JP7002619B1 - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】過電流の検出に伴って半導体スイッチを遮断する際に、直流端子間電圧の急激な上昇を抑制する必要があった。【解決手段】モータジェネレータの複数相に電力を供給する第1の電力変換回路、前記第1の電力変換回路を流れる電流を検出する電流検出回路、前記モータジェネレータの界磁コイルを励磁する界磁コイル励磁用電力変換回路、前記第1の電力変換回路と前記界磁コイル励磁用電力変換回路とを制御する制御回路、および前記モータジェネレータに発生する誘導起電力を検出する検出手段を備え、前記制御回路は、前記第1の電力変換回路に過電流が検出された場合に、過電流が検出された前記第1の電力変換回路の相のスイッチングと前記界磁コイル励磁用電力変換回路のスイッチングとをオフとし、前記モータジェネレータによる誘導起電力の値が所定値以下になった後に前記第1の電力変換回路の全相の電力の供給を停止するようにしたものである。【選択図】図1

Description

本願は、電力変換装置に関するものである。
電力変換装置は、バッテリなどの直流電源の直流電力を交流電力に変換してモータの駆動に使われる一方、モータによって発電された交流電力を直流電力に変換してバッテリなどの直流電源に供給することに使われる。
電力変換装置において、短絡等による故障が生じた場合には、電力変換回路の半導体スイッチをオフにして、電力変換装置の破壊等を防止することが行われている。例えば、特許文献1には、複数の半導体スイッチのオン・オフによるパルスノイズを吸収するために設けられたコモンコンデンサを利用して、コモンコンデンサの端子電圧あるいは充放電電流の変化から異常を検出して、半導体スイッチをすべてオフに制御することによって、過電流による破壊を防止することが提案されている。
特開2004-289903号公報
しかしながら、異常を検出した後に半導体スイッチを全て遮断すると、モータのステータコイルに誘起された誘導起電力による電流がバッテリ側に流入することで、電力変換装置の直流端子間の電圧が上昇し、電力変換装置の素子耐圧を超過することによって電力変換装置を破壊する可能性がある。
本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、電力変換装置の直流端子間の電圧の上昇を抑制することのできる電力変換装置を提供することを目的とする。
本願に開示される電力変換装置は、モータジェネレータに接続され前記モータジェネレータに複数相の電力を供給する第1の電力変換回路、前記電力変換回路を流れる電流を検出する電流検出回路、前記モータジェネレータの界磁コイルを励磁する界磁コイル励磁用電力変換回路、前記第1の電力変換回路および前記界磁コイル励磁用電力変換回路のスイッチング動作を制御する制御回路、および前記制御回路に設けられ前記モータジェネレータに発生する誘導起電力を検出する検出手段を備え、前記電流検出回路によって前記第1の電力変換回路に過電流が検出された場合に、前記制御回路は過電流が検出された前記第1の電力変換回路の相のスイッチングをオフとし、前記界磁コイル励磁用電力変換回路の相のスイッチングをオフとし、前記モータジェネレータによる誘導起電力の値が予め定められた値以下になった後に前記第1の電力変換回路による前記モータジェネレータへの全相の電力の供給を停止するように制御するようにしたものである。
本願に開示される電力変換装置によれば、電力変換回路のスイッチング動作を停止した際に、モータのステータコイルに生じる誘導起電力による電圧の上昇に配慮した制御を行なう電力変換装置が得られる。
実施の形態1による電力変換装置の概略構成を示すブロック図である。 実施の形態1による制御回路のハードウエアの一例を示す構成図である。 実施の形態1による電力変換装置を示す回路構成図である。 実施の形態1による電力変換装置の各部の動作波形の説明図である。 実施の形態2による電力変換装置を示す回路構成図である。 実施の形態2による電力変換装置の各部の動作波形の説明図である。 実施の形態3による電力変換装置の各部の動作波形の説明図である。
実施の形態1.
