている例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではない。
　例えば、赤色の発光素子１２Ｒが電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、赤色フィルタ部等の波長補正部が発光素子１２Ｒ上または上方に備えられてもよい。青色の発光素子１２Ｂが電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、青色フィルタ部等の波長補正部が発光素子１２Ｂ上または上方に備えられてもよい。画素２０Ｐを構成する２以上のサブ画素２０が、電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成された発光素子１２と波長補正部とを備えてもよい。
（変形例１３）
　上記変形例１では、緑色の発光素子１５Ｇが、電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、かつ、発光素子１５Ｇの電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる緑色光を共振させ強調することができる共振器構造を有する例（図６参照）について説明したが、本開示はこれに限定されるものではない。
　赤色の発光素子１２Ｒが、電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、かつ、発光素子１２Ｒの電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる赤色光を共振させ強調することができる共振器構造を有してもよい。例えば、発光素子１２ＲがＧａＮ系化合物半導体発光素子である場合、発光素子１２Ｒの発光スペクトルは、電流密度の増加に伴って短波長側にシフトする。青色の発光素子１２Ｂが、電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、かつ、発光素子１２Ｂの電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる青色光を共振させ強調することができる共振器構造を有してもよい。
　画素２０Ｐを構成する２以上のサブ画素２０が、電流密度変化に伴う発光波長シフトを発生するように構成され、かつ、発光素子１２の電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる規定色の光を共振させ強調することができる共振器構造を有してもよい。
（その他の変形例）
　以上、本開示の一実施形態およびその変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の一実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上記の一実施形態およびその変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　例えば、上記の一実施形態およびその変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　例えば、上記の一実施形態およびその変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
　前記基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と、
　複数の前記第１の発光素子から出射された光の波長を補正することができる波長補正層と
　を備え、
　前記駆動回路は、前記第１の発光素子に供給される第１の信号と前記第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる表示装置。
（２）
　前記第１の発光素子は、電流密度変化に伴って発光波長シフトを発生するように構成されている（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記駆動回路は、前記波長補正層による輝度低下を補うように、前記第１の発光素子の輝度制御を行うことができる（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記波長補正層は、複数の前記第１の発光素子上または上方のみに設けられている（１）から（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
　複数の前記第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子を含む（１）から（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
　複数の前記第２の発光素子が、赤色光を発光することができる複数の第２の化合物半導体発光素子と、青色光を発光することができる複数の第３の化合物半導体発光素子とを含む（５）に記載の表示装置。
（７）
　複数の前記第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子、赤色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子からなる群より選ばれた１種または２種の発光素子を含む（１）から（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
　複数の前記第２の発光素子が、前記１種または２種の発光素子以外の発光素子を含む（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記第１の発光素子が、ＧａＮ系化合物半導体発光素子である（１）から（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１０）
　前記第１の発光素子の弱励起時のピーク波長が、前記第１の発光素子の強励起時のピーク波長よりも、前記波長補正層の中心波長に近い（１）から（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
　前記波長補正層が、カラーフィルタである（１）から（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）
　前記波長補正層が、波長カットフィルタである（１）から（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１３）
　前記波長補正層が、色変換層である（１）から（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１４）
　前記波長補正層が、バンドパスフィルタである（１）から（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１５）
　前記波長補正層は、複数の前記第１の発光素子および複数の前記第２の発光素子上または上方に設けられ、
　前記波長補正層は、前記第１の発光素子の一部の波長域の光を遮光し、他の波長域の光を透過する（１）から（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１６）
　前記第１の発光素子と前記波長補正層とにより第１のサブ画素が構成され、
　前記第２の発光素子により第２のサブ画素が構成され、
　前記第１のサブ画素の面積は、前記第２のサブ画素の面積よりも大きい（１）から（１５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１７）
　前記波長補正層は、複数の波長補正部と遮光部とを備え、
　各前記波長補正部は、前記第１の発光素子上または上方に設けられ、
　前記遮光部は、前記波長補正部の周囲または前記波長補正部上に設けられている（１）から（１６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１８）
　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
　前記基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と
　を備え、
　前記第１の発光素子は、該第１の発光素子から出射される光を補正することができる共振器構造を有し、
