JP6957158B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に係り、特に基板を折り曲げることができるフレキシブル表示装置に関する。

従来、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置などの表示装置においては、表示パネルの基板にガラス基板が用いられている。近年では、基板にポリイミドなどの樹脂基板を用いることで、表示パネルに可撓性を与えたフレキシブルタイプの表示装置が開発されている。

特許文献１には、表示領域外の端子部を表示領域の裏側に向けて折り曲げることによって、表示装置全体としての外形を小さくする構成が記載されている。特許文献２には、表示装置の端子部に接続するフレキシブル配線基板を折り曲げて使用する場合、折り曲げる部分の基板に溝あるいは凹部を形成する構成が記載されている。

特開２０１２−１２８００６ 特開平０６−２４６８５７

表示領域外の端子部を表示領域の裏側に向けて折り曲げる構成とすることによって、表示装置の外形を小さくすることが出来る。

一方、表示装置全体として薄型にすることが要請されているので、折り曲げの曲率半径は非常に小さくなり、ほとんど折り曲げた状態になる。そうすると、基板に形成された配線には折り曲げたときのストレスがかかり、断線の危険が生ずる。断線を防ぐために配線の幅を大きくしようとしても、端子部には多数の配線が形成されているので、配線の幅を大きくすることが出来ない。

本発明の課題は、折り曲げて使用されるフレキシブル表示装置において、配線の断線を防止し、信頼性の高いフレキシブル表示装置を実現することである。

本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。

（１）表示領域と、端子部と、前記表示領域から前記端子部に向かって延在している信号配線と、を有する基板と、前記端子部に接続された配線基板と、を備える表示装置であって、前記信号配線は、前記配線基板と電気的に接続し、前記信号配線間には、前記基板を貫通する孔が形成されており、前記基板は、前記表示領域と前記端子部との間に折り曲げ領域を有し、前記基板は、平面視において、前記表示領域と前記端子部とが重なるように、前記折り曲げ領域において折り曲げられていることを特徴とする表示装置。

（２）表示領域と、端子部と、前記表示領域から前記端子部に向かって延在している信号配線と、を有する基板と、前記端子部に接続された配線基板と、を備える表示装置であって、前記信号配線は、前記配線基板と電気的に接続し、前記基板は、前記信号配線が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、前記第２面には前記基板を貫通しない凹部が形成されており、前記基板は、前記端子部と前記表示領域との間に折り曲げ領域を有し、前記基板は、平面視において、前記表示領域と前記端子部とが重なるように、前記折り曲げ領域において折り曲げられていることを特徴とする表示装置。

表示装置の断面図である。 端子部を折り曲げる前の表示装置の断面図である。 表示装置の平面図である。 信号配線をジグザグパターンにした表示装置の平面図である。 信号配線の種々の形状を示す平面図である。 信号配線の断面図である。 シミュレーションでのストレス評価のモデルである。 端子部を折り曲げた場合の、信号配線の平面形状と最大ストレスの関係を示す図である。 ジグザグパターンの角度と、折り曲げたときの信号配線に生ずるストレスの関係を示す比較図である。 実施例１の表示装置の平面図である。 実施例１の信号配線の詳細図である。 実施例１の信号配線の拡大図である。 実施例１の効果を示す図である。 実施例１の他の形態を示す端子部の平面図である。 実施例２の端子部の斜視図である。 実施例２の端子部の断面図である。 実施例２の凹部の断面図である。 実施例２の表示装置の平面図である。 実施例２に用いた信号配線の断面図である。 実施例２の端子部の詳細図である。 実施例２の効果を示す図である。 凹部の他の形態を示す断面図である。 実施例２の第２の形態を示す表示装置の平面図である。 実施例２の第３の形態を示す表示装置の平面図である。

以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明が適用される基板１００を有する表示装置の断面図である。図１の特徴は、端子部３００を含む領域が折り曲げられていることである。したがって、表示装置全体として外形を小さくすることが出来る。一方、表示装置を薄くするために、図１に示す、折り曲げられている部分の曲率半径ｒは非常に小さくなる。そうすると、基板に形成された配線に対するストレスは非常に大きくなる。

