CN105659362B - 具有局部区域速率控制的抛光系统 - Google Patents

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Abstract

一种抛光模块，所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周界；以及一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界定位，其中所述一个或更多个抛光垫的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可以动的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。

Description

具有局部区域速率控制的抛光系统
背景
技术领域
本公开的实施例总体上涉及用于抛光基板(诸如，半导体晶片)的方法和装置。更特定而言，本公开的实施例涉及用于在电子器件制造工艺中用于抛光基板边缘的方法和装置。
背景技术
化学机械抛光是一种被普遍用于高密集度集成电路制造中的工艺，此工艺通过在抛光流体存在的情况下移动与抛光垫接触的基板的特征侧(即，“沉积物接收表面”)来平坦化或抛光沉积在基板上的材料层。在典型的抛光工艺中，基板被保持在载件头中，所述载件头将基板的背侧推向或压向抛光垫。通过化学与机械活动的组合，可将材料从与抛光垫接触的基板的特征侧去除。
载件头可包含多个单独受控的压力区，这些单独受控的压力区将不同的压力施加至基板的不同区域。例如，如果在基板的周缘处期望比在基板中心处所期望的材料去除更大的材料去除，则可使用载件头来将更多的压力施加至基板的周缘。然而，基板的刚性倾向于重新分配由载件头施加至基板的压力，使得施加至基板的压力可分散或平滑。平滑效应使(用于局部材料去除的)局部压力施加即便不是不可能的也是困难的。
因此，对于促进从基板的局部区域去除材料的方法与装置具有需求。
发明内容
本公开的实施例总体涉及用于抛光基板(诸如，半导体基板)的方法与装置。在一个实施例中，提供抛光模块。所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周界；以及一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界而定位，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可移动的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。
在另一实施例中，提供抛光模块。所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有周界区域和基板接收区域，所述周界区域设置在第一平面中，所述基板接收表面相对于所述周界区域径向地向内而设置在第二平面中；以及一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界区域被可移动地支撑，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可以动的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述基板接收表面的圆周测量的所述卡盘的半径的二分之一。
在又一实施例中，提供抛光模块。所述抛光模块包含：卡盘，所述卡盘具有周界区域和基板接收表面，所述周界区域设置在第一平面中，所述基板接收表面相对于所述周界区域径向地向内而设置在第二平面中，其中所述第一平面与所述第二平面不同，一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界而定位在所述第一平面中；以及调节环，所述调节环设置在所述第二平面中的所述卡盘的所述周界区域上，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可移动的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。
附图说明
因此，为了可详细地理解本公开的上述特征的方式，可通过参照实施例来进行对上文简要概括的本公开的更具体的描述，在所附附图中示出实施例中的一些。然而，应注意的是，附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不应被视为对本公开的范围的限制，因为本公开可承认其他等效的实施例。
图1A是处理站的一个实施例的部分截面视图。
图1B是抛光模块的一个实施例的示意性截面视图。
图2A是抛光模块的另一实施例的剖面侧视图。
图2B是图2A中所示的抛光模块的等距俯视图。
图3A是抛光模块的另一实施例的剖面侧视图。
图3B是图3A中所示的抛光垫弯曲设备的等距俯视图。
图4A是图3A所示的弯曲环设备的一个实施例的等距视图。
图4B～4D示出图4A的弯曲环设备的各种运动模式。
图5A是抛光模块的另一实施例的剖面侧视图。
图5B是图5A的弯曲设备的放大的等距剖面侧视图。
图6A～6C是抛光垫的各种实施例的底部平面图，所述抛光垫可耦接至本文中所述的抛光模块的支撑臂。
图7A是抛光垫的一个实施例的剖面侧视图。
图7B是抛光垫的另一实施例的剖面侧视图。