　前記駆動回路は、前記第１の発光素子に供給される第１の信号と前記第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる表示装置。
（１９）
　前記第１の発光素子は、電流密度変化に伴って発光波長シフトを発生するように構成され、
　前記共振器構造は、前記第１の発光素子の電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる規定色の光を共振させ強調することができる（１８）に記載の表示装置。
（２０）
　（１）から（１９）のいずれか１項に記載の表示装置を備える電子機器。
＜３　応用例＞
（電子機器）
　上記の一実施形態およびその変形例に係る表示装置１０は、種々の電子機器に備えられてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに備えられることが好ましい。
（具体例１）
　図２４Ａは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す正面図である。図２４Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す背面図である。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５は、表示装置１０を備える。
（具体例２）
　図２５は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す斜視図である。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１は、表示装置１０を備える。
（具体例３）
　図２６は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す斜視図である。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０を備える。
　１０　　表示装置
　１１、１９　　回路基板
　１２Ｒ、１２Ｇ、１２Ｂ、１２ＵＶ、１５Ｇ　　化合物半導体発光素子
　１２ｍ、１２ｎ　　接続部材
　１３　　カラーフィルタ
　１３Ｈ、１３ＧＨ　　開口
　１３ＢＭ　　遮光部
　１３Ｇ　　緑色フィルタ部
　１４Ｇ、１６Ｇ　　色変換層
　１７　　保護層
　１８　　対向基板
　２０Ｐ　　画素
　２０Ｒ　　赤色サブ画素
　２０Ｇ　　緑色サブ画素
　２０Ｂ　　青色サブ画素
　２１　　波長カットフィルタ
　２１Ｒ、２１Ｇ　　波長カットフィルタ部
　２２　　バンドパスフィルタ
　３０　　駆動回路
　３１　　画像データ入力インターフェール
　３２　　タイミングコントローラ
　３２Ａ　　画像処理部
　３２Ｂ　　輝度制御部
　３３Ａ、３３Ｂ　　ガンマ補正回路
　３４　　水平走査ドライバ
　３５　　垂直走査ドライバ
　３６　　発光素子アレイ
　３７　　画像データ
　１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ　　化合物半導体積層体
　１２１Ｒ、１２１Ｇ、１２１Ｂ　　第１の電極
　１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂ　　第２の電極
　１２３Ｒ、１２３Ｇ、１２３Ｂ　　第１の化合物半導体層
　１２４Ｒ、１２４Ｇ、１２４Ｂ　　発光層
　１２５Ｒ、１２５Ｇ、１２５Ｂ　　第２の化合物半導体層
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (20)

  1. 　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
    　前記基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と、
    　複数の前記第１の発光素子から出射された光の波長を補正することができる波長補正層と
    　を備え、
    　前記駆動回路は、前記第１の発光素子に供給される第１の信号と前記第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる表示装置。
  2. 　前記第１の発光素子は、電流密度変化に伴って発光波長シフトを発生するように構成されている請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記駆動回路は、前記波長補正層による輝度低下を補うように、前記第１の発光素子の輝度制御を行うことができる請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記波長補正層は、複数の前記第１の発光素子上または上方のみに設けられている請求項１に記載の表示装置。
  5. 　複数の前記第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子を含む請求項１に記載の表示装置。
  6. 　複数の前記第２の発光素子が、赤色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子と、青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子とを含む請求項５に記載の表示装置。
  7. 　複数の前記第１の発光素子が、緑色光を発光することができる第１の化合物半導体発光素子、赤色光を発光することができる第２の化合物半導体発光素子、および青色光を発光することができる第３の化合物半導体発光素子からなる群より選ばれた１種または２種の発光素子を含む請求項１に記載の表示装置。
  8. 　複数の前記第２の発光素子が、前記１種または２種の発光素子以外の発光素子を含む請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記第１の発光素子が、ＧａＮ系化合物半導体発光素子である請求項１に記載の表示装置。
  10. 　前記第１の発光素子の弱励起時のピーク波長が、前記第１の発光素子の強励起時のピーク波長よりも、前記波長補正層の中心波長に近い請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記波長補正層が、カラーフィルタである請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記波長補正層が、波長カットフィルタである請求項１に記載の表示装置。
  13. 　前記波長補正層が、色変換層である請求項１に記載の表示装置。
  14. 　前記波長補正層が、バンドパスフィルタである請求項１に記載の表示装置。
  15. 　前記波長補正層は、複数の前記第１の発光素子および複数の前記第２の発光素子上または上方に設けられ、
    　前記波長補正層は、前記第１の発光素子の一部の波長域の光を遮光し、他の波長域の光を透過する請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記第１の発光素子と前記波長補正層とにより第１のサブ画素が構成され、
    　前記第２の発光素子により第２のサブ画素が構成され、
    　前記第１のサブ画素の面積は、前記第２のサブ画素の面積よりも大きい請求項１に記載の表示装置。
  17. 　前記波長補正層は、複数の波長補正部と遮光部とを備え、
    　各前記波長補正部は、前記第１の発光素子上または上方に設けられ、
    　前記遮光部は、前記波長補正部の周囲または前記波長補正部上に設けられている請求項１に記載の表示装置。
  18. 　電流振幅変調方式の駆動回路を有する基板と、
    　前記基板上に２次元配置された複数の第１の発光素子および複数の第２の発光素子と
    　を備え、
    　前記第１の発光素子は、該第１の発光素子から出射される光を補正することができる共振器構造を有し、
    　前記駆動回路は、前記第１の発光素子に供給される第１の信号と前記第２の発光素子に供給される第２の信号とを独立してガンマ補正することができる表示装置。
  19. 　前記第１の発光素子は、電流密度変化に伴って発光波長シフトを発生するように構成され、
    　前記共振器構造は、前記第１の発光素子の電流密度変化に伴って波長シフトされた光に含まれる規定色の光を共振させ強調することができる請求項１８に記載の表示装置。
  20. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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