JP6965062B2 - インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法 - Google Patents

Description

インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造するリソグラフィ装置の一つとしてインプリント装置がある。インプリント装置は、基板上の未硬化のインプリント材を型が接触させた状態で硬化させて、硬化後のインプリント材から型を引き離す（離型）ことで基板上に微細パターンの形成を行う。

未硬化のインプリント材に型を接触させる際、型と基板（未硬化のインプリント材）との間で温度差があると、型に熱応力が発生し、型自体が歪んだり、型に形成されたパターンが歪んだりして正確なパターンの成形が困難となりうる。特許文献１のインプリント装置は、基板と型とにそれぞれ温度計測部を設け、計測結果の温度差が許容値以下であると判定した場合に接触を行い、インプリント処理時の重ね合わせ精度を向上させている。

特開２０１３−１２５８１７号公報

一般的に、温度計側部に用いるセンサの測定値は、センサの経年劣化による誤差を含みうる。特許文献１のインプリント装置の温度計側部の測定値に誤差が生じると正確な温度差を計測することが困難となり、インプリント処理時の重ね合わせ精度の点で不利となりうる。

本発明は、例えば、型の歪みの抑制の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、基板の温度を計測する第１計測部と、基板の温度を調整する第１調整部と、型の温度を計測する第２計測部と、型の温度を調整する第２調整部と、第１計測部から取得した第１計測結果が第１目標温度に近づくように第１調整部を制御し、第２計測部から取得した第２計測結果が第２目標温度に近づくように第２調整部を制御する制御部と、を備え、制御部は、第１調整部および第２調整部の制御をしつつ基板と型とを接触させた状態において、第１調整部および第２調整部のうちいずれか一方の制御を停止し、停止させた状態で取得した第１計測結果および第２計測結果の差分に基づいて第１目標温度および第２目標温度のうちいずれか一方を変更して第１調整部および第２調整部を制御することを特徴とする。

本発明によれば、例えば、型の歪みの抑制の点で有利なインプリント装置を提供することができる。

第１実施形態に係るインプリント装置の構成を示す概略図である。 第１実施形態に係る第１計測部、第１調整部、第２計測部および第２調整部を説明する図である。 第１計測結果の温度変化の一例を示す図である。 第２実施形態に係る制御方法を説明するフローチャートである。 第３実施形態に係る制御方法を説明するフローチャートである。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。なお、各図面において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施形態）

図１は第１実施形態に係るインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理とは、基板上に供給されるインプリント材と型とを接触させ（押印）、接触状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材から型を剥離（離型）することで型に形成されたパターンを基板上に転写する処理である。

インプリント材の硬化方法として、光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法がある。また、インプリント装置１００は、型を複製したレプリカモールドを作製するためにも用いられる。本実施形態では、インプリント材として紫外線で硬化する光硬化性樹脂を用いた光硬化法を採用する。また、型をマスターモールド、基板をレプリカモールドとしてレプリカモールドを複製する。なお、図１においては、レプリカモールド上のインプリント材に対して照射される紫外光の光軸に平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。

マスターモールドＭＭは、外周部が矩形でレプリカモールドＲＭに対する対向面に形成された凹凸のパターン部を有する。マスターモールドＭＭのパターン部は、レプリカモールドＲＭ上へ塗布されたインプリント材に転写される。マスターモールドＭＭの材質には、例えば、石英などの紫外線を透過させる素材が用いられる。

基板としてのレプリカモールドＲＭは、例えば、石英などの紫外線を透過する素材が用いられる。レプリカモールドＲＭは、マスターモールド側の面の中央部に、パターンを形成すべき凸面１０１を有する。レプリカモールドＲＭの凸面１０１には、インプリント材が塗布される。

なお、本実施形態では、レプリカモールドを複製する場合を例に説明しているが、通常のインプリント処理を行うにあたり、基板として、単結晶シリコンウエハやＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウエハなどを用いても良い。

（インプリント装置）
インプリント装置１００は、レプリカモールド保持機構１１０、マスターモールド保持機構１２０、アライメント計測部１３０、照明部１４０、ディスペンサ１５０、および制御部１６０を含む。

レプリカモールド保持機構１１０は、レプリカモールドＲＭを保持し、マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭとを接触させる際に、マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭとの並進シフトの補正（位置合わせ）を行う。

レプリカモールド保持機構１１０は、レプリカモールド保持部１１１およびステージ１１２を含む。レプリカモールド保持部１１１は、レプリカモールドＲＭを不図示の機械的保持手段としての真空吸着パッドによって保持する。また、レプリカモールド保持部１１１は、不図示の機械的保持手段としての真空吸着パットによってステージ１１２に保持される。

ステージ１１２は、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭの並進シフトの補正（位置合わせ）をするためのＸ軸方向及びＹ軸方向に駆動する駆動系である。また、Ｘ軸方向とＹ軸方向の駆動系は、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていてもよい。さらに、Ｚ軸方向の位置調整のための駆動系や、レプリカモールドＲＭのθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、レプリカモールドＲＭの傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。

マスターモールド保持機構１２０は、マスターモールドＭＭを保持および固定する。マスターモールド保持機構１２０は、レプリカモールドＲＭに、マスターモールドＭＭの凹凸パターンを転写する機構である。マスターモールド保持機構１２０は、マスターモールド保持部１２１および駆動部１２２を含む。

マスターモールド保持部１２１は、マスターモールドＭＭを不図示の機械的保持手段としての真空吸着パットによって保持及び固定する。また、マスターモールド保持部１２１は図示しない機械的保持手段によって、駆動部１２２に保持される。

駆動部１２２は、マスターモールドＭＭの凹凸パターンをレプリカモールドＲＭに転写する際に、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭの間隔を位置決めするための駆動系であり、Ｚ軸方向に駆動する。また、凹凸パターン転写時には高精度な位置決めが要求されるため、粗動駆動系と微動駆動系など複数の駆動系から構成されていても良い。

さらに、駆動部１２２は、Ｚ軸方向だけでなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、またはθ（Ｚ軸周りの回転）方向位置調整機能、マスターモールドＭＭの傾きを補正するためのチルト機能を有していても良い。

アライメント計測部１３０は、アライメントマークを用いて、基板パターン（不図示）と型パターン（不図示）のＸ軸方向及びＹ軸方向への位置ずれと、形状差を計測する。
アライメントマークは、基板としてのレプリカモールドＲＭおよび、型としてのマスターモールドＭＭに形成されうる。

照明部１４０は、インプリント処理の際に、マスターモールドＭＭに対して紫外線を照射する照明手段である。この照明部１４０は、光源１４１と、光源１４１から照射された紫外線をインプリントに適切な光に調整するための複数の光学系１４２および、紫外線が基板表面を走査するための走査手段１４３を含む。

ディスペンサ１５０は、レプリカモールドＲＭにインプリント材を塗布する。ディスペンサ１５０は、吐出ノズル（不図示）を有しており、吐出ノズルからレプリカモールドＲＭにインプリント材を滴下する。また、吐出するインプリント材の量は、必要となる樹脂厚さや転写するパターン密度などによって決めれば良い。

制御部１６０は、インプリント装置１００の各構成要素の動作、及び調整等を制御する制御手段である。制御部１６０は、例えば、マスターモールド保持機構１２０を構成する駆動部１２２、走査手段１４３などの制御を行う。また、制御部１６０は、後述の第１調整部および第２調整部とも接続される。制御部１６０は、後述の第１計測部および第２計測部から取得した第１計測結果および第２計測結果が任意の目標温度になるように第１調整部および第２調整部での冷却もしくは加熱、または冷却と加熱の両方を制御する。

インプリント装置１００は、さらに、気体供給機構（不図示）を有しても良い。は、気体供給機構は、マスターモールドＭＭ近傍に配置した供給ノズル（不図示）から、気体を供給する。気体供給機構は、レプリカモールドＲＭ上に滴下されたインプリント材と、マスターモールドＭＭとの間の狭ギャップ空間Ｓ１の大気を気体で置換する。気体には、例えば、拡散性の高いヘリウムガスなどを用いることが出来る。

インプリント装置１００は雰囲気を清浄な環境に保つため、不図示のクリーンチャンバに収められる。その他に、インプリント装置１００は、レプリカモールド保持機構１１０を保持するためのベース定盤１０２、マスターモールド保持機構１２０を保持するためのブリッジ定盤１０３、ブリッジ定盤１０３を支えるための支柱１０４を有する。

図２は、第１実施形態に係る第１計測部、第１調整部、第２計測部および第２調整部を説明する図である。第１計測部２１１および第１調整部２１２は、レプリカモールドＲＭとレプリカモールド保持部１１１の温度を任意の温度に調整する機構である。

第１計測部２１１は、レプリカモールドＲＭの温度を計測する。第１調整部２１２は、液体を冷却する冷凍機、液体を加熱するヒータ、液体を送液するポンプを含みうる。温度調整された液体は、第１配管２１３を通じてレプリカモールドＲＭとレプリカモールド保持部１１１に送液される。

第１調整部２１２は、上述のとおり、制御部１６０と接続される。第１調整部２１２は、制御部１６０からの指示により、第１計測部２１１から取得した第１計測結果が、任意の目標温度（第１目標温度）になるように、レプリカモールドＲＭを冷却もしくは加熱、または冷却と加熱の両方を行う。第１計測部２１１での温度の安定性を向上させるために、不図示の温度センサを第１調整部２１２に構成しても良い。

なお、温度調整をする媒体は、液体の代わりに気体を用いても良く、液体と気体の両方を用いても良い。気体を用いる場合はポンプの代わりに送風ファンを用いることができる。また、この場合、第１配管２１３の代わりにエアダクトを用いることができる。

第１調整部２１２は、ペルチェ素子を用いてレプリカモールド保持部１１１の内部、または直下に配置してレプリカモールド保持部１１１を直接温度調整しても良い。

第２計測部２２１および第２調整部２２２は、マスターモールドＭＭとマスターモールド保持部１２１の温度を任意の温度に調整する機構である。第２計測部２２１および第２調整部２２２は、第１計測部２１１および第１調整部２１２と同じものを用いることが望ましい。

第２計測部２２１は、マスターモールドＭＭの温度を計測する。第２調整部２２２は、第１調整部２１２と同様に、液体を送液するための第２配管を含む。また、第２調整部２２２は、制御部１６０と接続される。第２調整部２２２は、制御部１６０からの指示により、第２計測部２２１から取得した第２計測結果が、任意の目標温度（第２目標温度）になるように、マスターモールドＭＭを冷却もしくは加熱、または冷却と加熱の両方を行う。

レプリカモールド保持部１１１とマスターモールド保持部１２１は、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭを等しい温度にするために、それぞれ同じ温度を目標温度として温度調整されるのが望ましい。例えば、レプリカモールド保持部１１１は、２３．０℃を目標温度として温度調整され得る。本実施形態では、第１目標温度および第２目標温度を２３．０℃とする場合について説明するが、第１目標温度および第２目標温度を２３．０℃に限定するものではない。

本実施形態では、マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭとを接触させた状態において、制御部１６０は、第１調整部２１２の温調制御を停止する。このとき、マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭを輻射熱が伝導する近傍に配置しても良い。この状態で、第１計測部２１１の計測結果（第１計測結果）が制御部１６０にて確認される。

図３は、第１計測結果の温度変化の一例を示す図である。横軸は、時間を示し、縦軸は、第１計測結果を示している。第１調整部２１２の温調制御が停止される前における第１計測結果である停止前温度ｗ１は、第１目標温度（本実施形態では２３．０℃）と同じとなる。ただし、停止前温度ｗ１には、例えば、第１計測部２１１の経年劣化などによる計測誤差が含まれうる。後述するように、本実施形態では、第２計測結果には誤差が含まれないことを前提として、第２計測結果に含まれる計測誤差を特定し、その影響を抑制している。

マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭとが接触され、第１調整部２１２の温調制御が停止された接触停止時点ｔ１において、接触停止時点ｔ１から、計測誤差の計測が開始される。ここで、計測誤差とは、例えば、第１計測部２１１の経年劣化などによる計測誤差をいう。第１計測部２１１が示す温度は、接触停止時点ｔ１から温度変化時間ｔ２経過後の温度安定時点ｔ３にて一定となる。なお、ここで安定とは、第１計測結果の変化幅が所定の閾値以下となることである。本実施形態では、閾値を０．０２℃とする。

第１調整部２１２の温調制御は、停止されているため、レプリカモールドＲＭは、第２調整部２２２により温度調整されるマスターモールドＭＭからの伝導熱により、温度が調整される。すなわち、レプリカモールドＲＭの温度は、温度調整されたマスターモールドＭＭの温度付近で安定する。

マスターモールドＭＭの温度の計測結果である第２計測結果は、第２目標温度となっているものとする。本実施形態では、第２目標温度は、第１目標温度と同じとしている。したがって、第２計測結果は停止前温度ｗ１と同じ温度となる。すなわち、第１計測結果に誤差が含まれていなければ、温度安定時点ｔ３における安定温度ｗ２は、第２計測結果、つまり、停止前温度ｗ１と等しくなるはずである。以上から、第１計測結果に含まれる誤差は、安定温度ｗ２（第１計測結果）と停止前温度ｗ１（第２計測結果）との差分となる。本実施形態において、安定温度ｗ２を２３．５℃とすると、差分は０．５℃となる。