小さな曲率半径で折り曲げるために、基板の厚さは１０乃至３０μｍ程度に薄くしている。このような場合、図１に示す曲率半径ｒは基板１００の厚さである１０乃至３０μｍとすることが可能である。このように小さい曲率半径であると、端子部３００は殆ど折れているように見える。

以下、本実施例においては、表示装置が有機ＥＬ表示装置である場合の構成について説明する。

以下の説明において、基板１００から光学フィルム１０４に向かう方向を上方（あるいは、単に上）とし、光学フィルム１０４から基板１００に向かう方向を下方（あるいは、単に下）とする。また、光学フィルム１０４から基板１００に向かって見ることを平面視という。

図２は、端子部３００を折り曲げる前の表示装置の断面図である。図２において、基板１００にはＴＦＴ等が形成されるので、以後、基板１００をＴＦＴ基板という。ＴＦＴ基板１００は小さな曲率半径で折り曲げることを可能とするために、厚さが１５μｍの耐熱性、機械的な強度等において優れた特性を有しているポリイミドで形成されている。なお、ＴＦＴ基板１００はポリイミド以外の樹脂で形成されていてもよい。

図２において、ＴＦＴ基板１００の上には、配線層１０１が形成されている。配線層１０１は、表示領域２００においては、画素毎に形成されたＴＦＴを含む。また、ＴＦＴと接続する配線層１０１は端子部３００にも延在している。端子部３００には、外部から有機ＥＬ表示装置に信号や電源を供給するための配線基板１０００が接続している。

図２の表示領域２００において、配線層１０１の上には有機ＥＬ層１０２が形成されている。有機ＥＬ層１０２は一般には画素毎に形成され、発光部を含む複数の有機膜から形成された層を下部電極と上部電極で挟んだ構成となっている。有機ＥＬ層１０２を構成する有機膜は水分によって劣化しやすく、また、複数の層を合計しても数百ｎｍ程度と非常に薄い。したがって、有機ＥＬ層１０２を水分から保護するためと、機械的に保護するために、有機ＥＬ層１０２の上に保護層１０３を形成する。保護層１０３は、アクリル等の透明有機膜とＳｉＮ等の無機膜の積層構造となっている。

図２において、保護層１０３の上に円偏光板等の光学フィルム１０４が貼り付けられている。有機ＥＬ層１０２の下部電極には反射電極が形成されているので、反射電極によって外光が反射すると、画面が見づらくなる。そこで、円偏光板等を貼り付けることによって、外光反射を防止している。なお、円偏光板等の光学フィルム１０４は配置されていなくても良い。

図３は図２に対応する表示装置の平面図である。以下の説明において、表示装置の短辺方向を第１方向Ｘ、第１方向Ｘと垂直な方向を第２方向Ｙ、そして、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な方向を第３方向Ｚとする。図３において、表示領域２００と間隔をあけて端子部３００が形成され、配線基板１０００が接続している。表示領域２００から配線基板１０００まで信号配線１０が延在し第１方向Ｘに配置されている。図３では、図をわかりやすくするために信号配線１０の数は少ないが、実際の製品では非常に多くの配線が形成されている。したがって、個々の配線のピッチは非常に小さくなっており、配線の幅も小さい。

図３の一点鎖線で囲まれた折り曲げ領域ＢＡにおいて、ＴＦＴ基板１００が折り曲げられる。以下の図も同様である。そうすると、ＴＦＴ基板１００に形成された信号配線１０には大きなストレスがかかり、信号配線１０が断線する危険が大きくなる。

そこで、本発明では、図４に示すように、信号配線１０をジグザグパターンにして、信号配線１０にかかるストレスを緩和している。図４（Ａ）は表示装置の平面図であり、信号配線１０がジグザグパターンに形成されている他は図３と同様である。図４（Ｂ）は、折り曲げ領域ＢＡ付近の拡大図である。図４（Ｂ）において、ジグザグパターンに形成された信号配線１０の第２方向Ｙのピッチはｐｖである。なお、本明細書では、信号配線の外形に複数の屈曲部を有するものをジグザグパターンとする。また、屈曲部は直角でなくても良く、丸みを帯びていても良い。

