JP6961015B2 - プロセス廃液の除去 - Google Patents
プロセス廃液の除去 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6961015B2 JP6961015B2 JP2019563336A JP2019563336A JP6961015B2 JP 6961015 B2 JP6961015 B2 JP 6961015B2 JP 2019563336 A JP2019563336 A JP 2019563336A JP 2019563336 A JP2019563336 A JP 2019563336A JP 6961015 B2 JP6961015 B2 JP 6961015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shield
- cleaning
- drying
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 114
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 456
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 201
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 141
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 137
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 132
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 129
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 72
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 claims description 38
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 15
- 238000009987 spinning Methods 0.000 claims description 10
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 156
- 238000013461 design Methods 0.000 description 45
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- 230000009471 action Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 13
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 108700028490 CAP protocol 2 Proteins 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- -1 aluminum (Al) Chemical class 0.000 description 4
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004812 Fluorinated ethylene propylene Substances 0.000 description 2
- 229920001774 Perfluoroether Polymers 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920009441 perflouroethylene propylene Polymers 0.000 description 2
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920004943 Delrin® Polymers 0.000 description 1
- NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N [(1r)-3-(3,4-dimethoxyphenyl)-1-[3-(2-morpholin-4-ylethoxy)phenyl]propyl] (2s)-1-[(2s)-2-(3,4,5-trimethoxyphenyl)butanoyl]piperidine-2-carboxylate Chemical compound C([C@@H](OC(=O)[C@@H]1CCCCN1C(=O)[C@@H](CC)C=1C=C(OC)C(OC)=C(OC)C=1)C=1C=C(OCCN2CCOCC2)C=CC=1)CC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 NMFHJNAPXOMSRX-PUPDPRJKSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007876 drug discovery Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-1-ene Chemical group C=C.CC=C HQQADJVZYDDRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002547 new drug Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/002—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam the liquid being a degassed liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
- B08B2203/0264—Splash guards
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
