JP6938498B2 - 電子源およびその製造方法 - Google Patents
電子源およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6938498B2 JP6938498B2 JP2018528468A JP2018528468A JP6938498B2 JP 6938498 B2 JP6938498 B2 JP 6938498B2 JP 2018528468 A JP2018528468 A JP 2018528468A JP 2018528468 A JP2018528468 A JP 2018528468A JP 6938498 B2 JP6938498 B2 JP 6938498B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- electron emission
- limiting material
- emission limiting
- electron source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
- H01J1/148—Solid thermionic cathodes characterised by the material with compounds having metallic conductive properties, e.g. lanthanum boride, as an emissive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30403—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2201/30426—Coatings on the emitter surface, e.g. with low work function materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/01—Generalised techniques
- H01J2209/012—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06325—Cold-cathode sources
- H01J2237/06341—Field emission
Description
(1)電子放出材料と、前記電子放出材料の側面を被覆する電子放出制限材料とを有する電子源であって、前記電子放出制限材料の仕事関数が前記電子放出材料の仕事関数よりも高く、前記電子放出制限材料の熱輻射率が電子放出材料の熱輻射率よりも低いことを特徴とする電子源。
(2)前記電子放出材料が、ホウ化ランタン、ホウ化セリウム及びイリジウムセリウムの少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする(1)に記載の電子源。
(3)前記電子放出材料の側面が、(100)面の結晶面を外周部に備えることを特徴とする(1)または(2)に記載の電子源。
(4)前記電子放出制限材料が、金属タンタル、金属チタン、金属ジルコニウム、金属タングステン、金属モリブデン、金属レニウム、炭化タンタル、炭化チタン及び炭化ジルコニウムから少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする(1)〜(3)のいずれか一項に記載の電子源。
(5)前記電子放出材料の端面と前記電子放出制限材料の端面とが同一平面上にあり、かつ、その平面の法線が電子の放出方向であることを特徴とする(1)〜(4)のいずれか一項に記載の電子源。
(6)前記電子放出制限材料は、薄膜である、(1)〜(5)のいずれか一項に記載の電子源。
(7)前記薄膜は、厚さが0.1〜2μmである、(6)に記載の電子源。
(8)前記電子放出制限材料の周囲に支持部材を備えることを特徴とする(1)〜(7)のいずれか一項に記載の電子源。
(9)前記支持部材は、前記電子放出制限材料に密着している、(8)に記載の電子源。
(10)前記支持部材は、黒鉛からなる、(8)又は(9)に記載の電子源。
(11)(1)〜(10)のいずれか1項に記載の電子源の製造方法であって、塗布工程と、固化工程を備え、前記塗布工程では、前記電子放出制限材料を含むペーストを前記電子放出材料の側面に塗布し、前記固化工程では、前記ペーストを固化させる、電子源の製造方法。
(12)前記塗布工程と前記固化工程の間に挿入工程を備え、前記挿入工程では、前記ペーストが塗布された前記電子放出材料が、支持部材に設けられた開口内に挿入される、(11)に記載の電子源の製造方法。
図1〜図2に示すように、本発明の一実施形態にかかる電子源1は、電子放出材料3と、電子放出材料3の側面3bを被覆する電子放出制限材料4とを有する。電子放出制限材料4の仕事関数は、電子放出材料3の仕事関数よりも高い。電子放出制限材料4の熱輻射率は、電子放出材料3の熱輻射率よりも低い。好ましくは、電子放出制限材料4の周囲に、支持部材5が設けられる。
電子放出材料3は、加熱によって電子を放出する材料であり、電子放出材料3の例としては、ホウ化ランタン(LaB6)、ホウ化セリウム(CeB6)などの希土類ホウ化物及びイリジウムセリウム(Ir5Ce)が挙げられる。仕事関数と熱輻射率はそれぞれ、ホウ化ランタン:2.8eV、0.77、ホウ化セリウム:2.8eV、0.76、イリジウムセリウム:2.6eV、0.45である。
電子放出制限材料4は、電子放出材料3よりも仕事関数が高く、電子放出材料3よりも熱輻射率よりも低い材料である。電子放出制限材料4の仕事関数が電子放出材料3よりも高いために、電子放出制限材料4で電子放出材料3の側面3bを被覆することによって電子放出材料3の側面3bからの電子の放出が抑制される。また、電子放出制限材料4の熱輻射率が電子放出材料3よりも低いために、電子放出制限材料4で電子放出材料3の側面3bを被覆することによって電子放出材料3の温度上昇が抑制される。また、電子放出制限材料4は、支持部材5よりも熱輻射率が低いことが好ましい。この場合、電子放出材料3の温度上昇がさらに抑制される。
本実施形態では、電子放出制限材料4の周囲に支持部材5が設けられている。支持部材5を設けることによって電子放出制限材料4が損傷することが抑制される。支持部材5は任意の要素であり、不要な場合には省略可能である。
次に、電子源1の製造方法について説明する。電子源1は、電子放出材料3の側面3bを電子放出制限材料4で被覆することによって形成することができる。その方法としては、蒸着(CVDやPVD)によって電子放出制限材料4の薄膜を側面3bに形成する方法や、電子放出制限材料4を含むペースト4pを電子放出材料3の側面3bに塗布した後にペースト4pを固化する方法が例示される。後者の方法は、製造設備が簡易である点で優れており、以下、後者の方法を詳細に説明する。