図４では、図を複雑にしないために、信号配線１０の数は少ないが、実際の製品では端子配線１０の数はこれよりもはるかに多い。また、信号配線１０の第２方向Ｙのピッチｐｖも図に示すよりもはるかに小さい。以下の図も同様である。

図５乃至図９は、信号配線１０を種々の形状にした場合において、信号配線１０を折り曲げたときの信号配線１０へのストレスを評価したものである。図５Ａ乃至図５Ｅは評価した端子配線１０の平面形状である。図５Ａは比較例としての、信号配線１０が直線の場合である。

図５Ｂ乃至図５Ｄは信号配線１０をジグザグパターンにした場合であるが、第２方向Ｙに対するジグザグの角度が異なっている。図５Ｅは、信号配線１０のジグザグパターンを組み合わせて格子状に形成した場合である。各配線形状において、第２方向Ｙのピッチｐｖは２５μｍであり、全て同じである。図５Ａ乃至図５Ｅにおいて、ドットで示す１０が信号配線（金属配線）であり、ハッチングで示す部分は金属配線の保護層である。

図６は図５Ａ乃至図５ＥのＡ−Ａ断面図である。図６において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の上にＳｉＯ層１１が形成され、その上に信号配線１０を構成するＡｌ合金層が形成され、信号配線１０の上にＳｉＮ層１２が形成され、これを覆って、ポリエステル等で形成されたレジン層１５が形成されている。信号配線１０を構成するＡｌ合金層の腐食を防ぐために、ＳｉＯ層１１とＳｉＮ層１２でＡｌ合金層を挟んでいる。なお、Ａｌ合金は例えば、ＡｌとＳｉの合金であるが、大部分はＡｌである。以後、信号配線１０はＡｌ合金で代表して説明するが、他の金属あるいは合金を用いてもよい。

図６において、ＴＦＴ基板１００を構成するポリイミドの厚さｔｐは１５μｍ、ＳｉＯ層１１の厚さｔ１は４６０ｎｍ、信号配線１０の厚さｔ２は５３５ｎｍ、ＳｉＮ層１２の厚さｔ３は１８５ｎｍ、レジン層１５の厚さｔｒは５５μｍである。レジン層１５のヤング率はポリイミドのヤング率よりも小さいので、レジン層１５の厚さｔｒを、ＴＦＴ基板１００を構成するポリイミドの厚さｔｐよりも大きくして、折り曲げたときに、信号配線１０を曲げ応力と引っ張り応力がいずれも零となる中立面又はその近傍に位置するようにしている。

図７は折り曲げ領域ＢＡを曲率半径ｒが３５０μｍになるように折り曲げた場合の断面図を示している。図７における角度ηは３２．７４度になっている。シミュレーションでは端子部３００を図７のように折り曲げた場合のストレスを評価している。折り曲げ領域ＢＡの断面は図６に示すとおりである。実際の製品における折り曲げ領域ＢＡは、角度ηが１８０度まで折り曲がるが、シミュレーションによるストレス評価は図７に示す角度で行った。なお、曲率半径ｒが小さくなった場合もストレスの大小関係の傾向は同じであると考えればよい。

図８Ａ乃至Ｅは図５Ａ乃至Ｅに示す配線を図７で示すように折り曲げた場合の信号配線１０、ＳｉＯ層１１、ＳｉＮ層１２にかかるストレスを評価したものである。図８におけるＡ乃至Ｅは図５におけるＡ乃至Ｅに対応している。すなわち、図８Ｂのジグザグパターンは３０度であり、図８Ｃのジグザグパターンは４５度であり、図８Ｄのジグザグパターンは６０度であり、図８Ｅのジグザグパターンは６０度である。図８Ａ乃至Ｅにおける矢印は各構成において最大ストレスを示す場所であり、数字はストレスの値を示し、単位はメガパスカル（ＭＰａ）である。

