JP6936270B2 - ウェーハ・ボート冷却デバイス - Google Patents

ウェーハ・ボート冷却デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP6936270B2
JP6936270B2 JP2019063858A JP2019063858A JP6936270B2 JP 6936270 B2 JP6936270 B2 JP 6936270B2 JP 2019063858 A JP2019063858 A JP 2019063858A JP 2019063858 A JP2019063858 A JP 2019063858A JP 6936270 B2 JP6936270 B2 JP 6936270B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
boat
cooling device
gas
wafer boat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019063858A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019176155A (ja
JP2019176155A5 (ja
Inventor
リッデル，クリス へー．エム． デ
リッデル，クリス ヘー．エム． デ
セー． ユディラ，ルシアン
セー． ユディラ，ルシアン
ハンス ルイス リンデボーム，バートロメウス
ハンス ルイス リンデボーム，バートロメウス
Original Assignee
エーエスエム イーペー ホールディング ベー．フェー．
エーエスエム イーペー ホールディング ベー．フェー．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エーエスエム イーペー ホールディング ベー．フェー．, エーエスエム イーペー ホールディング ベー．フェー． filed Critical エーエスエム イーペー ホールディング ベー．フェー．
Publication of JP2019176155A publication Critical patent/JP2019176155A/ja
Publication of JP2019176155A5 publication Critical patent/JP2019176155A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6936270B2 publication Critical patent/JP6936270B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C23C16/466—Cooling of the substrate using thermal contact gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67303—Vertical boat type carrier whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising rod-shaped elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、ウェーハ・ボート内に収容されたウェーハを加工するための垂直バッチ炉の加工チャンバの下に位置決めされるように構成された、ウェーハ・ボート冷却デバイスに関する。
欧州特許第１３４１２１３号明細書および米国特許出願第２０１２／２１３６１３号明細書は、どちらも、ウェーハを処理するための装置を説明しており、これらの装置もまたウェーハ・ボート冷却デバイスを備える。知られたデバイスは、複数のウェーハ・ボートをその上に位置決めすることができる回転ラック（ｃａｒｏｕｓｅｌ）または回転テーブル（ｒｏｒａｔａｂｌｅ ｔａｂｌｅ）を含む。回転ラックまたは回転テーブルを回転させることにより、ウェーハ・ボートを取出しおよび／または搭載位置から垂直バッチ炉の加工チャンバの下の処理位置へ運ぶことができる。ウェーハ・ボートを垂直バッチ炉の加工チャンバ内へ持ち上げるために、または、ウェーハ・ボートを加工チャンバから回収するために、ウェーハ・ボート・リフトが処理位置に設けられる。加工チャンバでの処理中、ウェーハ・ボート、およびその中に収容されたウェーハは、温度が高められる。回転ラックまたは回転テーブルにより、加工チャンバから取り出されたウェーハ・ボートを冷却位置へ運ぶことができ、この冷却位置では、加工チャンバでの処理に続いてウェーハ・ボートを冷却することができる。システムの生産性を向上させるために、ウェーハおよびウェーハ・ボートの効果的な冷却が必要とされ得る。
欧州特許第１３４１２１３号明細書 米国特許出願第２０１２／２１３６１３号明細書
本願の発明の目的は、ウェーハを冷却するウェーハ・ボート冷却デバイスを提供することである。
この目的のために、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイスが提供される。より具体的には、本発明は、ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための垂直バッチ炉の加工チャンバの下に位置決めされるように構成されたウェーハ・ボート冷却デバイスを提供する。
ウェーハ・ボート冷却デバイスは、
底板と、
ウェーハ・ボートを支持するための少なくとも２つのウェーハ・ボート位置を含む回転テーブルであって、底板の上方で中心垂直軸を中心として回転可能な回転テーブルと、
回転テーブルに取り付けられて、各ウェーハ・ボート位置において垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバを作る、垂直に延在する壁構造と、
を備える。
垂直に延在する壁構造は、
複数のガス供給開口部を含むガス供給領域と、
複数のガス排出開口部を含むガス排出領域と、
を備える。
ウェーハ・ボート冷却デバイスは、底板内の中央ガス開口部を通って延在してガス供給開口部またはガス排出開口部と流体連通している導管をさらに備える。
