JP6985711B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)本発明の一態様に係る半導体装置は、基材と、基材の一面に形成された半導体膜とを有し、前記半導体膜は、平均粒径が1μm以上の結晶粒子からなる多結晶膜である。
(2)(1)に記載の半導体装置は、前記半導体膜の厚さが、50nm以上であることが好ましい。
(3)(1)または(2)のいずれかに記載の半導体装置は、前記結晶粒子がGeからなることが好ましい。
(4)(1)または(2)のいずれかに記載の半導体装置は、前記結晶粒子がSiGeからなることが好ましい。
(5)(1)または(2)のいずれかに記載の半導体装置は、前記結晶粒子がSiからなることが好ましい。
(6)本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、(1)〜(5)のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法であって、前記基材を加熱しながら、前記基材の一面に非晶質の半導体膜を形成する第一工程と、前記半導体膜を加熱して、前記半導体膜の固相成長を促す第二工程と、を有し、前記第一工程での加熱温度を、前記半導体膜に結晶核が発生する温度の50%以上100%未満となるように調整する。
(7)(6)に記載の半導体装置の製造方法は、前記第一工程での加熱温度を、前記半導体膜を構成する粒子の密度が、同じ材料の結晶における粒子の密度の98%以上102%未満となるように調整することが好ましい。
(8)(6)または(7)のいずれかに記載の半導体装置の製造方法は、前記第一工程での加熱温度を、100℃以上700℃以下とすることが好ましい。
(9)(6)〜(8)のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法は、前記第二工程での加熱温度を、350℃以上800℃以下とすることが好ましい。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置100の断面図である。半導体装置100は、基材101と、基材の一面101aに形成(合成)された半導体膜(半導体薄膜)102とを有している。
半導体装置100を製造するための主要な2工程について、図2を用いて説明する。
基材101を加熱しながら、基材の一面101に対し、Ge、SiGe、Si、GeSn、SiC、GaAs、InP、GaN、ZnSe、CdS、ZnO等の粒子102Aを堆積させ、非晶質の半導体膜102Bを形成する(図2の左側)。
熱処理(雰囲気は問わない)を行い、第一工程で形成された非晶質の半導体膜102Bの固相成長を促し、多結晶の半導体膜(多結晶膜)102Cを合成する(図2の右側)。第二工程において、加熱温度は350℃以上800℃以下とすることが好ましく、加熱時間は0.1時間以上300時間以下とすることが好ましい。
分子線堆積法により、石英ガラス基板上に、基板温度Tdを50℃〜200℃の範囲で設定した状態で、ゲルマニウム(Ge)粒子を堆積させ、厚さ100nmのGe薄膜を形成(蒸着)した(第一工程)。成膜レートを1nm/minとし、成膜時間を100分間とした。
〔1〕基板温度Tdが100〜150℃の範囲において、非晶質Geは、その密度を結晶レベルに近づけることにより、核成長が促進され、大粒径化する。
〔2〕基板温度Tdが150℃より大きい範囲において、堆積時に発生した初期核は高密度であり、固相成長時に小粒径化を促す。
分子線堆積法により、石英ガラス基板上に、基板温度Tdを150℃で設定した状態で、ゲルマニウム(Ge)粒子を堆積させ、厚さ300nmのGe薄膜を形成(蒸着)した(第一工程)。成膜レートを1nm/minとし、成膜時間を300分間とした。
102、102A・・・粒子、102B、102C・・・半導体膜。
Claims (4)
- 基材と、基材の一面に形成された半導体膜とを有し、前記半導体膜は、平均粒径が1μm以上の結晶粒子からなる多結晶膜である半導体装置の製造方法であって、
前記基材を加熱しながら、前記基材の一面に非晶質の半導体膜を形成する第一工程と、
前記半導体膜を加熱して、前記半導体膜の固相成長を促す第二工程と、を有し、
前記半導体膜はGe膜又はSiGe膜であり、
前記第一工程での加熱温度を、前記半導体膜に結晶核が発生する温度の50%以上100%未満となるように調整し、
前記第一工程での加熱温度を、前記半導体膜を構成する粒子の密度が、同じ材料の結晶における粒子の密度の98%以上102%未満となるように調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜はGe膜であり、
前記第一工程での加熱温度を、100℃以上150℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体膜はSiGe膜であり、
前記第一工程での加熱温度を、100℃以上650℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第二工程での加熱温度を、350℃以上800℃以下とすることを特徴とする請求項2又は3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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