图8是抛光模块的另一实施例的部分剖面侧视图。
为了促进理解，在可能的情况下，已使用完全相同的元件符号来指定各图所共有的完全相同的元件。构想了一个实施例中公开的元件可有益地利用于其他实施例而无需特别陈述。
具体实施方式
本公开的实施例提供抛光系统和抛光模块，所述抛光模块结合抛光系统一起使用以抛光基板的周缘。如本文中所描述的抛光模块的实施例提供径向上的精细的解析度(例如，小于约3毫米(mm))以及θ(theta)方向上的速率控制。本公开的多个方面包含伴随局部区域中的有限凹陷和/或侵蚀的改进的局部抛光控制。
图1A是处理站100的一个实施例的部分截面图，所述处理站100配置成执行抛光工艺，诸如，化学机械抛光(CMP)工艺或电化学机械(ECMP)工艺。图1B是抛光模块101的一个实施例的示意性截面视图，当结合处理站100来使用时，所述抛光模块101包含抛光系统的一个实施例。处理站100可用于执行全局CMP工艺来抛光基板102的主侧。在使用处理站100未充分地抛光基板102的周缘的情况下，抛光模块101可用于抛光此周缘。抛光模块101可用于在由处理站100执行的全局CMP工艺之前或之后来抛光边缘。处理站100和抛光模块101中的每一个都可以是较大的处理系统的独立式单元或部分。可适于利用处理站100和抛光模块101中的一个或两个的较大的处理系统的示例包括可从位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司获得的 LK、GTTM、MIRRA抛光系统等抛光系统以及来自其他制造商的抛光系统。
处理站100包含台板105，所述台板105可旋转地被支撑在基座110上。台板105可操作地耦接至驱动电机115，所述驱动电机115适于绕旋转轴A来旋转台板105。台板105支撑抛光垫120，所述抛光垫120由抛光材料122制成。在一个实施例中，抛光垫120的抛光材料122是可商购的垫材料，诸如，典型地用于CMP工艺的聚合物基材料。聚合物材料可以是聚氨酯、聚碳酸酯、含氟聚合物、聚四氟乙烯(PTFE)，聚苯硫醚(PPS)或上述各项的组合。抛光材料122可进一步包含开孔或闭孔发泡聚合物、合成橡胶、毡、浸渍的毡、塑料以及与处理化学材料相容的类似材料。在另一实施例中，抛光材料122是以多孔涂层浸渍的毡材料。在其他实施例中，抛光材料122包含至少部分地导电的材料。
载件头130设置在抛光垫120的处理表面125上方。在处理期间，载件头130保持基板102，并且受控地将基板102推向抛光垫120的处理表面125(沿着Z轴)。载件头130包含分区的压力控制设备，此分区的压力控制设备示出为外区压力施力器138A以及内区压力施力器138B(两者均以虚线表示)。在抛光期间，外区压力施力器138A与内区压力施力器138B将可变的压力施加至基板102的背侧。可调整外区压力施力器138A与内区压力施力器138B以在基板102边缘区域施加比施加至基板102的中心区域的压力更大的压力，反之亦然。因此，外区压力施力器138A与内区压力施力器138B用于调谐抛光工艺。
载件头130装配至支撑构件140，所述支撑构件140支撑载件头130且促进载件头130相对于抛光垫120的移动。支撑构件140可耦接至基座110，或能以使载件头130悬吊在抛光垫120上方的方式被装配在处理站100上方。在一个实施例中，支撑构件140是装配在处理站100上方的线性或圆形轨道。载件头130耦接至驱动系统145，所述驱动系统145至少提供载件头130绕旋转轴B的旋转移动。驱动系统145可附加地配置成相对于抛光垫120横向地(X轴和/或Y轴)沿支撑构件140来移动载件头130。在一个实施例中，除了横向移动之外，驱动系统145还相对于抛光垫120竖直地(Z轴)移动载件头130。例如，除了提供基板102相对于抛光垫120的旋转和/或横向移动之外，驱动系统145还可用于朝抛光垫120来移动基板102。载件头130的横向移动可以是线性或弧形或挥扫运动。
调节设备150与流体施加器155示出为定位在抛光垫120的处理表面125上方。调节设备150耦接至基座110，并且包含致动器185，所述致动器185可适于旋转调节设备150或在相对于抛光垫120和/或基座110的一个或更多个线性方向上移动调节设备150。流体施加器155包含一个或更多个喷嘴160，这一个或更多个喷嘴160适于将抛光流体递送至抛光垫120的部分。流体施加器155可旋转地耦接至基座110。在一个实施例中，流体施加器155适于绕旋转轴C旋转，并且提供抛光流体，所述抛光流体被引导至处理表面125。抛光流体可以是化学溶液、水、抛光合成物、清洁溶液，或上述各项的结合。
图1B是抛光模块101的一个实施例的示意性截面视图。抛光模块101包含基座165，所述基座165支撑卡盘167，所述卡盘167可旋转地支撑其上的基板102。在一个实施例中，卡盘167可以是真空卡盘。卡盘167耦接至驱动设备168(所述驱动设备168可以是电机或致动器)，从而至少提供卡盘167绕轴E的旋转移动。基板102以“面朝上”的取向设置在卡盘167上，使得基板102的特征侧面向一个或更多个抛光垫170。在图1A中的处理站100中，这一个或更多个抛光垫170中的每一个都用于在抛光基板102之前或之后来抛光基板102的周缘。这一个或更多个抛光垫170包含可商购的垫材料，诸如，典型地在CMP工艺中利用的聚合物基垫材料。这一个或更多个抛光垫170中的每一个都耦接至支撑臂172，所述支撑臂172相对于基板102来移动垫。支撑臂172中的每一个可耦接至致动器174，所述致动器174相对于装配在卡盘167上的基板102来竖直地(Z方向)以及横向地(X和/或Y方向)移动支撑臂172(以及装配在此支撑臂172上的抛光垫)。致动器174也可用于以相对于基板102的轨道式或圆形运动来移动支撑臂172(以及装配在此支撑臂172上的抛光垫170)。