底板は、回転テーブルが複数の割出し位置のうちの１つにあるときにガス供給開口部またはガス排出開口部と流体連通する複数の底板開口部を有する。
ウェーハ・ボート冷却デバイスは、少なくとも部分的に導管の周りで底板の下に延在するプレナム・チャンバを作るプレナム・チャンバ壁を有しているプレナム・チャンバ・ハウジングをさらに備える。底板内の複数の底板開口部は、プレナム・チャンバと流体連通している。プレナム・チャンバは、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部を有する。
ウェーハ・ボート冷却デバイスは、
少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部から導管まで延在しかつ少なくとも１つのガス・ブロワを含む、再循環チャネルと、
プレナム・チャンバ内に位置決めされた少なくとも１つのガス／液体熱交換器と、
をさらに備える。
ガス／液体熱交換器はウェーハ・ボート冷却デバイスの不動部分内に位置決めされるので、ガス／液体熱交換器との間のいかなる液体接続部（入口／出口）も、固定された接続部とされ得る。これは、製造および維持の観点から、回転テーブルまたは回転ラック上の各ウェーハ・ボート・チャンバが回転テーブル上に配置されたそれ自体のガス／液体熱交換器を有する解決策に優る利点である。そのような解決策は、ウェーハ・ボート・チャンバから出る高温ガスを直ちに冷却し、したがって冷却デバイスの他の部品の加熱を防止するという点で魅力的であるが、ガス／液体熱交換器への液体の供給および排出のための回転可能な液体接続部を必要とする。これらの回転可能な液体接続部は、定期的なメンテナンスを必要とし、また、冷却液の漏れの危険性は、本発明による解決策におけるような固定された接続部を用いる場合よりもはるかに高い。
さらに、固定された液体接続部は、より安価であり、かつ、設置がより容易である。回転テーブルまたは回転ラック上の各ウェーハ・ボート・チャンバが回転テーブル上に設置されたそれ自体のガス／液体熱交換器を有する解決策の別の欠点は、ガス／液体熱交換器うちの少なくとも１つに関連するウェーハ・ボート・チャンバがすでに冷却位置にあってすでに冷却されていることから、そのガス／液体熱交換器が効果的でないことである。
回転テーブルまたは回転ラック上の各ウェーハ・ボート・チャンバが回転テーブル上に配置されたそれ自体のガス／液体熱交換器を有する解決策に優る利点は、ガス／液体熱交換器がより効果的であることである。これには２つの理由がある。
第１に、異なるウェーハ・ボート・チャンバから出るガス流は、プレナム・チャンバ内で混合され、一緒に冷却されて、ガス／液体熱交換器がより効果的に使用されるようにする。
第２に、ウェーハ・ボート・チャンバから来る全てのガスは、ガス／液体熱交換器の周りにガスの迂回路が存在し得ないので少なくとも１つのガス／液体熱交換器を通過しなければならず、その結果、再循環するガスを冷却するための最適な効率が得られる。そのような迂回は、回転テーブルまたは回転ラック上の各ウェーハ・ボート・チャンバが回転テーブル上に配置されたそれ自体のガス／液体熱交換器を有する解決策では起こり得る。そのような解決策では、ガスは、ガス／液体熱交換器を迂回して、例えば回転テーブルの底部にあるリフト・アーム開口部を介してウェーハ・ボート・チャンバから流出し得る。
本発明はまた、請求項１９に記載の垂直バッチ炉組立体を提供する。より具体的には、本発明は、
ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための加工チャンバと、
本発明によるウェーハ・ボート冷却デバイスであって、加工チャンバの下に位置決めされるウェーハ・ボート冷却デバイスと、
ウェーハ・ボート冷却デバイスから加工チャンバへ、また加工チャンバからウェーハ・ボート冷却デバイスへウェーハ・ボートを移送するように構成された垂直ウェーハ・ボート・リフト組立体と、
を備える、垂直バッチ炉組立体を提供する。
本発明による垂直バッチ炉は、本発明によるウェーハ・ボート冷却デバイスに関連して上記で説明された利点と同じ利点を有する。
図に示された例を参照してさらに明らかにされる様々な実施形態が、従属請求項において特許請求される。それらの実施形態は、互いに組み合わせられてもよく、または、互いに独立して適用されてもよい。
本発明によるウェーハ・ボート冷却デバイスの一例のわずかに上方から見た斜視図である。 ハウジングが部分的に取り除かれた、図１のウェーハ・ボート冷却デバイスの図である。 図１のウェーハ・ボート冷却デバイスの底面図である。 図１のウェーハ・ボート冷却デバイスの下部の断面斜視図である。 図１のウェーハ・ボート冷却デバイスの下部の別の断面斜視図である。
本件特許出願は、仮米国特許第６２／６４９８６７号の優先権主張に基づいて、２０１８年３月２９日に出願されたものであり、仮特許出願第６２／６４９８６７号に開示された、その開示内容は参照により、その全体が本明細書に組み込まれる。本出願では、類似のまたは対応する特徴は、類似のまたは対応する参照符号によって示される。様々な実施形態に関する記述は、図に示された例に限定されるものではなく、また、詳細な説明および特許請求の範囲で使用される参照番号は、実施形態に関する記述を限定することを意図したものではなく、図に示された例を参照することにより実施形態を明瞭にするために含まれるものである。
