JP6952983B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents
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Description
(1)高エネルギーの反応を利用するため、半導体の表面に損傷・欠陥を与え易い。そして、半導体表面に当該欠陥ができた場合は、禁制帯中に高密度の表面準位(即ち、電子及び正孔のトラップ準位)が生成されてしまい、予期せぬ電流変動や、ゲート漏れ電流の増加、或いはゲート制御性の劣化の要因となり、結果として素子の異常動作を引き起こす原因となる。
(2)エッチングの深さの精密な制御が困難になる。即ち、上記素子の閾値電圧はリセスの深さに大きな影響を受けるため、エッチングの深さに対する数ナノメートルの誤差が、完成した素子の性能に大きなばらつきを与えてしまう。
始めに、本発明に係る実施形態について具体的に説明する前に、本発明の原理について図1乃至図5を用いて説明する。なお、図1は本発明に係る光電気化学反応を用いて作製されるHEMTの構造を示す断面図であり、図2は当該光電気化学反応によるHEMTの作製工程の一部を示す断面図であり、図3は当該光電気化学反応の前提となる電気化学反応を説明する図である。また、図4は当該光電気化学反応に対応するエネルギーバンド図等を示す図であり、図5は当該光電気化学反応におけるエッチング時間とエッチングの深さとの関係等を示すグラフ図である。
次に、上述してきた本発明に係る原理に基づく具体的な実施形態について、図6乃至図8を用いて説明する。なお、図6は実施形態に係るHEMTの作製工程を示すフローチャートであり、図7は当該HEMTの作製工程を示す断面図であり、図8は実施形態に係るエッチング装置の概要構成を示す図である。
2 可変電圧源
3 参照電極
10 基板
11 バッファ層
12 内部層
12G 二次元電子ガス
13 表面層
14 ソース電極
15 ドレイン電極
16 絶縁膜
20 電流引出電極
21、22 アイソレーション領域
30 ゲートリセス
100 HEMT
M マスク
I イオン
S エッチング装置
C 容器
H 正孔
LQ 電解液
HD ホルダ
DV0、DV1、DV2 途中素子
OX 酸化物
IOX 酸化電流
Claims (5)
- 表面層と、当該表面層の禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅の内部層と、により構成されるヘテロ構造の半導体であって、当該表面層と当該内部層との界面において伝導体の下端エネルギーが不連続である半導体の当該表面層を、電解液を用いた光電気化学反応によりエッチングするエッチング方法において、
前記表面層におけるエッチング対象の領域が前記電解液内に浸されるように前記半導体を保持した状態で、
前記表面層の前記禁制帯幅より高いエネルギーを有する励起光であって、当該表面層において所望されるエッチングの自己停止深さに対応した強度の励起光を、前記保持されている半導体に照射する照射工程と、
i)前記電解液に接する前記表面層の面に向けて当該表面層内にある正孔を移動させるための当該表面層の内部電界に対応し、ii)前記内部層内にある正孔の前記表面層側に向けた移動を制限するための当該内部層の内部電界に対応し、且つiii)前記表面層内に酸化電流を流すための電圧を、前記励起光の照射と並行して前記半導体に印加する印加工程と、
を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
前記照射工程においては、前記エッチングの自己停止深さに比例した強度の前記励起光を前記半導体に照射することを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のエッチング方法において、
前記照射工程においては、前記表面層内で前記エッチングの進行が停止する時間以上に前記励起光を照射することを特徴とするエッチング方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエッチング方法において、
前記表面層の材質が窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)であり、前記内部層の材質が窒化ガリウム(GaN)であることを特徴とするエッチング方法。 - 表面層と、当該表面層の禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅の内部層と、により構成されるヘテロ構造の半導体であって、当該表面層と当該内部層との界面において伝導体の下端エネルギーが不連続である半導体の当該表面層を、電解液を用いた光電気化学反応によりエッチングするエッチング装置において、
前記表面層におけるエッチング対象の領域が前記電解液内に浸されるように前記半導体を保持する保持手段と、
前記表面層の前記禁制帯幅より高いエネルギーを有する励起光であって、当該表面層において所望されるエッチングの自己停止深さに対応した強度の励起光を、前記保持されている半導体に照射する照射手段と、
i)前記電解液に接する前記表面層の面に向けて当該表面層内にある正孔を移動させるための当該表面層の内部電界に対応し、ii)前記内部層内にある正孔の前記表面層側に向けた移動を制限するための当該内部層の内部電界に対応し、且つiii)前記表面層内に酸化電流を流すための電圧を、前記励起光の照射と並行して前記半導体に印加する印加手段と、
を備えることを特徴とするエッチング装置。
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