図2A〜図2Bに示すように、塗布工程では、電子放出制限材料4を含むペースト4pを電子放出材料3の側面3bに塗布する。ペースト4pは側面3bの全体に塗布してもよく、図2Bに示すように先端3c近傍以外の部位に塗布してもよい。ペースト4pは、固化工程後の厚さが上述した電子放出制限材料4の厚さになるように塗布することが好ましい。電子源1が支持部材5を備える場合には、ペースト4pは、開口5dの内面と電子放出材料3の外面の間の隙間を充填可能な厚さで形成することが好ましい。
図2B〜図2Cに示すように、挿入工程では、ペースト4pが塗布された電子放出材料3が、支持部材5に設けられた開口5d内に挿入される。
次に、図2C〜図2Dに示すように、ペースト4pが塗布された電子放出材料3が開口5dに挿入された状態で、真空加熱処理を行うことによってペースト4pを固化させて、電子放出制限材料4の薄膜で電子放出材料3を被覆することができる。また、ペースト4pの固化によって電子放出材料3及び電子放出制限材料4を支持部材5に固定することができる。
次に、電子放出材料3の先端3cを研磨紙あるいはラッピングフィルムなどの研磨部材を用いて研磨する。こうすることで、電子放出材料3の端面3a、電子放出制限材料4の端面4a、及び支持部材5の端面5cが同一平面上にあるようになり、図1に示す電子源1が得られる。
(実施例1)
電子放出材料3として、ホウ化ランタン単結晶を<100>方向を長軸とした直径0.1mm×1mmの形状の円柱状の棒を放電加工により作製した。側面の結晶方位を限定する事は難しいが、(100)からは約45度ずれていた。
電子放出制限材料4として、タンタル粉の代わりに、タンタル粉と炭化ホウ素(商品名:デンカボロンカーバイド#1000)を表2に示す体積比率で混合した粉体を用いた点、及びペースト4pを固化させる温度を1550℃に変更した以外は、実施例1と同様の方法で電子源1を得た。
電子放出材料3として、ホウ化ランタンの代わりに、ホウ化セリウムを用いた点以外は、実施例1と同様の方法で電子源1を得た。
電子放出材料3として、<100>方向を長軸としたホウ化ランタン単結晶の側面に放電加工を施して、縦0.1mm×横0.1mm×長さ1mmの四角柱形状の棒を作製した。放電加工は、(100)面の結晶面が外周部となるように施した。
タンタルの代わりに、表2に示す種類の金属を用いた点以外は、実施例5と同様の方法で電子源1を得た。
ペーストとしてコロイド状カーボンのみを使用した以外は、実施例1と同じプロセスで電子源1を作製した。
ペーストとしてコロイド状カーボンのみを使用した以外は、実施例4と同じプロセスで電子源1を作製した。
電子放出制限材料4として、タンタル粉の代わりに、タンタル粉と炭化ホウ素を表2に示す体積比率で混合した粉体を用いた以外は、実施例1と同じプロセスで電子源1を作製した。
まず、電子源1を支柱に組み付け、黒鉛ヒーターで挟んだ。次に、耐熱性評価を目的として、電子源1を10−5Pa台の真空下で通常動作時の温度である1550℃で2週間連続加熱後に取り出し、電子放出材料3の外周部の消耗状態を走査型電子顕微鏡により端面3a側から観察し、電子放出部となる端面3aの残存径を測定した。その結果を表2に示す。
3 :電子放出材料
3a :端面
3b :側面
3c :先端
3d :開口
4 :電子放出制限材料
4a :端面
4p :ペースト
5 :支持部材
5a :側面
5b :テーパー面
5c :端面
5d :開口
Claims (11)
- 電子放出材料と、前記電子放出材料の側面を被覆する電子放出制限材料とを有する電子源であって、
前記電子放出制限材料の仕事関数が前記電子放出材料の仕事関数よりも高く、前記電子放出制限材料の熱輻射率が電子放出材料の熱輻射率よりも低く、
前記電子放出制限材料の周囲に支持部材を備え、
前記電子放出材料の端面と、前記電子放出制限材料の端面と、前記支持部材の端面と、が同一平面上にあることを特徴とする電子源。 - 前記電子放出材料が、ホウ化ランタン、ホウ化セリウム及びイリジウムセリウムの少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子源。
- 前記電子放出材料の側面が、(100)面の結晶面を外周部に備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電子源。
- 前記電子放出制限材料が、金属タンタル、金属チタン、金属ジルコニウム、金属タングステン、金属モリブデン、金属レニウム、炭化タンタル、炭化チタン及び炭化ジルコニウムから少なくとも一つ以上を含むことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の電子源。
- 前記同一平面の法線が電子の放出方向であることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の電子源。
- 前記電子放出制限材料は、薄膜である、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の電子源。
- 前記薄膜は、厚さが0.1〜2μmである、請求項6に記載の電子源。
- 前記支持部材は、前記電子放出制限材料に密着している、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の電子源。
- 前記支持部材は、黒鉛からなる、請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の電子源。
- 請求項1〜請求項9のいずれか1項に記載の電子源の製造方法であって、
塗布工程と、固化工程を備え、
前記塗布工程では、前記電子放出制限材料を含むペーストを前記電子放出材料の側面に塗布し、
前記固化工程では、前記ペーストを固化させる、電子源の製造方法。 - 前記塗布工程と前記固化工程の間に挿入工程を備え、
前記挿入工程では、前記ペーストが塗布された前記電子放出材料が、支持部材に設けられた開口内に挿入される、請求項10に記載の電子源の製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016141785 | 2016-07-19 | ||
JP2016141785 | 2016-07-19 | ||
JP2017063016 | 2017-03-28 | ||
JP2017063016 | 2017-03-28 | ||
PCT/JP2017/023933 WO2018016286A1 (ja) | 2016-07-19 | 2017-06-29 | 電子源およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018016286A1 JPWO2018016286A1 (ja) | 2019-05-09 |
JP6938498B2 true JP6938498B2 (ja) | 2021-09-22 |
Family
ID=60992988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018528468A Active JP6938498B2 (ja) | 2016-07-19 | 2017-06-29 | 電子源およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10553390B2 (ja) |