最も一般的な言葉で言うと、本発明は、ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための垂直バッチ炉の加工チャンバの下に位置決めされるように構成されたウェーハ・ボート冷却デバイス１０を提供する。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、底板１８および回転テーブル２０を備える。回転テーブル２０は、複数の割出し位置間で回転可能とされ得る。回転テーブル２０は、底板１８の上方で中心垂直軸Ｌを中心として回転可能であり、ウェーハ・ボートを支持するための少なくとも２つのウェーハ・ボート位置を備える。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、回転テーブル２０上に取り付けられて各ウェーハ・ボート位置において垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバ２４を作る、垂直に延在する壁構造２２をさらに備える。垂直に延在する壁構造２２は、複数のガス供給開口部３０を含むガス供給領域と、複数のガス排出開口部３２を含むガス排出領域とを備える。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、底板１８内の中央ガス開口部３４を通って延在してガス供給開口部３０またはガス排出開口部３２と流体連通している導管４０を、さらに備える。底板１８は、回転テーブル２０が複数の割出し位置のうちの１つにあるときにガス供給開口部３０またはガス排出開口部３２と流体連通する、複数の底板開口部３６を有する。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、プレナム・チャンバ壁を有するプレナム・チャンバ・ハウジング４２をさらに備え、プレナム・チャンバ壁は、少なくとも部分的に導管４０の周りで底板１８の下に延在するプレナム・チャンバ４４を作る。底板１８内の複数の底板開口部３６は、プレナム・チャンバ４４と流体連通している。プレナム・チャンバ４４は、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部４６を有する。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部４６から導管４０まで延在しかつ少なくとも１つのガス・ブロワ５０を含む再循環チャネル４８を、さらに備える。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、プレナム・チャンバ４４内に位置決めされた少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２を備える。少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２は、ウェーハ・ボート・チャンバ２４のうちの少なくとも１つから排出されるガスを冷却するように構成され得る。
ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の効果および利点は概要セクションで説明されており、それらの効果および利点は、参照によってここに挿入される。複数のガス供給開口部３０が導管４０と流体連通していることが、好ましい。すると、ガスは、導管４０から入口開口部３０へ流れ、入口開口部３０からウェーハ・ボート・チャンバ２４を通ってガス排出開口部３２へ流れ、ガス排出開口部３２から底板開口部３６へ流れ、底板開口部３６からプレナム・チャンバ４４を通ってプレナム・チャンバ開口部４６へ流れ、プレナム・チャンバ開口部４６から再循環チャネル４８を通ってもとの導管４０へ流れる。しかし、導管４０は、ガス排出開口部３２にも流体的に接続され得るので、その場合、ガスは、プレナム・チャンバ４４および再循環チャネル４８内で反対方向に流れることになる。
複数のガス供給開口部３０は、垂直に延在する壁構造２２の全高に実質的にわたって少なくとも垂直方向に沿って、垂直に延在する壁構造２２において分散され得る。さらに、またはその代わりに、複数のガス排出開口部３２もまた、垂直に延在する壁構造２２の全高に実質的にわたって少なくとも垂直方向に沿って、垂直に延在する壁構造２２において分散され得る。
本発明の一実施形態では、プレナム・チャンバ・ハウジング４２は、少なくとも１つの熱交換器ハウジング５６を含む。少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２は、少なくとも１つの熱交換器ハウジング５６のうちの関連する１つに収容される。また、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部４６は、ウェーハ・ボート・チャンバ２４のうちの少なくとも１つから排出されるガスが再循環チャネル４８へまたは複数の底板開口部３６へ流れるときに少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２に沿って流れるように、少なくとも１つの熱交換器ハウジング５６に設けられる。
少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２の最適な効率のためには、プレナム・チャンバ４４がガス／液体熱交換器５２を収容することを必要とするだけではなく、プレナム・チャンバ４４内でのガスの流れができるだけガス／液体熱交換器５２に沿って導かれるべきである。このガスの流れは、プレナム・チャンバ４４の形状によって決定される。この実施形態では、プレナム・チャンバ４４は、厳密に環状の円板ではなく、ガス／液体熱交換器５２が収容される少なくとも１つの熱交換器ハウジング５６を備える。図に示された例では、プレナム・チャンバ４４は、２つの熱交換器ハウジング５６を有する。しかし、代替実施形態では、１つ、または２つよりも多くの熱交換器ハウジング５６が設けられ得る。熱交換器ハウジング５６は、プレナム・チャンバ４４の底壁５４の底側から下方に突出しながら、前述の底壁５４に隣接し得る。別個の熱交換器ハウジング５６の利点は、熱交換器ハウジング５６を流れるガスがガス／液体熱交換器５２に沿って通過しなければならないように、ガス／液体熱交換器５２をその熱交換器ハウジング５６内にぴったり嵌め込むことができることである。プレナム・チャンバ開口部４６の配置により、ガスは、ガスの流れの方向に応じて再循環チャネル４８または複数の底板開口部３６に到達するために、熱交換器ハウジング５６を流れなければならない。したがって、熱交換器ハウジング５６内のぴったり嵌め込まれたガス／液体熱交換器５２により、冷却効率が最適化される。