図８において、一番上の行である、行（Ｉ）の構成は、ＳｉＮ層１２と信号配線１０が組み合わさった状態におけるストレスを評価したものである。行（Ｉ）において、各配線形状において、最も大きなストレスは信号配線１０の端部に生じている。図８Ｂ乃至図８Ｄのジグザグパターンに注目すると、角度が大きいほど配線にかかるストレスは小さくなっている。同じ６０度であっても、図８Ｅのジグザグパターンを格子状にしたものでは、単なるジグザグパターンの場合よりもストレスは若干大きくなっている。すなわち、折り曲げによるストレスの軽減には、ジグザグパターンが有利であり、かつ、ジグザグパターンの角度を大きくするとさらにストレスを軽減することが出来る。

図８の中央の行である、行（II）は、信号配線１０のみの場合におけるストレスを評価したものである。この場合も配線が直線だった場合に比較して、配線をジグザグパターンにすることによってストレスが小さくなっている。また、ジグザグパターンにおいて、角度が大きくなるほど、ストレスが小さくなっている。

図８の一番下の行である、行（III）は、ＳｉＯ層１１のみの場合におけるストレスを評価したものである。この場合は、ジグザグパターンとした場合でも、ジグザグパターンの角度が小さいと、直線の場合と比較したストレス低下の効果は小さい。しかし、ジグザグパターンの角度が大きくなるにしたがって、直線の場合よりもストレスは大幅に低下する。

図９は、図８に示したシミュレーションの結果におけるストレスの最大値をグラフ化したものである。ここでは、配線が直線の場合Ａと、ジグザグパターンの場合Ｂ（角度３０度）、Ｃ（角度４５度）、Ｄ（角度６０度）を取り出し、ストレスの最大値を比較している。ストレスの単位はメガパスカル（ＭＰａ）である。図９では、配線パターンがＡｌ＋ＳｉＯの場合（Ａｌ＋Ｓｉ）、Ａｌ合金だけの場合（Ａｌ）、ＳｉＯだけの場合（ＳｉＯ）の場合の各々について比較している。

図９の矢印で示すように、ジグザグパターンにおける角度が大きくなるにしたがって配線にかかるストレスは急激に減少する。例えば、Ａｌ＋ＳｉＯで比較した場合、ジグザグパターンの角度を６０度にすることによって、配線にかかるストレスは略半分になる。しかしながら、図５Ｄに示すように、ジグザグパターンの角度が大きくなるにしたがって、配線自体の占める面積が大きくなるので、配線の数が多くなると、ＴＦＴ基板１００上に配線を形成することが困難になる。

本発明は、ジグザグパターンにおいて、角度を大きくしなくとも配線にかかるストレスを小さくすることが出来る構成を実現するものである。図１０は、本実施例に係る表示装置の平面図である。図１０（Ａ）は図４（Ａ）と同様である。信号配線１０は折り曲げ領域ＢＡにおいてはジグザグパターンとなっている。図１０（Ｂ）は、折り曲げ領域ＢＡ付近の拡大図である。図１０（Ｂ）において、ジグザグパターンになっている信号配線１０と平行に、ＴＦＴ基板１００を貫通する孔２０が形成されている。この孔２０によって各信号配線１０におけるストレスを緩和することが出来る。

図１１は、本実施例の信号配線１０と孔２０を示す詳細平面図である。図１１は信号配線１０が３本の場合について例示している。図１１の信号配線１０は、図６に記載した信号配線１０の断面図と同様の構成であり、Ａｌ合金をＳｉＮ層１２およびＳｉＯ層１１で挟んだ構成になっている。ジグザグパターンになっている信号配線１０の第１方向Ｘのピッチｐｈは１７μｍ、第２方向Ｙのピッチｐｖは２５μｍである。

図１１において、信号配線１０と信号配線１０との間に孔２０が形成されている。孔２０はジグザグパターンの信号配線１０の屈曲部以外の直線部と平行に形成されている。この孔２０によって折り曲げ領域ＢＡを折り曲げたときに信号配線１０に係るストレスを分散して、最大ストレスを小さくしている。

図１２は、図１１の拡大平面図である。孔２０の第１方向Ｘの幅ｗは、例えば５μｍである。これは、信号配線１０の第１方向Ｘのピッチｐｈの約３０％の幅である。ここで、信号配線１０の幅をｗｗとした場合、孔２０の第１方向Ｘの幅ｗは、ピッチｐｈの２５％以上で、かつ、ｐｈ−ｗｗ以下の幅とすることが好ましい。

孔２０の第２方向Ｙの幅ｈは例えば６μｍであり、これは、信号配線１０のジグザグパターンの屈曲部の第２方向Ｙの半ピッチｐｖ／２の４８％の幅である。ここで、孔２０の第２方向Ｙの幅ｈは、ｐｖ／２の２０％以上、９０％以下の幅とすることが好ましい。

図１２において、両端の信号配線１０の外側に形成された孔２０は、第１方向Ｘの幅ｈが大きくなっている。これは、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた際に、外端の信号配線１０に対するストレスを他の信号配線１０とバランスさせるためである。

図１３は、本実施例の効果を示す表である。図１３は、図６に示す断面構成の信号配線１０を、図７のように折り曲げた場合に信号配線１０に係るストレスを示すものである。図８に示したものと同様に、行（Ｉ）は、ＳｉＮ層１２と信号配線１０が組み合わさった状態におけるストレス（Ａｌ＋ＳｉＮ）、行（II）は、信号配線１０のみの場合におけるストレス（Ａｌ）、行（III）は、ＳｉＯ層１１のみの場合におけるストレスについてそれぞれ評価している。

図１３のＡ列は、信号配線１０の角度が４５度のジグザグパターンであり、第１方向Ｘのピッチｐｈは１７μｍである。Ｂ列は、Ａ列に示した信号配線１０間に図１２で説明したような孔２０を形成した場合である。ジグザグパターンの角度、配線ピッチｐｈはＡ列の場合と同じである。Ｃ列は、信号配線１０の角度が６０度のジグザグパターンの場合である。この場合、第１方向Ｘのピッチｐｈは２４μｍである。これは、ジグザグパターンの角度が大きくなると、第１方向Ｘのピッチｐｈを小さくすることが困難だからである。

図１３において、行（Ｉ）、すなわち、Ａｌ合金とＳｉＮ層の積層構造におけるストレスを比較すると、角度が同じ４５度の場合であっても、孔２０が形成されたＢ列の場合には、信号配線１０にかかるストレスは、孔２０が無い場合のＡ列の場合に比較して大幅に小さくなっている。さらに特徴的なのは、孔２０が無い場合は、ストレスの最大値は信号配線１０の屈曲部で生じているのに対して、孔２０が存在する場合には、信号配線１０の直線部に生じている。つまり、折り曲げたときの、信号配線１０に係るストレスが孔２０によって分散された結果、最大ストレスが小さくなっている。

Ｂ列のジグザグパターンの角度が４５度で孔２０が存在する場合と、Ｃ列のジグザグパターンの角度が６０度の場合とで、最大ストレスを比較するとほぼ同等である。すなわち、孔２０を用いることによって、ジグザグパターンの角度が４５度のままでも、ジグザグパターンの角度が６０度の場合と同程度のストレスとすることが出来る。これは、ジグザグパターンに形成された信号配線１０の配線密度を、信号配線１０にかかるストレスを増加させることなく、大きくすることが出来ることを意味し、効果は非常に大きい。

図１３における、信号配線１０のみの場合（Ａｌ）についてと、ＳｉＯ層１１のみの場合（ＳｉＯ）についても同様である。特に、図１３におけるＳｉＯ層１１のみの場合に対する孔２０の効果は非常に大きい。

図１１乃至図１３は孔２０が平行四辺形の場合について説明したが、孔２０はこれに限らず色々な形状とすることが出来る。図１４（Ａ）は孔２０が円の場合である。図１４（Ｂ）は孔２０がレーストラック状の場合である。図１４（Ｃ）は、孔２０を２個平行に形成した場合である。いずれの場合も、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００にレーザを照射する、あるいはフォトリソグラフィ等によって貫通孔２０を形成することが出来る。なお、図１４（Ａ）乃至図１４（Ｃ）は例であり、他の形状とすることも出来る。

以上のように、本実施例によれば、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げて使用する際に、ジグザグパターンに形成した信号配線１０に係る最大ストレスを低く抑えることが出来るので、信号配線１０の断線を防止することが出来る。

図１５は実施例２における折り曲げ領域ＢＡの斜視図である。図１７において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の上にジグザグパターンの信号配線１０が形成されている。図１５の特徴は、第３方向Ｚにおいて、ＴＦＴ基板１００の信号配線１０が形成されている面とは反対側の面に溝３０が形成されていることである。これによって、ＴＦＴ基板１００の折り曲げ方向の強度を弱くし、信号配線１０に対するＴＦＴ基板１００からのストレスを緩和している。なお、ここでいう信号配線１０が形成されている面が第１面１００Ａに相当し、信号配線１０が形成されている面とは反対側の面が第２面１００Ｂに相当する。

図１６は図１５に示す折り曲げ領域ＢＡを折り曲げた状態を示す断面図である。図１６において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の上、つまり、第１面１００Ａに配線層１０１が形成され、ＴＦＴ基板１００の配線層１０１の反対側の面、つまり、第２面１００Ｂに溝３０が形成されている。溝３０は図の第１方向Ｘに延在している。

図１７は、個々の溝３０の断面形状を示すＴＦＴ基板１００の断面図である。図１７において、凹部３０のピッチｗ２は１２．５μｍであり、溝３０の幅ｗ１は４．２μｍである。ｗ１／ｗ２は０．２乃至０．８程度とするのが好ましい。また、ＴＦＴ基板１００の厚さｈ２は１５μｍで、溝３０の深さｈ１は５μｍである。ｈ１／ｈ２は０．２乃至０．８とするのが好ましい。さらに、ｈ１／ｈ２は、０．２５乃至０．５とするのがより好ましい。溝３０は、ＴＦＴ基板１００よりも柔らかい樹脂、すなわち、ヤング率の小さい樹脂、例えば、ウレタン等で充填しても良い。

図１８は実施例２における表示装置の平面図である。図１８（Ａ）は、図４（Ａ）等と同じである。図１８（Ｂ）は、折り曲げ領域ＢＡ付近の拡大図である。図１８において、信号配線１０はジグザグパターンとなっていることは図４等と同じである。

図１８の特徴は、点線で示すように、ＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに溝３０が形成されていることである。溝３０は、配線におけるジグザグパターンの屈曲部と屈曲部の中間である直線部に形成されている。溝３０が無い場合は、折り曲げ領域ＢＡを折り曲げると、信号配線１０には、ジグザグパターンの折り曲げ部において最も大きなストレスが発生する。本実施例では、ジグザグパターンの直線部にＴＦＴ基板１００が曲がりやすい部分を形成することによって、信号配線１０に係るストレスを分散することにより、最大ストレスを低下させている。

図１９は、本実施例におけるストレス評価に用いる信号配線１０の断面図である。図１９において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の上、つまり、第１面１００Ａに下地膜としてのＳｉＯ層１１が形成され、その上にＡｌ合金による信号配線１０が形成され、信号配線１０を覆って有機パッシベーション膜１３が形成され、その上に保護膜としてのレジン層１５が形成されている。ＳｉＯ層１１の幅ｗｐは６．４μｍ、信号配線１０の幅ｗａは２．４μｍである。

図１９において、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の厚さｔｐは１５μｍ、ＳｉＯ層１１の厚さｔ１は０．４８μｍ、Ａｌ合金で形成された信号配線１０の厚さｔ２は０．７２μｍである。信号配線１０を覆う有機パッシベーション膜１３の厚さｔｈは３．７２μｍであり、有機パッシベーション膜１３を覆うレジン層１５の厚さｔｒは４０μｍである。

図２０は、図１９に示すような配線構造を折り曲げ領域ＢＡにおいて、ジグザグパターンに形成した状態を示す平面図である。図２０は図を複雑にしにないために、信号配線１０が３本のみの場合で代表させている。図２０における溝３０はＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに形成されている。ジグザグパターンの信号配線１０の第１方向Ｘのピッチｐｈ、第２方向Ｙのピッチｐｖ等は図１０と同様である。

図２１は、図１９および図２０で示すような信号配線１０の構成を有する折り曲げ領域ＢＡを、図１６および図７に示すように折り曲げた場合における信号配線１０およびＳｉＯ層１１に生ずるストレスを評価した結果である。図２１において、行（Ｉ）は、図１９における信号配線１０のみにおけるストレスを評価したものである。行（II）は、図１９におけるＳｉＯ層１１のみにおけるストレスを評価したものである。図２１のＡ列は溝３０が存在しない場合であり、Ｂ列は本実施例のように、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに図１８あるいは図２０に示すような溝３０が存在している場合である。

信号配線１０のみの場合について、溝３０が存在している場合と存在しない場合を比較すると、溝３０が存在している場合は最大ストレスが１／１０近くにまで減少している。ＳｉＯ層１１のみの場合について、溝３０が存在している場合と存在していない場合を比較すると、溝３０が存在している場合は最大ストレスが１／２０近くにまで減少している。また、ＳｉＯ層１１のみの場合、最大ストレスが生ずる場所は、溝３０が存在している部分に対応している。このように、本実施例における端子配線１０へのストレス低減の効果は極めて大きい。

図１５、図１６、図１７等では、溝３０の断面は矩形であるとしたが、本実施例では、溝３０の形状は矩形に限る必要はない。図２２（Ａ）乃至図２２（Ｄ）は溝３０の他の断面形状の例である。図２２（Ａ）は溝３０の断面が半円形あるいは半レーストラック状である。図２２（Ｂ）は、断面が半円形あるいは半レーストラック状の溝３０に加え、溝３０と溝３０の間を曲面で結んだ場合である。図２２（Ｃ）は溝３０の断面が３角形の場合であり、図２２（Ｄ）は溝３０の断面が台形の場合である。いずれの形状の場合も、図１７で示すような溝３０の場合と同様な効果を得ることが出来る。

図２３は、本実施例における第２の形態を示す表示装置の平面図である。図２３（Ａ）は、図４（Ａ）等と同じである。図２３（Ｂ）は、折り曲げ領域ＢＡ付近の拡大図であり、本実施形態の特徴を示している。図２３の特徴は、図１８における溝３０の代わりに、長方形の凹部３１が第１方向Ｘに直線状に並んでいる点である。

長方形の凹部３１が直線状に並ぶ場所は、ジグザグパターンに形成された信号配線１０の屈曲部と屈曲部の中間、つまり、直線部に存在している点も図１８と同様である。凹部３１の第１方向Ｘの幅はｗｇで、凹部と凹部の間の幅はｗｂである。幅ｗｇが幅ｗｂよりも大きいほうが、本実施形態における効果が大きい。凹部３１の第２方向Ｙの幅は、実施形態１における溝３０の幅と同じである。すなわち、ジグザグパターンに形成された信号配線１０の第２方向Ｙのピッチの半分ｐｖ／２に対し、２０％乃至９０％の幅である。このような構成によって、ストレスを分散させて信号配線１０の断線を防止することが出来る。

図２４は本実施例における第３の実施形態を示す表示装置の平面図である。図２４（Ａ）は、図４（Ａ）等と同じである。図２４（Ｂ）は、折り曲げ領域ＢＡの拡大図であり、本実施形態の特徴を示している。図２４の特徴は、ＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに、折り曲げ領域ＢＡ全般にわたって凹部が形成されていることである。凹部は図２４（Ｂ）にドットで示す領域において、ランダムに形成されている。凹部は、折り曲げ領域ＢＡのＴＦＴ基板１００の強度を小さくして、信号配線１０にストレスが集中しないようにしたものである。