这一个或更多个抛光垫170可包含单个的垫，所述单个的垫成形为由抛光材料制成的环形抛光垫，所述环形抛光垫包含尺寸设定为基本上与基板102的直径匹配的直径。例如，如果基板102的直径为300毫米(mm)，则环形抛光垫可包含约290毫米至约295毫米的内径以及约300毫米至约310毫米的外径。在图1B中所示的实施例中，这一个或更多个抛光垫170可包含具有如上所述的直径的分立的圆弧段。在其他实施例中，这一个或更多个抛光垫170可包含弧形段(诸如，月牙形状)和/或设置在每一个支撑臂172上的垫材料的多个分立的形状。在一个实施例中，可通过抛光垫170来施加来自源178的抛光流体。
抛光模块101也包含流体施加器176以将抛光流体提供至基板102的表面。流体施加器176可包含喷嘴(未示出)，并且可配置成与图1A中所述的流体施加器155类似。流体施加器176适于绕轴F旋转，并且可提供与流体施加器155提供的相同的抛光流体。基座165可用作用于收集来自流体施加器176的抛光流体的盆具。
图2A是可单独地使用或可结合图1A中的处理站100一起使用的抛光模块200的另一实施例的剖面侧视图。图2B是图2A中所示的抛光模块200的等距俯视图。抛光模块200包含卡盘167，在此实施例中，所述卡盘167耦接至真空源。卡盘167包含基板接收表面205，所述基板接收表面205包含多个开口(未示出)，这些开口与真空源相连通，使得设置在基板接收表面205的上的基板(图1B中所示)可被固定在此基板接收表面205上。卡盘167也包含驱动设备168，所述驱动设备168旋转卡盘167。也示出流体施加器176，所述流体施加器176包含喷嘴210，所述喷嘴210用于将抛光流体递送至卡盘167。计量设备215(在图2B中示出)也可耦接至基座165。计量设备215用于通过在抛光期间测量基板(未示出)上的金属或电介质膜厚来提供抛光进度的原位的(in-situ)度量。计量设备215可以是涡流传感器、光学传感器，或可用于确定金属或电介质膜厚的感测设备。用于非原位(ex-situ)计量反馈的其他方法包含预定参数，所述参数诸如，晶片上沉积的厚/薄区域的位置、用于卡盘167和/或抛光垫170的动作配方、抛光时间、以及将使用的向下力。非原位的反馈也可用于确定经抛光的膜的最终轮廓。原位计量也可通过监测由非原位计量确定的参数的进度来优化抛光。
由致动器组件220将支撑臂172中的每一个可移动地装配在基座165上。致动器组件220包含第一致动器225A和第二致动器225B。第一致动器225A可用于竖直地(Z方向)移动每一个支撑臂172，而第二致动器225B可用于横向地(X方向、Y方向或X方向和Y方向的组合)移动每一个支撑臂172。第一致动器225A也可用于提供可控的向下力，所述可控的向下力将抛光垫170推向基板(未示出)。虽然在图2A和图2B中示出具有位于其上的抛光垫170的仅两个支撑臂172，但是抛光模块200不限于两个支撑臂172。抛光模块200可包含卡盘167的圆周所允许的任何数目的支撑臂172、允许流体施加器176和计量设备215的足够的空间、以及用于支撑臂172(以及装配在此支撑臂172上的抛光垫170)的挥扫移动的空间。
致动器组件220可包含线性移动机构227，所述线性移动机构227可以是耦接至第二致动器225B的滑动机构或滚珠螺杆。类似地，第一致动器225A中的每一个可包含竖直地移动支撑臂172的线性滑动机构、滚珠螺杆或汽缸滑动机构。致动器组件220也包含耦接在第一致动器225A与线性移动机构227之间的支撑臂235A、235B。可由第二致动器225B同时地或个别地致动支撑臂235A、235B中的每一个。因此，支撑臂172(以及装配在此支撑臂172上的抛光垫170)的横向移动能以同步或非同步的方式在基板(未示出)上径向地挥扫。动态密封件240可绕支撑轴242而设置，所述支撑轴242可以是第一致动器225A的部分。动态密封件240可以是耦接在支撑轴242与基座165之间的迷宫式密封件。
支撑轴242设置在开口244中，所述开口244形成在基座165中，所述开口244允许支撑臂172基于由致动器组件220提供的移动而进行的横向移动。开口244经尺寸调整以允许支撑轴242的充分的横向移动，使得支撑臂172(以及装配在此支撑臂172上的抛光垫170)可从基板接收表面205的周界246处朝基板接收表面205的中心移动至约基板接收表面205的半径的二分之一处。在一个实施例中，基板接收表面205具有直径，此直径与将在处理期间被装配在此基板接收表面205上的基板的直径基本上相等。例如，如果基板接收表面205的半径为150毫米(mm)，则支撑臂172(特别是装配在此支撑臂172上的抛光垫170)可从150mm处(例如，周界246处)径向地向内朝中心移动至约75毫米处，并且往回至周界246处。术语“约”可被定义为超过基板接收表面205的半径的二分之一(在上述示例中为约75毫米)0.00毫米(零毫米)至不大于5毫米。