実施の形態1について、図面に基づいて説明する。なお、各図において、同一符号は各々同一または相当部分を示している。
実施の形態1による電力変換装置1は、図1に概略的な構成を示すとおり、バッテリ10とモータジェネレータ11との間に接続され、バッテリ10の電力を変換してモータジェネレータ11に供給する。また、モータジェネレータ11によって発生した電力を変換してバッテリ10に供給する機能を備えている。
電力変換装置1の内部には、第1の電力変換回路2、界磁コイル励磁用電力変換回路3、制御回路4、電流検出回路5、電圧制限回路6、回転数検出回路7を備えている。第1の電力変換回路2は、制御回路4によって制御され、モータジェネレータ11のステータコイル12との間で電流の送受を行う。また、界磁コイル励磁用電力変換回路3は、単相ブリッジ型の電力変換回路であって、制御回路4によって制御され、モータジェネレータ11の界磁コイル13に電流を供給する。
第1の電力変換回路2の出力の状況は、電流検出回路5によって検出されて制御回路4に送られる。モータジェネレータ11の動作状況は、回転数検出回路7によって検出されて制御回路4に送られる。
制御回路4は、誘導起電力検出手段40を備え、モータジェネレータ11による誘導起電力を検出している。モータジェネレータ11が回転動作をする場合、ステータコイル12の各相(U相、V相、W相)のコイルのうち相電圧が印加されないコイルに逆起電力(誘導起電力)が発生する。誘導起電力検出手段40は、この誘導起電力を検出することができる。
制御回路4は、電流検出回路5によって過電流が検出された場合に、全ての相をオフとするのではなく、過電流が検出された相(異常状態が検出された相)の出力のみをオフにして、さらに界磁コイル励磁用電力変換回路3の相のスイッチングをオフにして誘導起電力の検出値が予め定められた値以下に低下した後に他の相の出力をオフにするように制御している。このように制御することによって、誘導起電力による電圧の急激な上昇を抑制しながら電力変換装置を停止することができる。
なお、制御回路4は、ハードウエアの一例を図2に示すように、プロセッサ100と記憶装置101から構成される。記憶装置は図示していないが、ランダムアクセスメモリ等の揮発性記憶装置と、フラッシュメモリ等の不揮発性の補助記憶装置とを備えている。また、フラッシュメモリの代わりにハードディスクの補助記憶装置を備えてもよい。プロセッサ100は、記憶装置101から入力されたプログラムを実行する。この場合、補助記憶装置から揮発性記憶装置を介してプロセッサ100にプログラムが入力される。また、プロセッサ100は、演算結果等のデータを記憶装置101の揮発性記憶装置に出力してもよいし、揮発性記憶装置を介して補助記憶装置にデータを保存してもよい。
図3は、実施の形態1の電力変換装置1の構成を詳細に示した回路構成図である。図に示すように電力変換装置1には、配線インダクタンス9、バッテリ10、モータジェネレータ11が接続されている。
電力変換装置1は、第1の電力変換回路2、界磁コイル励磁用電力変換回路3、制御回路4、電流検出回路5、電圧制限回路6、回転数検出回路7、平滑コンデンサ8を備えている。
第1の電力変換回路2は、半導体スイッチとしてNチャネル型のパワーMOSFET2a~2fを用いて構成された電力変換回路であり、ここでは、2直列3並列で構成される3相ブリッジ型の電力変換回路を示している。
また、界磁コイル励磁用電力変換回路3は、半導体スイッチとしてNチャネル型のパワーMOSFET3a~3dを用いて構成された単相ブリッジ型の電力変換回路である。
電力変換装置1の動作について説明する。バッテリ10の直流電力は、第1の電力変換回路2によって交流電力に変換され、第1のステータコイル12に交流電流Iu、Iv、Iwが流れることで回転磁界が発生し、モータジェネレータ11が駆動される。この時、界磁コイル13は界磁コイル励磁用電力変換回路3によって励磁電流Ifが供給されている。モータジェネレータ11が発電した交流電力は、第1の電力変換回路2によって直流電力に変換され、バッテリ10へ供給される。
電力変換装置1の高電位側直流端子Bと低電位側直流端子Eとにはバッテリ10の正極端子と負極端子がそれぞれ接続される。なお、配線インダクタンス9は電力変換装置1とバッテリ10を接続する高電位側および低電位側の配線による寄生インダクタンスの総和を表している
第1の電力変換回路2は、2直列の両端および中点が電力変換装置1の直流側端子B、Eおよび交流側端子U、V、Wに接続されている。
界磁コイル励磁用電力変換回路3は、2直列の両端および中点が電力変換装置1の直流側端子B、Eおよび界磁コイル13の両端に接続されている。
