JP6979030B2 - 化学機械研磨のためのテクスチャード加工された小型パッド - Google Patents
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Description
一部の化学機械研磨処理では、基板の表面にわたって不均一な厚さが生じる。例えば、バルク研磨処理では、基板上で研磨不足の領域が生じる場合がある。この問題に対処するため、バルク研磨の後に研磨不足の基板の部分に焦点を当てる「タッチアップ」研磨処理を実行することが可能である。
図1を参照すると、基板支持体105は、研磨パッドキャリア300の下方に配置されたプレート形状本体である。本体の上面128は、処理される基板を収容するのに十分に大きいローディング領域を提供する。例えば、基板は、直径200〜450mmの基板であってよい。基板支持体105の上面128は、基板10の背面(すなわち、研磨されていない表面)に接触し、その位置を保つ。
図1及び図2を参照すると、研磨パッド部分200は、研磨中に接触領域(ローディング領域とも呼ばれる)で基板10と接触する研磨面220を有する。研磨面220は、基板10の半径より小さな、最大側面寸法Dを有してもよい。例えば、研磨パッドの最大側面寸法は、基板の直径の約5〜10%であってもよい。例えば、直径が200mm〜300mmの範囲にあるウエハに関しては、研磨パッド表面220は、2〜30mm、例えば3〜10mm、例えば3〜5mmの最大横寸法を有しうる。より小型のパッドは、より高い精度をもたらすが、使用する速度がより遅くなる。
図6を参照すると、研磨パッドアセンブリ240は、研磨パッド部分200に制御可能な下向きの圧力を加えるように構成される研磨パッドキャリア300によって保持される。
図1、図7及び図8を参照すると、研磨駆動システム500は、研磨処理中に、連結された研磨パッドキャリア300と研磨パッド部分200を軌道運動で動かすように構成されうる。特に、図7で示されているように、研磨駆動システム500は、研磨処理中に、基板に対して固定された角度配向で研磨パッドを維持するように構成されうる。
基板上の不均一なスポットの大きさは、そのスポットを研磨するときのローディング領域の理想的な大きさを決定付ける。ローディング領域が大きすぎると、基板上の一部の領域での研磨不足の修正が、他の領域の過剰研磨引き起こすことがある。その一方で、ローディング領域が小さすぎると、研磨不足の領域をカバーするために基板を横切ってパッドを動かさなければならず、結果としてスループットが低下する。したがって、この実装によって、ローディング領域をスポットの大きさに適合させることができる。
Claims (15)
- 研磨処理中に基板を保持するように構成された基板支持体と、
膜及び前記研磨処理中に前記基板に接触する研磨面を有する研磨パッド部分を含む研磨パッドアセンブリであって、前記研磨パッド部分は前記膜に前記研磨面の反対にある側で接合され、前記研磨面は前記基板の直径の少なくとも4分の1より小さい前記研磨面に平行な方向の幅を有し、前記研磨パッド部分の外面は少なくとも1つの凹部と前記研磨面を提供する上面を有する少なくとも1つの平坦凸部とを含み、前記研磨面は前記少なくとも1つの凹部の側壁と前記少なくとも1つの平坦凸部の上面との交差によって画定される複数のエッジを有し、前記膜の中央の部分は前記膜の周囲の部分よりも薄い、研磨パッドアセンブリと、
前記研磨パッドアセンブリを保持し、前記研磨面を前記基板に押圧する研磨パッドキャリアと、
前記基板支持体と前記研磨パッドキャリアとの間に相対運動を引き起こすように構成された駆動システムと
を備える、化学機械研磨システム。 - 前記少なくとも1つの凹部は第1の複数の平行な溝を含む、請求項1に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの凹部は、前記第1の複数の溝に垂直な第2の複数の平行な溝を含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記第1の複数の平行な溝は厳密には2〜6本の溝であり、前記第2の複数の溝も同じ数の溝である、請求項3に記載のシステム。
- 前記膜は、可撓性の小さい第2の部分によって囲まれた第1の部分を含み、前記研磨パッド部分は前記第1の部分に接合されている、請求項1に記載のシステム。
- 円形の膜と、
研磨処理中に基板に接触する研磨面を有する円形の研磨パッド部分と、
を含む研磨パッドアセンブリであって、
前記研磨パッド部分は前記膜の直径の少なくとも5分の1より小さい直径を有し、前記研磨パッド部分は前記円形の膜の中心に配置され、前記研磨パッド部分の上面は一又は複数の凹部と、前記研磨面を提供する上面を有する一又は複数の平坦凸部とを含み、前記研磨面は、前記一又は複数の凹部の側壁と前記一又は複数の平坦凸部の上面との交差によって画定される複数のエッジを有し、前記膜の中央の部分は前記膜の周囲の部分よりも薄い、研磨パッドアセンブリ。 - 前記一又は複数の凹部は第1の複数の平行な溝を含む、請求項6に記載のアセンブリ。
- 前記一又は複数の凹部は、前記第1の複数の溝に垂直な第2の複数の平行な溝を含む、請求項7に記載のアセンブリ。
- 前記第1の複数の平行な溝は厳密には2〜6本の溝であり、前記第2の複数の溝も同じ数の溝である、請求項8に記載のアセンブリ。
- 前記一又は複数の凹部は、前記研磨パッド部分の円周から径方向内向きに延在する複数の凹部を含む、請求項6に記載のアセンブリ。
- 前記一又は複数の凹部は複数の同心円状の環状溝を含む、請求項6に記載のアセンブリ。
- 前記一又は複数の平坦凸部は複数の分離された突起を含む、請求項6に記載のアセンブリ。
- 前記突起は間隙によって分離されており、前記平坦凸部の研磨パッド面に平行な方向の幅は、隣接する平坦凸部間の前記間隙の幅の約1〜5倍である、請求項12に記載のアセンブリ。
- 前記一又は複数の平坦凸部は相互接続された矩形のグリッドを含む、請求項6に記載のアセンブリ。
- 膜と、
研磨処理中に基板に接触する研磨面を有する凸状多角形研磨パッド部分と、
を含む研磨パッドアセンブリであって、
前記研磨パッド部分は前記膜の幅の少なくとも5分の1より小さい幅を有し、前記研磨パッド部分は円形の膜の中心に配置され、前記研磨パッド部分の上面は一又は複数の凹部と、前記研磨面を提供する上面を有する一又は複数の平坦凸部とを含み、前記研磨面は、前記一又は複数の凹部の側壁と前記一又は複数の平坦凸部の上面との交差によって画定される複数のエッジを有し、前記膜の中央の部分は前記膜の周囲の部分よりも薄い、研磨パッドアセンブリ。
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