此外，开口244经尺寸调整以允许支撑轴242的充分的横向移动，使得可移动支撑臂172的端部248超过卡盘167的周界250。因此，当绕轴F旋转流体施加器176，并且向外移动支撑臂172的端部248以清空周界250时，可将基板转移到基板接收表面205上或将基板移离基板接收表面205。在全局CMP工艺之前或之后，可由机械手臂或端部执行器将基板转移至图1A中所示的处理站100或将基板移离此处理站100。在一个实施例中，可使用载件头130将基板转移至处理站100或将基板移离处理站100(图1A所示)。
卡盘167可附加地包含周缘区域252，所述周缘区域252定位成从基板接收表面205径向地向外。周缘区域252可位于从基板接收表面205的平面偏移(即，向下凹)的平面处。周缘区域252也可包含调节环255，所述调节环255用于调节抛光垫170。调节环255的高度也可位于从基板接收表面205的平面偏移(即，向下凹)的平面处。调节环255也可以是一个或更多个分立的磨料元件260，所述分立的磨料元件260包含由磨料颗粒或材料制成或包括磨料颗粒或材料的矩形和/或弧形元件。在一个实施例中，调节环255包含多个分立的磨料元件260，这些分立的磨料元件260中的每一个成形为弧形段。这些分立的磨料元件260中的每一个都可包含金刚石颗粒，所述金刚石颗粒用于在多次抛光处理之间调节抛光垫170。例如，在基板被放置在卡盘167的基板接收表面205上之前或之后，可将支撑臂172移动为接近调节环255，并且朝调节环255致动支撑臂172以使抛光垫170接触分立的磨料元件260。在此接触期间可旋转卡盘167以调节抛光垫170。在一个实施例中，用于调节所有抛光垫170的时间段小于约2秒，这可增加抛光模块200的产出。在一个实施例中，可在基板转移至卡盘167的基板接收表面205期间或移离卡盘167的基板接收表面205期间来执行对抛光垫170的调节。
图3A是可单独地使用或可结合图1A的处理站100来使用的抛光模块300的另一实施例的剖面侧视图。抛光模块300与图2A和图2B中所示的抛光模块200的实施例基本上类似，但具有以下例外。在此实施例中，抛光模块300包含抛光垫弯曲设备305，所述抛光垫弯曲设备305可用于替换如图2A和图2B中所示的多个支撑臂172。通过利用抛光垫弯曲设备305来减少支撑臂172的数量可减少抛光模块300的成本，因为驱动支撑臂172的致动器的数量将会减少。图3B是图3A中所示的抛光垫弯曲设备305的等距俯视图。
抛光垫弯曲设备305包含外壳310，所述外壳310包含弯曲环设备315。弯曲环设备315包含多个抛光构件320，所述抛光构件320可移动地设置在开口325内，所述开口325形成在外壳310中。外壳310配置成在抛光模块300的上侧上覆盖此抛光模块300。挖空部(cut-out)314形成在外壳310中以容纳流体施加器176和计量设备215。抛光构件320中的每一个都耦接至一个或更多个弯曲构件330，这一个或更多个弯曲构件330耦接至中心枢纽335。中心枢纽335可耦接至致动器340。致动器340可用于控制中心枢纽335的移动，并且最终控制抛光构件320的移动。开口325中的每一个经尺寸调整以便当正在抛光基板102时允许抛光构件320在这些开口320中以挥扫图案进行的横向移动。此外，开口325中的每一个经尺寸调整以允许抛光构件320移动至将与调节环255接触的位置。致动器340也可用于将可控的向下力提供至抛光构件320中的每一个。
抛光构件320中的每一个都可包含位于其上的抛光垫170。或者，抛光构件320可由抛光垫材料制成。抛光构件320中的每一个都配置成在抛光和/或调节期间相对于外壳310来移动。在一个实施例中，外壳310适于基本上在竖直方向(Z方向)上“漂浮”在基板接收表面205上方。在此实施例中，可横向地固定外壳310，由此绕定位在基板接收表面205上的基板102的边缘来对准抛光构件320。致动器340可用于向下(Z方向)朝基板102的表面来驱动抛光构件320。致动器340也可通过驱动中心枢纽335来径向地移动抛光构件320，从而改变弯曲构件330的位置。在一个方面，当在基板102上移动抛光构件320时，抛光垫弯曲设备305的重量提供向下力的部分。附加地或替代地，其他致动器(未示出)可耦接至外壳310以将可控制的向下力提供至外壳310。在另一实施例中，外壳310可包含下表面312，所述下表面312在操作期间至少部分地由围绕卡盘167的支撑环313来支撑。在此实施例中，外壳310相对于卡盘167而被固定，由此提供由致动器340提供的抛光构件320的移动。
图4A是图3A的弯曲环设备315的一个实施例的等距视图。弯曲环设备315包含中心枢纽335，所述中心枢纽335在此示出为第一枢纽构件400A与第二枢纽构件400B。第一枢纽构件400A与第二枢纽构件400B中的每一个都通过第一致动器410的轴405而耦接在一起。第一致动器410用于将第一枢纽构件400A移离和移向第二枢纽构件400B，由此改变中心枢纽335与抛光构件320之间的距离。第一致动器410的致动动作因此在抛光期间提供抛光构件320的径向移动。弯曲构件330(示出为第一弯曲构件415A与第二弯曲构件415B)提供弯曲构件330的横向(X和/或Y方向)稳定性。因此，当旋转基板(在图3A中示出)时，抛光构件320将具有保持基本上垂直于基板的纵轴。第二致动器420可耦接至弯曲环设备315以将可控的向下力提供至抛光构件320。