複数の熱交換器ハウジング５６、例えば図に示されるような２つの熱交換器ハウジング５６が、存在し得る。複数の熱交換器ハウジングの場合、各熱交換器ハウジング５６は、少なくとも１つのガス／液体熱交換器５２のうちの少なくとも１つ、および、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部４６のうちの少なくとも１つを備える。各熱交換器ハウジング５６が、１つのガス／液体熱交換器５２を収容しかつ１つのプレナム・チャンバ開口部４６を備えることが、好ましい。各プレナム・チャンバ開口部４６は、各熱交換器ハウジング５６においてウェーハ・ボート・チャンバ２４のうちの少なくとも１つから排出されるガスがガス／液体熱交換器５２に沿って流れることを余儀なくされるように、それぞれの熱交換器ハウジング５６と再循環チャネル４８とを接続する。
本発明の一実施形態では、複数のガス供給開口部３０を介してそれぞれのウェーハ・ボート・チャンバ２４に供給されたガスが、関連するウェーハ・ボート・チャンバ２４の複数のガス排出開口部３２へ流れるときに実質的に水平にウェーハ・ボート・チャンバ２４を横断するように、ウェーハ・ボート・チャンバ２４ごとにガス供給領域がガス排出領域に対向する。
この実質的に水平のガスの流れは、ウェーハ・ボート・チャンバ２４内でのウェーハ・ボートの効率的な冷却に役立つ、層流に近いパターンを提供する。
本発明の一実施形態では、ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、導管４０と複数のガス供給開口部３０とを流体的に接続するガス供給導管２６をさらに備え得る。複数のガス供給開口部３０は、関連するガス供給導管２６とそれぞれのウェーハ・ボート・チャンバ２４とを流体的に接続する。ウェーハ・ボート冷却デバイスのこの実施形態はまた、底板開口部３６と複数のガス排出開口部３２とを流体的に接続することができる少なくとも１つのガス排出導管２８を備え得る。複数のガス排出開口部３２は、関連するガス排出導管２８とそれぞれのウェーハ・ボート・チャンバ２４とを流体的に接続する。垂直に延在する壁構造２２は、垂直に延在する少なくとも１つのガス供給チャネルを境界し、したがってガス供給導管２６を形成し得る。垂直に延在する壁構造２２はまた、垂直に延在する少なくとも１つのガス排出チャネルを境界し、したがって少なくとも１つのガス排出導管２８を形成し得る。
ガス流れ導管は、円筒形であり得るが、どのような種類の形状および断面でも有することができる。この好ましい実施形態では、ガス供給導管２６およびガス排出導管２８は、垂直に延在する壁構造２２の一部分として構成される。したがって、垂直に延在する壁構造２２は、ウェーハ・ボート・チャンバ２４を境界するだけではなく、少なくとも１つのガス供給チャネルおよび少なくとも１つのガス排出チャネルをも境界する。したがって、この垂直に延在する壁構造２２は、非常に費用効率の高い態様で、ウェーハ・ボート・チャンバの境界だけではなくガス供給および排出チャネル構造も提供する。
本発明の一実施形態では、ウェーハ・ボート・チャンバ２４のうちの１つは、垂直に移動可能なリフト支持部材を有するウェーハ・ボート・リフトに関連付けられ得る。回転テーブル２０は、リフト支持部材を回転テーブル２０の下側と底板１８の上側との間の空間６０に収容するために、各ウェーハ・ボート位置にリフト支持開口部５８を有し、リフト支持部材は、リフト支持開口部５８を通って回転テーブル２０を通過することができる。
ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、垂直バッチ炉の加工チャンバの下に位置決めされるように構成される。ウェーハ・ボート・リフトは、ウェーハ・ボートをウェーハ・ボート冷却デバイス１０から加工チャンバへ移動させるために、また、ウェーハ・ボートを加工チャンバからウェーハ・ボート冷却デバイス１０へ移動させるために、使用され得る。冷却デバイス１０は、頂部開口部７６を有することができ、ウェーハ・ボート・リフトは、この頂部開口部７６を通じて、ウェーハ・ボートを加工チャンバへ持ち上げるかまたは加工チャンバから下げることができる。
ウェーハ・ボート冷却デバイス１０内では、回転テーブル２０の回転によりその位置を変更することができるウェーハ・ボート・チャンバ２４内にウェーハ・ボートが収容される。しかし、ウェーハ・ボート・リフトは、ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の不動部分に接続されることが好ましい。
ウェーハ・ボート・リフトが使用されないとき、リフト支持部材は、回転テーブルが別の割出し位置へ自由に回転することができるように、回転テーブル２０の下側と底板１８の上側との間の空間６０に収容され得る。
本発明の一実施形態では、ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、不動支持フレーム６２および回転テーブル軸受６４をさらに備え得る。回転テーブル軸受６４は、導管４０に固定して接続される内側レースを有する。回転テーブル軸受６４の外側レースが、不動支持フレーム６２に固定して接続される。導管４０は、回転テーブル２０に固定して接続されて、回転テーブル２０のための支持体を形成する。不動支持フレーム６２はまた、底板１８のための支持フレームとして使用され得る。回転テーブル軸受６４は、例えば、軸方向および径方向の両方において支持を提供することができる玉軸受であってよい。
本発明の一実施形態では、ウェーハ・ボート冷却デバイスは、円周壁１４および頂壁１６を有する主ハウジング１２をさらに備え得る。底板１８は、ハウジング１２の底壁であり得る。主ハウジング１２は、ウェーハ・ボート・チャンバ２４のうちの１つの中でウェーハをウェーハ・ボートとの間で移送するための少なくとも１つの移送開口部６６をさらに備え得る。
移送開口部６６は、処理すべきウェーハを受け入れかつ処理されたウェーハを排出するための方法を提供する。ウェーハの実際の移送のために、移送開口部６６の外側にウェーハ取扱いロボットが配置され得る。
本発明の一実施形態では、導管４０は、回転テーブル２０に固定して接続されて、回転テーブル２０とともに回転する。第１のガス・シール６８が、回転可能な導管４０と底板１８との間に設けられ得る。第２のガス・シール７０が、回転可能な導管４０と再循環チャネル４８との間に設けられ得る。
第１のガス・シール６８は、実質的に環状であってもよく、かつ、回転可能な導管４０と不動の底板１８との間に実質的に気密の接続を提供することができる。第２のガス・シール７０もまた、実質的に環状であってもよく、かつ、回転可能な導管４０と不動の再循環チャネル４８との間に実質的に気密の接続を提供することができる。この実施形態では、導管４０は、回転テーブル２０を支持するために使用され得る。
本発明の一実施形態では、第１のガス・シール６８および第２のガス・シール７０は、ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の回転部品とウェーハ・ボート冷却デバイス１０の不動部品との間に気密の接続を作るためにウェーハ・ボート冷却デバイス１０内に存在する、ただ２つのガス・シールである。
ガス・シールは冷却デバイス１０が点検されるときに交換を必要とし得る部品であることを考えれば、回転部品と不動部品との間で冷却デバイス１０内に存在するガス・シールの数は、できるだけ少ないこと、好ましくは２つだけであることが、有益である。そのような少数のガス・シールは、ガスの漏出の可能性も最小限に抑えることが明らかであろう。
本発明の一実施形態では、各ウェーハ・ボート・チャンバ２４のガス供給領域は、フィルタ組立体７２を備え、その結果、複数のガス供給開口部３０を介してそれぞれのウェーハ・ボート・チャンバ２４へ供給されるガスは、前述のフィルタ組立体７２を通過しなければならない。ウェーハ・ボート・チャンバ２４に関連するフィルタ組立体７２は、前述のウェーハ・ボート・チャンバ２４にきれいなガスを供給するために設けられる。
本発明の一実施形態では、回転テーブル２０は、対応するウェーハ・ボート・チャンバ２４を含む３つのウェーハ・ボート位置を有し得る。回転テーブル２０は、１２０°の角度にわたって割出し可能であり得る。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の第１の割出し位置は、第１の割出し位置にあるウェーハ・ボート・チャンバ２４からウェーハ・ボートを垂直に加工チャンバ内へ搭載するための、および／または第１の割出し位置にあるウェーハ・ボート・チャンバ２４内に加工チャンバからウェーハ・ボートを受け取るための、搭載／受取り位置であり得る。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の第２の割出し位置は、冷却位置とされ得る。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０の第３の割出し位置は、第３の割出し位置にあるウェーハ・ボート・チャンバ２４に収容されたウェーハ・ボートとの間でウェーハを移送するための移送位置とされ得る。
複数の割出し位置間で回転可能な回転テーブル２０はまた、割出しテーブルと呼ばれ得る。そのようなテーブルは、別々の実質的に同等のステップで回転することができる。ステップの総計は、冷却デバイス１０の割出し位置の総計を規定する。回転テーブル２０はまた、ウェーハ・ボート位置の数を規定する。この実施形態では、３つの割出し位置は、３つの別々の目的を有する。ウェーハ・ボートに収容されたウェーハは、３つの位置を全て通過することになる。最初に、ウェーハは、第３の割出し位置においてウェーハ・ボート内に配置される。ウェーハ・ボートが搭載されると、回転テーブルは回転し、未加工のウェーハが搭載されたウェーハ・ボートを含むウェーハ・ボート・チャンバ２４は、第１の割出し位置に配置される。ウェーハ・ボートは、第１の割出し位置から、ウェーハを加工するための垂直炉の加工チャンバに搭載される。加工チャンバでの加工後、ウェーハ・ボートは、第１の割出し位置において下降されてウェーハ・ボート・チャンバ２４に受け入れられる。続いて、回転テーブルは回転し、高温のウェーハ・ボートおよびウェーハを含むウェーハ・ボート・チャンバ２４は、第２の割出し位置に配置される。第２の割出し位置の働きは、ウェーハおよび第２の割出し位置に位置決めされたウェーハ・ボートを冷却することである。最後に、回転テーブル２０は再度回転し、ウェーハ・ボートを含むウェーハ・ボート・チャンバ２４は、再度第３の割出し位置に配置される。すると、処理済みのウェーハをウェーハ・ボートから取り出すことができ、また、新たなウェーハを搭載することができる。
最後に、本開示は、ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための加工チャンバと、本発明によるウェーハ・ボート冷却デバイス１０とを備える、垂直バッチ炉組立体を提供する。ウェーハ・ボート冷却デバイス１０は、加工チャンバの下に位置決めされる。垂直バッチ炉組立体はまた、ウェーハ・ボートをウェーハ・ボート冷却デバイス１０から加工チャンバへ、また加工チャンバからウェーハ・ボート冷却デバイス１０へ移送するように構成された、垂直ウェーハ・ボート・リフト組立体を備える。垂直バッチ炉組立体は、複数の加工チャンバを備えてもよく、また、それに応じて、前述の加工チャンバに関連する複数のウェーハ・ボート冷却デバイス１０を有してもよい。
そのような垂直バッチ炉組立体は、概要セクションで説明された本発明によるウェーハ・ボート冷却デバイスの利点を有し、その利点は、参照によりここで繰り返されると考えられる。
上記で説明された様々な実施形態は、互いに独立に実施されて使用されてもよく、また、様々な方法で互いに組み合わせられてもよい。詳細な説明および特許請求の範囲において使用される参照番号は、実施形態の説明を限定するものではないし、特許請求の範囲を限定するものでもない。参照番号は、単に明確にするために使用される。
１０ ウェーハ・ボート冷却デバイス
１２ 主ハウジング
１４ （主ハウジングの）円周壁
１６ （主ハウジングの）頂部壁
１８ 底板
２０ 回転テーブル
２２ 垂直に延在する壁構造
２４ ウェーハ・ボート・チャンバ
２６ ガス供給導管
２８ ガス排出導管
３０ ガス供給開口部
３２ ガス排出開口部
３４ 中央ガス開口部
３６ 底板開口部
４０ 導管
４２ プレナム・チャンバ・ハウジング
４４ プレナム・チャンバ
４６ プレナム・チャンバ開口部
４８ 再循環チャネル
５０ ガス・ブロワ
５２ ガス／液体熱交換器
５４ 底壁
５６ 熱交換器ハウジング
５８ リフト支持開口部
６０ 空間
６２ 不動支持体
６４ 回転テーブル軸受
６６ 移送開口部
６８ 第１のガス・シール
７０ 第２のガス・シール
７２ フィルタ組立体
７４ 遮断壁
７６ 加工チャンバ開口部
Ｌ 中心垂直軸

