JP6941989B2 - 半導体取付構造と充電器 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載された実装構造では、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 電界効果トランジスタ)が弾性部材と放熱シートを介して基板とヒートシンクの間に挟持・固定されている。上記ヒートシンクは上記基板に固定部材を介して取り付けられている。上記固定部材は、上記基板と上記ヒートシンクの間に介挿される柱状体と、上記基板とヒートシンクを貫通し上記柱状体の両端に螺合される2つのねじと、から構成されている。
また、上記MOSFETのリード端子は上記基板に形成されたスルーホールに挿し込まれた状態で半田付けされている。
特許文献1に示す構成では、MOSFETが弾性部材と放熱シートに挟持された状態で基板とヒートシンクの間に固定される構成になっており、MOSFETを取り付けるための構成が複雑であるとともに多くの部品を要してしまい、取付作業も面倒であるという問題があった。
また、MOSFETのリード端子を基板に固定している半田に負荷が掛かりクラックが発生し、これにより導通不良や、導通不良に起因する出力停止や発火が起こってしまう恐れがあった。これは、基板、ねじ、ヒートシンク経由の熱膨張係数と基板、半田、MOSFET、放熱シート、ヒートシンク経由の熱膨張係数が異なることに起因する。
また、特許文献2に示す構成の場合にも、パワー素子はねじ部材によって放熱シート、素子固定面を介してケースに固定される構成になっており、パワー素子を固定するための構成が複雑であって多くの部品を要してしまうという問題があった。
また、パワー素子を絶縁シートを介して素子固定面に固定した後、その接続端子を基板に半田付けするようにしており、その際、接続端子の基板に対する位置決めは位置決め治具を用いて行うことになり、取付作業が面倒であるとともに、上記位置決め治具を取り付けた状態では半田付け作業が行いにくく、品質が安定しないという問題もあった。
さらに、特許文献3に示す構成の場合も、電子部品を基板に実装するために複雑な構成をなす接合連結部品を使用する構成になっており、やはり、電子部品を取り付けるための構成が複雑であるとともに多くの部品を要してしまうとともに、取付作業が面倒であるという問題があった。
又、請求項2による半導体取付構造によると、請求項1記載の半導体取付構造において、上記基板は上記ケースに突設された複数個の凸部を介して上記ケースに設置されており、ケースの熱膨張・収縮時にはそれら複数の凸部を介して基板が変位し、基板に設置されている半導体及び半田付けされたリード端子も基板とともに変位することになり、上記効果を奏することとができる。
又、請求項3による半導体取付構造によると、請求項2記載の半導体取付構造において、上記複数個の凸部は上記半導体の上記基板に対する接着・固定部位に設けられた放熱用凸部と基板固定用凸部であり、ケースの熱膨張・収縮時にはそれら放熱用凸部と基板固定用凸部を介して基板が変位し、基板に設置されている半導体及び半田付けされたリード端子も基板とともに変位することになり、上記効果を奏することとができる。
又、請求項4による半導体取付構造によると、請求項1〜請求項3の何れかに記載の半導体取付構造において、上記接着・固定は両面テープ又はシリコングリス又は接着剤によりなされる構成になっており、何れの場合もその構成は簡単であり組立も容易である。
又、請求項5による半導体取付構造によると、請求項1〜請求項4の何れかに記載の半導体取付構造において、上記基板の上記接着・固定部位には放熱用のスルーホールが設けられているので、効率よく放熱を行うことができる。
又、請求項6による半導体取付構造によると、請求項5記載の半導体取付構造において、上記スルーホール内には伝熱性材料が充填されているので、更に効率よく放熱を行うことができる。
又、請求項7による半導体取付構造によると、請求項6記載の半導体取付構造において、上記伝熱性材料は銅であるので、更に効率よく放熱を行うことができる。
又、請求項8による半導体取付構造によると、請求項1〜請求項7の何れかに記載の半導体取付構造において、上記基板と上記ケースとの間には放熱部が設けられているので、更に効率よく放熱を行うことができる。
又、請求項9による半導体取付構造によると、請求項8記載の半導体取付構造において、上記放熱部は放熱シート又はシリコングリスであり、何れの場合も効率良く放熱を行なうことができる。
又、請求項10による半導体取付構造によると、請求項1〜請求項9の何れかに記載の半導体取付構造において、半導体取付部位にポッティング剤を充填したので、半導体の固定をより確実なものとすることができるとともに、防湿機能を得ることができる。
又、請求項11による充電器によると、請求項1〜請求項10の何れかに記載の半導体取付構造を採用したので、簡易な構成により容易に半導体を取り付けることができる。
また、上記基板9には複数個(図では2個のみ示す)の取付用貫通孔25が形成されている。上記基板9は、基板固定用ネジ27を上記取付用貫通孔25を通して上記固定用凸部5の雌ネジ部7に螺合することによって上記ケース1に固定されている。また、上記ケース1の放熱用凸部3と上記基板9の上記放熱パッド19bの間には、放熱部としての放熱シート29が介挿されている。また、上記基板9の上記パワー半導体31を取り付けた部位には、図示しないポッティング剤が充填されている。
図1中下側の上記パワー半導体31の上記リード端子39aは上記スルーホール17aに挿入され、上記リード端子39bは上記スルーホール17bに挿入されている。また、図1中上側の上記パワー半導体31の上記リード端子39aは上記スルーホール15aに挿入され、上記リード端子39bは上記スルーホール15bに挿入され、上記リード端子39cは上記スルーホール15cに挿入されている。
図1中上側のパワー半導体31のリード端子39a、39b、39cも同様の構成で半田付けされている。
まず、図4を参照しながら、上記パワー半導体31のケース1への取付手順について説明する。
まず、図4(a)に示すように、上記基板9の放熱パッド19aに両面テープ33によってパワー半導体31、31を接着・固定する。
次に、図4(b)に示すように、上記パワー半導体31、31のリード端子39a〜39c、39a、39bを半田40a、40bによって半田付けする。
次に、図4(c)に示すように、上記基板9の裏面側の放熱パッド19bに、放熱シート29を貼り付ける。
次に、図1に示すように、固定用ネジ27を上記基板9の取付用貫通孔25を通して固定用凸部5の雌ネジ部7に螺合することにより上記基板9を上記ケース1に取付・固定する。
上記パワー半導体31から発せられる熱は、放熱板37、両面テープ33を介して基板9の放熱パッド19aに伝達される。上記放熱パッド19aに伝達された熱は放熱用スルーホール21、銅23を介して上記基板9の裏面側の放熱パッド19bに伝達される。上記放熱パッド19bに伝達された熱は、放熱シート29を介してケース1の放熱用凸部3に伝達され、上記ケース1を介して外部に放出される。
まず、パワー半導体31を両面テープ33によって基板9に接着・固定しているため、半導体取付構造3の構成の簡略化と上記パワー半導体31の取付作業の容易化を図ることができる。
また、上記ケース1が熱膨張・収縮すると、基板9は、放熱用凸部3、複数個の基板固定用凸部5を介して変位し、その際、基板9に接着・固定されているパワー半導体31、31は、半田付けされたリード端子39a〜39c、39a、39bとともに、上記基板と一体的に変位する。したがって、リード端子39a〜39c、39a、39bの半田付け部位に大きな負荷が掛かることはなく、半田付け部位におけるクラックの発生、それに起因した導通不良、導通不良に起因した出力停止や発火を防止することができる。
また、上記基板9は放熱器としてのケース1に取付・固定されているので、更に効率よく放熱を行うことができる。
また、上記ケース1には放熱用凸部3が設けられていて、この放熱用凸部3と上記基板9の上記放熱パッド19bの間には、放熱部としての放熱シート29が介挿されているので、更に効率よく放熱を行うことができる。
まず、前記一実施の形態の場合には、パワー半導体の固定を両面テープを使用して行ったが、それに限定されるものではなく、シリコングリスや接着剤を使用することも考えられる。
また、前記一実施の形態の場合には、放熱部として放熱シートを使用したが、それに限定されるものではなく、シリコングリスを用いる場合も考えられる。
また、前記一実施の形態の場合には、半導体の例としてパワー半導体を例に挙げて説明したが、それに限定されるものではない。
また、スルーホールに充填される伝熱性材料としては、銅の他にも、アルミ、等、様々な場合が考えられる。また、上記伝熱性材料としては、ポリマに銅やアルミ等の金属粉を混合したものも考えられる。
その他、図示した構成はあくまで一例でありそれに限定されるものではない。
9 基板
21 放熱用スルーホール
23 銅(伝熱性材料)
29 放熱シート(放熱部)
31 パワー半導体(半導体)
33 両面テープ
Claims (7)
- ケースと、 上記ケースに設置された基板と、 上記基板に両面テープを介して接着・固定されそのリード端子が上記基板に設けられたスルーホールに挿入されて貫通し上記基板に半田付けされた半導体と、 を具備し、 上記基板は上記ケースに突設された複数個の凸部を介して上記ケースに設置されていて、 上記複数個の凸部は上記半導体の上記基板に対する接着・固定部位に設けられた放熱用凸部と基板固定用凸部であり、 上記基板と上記放熱用凸部の間には放熱部が設けられていて、 上記両面テープは上記半導体の面積に対して上記半導体と上記スルーホールを結ぶ方向に沿って拡張して設けられていて、 上記放熱部は上記放熱用凸部の平坦部の面積に対して上記半導体と上記スルーホールを結ぶ方向に沿って拡張して設けられていることを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項1記載の半導体取付構造において、 上記基板の上記接着・固定部位には放熱用のスルーホールが設けられていることを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項2記載の半導体取付構造において、 上記スルーホール内には伝熱性材料が充填されていることを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項3記載の半導体取付構造において、 上記伝熱性材料は銅であることを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項1〜請求項4の何れかに記載の半導体取付構造において、 上記放熱部は放熱シート又はシリコングリスであることを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項1〜請求項5の何れかに記載の半導体取付構造において、 半導体取付部位にポッティング剤を充填したことを特徴とする半導体取付構造。
- 請求項1〜請求項6の何れかに記載の半導体取付構造を採用したことを特徴とする充電器。
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