パワーMOSFET2a~2fおよびパワーMOSFET3a~3dは、第1の主端子(ドレイン)、第2の主端子(ソース)、および制御端子(ゲート)を有し、ゲート・ソース間の電圧によりオン・オフ制御される。これらのパワーMOSFETは、オン時にはドレイン・ソース間を双方向に通電可能な抵抗素子となり、オフ時には、ソースからドレインの方向のみに通電可能なダイオード素子となる。
モータジェネレータ11は、第1のステータコイル12と界磁コイル13によって構成される界磁巻線型モータジェネレータであり、モータジェネレータ11のU相、V相、W相のステータ巻線12u~12wは第1の電力変換回路2の交流側端子U、V、Wに接続される。
制御回路4は、上位ECU(図示していない)からの指令と、電流検出回路5と回転数検出回路7、および様々なセンサ情報(図示していない)を基に第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2fおよび界磁コイル励磁用電力変換回路3のパワーMOSFET3a~3dのオン・オフ制御を行う。
電流検出回路5は、第1の電力変換回路2の各相を流れる電流を検出し、各相の電流情報を制御回路4へ伝達する。また、第1の電力変換回路2の各相を流れる電流の値が予め定められた値よりも大きい状態が予め定められた時間以上継続した場合に過電流が検出されたとして、制御回路4へ過電流検出を指令する。
回転数検出回路7は、モータジェネレータ11の回転数を検出し、回転数情報を制御回路4へ伝達する。
電力変換装置1の直流側端子B-E間には、電圧制限回路6が接続されている。この電圧制限回路6は、バッテリ10から第1の電力変換回路2へ大電流が供給された場合に、直流側端子B-E間の電圧Vbeを予め定められた値以下の電圧に制限する役割を担っている。この電圧制限回路6は、例えば、ツェナーダイオードを用いた電圧制限機能を有する回路が挙げられる。
また、電力変換装置1の直流側端子B-E間には、平滑コンデンサ8が接続されている。この平滑コンデンサ8は、バッテリ10から第1の電力変換回路2へ供給される電力を平滑化すると共に、パワーMOSFET2a~2fのスイッチングに起因する高周波ノイズを低減する役割を担っている。
次に、図3の構成において、モータジェネレータ11を駆動した場合について、任意の相が短絡故障によって過電流が検出された場合の各部の動作波形について説明する。図4は、実施の形態1における各部の動作波形を表している。
図4において、UH、UL,VH、VL,WH、WLは、制御回路4によって制御される第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2fのオン・オフ論理を示したものであり、ハイがオン状態を、ローがオフ状態を示している。なお、同相のパワーMOSFET(2aと2b、2cと2d、2eと2f)のオン・オフが切り換わるタイミングでは、同時オンによる同相アーム短絡を防止するための時間(デッドタイム)が確保されている。
また、FH1、FL4は、制御回路4によって制御される界磁コイル励磁用電力変換回路3のパワーMOSFET3a、3dのオン・オフ論理を示したものであり、ハイがオン状態を、ローがオフ状態を示す。なお、図4には記載していないが、パワーMOSFET3b、3cは制御回路4から常時オフを指令してダイオード素子として使用し、パワーMOSFET3a、3dがオフ期間中に界磁コイルに流れる電流をバッテリ10へ循環させる。
また、Vbeは、電力変換装置1の直流側端子B-E間の電圧を示している。また、Idcは第1の電力変換回路2の高電位側直流ラインを流れる電流を示し、Ifは、界磁コイル励磁用電力変換回路3から界磁コイル13へ流れる電流を示す。さらに、Nは、モータジェネレータ11の回転数を示している。
次に、第1の電力変換回路2の任意の相が短絡故障し、過電流が検出された場合の各部の動作について説明する。例として、UHのパワーMOSFET2aが誤オンして、UHのパワーMOSFET2aとULのパワーMOSFET2bが同時オン状態となり、電力変換装置1の直流側端子B-E間が短絡された場合について説明する。
モータジェネレータ11の駆動動作中のA点(図4参照)にて、UHのパワーMOSFET2aが誤オンしてバッテリ10からU相に短絡電流が流れた場合、短絡電流が増大してその値が予め定められた値以上の電流が予め定められた時間以上継続することで、電流検出回路5によってU相の過電流が検出される。この時、電流検出回路5から制御回路4へU相の過電流状態が伝達される。
次に、B点(図4参照)にて、過電流が検出されたU相のパワーMOSFET2a、2bをオフとする。さらに、過電流が検出されなかったV相およびW相については、VHのパワーMOSFET2cとWHのパワーMOSFET2eとをオフとして、VLのパワーMOSFET2dとWLのパワーMOSFET2fをオンとする。このようなスイッチング制御を行うことによって、U相のステータコイル12uに誘起された誘導起電力によって流れる電流は、UHのパワーMOSFET2aのボディダイオードを通過してバッテリ10へ流れ込む。