凹部の平面形状は、円でも楕円でも矩形でも、レーストラック状でもよい。いずれの形状であっても、折り曲げ領域ＢＡにおけるＴＦＴ基板１００の強度を小さくできればよい。凹部の第３方向Ｚの深さは、図１７に示すような溝部の断面形状と同じである。すなわち、ポリイミドで形成されたＴＦＴ基板１００の厚さをｈ２、凹部の深さをｈ１とした場合、ｈ１／ｈ２は０．２乃至０．８とするのが好ましい。

本実施例において、溝３０を形成する場合、ＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに機械的にスライスをかけるような方法が効率的である。また、矩形パターン、ドットパターン等の凹部は、例えば、フォトリソグラフィあるいはレーザ照射によって形成することが出来る。

以上のように、ＴＦＴ基板１００の第２面１００Ｂに溝３０あるいは凹部３１を形成することによって、端子部を折り曲げた場合における信号配線１０にかかる最大ストレスを小さくすることが出来るので、信号配線１０の断線を防止することが出来る。

以上の説明では、有機ＥＬ表示装置を例にとって説明したが、液晶表示装置についても同様に適用することが出来る。

また、以上の説明では、表示領域が一体となった基板を折り曲げる場合における信号配線にかかるストレスを緩和する手段について述べた。一方、表示装置の端子部に接続して使用されるフレキシブル配線基板も折り曲げて使用する場合がある。その場合についても、実施例１及び２で説明したような構成をフレキシブル配線基板に適用することによって、フレキシブル配線基板における断線を防止することが出来る。

１０…信号配線、 １１…ＳｉＯ層、 １２…ＳｉＮ層、 １３…有機パッシベーション膜、 １５…レジン層、 ２０…孔、 ３０…溝、 ３１…凹部、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…配線層、 １０２…表示機能層、 １０３…保護層、 １０４…光学フィルム、 ２００…表示領域、 ３００…端子部、 １０００…配線基板

Claims (9)

1. 第１領域と、端子部と、前記第１領域から前記端子部に向かう第１の方向に延在している信号配線と、を有する基板と、
   前記端子部に接続された配線基板と、を備える電子機器であって、
   前記信号配線は、前記配線基板と電気的に接続し、
   前記基板は、前記第１領域と前記端子部との間に折り曲げ領域を有し、
   前記基板は、平面視において、前記第１領域と前記端子部とが重なるように、前記折り曲げ領域において折り曲げられており、
   前記信号配線は、屈曲部と、前記第１の方向に対して第１の角度をなす直線部を有して、前記第１の方向にジグザグ状に延在し、
   前記信号配線間において、前記基板を貫通する孔が形成されており、
   前記孔は、前記屈曲部に対応する部分には形成されていないことを特徴とする電子機器。
2. 前記第１の角度は４５度であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
3. 前記孔は前記信号配線の直線部と平行に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
4. 前記基板はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子機器。
5. 第１領域と、端子部と、前記第１領域から前記端子部に向かう第１の方向に延在している信号配線と、を有する基板と、
   前記端子部に接続された配線基板と、を備える電子機器であって、
   前記信号配線は、前記配線基板と電気的に接続し、
   前記基板は、前記信号配線が形成された第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、
   を有し、
   前記第２面には前記基板を貫通しない凹部が形成されており、
   前記基板は、前記端子部と前記表示領域との間に折り曲げ領域を有し、
   前記基板は、平面視において、前記第１領域と前記端子部とが重なるように、前記折り曲げ領域において折り曲げられており、
   前記信号配線は、屈曲部と、前記第１の方向に対して第１の角度をなす直線部を有して、前記第１の方向にジグザグ状に延在し、
   前記凹部は、平面視において、前記直線部と交差して形成され、前記前記屈曲部とは、交差しないことを特徴とする電子機器。
6. 前記第１の角度は４５度であることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
7. 前記凹部は、前記信号配線の延在方向と直交する方向に直線状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
8. 前記凹部は、前記信号配線の延在方向と直交する方向に間隔を持って、かつ、直線状に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電子機器。
9. 前記基板はポリイミドで形成されていることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか１項に記載の電子機器。

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