JP6965391B2 - ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000429 assembly Methods 0.000 title description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 title description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 220
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 86
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 50
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 46
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 21
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 101100023111 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mfc1 gene Proteins 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Chemical compound FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,3,4,4,5,5-octafluorocyclopentene Chemical compound FC1=C(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F YBMDPYAEZDJWNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N Nitrogen oxide(NO) Natural products O=N ODUCDPQEXGNKDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- -1 pressure ranges Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/54—Providing fillings in containers, e.g. gas fillings
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
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- G05D11/13—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
- G05D11/131—Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
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Description
[001]本願は、2016年3月15日出願の「 METHODS AND ASSEMBLIES FOR GAS FLOW RATIO CONTROL」(代理人整理番号第23700−01/USA号)と題する米国特許仮出願第15/070,332号から優先権を主張し、あらゆる目的のためにその全体が参照により本書に組み込まれている。
Claims (15)
- 複数のゾーンを含む処理チャンバへのガスの流れを制御する方法であって、
前記処理チャンバと分配マニホールドとの間に流体連結された複数の質量流コントローラの各々を通るガスの流れを制御することであって、前記複数の質量流コントローラのうちの第1の質量流コントローラは、前記複数のゾーンのうちの第1の一部のゾーン内への第1のガスの流れを、第1の動的に制御可能な流量設定点に制御するように構成されており、前記複数の質量流コントローラのうちの第2の質量流コントローラは、前記複数のゾーンのうちの第2の一部のゾーン内への第2のガスの流れを、第2の動的に制御可能な流量設定点に制御するように構成されている、制御することと、
前記分配マニホールドに流体連結された背圧コントローラの上流の背圧を、背圧設定点に制御することと、
前記処理チャンバの前記複数のゾーンのうちの第3の一部のゾーンであって、前記第1の一部のゾーンまたは前記第2の一部のゾーンに含まれるいずれのゾーンも含まない第3の一部のゾーン内への第3のガスの流れを、前記背圧コントローラを介して制御することと
を含む方法。 - 分配マニホールドに、キャリアガス供給部を介してキャリアガスを、および処理ガス供給部を介して一または複数の処理ガスを、提供することと、
前記分配マニホールドに流体連結された背圧センサによって、前記分配マニホールドの背圧を感知することと、
前記背圧センサによって、前記背圧に少なくとも部分的に基づいて、第1のコントローラに信号を提供することと、
前記第1のコントローラによって、前記信号に少なくとも部分的に基づいて、背圧設定点を決定することと、
一または複数の質量流コントローラによって、前記キャリアガスと前記一または複数の処理ガスとを含む混合ガスの、処理チャンバの一または複数のゾーン内への流れを制御することであって、前記一または複数の質量流コントローラは、前記分配マニホールドと前記処理チャンバとの間に流体連結されている、制御することと、
前記分配マニホールドと前記キャリアガス供給部とに流体連結されている圧力コントローラによって、前記背圧設定点に基づいて、前記キャリアガスの流れを制御することと
を含む方法であって、
前記一または複数の質量流コントローラ、および前記圧力コントローラは、前記第1のコントローラに動作可能に接続されている、
方法。 - 前記第1のコントローラによって、前記一または複数の質量流コントローラの各々を通る流量設定点を設定することをさらに含み、前記第1のコントローラはプロセッサを含むデジタルコントローラである、請求項2に記載の方法。
- 前記一または複数の質量流コントローラによって、前記混合ガスを、90slmを上回る流量で流すことをさらに含む、請求項2または3に記載の方法。
- 前記圧力コントローラによって、前記背圧設定点に応じて、前記一または複数の処理ガスと混合される前記キャリアガスの前記流れを制御することをさらに含む、請求項2から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記処理チャンバが複数のゾーンを含み、前記一または複数の質量流コントローラが複数の質量流コントローラを含み、前記複数の質量流コントローラの各質量流コントローラが、前記複数のゾーンのそれぞれのゾーン内への前記混合ガスの流れを制御するように構成されている、請求項2から5のいずれか一項に記載の方法。
- 処理ガス供給部によって、処理チャンバに連結された分配マニホールドに、キャリアガスと一または複数の処理ガスとを提供することであって、前記処理ガス供給部は、一または複数の第1の質量流コントローラによって流れが制御される前記一または複数の処理ガスと前記キャリアガスとに動作可能に連結された上流圧力コントローラを含む、提供することと、
前記処理チャンバと前記分配マニホールドとの間に流体連結された一または複数の第2の質量流コントローラの各々を通る、前記一または複数の処理ガスと前記キャリアガスとを含む混合ガスの流れを、動的に制御可能な流量設定点に制御することと、
前記上流圧力コントローラによりキャリアガスの流れを制御することによって、前記分配マニホールドの背圧を背圧設定点に制御することと
を含む方法。 - 前記一または複数の第2の質量流コントローラを通って、前記処理チャンバの一または複数のゾーン内へと、前記混合ガスを流すことをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 前記キャリアガスと前記一または複数の処理ガスとが混合されて前記混合ガスを形成する接合部への前記キャリアガスの流れを、前記上流圧力コントローラによって制御することをさらに含む、請求項7または8に記載の方法。
- ガス流制御アセンブリであって、
第1のコントローラと、
キャリアガスと一または複数の処理ガスとを含む処理ガス供給部であって、該処理ガス供給部は、一または複数の第1の質量流コントローラをさらに含み、前記一または複数の第1の質量流コントローラの各第1の質量流コントローラは、前記第1のコントローラに連結されている、処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部に流体連結された分配マニホールドと、
前記第1のコントローラに接続され且つ前記分配マニホールドに流体接続された背圧センサであって、前記分配マニホールドの背圧を感知するように構成され、さらに、感知された背圧に少なくとも部分的に基づいて前記第1のコントローラに信号を提供するように構成された、背圧センサと、
複数のゾーンを含む処理チャンバと、
複数の第2の質量流コントローラであって、該第2の質量流コントローラの各々は、前記分配マニホールドと前記処理チャンバとの間に動作可能に流体接続され、前記処理チャンバの前記複数のゾーン内へのガス流を制御するように構成されている、複数の第2の質量流コントローラと、
前記分配マニホールドに動作可能に流体接続された上流圧力コントローラであって、前記第1のコントローラにより供給された背圧設定点に応じて、前記キャリアガスの流れを制御するように構成されている、上流圧力コントローラと
を備えるガス流制御アセンブリ。 - 前記第1のコントローラが、前記複数の第2の質量流コントローラの各々を通る流量設定点を設定するように構成されており、前記第1のコントローラはプロセッサを含むデジタルコントローラである、請求項10に記載のガス流制御アセンブリ。
- 前記複数の第2の質量流コントローラの各々は、前記処理ガス供給部からのガスを、90slmを上回る流量で流すように構成されている、請求項10または11に記載のガス流制御アセンブリ。
- 前記上流圧力コントローラは、前記第1のコントローラからの前記背圧設定点に応じて、一または複数の処理ガスと混合される前記キャリアガスの流れを制御するように構成されている、請求項10から12のいずれか一項に記載のガス流制御アセンブリ。
- ガス流制御アセンブリであって、
第1のコントローラと、
キャリアガスと一または複数の処理ガスとを含む処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部に流体連結された分配マニホールドと、
前記第1のコントローラに接続され且つ前記分配マニホールドに流体接続された背圧センサであって、前記分配マニホールドの背圧を感知するように構成され、さらに、感知された背圧に少なくとも部分的に基づいて前記第1のコントローラに信号を提供するように構成された、背圧センサと、
複数のゾーンを含む処理チャンバと、
複数の質量流コントローラであって、該質量流コントローラの各々は、前記分配マニホールドと前記処理チャンバとの間に動作可能に流体接続され、前記処理チャンバの前記複数のゾーン内へのガス流を制御するように構成されている、複数の質量流コントローラと、
前記分配マニホールドに動作可能に流体接続された上流圧力コントローラであって、前記第1のコントローラにより供給された背圧設定点に応じて、前記キャリアガスの流れを制御するように構成されている、上流圧力コントローラと、
前記上流圧力コントローラと流体並行関係に配設された、キャリアガス質量流コントローラと
を備えるガス流制御アセンブリ。 - ガス流制御アセンブリであって、
第1のコントローラと、
接合部において混合されるように構成されたキャリアガスと一または複数の処理ガスとを含む処理ガス供給部であって、該処理ガス供給部は、一または複数の第1の質量流コントローラをさらに含み、前記一または複数の第1の質量流コントローラの各第1の質量流コントローラは、前記第1のコントローラに連結されている、処理ガス供給部と、
前記接合部の下流において前記処理ガス供給部に流体連結された分配マニホールドであって、複数の排気口を有する分配マニホールドと、
前記第1のコントローラに動作可能に接続され、前記分配マニホールドの背圧を感知するように構成された、背圧センサと、
複数のゾーンを含む処理チャンバと、
一または複数の第2の質量流コントローラであって、前記一または複数の第2の質量流コントローラの各々は、前記複数のゾーンの各々へのガス流量比を制御するために、前記分配マニホールドの排気口と、前記複数のゾーンのうちの1つとに、動作可能に流体接続されている、一または複数の第2の質量流コントローラと、
前記接合部の上流において前記キャリアガスに流体接続され、且つ前記第1のコントローラに動作可能に接続された上流圧力コントローラであって、該上流圧力コントローラは、前記背圧センサからの出力信号に応じる前記第1のコントローラからの出力信号に応じた背圧設定点に、前記背圧を制御するように構成されている、上流圧力コントローラと
を備えるガス流制御アセンブリ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021170685A JP7168747B2 (ja) | 2016-03-15 | 2021-10-19 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/070,332 | 2016-03-15 | ||
US15/070,332 US10269600B2 (en) | 2016-03-15 | 2016-03-15 | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
JP2018548658A JP6682648B2 (ja) | 2016-03-15 | 2017-03-10 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018548658A Division JP6682648B2 (ja) | 2016-03-15 | 2017-03-10 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021170685A Division JP7168747B2 (ja) | 2016-03-15 | 2021-10-19 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020123728A JP2020123728A (ja) | 2020-08-13 |
JP6965391B2 true JP6965391B2 (ja) | 2021-11-10 |
Family
ID=59847768
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018548658A Active JP6682648B2 (ja) | 2016-03-15 | 2017-03-10 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
JP2020053860A Active JP6965391B2 (ja) | 2016-03-15 | 2020-03-25 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
JP2021170685A Active JP7168747B2 (ja) | 2016-03-15 | 2021-10-19 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018548658A Active JP6682648B2 (ja) | 2016-03-15 | 2017-03-10 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021170685A Active JP7168747B2 (ja) | 2016-03-15 | 2021-10-19 | ガス流量比制御のための方法及びアセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10269600B2 (ja) |
JP (3) | JP6682648B2 (ja) |
KR (3) | KR102311008B1 (ja) |
CN (1) | CN108780761B (ja) |
TW (1) | TWI721116B (ja) |
WO (1) | WO2017160612A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10269600B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
US10453721B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
US10866135B2 (en) | 2018-03-26 | 2020-12-15 | Applied Materials, Inc. | Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on rate of pressure decay |
JP7205021B2 (ja) * | 2018-05-24 | 2023-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 気相ラジカルの制御のための複数ゾーンガス噴射 |
JP2020105577A (ja) * | 2018-12-27 | 2020-07-09 | 株式会社フジキン | 流体供給装置 |
JP7024740B2 (ja) * | 2019-01-16 | 2022-02-24 | 株式会社デンソー | 半導体製造装置 |
US11236834B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | Diaphragm valves and methods of operating same |
KR102323922B1 (ko) * | 2020-05-18 | 2021-11-09 | 주식회사 제이원테크코리아 | 발광분광분석기의 아르곤 가스 유지관리 시스템 및 그 방법 |
US20230399741A1 (en) * | 2020-11-19 | 2023-12-14 | Lam Research Corporation | Sublimation control using downstream pressure sensing |
CN114318266A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-12 | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 | 真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 |
WO2023148689A1 (en) | 2022-02-07 | 2023-08-10 | Ricoh Company, Ltd. | Medium processing apparatus and image forming system |
CN115193277A (zh) * | 2022-06-17 | 2022-10-18 | 深圳市德明利光电有限公司 | 一种用于氧化制程的气体混合装置及处理设备 |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06295862A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器 |
US5647945A (en) | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
JPH09330128A (ja) * | 1996-06-13 | 1997-12-22 | Fujitsu Ltd | マスフローコントローラ |
US6277347B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Use of ozone in process effluent abatement |
US6217937B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-04-17 | Cornell Research Foundation, Inc. | High throughput OMVPE apparatus |
JP3830670B2 (ja) * | 1998-09-03 | 2006-10-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体製造装置 |
US6333272B1 (en) | 2000-10-06 | 2001-12-25 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6752166B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-06-22 | Celerity Group, Inc. | Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids |
US20040050326A1 (en) | 2002-09-12 | 2004-03-18 | Thilderkvist Karin Anna Lena | Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system |
US20040082251A1 (en) | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing |
WO2004111297A1 (ja) | 2003-06-10 | 2004-12-23 | Tokyo Electron Limited | 処理ガス供給機構、成膜装置および成膜方法 |
US20050103265A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures |
JP4559202B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置 |
JP4480516B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-06-16 | 株式会社アルバック | バリア膜の形成方法 |
EP1899040A2 (en) | 2005-06-22 | 2008-03-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and process for integrated gas blending |
US20090175771A1 (en) | 2006-03-16 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement of effluent gas |
JP2007321833A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Hitachi Metals Ltd | ガス供給機器用流路ブロックおよび半導体製造用ガス供給ユニット |
US7846497B2 (en) * | 2007-02-26 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber |
US20090056544A1 (en) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for abating electronic device manufacturing tool effluent |
US8003067B2 (en) | 2007-09-20 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for ambient air abatement of electronic manufacturing effluent |
WO2009038168A1 (ja) | 2007-09-21 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Limited | 成膜装置および成膜方法 |
JP2011501102A (ja) | 2007-10-26 | 2011-01-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 改良された燃料回路を使用した高性能な除害の方法及び装置 |
US8512509B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold |
US8066895B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method to control uniformity using tri-zone showerhead |
US20100119984A1 (en) | 2008-11-10 | 2010-05-13 | Fox Allen G | Abatement system |
US20100192773A1 (en) | 2009-02-01 | 2010-08-05 | Applied Materials, Inc. | Abatement apparatus with scrubber conduit |
WO2011085064A2 (en) | 2010-01-08 | 2011-07-14 | Applied Materials, Inc. | N-channel flow ratio controller calibration |
US20110256692A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
US8707754B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for calibrating flow controllers in substrate processing systems |
WO2011162770A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Tousimis Anastasios J | Integrated processing and critical point drying systems for semiconductor and mems devices |
US20120244685A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Nuflare Technology, Inc. | Manufacturing Apparatus and Method for Semiconductor Device |
WO2013126323A1 (en) | 2012-02-23 | 2013-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for precursor delivery |
US9004107B2 (en) | 2012-08-21 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control |
US10108205B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-10-23 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment |
US10114389B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback |
JP2015195312A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長装置および気相成長方法 |
US10269600B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
US10453721B2 (en) | 2016-03-15 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and assemblies for gas flow ratio control |
-
2016
- 2016-03-15 US US15/070,332 patent/US10269600B2/en active Active
-
2017
- 2017-02-24 TW TW106106324A patent/TWI721116B/zh active
- 2017-03-10 CN CN201780016905.XA patent/CN108780761B/zh active Active
- 2017-03-10 KR KR1020217013303A patent/KR102311008B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-10 KR KR1020187029617A patent/KR102249989B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-10 JP JP2018548658A patent/JP6682648B2/ja active Active
- 2017-03-10 WO PCT/US2017/021722 patent/WO2017160612A1/en active Application Filing
- 2017-03-10 KR KR1020217031777A patent/KR102376347B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-03-05 US US16/293,341 patent/US10943803B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-25 JP JP2020053860A patent/JP6965391B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-19 JP JP2021170685A patent/JP7168747B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210052601A (ko) | 2021-05-10 |
KR102376347B1 (ko) | 2022-03-17 |
JP2019513299A (ja) | 2019-05-23 |
KR102311008B1 (ko) | 2021-10-07 |
US20190206707A1 (en) | 2019-07-04 |
JP7168747B2 (ja) | 2022-11-09 |
US10269600B2 (en) | 2019-04-23 |
KR102249989B1 (ko) | 2021-05-07 |
WO2017160612A1 (en) | 2017-09-21 |
KR20180115806A (ko) | 2018-10-23 |
JP6682648B2 (ja) | 2020-04-15 |
TW201735104A (zh) | 2017-10-01 |
CN108780761A (zh) | 2018-11-09 |
CN108780761B (zh) | 2022-04-05 |
US20170271183A1 (en) | 2017-09-21 |
US10943803B2 (en) | 2021-03-09 |
JP2022017347A (ja) | 2022-01-25 |
JP2020123728A (ja) | 2020-08-13 |
KR20210124530A (ko) | 2021-10-14 |
TWI721116B (zh) | 2021-03-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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