JP6940997B2 - アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法 - Google Patents
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1質量%のAlB2(平均粒径D50=6.6μm)と12.4質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と86.6質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.48質量%)をボールミルにより作製し、この塗材を図1に示す鋳型10と同様の鋳型の金属回路板形成部の内面の略全面に略均一に(塗布量が略0.4mg/cm2になるように)スプレー塗布した。
3質量%のAlB2(平均粒径D50=6.6μm)と12.1質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と84.9質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.42質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数と、冷熱サイクル後の結晶粒界の段差の最大値を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は115個であり、結晶粒界の段差の最大値は140μmであった。
4質量%のAlB2(平均粒径D50=6.6μm)と12.0質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と84.0質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.40質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数と、冷熱サイクル後の結晶粒界の段差の最大値を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は92個であり、結晶粒界の段差の最大値は131μmであった。また、アルミニウム回路板の導電率を渦電流式導電率計(日本フェルスター株式会社製のシグマテスト2.069)により測定周波数480kHzで測定したところ、63.3%IACSであった。さらに、アルミニウム回路板の表面のビッカース硬さHvをマイクロビッカース硬度計(株式会社ミツトヨ製のHM−210)により試験荷重1kgfを5秒間加えて測定したところ、20.2であった。
5質量%のAlB2(平均粒径D50=6.6μm)と11.9質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と83.1質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.38質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数と、冷熱サイクル後の結晶粒界の段差の最大値を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は112個であり、結晶粒界の段差の最大値は122μmであった。
10質量%のAlB2(平均粒径D50=6.6μm)と11.3質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と78.8質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.26質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は316個であった。
1質量%のTiAl3(平均粒径D50=24μm)と12.4質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と86.6質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.48質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数と、冷熱サイクル後の結晶粒界の段差の最大値を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は375個であり、結晶粒界の段差の最大値は113μmであった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板の導電率と表面のビッカース硬さHvを測定したところ、導電率は62.1%IACSであり、ビッカース硬さHvは19.6であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板およびアルミニウムベース板のそれぞれの断面の10mm×0.4mmの領域内のアルミニウムの結晶粒の数を目視により数えたところ、アルミニウム回路板では16個であり、アルミニウムベース板では5個であった。
12.5質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBNと6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と87.5質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.50質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数と、冷熱サイクル後の結晶粒界の段差の最大値を求めた。その結果、アルミニウムの結晶粒の数は21個であり、結晶粒界の段差の最大値は179μmであった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板の導電率と表面のビッカース硬さHvを測定したところ、導電率は62.1%IACSであり、ビッカース硬さHvは20.3であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板およびアルミニウムベース板のそれぞれの断面の10mm×0.4mmの領域内のアルミニウムの結晶粒の数を目視により数えたところ、アルミニウム回路板では6個であり、アルミニウムベース板では4個であった。
1量%のTiB2(平均粒径D50=2.9μm)と12.4質量%の離型剤(昭和電工株式会社製のLBN FK−26(20質量%のBN(平均粒径D50=0.23μm)と6.5質量%の有機バインダーと73.5質量%の溶剤とからなる離型剤))と86.6質量%のメチルエチルケトンとからなる塗材(塗材中のBNの含有量は2.48質量%)を使用した以外は、実施例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数を求めたところ、37個であった。
純度99.9質量%(3N)のアルミニウム溶湯に代えて、0.4質量%のSiと0.04質量%のBと0.01質量%のFeを含み、残部がAlからなるアルミニウム合金溶湯を使用した以外は、比較例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数を求めたところ、1480個であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板の導電率と表面のビッカース硬さHvを測定したところ、導電率は59.4%IACSであり、ビッカース硬さHvは25.2であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板およびアルミニウムベース板のそれぞれの断面の10mm×0.4mmの領域内のアルミニウムの結晶粒の数を目視により数えたところ、アルミニウム回路板では31個であり、アルミニウムベース板では22個であった。
純度99.9質量%(3N)のアルミニウム溶湯に代えて、0.20〜0.6質量%のSiと0.35質量%以下のFeと0.10質量%以下のCuと0.10質量%以下のMnと0.45〜0.9質量%のMgと0.10質量%以下のCrと0.10質量%以下のZnと0.10質量%とその他の元素0.15質量%を含み、残部がAlからなるアルミニウム合金溶湯(JIS A6063合金の溶湯)を使用した以外は、比較例1と同様の方法により、アルミニウム−セラミックス接合基板を作製し、アルミニウム回路板の表面のアルミニウムの結晶粒の数を求めたところ、2212個であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板の導電率と表面のビッカース硬さHvを測定したところ、導電率は50.4%IACSであり、ビッカース硬さHvは43.8であった。また、実施例3と同様の方法により、アルミニウム回路板およびアルミニウムベース板のそれぞれの断面の10mm×0.4mmの領域内のアルミニウムの結晶粒の数を目視により数えたところ、アルミニウム回路板では32個であり、アルミニウムベース板では33個であった。
12 下側鋳型部材
12a アルミニウムベース板形成部
12b セラミックス基板収容部
12c アルミニウム回路板形成部
14 上側鋳型部材
14a 注湯口
20 セラミックス基板
22 アルミニウム回路板
24 アルミニウムベース板
Claims (12)
- アルミニウム板を形成する空間であるアルミニウム板形成部と、このアルミニウム板形成部内に形成されるアルミニウム板の一方の面にセラミックス基板が当接するようにセラミックス基板を収容する空間であるセラミックス基板収容部とが内部に形成された鋳型を用意し、この鋳型のアルミニウム板形成部の内面にホウ化アルミニウムおよびチタン−アルミニウム系金属化合物の少なくとも一方からなる結晶粒微細化剤と離型剤とを含む塗材を塗布し、この鋳型内にセラミックス基板を配置し、このセラミックス基板の一方の面に接触するようにアルミニウム溶湯を鋳型内に注湯した後にアルミニウム溶湯を冷却して固化させることにより、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム板を形成して直接接合させることを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記ホウ化アルミニウムが二ホウ化アルミニウムおよび十二ホウ化アルミニウムの少なくとも一方であることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記チタン−アルミニウム系金属化合物がTiAl3であることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記塗材中の結晶粒微細化剤の含有量が0.1〜15質量%であることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記離型剤が窒化ホウ素を含むことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記塗材中の離型剤の含有量が20質量%以下であることを特徴とする、請求項1乃至5のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記塗材が溶剤を含むことを特徴とする、請求項1乃至6のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記塗材の塗布がスプレー塗布によって行われることを特徴とする、請求項1乃至7のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記鋳型の内部に、アルミニウムベース板を形成する空間であるアルミニウムベース板形成部が形成され、前記アルミニウム溶湯を前記鋳型内に注湯して前記セラミックス基板の一方の面に接触させる際に前記セラミックス基板の他方の面に接触させて、前記セラミックス基板の一方の面にアルミニウム板を形成して直接接合させる際に前記セラミックス基板の他方の面にアルミニウムベース板を形成して直接接合させることを特徴とする、請求項1乃至8のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- セラミックス基板の一方の面にアルミニウム板が直接接合するとともに他方の面にアルミニウムベース板が直接接合したアルミニウム−セラミックス接合基板を厚さ方向に切断した断面において、アルミニウム板およびアルミニウムベース板のそれぞれの断面の10mm×0.4mmの領域内のアルミニウムの結晶粒が、それぞれ10個以上および8個以下であることを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウム板のビッカース硬さHvが23以下であることを特徴とする、請求項10に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウム板の導電率が60%IACS以上であることを特徴とする、請求項10または11に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
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