- B08B2203/027—Pump details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Description
本特許出願は、2017年2月6日に出願した「SUBSTRATE CLEANING AND DRYING MECHANISM」という名称の米国仮出願第62/455,425号、および2017年6月12日に出願した「REMOVAL OF PROCESS EFFLUENTS」という名称の米国仮出願第62/518,297号の優先権を主張するものであり、その開示は、全体として参照により本明細書にそれぞれ組み込まれる。
次に図8を参照すると、基板を保持するためのフィンガアーム121とフィンガエンドキャップ123の組み合わせについての分離800の図の例が示されている。垂直基板洗浄および乾燥機構に使用される基板の形状に応じて、たった1つのフィンガ/エンドキャップの組み合わせは、搭載および取出しの動作を促進するために基板から離れるように移動可能であることが必要である。例えば、円形基板(例えば、半導体ウェハ)の保持および締め付けに使用されるフィンガアーム121とフィンガエンドキャップ123の組み合わせの実施形態では、約120度で互いに離間した各フィンガを用いて基板を保持する3つのフィンガが存在する。この例では、(ロボット(図示せず)のエンドエフェクタの様々な組み合わせに対応するために2つ以上のフィンガが移動可能であり得るが)フィンガアーム121とフィンガエンドキャップ123の組み合わせのたった1つが、移動可能であることを必要とする。
図11は、図1の垂直基板洗浄および乾燥チャンバ100の例示的な代替のチャンバ設計の一部を示す。図11は、以下に説明されるように、サイド排出チャンバ設計とみなされ得る。図11は、本実施形態では、マスター側1110およびスレーブ側1120(図12参照)を含むように示されている。図1に関して上述されたように、一実施形態では、チャンバ1100のスレーブ側1120は、フィンガアーム121とフィンガエンドキャップ123の組み合わせへの基板の取り付けおよび除去を促進するために、固定されたチャンバ1100のマスター側1110から離れるように移動する。流体機械的概念の多くは、図1のチャンバと同様であり得るが、代替のチャンバ設計1100は、図1のチャンバの回転式シールドと比べて逆傾斜をそれぞれ有する左側フィン1101および右側フィン1103を有することに頼る。
流体力学(CFD)解析
垂直基板洗浄および乾燥チャンバ内のガスおよび液体の流れをより効率的に向けようとして、チャンバの多数の物理的配置および寸法が、例えば、有限要素および有限容積解析を用いる計算流体力学(CFD)解析を用いてシミュレーションを行うことで配置および寸法の組み合わせの各々の多数の反復を用いて検討された。最初に、シミュレーションが、2次元モデルを用いて行われ、後で3次元(3D)モデルの使用に拡張され、さらに後で、3Dのシミュレーションを行うとともに第4の次元、時間を加える(それによって、流量、圧力、速度、Q条件、および当業者に知られている関心の他の流体パラメータにさらに役立つために、時間に正確なアニメーションを作り出す)。各反復についての配置および次元の変更には、チャンバの直径の変更、チャンバの壁間の距離の変更(およびしたがって、基板からチャンバ壁までの距離の変更)、ガス流量、ガス流方向、および様々な排出経路の配置の変更が含まれた。さらなる詳細は、チャンバの様々な設計に加えられた。しかしながら、以下の説明は、関心の基板についての形状および寸法の特定のセットについてのさらなるCFDモデリング、シミュレーション、および解析について考えられる要因を当業者が理解することを可能にする。
u − 回転速度 W − 相対速度
V − 絶対速度 β − 相対流体角度
c − ブレードコード s − ブレード間隔(ピッチ)
δ − 偏向角度 i − 入射
βk − 相対ブレード角 ζ − 食違い角
σ=c/s − ソリディティ t/c=0.08
添え字:
a − 軸方向成分 θ − 接線方向成分
1、2 − 入口および出口
σ=c/s
という数式を用いて決定され、この計算の場合、これは、0.01mになる。
・リフト係数
・ドラッグ係数
・入射
・偏向角度
・リフトおよびドラッグ係数
に示されるようにタービンの設計に使用されるいくつかの空気力学パラメータがあり、リフトの係数およびドラッグの係数が、それぞれ、以下の式、すなわち、
ηBL=0.51
のように与えられる。
ΔHtheor=ρu(ΔVθ)
に適合される。
i=β1−β2=2°
から決定された。
β2k=β2−δ=73、および
β1k=73
として2次元シミュレーションから決定される。
・ 垂直に向けられた基板は、水平に向けられた基板の少なくとも上面に水分、廃液、および微粒子が留まりやすい基板を水平に向けられたものと比較して基板の両側および縁から廃液および水分をより効率的に迅速に除去する回転式シールドの構成を可能にする。
・ 本開示の主題は、チャンバ内部の雰囲気が容易に制御できる閉じられたシステムを可能にするのに対して、先行技術の水平に向けられた基板の洗浄および乾燥システムの場合には、典型的には、プロセスは、雰囲気に開いており、それによって洗浄および乾燥中にウェハに微粒子が戻される可能性を増加させる。
101 第1の回転式シールド、第1のシールド、回転式シールド、シールド
103 第2の回転式シールド、第2のシールド、回転式シールド、シールド
103A 第2の回転式シールド、回転式シールド
103B 第2の回転式シールド
105 第1のモータ
107 第2のモータ
109 アクチュエータ機構
111 第1の側のガス入口、ガス入口
113 第2の側のガス入口、ガス入口
115 第1の側のスプレージェットアレイ、スプレージェットアレイ
117 第2の側のスプレージェットアレイ、スプレージェットアレイ
119 基板
120 動作位置
121 フィンガアーム
123 フィンガエンドキャップ、フィンガキャップ
125 開口部
127 第1の側の液体供給ライン
129 第2の側の液体供給ライン
140 搭載位置
200 外側チャンバ、チャンバ
201 外側チャンバ
203 第1のサーボ機構
205 第2のサーボ機構
207 流体タンクまたは貯槽、貯槽
209 流体ポンプ
211 ポンプ制御機構
213 ドレンチャネル
215 第1の側のガス分散機構、ガス分散機構
217 第2の側のガス分散機構、ガス分散機構
219 スプレージェット
219A スプレージェット
219B スプレージェット
219C スプレージェット
219D スプレージェット
303 軸受
305 流体マニホールド
400 垂直基板洗浄および乾燥チャンバ機構の一部
401 300mmウェハ、ウェハ
403 シールドマニホールド間隙
405 シールド開口部
409 距離
411 軸中心線
500 外観、3次元チャンバ、チャンバ、3次元チャンバ機構
501 第1のフィルタユニット、フィルタユニット
503 第2のフィルタユニット、フィルタユニット
505 直線トラック
507 流体排出ポート
509 基板存在センサ
510 第1の部分
530 第2の部分
600 内部
601 タービンブレード機構
700 プロセスレシピ
800 分離
801 通常動作位置
803 第1の別の位置、別の位置
805 カムハウジング、フィンガおよびカムハウジング機構、カムハウジング機構
807 移動可能なフィンガ
901 プッシャ
903 カムフォロア
905 カムフォロア面
907 カム戻しフィンガ
909 カム戻しばね
911 下側カム面構造
913 アパーチャ
915 枢支点
917 第2の別の位置
1001 アクチュエータ機構
1003 小さいばね
1031 ドレンエリア
1100 チャンバ、代替のチャンバ設計
1101 左側フィン、フィン
1103 右側フィン、フィン
1105 支持構造
1107 軸中心線
1109 エリア
1110 マスター側
1111 ガス分散デバイス
1113 多孔性エリア
1115 排出エリア
1119 多孔性エリア
1120 スレーブ側
1121 ガス入口チャネル
1123 中心線位置
1205 直線トラック
1207 液体排出ライン
1209 ガス供給ライン
1300 断面内部図、内側チャンバ図
1301 ドレンエリア
1303 廃液およびガス排出エリア、ガス−排出エリア
1305 チャンバ内側コアエリア
1307 空気ナイフ分離エリア
1500 内部
1601 ドレンチャネル
1700 計算図表
2403 フィルタ処理済み空気
2405 下側部分
2501 タービンディスク
2503 タービンフィン
2505 開口部、タービンディスク
2551 切断ツール
2700 楕円プロファイル
2750 軸図
2770 流れ角図
Claims (25)
- 基板洗浄および乾燥機器であって、
基板を垂直に保持して様々な速さで垂直方向に回転させるように構成された垂直基板ホルダと、
前記基板洗浄および乾燥機器の動作中に前記垂直基板ホルダを少なくとも部分的に囲むように構成された内側シールドおよび外側シールドであって、前記内側シールドおよび前記外側シールドの各々は、垂直にかつ他方のシールドから回転速さおよび方向のうちの少なくとも一方で互いに独立して動作するように構成されている、内側シールドおよび外側シールドと、
正面側スプレージェットアレイおよび背面側スプレージェットアレイであって、前記正面側スプレージェットアレイおよび前記背面側スプレージェットアレイの各々は、少なくとも1つの流体を前記基板の両側と前記基板の縁へほぼ同時にスプレーするように構成されている、正面側スプレージェットアレイおよび背面側スプレージェットアレイと、
垂直にかつ前記内側シールドおよび前記外側シールドのうちの少なくとも一方に近接して結合され、過剰な量の前記少なくとも1つの流体を除去するように構成されている少なくとも1つのほぼ平面のタービンディスクであって、前記少なくとも1つのタービンディスクが、複数の離間したフィンを有し、前記フィンの各々が、前記タービンディスクの周辺内で前記タービンディスクの前記周辺の近くに形成された開口部によって隣り合うフィンから分離され、前記フィンが、前記基板と、前記基板を囲む前記内側シールドと前記外側シールドとの間の容積と、の両方から離れるように前記少なくとも1つの流体および他のプロセス廃液を排除するように構成されている、タービンディスクと、
を備える機器。 - 前記基板の両面とともに前記基板の縁をほぼ同時に洗浄するように構成されている、請求項1に記載の機器。
- 前記正面側スプレージェットアレイおよび前記背面側スプレージェットアレイのうちの少なくとも一方のアレイは、1つまたは複数の液体の連続式液体スプレーおよびパルス式液体スプレーのうちの少なくとも1つを前記基板へ送り届けるように配置されるスプレージェットを備える、請求項1に記載の機器。
- 前記正面側スプレージェットアレイおよび前記背面側スプレージェットアレイのうちの少なくとも一方のアレイは、1つまたは複数の液体の連続式液体スプレーとパルス式液体スプレーの両方を前記基板へ送り届けるように配置されるスプレージェットを備える、請求項1に記載の機器。
- 第2のタービンディスクであって、近接して結合された前記少なくとも1つのタービンディスクを有さない、前記内側シールドおよび前記外側シールドのうちの残りの一方に近接して結合される第2のタービンディスクをさらに備える、請求項1に記載の機器。
- 洗浄動作と乾燥動作の両方のための単一のチャンバを有する基板洗浄および乾燥機構内で基板を洗浄および乾燥する方法であって、
基板を前記基板洗浄および乾燥機構に垂直に取り付けるステップと、
垂直に向けられた第1の回転式内側シールドと垂直に向けられた第2の回転式外側シールドとの間で前記基板を少なくとも部分的に囲むステップと、
前記基板を第1の回転速度で回転させるステップと、
少なくとも1つの液体を前記基板の少なくとも第1の面上へスプレーするステップと、
垂直に向けられた第1の回転式内側シールドを第1のシールド回転速度でスピンさせるステップと、
垂直に向けられた第2の回転式外側シールドを第2のシールド回転速度でスピンさせるステップと、
ほぼ平面のかつ垂直に向けられたタービンディスクをタービンディスク回転速度でスピンさせるステップであって、前記タービンディスクが、複数の離間したフィンを有し、前記フィンの各々が、前記タービンディスクの周辺内で前記タービンディスクの前記周辺の近くに形成された開口部によって隣り合うフィンから分離される、ステップと、
スピンする前記タービンディスクの使用によって、前記基板と、前記基板を囲む前記第1の回転式内側シールドと前記第2の回転式外側シールドとの間の容積と、の両方から離れるように前記少なくとも1つの液体および他のプロセス廃液を排除するステップと、
前記基板の前記第1の回転速度を増加させるステップと、
を含む方法。 - 前記タービンディスク回転速度および前記タービンディスクの方向は、前記第1のシールド回転速度および前記第1の回転式内側シールドの方向、ならびに第2のシールド回転速度および前記第2の回転式外側シールドの方向のうちの少なくとも一方と両方同じである、請求項6に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの液体を前記基板の両面および縁へほぼ同時にスプレーするステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のシールド回転速度および前記第2のシールド回転速度は、互いにほとんど同じである、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のシールド回転速度および前記第2のシールド回転速度は、互いから異なる、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のシールド回転速度の方向および前記第2のシールド回転速度の方向は、互いに同じである、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のシールド回転速度の方向および前記第2のシールド回転速度の方向は、互いから異なる、請求項6に記載の方法。
- 前記基板の乾燥を始めるように前記第1のシールド回転速度および前記第2のシールド回転速度の少なくとも一方を増加させるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記基板の乾燥を始めるように前記タービンディスク回転速度を増加させるステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 前記第1のシールド回転速度、前記第2のシールド回転速度、および前記タービンディスク回転速度は、前記基板を乾燥させるために高速スピン中に約100rpmから約2200rpmまでそれぞれ上昇する、請求項6に記載の方法。
- 洗浄サイクル中に前記基板洗浄および乾燥機構からガス排出を行うステップをさらに含む、請求項6に記載の方法。
- 基板洗浄および乾燥機器であって、
基板を保持して様々な速さで回転させるように構成された垂直基板ホルダと、
前記基板洗浄および乾燥機器の動作中に前記垂直基板ホルダを囲むように構成された内側シールドおよび外側シールドであって、前記内側シールドおよび前記外側シールドの各々は、垂直にかつ他方のシールドから回転速さおよび方向のうちの少なくとも一方で互いに独立して動作するように構成されている、内側シールドおよび外側シールドと、
正面側スプレージェットアレイ、背面側スプレージェットアレイ、および少なくとも1つのエッジジェットであって、前記正面側スプレージェットアレイおよび前記背面側スプレージェットアレイの各々は、それぞれ少なくとも1つの流体を前記基板の両側にほぼ同時にスプレーするように構成され、前記少なくとも1つのエッジジェットは、前記基板の両側に前記スプレーすることとほぼ同時に前記基板の縁にスプレーするように構成されている、正面側スプレージェットアレイ、背面側スプレージェットアレイ、および少なくとも1つのエッジジェットと、
垂直にかつ前記内側シールドおよび前記外側シールドの各々にそれぞれ近接して結合され、過剰な量の前記少なくとも1つの流体を除去するように構成されている少なくとも1つのほぼ平面のタービンディスクであって、前記少なくとも1つのタービンディスクが、複数の離間したフィンを有し、前記フィンの各々が、前記タービンディスクの周辺内で前記タービンディスクの前記周辺の近くに形成された開口部によって隣り合うフィンから分離され、前記フィンが、前記基板と、前記基板を囲む前記内側シールドと前記外側シールドとの間の容積と、の両方から離れるように前記少なくとも1つの流体及び他のプロセス廃液を排除するように構成されている、タービンディスクと、
を備える基板洗浄および乾燥機器。 - 前記基板洗浄および乾燥機器は、前記少なくとも1つの流体および他のプロセス廃液を除去するために前記内側シールドと前記外側シールドの間に位置する中央排出部およびサイド排出部の少なくとも一方を有する、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記内側シールドおよび前記外側シールドの周縁は、前記基板から離れるように水分および前記他のプロセス廃液を含む前記少なくとも1つの流体の方向を変えるために、それぞれの最外周縁に1つまたは複数の角度をそれぞれ有する、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記正面側スプレージェットアレイおよび前記背面側スプレージェットアレイは、前記基板の各面上で前記基板の少なくとも直径全体を覆うように構成され、それによって、前記基板が回転されると、液体を各面全体に与える、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 強化された縁洗浄を行うように前記基板の縁で別々に方向付けられる1つまたは複数のエッジジェットをさらに備える、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記タービンディスク上のブレードは、直線断面を有し、前記タービンディスクの回転軸に対して角度が付けられる、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記タービンディスク上のブレードは、楕円形断面を有し、前記タービンディスクの回転軸に対して角度が付けられる、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記タービンディスク上のブレードは、湾曲断面を有し、前記タービンディスクの回転軸に対して角度が付けられる、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
- 前記タービンディスク上のブレードは、様々な角度を有する一連の直線縁として形成される断面を有し、前記様々な角度の平均角度は、前記タービンディスクの回転軸に対して全体的に角度付けられている、請求項17に記載の基板洗浄および乾燥機器。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762455425P | 2017-02-06 | 2017-02-06 | |
US62/455,425 | 2017-02-06 | ||
US201762518297P | 2017-06-12 | 2017-06-12 | |