しかし、V相のステータコイル12vおよびW相のステータコイル12wに誘起された誘導起電力によって流れる電流は、VLのパワーMOSFET2d、WLのパワーMOSFET2fを通過して、各ステータコイル12v、12wを循環することにより、熱として電流が消費される。
したがって、B点(図4参照)にて配線インダクタンス9で発生する逆起電力サージは、短絡したU相のステータコイル12uからバッテリ10へ流入する電流のみによって発生し、全相のパワーMOSFETを一斉にオフにする制御と比較して、直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
また同時にB点(図4参照)にて、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a(FH1)、3d(FL4)をオフにして、励磁電流Ifを低下させる。さらに、モータジェネレータ11の回転数Nも低下させる。
次に、C点(図4参照)にて、励磁電流Ifおよび回転数Nの値が予め定められた値以下に低下し、界磁コイル13から第1のステータコイル12に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下してから、第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2fをオフにすることで、第1のステータコイル12からバッテリ10へ流入する電流を抑制し、電力変換装置1を停止させる際にも直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。なお、誘導起電力は、制御回路4によって励磁電流Ifと回転数N、およびステータコイル12のインダクタンス値から推定される。
以上のように、実施の形態1によれば、第1の電力変換回路2にて過電流が検出された場合に、過電流が検出された相の上下パワーMOSFETをオフし、過電流が検出されなかった相は上アームパワーMOSFETをオフかつ下アームパワーMOSFETをオンし、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a、3dをオフし、界磁コイル13から第1のステータコイル12に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下した後に第1の電力変換回路2のパワーMOSFETをオフすることで、過電流検出直後に全てのパワーMOSFETをオフにする場合に比較して直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができ、素子破壊を防止しつつ安全に電力変換装置1を停止させることができる。
実施の形態2.
実施の形態1では、1組の3相ブリッジ型の電力変換回路を有する電力変換装置において、過電流検出時の電力変換装置の停止方法について説明した。これに対して、実施の形態2では、2組の3相ブリッジ型の電力変換回路を有する電力変換装置について説明する。
図5は、実施の形態2に係る2組の3相ブリッジ型の電力変換回路を備えた電力変換装置の構成を表している。
この実施の形態2において、電力変換装置1は、実施の形態1の電力変換装置1に対して、第2の電力変換回路14を備えている。
第2の電力変換回路14は、半導体スイッチとしてNチャネル型のパワーMOSFET14a~14fを用いて、2直列3並列に構成された3相ブリッジ型の電力変換回路である。この第2の電力変換回路14は、2直列の両端および中点が電力変換装置1の直流側端子B、Eおよび交流側端子X、Y、Zに接続されている。
モータジェネレータ11は、第1のステータコイル12と第2のステータコイル15、および界磁コイル13によって構成される界磁巻線型モータジェネレータであり、モータジェネレータ11のU相、V相、W相のステータ巻線12u~12wは第1の電力変換回路2の交流側端子U、V、Wに接続され、X相、Y相、Z相のステータ巻線15x~15zは第2の電力変換回路14の交流側端子X、Y、Zに接続される。
次に、図5の構成において、モータジェネレータ11を駆動した場合について、任意の相が短絡故障することによって過電流が検出された場合の各部の動作波形について説明する。
図6は、実施の形態2における各部の動作波形を表している。
図6において、XH、XL,YH、YL,ZH、ZLは、制御回路4によって制御される第2の電力変換回路14のパワーMOSFET14a~14fのオン・オフ論理を示したものであり、ハイがオン状態を、ローがオフ状態を示す。なお、同相のパワーMOSFET(14aと14b、14cと14d、14eと14f)のオン・オフが切り換わるタイミングでは、同時オンによる同相アーム短絡を防止するための時間(デッドタイム)が確保されている。