EP (2) | EP4156226A3 (ja) |
JP (1) | JP6938498B2 (ja) |
KR (1) | KR102399340B1 (ja) |
CN (1) | CN109478484B (ja) |
WO (1) | WO2018016286A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6761522B1 (ja) * | 2019-09-02 | 2020-09-23 | 株式会社コベルコ科研 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
JP6922054B2 (ja) * | 2019-09-02 | 2021-08-18 | 株式会社コベルコ科研 | 電子ビーム生成用カソード部材およびその製造方法 |
US11417492B2 (en) | 2019-09-26 | 2022-08-16 | Kla Corporation | Light modulated electron source |
EP4131327A4 (en) * | 2020-04-21 | 2023-07-05 | Denka Company Limited | ELECTRON SOURCE, METHOD FOR THE MANUFACTURE, TRANSMITTER, AND DEVICE COMPRISING THEM |
US20230317395A1 (en) * | 2020-04-21 | 2023-10-05 | Denka Company Limited | Electron source and method for manufacturing same, and emitter and device provided with same |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5745642Y2 (ja) | 1977-02-02 | 1982-10-07 | ||
JPS5514646A (en) | 1978-07-17 | 1980-02-01 | Toshiba Corp | Electron gun |
JPS5796437A (en) * | 1980-12-09 | 1982-06-15 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Thermion emission cathode |
DE3106479C2 (de) | 1981-02-21 | 1984-11-22 | Pierburg Gmbh & Co Kg, 4040 Neuss | Verfahren und Anordnung zum Regeln einer Wegstrecke in Abhängigkeit von einer variablen Führungsgröße |
US4468586A (en) | 1981-05-26 | 1984-08-28 | International Business Machines Corporation | Shaped electron emission from single crystal lanthanum hexaboride with intensity distribution |
US4486684A (en) | 1981-05-26 | 1984-12-04 | International Business Machines Corporation | Single crystal lanthanum hexaboride electron beam emitter having high brightness |
US4760306A (en) | 1983-06-10 | 1988-07-26 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Electron emitting filaments for electron discharge devices |
JPH03147225A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-06-24 | Hitachi Medical Corp | 電子銃 |
JP2000173900A (ja) | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該照明装置を用いた電子ビーム露光装置 |
JP3825336B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2006-09-27 | 双葉電子工業株式会社 | ナノカーボンの製造方法及びナノカーボンの製造装置 |
JP2005190758A (ja) | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 電子源 |
US7176610B2 (en) | 2004-02-10 | 2007-02-13 | Toshiba Machine America, Inc. | High brightness thermionic cathode |
JP4792404B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2011-10-12 | 電気化学工業株式会社 | 電子源の製造方法 |
JP5065903B2 (ja) * | 2005-11-08 | 2012-11-07 | 株式会社アドバンテスト | 露光方法 |
JP4951477B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2012-06-13 | 電気化学工業株式会社 | 電子放出源 |
JP4939565B2 (ja) | 2009-04-06 | 2012-05-30 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光装置 |
JP5595199B2 (ja) | 2010-09-23 | 2014-09-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子銃および電子銃を用いた電子ビーム描画装置 |
DE102010049521B3 (de) * | 2010-10-25 | 2012-04-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zum Erzeugen eines Elektronenstrahls |
