JP6980626B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
第1実施形態は、半導体装置に関する。図1から図3に一実施形態にかかる半導体装置100の要部の断面図を示す。図1は、半導体装置100の要部を示す図である。図1には、素子領域1から終端領域2にかけての構造を示している。図2(a)は、図1のa−a’線断面図である。図2(b)は、図1のb−b’線断面図である。図2(c)は、図1のc−c’線断面図である。図3(a)は、図1のd−d’線断面図である。図3(b)は、図1のe−e’線断面図である。なお、図1は、図2(a)のf−f’線の深さにおける断面図である。
半導体装置は、半導体基板(ドリフト層4)の深さ方向にそれぞれ延在する複数の第1導電層を有する複数の第1柱状体であって、隣接する3つの前記第1柱状体とのピッチが等しくなるように配置される複数の第1柱状体(孔B、第1FP電極11、第1FP絶縁膜10)と、
複数の第1柱状体の外周縁に沿って、外周縁との距離を一定に配置される第1のゲート(ゲートトレンチA、第1ゲート電極9、第1ゲート絶縁膜8)と、
複数の第1柱状体と前記第1のゲートとの間に設けられたベース層(ベース領域5)と、
複数の第1導電層に導通するとともに、前記ベース層に接続されるソース層(ソース領域6)と、
第1のゲートから第1の方向に延び、同一ピッチで設けられる複数の第2のゲート(終端ゲートトレンチC、終端ゲート電極13、第2ゲート絶縁膜12)と、
半導体基板の深さ方向にそれぞれ延在し、同一ピッチで設けられ、複数の第2導電層を有するストライプ状の複数の第2柱状体であって、複数の第2のゲートと交互に設けられる第2柱状体(終端FPトレンチD、第2FP電極15、第2FP絶縁膜14)と、
を有する。
第2実施形態は、半導体装置に関する。図4に一実施形態にかかる半導体装置200の要部の断面図を示す。第2実施形態の半導体装置200は、第1実施形態の半導体装置100の変形例である。
第3実施形態は、半導体装置に関する。図5に一実施形態にかかる半導体装置300の要部の断面図を示す。第3実施形態の半導体装置300は、第1実施形態の半導体装置100の変形例である。
第4実施形態は、半導体装置に関する。図6に一実施形態にかかる半導体装置400の要部の断面図を示す。第4実施形態の半導体装置200は、第1実施形態の半導体装置100の変形例である。
第5実施形態は、半導体装置に関する。図7に一実施形態にかかる半導体装置500の要部の断面図を示す。第5実施形態の半導体装置500は、第4実施形態の半導体装置400の変形例である。
Claims (12)
- 第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層上に設けられ、第1トレンチ、複数の孔、複数の第2トレンチ及び複数の第3トレンチを有する第1導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層上に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域上に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域と電気的に接続した第1電極と、
前記第1トレンチ内に第1絶縁膜を介して配置された第2電極と、
前記第1電極と電気的に接続され、前記第2電極を挟み、前記孔内に第2絶縁膜を介して配置された複数の柱状の第1フィールドプレート電極と、
前記第1絶縁膜の端部から延在し、前記第2トレンチ内に第3絶縁膜を介して配置され、前記第2電極の端部からストライプ状に延在する複数の第3電極と、
前記第1フィールドプレート電極と離間し、前記第3トレンチ内に第4絶縁膜を介して配置され、前記第1電極を介して前記第1フィールドプレート電極と電気的に接続され、前記第3電極を挟み又は囲み、ストライプ状に延在した複数の第2フィールドプレート電極と、
前記第2電極と前記第3電極とを電気的に接続する第4電極と、
を備えた半導体装置。 - 前記第2フィールドプレート電極と前記第3電極との間に前記第1半導体領域が配置される請求項1に記載の半導体装置
- 前記第1絶縁膜及び前記第3絶縁膜は、前記第1半導体領域に囲まれる請求項1又は2に記載の半導体装置
- 前記第1半導体層と接続された第5電極を有する請求項1ないし3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2フィールドプレート電極は、前記第3電極と平行に配置される請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1フィールドプレート電極のうち少なくとも2以上は一列に並び、
前記並んだ2以上の第1フィールドプレート電極は、前記第2フィールドプレート電極と一直線上に配置される請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第2トレンチの延在方向において、前記第2トレンチの前記第1トレンチ側とは反対側の端部は、前記第2フィールドプレート電極の前記第1トレンチ側とは反対側の端部よりも前記第1トレンチ側に位置している請求項1ないし6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2トレンチの延在方向において、前記第2トレンチの前記第1トレンチ側とは反対側の端部は、前記第2フィールドプレート電極の前記第1トレンチ側とは反対側の端部よりも前記第1トレンチ側に位置しており、
前記第2フィールドプレート電極の前記第1トレンチ側とは反対側の端部は、前記第2トレンチの前記第1トレンチ側とは反対側の端部よりも前記第3トレンチが延在する方向に3μm以上8μm以下突出している請求項1ないし7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記第1絶縁膜と前記第3絶縁膜の厚さが等しい、請求項1ないし8のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜と前記第4絶縁膜の厚さが等しい、請求項1ないし9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2絶縁膜は前記第1絶縁膜よりも厚さが厚い、請求項1ないし10のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の深さ方向にそれぞれ延在する複数の第1導電層を有する複数の第1柱状体であって、隣接する3つの前記第1柱状体とのピッチが等しくなるように配置される複数の第1柱状体と、
前記複数の第1柱状体の外周縁に沿って、前記外周縁との距離を一定に配置される第1のゲートと、
前記複数の第1柱状体と前記第1のゲートとの間に設けられたベース層と、
前記複数の第1導電層に導通するとともに、前記ベース層に接続されるソース層と、
前記第1のゲートから第1の方向に延び、同一ピッチで設けられる複数の第2のゲートと、
前記半導体基板の深さ方向にそれぞれ延在し、同一ピッチで設けられ、複数の第2導電層を有するストライプ状の複数の第2柱状体であって、前記複数の第2のゲートと交互に設けられる第2柱状体と、
を有する半導体装置。
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JP2014120656A (ja) * | 2012-12-18 | 2014-06-30 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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