JP6959938B2 - オキシブロミド蛍光体およびその使用 - Google Patents

Description

本発明は、オキシブロミド蛍光体およびその使用に関する。

半導体発光素子と蛍光体の組合せに基づく発光デバイスは、低いエネルギー消費、コンパクトなサイズ、高輝度および広い色域が期待される次世代デバイス用に注目されてきた。さらに、最近は、小型液晶ディスプレイ用のバックライトの開発はより競争的になっている。この分野では、様々な方法が提案されてきたが、輝度と色域（ＮＴＳＣ比）の両方を提供することのできる方法はまだ見出されていない。現在、青色発光素子（ピーク波長：約４５０ｎｍ）と、青色光によって励起し、黄色光発光を示す三価セリウムによって活性化した（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２蛍光体、または二価ユウロピウムによって活性化した（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）_２ＳｉＯ_４蛍光体の組合せが主に使用されている。しかし、そのような発光デバイスにおいて、色域（ＮＴＳＣ比）は一般に約６５％（ＣＩＥ１９３１）であるが、小型のＬＣＤにおいてさえも、より高い色域が求められる。そのような背景のもと、小型ＬＣＤ用のバックライトの色域（ＮＴＳＣ比）を改善することが今すぐ必要とされている。したがって、青色放射を効率的に吸収し、高い量子効率を提供し、白色発光照明デバイスにおいて改善された演色性をもたらす蛍光体組成物およびブレンドが必要とされている。

欧州特許第２２８００５４号明細書

手短に言えば、一態様では、本発明は、式Ａ〜Ｅ
Ａ．Ｍ_３ＳｉＯ_３Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
Ｂ．Ｍ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
Ｃ．Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｘ_０．３６：Ｅｕ^２＋；
Ｄ．Ｍ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_１４：Ｅｕ^２＋；
Ｅ．Ｍ_２ＳｉＯ_３Ｘ_２：Ｅｕ^２＋；
〔上式で、
Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
Ｘは、ＣｌまたはＢｒ、またはそれらの混合物である〕；
の青色および緑色発光Ｅｕ^２＋活性化オキシハライド蛍光体に関する。

もう一つの態様では、本発明は、式Ａ〜Ｅの蛍光体から選択されるＥｕ^２＋活性化蛍光体と放射結合された半導体光源を含むデバイスに関する。デバイスは、照明および表示用途用に構成されてよい。

本発明のこれらおよび他の特徴、態様、ならびに利点は、図面を通して同様の文字が同様の部品を表している添付の図面を参照して以下の詳細な説明が読まれるときに、より良く理解されることになるであろう。

本発明の一実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。 本発明のもう一つの実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。 本発明のさらにもう一つの実施形態によるデバイスの概略断面図を示す図である。 本発明の一実施形態によるデバイスの側断面斜視図を示す図である。 表面実装型デバイス（ＳＭＤ）バックライトＬＥＤの概略斜視図を示す図である。 Ｍ＝ＢａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ａの緑色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 Ｍ＝ＢａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｂの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 Ｍ＝ＣａおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｂの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 Ｍ＝Ｂａ／ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｃの緑色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 Ｍ＝ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｄの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 Ｍ＝ＳｒおよびＸ＝Ｂｒである、式Ｅの青色発光オキシブロミド蛍光体の発光スペクトルを示す図である。

本発明による青色および緑色発光Ｅｕ^２＋活性化オキシハライド蛍光体は、ダウンコンバートする蛍光体として、高い量子効率および望ましいスペクトル特性を有する。蛍光体は、ＬＥＤ用途のためのダウンコンバートする蛍光体として使用されてよく、その用途は、スペクトル特性に応じて変動する。狭い青色蛍光体は、４０５ｎｍＬＥＤパッケージに用途を有し、ここで白色光の青色成分は４５０ｎｍ放射体を欠くためになくなっている。狭帯域緑色蛍光体は、その他の公知のＬＥＤ蛍光体と適切な比で混合された場合に、色域の高いＬＣＤ ＢＬＵ’ｓに、あるいはＣＲＩまたはＬＰＷに望ましい効果を達成することに用途がある。

ハロゲン化物イオンである、式Ａ〜Ｅ中のＸは、ＣｌまたはＢｒまたはその混合物であってよい；好ましい実施形態では、ハロゲン化物イオンはＢｒである。金属イオンＭは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であってよく、好ましい実施形態では、金属イオンは、Ｂａ、ＳｒまたはＣａである。蛍光体は、活性化されているかまたはＥｕ^２＋イオンでドープされ、さらなる活性剤イオンが存在していてもよい。さらなる活性剤イオンの例としては、Ｍｎ^２＋、Ｍｎ^４＋、Ｃｅ^３＋、Ｓｎ^２＋、Ｂｉ^３＋、Ｓｂ^３＋、Ｃｒ^３＋、Ｔｂ^３＋、Ｐｒ^３＋、Ｅｕ^３＋、Ｔｉ^４＋、Ｉｎ＋、Ｔｌ^＋、Ｄｙ^３＋およびＰｂ^２＋が挙げられる。