次に、第1の電力変換回路2の任意相が短絡故障し、過電流が検出された場合の各部の動作について説明する。例として、UHのパワーMOSFET2aが誤オンして、UHのパワーMOSFET2aとULのパワーMOSFET2bが同時オン状態となり、電力変換装置1の直流側端子B-E間が短絡された場合を説明する。
モータジェネレータ11の駆動動作中のD点(図6参照)にて、UHのパワーMOSFET2aが誤オンしてバッテリ10からU相に短絡電流が流れた場合、短絡電流が増大してその値が予め定められた値以上の電流が予め定められた時間以上継続することで、電流検出回路5によってU相の過電流が検出される。この時、電流検出回路5から制御回路4へU相の過電流状態を伝達する。
次に、E点(図6参照)にて、過電流が検出されたU相のパワーMOSFET2a、2bをオフする。また、過電流が検出されていないV相、W相は、VHのパワーMOSFET2cとWHのパワーMOSFET2eをオフし、VLのパワーMOSFET2dとWLのパワーMOSFET2fをオンする。さらに、過電流が検出されなかった第2の電力変換回路については、上アームパワーMOSFET14a、14c、14eをオフし、下アームパワーMOSFET14b、14d、14fをオンする。
このようにスイッチング制御を行うことによって、U相のステータコイル12uに誘起された誘導起電力によって流れる電流は、UHのパワーMOSFET2aのボディダイオードを通過してバッテリ10へ流れ込む。しかし、V相のステータコイル12v、W相のステータコイル12w、およびX相のステータコイル15x、Y相のステータコイル15y、およびZ相のステータコイル15zに誘起された誘導起電力によって流れる電流は、それぞれVLのパワーMOSFET2d、WLのパワーMOSFET2f、XLのパワーMOSFET14b、YLのパワーMOSFET14d、およびZLのパワーMOSFET14fを通過して、V相のステータコイル12v、W相のステータコイル12w、X相のステータコイル15x、Y相のステータコイル15y、およびZ相のステータコイル15zを循環することにより、熱として電流が消費される。
よって、E点(図6参照)にて配線インダクタンス9で発生する逆起電力サージは、短絡したU相のステータコイル12uからバッテリ10へ流入する電流のみによって発生し、全相のパワーMOSFETを一斉にオフにする制御と比較して、直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
また同時にE点(図6参照)にて、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a(FH1)、3d(FL4)をオフにし、励磁電流Ifを低下させる。さらに、モータジェネレータ11の回転数Nも低下させる。
次に、F点(図6参照)にて、励磁電流Ifおよび回転数Nの値が予め定められた値以下に低下し、界磁コイル13から第1のステータコイル12と第2のステータコイル15に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下してから、第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2f、および第2の電力変換回路14のパワーMOSFET14a~14fをオフにすることで、第1のステータコイル12、および第2のステータコイル15からバッテリ10へ流入する電流を抑制し、電力変換装置1を停止させる際にも直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
以上のように、実施の形態2によれば、第1の電力変換回路2にて過電流が検出された場合に、過電流が検出された相の上下パワーMOSFETをオフし、過電流が検出されなかった相については、上アームパワーMOSFETをオフかつ下アームパワーMOSFETをオンし、過電流が検出されなかった第2の電力変換回路14については、上アームパワーMOSFETをオフかつ下アームパワーMOSFETをオンし、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a、3dをオフとする。
界磁コイル13から第1のステータコイル12および第2のステータコイル15に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下した後に、第1の電力変換回路2および第2の電力変換回路14のパワーMOSFETをオフすることで、過電流検出直後に全てのパワーMOSFETをオフにする場合と比較して直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができ、素子破壊を防止しつつ安全に電力変換装置1を停止させることができる。
実施の形態3.