US62/518,297 | 2017-06-12 | ||
PCT/US2018/017014 WO2018145070A1 (en) | 2017-02-06 | 2018-02-06 | Removal of process effluents |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020507936A JP2020507936A (ja) | 2020-03-12 |
JP6961015B2 true JP6961015B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=63041164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019563336A Active JP6961015B2 (ja) | 2017-02-06 | 2018-02-06 | プロセス廃液の除去 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10892172B2 (ja) |
EP (1) | EP3577681A4 (ja) |
JP (1) | JP6961015B2 (ja) |
KR (1) | KR102226086B1 (ja) |
CN (1) | CN110603628B (ja) |
SG (1) | SG11201906904YA (ja) |
TW (1) | TWI770115B (ja) |
WO (1) | WO2018145070A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018145001A1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Planar Semiconductor, Inc. | Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism |
TWI770115B (zh) | 2017-02-06 | 2022-07-11 | 新加坡商平面半導體公司 | 加工汙水之去除 |
EP3577680A4 (en) | 2017-02-06 | 2020-11-25 | Planar Semiconductor, Inc. | SUB-NANOMETRIC LEVEL SUBSTRATE CLEANING MECHANISM |
US11139183B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for dry wafer transport |
DE102018118067A1 (de) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Ecoclean Gmbh | Reinigungsvorrichtung |
KR102387088B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2022-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
CN114453359A (zh) * | 2022-01-21 | 2022-05-10 | 株洲时代新材料科技股份有限公司 | 一种快速加热去除刮胶盒残胶的装置和方法 |
CN114700306B (zh) * | 2022-04-02 | 2022-12-16 | 南通东西洗轮机机械有限公司 | 一种汽车零部件加工用冲洗装置 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3849906A (en) * | 1973-11-07 | 1974-11-26 | Ibm | Rotary fluid applicator |
US5531857A (en) | 1988-07-08 | 1996-07-02 | Cauldron Limited Partnership | Removal of surface contaminants by irradiation from a high energy source |
JPH04119524A (ja) | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Fuji Electric Co Ltd | 回転表面処理装置 |
US5516816A (en) | 1993-02-12 | 1996-05-14 | Alliedsignal Inc. | Friction composition and friction element fabricated therefrom |
JPH07192996A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 紫外線照射装置 |
JPH1064864A (ja) | 1996-08-21 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 洗浄装置 |
JPH10242098A (ja) | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | ウエハ清浄化装置及びウエハ清浄化方法 |
JPH1126410A (ja) | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Nikon Corp | 洗浄装置 |
JPH11189499A (ja) | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Japan Energy Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JPH11242098A (ja) | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 溶解・造塊装置および溶解、造塊法 |
JP2000124181A (ja) | 1998-10-13 | 2000-04-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6516816B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-dryer |
