CN114318266A - 真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 76
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- 230000008676 import Effects 0.000 claims 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开一种真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质，真空磁控溅射镀膜装置的控制方法包括获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例；根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气。本发明提供的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法达到了在不切换气体生成装置的情况下对不同的气体进行输送，明显提高了气体输送的效率以及便利性。
Description
技术领域
本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质。
背景技术
真空镀膜是在高真空环境下加热金属或金属材料，其氧化物变成气态原子或分子，沉积在金属或非金属表面而形成薄膜的一种方法，具有低能耗、无毒、无废液、污染小等优点。真空镀膜机主要由镀膜室、真空系统、电气控制及机架等部分组成，其中基材在镀膜室中进行镀膜，在镀膜时，针对不同的基材、镀层往往需要不同的气体环境，而现有的镀膜室内往往只具备一个气体出口，在需要更换气体环境时，需要更换气体的输出装置再通过同一气体出口进行输送，十分麻烦。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质，旨在解决上述技术问题。
为实现上述目的，本发明提出的一种真空磁控溅射镀膜装置包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、AR层镀膜室、ITO层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室、出片室以及设置在所述AR层镀膜室、ITO层镀膜室内的溅射阴极，所述溅射阴极上设有第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口，所述第一气体出口用于通入氩气，所述第二气体出口用于通入氧气，所述第三气体出口用于通入氢气。
另外，本发明还提供一种真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法基于如权利要求1所述的真空磁控溅射镀膜装置，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法包括：
获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例；
根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气。
在一实施例中，所述获取气体输入数据的步骤之后还包括：
将气体输入数据整合为配方包；
将配方包进行存储以供调用。
在一实施例中，所述配方包包括多个溅射阴极的气体输入数据。
在一实施例中，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：采集设于进口缓冲室和进口过渡室内的加热装置的加热温度，并将加热温度与气体输入数据一起整合至配方包内。
在一实施例中，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包；
释放配方包中的配方数据并将配方数据进行分发。
在一实施例中，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
将首次获取的配方包内的配方数据作为比对数据；
在调用该配方包并将配方包中的配方数据释放和分发后检测所在系统内的实际数据；
将实际数据与比对数据对比，若出现误差，则进行报警。
在一实施例中，所述基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包的步骤之后还包括：
获取每次调取配方包的调取信息；
并将调取信息作为历史数据进行存储。
在一实施例中，所述历史信息包括用户的用户名、调取时间、持续使用时间等。
另外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法。
本发明的技术方案中，通过获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例。随后再根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气，从而达到了在不切换气体生成装置的情况下对不同的气体进行输送，明显提高了气体输送的效率以及便利性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明实施例的真空磁控溅射镀膜装置的结构示意图。
附图标号说明：10、进口室；20、进口缓冲室；30、进口过渡室；40、AR层镀膜室；50、ITO层镀膜室；60、出口过渡室；70、出口缓冲室；80、出片室。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
并且，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种真空磁控溅射镀膜装置。
如图1所示，本发明实施例提供的真空磁控溅射镀膜装置包括依次连通的进口室10、进口缓冲室20、进口过渡室30、AR层镀膜室40、ITO层镀膜室50、出口过渡室60、出口缓冲室70、出片室80以及设置在所述AR层镀膜室40、ITO层镀膜室50内的溅射阴极，所述溅射阴极上设有第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口，所述第一气体出口用于通入氩气，所述第二气体出口用于通入氧气，所述第三气体出口用于通入氢气。
另外，本发明还提供一种真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法基于如权利要求1所述的真空磁控溅射镀膜装置，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法包括：
获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例；
根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气。
在本实施例中，通过获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例。随后再根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气，从而达到了在不切换气体生成装置的情况下对不同的气体进行输送，明显提高了气体输送的效率以及便利性。
进一步地，所述获取气体输入数据的步骤之后还包括：
将气体输入数据整合为配方包；
将配方包进行存储以供调用。
在本实施例中，用户在输入气体输入数据后，可以通过将数据整合为配方包进行存储，并且可以在使用前整合多个配方包，以方便后续操作员工可以直接调用不同的配方包来改变氧气、氩气以及氢气的输送比例，极大地提高了便利性。其中，所述配方包包括多个溅射阴极的气体输入数据。
在一实施例中，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：采集设于进口缓冲室20和进口过渡室30内的加热装置的加热温度，并将加热温度与气体输入数据一起整合至配方包内。当然，在该实施例中，还可以采集其余数据一同整理至配方包内，例如基片架传输速度等。
基于上述实施例中，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包；
释放配方包中的配方数据并将配方数据进行分发。
在本实施例中，当用户想要使用某一配方包中的配方数据时，在选中该配方包后，配方包会自动释放配方包中的配方数据，并相应地控制对应的装置进行数据改变。
另外，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
将首次获取的配方包内的配方数据作为比对数据；
在调用该配方包并将配方包中的配方数据释放和分发后检测所在系统内的实际数据；
将实际数据与比对数据对比，若出现误差，则进行报警。
在本实施例中，当实际检测到的数据与配方包中的数据比对后出现误差，则可以报警提示操作员工。
当然，用户还可以通过改变配方包内的配方数据，并令改变后的配方包内的配方数据作为比对数据。
另外，所述基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包的步骤之后还包括：
获取每次调取配方包的调取信息；
并将调取信息作为历史数据进行存储。
在一实施例中，所述历史信息包括用户的用户名、调取时间、持续使用时间等。在本实施例中，通过将用户的操作信息进行存储，使得在后期溯源时，能够及时的调取相应的历史数据进行查看。
另外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种真空磁控溅射镀膜装置，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜装置包括依次连通的进口室、进口缓冲室、进口过渡室、AR层镀膜室、ITO层镀膜室、出口过渡室、出口缓冲室、出片室以及设置在所述AR层镀膜室、ITO层镀膜室内的溅射阴极，所述溅射阴极上设有第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口，所述第一气体出口用于通入氩气，所述第二气体出口用于通入氧气，所述第三气体出口用于通入氢气。
2.一种真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法基于如权利要求1所述的真空磁控溅射镀膜装置，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法包括：
获取用户输入的气体输入数据，根据所述气体输入数据调整第一气体出口、第二气体出口以及第三气体出口的电控阀以改变溅射阴极的氧气、氩气以及氢气的输入比例；
根据所述输入比例同时或分别输送氧气、氩气以及氢气。
3.根据权利要求2所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述获取气体输入数据的步骤之后还包括：
将气体输入数据整合为配方包；
将配方包进行存储以供调用。
4.根据权利要求3所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述配方包包括多个溅射阴极的气体输入数据。
5.根据权利要求4所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：采集设于进口缓冲室和进口过渡室内的加热装置的加热温度，并将加热温度与气体输入数据一起整合至配方包内。
6.根据权利要求5所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包；
释放配方包中的配方数据并将配方数据进行分发。
7.根据权利要求5所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述真空磁控溅射镀膜装置的控制方法还包括：
将首次获取的配方包内的配方数据作为比对数据；
在调用该配方包并将配方包中的配方数据释放和分发后检测所在系统内的实际数据；
将实际数据与比对数据对比，若出现误差，则进行报警。
8.根据权利要求6所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述基于用户的响应在云端中调取相对应的配方包的步骤之后还包括：
获取每次调取配方包的调取信息；
并将调取信息作为历史数据进行存储。
9.根据权利要求8所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法，其特征在于，所述历史信息包括用户的用户名、调取时间、持续使用时间等。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质内存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求2-9中任一项所述的真空磁控溅射镀膜装置的控制方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111664237.6A CN114318266A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111664237.6A CN114318266A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114318266A true CN114318266A (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=81020610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111664237.6A Pending CN114318266A (zh) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 真空磁控溅射镀膜装置、控制方法及计算机可读存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114318266A (zh) |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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