图4B～4D示出图4A的弯曲环设备315的各种移动模式。在图4B～4D中，外壳310耦接至支撑构件430，所述支撑构件430使外壳310相对于卡盘167与基座165稳定。电机440也可耦接至支撑构件430，所述支撑构件430可相对于卡盘167与基座165抬起或降下外壳310。电机440也可将向下力提供至外壳310，所述向下力在抛光或调节工艺期间被传送至抛光构件320中的每一个。
图4B示出在抛光基板102之前或之后就位的弯曲环设备315。在此位置中，抛光构件320与基板102的表面间隔开。此间隔开的关系可由以下移动中的一种或组合导致：由第一致动器410(即，移动第一枢纽构件400A，并且第二枢纽构件400B将被间隔开)以及第二致动器420(即，同时移动第一枢纽构件400A和第二枢纽构件400B)提供的移动。
图4C示出与基板102的表面接触的弯曲环设备315的抛光构件320。抛光构件320的位置可以是在基板102上的挥扫图案中的第一位置。例如，在此第一位置中，抛光构件320可处于跨基板102的边缘向内的径向挥扫。图4D示出在接近基板102的边缘的第二位置处与基板102的表面接触的弯曲环设备315的抛光构件320。第一位置与第二位置之间的移动可因由第一致动器410产生的第一枢纽构件400A第二枢纽构件400B的移动而导致。第一位置与第二位置可对应于由抛光构件绕中心枢纽335所限定的直径(即，两个相对的抛光构件320的外表面之间的距离)的改变。在一个示例中，第一枢纽构件400A远离第二枢纽构件400B的移动(反之亦然)导致抛光构件320的直径使此直径减小。类似地，第一枢纽构件400A朝第二枢纽构件400B的移动(反之亦然)导致抛光构件320的直径使此直径增加。在一个实施例中，径向位移可以是约42毫米。因此，第一枢纽构件400A朝第二枢纽构件400B或远离第二枢纽构件400B的恒定的移动(反之亦然)提供横跨基板102的边缘的径向挥扫图案。
图5A是可单独地使用或可结合图1A的处理站100一起使用的抛光模块500的另一实施例的剖面侧视图。抛光模块500与图2A和图2B中所示的抛光模块200的实施例基本上类似，但具有以下例外。在此实施例中，抛光模块500包含弯曲设备505，所述弯曲设备505耦接至支撑臂172。此外，支撑臂172包含竖直致动设备510，所述竖直致动设备510位于动态密封件240的外部(与图2A中所示的在动态密封件240下方相反)此外，致动器组件220包含致动设备515，所述致动设备515耦接至支撑臂235A、235B中的每一个。
致动器设备515耦接至偏心轴520，所述偏心轴520提供支撑臂172(以及耦接至此支撑臂172的抛光垫170)的轨道移动。在此实施例中，开口244经调整尺寸以允许轴525的轨道(即，圆形或椭圆形)移动，所述轴525耦接在支撑臂235A、235B中的每一个与支撑臂172之间，所述支撑臂172具有装配在此支撑臂172上的抛光垫170。
支撑臂172的竖直致动设备510包含致动器530，所述致动器530竖直地(Z方向)移动轴535和支撑构件540。弯曲设备505耦接至支撑构件540，并且当致动器530被供能时相对于基板102和/或卡盘167移动。抛光垫170耦接至弯曲设备505的下表面，在图5B中更清晰地示出。竖直致动设备510以及耦接至支撑臂235A、235B的偏心轴520的组合提供了竖直移动(Z方向)以及水平(X与Y方向)平面内的移动，从而在基板102上提供轨道挥扫图案。可由竖直致动设备510控制向下力。
图5B是图5A的弯曲设备505的放大的剖面等距侧视图。弯曲设备505包含刚性主体545，所述刚性主体545可包含从此刚性主体545的一侧延伸的脊。弯曲设备505也包含柔性构件555，所述柔性构件555由刚性主体545的端部560支撑。柔性构件555可以是U形，并且被刚性主体545的端部560悬置在刚性主体545内。抛光垫170耦接至柔性构件555的下部565。柔性构件555配置成在抛光和/或调节期间允许抛光垫170的一些移动。在一个方面中，柔性构件555补偿了由制造缺陷所致的卡盘167中的未对准。下部565可包含凸起570(增加厚度的区域)以调谐柔性构件555的灵活性。
图6A～6C是抛光垫的各种实施例的底部平面图，所述抛光垫可耦接至如本文中所示的抛光模块101、200、300和500的支撑臂172。图6A示出抛光垫170，所述抛光垫170具有月牙形的主体600。主体600可包含宽度W，所述宽度W为约10毫米(或更小)至约1毫米。主体600的长度可由宽度W来确定。此外，主体600可包含外径605，所述外径605基本上等于基板接收表面205(在图2A中示出)或装配在此基板接收表面205上的基板102(在图3A或图5A中示出)的半径。在一个示例中，对于具有约150毫米半径的基板接收表面205，此外径可以是约150毫米。内径610可等于外径605、小于外径605或大于外径605。
图6B示出抛光垫170，所述抛光垫170具有成形为弧形段的主体615。主体615可具有与图6A中所示的实施例类似的宽度。此外，主体615可包含与图6A中所示的实施例基本上类似的内径和外径。
图6C示出抛光垫170，所述抛光垫170具有形成在支撑基板625上或粘接至支撑基板625的多个突出结构620。图6D是图6C中所示的抛光垫170的剖面侧视图。多个突出结构620中的每一个都可以是具有所示的平面视图中的圆形、或平面视图中的矩形或其他多边形的柱状结构。突出结构620中的每一个都可由本文中所描述的抛光材料制成。
图7A是设置在基板102上的抛光垫700的一个实施例的剖面侧视图。抛光垫700可以是图6A和图6B中所示和所述的抛光垫170。在此实施例中，抛光垫700正接触可能正在绕轴E旋转(这将在本文中所述的抛光模块101、200、300和500中的任一者上进行的抛光工艺期间)的基板102。虽然轴E示出为是逆时针的，但是轴E也可以是顺时针的。在抛光期间，抛光垫700的主体615包含前边缘702和尾边缘705。旋转的基板与抛光垫700的接触表面之间的摩擦力可使前边缘702诸如通过使主体615弯曲或折叠至前边缘702上而塑性或弹性变形。在一个实施例中，前边缘702可能朝边缘705而弯曲到其自身上，这导致不期望的抛光结果以及抛光垫700的损坏。为了抵消变形的可能性，前边缘702包含凹部715。凹部715可以是斜角、倒角或半径区域。凹部715可包含整个前边缘702，或者如图所示，可包括前边缘702的部分。
图7B是抛光垫722的另一实施例的剖面侧视图。抛光垫722可与图7A中所示的实施例基本上类似。图7B中所示的抛光垫722也包含形成在主体615的下表面上的通道或沟槽720。沟槽720可形成在主体615的中间区段的附近，并且在抛光工艺期间可提供增强的抛光流体的运输。沟槽720的尾边缘725也可包含与图7A中所述的凹部715类似的凹部730。
图8是抛光模块800的另一实施例的部分剖面侧视图，所述抛光模块800可以是本文中所述的抛光模块101、200、300和500中的任何一个。具有周缘805的基板102示出为在卡盘167上。周缘805包含沿基板102的外径的环形带。基板102可具有区域810，在区域810处，沉积比在周缘805的其他部分厚。为了相对于周缘805的其他部分来有效地去除此区域810，将相比周缘805的其他部分(在这些部分，沉积厚度小于在区域810处的厚度)处的向下力更大的向下力施加至区域810是所期望的。
在一个实施例中，使致动器(此致动器控制支撑臂172(在图1B、2A、2B和5A中示出)致动，以便当区域810邻近抛光垫170时来提供较大的向下力，而当区域810转离抛光垫170时来提供较小的向下力。然而，当以可能超过控制支撑臂172(在图1B、2A、2B和5A中示出)的制动器的反应速度的速度来旋转卡盘167和基板102时，垫片815可设置在卡盘167的基板接收表面205与基板102的下表面之间。垫片815可以是一片或更多片刚性或致密材料，此刚性或致密材料可成形为薄带状或楔形。根据一个或更多个区域的位置，垫片815可定位在卡盘167的基板接收表面205与基板102的下表面之间，以便将区域810抬升至周缘805的其他部分的平面上方。因此，当区域810通过抛光垫170下方时，增加了基板与基板102之间的作用力，从而增强区域810的材料的去除。周缘805的其他区域将经历合适的下压力以执行材料去除，但是力可小于在区域810处的力。垫片815也可与图3A中所示的抛光模块300一起使用。附加地或替代地，卡盘167可适于倾斜，使得基板上的任何的区域810将维持相比周缘805的其余部分更大的高度。在此实施例中，可使用或可不使用垫片815，并且可使卡盘167以角度α倾斜，因此抬升卡盘167的基板接收表面205上区域810所位于的部分。可在卡盘167绕轴E旋转期间维持以角度α的倾斜，使得在抛光垫170下方的每一次回转时抬升卡盘167的基板接收表面的(对应于区域810的)部分。
虽然前述内容关于本公开的实施例，但是可设计本公开的其他和进一步的实施例而不背离本公开的基本范围，并且本公开的范围由所附权利要求书来确定。

Claims (16)

1.一种抛光模块，所述抛光模块包含：
卡盘，所述卡盘具有基板接收表面和周界；以及
一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述卡盘的所述周界而定位，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可移动的，所述一个或更多个抛光垫中的每一个是弧形的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。
2.如权利要求1所述的模块，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个都耦接至各自的致动器，所述各自的致动器配置成以所述挥扫图案移动来移动耦接至所述各自的致动器的抛光垫。
3.如权利要求2所述的模块，其中所述挥扫图案是径向的。
4.如权利要求2所述的模块，其中所述挥扫图案是偏心的。
5.如权利要求1所述的模块，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个都耦接至共同的致动器。
6.如权利要求5所述的模块，其中所述共同致动器耦接至弯曲环设备，所述弯曲环设备具有耦接至所述弯曲环设备的多个抛光构件，所述抛光构件中的每一个都包含所述一个或更多个抛光垫中的一个抛光垫。
7.如权利要求6所述的模块，其中所述弯曲环设备设置在外壳中。
8.如权利要求1所述的模块，所述模块进一步包含：
一个或更多个支撑臂，所述支撑臂中的每一个都具有所述一个或更多个抛光垫中耦合至所述抛光臂的一个抛光垫。
9.如权利要求8所述的模块，其中所述一个或更多个支撑臂中的每一个都耦接至致动器。
10.如权利要求8所述的模块，其中所述一个或更多个支撑臂耦接至共同的致动器。
11.如权利要求1所述的模块，所述模块进一步包含：
调节环，所述调节环相对于所述卡盘的所述周界径向地向外设置。
12.如权利要求11所述的模块，其中所述调节环设置在与所述卡盘的所述基板接收表面的平面不同的平面中。
13.一种抛光模块，所述抛光模块包含：
卡盘，所述卡盘具有周界区域和基板接收表面，所述周界区域设置在第一平面中，所述基板接收表面相对于所述周界区域径向地向内而设置在第二平面中，其中所述第一平面与所述第二平面不同；以及
一个或更多个抛光垫，所述一个或更多个抛光垫绕所述第一平面中的所述卡盘的所述周界而定位；以及
调节环，所述调节环设置在所述第二平面中的所述卡盘的所述周界区域上，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个邻近所述卡盘的所述基板接收表面、以挥扫图案是可移动的，所述一个或更多个抛光垫中的每一个是弧形的，并且所述抛光垫在径向移动上被限制为约小于从所述卡盘的所述周界测量的所述卡盘的半径的二分之一。
14.如权利要求13所述的模块，其中所述一个或更多个抛光垫中的每一个都耦接至各自的致动器，所述各自的致动器配置成以所述挥扫图案来移动耦接至所述各自的致动器的抛光垫。
15.如权利要求13所述的模块，所述模块进一步包含：
一个或更多个支撑臂，所述支撑臂中的每一个都具有所述一个或更多个抛光垫中耦接至所述支撑臂的一个抛光垫。
16.如权利要求13所述的模块，所述模块进一步包含弯曲环设备，所述弯曲环设备具有耦接至所述弯曲环设备的多个抛光构件，所述抛光构件中的每一个都包含所述一个或更多个抛光垫中的一个抛光垫。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9312142B2 (en) * 2014-06-10 2016-04-12 Globalfoundries Inc. Chemical mechanical polishing method and apparatus
US10076817B2 (en) * 2014-07-17 2018-09-18 Applied Materials, Inc. Orbital polishing with small pad
US10207389B2 (en) 2014-07-17 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Polishing pad configuration and chemical mechanical polishing system
US10105812B2 (en) * 2014-07-17 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Polishing pad configuration and polishing pad support
US9873179B2 (en) 2016-01-20 2018-01-23 Applied Materials, Inc. Carrier for small pad for chemical mechanical polishing
WO2017165216A1 (en) 2016-03-24 2017-09-28 Applied Materials, Inc. Textured small pad for chemical mechanical polishing
CN109155249B (zh) * 2016-03-25 2023-06-23 应用材料公司 局部区域研磨系统以及用于研磨系统的研磨垫组件
CN109075054B (zh) * 2016-03-25 2023-06-09 应用材料公司 具有局部区域速率控制及振荡模式的研磨系统
SG10202111787PA (en) * 2016-10-18 2021-11-29 Ebara Corp Local polisher, method of a local polisher and program
WO2021041413A1 (en) * 2019-08-27 2021-03-04 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing correction tool

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6857946B2 (en) * 1996-11-08 2005-02-22 Applied Materials Inc. Carrier head with a flexure
CN101905444A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 株式会社荏原制作所 修整装置、修整方法和抛光装置
CN102814738A (zh) * 2011-06-08 2012-12-12 株式会社荏原制作所 用于护理研磨垫的方法和设备

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4128968A (en) * 1976-09-22 1978-12-12 The Perkin-Elmer Corporation Optical surface polisher
JPH0767667B2 (ja) * 1985-05-20 1995-07-26 日本電信電話株式会社 遊離砥粒加工工具
JP2599419B2 (ja) * 1988-03-15 1997-04-09 アスモ株式会社 ドアロック・アクチュエータ
US4891479A (en) * 1988-12-14 1990-01-02 The Kathryn L. Acuff Trust No. 2 Control actuator and switch
JP2513426B2 (ja) * 1993-09-20 1996-07-03 日本電気株式会社 ウェ―ハ研磨装置
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5840202A (en) * 1996-04-26 1998-11-24 Memc Electronic Materials, Inc. Apparatus and method for shaping polishing pads
US6179695B1 (en) * 1996-05-10 2001-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Chemical mechanical polishing apparatus and method
US6296550B1 (en) * 1998-11-16 2001-10-02 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Scalable multi-pad design for improved CMP process
US6439963B1 (en) * 1999-10-28 2002-08-27 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for mitigating wafer surface disformation during chemical mechanical polishing (CMP)
US6561881B2 (en) * 2001-03-15 2003-05-13 Oriol Inc. System and method for chemical mechanical polishing using multiple small polishing pads
JP2004142031A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Speedfam Co Ltd デバイスウェハの周辺部研磨装置
JP2005038982A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Speedfam Co Ltd 半導体ウェハの平坦面外周部研磨装置
US20050221721A1 (en) * 2004-04-05 2005-10-06 Valle Hector Leopoldo A Method and apparatus for grinding and polishing free-form ophthalmic surfaces
JP2009536462A (ja) * 2006-05-03 2009-10-08 セント ローレンス ナノテクノロジー， インコーポレイテッド 個々のダイの研磨が可能な大型ウェハの化学機械研磨方法及び装置
KR20070117304A (ko) * 2006-06-08 2007-12-12 삼성전자주식회사 연마 패드 컨디셔너 세정 장치
US7597608B2 (en) * 2006-10-30 2009-10-06 Applied Materials, Inc. Pad conditioning device with flexible media mount
JP5147417B2 (ja) * 2008-01-08 2013-02-20 株式会社ディスコ ウェーハの研磨方法および研磨装置
KR101170760B1 (ko) * 2009-07-24 2012-08-03 세메스 주식회사 기판 연마 장치
JP2011224697A (ja) * 2010-04-19 2011-11-10 Disco Corp 研磨パッドの修正方法
CN101972978B (zh) * 2010-08-30 2012-05-16 清华大学 一种新型化学机械抛光装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6857946B2 (en) * 1996-11-08 2005-02-22 Applied Materials Inc. Carrier head with a flexure
CN101905444A (zh) * 2009-06-04 2010-12-08 株式会社荏原制作所 修整装置、修整方法和抛光装置
CN102814738A (zh) * 2011-06-08 2012-12-12 株式会社荏原制作所 用于护理研磨垫的方法和设备

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