特定の実施形態では、蛍光体は、Ｂａ_３ＳｉＯ_３Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；Ｂａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；Ｃａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｂｒ_０．３６：Ｅｕ^２＋（ここでＭは６０：４０ Ｂａ：Ｓｒである）；Ｓｒ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_１４：Ｅｕ^２＋；またはＳｒ_２ＳｉＯ_３Ｂｒ_２：Ｅｕ^２＋である。

蛍光体は、オキシハライド蛍光体を製造するための公知の方法によって製造されてよい。一部の実施形態では、固体形態の原材料の混合物は、還元雰囲気下で焼成されてよい。特に、Ｅｕ^２＋活性化蛍光体は、
約３．２部〜約３．４部のＢａＣＯ_３、
約１．５〜約１．７部のＳｒＣＯ_３、
約０．８７〜約０．８９部のＳｉＯ_２、
約０．０２〜約０．１５部のＥｕ_２Ｏ_３および
約０．５４〜約０．６２部のＮＨ_４Ｂｒ
を組み合わせることによって製造されてよい。

１回目の焼成段階では、ＢａＣＯ_３、ＳｒＣＯ_３、ＳｉＯ_２、Ｅｕ_２Ｏ_３とＮＨ_４Ｂｒ原材料の組合せを減圧雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成して中間生成物を形成する。その後、２回目の焼成段階で、中間生成物を還元雰囲気下約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成する。還元雰囲気は、０．５％のＨ_２および９９．５％のＮ_２で構成されてよい。材料は、２つの焼成段階の間に周囲温度まで冷却されてよい。特定の実施形態では、１回目と２回目の焼成段階の温度は約１１００℃である。得られるＥｕ^２＋活性化蛍光体の組成は、
Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｂｒ_０．３６：Ｅｕ^２＋：（Ｍ＝６０：４０ Ｂａ：Ｓｒ）として、または
Ｍ_２ＳｉＯ_{４−０．５ｘ}Ｂｒ_ｘ（ここでＭ＝６０：４０ Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．４４である）として、または
（１−ｘ）Ｍ_２ＳｉＯ_４＋ｘＭ_２ＳｉＯ_３Ｂｒ_２（ここでＭ＝６０：４０ Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．２２である）として、または
（１−２ｘ）Ｍ_２ＳｉＯ_４＋ｘＭＳｉＯ_３＋ｘＭＢｒ_２（ここでＭ＝６０：４０ Ｂａ：Ｓｒであり、ｘは０．１８である）として表すことができる。

本発明の一実施形態による照明装置または発光アセンブリまたはランプ１０を図１に示す。照明装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２として示される半導体放射源と、ＬＥＤチップに電気的に取り付けられたリード１４とを備える。リード１４は、より厚い１または複数のリードフレーム１６によって支持された細いワイヤであってもよいし、またはリードは自己支持電極であってもよく、リードフレームは省略されてもよい。リード１４は、ＬＥＤチップ１２に電流を供給し、それにより放射を放出する。

ランプは、発した放射が蛍光体に向けられたときに白色光を発生することができる半導体青色光源またはＵＶ光源を備えることができる。一実施形態において、半導体光源は、様々な不純物をドープされた青色発光ＬＥＤである。したがって、ＬＥＤは、任意の適切なＩＩＩ−Ｖ、ＩＩ−ＶＩまたはＩＶ−ＩＶ半導体層に基づき、約２５０〜５５０ｎｍの発光波長を有する半導体ダイオードを備えることができる。特に、ＬＥＤは、ＧａＮ、ＺｎＳｅまたはＳｉＣを含む少なくとも１つの半導体層を備えることができる。例えば、ＬＥＤは、約２５０ｎｍより長く、約５５０ｎｍよりも短い発光波長を有する、式Ｉｎ_ｉＧａ_ｊＡｌ_ｋＮ（式中、０≦ｉ；０≦ｊ；０≦ｋおよびｉ＋ｊ＋ｋ＝１）で表される窒化化合物半導体を含むことができる。特定の実施形態では、チップは、ピーク発光波長が約４００〜約５００ｎｍの近紫外または青色発光ＬＥＤ、特に、ピーク発光波長が約４０５ｎｍの紫外発光ＬＥＤまたはピーク発光波長が約４５０ｎｍの青色発光ＬＥＤである。このようなＬＥＤ半導体は、当技術分野で公知である。放射源は便宜上本明細書においてＬＥＤとして記載する。しかし、本明細書において使用する場合、この用語は、例えば半導体レーザーダイオードおよび有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を含むすべての半導体放射源を包含することを意味する。さらに、本明細書において論じる本発明の例示的な構造の一般的な考察は無機ＬＥＤに基づく光源を対象としているが、特に明記しない限りＬＥＤチップを別の放射源で置き換え、補充または増強することができること、ならびに半導体、半導体ＬＥＤ、またはＬＥＤチップに関する言及は、限定されるものではないが、レーザーダイオードまたはＯＬＥＤを含む任意の適切な放射源の単なる代表例であることは理解される。