Claims (18)

  1. ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための垂直バッチ炉の加工チャンバの下に位置決めされるように構成されたウェーハ・ボート冷却デバイスであって、
    底板と、
    ウェーハ・ボートを支持するための少なくとも２つのウェーハ・ボート位置を含む回転テーブルであって、前記底板の上方で中心垂直軸を中心として回転可能な回転テーブルと、
    前記回転テーブルに取り付けられて、各ウェーハ・ボート位置において垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバを形成する、垂直に延在する壁構造と、
    を備え、
    前記垂直に延在する壁構造が、
    複数のガス供給開口部を含むガス供給領域と、
    複数のガス排出開口部を含むガス排出領域と、
    を備え、
    前記ウェーハ・ボート冷却デバイスが、
    前記底板内の中央ガス開口部を通って延在して前記複数のガス供給開口部または前記複数のガス排出開口部と流体連通している導管
    をさらに備え、
    前記底板が、前記回転テーブルが複数の割出し位置のうちの１つにあるときに前記複数のガス供給開口部または前記複数のガス排出開口部と流体連通する複数の底板開口部を有し、
    前記ウェーハ・ボート冷却デバイスが、
    少なくとも部分的に前記導管の周りで前記底板の下に延在するプレナム・チャンバを作るプレナム・チャンバ壁を有しているプレナム・チャンバ・ハウジングであって、前記底板内の前記複数の底板開口部が、前記プレナム・チャンバと流体連通し、また、前記プレナム・チャンバが、少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部を有する、プレナム・チャンバ・ハウジングと、
    前記少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部から前記導管まで延在しかつ少なくとも１つのガス・ブロワを含む、再循環チャネルと、
    前記プレナム・チャンバ内に位置決めされた少なくとも１つのガス／液体熱交換器と、
    をさらに備える、ウェーハ・ボート冷却デバイス。
  2. 前記少なくとも１つのガス／液体熱交換器が、前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバのうちの少なくとも１つから排出されるガスを冷却するように構成される、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  3. 前記プレナム・チャンバ・ハウジングが、少なくとも１つの熱交換器ハウジングを含み、前記少なくとも１つのガス／液体熱交換器が、前記少なくとも１つの熱交換器ハウジングのうちの関連する１つに収容され、前記少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部が、前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバのうちの少なくとも１つから排出されるガスが前記再循環チャネルへまたは前記複数の底板開口部へ流れるときに前記少なくとも１つのガス／液体熱交換器に沿って流れるように、前記少なくとも１つの熱交換器ハウジング内に設けられる、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  4. 前記少なくとも１つの熱交換器ハウジングが、２つの熱交換器ハウジングを含み、前記２つの熱交換器ハウジングのそれぞれが、ガス／液体熱交換器を収容し、２つの熱交換器ハウジングのそれぞれがが、前記少なくとも１つのプレナム・チャンバ開口部のうちの１つを備える、請求項３に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  5. 前記複数のガス供給開口部が、前記垂直に延在する壁構造の全高に実質的にわたって少なくとも垂直方向に沿って、前記垂直に延在する壁構造において分散される、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  6. 前記複数のガス排出開口部が、前記垂直に延在する壁構造の全高に実質的にわたって少なくとも垂直方向に沿って、前記垂直に延在する壁構造において分散される、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  7. 前記複数のガス供給開口部を介してそれぞれの前記ウェーハ・ボート・チャンバに供給されたガスが、関連する前記ウェーハ・ボート・チャンバの前記複数のガス排出開口部へ流れるときに実質的に水平に前記ウェーハ・ボート・チャンバを横断するように、ウェーハ・ボート・チャンバごとに前記ガス供給領域が前記ガス排出領域に対向する、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  8. 前記導管または前記底板開口部のどちらか一方と前記複数のガス供給開口部とを流体的に接続するガス供給導管であって、前記複数のガス供給開口部が、関連する前記ガス供給導管とそれぞれの前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバとを流体的に接続する、ガス供給導管と、
    前記導管および前記底板開口部のどちらかのうちのもう一方と前記複数のガス排出開口部とを流体的に接続するガス排出導管であって、前記複数のガス排出開口部が、関連する前記ガス排出導管とそれぞれの前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバとを流体的に接続する、ガス排出導管と、
    をさらに備える、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  9. 前記垂直に延在する壁構造が、少なくとも１つの垂直に延在するガス供給チャネルをさらに境界し、したがって前記ガス供給導管を形成し、前記垂直に延在する壁構造が、少なくとも１つの垂直に延在するガス排出チャネルを境界し、したがって前記ガス排出導管を形成する、請求項８に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  10. 前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバのうちの１つが、垂直に移動可能なリフト支持部材を有するウェーハ・ボート・リフトに関連付けられ、前記回転テーブルが、前記リフト支持部材を前記回転テーブルの下側と前記底板の上側との間の空間に収容するために、各ウェーハ・ボート位置にリフト支持開口部を有し、前記リフト支持部材が、前記リフト支持開口部を通って前記回転テーブルを通過することができる、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  11. 不動支持フレームと、
    前記導管に固定して接続される内側レースを有し、かつ、前記不動支持フレームに固定して接続される外側レースを有する、回転テーブル軸受と、
    をさらに備え、
    前記導管が、前記回転テーブルに固定して接続されて、前記回転テーブルのための支持体を形成する、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  12. 円周壁および頂部壁を有する主ハウジングをさらに備え、前記底板が、前記主ハウジングの底壁を形成する、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  13. 前記主ハウジングが、前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバのうちの１つの中でウェーハをウェーハ・ボートとの間で移送するための少なくとも１つの移送開口部をさらに備える、請求項１２に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  14. 前記導管が、前記回転テーブルに固定して接続され、第１のガス・シールが、前記回転可能な導管と前記底板との間に設けられ、第２のガス・シールが、前記回転可能な入口導管と前記再循環チャネルとの間に設けられる、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  15. 前記第１のガス・シールおよび前記第２のガス・シールが、前記ウェーハ・ボート冷却デバイスの回転部品と前記ウェーハ・ボート冷却デバイスの不動部品との間に気密の接続を作るために前記ウェーハ・ボート冷却デバイス内に存在するただ２つのガス・シールである、請求項１４に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  16. 各垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバの前記ガス供給領域が、フィルタ組立体を備え、その結果、前記複数のガス供給開口部を介してそれぞれの前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバに供給されるガスが、前記フィルタ組立体を通過しなければならない、請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  17. 前記回転テーブルが、対応する垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバを含む３つのウェーハ・ボート位置を有し、前記回転テーブルが、１２０°の角度にわたって割出し可能であり、
    前記ウェーハ・ボート冷却デバイスの第１の割出し位置が、前記第１の割出し位置にある前記ウェーハ・ボート・チャンバから前記ウェーハ・ボートを垂直に前記加工チャンバ内へ搭載するための、および／または前記第１の割出し位置にある前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバ内に前記加工チャンバから前記ウェーハ・ボートを受け取るための、搭載／受取り位置であり、
    前記ウェーハ・ボート冷却デバイスの第２の割出し位置が、冷却位置であり、
    前記ウェーハ・ボート冷却デバイスの第３の割出し位置が、前記第３の割出し位置にある前記垂直に延在するウェーハ・ボート・チャンバに収容された前記ウェーハ・ボートとの間でウェーハを移送するための移送位置である、
    請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイス。
  18. ウェーハ・ボートに収容されたウェーハを加工するための加工チャンバと、
    請求項１に記載のウェーハ・ボート冷却デバイスであって、前記加工チャンバの下に位置決めされる、ウェーハ・ボート冷却デバイスと、
    ウェーハ・ボートを前記ウェーハ・ボート冷却デバイスから前記加工チャンバへ、また前記加工チャンバから前記ウェーハ・ボート冷却デバイスへ移送するように構成された垂直ウェーハ・ボート・リフト組立体と、
    を備える、垂直バッチ炉組立体。
JP2019063858A 2018-03-29 2019-03-28 ウェーハ・ボート冷却デバイス Active JP6936270B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862649867P 2018-03-29 2018-03-29
US62/649,867 2018-03-29

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019176155A JP2019176155A (ja) 2019-10-10
JP2019176155A5 JP2019176155A5 (ja) 2021-02-12
JP6936270B2 true JP6936270B2 (ja) 2021-09-15

Family

ID=68056930

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019063858A Active JP6936270B2 (ja) 2018-03-29 2019-03-28 ウェーハ・ボート冷却デバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10858738B2 (ja)
JP (1) JP6936270B2 (ja)
KR (1) KR102242013B1 (ja)
CN (1) CN110323160B (ja)
TW (1) TWI739080B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188253B (zh) * 2021-12-03 2022-12-09 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备的片舟暂存装置及半导体设备
CN114318522A (zh) * 2021-12-23 2022-04-12 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体腔室的冷却装置及半导体工艺设备

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3850417A (en) * 1972-12-20 1974-11-26 Guinea Hermanos Ingenieros Sa System for accelerated cooling of loads in controlled atmosphere forced circulation type furnaces
US5254170A (en) * 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
NL9200446A (nl) * 1992-03-10 1993-10-01 Tempress B V Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers).
US6005225A (en) * 1997-03-28 1999-12-21 Silicon Valley Group, Inc. Thermal processing apparatus
JP3207402B2 (ja) * 1999-10-20 2001-09-10 株式会社半導体先端テクノロジーズ 半導体用熱処理装置および半導体基板の熱処理方法
KR100745867B1 (ko) * 2000-08-23 2007-08-02 동경 엘렉트론 주식회사 수직열처리장치 및 피처리체를 운송하는 방법
US20050187647A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 Kuo-Hua Wang Intelligent full automation controlled flow for a semiconductor furnace tool
KR20060127695A (ko) * 2005-06-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비
JP5117856B2 (ja) * 2005-08-05 2013-01-16 株式会社日立国際電気 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法
JP4584821B2 (ja) * 2005-12-14 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び帯状気流形成装置
US7553516B2 (en) * 2005-12-16 2009-06-30 Asm International N.V. System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates
JP2006279055A (ja) * 2006-04-24 2006-10-12 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2010219228A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2012080080A (ja) * 2010-09-07 2012-04-19 Tokyo Electron Ltd 縦型熱処理装置及びその制御方法
JP2013062361A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、温度制御システム、熱処理方法、温度制御方法及びその熱処理方法又はその温度制御方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
TW201639063A (zh) * 2015-01-22 2016-11-01 應用材料股份有限公司 批量加熱和冷卻腔室或負載鎖定裝置
KR102372555B1 (ko) * 2015-02-25 2022-03-08 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 히터 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI611043B (zh) * 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
KR102516725B1 (ko) * 2016-06-27 2023-04-04 세메스 주식회사 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102597978B1 (ko) * 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN110323160A (zh) 2019-10-11
TWI739080B (zh) 2021-09-11
US20190301018A1 (en) 2019-10-03
KR20190114859A (ko) 2019-10-10
JP2019176155A (ja) 2019-10-10
CN110323160B (zh) 2021-10-15
US10858738B2 (en) 2020-12-08
KR102242013B1 (ko) 2021-04-20
TW201943000A (zh) 2019-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102597978B1 (ko) 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
JP2020077871A (ja) 基材を処理するための基材処理装置
JP6936270B2 (ja) ウェーハ・ボート冷却デバイス
KR100278154B1 (ko) 마이크로회로 웨이퍼들을 처리하기 위한 장치
CN1854908B (zh) 加热装置、和涂敷、显影装置以及加热方法
CN100358098C (zh) 半导体工艺件处理装置
JPH0349839A (ja) 円板状工作物のための工作物支持盤および真空処理チャンバー
KR19980063755A (ko) 기판처리장치
KR101598214B1 (ko) 디스크 형상의 기판의 열처리 장치
JP2019176155A5 (ja)
JP2006179629A (ja) 回転保持装置
WO2023098555A1 (zh) 半导体设备的片舟暂存装置及半导体设备
JP4025146B2 (ja) 処理液用タンク及び処理装置
US20050035108A1 (en) Heat-treatment system and method
JP2001274051A (ja) 加熱処理装置
JP2001093828A (ja) 処理システム
TWI797687B (zh) 基板處理裝置
KR20230142290A (ko) 기판처리장치
KR20230100831A (ko) 홈 포트 및 기판 처리 장치
JP2003226998A (ja) めっき装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20191118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20191118

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201222

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20201222

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20210105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210316

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210706

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210719

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210803

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6936270

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150