先の実施の形態2では、2組の3相ブリッジ型の電力変換回路を有する電力変換装置において過電流が検出された時の電力変換装置の停止について説明した。これに対して実施の形態3では、実施の形態2と同じ回路構成にて、過電流が検出された電力変換回路のパワーMOSFETの動作を異なった制御によって同様の効果を得る場合について説明する。
実施の形態3に係る2組の3相ブリッジ型の電力変換回路を備えた電力変換装置の構成図は、先の図5と同様である。
図5の構成において、モータジェネレータ11を駆動した場合について、任意の相において短絡故障によって過電流が検出された場合の各部の動作波形について説明する。図7は、実施の形態3における各部の動作波形を示している。
次に、第1の電力変換回路2の任意の相が短絡故障し、過電流が検出された場合の各部の動作について説明する。例として、UHのパワーMOSFET2aが誤オンして、UHのパワーMOSFET2aとULのパワーMOSFET2bが同時オン状態となり、電力変換装置1の直流側端子B-E間が短絡された場合を説明する。
モータジェネレータ11の駆動動作中のG点(図7参照)にて、UHのパワーMOSFET2aが誤オンしてバッテリ10からU相に短絡電流が流れた場合、短絡電流が増大して予め定められた値以上の電流が予め定められた時間以上継続することで、電流検出回路5によってU相の過電流が検出される。この時、電流検出回路5から制御回路4へU相の過電流状態を伝達する。
次に、H点(図5参照)にて、過電流が検出された第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2fをオフする。さらに、過電流が検出されなかった第2の電力変換回路については、上アームパワーMOSFET14a、14c、14eをオフとし、下アームパワーMOSFET14b、14d、14fをオンとする。このようにスイッチング制御を行うことにより、第1の電力変換回路2に接続されるステータコイル12に誘起された誘導起電力によって流れる電流は、第1の電力変換回路2の上アームパワーMOSFET2a、2c、2eのボディダイオードを通過してバッテリ10へ流れ込む。
しかし、X相のステータコイル15x、Y相のステータコイル15y、およびZ相のステータコイル15zに誘起された誘導起電力によって流れる電流は、それぞれXLのパワーMOSFET14b、YLのパワーMOSFET14d、ZLのパワーMOSFET14fを通過して、X相のステータコイル15x、Y相のステータコイル15y、およびZ相のステータコイル15zをそれぞれ循環することにより、熱として電流が消費される。よって、H点(図7参照)にて配線インダクタンス9で発生する逆起電力サージは、過電流が検出された第1の電力変換回路2に接続されるステータコイル12からバッテリ10へ流入する電流のみによって発生し、全相のパワーMOSFETを一斉にオフにする制御と比較して、直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
また同時にH点(図7参照)にて、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a(FH1)、3d(FL4)をオフにし、励磁電流Ifを低下させる。さらに、モータジェネレータ11の回転数Nも低下させる。
次に、I点(図7参照)にて、励磁電流Ifおよび回転数Nの値が予め定められた値以下に低下し、界磁コイル13から第1のステータコイル12と第2のステータコイル15に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下してから、第1の電力変換回路2のパワーMOSFET2a~2f、および第2の電力変換回路14のパワーMOSFET14a~14fをオフにすることで、第1のステータコイル12、および第2のステータコイル15からバッテリ10へ流入する電流を抑制し、電力変換装置1を停止させる際にも直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
以上のように、実施の形態3によれば、第1の電力変換回路2にて過電流が検出された場合に、第1の電力変換回路2の上下パワーMOSFETをオフし、過電流が検出されなかった第2の電力変換回路14については、上アームパワーMOSFETをオフかつ下アームパワーMOSFETをオンし、界磁コイル励磁用パワーMOSFET3a、3dをオフし、界磁コイル13から第1のステータコイル12および第2のステータコイル15に誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下した後に第1の電力変換回路2および第2の電力変換回路14のパワーMOSFETをオフとする.このように制御することによって、過電流検出直後に全てのパワーMOSFETをオフにする場合と比較して直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができ、素子破壊を防止しつつ安全に電力変換装置1を停止させることができる。
なお、実施の形態1~3では、過電流が検出されない相については、上アームパワーMOSFETをオフかつ下アームパワーMOSFETをオンする場合について説明したが、この説明とは反対に、過電流が検出されない相については、上アームパワーMOSFETをオンかつ下アームパワーMOSFETをオフにすることでも、過電流が検出されなかった相のステータコイルを流れる電流がバッテリ10へ流入することなくステータコイル内を循環することで、配線インダクタンス9で発生する逆起電力サージが抑制され、過電流検出時における直流端子間電圧Vbeの上昇を抑制することができる。
本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、1つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも1つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
1 電力変換装置、2 第1の電力変換回路、2a~2f パワーMOSFET、
3 界磁コイル励磁用電力変換回路、3a~3d パワーMOSFET、4 制御回路、5 電流検出回路、6 電圧制限回路、7 回転数検出回路、8 平滑コンデンサ、
9 配線インダクタンス、10 バッテリ、11 モータジェネレータ、
12 第1のステータコイル、13 界磁コイル、14 第2の電力変換回路、
15 第2のステータコイル、40 誘導起電力検出手段

Claims (7)

  1. モータジェネレータに接続され前記モータジェネレータに複数相の電力を供給する第1の電力変換回路、前記電力変換回路を流れる電流を検出する電流検出回路、前記モータジェネレータの界磁コイルを励磁する界磁コイル励磁用電力変換回路、前記第1の電力変換回路および前記界磁コイル励磁用電力変換回路のスイッチング動作を制御する制御回路、および前記制御回路に設けられ前記モータジェネレータに発生する誘導起電力を検出する検出手段を備え、前記電流検出回路によって前記第1の電力変換回路に過電流が検出された場合に、前記制御回路は過電流が検出された前記第1の電力変換回路の相のスイッチングをオフとし、前記界磁コイル励磁用電力変換回路の相のスイッチングをオフとして、前記モータジェネレータによる誘導起電力の値が予め定められた値以下になった後に前記第1の電力変換回路による前記モータジェネレータへの全相の電力の供給を停止するように制御することを特徴とする電力変換装置。
  2. 前記第1の電力変換回路が、半導体スイッチで構成されたn相ブリッジ型の電力変換回路(nは3以上の整数)であって、前記制御回路は、前記電流検出回路によって前記n相ブリッジ型の電力変換回路の半導体スイッチを流れる電流に過電流が検出された場合、過電流が検出された相の上下アーム半導体スイッチをオフとし、過電流が検出されなかった相の上アーム半導体スイッチをオフとしかつ下アーム半導体スイッチをオンとする、あるいは上アーム半導体スイッチをオンとしかつ下アーム半導体スイッチをオフとして、前記検出手段によって検出された誘導起電力が予め定められた値以下に低下した後に前記n相ブリッジ型の電力変換回路の全相の半導体スイッチをオフとすることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 前記第1の電力変換回路が、半導体スイッチで構成されたn相ブリッジ型の電力変換回路(nは3以上の整数)を2組以上有し、前記制御回路は、前記電流検出回路によって過電流が検出された場合、過電流が検出された相を有する前記n相ブリッジ型の電力変換回路について、前記過電流が検出された相の上下アーム半導体スイッチをオフとし、過電流が検出されなかった相の上アーム半導体スイッチをオフとしかつ下アーム半導体スイッチをオンとする、あるいは上アーム半導体スイッチをオンとしかつ下アーム半導体スイッチをオフとして、前記過電流が検出された相を有する前記n相ブリッジ型の電力変換回路以外については、上アーム半導体スイッチをオフとしかつ下アーム半導体スイッチをオンとする、あるいは上アーム半導体スイッチをオンとしかつ下アーム半導体スイッチをオフとすることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  4. 前記第1の電力変換回路が、半導体スイッチで構成されたn相ブリッジ型の電力変換回路(nは3以上の整数)を2組以上有し、前記制御回路は、前記電流検出回路によって過電流が検出された場合、過電流が検出された相を有する前記n相ブリッジ型の電力変換回路について、上下アーム半導体スイッチをオフとし、前記過電流が検出された相を有する前記n相ブリッジ型の電力変換回路以外については、上アーム半導体スイッチをオフとしかつ下アーム半導体スイッチをオンとする、あるいは上アーム半導体スイッチをオンとしかつ下アーム半導体スイッチをオフすることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  5. 前記制御回路は、前記モータジェネレータの界磁コイルからステータコイルに誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下した後に前記第1の電力変換回路の全相の半導体スイッチをオフとすることを特徴とした請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
  6. 前記制御回路は、前記モータジェネレータの回転数が予め定められた値以下に低下し、前記モータジェネレータの界磁コイルからステータコイルに誘起される誘導起電力の値が予め定められた値以下に低下した後に前記第1の電力変換回路の全相の半導体スイッチをオフすることを特徴とした請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
  7. 前記電流検出回路は、前記第1の電力変換回路を流れる電流の値が予め定められた値よりも大きい状態が予め定められた時間以上継続した場合に過電流が検出されたとすることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
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