照明装置１０では、蛍光体組成物２２がＬＥＤチップ１２に放射結合される。放射結合とは、要素が互いに関連しているため、一方からの放射が他方に伝達されることを意味する。蛍光体組成物２２には、本発明による少なくとも１つの緑色発光蛍光体が含まれる。さらに、米国特許第７，３５８，５４２号、米国特許第７，４９７，９７３号、および米国特許第７，６４８，６４９号に記載の赤色発光Ｍｎ^４＋ドープ複合フッ化物材料も含まれてよい。Ｍｎ^４＋ドープ複合フッ化物は、式Ａ_２［Ｍ^１Ｆ_６］：Ｍｎ^４＋の複合フッ化物であり、ここでＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはそれらの組合せであり；Ｍ^１はＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ、またはそれらの組合せである。本明細書で使用する場合、「複合フッ化物」という用語は、配位子として作用するフッ化物イオンによって囲まれ、必要に応じて対イオンによって電荷補償された、少なくとも１つの配位中心を含む配位化合物を指す。例えば、式Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ^４＋のＭｎ^４＋をドープした複合フッ化物では、では、配位中心はＳｉであり、対イオンはＫである。複合フッ化物は、時には単純な二元フッ化物の組合せとして記載されているが、そのような表現は、配位中心の周りの配位子の配位数を示すものではない。角括弧（簡単のために時には省略される）は、それらが包含する複合イオンが単純なフッ化物イオンと異なる新しい化学種であることを示す。賦活剤イオン（Ｍｎ^４＋）はまた、配位中心として作用し、ホスト格子の中心の一部、例えばＳｉを置換する。ホスト格子（対イオンを含む）は、賦活剤イオンの励起および発光特性をさらに変化させる場合がある。特定の実施形態では、複合フッ化物蛍光体の配位中心、すなわち式ＩＶ中のＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはそれらの組合せである。より具体的には、配位中心はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、またはそれらの組合せであり；対イオン、すなわち式中のＡはＮａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、またはそれらの組合せである。複合フッ化物蛍光体の例は、Ｋ_２［ＳｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｋ_２［ＴｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｋ_２［ＳｎＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｃｓ_２［ＴｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｒｂ_２［ＴｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｃｓ_２［ＳｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｒｂ_２［ＳｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｎａ_２［ＴｉＦ_６］：Ｍｎ^４＋、Ｎａ_２［ＺｒＦ_６］：Ｍｎ^４＋、またはそれらの組合せを含む。特定の実施形態において、Ｍｎ^４＋ドープ複合フッ化物は、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ^４＋である。

いくつかの実施形態では、蛍光体組成物は、照明装置から白色光を作り出す蛍光体ブレンドを形成するための第３の蛍光体をさらに含むことができる。例えば、蛍光体ブレンドは、白色発光ＬＥＤベースのデバイスにおいて用途を見出すことができる。一実施形態では、第３の蛍光体は、約５２０ナノメートル〜約５８０ナノメートルの波長範囲にピーク発光を有する緑色発光蛍光体である。第３の蛍光体の適切な例は、これらに限定されないが、緑色発光ガーネット（例えば、ＹＡＧ）、オルトシリケート、ベータサイアロン、オキシハロゲン化物およびそれらの組合せを含む。

蛍光体組成物２２は、任意の適切な方法によってＬＥＤ１２上に堆積される。例えば、１または複数の蛍光体の水系懸濁液を形成し、蛍光体層としてＬＥＤ表面に適用することができる。そのような一方法では、蛍光体粒子がランダムに懸濁されたシリコーンスラリーがＬＥＤの周りに配置される。この方法は、蛍光体組成物２２およびＬＥＤ１２の可能な位置の単なる例示である。したがって、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２の上に蛍光体懸濁液をコーティングし、乾燥させることによって、ＬＥＤチップ１２の発光面の上にまたは直接にコーティングされ得る。シリコーン系懸濁液の場合、この懸濁液は適切な温度で硬化される。シェル１８および封入材２０は両方とも、白色光２４がこれらの要素を透過するように透明でなければならない。限定を意図するものではないが、いくつかの実施形態において、蛍光体組成物のメジアン粒径は、約１〜約５０ミクロン、特に約１５〜約３５ミクロンの範囲である。

他の実施形態において、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２上に直接形成される代わりに、封入材２０内に点在させられる。蛍光体（粉末形態）は、封入材２０の単一領域内に、または封入材の全体積にわたって点在させることができる。ＬＥＤチップ１２によって発せられた青色光は、蛍光体組成物２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光として現れる。蛍光体を封入材２０内に点在させる場合、ＬＥＤチップ１２の周囲に装填されたポリマーまたはシリコーン前駆体に蛍光体粉末を添加し、その後ポリマー前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーン材料を固化することができる。他の公知の蛍光体点在法、例えば、トランスファーローディング（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｌｏａｄｉｎｇ）も使用することができる。