US9165737B2 (en) | 2012-10-04 | 2015-10-20 | Nuflare Technology, Inc. | High-brightness, long life thermionic cathode and methods of its fabrication |
US9852871B1 (en) * | 2016-06-03 | 2017-12-26 | Tsinghua University | Detecting system based on terahertz wave |
-
2017
- 2017-06-29 CN CN201780044499.8A patent/CN109478484B/zh active Active
- 2017-06-29 KR KR1020197003735A patent/KR102399340B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-29 US US16/317,640 patent/US10553390B2/en active Active
- 2017-06-29 EP EP22195463.9A patent/EP4156226A3/en active Pending
- 2017-06-29 JP JP2018528468A patent/JP6938498B2/ja active Active
- 2017-06-29 EP EP17830806.0A patent/EP3489986A4/en not_active Ceased
- 2017-06-29 WO PCT/JP2017/023933 patent/WO2018016286A1/ja unknown
-
2019
- 2019-12-09 US US16/707,877 patent/US10957511B2/en active Active
-
2021
- 2021-02-17 US US17/177,944 patent/US11152185B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109478484B (zh) | 2022-05-06 |
EP4156226A2 (en) | 2023-03-29 |
KR20190030703A (ko) | 2019-03-22 |
US10553390B2 (en) | 2020-02-04 |
US20190221399A1 (en) | 2019-07-18 |
US10957511B2 (en) | 2021-03-23 |
CN109478484A (zh) | 2019-03-15 |
WO2018016286A1 (ja) | 2018-01-25 |
US20200126750A1 (en) | 2020-04-23 |
US20210193427A1 (en) | 2021-06-24 |
EP3489986A1 (en) | 2019-05-29 |
EP3489986A4 (en) | 2019-12-18 |
KR102399340B1 (ko) | 2022-05-17 |
US11152185B2 (en) | 2021-10-19 |
EP4156226A3 (en) | 2023-06-14 |
JPWO2018016286A1 (ja) | 2019-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6938498B2 (ja) | 電子源およびその製造方法 | |
JP6212327B2 (ja) | 熱陰極、電子放射装置、及び熱陰極の製造方法 | |
JP5204124B2 (ja) | スパッタリングターゲット修復用の方法 | |
JP4914970B2 (ja) | 放電ランプ用電極およびその製法 | |
WO2016140177A1 (ja) | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 | |
CN101823688A (zh) | 碳纳米管复合材料及其制备方法 | |
US20160243636A1 (en) | Brazing joining method of cnt assemblies on substrates using an at least ternary brazing alloy; corresponding brazing material and device comprising such assembly | |
JP6564881B2 (ja) | X線陽極 | |
US9240301B1 (en) | Thermal-field type electron source composed of transition metal carbide material with artificial facet | |
JP2014102929A (ja) | カソード、カソードの製造方法 | |
JP6721208B2 (ja) | ショートアーク放電ランプ用電極 | |
WO2019107113A1 (ja) | エミッタ、それを用いた電子銃、それを用いた電子機器、および、その製造方法 | |
JPH11265653A (ja) | 電極、及びその電極を有する表示装置 | |
JP2004250725A (ja) | 電極用硼化物セラミックス、およびそれを用いた電極、ならびに電極用硼化物セラミックスの製造方法 | |
WO2021215335A1 (ja) | 電子源及びその製造方法、並びにエミッター及びこれを備える装置 | |
JP2010090435A (ja) | トレー | |
JP6116200B2 (ja) | 放電ランプ用電極の製造方法 | |
JP2011044254A (ja) | 電子放出素子、及び、電子放出素子の作製方法 | |
WO2021215330A1 (ja) | 電子源及びその製造方法、並びにエミッター及びこれを備える装置 | |
WO2015011927A1 (ja) | ショートアーク放電ランプ用電極およびその製法 | |
JP2009295376A (ja) | 熱電子放射陰極 | |
JP5670708B2 (ja) | ショートアーク放電灯用電極及びその製造方法 | |
JP2023036830A (ja) | 電子源及びその製造方法、並びに電子源を備える装置 | |
JP2004269270A (ja) | カーボンナノチューブ製造用炭素材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20181109 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210416 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210817 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6938498 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |