JP6937822B2 - セラミックのハニカム体の位置合わせ、検査および製造装置並びに方法 - Google Patents

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関連出願の相互参照

本願は、米国特許法第１１９条の下、２０１６年７月２９日出願の米国仮特許出願第６２／３６８，７２６号の優先権の利益を主張し、その内容は依拠され、全体として参照により本明細書に組み込まれる。

本開示の例示的な実施形態は、セラミックのハニカム体の製造装置および方法に関し、特に、セラミックのハニカム体の製造において、それを自動的に位置合わせする装置および方法に関する。

内燃機関からの排気ガスの後処理は、表面積が広い基体に支持された触媒を用い、ディーゼル機関、および、いくつかのガソリン直接噴射機関の場合には、炭素スス粒子を除去するための触媒付きフィルタを使用しうる。これらの利用例において、多孔質でセラミックの貫流ハニカム基体および壁流ハニカムフィルタを、使用しうる。

この背景技術の章で記載した情報は、単に、本開示の背景技術の理解を助けるためのものであり、したがって、先行技術の一部も、先行技術が当業者に示唆しうる技術も形成しない情報を、含みうる。

本開示の例示的な実施形態は、セラミックのハニカム体を自動的に検査する方法を提供する。

本開示の例示的な実施形態は、セラミックのハニカム体を自動的に位置合わせする方法も提供する。

本開示の例示的な実施形態は、セラミックのハニカム体を自動的に検査する検査装置も提供する。

本開示の例示的な実施形態は、セラミックのハニカム体を自動的に位置合わせする位置合わせ装置も提供する。

例示的な実施形態は、光を、第１の端部、第１の端部の反対側の第２の端部、および、第１の端部から第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、第１の端部に向ける工程を含む方法を、開示する。その方法は、向けられた光の一部を、セラミックのハニカム体の一部によって遮る工程と、レンズを通して、第２の端部を、遮られた光の第１の部分として、更に、側面の一部を、遮られた光の第２の部分として、結像する工程と、遮られた光の第１の部分、および、遮られた光の第２の部分の画像を撮影する工程と、撮影した画像の少なくとも一部を分析する工程と、セラミックのハニカム体、または、レンズの少なくとも１つを、分析に基づいて調節し、セラミックのハニカム体とレンズの光軸とを互いに位置合わせする工程とを含む。

その方法の様々な実施形態を用いて、（ｉ）セラミックのハニカム体を自動的に位置合わせするか、（ｉｉ）セラミックのハニカム体を自動的に検査するか、および／または、（ｉｉｉ）セラミックのハニカム体の製造で使用しうる。

いくつかの実施形態において、分析する工程は、画像内の第２の部分を検出する工程を含むものである。

いくつかの実施形態において、分析する工程は、第２の部分の面積を計算する工程を含むものである。

いくつかの実施形態において、分析する工程は、第１の部分に対する第２の部分の位置を特定する工程を含むものである。

いくつかの実施形態において、ハニカム体は、第１の端部から第２の端部に延伸するセル流路を含むものであり、調節する工程は、セル流路を、レンズの光軸に位置合わせするものである。

いくつかの実施形態において、セル流路の第１の部分は、第１の端部での塞ぎ部を含み、セル流路の第２の部分は、第２の端部での塞ぎ部を含むものである。

いくつかの実施形態において、その方法は、セル流路の第１の部分または第２の部分の少なくとも１つの一部を通り抜け向けられた光を、検出する工程を、更に含む。

いくつかの実施形態において、その方法は、検出した光を、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けた光として識別する工程を、更に含む。

いくつかの実施形態において、その方法は、欠陥のある塞ぎ部を識別した際に、セラミックのハニカム体の識別子、または、欠陥のある塞ぎ部の位置の少なくとも１つを記録する工程を、更に含む。

いくつかの実施形態において、レンズは、テレセントリックレンズを含むものである。

いくつかの実施形態において、光を向ける工程は、拡散光または平行光の少なくとも１つを向ける工程を含むものである。

例示的な実施形態は、光を、第１の端部、第１の端部の反対側の第２の端部、および、第１の端部から第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、第１の端部に向けるように構成された光源を含む装置も開示する。その装置は、セラミックのハニカム体の第１の端部に向けられた光の少なくとも一部を受光するように構成されたレンズと、受光した光から側面の一部を含む画像を撮影するように構成された撮像装置とを含む。その装置は、セラミックのハニカム体を支持するように構成された支持チャック部と、撮影した画像を受信し、撮影した画像を、側面の一部に基づいて分析し、支持チャック部またはレンズの少なくとも１つを、分析に基づいて調節し、セラミックのハニカム体とレンズの光軸を位置合わせするように構成された制御部とを含む。

その装置を、セラミックのハニカム体を検査するか、セラミックのハニカム体を位置合わせするか、および／または、セラミックのハニカム体の製造で使用しうる。

いくつかの実施形態において、光源は、拡散光源または平行光源の少なくとも１つを含むものである。

いくつかの実施形態において、レンズは、テレセントリックレンズを含むものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、画像内の側面の一部を検出するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、画像内の側面の一部の面積を計算するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、画像内の側面の一部の位置を計算するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、ハニカム体は、第１の端部から第２の端部に延伸するセル流路を含むものであり、制御部は、セル流路を、レンズの光軸に位置合わせするように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、セル流路の第１の部分は、第１の端部での塞ぎ部を含み、セル流路の第２の部分は、第２の端部での塞ぎ部を含むものであり、制御部は、光源からセル流路の第１の部分または第２の部分の少なくとも１つの一部を通った光を、検出するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、検出した光を、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けた光として識別するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、欠陥のある塞ぎ部を識別した際に、セラミックのハニカム体の識別子、または、欠陥のある塞ぎ部の位置の少なくとも１つを記録するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、撮像装置は、受光した光から画像を撮影する検出器を有するカメラを含むものである。

いくつかの実施形態において、セラミックのハニカム体を支持チャック部に配置するように構成された搬送装置を更に含み、流路とレンズの光軸とが、ヨー角またはピッチ角の少なくとも１つについて、位置がずれたものである。

例示的な実施形態は、方法も開示し、その方法は、第１の端部、および、第１の端部の反対側の第２の端部を含むセラミックのハニカム体を、初期位置に配置する工程と、光を、セラミックのハニカム体の第１の端部に向ける工程と、セラミックのハニカム体の第２の端部の複数の画像を撮影する工程と、複数の画像を分析して、セラミックのハニカム体内の欠陥を識別する工程とを含み、複数の画像を撮影する工程は、（ｉ）セラミックのハニカム体の第２の端部の画像を撮影する工程と、（ｉｉ）セラミックのハニカム体を、他の位置に、ある量で一段階回転させる工程と、（ｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、（ｉｖ）カウンタが予め設定した値に達するまで、（ｉ）から（ｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程とを含むものである。

いくつかの実施形態において、一段階の量は、正の量である。

いくつかの実施形態において、複数の画像を撮影する工程は、（ｖ）セラミックのハニカム体を、初期位置に再設定する工程と、（ｖｉ）セラミックのハニカム体を、他の位置に、負の量で一段階回転させる工程と、（ｖｉｉ）セラミックのハニカム体の第２の端部の画像を撮影する工程と、（ｖｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、（ｉｘ）カウンタが第２の予め設定した値に達するまで、（ｖｉ）から（ｖｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程とを更に含むものである。

いくつかの実施形態において、セラミックのハニカム体を他の位置に回転させる工程は、セラミックのハニカム体を、ヨー軸を中心として回転させる工程、または、セラミックのハニカム体を、ピッチ軸を中心として回転させる工程の少なくとも１つを含むものである。

いくつかの実施形態において、セラミックのハニカム体を、他の位置に、その量で一段階回転させる工程は、セラミックのハニカム体を、ヨー軸を中心として回転させる工程を含むものである。

いくつかの実施形態において、複数の画像を撮影する工程は、（ｖ）セラミックのハニカム体を、初期位置に再設定する工程と、（ｖｉ）セラミックのハニカム体を、他の位置に、ピッチ軸を中心として、第２の量で一段階回転させる工程と、（ｖｉｉ）セラミックのハニカム体の第２の端部の画像を撮像する工程と、（ｖｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、（ｉｘ）カウンタが第２の予め設定した値に達するまで、（ｖｉ）から（ｖｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程とを更に含むものである。

いくつかの実施形態において、複数の画像を分析して、セラミックのハニカム体内の欠陥を識別する工程は、セラミックのハニカム体の流路内の欠陥のある塞ぎ部を識別する工程を含むものである。

例示的な実施形態は、装置を開示し、その装置は、光を、第１の端部、および、第１の端部の反対側の第２の端部を有するセラミックのハニカム体の、第１の端部に向けるように構成された光源と、セラミックのハニカム体の第１の端部に向けられた光の少なくとも一部を受光するように構成されたレンズと、受光した光から画像を撮影するように構成された撮像装置と、セラミックのハニカム体を支持し、更に、セラミックのハニカム体を、異なる位置に回転させるように構成された支持チャック部と、制御部とを含み、制御部は、（ｉ）支持チャック部を、支持チャック部が、セラミックのハニカム体を、他の位置に、ある量で一段階回転させるように制御し、（ｉｉ）カウンタの値を増加させ、カウンタが予め設定した値に達するまで、（ｉ）および（ｉｉ）の工程を繰り返し、セラミックのハニカム体の複数の異なる位置で撮影した、受光した光の複数の画像を受信し、複数の画像を分析して、セラミックのハニカム体内の欠陥を識別するように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、セラミックのハニカム体を、ヨー軸またはピッチ軸の少なくとも１つを中心として回転させるように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、制御部は、セラミックのハニカム体を、ヨー軸とピッチ軸の両方を中心として回転させるように構成されたものである。

いくつかの実施形態において、セラミックのハニカム体の欠陥は、セラミックのハニカム体の流路内の欠陥のある塞ぎ部を含むものである。

本開示の更なる特徴を以下の記載に示し、それは、部分的には、以下の記載から明らかであるか、または、本開示を実施することにより、分かるだろう。

ここまでの概略的記載と、以下の詳細な記載の両方が、例示的であると共に、説明のためのものであり、本開示を更に説明することを意図していると、理解すべきである。

添付の図面は、本開示の更なる理解のために含められたものであり、本明細書に組み込まれ、その一部を形成するものであり、それらの図面は、本開示の例示的な実施形態を示し、明細書の記載と共に、本開示の原理を説明する役割を果たす。

本開示の例示的な実施形態による検査装置を概略的に示す側面図である。 本開示の例示的な実施形態による検査装置の支持チャック部に支持された対象部分の拡散光源に向いた端面図を示している。 本開示の例示的な実施形態による検査装置を概略的に示す側面図である。 図２の本開示の例示的な実施形態による検査装置の支持チャック部に支持された対象部分の拡散光源に向いた端面図であり、被膜の位置および幅を示している。 本開示の例示的な実施形態による撮像システムの光軸に対する対象部分の角度θを、概略的に示している。 傾いた対象部分の第２の端部の端面図である。 本開示の例示的な実施形態による図６の第２の端部の拡大図であり、セルの長さ、および、セルの幅を示し、画像のアスペクト比を、長さ／幅として定義しており、傾いた対象部分は、１より大きいセルのアスペクト比を示している。 対象部分が位置合わせされて、アスペクト比が１の場合の、図７の第２の端面を概略的に示している。 本開示の例示的な実施形態による検査装置の側面図、セルの形状、および、セル内の強度プロファイルを、位置合わせされた状態と、正と負のピッチ角について、概略的に示している。 本開示の例示的な実施形態による検査装置において、セラミックのハニカム体を位置合わせして、分析する例示的な方法を、概略的に示すフローチャートである。 本開示の更なる例示的な実施形態による検査装置において、セラミックのハニカム体を位置合わせして、分析する他の例示的な方法を、概略的に示すフローチャートである。 本開示の更なる例示的な実施形態による検査装置において、セラミックのハニカム体を分析する他の例示的な方法を、概略的に示すフローチャートである。

多孔質でセラミックのハニカム体は、セラミック粉末バッチ混合物を可塑化し、その混合物をハニカム状の押出成形金型に通して押出成形して、ハニカム状の押出成形物を形成し、更に、押出成形物を切断、乾燥、更に、焼成して、高い強度と耐熱性を有して、第１の端面から第２の端面に軸方向に延伸する流路を有するセラミックのハニカム体を製造する工程によって、製造しうる。本明細書で用いたように、セラミックのハニカム体は、一体型のセラミックのハニカム体、および、分割型のセラミックのハニカム体を含む。

共押出成形されたか、または、後から被覆された外側の被膜が、セラミックのハニカム体の軸方向の外周面を形成しうる。本明細書において、軸方向の外周面を、セラミックのハニカム体の側面と称する。ハニカム体の各流路は、一体型か分割型かに関わらず、入口面または出口面で塞がれて、フィルタを生成しうる。いくつかの流路が塞がれていないままの場合には、部分的フィルタを生成しうる。ハニカム体は、一体型か分割型かに関わらず、触媒を与えられて、基体を生成しうる。更に、フィルタおよび部分的フィルタに触媒を与えて、多機能としうる。このように製造したセラミックのハニカム体は、自動車排気ガスシステムのセラミックの触媒支持体として、並びに、ススおよび他の微粒子をエンジンの排気ガスから除去する触媒支持体、および、壁流微粒子フィルタとして、広く使用される。

セラミックのハニカム体を製造するのに、営業的に成功している処理には、大きくて、共に回転させる一対のスクリュー押出成形器を、混合、および、セラミックのハニカム状の押出成形物の押出成形に、用いたものがある。ラム押出成形、押圧、鋳造、噴霧、および、３次元プリントが、セラミックのハニカム体を製造するための他の処理である。

本開示の例示的な実施形態は、ハニカム体を自動的に検査する装置、および、セラミックのハニカム体を自動的に検査する方法を提供する。これらの例示的な実施形態によれば、対象部分を検査システムの光軸と自動的に位置合わせして、欠陥を見つるけるために、基体を撮像する装置および方法を、提供する。

自動ライトボックスシステムを用いて作業することで、ライトボックスを用いた方法は、その処理が繰返し自在の位置合わせ方法を有さない場合には、低い繰返し自在性が示すことが分かった。手動ライトボックス検査を用いた経験、および、実験室での実験からは、欠陥部の外観は、検査する部分の向きに小さい変化量で異なることが明らかになった。対象部分の平行流路の空間での向きを、自動的に繰返し自在で正確に検出することで、繰返し自在に画像分析および欠陥検出を行うための画像を、繰返し自在に提供しうることが分かった。

フィルタを塞いだ後に、光漏れ部がないかを検査しうる。本明細書で用いたように、光漏れ部は、セル流路において、検査中に光を通す欠陥のある塞ぎ部のことを称し、その検査は、塞がれたセル流路の一端に、光を照らして、その塞がれた部分を通った光を検査する工程を含む。自動ライトボックス（ＡＬＢ）として知られた自動システムを用いて光漏れ部を検査する工程は、米国特許第８，０４９，８７８ Ｂ２号明細書に記載されており、その内容は、全体として、参照により、本明細書に完全に示されたものとして組み込まれる。ＡＬＢシステムにおいて、対象部分は、その面を下に向けて、透明なプラスチック面上に支持される。ＡＬＢシステムのライトボックスは、光を、透明のプラスチックを通して、対象部分の支持された面に向け、次に、対象部分の反対側の面から出射された光を、撮像する。フィルタを通り抜ける光は、光漏れ部のものであり、欠如しているか、部分的か、破損しているか、または、浅い塞ぎ部であることを示す。ＡＬＢシステムは、光の存在を検出するが、形状およびグレイスケール分布など、測定に有益である光漏れ部の他の特徴を、見分けるものではない。

光漏れ部が存在する場合に、撮像した光漏れの結果的強度は、フィルタの流路が、ＡＬＢシステムの照明撮像システムと、いかに良く位置合わせされているかに応じたものとなる。フィルタに光漏れ部がないかを検査するためのＡＬＢシステムおよび方法の正確さ、および、繰返し自在性は、対象部分の支持された面と流路との間で垂直性が損なわれることによって、低下してしまう。したがって、検査の繰返し自在性および正確さを改良するために、対象部分を、検査システムと繰返し自在に位置合わせする方法を有することが、望ましい。

２０１５年１１月１９日出願の国際出願第ＰＣＴ／ＵＳ２０１５／０６１４７１号は、セラミック基体と撮像システムの間で自動位置合わせを行う基体検査システムを記載しており、その内容は、全体として、参照により、本明細書に完全に示されたものとして組み込まれる。この基体検査システムは、検索アルゴリズムを用いて、基体を通り抜けた最大の光の位置を見つける。しかしながら、塞ぎ部の欠陥が存在しない限りは、塞ぎ部が光の通過を妨げるので、そのような方法は、フィルタには適用できない。

軸方向に延伸し塞がれた流路を有する多孔質でセラミックのハニカム体などの不透明の３次元体（本明細書において、対象部分と称する）を、本開示の例示的な実施形態により、自動的に検査しうる。これらの例示的な実施形態による方法およびシステムは、本開示による位置合わせ処理、テレセントリックレンズの使用、および、均一に拡散したバックライトにより、光漏れ部の検査について、繰返し自在性および正確さを、改良しうる。本明細書に記載したような、これらの位置合わせ方法およびシステムは、位置合わせ処理のために更なる装置を用いるのではなく、検査を行うのに必要とされる装置だけを用いる。例えば、変位センサを用いて、対象部分の位置を測定しうる。しかしながら、変位センサは、方法およびシステムを複雑にし、コストも上昇させる。

本開示の例示的な実施形態による、これらの方法およびシステムは、ＡＬＢシステムについてと、米国特許第４，３１９，８４０号明細書に、各々、記載された袋状物も、マスクも必要としない。本開示の方法およびシステムは、対象部分が組立てラインの固定部に置かれている間は、手動の処理を必要とせずに、自動的に位置合わせされて検査しうるので、生産ラインでの直列型の方法およびシステムとして用いるように適合させる。これに対して、ＡＬＢシステムは、垂直方向であること、袋状物を使用すること、および、自動で対象部分を位置合わせする能力が欠けていることにより、直列型で用いるのが難しいことがありうる。本開示の方法およびシステムは、光漏れ部の形状およびグレイスケール分布を、正確に測定することが可能である。これに対して、上記のように、ＡＬＢシステムは、これらの能力が限られている。例えば、本明細書に開示の方法およびシステムは、より詳細に以下に記載するように、半透明の塞ぎ部を検出して、その深刻度を評価することが可能である。

本開示の例示的な実施形態によれば、フィルタをバックライトおよびテレセントリックレンズ系と略位置合わせした場合には、フィルタの被膜などの外周（側面）部分の三日月状部分を有して、フィルタの表面を、円形、楕円形、または、他の断面形状の端面などの暗画像として示す画像が、取得される。本明細書において、フィルタの側面の三日月状の部分を、側面の一部の陰影部と称しうる。被膜の撮像部分の大きさ、および、位置を用いて、フィルタを撮像システムに位置合わせするのに必要な変位角を計算する。したがって、フィルタは、自動的に位置合わせされて、検査が自動的に行われる。位置合わせ完了後に、テレセントリックレンズは、光漏れ部の測定を可能にする。

図１は、本開示の例示的な実施形態による検査装置１００の側面図を概略的に示している。図１に概略的に示したように、拡散光源１０２は、光１０４を、セラミックのハニカム体（対象部分）１０６の第１の表面（例えば、入口面）に向けて提供する。拡散光源１０２（光源）は、拡散器を通して伝えられる光源であるか、または、拡散光源１０２は、任意で、平行光源１０２でありうる。例えば、拡散光源１０２は、対象部分１０６の端部の表面積より大きい光出射表面積を有するライトボックスでありうるもので、端部の表面積とは、対象部分１０６を通って、対象部分１０６の軸方向「Ａ」に交差する断面のことである。更に、拡散光源１０２は、更に以下に記載するように、光出射面に垂直な向きから傾いた対象部分１０６の２次元に突出した部分より、大きい光出射表面積を有するライトボックスでありうる。本明細書において、拡散光源１０２を、バックライトと称する。対象部分１０６の流路を通り抜けた光１０８は、対象部分１０６の第２の表面（例えば、出口面）から、テレセントリックレンズ１１０に向けて出射される。テレセントリックレンズ１１０は、フレネルレンズ１１０、または、他のタイプのテレセントリックレンズでありうる。テレセントリックレンズ１１０（レンズ）は、対象部分を面積（直径）に亘って通った光を撮像する。例えば、対象部分１０６が欠陥のある塞ぎ部を有する場合、いくらかの光は、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けて、光１０８として出射されることになるだろう。例えば、レンズ１１０は、対象部分１０６の端部の表面積より大きい面積を撮像しうるもので、端部の表面積とは、対象部分１０６を通って、対象部分１０６の軸方向「Ａ」に交差する断面のことである。

レンズ１１０から画像を受け取るカメラ１１２は、画像を取得する検出器を含んでいる。支持チャック部１１４は、対象部分１０６を、位置合わせされた角度から何らかの角度１１６で支持する。角度１１６は、対象部分１０６の外周軸面と、光源１０２からカメラ１１２にレンズの光軸ＯＰに沿ってなど、光源１０２からカメラ１１２に延伸する基準軸との間の角度でありうる。本明細書において、図１のように側面から見た角度１１６を、略位置合わせされた角度と称する。取得された画像は、カメラ１１２の検出器から制御部１１８に送られて、分析されうる。角度１１６があることで、結果的に得られる画像において、被膜の小さい部分が見えるようになる。

図２は、本開示の例示的な実施形態による検査装置１００の支持チャック部１１４に置かれた対象部分１０６の、拡散光源１０２に向いた端面図を示している。幅１２２を有する側面１２０の三日月状の部分が、対象部分１０６の最上縁部に見えうる。対象部分１０６が検査装置１００の光軸と位置合わせされていない場合には、光漏れ部１２４を、ほとんど検出することができない。

図３を参照すると、対象部分１０６は、光源１０２に向いて配置された第１の端面１３０、第１の端面１３０の反対側の第２の端面１３２、および、第１の端面１３０から第２の端面１３２に軸方向に延伸する側面（外周部）１３６を有する。第１の位置Ｐ１に示された対象部分１０６は、光軸ＯＰと位置合わせされておらず、例えば、対象部分の流路の軸方向Ａは、光軸ＯＰに対して角度１１６であるか、および／または、対象部分１０６の側面１３６の軸方向は、光軸ＯＰに対して角度１１６である。対象部分１０６が光軸ＯＰと位置合わせされていない場合には、挿入図３ａに示したカメラ１１２における画像ｉ（１４０）は、対象部分１０６の第２の端面１３２を含む遮られた光の第１の部分１２８、および、対象部分１０６の側面１３６の一部を含む遮られた光の第２の部分１２０、並びに、遮られなかった光１０４を有する。

図３の第２の位置Ｐ２に示された対象部分１０６は、光軸ＯＰと位置合わせされて、例えば、対象部分の軸方向Ａは、光軸ＯＰと位置合わせされている。対象部分１０６が光軸ＯＰと位置合わせされた場合に、光の遮られた部分の総面積が最小になる。対象部分１０６が光軸ＯＰと位置合わせされた場合には、挿入図３ｂに示したカメラ１１２における画像ｉ（１４２）は、第２の部分１２０を示したとしても、僅かで、ほとんど示さずに、遮られなかった光１０４を示す。換言すれば、対象部分１０６が、光軸ＯＰと所定レベル範囲内で位置合わせされた場合、画像ｉ（１４２）で、側面１３６は、ほとんど見えず、画像ｉ（１４２）は、対象部分１０６の側面１３６の一部を含む最小の第２の部分１２０を有するものとなる。

対象部分１０６を、光軸ＯＰと位置合わせするように調節するか、テレセントリックレンズ１１０を調節して、光軸ＯＰを対象部分１０６に合うように調節しうる。拡散光源１０２（光源）が平行光源１０２の場合には、テレセントリックレンズ１１０の調節は、光源１０２の調節も含む。

図４は、本開示の例示的な実施形態による図２の検査装置１００の支持チャック部１１４に置かれた対象部分１０６の端面図を示しており、拡散光源１０２に向いた側面１２０の一部の位置および幅を示している。画像処理ソフトウェアは、画像から被膜部分１２０を見つけて、その位置および幅１２２を計算するように記述されている。対象部分１０６の被膜によって生成された小さい部分１２０を抽出して、画像処理ソフトウェアで測定しうる。

図５は、本開示の例示的な実施形態による撮像システム１００の光軸ＯＰに対する対象部分の角度θ、１１６を、概略的に示している。例えば、図３、４を参照して記載したように、測定した側面１２０の一部の幅１２２、および、既知の長さＬを用いることで、システムの光軸ＯＰに対する対象部分１０６の角度θ、１１６を計算する。

本開示の他の例示的な実施形態は、図１〜５に示したものと同じ装置を用いるが、被膜陰影部を用いることも、必要とすることもない位置合わせ方法を、提供する。図６〜９に示した、この例示的な実施形態は、セルのアスペクト比に基づく方法を用いる。セルのアスペクト比は、対象部分のレンズに最も近い表面（第２の端部）の塞ぎ部およびセルを、表す。光は、第２の端部を、対象部分の第２の端部の表面の塞ぎ部およびセルが検出可能で測定可能なように、照らしうる。画像の強度を高めて、対象部分の第２の端部の表面の塞ぎ部およびセルの撮像を実現するようにしうる。このことは、ハードウェアを変更することなく、カメラの利得、または、カメラの露光積算時間を増加させることによって、実現しうる。光を通し易い領域（対象部分の外側、または、光漏れ部）は、露光過多になるが、光を通し難い領域（塞がれたセル）は、分析するのに十分の明るさになる。

図６は、傾いた対象部分の第２の端部を示す端面図である。図７は、図６の第２の端部を拡大して示しており、セルの長さ１５０およびセルの幅１５２を示し、本開示の例示的な実施形態によれば、画像のアスペクト比を、長さ／幅と定義している。傾いた対象部分は、１より大きいセルのアスペクト比を示している。

画像を撮影したら、任意の数のセル１５６、および／または、塞ぎ部１５８のアスペクト比を測定しうる。対象部分の表面に垂直なベクトルが撮像システムの光軸と平行でない場合には、セルの実際の形状が撮像されないだろう。そうではなく、セルを像面に投影することで、見掛けのセルの形状が特定されて、アスペクト比は、１以外の値になるだろう。処理の正確さ、および、頑強性を改良するために、多数のセルのアスペクト比を、画素未満の正確さで測定して、次に、それらを平均しうる。正方形のセルを示しているが、本開示の方法は、六角形、三角形など他のセル形状にも、適用しうる。

次に、三角法およびベクトル分析を用いて、対象部分の表面に垂直なベクトルと光軸のベクトルとの間の角度を計算しうる。その角度の正弦値を、セル内の画像強度プロファイルによって特定しうる。被膜に基づく位置合わせ方法と同様に、この角度が分かったら、角度がなくなるようにしうる。その結果、表面に垂直なベクトルが、撮像システムと良く位置合わせされる。

図８は、対象部分が位置合わせされ、アスペクト比が１の場合の図７の第２の端面を、概略的に示している。図９は、本開示の例示的な実施形態による検査装置の側面図、セルの形状、および、セル内の強度プロファイルを、位置合わせされた状態と、正と負のピッチ角について、概略的に示している。

図１０は、本開示の例示的な実施形態のいくつかによる検査装置１００において、セラミックのハニカム体１０６を位置合わせする例示的な方法５００のフローチャートを、概略的に示している。図１、２、３、４、５を再び参照すると、検査装置１００は、本開示の方法５００の例示的な実施形態を行って、光漏れ部１２４を検出するために、セラミックのハニカム体１０６を位置合わせしうる。

動作５０４において、例えば、制御部１１８によって、対象部分１０６を、支持チャック部１１４など、装置１００に配置し、水平および垂直基準角度１１６を記録する。動作５０６において、光源１０２に向いた対象部分１０６の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作５１０において、画像内の側面１２０の一部を、制御部１１８によって、識別する。動作５１４において、側面１２０の一部の幅および位置１２２を、制御部１１８によって、測定する。動作５１８において、制御部１１８は、変位角を特定し、対象部分１０６を、側面１２０の一部の幅および位置１２２に基づいて、装置１００の光軸ＯＰと位置合わせする。位置合わせするために変位角を特定する計算は、制御部１１８によって行いうる。

動作５２０において、制御部１１８は、支持チャック部１１４を制御して、対象部分１０６を、ピッチ角およびヨー角で、特定した変位角で移動させて、対象部分１０６を、装置１００の光軸ＯＰと位置合わせする。本明細書で用いたように、ヨーとは、支持チャック部１１４に置かれた対象部分１０６の軸方向Ａに垂直な軸を中心とした回転のことを称する。本明細書で用いたように、ピッチとは、ヨー方向の回転軸に垂直で、かつ、支持チャック部１１４に置かれた対象部分１０６の軸方向Ａに垂直な軸を中心とした回転のことを称する。支持チャック部１１４は、モータを備えたステージであり、制御部１１８によって制御されるにつれて、ヨーおよびピッチ角で傾くものでありうる。結果的に、新たなヨーおよびピッチ位置では、対象部分１０６に入射する光１０４のより多くが、光１０８として、光漏れ部１２４を通って出射され、次に分析を行うために、改良された信号対雑音比、および、改良された解像度を提供しうる。動作５２２において、光源１０２に向いた対象部分１０６の画像を、その新たなヨーおよびピッチ位置で、例えば、対象部分１０６を装置１００の光軸ＯＰと位置合わせした位置で、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作５２２において撮影した画像、例えば、図３を参照して記載したような画像ｉ（１４２）は、光漏れ部１２４を検出するために、対象部分１０６が光軸ＯＰと位置合わせされない場合よりも優れた信号対雑音比を提供する。動作５２６において、画像を、例えば、制御部１１８によって、光漏れ部１２４について分析する。動作５２８において、その結果を出力する。出力結果は、検出した光漏れ部１２４について、光漏れ部１２４を補修したり、対象部分１０６を不合格にしたりするのに使用しうる量および位置などの情報を、含みうる。

方法５００を、画像内の側面１２０の一部を用いて、対象部分１０６を位置合わせする場合について記載したが、本開示は、それに限定されるものではなく、方法５００において、上記のようなセルのアスペクト比に基づく方法を用いうる。

図１１は、本開示の更なる例示的な実施形態による検査装置１００において、セラミックのハニカム体１０６を位置合わせする例示的な方法６００のフローチャートを、概略的に示している。図１、２、３、４、５を参照すると、検査装置１００は、本開示の方法６００の例示的な実施形態を行って、光漏れ部１２４を検出するために、セラミックのハニカム体を位置合わせしうる。

動作６０４において、対象部分１０６を、支持チャック部１１４など、装置１００に配置する。動作６０６において、光源１０２に向いた対象部分１０６の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作６０８において、画像内の側面１２０の一部を識別し、側面１２０の一部の幅、位置、および／または、面積などのパラメータ１２２を、制御部１１８によって測定する。

動作６１０において、画像内で側面１２０の一部を最小にして、対象部分と光軸ＯＰが位置合わせされたことを示すように、対象部分を、正のヨー方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させる。制御部１１８は、支持部１１４を制御して、一段階の移動を行いうる。動作６１２において、光源１０２に向いた対象部分１０６の他の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作６１４において、画像内の側面１２０の一部を識別し、側面１２０の一部のパラメータ１２２を、制御部１１８によって測定する。

動作６２０において、制御部１１８は、動作６０８で取得した画像内の側面の一部のパラメータ１２２を、動作６１４で取得したパラメータ１２２と比較して、側面１２０の一部の面積および／または幅１２２が大きくなったかを判断する。側面１２０の一部が大きくなった場合には、方法は、動作６２２に進み、そうでない場合には、動作６１０から６２０を繰り返し、動作６２０における比較では、動作６１４における２つの連続した測定で取得した側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を比較する。側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を特定した直前の結果で、側面１２０の一部が大きくなった場合には、次に、方法は、動作６２２に進み、そこで、画像内で側面１２０の一部を最小にするようにして、対象部分と光軸ＯＰが位置合わせされたことを示すように、対象部分を、負のヨー方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させる。

動作６２２、６２４、６２６、６３０において、対象部分を、負のヨー方向に、その量で一段階移動させ（６２２）、対象部分１０６の他の画像を撮影し（６２４）、その画像を分析して、側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を特定し（６２６）、更に、面積および／または幅１２２を、その前のヨー位置における面積および／または幅１２２と比較して、面積および／または幅１２２が、前のヨー位置における面積および／または幅１２２より大きくなったかを判断する（６３０）。動作６２２、６２４、６２６、６３０を、面積および／または幅１２２が、その前のヨー位置における面積および／または幅１２２より大きくなるまで、繰り返す。動作６３２において、画像内で側面１２０の一部の面積および／または幅１２２が最小になるように、対象部分を、正のヨー方向に、その量で一段階移動させうる。

動作６３４において、画像内で側面１２０の一部を最小にするようにして、対象部分と光軸ＯＰが位置合わせされたことを示すように、対象部分を、正のピッチ方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させる。ピッチ方向に一段階移動させる量は、ヨー方向に一段階移動させる量と同じでも、または、異なっていてもよい。制御部１１８は、支持部１１４を制御して、一段階の移動を行いうる。動作６３６において、光源１０２に向いた対象部分１０６の他の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作６３８において、画像内の側面１２０の一部を識別し、その側面１２０の一部のパラメータ１２２を、制御部１１８によって測定する。

動作６４０において、制御部１１８は、動作６２６で取得した画像内の側面１２０の一部のパラメータ１２２を、動作６３８で取得したパラメータ１２２と比較して、側面１２０の一部の面積および／または幅１２２が大きくなったかを判断する。側面１２０の一部が大きくなった場合には、次に、方法は、動作６４４に進み、そうでない場合には、動作６３４から６４０を繰り返し、動作６４０における比較では、動作６３８における２つの連続した測定で取得した側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を比較する。側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を特定した直前の結果で、側面１２０の一部が大きくなった場合には、次に、方法は、動作６４４に進み、そこで、画像内で側面１２０の一部を最小にするようにして、対象部分と光軸ＯＰが位置合わせされたことを示すように、対象部分を、負のピッチ方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させる。

動作６４４、６４６、６４８、６５０において、対象部分を、負のピッチ方向に、その量で一段階移動させ（６４４）、対象部分１０６の他の画像を撮影し（６４６）、その画像を分析して、側面１２０の一部の面積および／または幅１２２を特定し（６４８）、更に、面積および／または幅１２２を、その前のピッチ位置における面積および／または幅１２２と比較して、面積および／または幅１２２が、前のピッチ位置における面積および／または幅１２２より大きくなったかを判断する（６５０）。動作６４４、６４６、６４８、６５０を、面積および／または幅１２２が、その前のピッチ位置における面積および／または幅１２２より大きくなるまで、繰り返す。動作６５４において、画像内で側面１２０の一部の面積および／または幅１２２が最小になるように、対象部分を、正のピッチ方向に、その量で一段階移動させうる。

動作６５６において、対象部分１０６を、動作６０４から６５４によって、光軸ＯＰと、上記のような量以内となるように位置合わせして、次に、対象部分１０６の他の画像を撮影する。動作６５６において撮影した画像は、例えば、図３を参照して記載したような画像ｉ（１４２）であり、光漏れ部１２４を検出するために、対象部分１０６が光軸ＯＰと位置合わせされていない場合より優れた信号対雑音比を、提供する。動作６５８において、画像を、光漏れ部について、例えば、制御部１１８によって、分析する。動作６６０において、結果を出力する。出力結果は、検出した光漏れ部１２４について、光漏れ部１２４を補修したり、対象部分１０６を不合格にしたりするのに使用しうる量および位置などの情報を含みうる。

対象部分１０６を位置合わせする方法６００を、画像内の側面１２０の一部を用いる方法について記載したが、本開示は、それに限定されるものではなく、方法６００において、上記のようなセルのアスペクト比に基づく方法を用いうる。

図１２は、本開示の更なる例示的な実施形態による検査装置において、セラミックのハニカム体を位置合わせして分析する例示的な方法のフローチャートを、概略的に示している。図１、２、３、４、５を再び参照すると、検査装置１００は、本開示の方法７００の例示的な実施形態を行って、光漏れ部１２４を検出するために、セラミックのハニカム体を位置合わせしうる。

動作７０２において、例えば、制御部１１８によって、対象部分１０６を、支持チャック部１１４など、装置１００に配置し、初期の水平および垂直基準角度１１６を記録する。動作７０４において、光源１０２に向いた対象部分１０６の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作７０６において、画像を、光漏れ部１２４について、例えば、制御部１１８によって、分析する。動作７１０において、対象部分を、正のヨー方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させて、対象部分１０６のセル流路を光軸ＯＰに位置合わせすることによって、光漏れ部１２４の信号対雑音比が最大になるようにする。動作７１２、７１６において、カウンタｊの値を増加させて、カウンタｊが予め設定した値ｎに達したかを判断する。カウンタｊが予め設定した値ｎに達していない場合には、動作７０４から７１６を繰り返す。カウンタｊが予め設定した値ｎに達した場合には、動作７１８において、対象部分１０６を、初期の水平および垂直基準角度１１６に戻す。

動作７２０において、対象部分を、負のヨー方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させて、対象部分１０６のセル流路を光軸ＯＰに位置合わせすることによって、光漏れ部１２４の信号対雑音比が最大になるようにする。動作７２２において、カウンタｋの値を１だけ増加させ、更に、動作７２４において、光源１０２に向いた対象部分１０６の他の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作７２６において、画像を、光漏れ部１２４について、例えば、制御部１１８によって、分析する。

動作７３０において、対象部分を、負のヨー方向に、その量で一段階移動させる。カウンタｋの値を増加させ、更に、動作７３２、７３６において、カウンタｋが予め設定した値ｍに達したかを判断する。カウンタｋが、予め設定した値ｍに達していない場合には、動作７２４から７３６を繰り返す。カウンタｋが、予め設定した値ｍに達した場合には、動作７３８において、対象部分１０６を初期の水平および垂直基準角度１１６に戻す。

動作７４０において、対象部分を、正のピッチ方向に、０．０１°、０．１°、１°など、ある量で一段階移動させて、対象部分１０６のセル流路を光軸ＯＰに位置合わせすることによって、光漏れ部１２４の信号対雑音比が最大になるようにする。動作７４４において、カウンタｐの値を１だけ増加させ、更に、動作７４８において、光源１０２に向いた対象部分１０６の他の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作７５２において、画像を、光漏れ部１２４について、例えば、制御部１１８によって、分析する。

動作７５４において、対象部分を、正のピッチ方向に、その量で一段階移動させる。動作７５８、７６０において、カウンタｐの値を増加させて、カウンタｐが予め設定した値ｕに達したかを判断する。カウンタｐが、予め設定した値ｕに達していない場合には、動作７４８から７６０を繰り返す。カウンタｐが、予め設定した値ｕに達した場合には、動作７６４において、対象部分１０６を初期の水平および垂直基準角度１１６に戻す。

動作７６８において、対象部分を、負のピッチ方向に、その量で一段階移動させて、対象部分１０６のセル流路を光軸ＯＰに位置合わせすることによって、光漏れ部１２４の信号対雑音比が最大になるようにする。動作７７０において、カウンタｑの値を１だけ増加させ、更に、動作７７２において、光源１０２に向いた対象部分１０６の他の画像を、カメラ１１２によって、セントリックレンズ１１０を通して撮影する。動作７７４において、画像を、光漏れ部１２４について、例えば、制御部１１８によって、分析する。

動作７７６において、対象部分を、負のピッチ方向に、その量で一段階移動させる。動作７７８、７８０において、カウンタｑの値を増加させて、カウンタｑが予め設定した値ｖに達したかを判断する。カウンタｑが、予め設定した値ｖに達していない場合には、動作７７２から７８０を繰り返す。カウンタｑが、予め設定した値ｖに達した場合には、動作７８２において、結果を出力する。

方法７００の動作によれば、合計で、ｎ＋ｍ＋ｕ＋ｖの数の画像が、出力結果の一部でありうる。いずれかの画像において、いずれかの光を通したセル流路を、光漏れ部１２４として識別し、結果を出力する。つまり、対象部分の製造手順などの要因に応じて、対象部分１０６に亘って、いくつかのセル流路の向きは、他のセル流路の向きと異なりうる。したがって、対象部分１０６と光軸ＯＰの間が異なる角度１１６で、光軸ＯＰと位置合わせされたセル流路は、画像のいくつかにおいて、より高い信号対雑音比を生じ、対象部分１０６と光軸ＯＰの間が異なる角度１１６で、光軸ＯＰと位置合わせされた他のセル流路は、それとは他の画像において、より高い信号対雑音比を生じうる。したがって、出力結果は、検出した光漏れ部１２４について、光漏れ部１２４を補修したり、対象部分１０６を不合格にしたりするのに使用しうる量および位置などの情報を含みうる。

ピッチ角とヨー角１１６は、各々、側面図と上面図についてのものである必要はなく、つまり、ピッチ角とヨー角１１６は、任意の向きでありうる。概して、ピッチ角とヨー角１１６は、互いに直交する。最上部、側面、垂直、および、水平という用語を用いているが、本開示は、これらの例示的な実施形態に限定されるものではない。そうではなく、本明細書において、「最上部」、「底部」、「水平」、「垂直」、「側面」、「下に」、「下方に」、「下方」、「上に」、および、「上方」などの空間的に相対的な用語を、記載を容易にするために用いて、図面に示したような１つの要素または特徴物の他の要素または特徴物との関係を、記載している。空間的に相対的な用語は、図面に示したような向きに加えて、装置を使用または動作させる間の異なる向きも包含することを意図することが理解されるだろう。例えば、図面内で、装置を逆さまにした場合には、他の要素または特徴物の「下方に」または「下に」と記載された要素は、他の要素または特徴物の「上に」向くことになるだろう。したがって、「下方に」という例示的な用語は、上と下の両方の向きを包含しうる。装置は、（９０度、回転されるか、または、他の向きで）他の態様で向きうるものであり、本明細書で用いた空間的に相対的な記載は、そのように解釈しうる。したがって、図１の検査装置を９０度、回転させた場合には、「側面図」という例示的な用語は、「上面図」となるか、または、その逆である。

本開示の目的のためには、「Ｘ、ＹまたはＺの少なくとも１つ」という表現は、Ｘのみ、Ｙのみ、Ｚのみ、若しくは、Ｘ、ＹおよびＺの２つ以上の任意の組合せ（例えば、ＸＹＺ、ＸＹＹ、ＹＺ、ＺＺ）として解釈しうることが分かるだろう。

本明細書を通して例示的な実施形態を記載し、本明細書を通して同様の用語を用いたが、必ずしも、同じ実施形態を記載したものではないことがありうる。更に、本明細書において、例示的な実施形態について記載したような主題の特徴物、構造、または、特徴は、１つ以上の他の例示的な実施形態と、任意の適切な態様で組み合わせうる。

当業者には、本開示において、本開示の精神および範囲を逸脱することなく、様々な変更および変形を行いうることが明らかだろう。したがって、添付の請求項は、本開示の変更および変形も、添付の請求項、および、その等価物の範囲である限りは、網羅することを意図している。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
方法において、
光を、第１の端部、前記第１の端部の反対側の第２の端部、および、該第１の端部から前記第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向ける工程と、
前記向けられた光の一部を、前記セラミックのハニカム体の一部によって遮る工程と、
レンズを通して、前記第２の端部を、前記遮られた光の第１の部分として、更に、前記側面の一部を、該遮られた光の第２の部分として、結像する工程と、
前記遮られた光の第１の部分、および、前記遮られた光の第２の部分の画像を撮影する工程と、
前記撮影した画像の少なくとも一部を分析する工程と、
前記セラミックのハニカム体、または、前記レンズの少なくとも１つを、前記分析に基づいて調節し、該セラミックのハニカム体と該レンズの光軸とを互いに位置合わせする工程と、
を含む方法。

実施形態２
前記分析する工程は、前記画像内の前記第２の部分を検出する工程を含むものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態３
前記分析する工程は、前記第２の部分の面積を計算する工程を含むものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態４
前記分析する工程は、前記第１の部分に対する前記第２の部分の位置を特定する工程を含むものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態５
前記ハニカム体は、前記第１の端部から前記第２の端部に延伸するセル流路を含むものであり、前記調節する工程は、前記セル流路を、前記レンズの光軸に位置合わせするものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態６
前記セル流路の第１の部分は、前記第１の端部での塞ぎ部を含み、該セル流路の第２の部分は、前記第２の端部での塞ぎ部を含むものである、実施形態５に記載の方法。

実施形態７
前記セル流路の前記第１の部分または前記第２の部分の少なくとも１つの一部を通り抜け向けられた前記光を、検出する工程を、
更に含む、実施形態６に記載の方法。

実施形態８
前記検出した光を、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けた光として識別する工程を、
更に含む、実施形態７に記載の方法。

実施形態９
前記欠陥のある塞ぎ部を識別した際に、前記セラミックのハニカム体の識別子、または、該欠陥のある塞ぎ部の位置の少なくとも１つを記録する工程を、
更に含む、実施形態８に記載の方法。

実施形態１０
前記レンズは、テレセントリックレンズを含むものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態１１
前記光を向ける工程は、拡散光または平行光の少なくとも１つを向ける工程を含むものである、実施形態１に記載の方法。

実施形態１２
装置において、
光を、第１の端部、前記第１の端部の反対側の第２の端部、および、該第１の端部から前記第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向けるように構成された光源と、
前記セラミックのハニカム体の前記第１の端部に向けられた前記光の少なくとも一部を受光するように構成されたレンズと、
前記受光した光から前記側面の一部を含む画像を撮影するように構成された撮像装置と、
前記セラミックのハニカム体を支持するように構成された支持チャック部と、
前記撮影した画像を受信し、該撮影した画像を、前記側面の前記一部に基づいて分析し、前記支持チャック部または前記レンズの少なくとも１つを、前記分析に基づいて調節し、前記セラミックのハニカム体と該レンズの光軸を位置合わせするように構成された制御部と、
を含む装置。

実施形態１３
前記光源は、拡散光源または平行光源の少なくとも１つを含むものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１４
前記レンズは、テレセントリックレンズを含むものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１５
前記制御部は、前記画像内の前記側面の前記一部を検出するように構成されたものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１６
前記制御部は、前記画像内の前記側面の前記一部の面積を計算するように構成されたものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１７
前記制御部は、前記画像内の前記側面の前記一部の位置を計算するように構成されたものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１８
前記ハニカム体は、前記第１の端部から前記第２の端部に延伸するセル流路を含むものであり、前記制御部は、前記セル流路を、前記レンズの光軸に位置合わせするように構成されたものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態１９
前記セル流路の第１の部分は、前記第１の端部での塞ぎ部を含み、該セル流路の第２の部分は、前記第２の端部での塞ぎ部を含むものであり、
前記制御部は、前記光源から前記セル流路の前記第１の部分または前記第２の部分の少なくとも１つの一部を通った前記光を、検出するように構成されたものである、実施形態１８に記載の装置。

実施形態２０
前記制御部は、前記検出した光を、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けた光として識別するように構成されたものである、実施形態１９に記載の装置。

実施形態２１
前記制御部は、前記欠陥のある塞ぎ部を識別した際に、前記セラミックのハニカム体の識別子、または、該欠陥のある塞ぎ部の位置の少なくとも１つを記録するように構成されたものである、実施形態２０に記載の装置。

実施形態２２
前記撮像装置は、前記受光した光から前記画像を撮影する検出器を有するカメラを含むものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態２３
前記セラミックのハニカム体を前記支持チャック部に配置するように構成された搬送装置を、
更に含み、
前記流路と前記レンズの光軸とが、ヨー角またはピッチ角の少なくとも１つについて、位置がずれたものである、実施形態１２に記載の装置。

実施形態２４
方法において、
第１の端部、および、前記第１の端部の反対側の第２の端部を含むセラミックのハニカム体を、初期位置に配置する工程と、
光を、前記セラミックのハニカム体の前記第１の端部に向ける工程と、
前記セラミックのハニカム体の前記第２の端部の複数の画像を撮影する工程と、
前記複数の画像を分析して、前記セラミックのハニカム体内の欠陥を識別する工程と、
を含み、
前記複数の画像を撮影する工程は、
（ｉ）前記セラミックのハニカム体の前記第２の端部の画像を撮影する工程と、
（ｉｉ）前記セラミックのハニカム体を、他の位置に、ある量で一段階回転させる工程と、
（ｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、
（ｉｖ）前記カウンタが予め設定した値に達するまで、前記（ｉ）から（ｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程と、
を含むものである方法。

実施形態２５
前記一段階の量は、正の量である、実施形態２４に記載の方法。

実施形態２６
前記複数の画像を撮影する工程は、
（ｖ）前記セラミックのハニカム体を、前記初期位置に再設定する工程と、
（ｖｉ）前記セラミックのハニカム体を、他の位置に、負の量で一段階回転させる工程と、
（ｖｉｉ）前記セラミックのハニカム体の前記第２の端部の画像を撮影する工程と、
（ｖｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、
（ｉｘ）前記カウンタが第２の予め設定した値に達するまで、前記（ｖｉ）から（ｖｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程と、
を更に含むものである、実施形態２５に記載の方法。

実施形態２７
前記セラミックのハニカム体を他の位置に回転させる工程は、該セラミックのハニカム体を、ヨー軸を中心として回転させる工程、または、該セラミックのハニカム体を、ピッチ軸を中心として回転させる工程の少なくとも１つを含むものである、実施形態２４に記載の方法。

実施形態２８
前記セラミックのハニカム体を、他の位置に、前記量で一段階回転させる工程は、該セラミックのハニカム体を、ヨー軸を中心として回転させる工程を含むものである、実施形態２４に記載の方法。

実施形態２９
前記複数の画像を撮影する工程は、
（ｖ）前記セラミックのハニカム体を、前記初期位置に再設定する工程と、
（ｖｉ）前記セラミックのハニカム体を、他の位置に、ピッチ軸を中心として、第２の量で一段階回転させる工程と、
（ｖｉｉ）前記セラミックのハニカム体の前記第２の端部の画像を撮像する工程と、
（ｖｉｉｉ）カウンタの値を増加させる工程と、
（ｉｘ）前記カウンタが第２の予め設定した値に達するまで、前記（ｖｉ）から（ｖｉｉｉ）の工程を、繰り返す工程と、
を更に含むものである、実施形態２８に記載の方法。

実施形態３０
前記複数の画像を分析して、前記セラミックのハニカム体内の欠陥を識別する工程は、該セラミックのハニカム体の流路内の欠陥のある塞ぎ部を識別する工程を含むものである、実施形態２４に記載の方法。

実施形態３１
装置において、
光を、第１の端部、および、前記第１の端部の反対側の第２の端部を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向けるように構成された光源と、
前記セラミックのハニカム体の前記第１の端部に向けられた前記光の少なくとも一部を受光するように構成されたレンズと、
前記受光した光から画像を撮影するように構成された撮像装置と、
前記セラミックのハニカム体を支持し、更に、該セラミックのハニカム体を、異なる位置に回転させるように構成された支持チャック部と、
制御部と、
を含み、
前記制御部は、
（ｉ）前記支持チャック部を、該支持チャック部が、前記セラミックのハニカム体を、他の位置に、ある量で一段階回転させるように制御し、
（ｉｉ）カウンタの値を増加させ、
（ｉｉｉ）前記カウンタが予め設定した値に達するまで、前記（ｉ）および（ｉｉ）の工程を繰り返し、
（ｉｖ）前記セラミックのハニカム体の複数の異なる位置で撮影した、前記受光した光の複数の画像を受信し、
（ｖ）前記複数の画像を分析して、前記セラミックのハニカム体内の欠陥を識別するように構成されたものである装置。

実施形態３２
前記制御部は、前記セラミックのハニカム体を、ヨー軸またはピッチ軸の少なくとも１つを中心として回転させるように構成されたものである、実施形態３１に記載の装置。

実施形態３３
前記制御部は、前記セラミックのハニカム体を、ヨー軸とピッチ軸の両方を中心として回転させるように構成されたものである、実施形態３１に記載の装置。

実施形態３４
前記セラミックのハニカム体の前記欠陥は、該セラミックのハニカム体の流路内の欠陥のある塞ぎ部を含むものである、実施形態３１に記載の装置。

１００ 検査装置
１０２ 光源
１１０ レンズ
１１２ カメラ
１１４ 支持チャック部
１１８ 制御部
１３０ 第１の端部
１３２ 第２の端部
１３６ 側面

Claims (4)

1. 方法において、
   光を、第１の端部、前記第１の端部の反対側の第２の端部、および、該第１の端部から前記第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向ける工程と、
   前記向けられた光の一部を、前記セラミックのハニカム体の一部によって遮る工程と、
   レンズを通して、前記第２の端部を、前記遮られた光の第１の部分として、更に、前記側面の一部を、該遮られた光の第２の部分として、結像する工程と、
   前記遮られた光の第１の部分、および、前記遮られた光の第２の部分の画像を撮影する工程と、
   前記撮影した画像の少なくとも一部を分析する工程と、
   前記セラミックのハニカム体、または、前記レンズの少なくとも１つを、前記分析に基づいて調節し、該セラミックのハニカム体と該レンズの光軸とを互いに位置合わせする工程と、
   を含み、
   前記分析する工程は、前記画像内の前記第２の部分を検出する工程を含むものである、方法。
2. 方法において、
   光を、第１の端部、前記第１の端部の反対側の第２の端部、および、該第１の端部から前記第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向ける工程と、
   前記向けられた光の一部を、前記セラミックのハニカム体の一部によって遮る工程と、
   レンズを通して、前記第２の端部を、前記遮られた光の第１の部分として、更に、前記側面の一部を、該遮られた光の第２の部分として、結像する工程と、
   前記遮られた光の第１の部分、および、前記遮られた光の第２の部分の画像を撮影する工程と、
   前記撮影した画像の少なくとも一部を分析する工程と、
   前記セラミックのハニカム体、または、前記レンズの少なくとも１つを、前記分析に基づいて調節し、該セラミックのハニカム体と該レンズの光軸とを互いに位置合わせする工程と、
   を含み、
   前記分析する工程は、前記第２の部分の面積を計算する工程を含むものである、方法。
3. 方法において、
   光を、第１の端部、前記第１の端部の反対側の第２の端部、および、該第１の端部から前記第２の端部に延伸する側面を有するセラミックのハニカム体の、該第１の端部に向ける工程と、
   前記向けられた光の一部を、前記セラミックのハニカム体の一部によって遮る工程と、
   レンズを通して、前記第２の端部を、前記遮られた光の第１の部分として、更に、前記側面の一部を、該遮られた光の第２の部分として、結像する工程と、
   前記遮られた光の第１の部分、および、前記遮られた光の第２の部分の画像を撮影する工程と、
   前記撮影した画像の少なくとも一部を分析する工程と、
   前記セラミックのハニカム体、または、前記レンズの少なくとも１つを、前記分析に基づいて調節し、該セラミックのハニカム体と該レンズの光軸とを互いに位置合わせする工程と、
   を含み、
   前記分析する工程は、前記第１の部分に対する前記第２の部分の位置を特定する工程を含むものである、方法。
4. 前記ハニカム体は、前記第１の端部から前記第２の端部に延伸するセル流路を含むものであり、前記調節する工程は、前記セル流路を、前記レンズの光軸に位置合わせするものであり、
   前記セル流路の第１の部分は、前記第１の端部での塞ぎ部を含み、該セル流路の第２の部分は、前記第２の端部での塞ぎ部を含むものであり、
   前記セル流路の前記第１の部分または前記第２の部分の少なくとも１つの一部を通り抜け向けられた前記光を、検出する工程と、
   前記検出した光を、欠陥のある塞ぎ部を通り抜けた光として識別する工程と、
   を更に含む、請求項１から３いずれか１項に記載の方法。

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