本実施形態では、第１計測結果に０．５度の誤差が含まれ、第１計測部は、実際の温度より０．５℃高い温度を表示する。よって、差分を温度校正値として以降の第１目標温度に反映する。すなわち、第１目標温度を２３．０℃から２３．５℃に変更する。なお、温度目標値の変更の際は、第２計測結果以外のパラメータも加味しても良い。すなわち、例えば、第計測部９９に、レプリカモールドＲＭではなく、ステージ１１２などから、恒常的な入熱が０．１℃あると認められているとする。その場合は、その０．１℃を加味して、温度目標値の変更は２３．５℃ではなく、２３．４℃としても良い。

本実施形態によれば、経年劣化による温度計測部の校正を行うことが可能となり、レプリカモールド保持部１１１とマスターモールド保持部１２１の温度差、すなわちレプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭの温度差を無くすことができる。ひいては、インプリント処理時の型の歪みを抑制することが可能となる。なお、本実施形態では、第１調整部２１２の温調制御を停止させ、第１目標温度値を変更したが、第１調整部と同様の方法で、第２調整部に対して実施しても良い。
（第２実施形態）

図４は、第２実施形態に係る制御方法を説明するフローチャートである。第１実施形態と同様の構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、予めレプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭを接触させる時間を制御部１６０に設定する。つまり、第１調整部の温調制御を停止させた状態を設定された期間継続させた後、計測誤差を求める。各フローは、主に制御部１６０による各部の制御により実行される。

まず、搬送装置（不図示）により、レプリカモールドＲＭをレプリカモールド保持機構１１０に搬入する（Ｓ４０１）。次に、ディスペンサ１５０より、インプリントをレプリカモールドＲＭに塗布する（Ｓ４０２）。マスターモールド保持機構１２０を駆動させ、レプリカモールドＲＭにマスターモールドＭＭを接触させる（Ｓ４０３）。Ｓ４０３の押印前において、制御部１６０は、第１調整部２１２および第２調整部２２２を制御して、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭとが予め設定した温度になり、温度差が小さくなるように温度調整を行う。

制御部１６０は、第１調整部２１２の温調制御を停止する（Ｓ４０４）。このとき、マスターモールドＭＭとレプリカモールドＲＭを輻射熱が伝導する近傍に配置しても良い。その状態で、制御部１６０は、第１計測部２１１の計測結果（第１計測結果）確認する（Ｓ４０５）。

制御部１６０にはあらかじめレプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭを接触させる時間が設定されており、接触を開始してから設定されている時間が経過したかを判断する（Ｓ４０６）。Ｓ４０５とＳ４０６とは順序を逆にしてもよい。すなわち、Ｓ４０６で接触時間が設定された時間を超えた時点でＳ４０５において第１計測結果を確認してもよい。

ここで、予め設定される接触時間は、例えば、第１実施形態のレプリカモールドＲＭの温度変化時間ｔ２を予め計測しておき、これを接触時間としても良い。この場合、最低限の接触時間とすることができるため、スループットが向上する。また、型としてのマスターモールドＭＭに形成されたパターン部に、基板としてのレプリカモールドＲＭ上の未硬化インプリント材が充填される時間であっても良い。この場合、予め温度変化時間ｔ２を計測しなくて良い。

Ｓ４０６において、設定された時間よりも経過していない場合（ＮＯ）、第１計測結果の確認（Ｓ４０５）を継続する。設定された時間よりも経過している場合（ＹＥＳ）、時間の経過後に、第１計測結果と、あらかじめ設定されていた温度目標値と同じ値の第２計測結果との差分に基づいて第１目標温度を変更する（Ｓ４０７）。なお、ここであらかじめ設定されていた第１目標温度と、第２目標温度すなわちマスターモールドＭＭの温度は同じである。

その後、照明部１４０により光を照射して樹脂を硬化させ、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭを離型する（Ｓ４０８）。そして、搬送装置により、レプリカモールドＲＭをレプリカモールド保持機構から搬出する（Ｓ４０９）。

なお、本実施例においても、温度目標値の変更は、第１調整部２１２と同様の方法で、第２調整部２２２に対して実施しても良い。
（第３実施形態）

図５は、第３実施形態に係る制御方法を説明するフローチャートである。第１実施形態および第２実施形態と同様の工程および構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、温度目標値の変更を所定の回数毎に実施する。

レプリカモールドＲＭにマスターモールドＭＭを接触させた（Ｓ４０３）後、制御部１６０は温度目標値を変更するかどうかを判断する（Ｓ５０１）。温度目標値の変更は、接触する度に実施しても良く、予め所定の回数を設定し、所定の回数接触した場合に実施しても良い。接触する度に行う場合は、レプリカモールドＲＭとマスターモールドＭＭとの温度差が最小限となる。所定の回数接触毎に行う場合は、スループットが向上する。

Ｓ５０１において、温度目標値を変更する場合（ＹＥＳ）、制御部１６０は、Ｓ４０４〜Ｓ４０７を行う。５０１において、温度目標値を変更しない場合（ＮＯ）、Ｓ４０８を行う。その後、Ｓ４０９の完了後に、制御部１６０は、全てのレプリカモールドにパターンを形成したか判断する（Ｓ５０２）。

Ｓ５０２において、全てのレプリカモールドへのパターンの形成が完了していない場合（ＮＯ）、Ｓ４０１〜４０９を繰り返す。完了している場合（ＹＥＳ）、動作を終了する。

なお、本実施例においても、温度目標値の変更は、第１調整部２１２と同様の方法で、第２調整部２２２に対して実施しても良い。
（物品の製造方法）

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図６（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図６（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図６（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図６（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図６（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

（その他の実施形態）
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。

１００ インプリント装置
１１０ レプリカモールド保持機構
１１１ レプリカモールド保持部
１２０ マスターモールド保持機構
１２１ マスターモールド保持部
２１１ 第１計測部
２１２ 第１調整部
２２１ 第２計測部
２２２ 第２調整部
ＲＭ レプリカモールド
ＭＭ マスターモールド

Claims (10)

1. 型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記基板の温度を計測する第１計測部と、
   前記基板の温度を調整する第１調整部と、
   前記型の温度を計測する第２計測部と、
   前記型の温度を調整する第２調整部と、
   前記第１計測部から取得した第１計測結果が第１目標温度に近づくように前記第１調整部を制御し、前記第２計測部から取得した第２計測結果が第２目標温度に近づくように前記第２調整部を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記第１調整部および前記第２調整部の制御をしつつ前記基板と前記型とを接触させた状態において、前記第１調整部および前記第２調整部のうちいずれか一方の制御を停止し、前記停止させた状態で取得した前記第１計測結果および前記第２計測結果の差分に基づいて前記第１目標温度および前記第２目標温度のうちいずれか一方を変更して前記第１調整部および前記第２調整部を制御することを特徴とする、インプリント装置。
2. 前記制御部は、前記停止させた状態で前記第１計測結果および前記第２計測結果の変化の幅を求め、前記幅が所定の閾値以下となった後に前記第１計測結果および前記第２計測結果を取得して前記差分を求めることを特徴とする、請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記所定の閾値は、０．０２℃であることを特徴とする、請求項２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、前記停止させた状態を所定の期間継続した後に前記第１計測結果および前記第２計測結果を取得して前記差分を求めることを特徴とする、請求項１記載のインプリント装置。
5. 前記所定の期間は、前記基板と前記型とを接触させた状態において、前記第１計測結果および前記第２計測結果の変化の幅が所定の閾値以下となるまでの時間であることを特徴とする、請求項４に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、前記型に形成されたパターン部に前記基板の上の未硬化の前記インプリント材が充填された後に前記第１計測結果および前記第２計測結果を取得して前記差分を求めることを特徴とする、請求項１に記載のインプリント装置。
7. 前記制御部は、前記基板と前記型とが接触する度に前記変更をすることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制御部は、前記基板と前記型とが所定の回数接触した場合に前記変更をすることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか１項に記載のインプリント装置。
9. 型を用いて基板の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
   前記基板の温度および前記型の温度をそれぞれの目標温度に近づくように調整し、
   前記基板と前記型とを接触させ、
   前記基板および前記型のうちいずれか一方の温度の調整を停止し、
   前記基板の温度および前記型の温度の差分を求め、
   前記求めた差分に基づいて、前記基板および前記型のうちいずれか一方の前記目標温度を変更する、
   ことを特徴とする、インプリント方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板上に行う工程と、
    前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を加工する工程と、
    を含むことを特徴とする、物品製造方法。

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