JP7000575B2 - 多積層をエッチングするための化学的性質 - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 473
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 277
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 43
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 28
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 25
- NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)F NSGXIBWMJZWTPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 21
- YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)C(F)(F)F YFMFNYKEUDLDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- ZXVZGGVDYOBILI-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)F ZXVZGGVDYOBILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UKACHOXRXFQJFN-UHFFFAOYSA-N heptafluoropropane Chemical compound FC(F)C(F)(F)C(F)(F)F UKACHOXRXFQJFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910005965 SO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 7
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 358
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 63
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 57
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 description 41
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 30
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 18
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N pranlukast Chemical compound C=1C=C(OCCCCC=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)NC(C=1)=CC=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C=1N=NNN=1 UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229960004583 pranlukast Drugs 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 2,2-dichloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)Cl OHMHBGPWCHTMQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- BBEAZDGZMVABIC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexachloropropane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)CC(Cl)(Cl)Cl BBEAZDGZMVABIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- DAFIBNSJXIGBQB-UHFFFAOYSA-N perfluoroisobutene Chemical compound FC(F)=C(C(F)(F)F)C(F)(F)F DAFIBNSJXIGBQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N trichlorofluoromethane Chemical compound FC(Cl)(Cl)Cl CYRMSUTZVYGINF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YTCHAEAIYHLXBK-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,1,3,3,3-pentafluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)=C(Cl)C(F)(F)F YTCHAEAIYHLXBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 N 2 O Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229940029284 trichlorofluoromethane Drugs 0.000 description 6
- LLJWABOOFANACB-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,1,3,3,3-pentafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)CC(F)(F)Cl LLJWABOOFANACB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PNWJILFKWURCIR-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-1,3,3,3-tetrafluoroprop-1-ene Chemical compound FC(Cl)=CC(F)(F)F PNWJILFKWURCIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BKWAVXQSZLEURV-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)C(F)(F)F BKWAVXQSZLEURV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 241000894007 species Species 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH] YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoroethane Chemical compound CC(F)(F)F UJPMYEOUBPIPHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLIDBBNDBSNADN-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichloro-2,2-difluoroethane Chemical compound FC(F)C(Cl)Cl VLIDBBNDBSNADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 2
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(Cl)Cl QDGONURINHVBEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- FYIRUPZTYPILDH-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,3,3-hexafluoropropane Chemical compound FC(F)C(F)C(F)(F)F FYIRUPZTYPILDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIFDIGQPGUUCSG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-iodoethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)I PIFDIGQPGUUCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGJHURKAWUJHLJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3-tetrafluoroprop-1-ene Chemical compound FCC(F)=C(F)F PGJHURKAWUJHLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)F NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYRLLAOLJVDVNN-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethanethiol Chemical compound FC(F)(F)CS RYRLLAOLJVDVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,3-tetrafluoropropene Chemical compound FC(=C)C(F)(F)F FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCOSEZGCLGPUSL-UHFFFAOYSA-N 2,3,3-trichloroprop-2-enoyl chloride Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)C(Cl)=O BCOSEZGCLGPUSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYXIKYKBLDZZNW-UHFFFAOYSA-N 2-Chloro-1,1,1-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)CCl CYXIKYKBLDZZNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N pentafluoroethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)F GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
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Description
本出願は、全ての目的に関して、参照によって全体として本明細書に組み込まれる、2017年8月31日出願の米国特許出願第15/692,247号の利益を主張する。
・ハードマスク層が、非晶質炭素又はドープド炭素のCVD又はスピンオン堆積層、ケイ素含有スピンオンマスク、及び炭素含有スピンオンマスクからなる群から選択される;
・ハードマスク層が非晶質炭素(a-C)層である;
・ハードマスク層がドープド炭素層である;
・ハードマスク層が、ケイ素含有スピンオンマスク層である;
・ハードマスク層が、炭素含有スピンオンマスク層である;
・交互層の堆積が、基板上に第1のエッチング層を堆積すること、第1のエッチング層上に第2のエッチング層を堆積すること、第2のエッチング層上に別の第1のエッチング層を堆積すること、並びに交互に及び繰り返し、第1及び第2のエッチング層を堆積して、基板上に第1及び第2のエッチング層の複数の対を含む積層構造を形成することを含む;
・交互層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、SiOCH、SiON、SiaObCcNdHe(式中、a>0;b、c、d及びe≧0)又はその組合せの層を含む;
・交互層が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、水素原子又はその組合せを含み、交互層がケイ素含有膜である;
・交互層が、酸化ケイ素の層及び窒化ケイ素の層を含む;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層を含む;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層である;
・第1のエッチング層が、酸化ケイ素層を含む;
・第1のエッチング層が、窒化ケイ素層を含む;
・第2のエッチング層が、酸化ケイ素層を含む;
・第2のエッチング層が、窒化ケイ素層を含む;
・交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、a-C層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ドープド炭素層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、a-C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ドープド炭素層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、a-C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ドープド炭素層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、a-C層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ドープド炭素層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスから生成したプラズマを用いる単一プロセスによって第1及び第2のエッチング層の交互層をエッチングする;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、高エッチング速度で第1及び第2の両エッチング層をエッチングする;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、高エッチング速度で酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層の両方をエッチングする;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、高エッチング速度で酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層を選択的にエッチングしない;
・第1及び第2の両エッチング層をエッチングするヒドロフルオロカーボンエッチングガスの選択性が、約1:2~約2:1の範囲である;
・第1及び第2の両エッチング層をエッチングするヒドロフルオロカーボンエッチングガスの選択性が、約1:1である;
・酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層の両方をエッチングするヒドロフルオロカーボンエッチングガスの選択性が、約1:2~約2:1の範囲である;
・酸化ケイ素層及び窒化ケイ素層の両方をエッチングするヒドロフルオロカーボンエッチングガスの選択性が、約1:1である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、少なくとも1つの水素を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、少なくとも1つの水素を含有する、3炭素(C3)ヒドロフルオロカーボン(m>0、n>0であるC3HmFn)化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、少なくとも1つの水素を含有する、C3有機フッ素化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン(C3H2F6)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン(iso-C3H2F6)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロパン(C3HF7)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロプロパン(iso-C3HF7)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが、プラズマ下でケイ素含有膜と反応し、揮発性副産物を形成する;
・副産物を除去する;
・凝縮を避けるため、プラズマエッチング用のヒドロフルオロカーボンエッチングガスを加熱する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスの望ましい流量を維持するために、プラズマエッチング用のヒドロフルオロカーボンエッチングガスを加熱する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスに酸素含有ガスを添加する;
・酸素含有ガスが、O2、O3、CO、CO2、NO、NO2、N2O、SO2、COS、H2O及びそれらの組合せからなる群から選択される;
・酸素含有ガスがO2である;
・アパーチャーを形成する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガスと酸素含有ガスとを混合し、混合物を製造する;
・酸素含有ガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・連続的に酸素含有ガスを導入し、断続的にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・酸素含有ガスが、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸素含有ガスの全体積の約0.01%v/v~約99.9%v/vを含む;
・酸素含有ガスが、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸素含有ガスの全体積の約0.01%v/v~約10%v/vを含む;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスに不活性ガスを添加する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスに不活性ガスを添加しない;
・不活性ガスが、He、Ar、Xe、Kr、Ne及びN2からなる群から選択される;
・不活性ガスがArである;
・不活性ガスがXeである;
・不活性ガスがKrである;
・アパーチャーを形成する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガスと不活性ガスとを混合し、混合物を製造する;
・不活性ガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・連続的に不活性ガスを導入し、断続的にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・不活性ガスが、ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物の蒸気及び不活性ガスの全体積の約0.01%v/v~約99.9%v/vを含む;
・不活性ガスが、ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物の蒸気及び不活性ガスの全体積の約90%v/v~約99%v/vを含む;
・基板がSiウエハである;
・基板が結晶質ケイ素層である;
・約1:1~約50:1のアスペクト比を有する交互層におけるアパーチャーを製造する;
・約1:1~約200:1のアスペクト比を有する交互層におけるアパーチャーを製造する;
・5%未満のボーイングを有する交互層においてアパーチャーを製造する;
・2%未満のボーイングを有する交互層においてアパーチャーを製造する;
・約5nm~約200nmの範囲の直径を有するアパーチャーを製造する;
・約100nmの直径を有するアパーチャーを製造する;
・約50nmの直径を有するアパーチャーを製造する;
・アパーチャーを製造する;
・アパーチャーが3D NANDアパーチャーである;
・アパーチャーがコンタクトホールである;
・アパーチャーが3D NANDコンタクトホールである;
・アパーチャーが階段状コンタクトである;
・約1:1~約200:1のアスペクト比を有するチャネルホールを製造する;
・5%未満のボーイングを有する交互層においてチャネルホールを製造する;
・2%未満のボーイングを有する交互層においてチャネルホールを製造する;
・約5nm~約200nmの範囲の直径を有するチャネルホールを製造する;
・約100nmの直径を有するチャネルホールを製造する;
・約40nmの直径を有するチャネルホールを製造する;
・約1:1~約200:1のアスペクト比を有するコンタクトホールを製造する;
・約5nm~約200nmの範囲の直径を有するコンタクトホールを製造する;
・5%未満のボーイングを有する交互層においてコンタクトホールを製造する;
・2%未満のボーイングを有する交互層においてコンタクトホールを製造する;
・約100nmの直径を有するコンタクトホールを製造する;
・約40nmの直径を有するコンタクトホールを製造する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスに第2のエッチングガスを添加することによって選択性を改善する;
・第2のエッチングガスが、cC4F8、C4F8、C4F6、C5F8、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CS2、CF3I、C2F3I、C2F5I、FNO、SO2及びそれらの組合せからなる群から選択される;
・アパーチャーを形成する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガスと第2のエッチングガスとを混合する;
・第2のエッチングガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチングガスに約0.01%v/v~約99.99%v/vの第2のエッチングガスを添加する;
・RF力を適用することによってプラズマを活性化する;
・約25W~約20,000Wの範囲のRF力によってプラズマを活性化する;
・エッチング圧力が約1mTorr~約10Torrの範囲である;
・エッチング圧力が30mTorrである;
・約0.1sccm~約1slmの範囲の流量においてヒドロフルオロカーボンエッチングガスを導入する;
・約-196℃~約500℃の範囲の温度で基板を維持する;
・約-120℃~約300℃の範囲の温度で基板を維持する;
・約-100℃~約50℃の範囲の温度で基板を維持する;
・約-10℃~約40℃の範囲の温度で基板を維持する;並びに
・四重極型質量分析計、発光分光計、FTIR又は他のラジカル/イオン測定ツールによるプラズマ下でヒドロフルオロカーボンエッチングガスを測定する。
・有機フッ素エッチングガスが少なくとも1つの水素を含有する;
・有機フッ素エッチングガスがC3H2F6である;
・有機フッ素エッチングガスがiso-C3H2F6である;
・有機フッ素エッチングガスがC3HF7である;
・有機フッ素エッチングガスがiso-C3HF7である;
・約95体積%~約99.999体積%の範囲の純度を有する;
・約10パーツパートリリオン~約5体積%の微量ガス不純物を含む;
・微量ガス不純物が水を含む;
・微量ガス不純物がCO2を含む;
・微量ガス不純物がN2を含む;
・微量ガス不純物がCFC及びHCFCを含む;
・有機フッ素エッチングガスが、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のCFC及びHCFCを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のCFC及びHCFCを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のCFC及びHCFCを含有する;
・C3HF7が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のCFC及びHCFCを含有する;
・iso-C3HF7が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のCFC及びHCFCを含有する;
・CFC及びHCFCが、1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロプロパン、1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)プロプ-1-エン、1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-2-クロロプロペン、1,1,1,3-テトラフルオロ-3-クロロプロペン、1,1-ジフルオロ-2,2-ジクロロエテン、トリクロロフルオロメタン、1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-3-クロロプロパン、1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパン及び1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-クロロプロパンである;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロプロパンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-2-クロロプロペンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3-テトラフルオロ-3-クロロプロペンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1-ジフルオロ-2,2-ジクロロエテンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のトリクロロフルオロメタンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-3-クロロプロパンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンを含有する;
・C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-クロロプロパンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3,3-ヘキサクロロプロパンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-2-クロロプロペンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3-テトラフルオロ-3-クロロプロペンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1-ジフルオロ-2,2-ジクロロエテンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満のトリクロロフルオロメタンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロ-3-クロロプロパンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3-ペンタフルオロプロパンを含有する;
・iso-C3H2F6が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ-2-クロロプロパンを含有する;
・C3HF7が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)プロプ-1-エンを含有する;
・iso-C3HF7が、100ppm未満、好ましくは10ppm未満、より好ましくは1ppm未満の1,1,3,3,3-ペンタフルオロ-2-(トリフルオロメチル)プロプ-1-エンを含有する;
・微量ガス不純物が、開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンを含む;
・開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンが、x=3及びy=2である場合、z≠6であり、且つx=3及びy=1である場合、z≠7であることを条件として、x=0~3、y=0~8、z=0~8である式CxHyFzを有する;
・C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満の開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンを含有する;
・C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3H2F6を含有する;
・C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3HF7を含有する;
・C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3HF7を含有する;
・iso-C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満の開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンを含有する;
・iso-C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3H2F6を含有する;
・iso-C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3HF7を含有する;
・iso-C3H2F6が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3HF7を含有する;
・C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満の開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンを含有する;
・C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3H2F6を含有する;
・C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3H2F6を含有する;
・C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3HF7を含有する;
・iso-C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満の開示された有機フッ素エッチング化合物以外のヒドロフルオロカーボンを含有する;
・iso-C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3H2F6を含有する;
・iso-C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のiso-C3H2F6を含有する;
・iso-C3HF7が、10%v/v未満、好ましくは1%v/v未満、より好ましくは0.1%v/v未満、なおより好ましくは0.01%v/v未満のC3HF7を含有する;並びに
・有機フッ素エッチングガスが20ppmw未満の水分含有量を有する。
次の記載及び請求項全体で、特定の略語、記号及び用語が使用され、そしてこれには次のものが含まれる:
Claims (16)
- 基板上の第1のエッチング層及び第2のエッチング層の交互層と、前記交互層上のハードマスク層とを有する3D NANDフラッシュメモリの製造方法であって、
前記ハードマスク層上にハードマスクパターンを形成するステップと;
1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン(C3H2F6)、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン(iso-C3H2F6)、1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロパン(C3HF7)、1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロプロパン(iso-C3HF7)及びそれらの組合せからなる群から選択されるヒドロフルオロカーボンエッチングガスと、cC 4 F 8 、C 4 F 8 、C 4 F 6 、C 5 F 8 、CF 4 、CH 3 F、CF 3 H、CH 2 F 2 、CF 3 I、C 2 F 3 I、C 2 F 5 I及びそれらの組合せからなる群から選択されるフルオロカーボンエッチングガスと、からなるエッチングガス、酸素含有ガス及び不活性ガスを使用して前記ハードマスク層に対して前記第1のエッチング層及び前記第2のエッチング層の前記交互層を選択的にプラズマエッチングすることによって前記交互層中にアパーチャーを形成するために前記ハードマスクパターンを使用するステップと
を含み、前記第1のエッチング層が酸化ケイ素層を含み、且つ前記第2のエッチング層が窒化ケイ素層を含み、且つ逆もまた同様であり、
前記アパーチャーが、20:1超過~約200:1の範囲のアスペクト比を有する、方法。 - 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン(C3H2F6)である、請求項1に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン(iso-C3H2F6)である、請求項1に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフ
ルオロプロパン(C3HF7)である、請求項1に記載の方法。 - 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスが1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロプロパン(iso-C3HF7)である、請求項1に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスプラズマが、前記ハードマスク層に対して無限の選択性で前記第1のエッチング層及び前記第2のエッチング層の交互層をエッチングする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスプラズマが、約1:2~約2:1の選別性で前記第2のエッチング層に対して前記第1のエッチング層をエッチングする、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アパーチャーの側壁が、0~約5%未満のボーイングを有する、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- プラズマエッチングのため、及び凝縮を避けるために、前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスの前もって決定された流量を維持するために、前記ヒドロフルオロカーボンエッチングガスを加熱するステップをさらに含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記酸素含有ガスが、O 2 、O 3 、CO、CO 2 、NO、NO 2 、N 2 O、SO 2 、COS、H 2 O及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1~5のいずれか一項に記載の方法。
- 基板上の第1のエッチング層及び第2のエッチング層の交互層と、前記交互層上のハードマスク層とを有する3D NANDフラッシュメモリの製造方法であって、
前記ハードマスク層上にハードマスクパターンを形成するステップと;
1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン(C 3 H 2 F 6 )、1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン(iso-C 3 H 2 F 6 )、1,1,1,2,3,3,3-ヘプタフルオロプロパン(C 3 HF 7 )、1,1,1,2,2,3,3-ヘプタフルオロプロパン(iso-C 3 HF 7 )及びそれらの組合せからなる群から選択される第1のヒドロフルオロカーボンエッチングガスと、cC 4 F 8 、C 4 F 8 、C 4 F 6 、C 5 F 8 、CF 4 、CH 3 F、CF 3 H、CH 2 F 2 及びそれらの組合せからなる群から選択される、第2のフルオロカーボン又はヒドロフルオロカーボンエッチングガスと、からなるエッチングガス、酸素含有ガス及び不活性ガスを使用して前記ハードマスク層に対して前記第1のエッチング層及び前記第2のエッチング層の前記交互層を選択的にプラズマエッチングすることによって前記交互層中にアパーチャーを形成するために前記ハードマスクパターンを使用するステップと
を含み、前記第1のエッチング層が酸化ケイ素層を含み、且つ前記第2のエッチング層が窒化ケイ素層を含み、且つ逆もまた同様であり、
前記アパーチャーが、20:1超過~約200:1の範囲のアスペクト比を有する、方法。 - 前記第1のヒドロフルオロカーボンエッチングガスが1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロプロパン(C 3 H 2 F 6 )である、請求項11に記載の方法。
- 前記酸素含有ガスが、O 2 、O 3 、CO、CO 2 、NO、NO 2 、N 2 O、SO 2 、COS、H 2 O及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項11に記載の方法。
- 前記ハードマスク層が、非晶質炭素又はドープド炭素のCVD又はスピンオン堆積層、ケイ素含有スピンオンマスク及び炭素含有スピンオンマスクからなる群から選択される、請求項11~13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のヒドロフルオロカーボンエッチングガスプラズマが、約1:2~約2:1の選別性で前記第2のエッチング層に対して前記第1のエッチング層をエッチングする、請求項11~13のいずれか一項に記載の方法。
- プラズマエッチングのため、及び凝縮を避けるために、前記第1のヒドロフルオロカーボンエッチングガスの前もって決定された流量を維持するために、前記第1のヒドロフルオロカーボンエッチングガスを加熱するステップをさらに含む、請求項11~13のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/692,247 | 2017-08-31 | ||
US15/692,247 US11075084B2 (en) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | Chemistries for etching multi-stacked layers |
PCT/IB2018/000954 WO2019043448A1 (en) | 2017-08-31 | 2018-08-28 | CHEMICAL COMPOSITIONS FOR THE ETCHING OF STACKED MULTIPLE LAYERS |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020533809A JP2020533809A (ja) | 2020-11-19 |
JP7000575B2 true JP7000575B2 (ja) | 2022-02-04 |
Family
ID=60660904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020530736A Active JP7000575B2 (ja) | 2017-08-31 | 2018-08-28 | 多積層をエッチングするための化学的性質 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11075084B2 (ja) |
JP (1) | JP7000575B2 (ja) |
KR (1) | KR102398461B1 (ja) |
CN (1) | CN111052318B (ja) |
TW (1) | TWI781210B (ja) |
WO (1) | WO2019043448A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10903109B2 (en) * | 2017-12-29 | 2021-01-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming high aspect ratio openings and methods of forming high aspect ratio features |
US10529581B2 (en) * | 2017-12-29 | 2020-01-07 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | SiN selective etch to SiO2 with non-plasma dry process for 3D NAND device applications |
US11056348B2 (en) * | 2018-04-05 | 2021-07-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonding surfaces for microelectronics |
WO2019199922A1 (en) * | 2018-04-13 | 2019-10-17 | Mattson Technology, Inc. | Processing of workpieces with reactive species generated using alkyl halide |
US20190362983A1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching oxide nitride stacks |
WO2020039974A1 (ja) * | 2018-08-21 | 2020-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
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- 2018-08-28 KR KR1020207007687A patent/KR102398461B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-28 CN CN201880053811.4A patent/CN111052318B/zh active Active
- 2018-08-28 JP JP2020530736A patent/JP7000575B2/ja active Active
- 2018-08-28 WO PCT/IB2018/000954 patent/WO2019043448A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102398461B1 (ko) | 2022-05-13 |
CN111052318B (zh) | 2024-05-28 |
JP2020533809A (ja) | 2020-11-19 |
TW201912619A (zh) | 2019-04-01 |
US11075084B2 (en) | 2021-07-27 |
CN111052318A (zh) | 2020-04-21 |
KR20200037402A (ko) | 2020-04-08 |
WO2019043448A1 (en) | 2019-03-07 |
TWI781210B (zh) | 2022-10-21 |
US20170365487A1 (en) | 2017-12-21 |
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