さらに別の実施形態において、蛍光体組成物２２は、ＬＥＤチップ１２にわたって形成される代わりに、シェル１８の表面上にコーティングされる。蛍光体組成物は、好ましくは、シェル１８の内側表面にコーティングされるが、所望であれば、シェルの外側表面にコーティングされてもよい。蛍光体組成物２２は、シェルの表面全体にコーティングされてもよく、またはシェルの表面上部のみにコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ１２によって発せられたＵＶ／青色光は、蛍光体組成物２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光として現れる。当然のことながら、蛍光体は、いずれか２箇所または３箇所すべてに、またはシェルとは別個に、もしくはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な場所に配置することができる。

図２は、本発明によるシステムの第２の構造を例示する。図１〜図４の対応する数字（例えば、図１の１２および図２の１１２）は、特に明記しない限り、各図の対応する構造に関する。図２の実施形態の構造は、蛍光体組成物１２２がＬＥＤチップ１１２上に直接形成される代わりに、封入材１２０内に点在する点を除いて、図１の構造と同様である。蛍光体（粉末形態）は、封入材の単一の領域内に、または封入材の全体積にわたって点在させることができる。ＬＥＤチップ１１２によって発せられた放射（矢印１２６によって示される）は、蛍光体１２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光１２４として現れる。蛍光体を封入材１２０内に点在させる場合、蛍光体粉末をポリマー前駆体に添加し、ＬＥＤチップ１１２の周りに装填することができる。次いで、ポリマーまたはシリコーン前駆体を硬化させて、ポリマーまたはシリコーンを固化させることができる。他の公知の蛍光体点在法、例えば、トランスファー成形も使用することができる。

図３は、本発明によるシステムの第３の可能な構造を例示する。図３に示す実施形態の構造は、蛍光体組成物２２２が、ＬＥＤチップ２１２にわたって形成される代わりに、エンベロープ２１８の表面上にコーティングされる点を除いて、図１の構造と同様である。蛍光体組成物２２２は、好ましくはエンベロープ２１８の内側表面にコーティングされるが、所望であればエンベロープの外側表面にコーティングされてもよい。蛍光体組成物２２２は、エンベロープの表面全体にコーティングされてもよく、またはエンベロープの表面上部のみにコーティングされてもよい。ＬＥＤチップ２１２によって発せられた放射２２６は、蛍光体組成物２２２によって発せられた光と混ざり合い、混合光は白色光２２４として現れる。当然のことながら、図１から図３の構造は組み合わせることができ、蛍光体は、いずれか２箇所または３箇所すべてに、またはエンベロープとは別個に、もしくはＬＥＤに一体化されたような任意の他の適切な場所に配置することができる。

上記構造のいずれにおいても、ランプは、封入材に埋め込まれた複数の散乱粒子（図示せず）を含むことができる。散乱粒子としては、例えば、アルミナまたはチタニアを挙げることができる。散乱粒子は、ＬＥＤチップから発せられた指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。

図４の第４の構造に示すように、ＬＥＤチップ４１２は、反射カップ４３０内に取り付けられてもよい。カップ４３０は、アルミナ、チタニア、または当該技術分野で公知の他の誘電性粉末などの誘電材料から作製されるかもしくはこれによりコーティングされても、またはアルミニウムもしくは銀のような反射金属によってコーティングされてもよい。図４の実施形態の構造の残りの部分は、先の図面のいずれかの構造と同じであり、２つのリード４１６、導線４３２、および封入材４２０を備えることができる。反射カップ４３０は、第１のリード４１６によって支持され、導線４３２は、ＬＥＤチップ４１２を第２のリード４１６と電気的に接続するために使用される。

別の構造（特に、バックライト用途）は、例えば図５に例示されるような表面実装型デバイス（「ＳＭＤ」）タイプの発光ダイオード５５０である。このＳＭＤは、「側面発光型」であり、導光部材５５４の突出部分に発光窓５５２を有する。ＳＭＤパッケージは、上記で定義したＬＥＤチップと、ＬＥＤチップから発せられた光によって励起される蛍光体材料とを備えることができる。他のバックライトデバイスとしては、限定するものではないが、半導体光源および本発明による緑色発光オキシハライド蛍光体を含むディスプレイを有する、テレビ、コンピュータ、スマートフォン、タブレットコンピュータ、および他の携帯用デバイスが挙げられる。

３５０〜５５０ｎｍで発光するＬＥＤおよび１または複数の他の適切な蛍光体とともに使用された場合、得られる照明システムは白色を有する光を発生する。ランプ１０はまた、封入材に埋め込まれた散乱粒子（図示せず）をさらに含んでもよい。散乱粒子としては、例えば、アルミナまたはチタニアを挙げることができる。散乱粒子は、ＬＥＤチップから発せられた指向性光を、好ましくは無視できる量の吸収で効果的に散乱させる。

本発明による緑色発光蛍光体、および所望により赤色発光Ｍｎ^４＋ドープ蛍光体に加えて、蛍光体組成物２２には、１以上のその他の蛍光体が含まれてよい。約２５０〜５５０ｎｍの範囲の放射を発する青色または近紫外ＬＥＤと組み合わせた照明装置で使用される場合、アセンブリによって発せられる得られる光は白色光となる。緑色、青色、黄色、赤色、橙色、または他の色の蛍光体などの他の蛍光体をブレンドに用いて、得られる光の白色をカスタマイズし、特定のスペクトル出力分布を生成することができる。蛍光体組成物２２での使用に適した蛍光体としては、限定されるものではないが、以下が挙げられる：
（（Ｓｒ_１−ｚ（Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）_ｚ）_{１−（ｘ＋ｗ）}（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ）_ｗＣｅ_ｘ）_３（Ａｌ_１−ｙＳｉ_ｙ）Ｏ_{４＋ｙ＋３（ｘ−ｗ）}Ｆ_{１−ｙ−３（ｘ−ｗ）}、０＜ｘ≦０．１０、０≦ｙ≦０．５、０≦ｚ≦０．５、０≦ｗ≦ｘ；
（Ｃａ，Ｃｅ）_３Ｓｃ_２Ｓｉ_３Ｏ_１２（ＣａＳｉＧ）；
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_３Ａｌ_１−ｘＳｉ_ｘＯ_４＋ｘＦ_１−ｘ：Ｃｅ^３＋（ＳＡＳＯＦ））；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３（Ｃｌ，Ｆ，Ｂｒ，ＯＨ）：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＢＰＯ_５：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；（Ｓｒ，Ｃａ）_１０（ＰＯ_４）_６ ^＊□Ｂ_２Ｏ_３：Ｅｕ^２＋（ここで０＜□≦１）；Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８ ^＊２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋；
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；ＢａＡｌ_８Ｏ_１３：Ｅｕ^２＋；２ＳｒＯ^＊０．８４Ｐ_２Ｏ_５ ^＊０．１６Ｂ_２Ｏ_３：Ｅｕ^２＋；
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ａｌ_２Ｏ_４：Ｅｕ^２＋；（Ｙ，Ｇｄ，Ｌｕ，Ｓｃ，Ｌａ）ＢＯ_３：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋；ＺｎＳ：Ｃｕ^＋，Ｃｌ⁻；ＺｎＳ：Ｃｕ^＋，Ａｌ^３＋；ＺｎＳ：Ａｇ^＋，Ｃｌ⁻；ＺｎＳ：Ａｇ^＋，Ａｌ^３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２Ｓｉ_１−□Ｏ_４−２□：Ｅｕ^２＋（ここで０≦□≦０．２）；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_２（Ｍｇ，Ｚｎ）Ｓｉ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋；
（Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｌａ，Ｓｍ，Ｐｒ，Ｌｕ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５−□Ｏ_{１２−３／２□}：Ｃｅ^３＋（ここで０≦□≦０．５）；
（Ｃａ，Ｓｒ）_８（Ｍｇ，Ｚｎ）（ＳｉＯ_４）_４Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；Ｎａ_２Ｇｄ_２Ｂ_２Ｏ_７：Ｃｅ^３＋，Ｔｂ^３＋；（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｚｎ）_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；
（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋，Ｂｉ^３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋，Ｂｉ^３＋；（Ｇｄ，Ｙ，Ｌｕ，Ｌａ）ＶＯ_４：Ｅｕ^３＋，Ｂｉ^３＋；
（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ^２＋，Ｃｅ^３＋；ＳｒＹ_２Ｓ_４：Ｅｕ^２＋；ＣａＬａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＰ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋，Ｍｎ^２＋；（Ｙ，Ｌｕ）_２ＷＯ_６：Ｅｕ^３＋，Ｍｏ^６＋；（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）_□Ｓｉ_□Ｎ_□：Ｅｕ^２＋（ここで２□＋４□＝３□）；Ｃａ_３（ＳｉＯ_４）Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋；
（Ｌｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｔｂ）_{２−ｕ−ｖ}Ｃｅ_ｖＣａ_１＋ｕＬｉ_ｗＭｇ_２−ｗＰ_ｗ（Ｓｉ，Ｇｅ）_３−ｗＯ_{１２−ｕ／２}（ここで−０．５≦ｕ≦１、０＜ｖ≦０．１、かつ０≦ｗ≦０．２）；
（Ｙ，Ｌｕ，Ｇｄ）_２−□Ｃａ_□Ｓｉ_４Ｎ_６＋□Ｃ_１−□：Ｃｅ^３＋、（ここで０≦□≦０．５）；（Ｌｕ，Ｃａ，Ｌｉ，Ｍｇ，Ｙ）、Ｅｕ^２＋および／またはＣｅ^３＋をドープしたα−ＳｉＡｌＯＮ；（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＯ_２Ｎ_２：Ｅｕ^２＋，Ｃｅ^３＋；β−ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ^２＋、３．５ＭｇＯ^＊０．５ＭｇＦ_２ ^＊ＧｅＯ_２：Ｍｎ^４＋；Ｃａ_{１−ｃ−ｆ}Ｃｅ_ｃＥｕ_ｆＡｌ_１＋ｃＳｉ_１−ｃＮ_３、（ここで０≦ｃ≦０．２、０≦ｆ≦０．２）；Ｃａ_{１−ｈ−ｒ}Ｃｅ_ｈＥｕ_ｒＡｌ_１−ｈ（Ｍｇ，Ｚｎ）_ｈＳｉＮ_３、（ここで０≦ｈ≦０．２、０≦ｒ≦０．２）；Ｃａ_{１−２ｓ−ｔ}Ｃｅ_ｓ（Ｌｉ，Ｎａ）_ｓＥｕ_ｔＡｌＳｉＮ_３、（ここで０≦ｓ≦０．２、０≦ｆ≦０．２、ｓ＋ｔ＞０）；（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ^２＋、Ｃｅ^３＋；および
Ｃａ_{１−□−□−φ}Ｃｅ_□（Ｌｉ，Ｎａ）_□Ｅｕ_□Ａｌ_{１＋□−□}Ｓｉ_{１−□＋□}Ｎ_３、（ここで０≦□≦０．２、０≦□≦０．４、０≦□≦０．２）。

蛍光体ブレンド中の個々の蛍光体のそれぞれの比は、所望の光出力の特性に依存して変化し得る。様々な実施形態の蛍光体ブレンドにおける個々の蛍光体の相対的比率は、それらの発光がブレンドされてＬＥＤ照明デバイスに使用されるとき、ＣＩＥ色度図上の所定のｘおよびｙ値の可視光が生成されるように調整することができる。述べたように、白色光が生成されることが好ましい。この白色光は、例えば、約０．２０から約０．５５の範囲のｘ値と、約０．２０から約０．５５の範囲のｙ値とを有することができる。しかし、上述のように、蛍光体組成物中の各蛍光体の正確な同一性および量は、最終使用者の必要に応じて変えることができる。例えば、この材料は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）バックライトのために意図されたＬＥＤに使用することができる。この用途では、ＬＥＤカラーポイントは、ＬＣＤ／カラーフィルタの組合せを通過した後、所望の白色、赤色、緑色、および青色に基づいて適切に調節される。

また、蛍光体組成物２２は、ポリフルオレン、好ましくはポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）およびそのコポリマー、例えばポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’‐（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（Ｆ８−ＴＦＢ）；ポリ（ビニルカルバゾール）およびポリフェニレンビニレンならびにそれらの誘導体などのエレクトロルミネセンスポリマーを含んでもよい。さらに、発光層は、青色、黄色、橙色、緑色または赤色のリン光染料もしくは金属錯体、量子ドット材料、またはそれらの組合せを含むこともできる。リン光染料としての使用に適切な材料としては、限定するものではないが、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（赤色染料）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（緑色染料）およびイリジウム（ＩＩＩ）ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２）（青色染料）が挙げられる。ＡＤＳ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅｓ Ｓｏｕｒｃｅ，Ｉｎｃ．）から市販されている蛍光およびリン光金属錯体を使用することもできる。ＡＤＳの緑色染料は、ＡＤＳ０６０ＧＥ、ＡＤＳ０６１ＧＥ、ＡＤＳ０６３ＧＥ、およびＡＤＳ０６６ＧＥ、ＡＤＳ０７８ＧＥ、およびＡＤＳ０９０ＧＥを含む。ＡＤＳの青色染料は、ＡＤＳ０６４ＢＥ、ＡＤＳ０６５ＢＥ、およびＡＤＳ０７０ＢＥを含む。ＡＤＳの赤色染料は、ＡＤＳ０６７ＲＥ、ＡＤＳ０６８ＲＥ、ＡＤＳ０６９ＲＥ、ＡＤＳ０７５ＲＥ、ＡＤＳ０７６ＲＥ、ＡＤＳ０６７ＲＥ、およびＡＤＳ０７７ＲＥを含む。例となる量子ドット材料は、ＣｄＳｅ、ＺｎＳまたはＩｎＰに基づき、それには、限定されるものではないが、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＰｂＳｅ／ＰｂＳ、ＣｄＳｅ／ＣｄＳ、ＣｄＴｅ／ＣｄＳまたはＣｄＴｅ／ＺｎＳなどのコア／シェル発光ナノ結晶が含まれる。

本発明の緑色発光蛍光体は、上記以外の用途に使用されてよい。例えば、材料は、蛍光灯、陰極線管、プラズマディスプレイデバイスまたは液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の蛍光体として使用することができる。この材料は、電磁カロリメータ、ガンマ線カメラ、コンピュータ断層撮影スキャナまたはレーザーのシンチレータとして使用することもできる。これらの用途は単なる例示であり、限定するものではない。

本開示に記載の実施形態、特に本明細書に記載の蛍光体組成物を使用することにより、一般照明用の低色温度範囲（２５００Ｋ〜４０００Ｋ）に対して、高い赤−緑色コントラスト、高い光度、および高いＣＲＩ値を有する白色光を作り出すランプを提供することができる。

実施例
一般的手順
シリコーンテープサンプル調製
５００ｍｇの被験材料を１．５０ｇのシリコーン（Ｓｙｌｇａｒｄ １８４）と混合することによってサンプルを調製した。混合物を約１５分間真空チャンバ内で脱気した。この混合物（０．７０ｇ）を円盤状テンプレート（直径２８．７ｍｍ、厚さ０．７９ｍｍ）に注ぎ、９０℃で３０分間焼成した。試験のためにサンプルを約５ｍｍ×５ｍｍの大きさの正方形に切断した。

安定性試験
高光束条件
４４６ｎｍで発光するレーザーダイオードを、その他端にコリメータを有する光ファイバーと接続した。電力出力は３１０ｍＷであり、サンプルのビーム径は７００ミクロンであった。これは、サンプル表面の８０Ｗ／ｃｍ^２の束と同等である。レーザーからの散乱線と励起した蛍光体からの発光の組合せである分光分布（ＳＰＤ）スペクトルは、１メートル（直径）積分球で収集し、データをスペクトロメーターソフトウェア（Ｓｐｅｃｗｉｎ）で処理される。２分の間隔で、ＳＰＤを４００ｎｍから５００ｎｍ、および５５０ｎｍから７００ｎｍまでそれぞれ積算することによって、レーザーからの積算電力および蛍光体発光を約２１時間にわたって記録した。測定の最初の９０分は、レーザーの熱安定性による作用を避けるために破棄される。レーザー損傷に起因する強度損失の百分率は、次のように計算される：

蛍光体の発光出力だけがプロットされるが、レーザー放射の積算出力ならびにそのピーク位置をモニターして、レーザーが実験中に安定していた（１％未満の変動）ことを確認した。

高温高湿（ＨＨＴＨ）処理
高温高湿（ＨＴＨＨ）処理のためのサンプルは、蛍光体粉末を二液型メチルシリコーン結合剤（ＲＴＶ−６１５、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）に、０．９ｇの蛍光体に対して０．８２５ｇのシリコーン（パートＡ＋Ｂ）という比率で混合することによって作製した。次に、蛍光体／シリコーン混合物をアルミニウムサンプルホルダーに注入し、９０℃で２０分間硬化させる。対照サンプルを窒素下で貯蔵し、ＨＴＨＨ条件に曝露するサンプルを８５℃／８５％ＲＨ制御雰囲気チャンバに入れた。これらのＨＴＨＨ試料は定期的に取り出し、４５０ｎｍ励起下での発光強度を対照サンプルと比較した。

蛍光体調製：Ｂａ_３ＳｉＯ_３Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表１に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、７００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、８５０℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図６に示す。ピーク発光波長は約５２０ｎｍであり、ＦＷＨＭは１００ｎｍであった。

蛍光体調製：Ｂａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表２に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、８００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、８５０℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図７に示す。ピーク発光波長は約４８５ｎｍであり、ＦＷＨＭは８８ｎｍであった。

蛍光体調製：Ｃａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋
材料：高純度炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）およびアンモニウムブロミド（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製するとなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表３に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、６００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、７００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図８に示す。ピーク発光波長は約４３５ｎｍであり、ＦＷＨＭは３５ｎｍであった。

蛍光体調製：Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｂｒ_０．３６：Ｅｕ^２＋：（Ｍ＝６０：４０ Ｂａ：Ｓｒ）
材料：高純度炭酸バリウム（ＢａＣＯ_３）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表４に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、１１００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、１１００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図９に示す。ピーク発光波長は約５１８ｎｍであり、ＦＷＨＭは６０ｎｍであった。

蛍光体調製：Ｓｒ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_１４：Ｅｕ^２＋
材料：高純度炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表５に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、５００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、６００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図１０に示す。ピーク発光波長は約４２８ｎｍであり、ＦＷＨＭは３０ｎｍであった。

蛍光体調製：Ｓｒ_２ＳｉＯ_３Ｂｒ_２：Ｅｕ^２＋
材料：高純度炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ_３）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化ユウロピウム（Ｅｕ_２Ｏ_３）（９９．９％）および臭化物アンモニウム（ＮＨ_４Ｂｒ）（９８％）を、さらに精製することなく使用した。すべての原材料を、３２５メッシュで篩い分けた。原材料の量を表６に示す。

粉末をプラスチックボトルに秤量し、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＧ）媒体とブレンドし、２時間ボールミル粉砕した。ブレンドした粉末をアルミナ坩堝の中に入れ、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２で構成される雰囲気下、５００℃で５時間焼成した。焼成した粉末を６０メッシュの篩に通して濾過し、再び２時間ブレンドした後、０．５％Ｈ_２／９９．５％Ｎ_２雰囲気下、６００℃で再び焼成した。生成物を３２５メッシュのスクリーンで篩にかけた。

生成物の発光スペクトルを図１１に示す。ピーク発光波長は約４６８ｎｍであり、ＦＷＨＭは８５ｎｍであった。

実施例４の生成物を、市販のβ−ＳｉＡｌＯＮサンプルとともに高温／高湿および高光束条件下で安定性試験に付した。結果を表７に示す。

本発明の特定の特徴だけを本明細書において例示および説明してきたが、多くの修正および変更が当業者に想到されるであろう。したがって、添付の特許請求の範囲が、そのようなすべての修正および変更を本発明の真の精神の範囲に包含されるものとして含むように意図されていることを、理解すべきである。

１０ ランプ、照明装置
１２ ＬＥＤチップ、ＬＥＤ
１４ リード
１６ リードフレーム
１８ シェル
２０ 封入材
２２ 蛍光体組成物
２４ 白色光
１１２ ＬＥＤチップ
１２０ 封入材
１２２ 蛍光体組成物
１２２ 蛍光体
１２４ 白色光
１２６ 矢印
２１２ ＬＥＤチップ
２１８ エンベロープ
２２２ 蛍光体組成物
２２４ 白色光
２２６ 放射
４１２ ＬＥＤチップ
４１６ 第１のリード、第２のリード
４２０ 封入材
４３０ 反射カップ
４３２ 導線
５５０ 発光ダイオード
５５２ 発光窓
５５４ 導光部材

Claims (14)

1. 半導体光源と、前記光源に放射結合されているＥｕ^２＋活性化蛍光体を備えるデバイスであって；
   前記蛍光体が、以下の
   Ａ．Ｍ_３ＳｉＯ_３Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｂ．Ｍ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｃ．Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｘ_０．３６：Ｅｕ^２＋；
   Ｄ．Ｍ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_１４：Ｅｕ^２＋ ；
   〔上式で、
   Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
   Ｘは、Ｂｒ、またはＢｒとＣｌの混合物である〕；
   から選択されるデバイス。
2. 前記蛍光体が、Ｍ_３ＳｉＯ_３Ｘ_４：Ｅｕ^２＋である、請求項１に記載のデバイス。
3. 前記蛍光体が、Ｍ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_４：Ｅｕ^２＋である、請求項１に記載のデバイス。
4. 前記蛍光体が、Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｘ_０．３６：Ｅｕ^２＋である、請求項１に記載のデバイス。
5. 前記蛍光体が、Ｍ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_１４：Ｅｕ^２＋である、請求項１に記載のデバイス。
6. 前記蛍光体が、
   Ｂａ_３ＳｉＯ_３Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｂａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｃａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｂａ_{０．９８４}Ｓｒ_{０．６５６}Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｂｒ_０．３６：Ｅｕ^２＋；および
   Ｓｒ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_１４：Ｅｕ^２＋ ；
   から選択される、請求項１に記載のデバイス。
7. Ａ．Ｍ_３ＳｉＯ_３Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｂ．Ｍ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_４：Ｅｕ^２＋；
   Ｃ．Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｘ_０．３６：Ｅｕ^２＋；
   Ｄ．Ｍ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_１４：Ｅｕ^２＋ ；
   〔上式で、
   Ｍは、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、またはその混合物であり；
   Ｘは、Ｂｒ、またはＢｒとＣｌの混合物である〕；
   からなる群から選択されるＥｕ^２＋活性化蛍光体。
8. 式Ｍ_３ＳｉＯ_３Ｘ_４：Ｅｕ^２＋の、請求項７に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
9. 式Ｍ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_４：Ｅｕ^２＋の、請求項７に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
10. 式Ｍ_１．６４Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｘ_０．３６：Ｅｕ^２＋の、請求項７に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
11. Ｍ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｘ_１４：Ｅｕ^２＋の、請求項７に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
12. 前記蛍光体が、
    Ｂａ_３ＳｉＯ_３Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
    Ｂａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
    Ｃａ_５Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_４：Ｅｕ^２＋；
    Ｂａ_{０．９８４}Ｓｒ_{０．６５６}Ｓｉ_０．８２Ｏ_３．１Ｂｒ_０．３６：Ｅｕ^２＋；および
    Ｓｒ_１０Ｓｉ_３Ｏ_９Ｂｒ_１４：Ｅｕ^２＋ ；
    から選択される、請求項７に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
13. 約３．２部〜約３．４部のＢａＣＯ_３、
    約１．５〜約１．７部のＳｒＣＯ_３、
    約０．８７〜約０．８９部のＳｉＯ_２、約０．０２〜約０．１５部のＥｕ_２Ｏ_３および約０．５４〜約０．６２部のＮＨ_４Ｂｒを組み合わせること；および
    １回目の焼成で、前記組合せを還元雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成して中間生成物を形成すること；および
    ２回目の焼成段階で、前記中間生成物を還元雰囲気下、約８００℃〜約１３００℃の範囲の温度で焼成すること
    によって製造されるＥｕ^２＋活性化蛍光体。
14. 前記１回目の焼成段階で、前記組合せを約１１００℃で焼成し；前記２回目の焼成段階で、前記中間生成物を約１１００℃で焼成する、請求項１３に記載のＥｕ^２＋活性化蛍光体。
    

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