JP2001113163A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Hoya Schott Kk | 紫外光照射装置及び方法 |
JP3620016B2 (ja) | 1999-10-25 | 2005-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US6225235B1 (en) * | 2000-02-18 | 2001-05-01 | Horst Kunze-Concewitz | Method and device for cleaning and etching individual wafers using wet chemistry |
KR100348701B1 (ko) | 2001-12-07 | 2002-08-13 | 주식회사 아이엠티 | 건식 표면 클리닝 장치 |
KR100457053B1 (ko) | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정 장치 |
US20050170653A1 (en) | 2003-01-06 | 2005-08-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor manufacturing method and apparatus |
WO2004061926A1 (ja) | 2003-01-06 | 2004-07-22 | Fujitsu Limited | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
US20040224508A1 (en) | 2003-05-06 | 2004-11-11 | Applied Materials Israel Ltd | Apparatus and method for cleaning a substrate using a homogenized and non-polarized radiation beam |
US20050026455A1 (en) | 2003-05-30 | 2005-02-03 | Satomi Hamada | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
EP1783822A4 (en) | 2004-06-21 | 2009-07-15 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE DEVICE ELEMENT CLEANING METHOD, EXPOSURE DEVICE MAINTENANCE METHOD, MAINTENANCE DEVICE, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
JP2006066501A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | スピン洗浄乾燥装置及びスピン洗浄乾燥方法 |
US10179351B2 (en) | 2005-02-07 | 2019-01-15 | Planar Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet |
US20090075060A1 (en) | 2005-02-16 | 2009-03-19 | Miller James R | Adsorptive coating formulation |
KR100749543B1 (ko) | 2006-03-28 | 2007-08-14 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 장치 및 그 세정 방법 |
KR100787996B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-12-21 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 상기 장치로부터 처리액을 회수하는방법 |
KR100757848B1 (ko) | 2006-06-16 | 2007-09-11 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
US9418831B2 (en) * | 2007-07-30 | 2016-08-16 | Planar Semiconductor, Inc. | Method for precision cleaning and drying flat objects |
JP2009147061A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Realize Advanced Technology Ltd | 基板処理方法 |
CN101540268B (zh) | 2008-03-20 | 2012-12-05 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 用于清洗半导体晶片的方法和装置 |
JP5151629B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
US20110083696A1 (en) | 2009-10-08 | 2011-04-14 | Nuventys Inc. | Laser Induced Shockwave Surface Cleaning |
US20110147350A1 (en) | 2010-12-03 | 2011-06-23 | Uvtech Systems Inc. | Modular apparatus for wafer edge processing |
US9638179B2 (en) * | 2012-12-04 | 2017-05-02 | General Electric Company | Hydraulic control system for a reverse osmosis hydraulic pump |
US20140367898A1 (en) * | 2013-06-12 | 2014-12-18 | Firth Rixson Limited | Cooling systems for heat-treated parts and methods of use |
JP6234736B2 (ja) | 2013-08-30 | 2017-11-22 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | スピン処理装置 |
JP6341035B2 (ja) * | 2014-09-25 | 2018-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理方法、基板液処理装置、及び記憶媒体 |
EP3577680A4 (en) | 2017-02-06 | 2020-11-25 | Planar Semiconductor, Inc. | SUB-NANOMETRIC LEVEL SUBSTRATE CLEANING MECHANISM |
TWI770115B (zh) | 2017-02-06 | 2022-07-11 | 新加坡商平面半導體公司 | 加工汙水之去除 |
WO2018145001A1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-09 | Planar Semiconductor, Inc. | Subnanometer-level light-based substrate cleaning mechanism |
-
2018
- 2018-02-05 TW TW107104052A patent/TWI770115B/zh active
- 2018-02-06 CN CN201880023301.2A patent/CN110603628B/zh active Active
- 2018-02-06 JP JP2019563336A patent/JP6961015B2/ja active Active
- 2018-02-06 KR KR1020197026006A patent/KR102226086B1/ko active IP Right Grant
- 2018-02-06 WO PCT/US2018/017014 patent/WO2018145070A1/en active Application Filing
- 2018-02-06 SG SG11201906904YA patent/SG11201906904YA/en unknown
- 2018-02-06 US US16/478,407 patent/US10892172B2/en active Active
- 2018-02-06 EP EP18748256.7A patent/EP3577681A4/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200011407A (ko) | 2020-02-03 |
SG11201906904YA (en) | 2019-08-27 |
TW201842609A (zh) | 2018-12-01 |
US20190378729A1 (en) | 2019-12-12 |
EP3577681A4 (en) | 2020-11-25 |
JP2020507936A (ja) | 2020-03-12 |
TWI770115B (zh) | 2022-07-11 |
KR102226086B1 (ko) | 2021-03-09 |
US10892172B2 (en) | 2021-01-12 |
WO2018145070A1 (en) | 2018-08-09 |
EP3577681A1 (en) | 2019-12-11 |
CN110603628A (zh) | 2019-12-20 |
CN110603628B (zh) | 2023-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6961015B2 (ja) | プロセス廃液の除去 | |
JP6786732B2 (ja) | サブナノメートルレベルの基板洗浄機構 | |
JP6786730B2 (ja) | サブナノメートルレベルの光ベースの基板洗浄機構 | |
JP4759300B2 (ja) | 薄い高速流体層を使用してウェーハ表面を処理する方法及び装置 | |
JP2005294835A (ja) | 基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法 | |
JP2020115513A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP5734409B2 (ja) | 処理ツールにおける粒子数減少のための空気流管理システム及び空気流管理システムを提供する方法 | |
TW201519967A (zh) | 洗淨用治具、洗淨用治具組、洗淨用基板、洗淨方法及基板處理裝置 | |
JP7341825B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101570167B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101605713B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2016111302A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20150025901A (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201026 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210126 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210326 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210913 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211012 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6961015 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |