KR20060127695A - 쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비 - Google Patents

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Abstract

쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비가 제공된다. 이때의 반도체 제조설비는 다수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 보트와, 웨이퍼 보트가 인입되도록 마련된 반응튜브와, 웨이퍼 보트를 반응튜브의 내부로 인입시키는 보트 엘리베이터와, 웨이퍼 보트의 웨이퍼를 외부로 이송하거나 외부의 웨이퍼를 웨이퍼 보트로 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼 및, 웨이퍼 트랜스퍼에 구비되며 웨이퍼 보트의 웨이퍼가 쿨링되도록 웨이퍼 보트의 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 쿨링가스 분사유닛을 포함한다. 따라서, 유저는 이 쿨링가스 분사유닛을 이용하여 고온으로 가열된 웨이퍼를 빠르게 쿨링시킬 수 있다. 이에, 박막 증착공정 등의 공정을 진행하는데 드는 시간은 상당부분 단축된다.

Description

쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비{Wafer transfer having cooling function and semiconductor manufacturing equipment installed the same}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼를 확대도시한 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼에서 가스분사헤드가 소정길이만큼 늘어난 상태를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 2에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼를 이용하여 웨이퍼를 냉각시키고 있는 상태를 도시한 사시도이다.
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 설비에 관한 것으로, 특히, 웨이퍼를 냉각하도록 쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에서 많이 사용되는 박막은 열적 성장이나 물리적 증착, 또는 화학 반응에 의하여 증착되는 금속, 반도체, 부도체 등의 얇은 층이다. 이러한 박막의 제조 방법에는 화학적 기상증착(CVD)과 물리적 기상증착(PVD) 방법 등이 있는데, 최근에는 상압 화학 기상증착(AP-CVD)과, 저압 화학 기상증착(LP-CVD) 및 플라즈마 화학 기상증착(PE-CVD) 등으로 구분되는 화학적 기상증착 방법이 많이 사용되고 있다.
이와 같은 화학적 기상증착 방법 중에서 저압 화학 기상증착(Low Pressure Chemical Vaper Deposition;LP-CVD)은 밀폐된 반응로 내에서 600℃ 이상의 고온 하에 대략 0.1 ~ 10 Torr 정도의 저압 상태로 가스 반응이 이루어지는 방법으로, 박막 형성시 웨이퍼 간격을 좁게 함으로 동시에 많은 양의 균일한 막질을 얻을 수 있는 장점이 있어서, 고온 산화막이나 다결정 실리콘막 등을 증착시키는데 주로 사용되고 있다.
한편, 이러한 저압 화학 기상증착법을 이용하여 보다 많은 양의 웨이퍼를 생산하려면, 이상과 같은 제반 공정조건을 적절하게 유지시켜주면서도 저압 화학 기상증착법에 따른 공정을 진행하는데 소요되는 전체 시간을 최소화 하여야 한다.
그러나, 종래 저압 화학 기상증착법을 수행하는 반도체 제조설비는 약 600℃ 이상의 고온에서 반응된 웨이퍼를 별도의 매커니즘(Mechanism) 없이 단지 상온에서 장시간 딜레이(Delay)시킴으로써 쿨링시키고 있다. 따라서, 종래와 같은 설비 및 방법에 의하면, 저압 화학 기상증착법에 따른 공정을 진행하는데 드는 시간이 매우 장시간이 소요되어 결국에는 웨이퍼의 생산량을 감소시키게 되는 문제가 발생된다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 것으로써, 본 발명 이 이루고자 하는 기술적 과제는 웨이퍼를 빠르게 쿨링시킬 수 있도록 쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비를 제공하는데 있다.
이와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제 1관점에 따르면, 다수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 보트(Wafer boat)와, 웨이퍼 보트가 인입되도록 마련된 반응튜브(Process tube)와, 웨이퍼 보트를 반응튜브의 내부로 인입시키는 보트 엘리베이터(Boat elevator)와, 웨이퍼 보트의 웨이퍼를 외부로 이송하거나 외부의 웨이퍼를 웨이퍼 보트로 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼 및, 웨이퍼 트랜스퍼에 구비되며 웨이퍼 보트의 웨이퍼가 쿨링되도록 웨이퍼 보트의 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 쿨링가스 분사유닛을 포함하는 반도체 제조설비가 제공된다.
여기서, 상기 쿨링가스 분사유닛은 웨이퍼 트랜스퍼에 마련된 가스분사 실린더(Cylinder)와, 가스분사 실린더에서 소정거리 신축되는 가스분사 피스톤(Piston) 및, 가스분사 피스톤의 끝단에 결합되어 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 가스분사헤드(Head)를 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 가스분사헤드에는 쿨링가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 형성될 수 있고, 상기 가스분사 피스톤의 내부에는 외부로부터 쿨링가스가 공급되도록 가스공급라인이 마련될 수 있다. 이때, 상기 가스분사홀과 상기 가스공급라인은 상호 연통됨이 바람직하다.
한편, 상기와 같은 기술적 과제를 구현하기 위한 본 발명의 제 2관점에 따르면, 웨이퍼를 이송하도록 상하 이동 및 회전되는 트랜스퍼몸체와, 웨이퍼의 밑면을 지지하도록 트랜스퍼몸체에서 소정거리 연장형성된 블레이드와, 트랜스퍼몸체에 마련된 가스분사 실린더와, 가스분사 실린더에서 소정거리 신축되는 가스분사 피스톤과, 가스분사 피스톤의 끝단에 결합되어 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 가스분사헤드를 포함하는 웨이퍼 트랜스퍼가 제공된다.
이때, 상기 가스분사헤드에는 쿨링가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 형성될 수 있고, 상기 가스분사 피스톤의 내부에는 외부로부터 쿨링가스가 공급되도록 가스공급라인이 마련될 수 있다. 이 경우, 상기 가스분사홀과 상기 가스공급라인은 상호 연통됨이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조설비의 일실시예를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼를 확대도시한 사시도이며, 도 3은 도 2에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼에서 가스분사헤드가 소정길이만큼 늘어난 상태를 도시한 사시도이다. 그리고, 도 4는 도 2에 도시한 웨이퍼 트랜스퍼를 이용하여 웨이퍼를 냉각시키고 있는 상태를 도시한 사시도이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 제조설비(100)는 저압 화학 기상증착법을 수행하여 웨이퍼(90) 상에 소정 박막을 증착시키는 박막 증착설비로, 박스 타입(Box type)의 본체(110)와, 본체(110)의 내부에 구비되는 웨이퍼 보트(130), 반응튜브(120), 캡 베이스(140), 보트 엘리베이터(150) 및, 웨이퍼 트랜스퍼(160)로 구성된다.
보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼 보트(130)에는 증착반응에 투입될 웨이퍼(90)가 다수 적재된다. 예를 들면, 웨이퍼(90)는 약 150매 정도 적재된다.
반응튜브(120)는 소정 박막증착 반응이 발생되는 부분으로, 돔(Dome) 형상으로 형성되며, 그 하부는 웨이퍼 보트(130)가 인입되도록 개구된다.
캡 베이스(140)는 반응튜브(120)의 개구된 하부를 밀폐시키는 역할을 하며, 웨이퍼 보트(130)의 하부에 마련된다. 따라서, 웨이퍼 보트(130)가 후술될 보트 엘리베이터(150)에 의하여 반응튜브(120)의 내부로 인입되면, 캡 베이스(140)는 이 웨이퍼 보트(130)와 함께 그 상측으로 이동되어 반응튜브(120)의 개구된 하부를 밀폐시키게 된다.
보트 엘리베이터(150)는 웨이퍼 보트(130)를 반응튜브(120)의 내부로 인입시키는 역할을 한다. 그리고, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 웨이퍼 보트(130)의 웨이퍼(90)를 외부로 이송하거나 외부의 웨이퍼(90)를 웨이퍼 보트(130)로 이송하는 역할을 한다. 따라서, 외부로부터 소정 박막이 증착될 웨이퍼(90)가 로딩되면, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 이 로딩된 웨이퍼(90)를 웨이퍼 보트(130)로 이송하게 되고, 이송이 완료되면 보트 엘리베이터(150)는 다수의 웨이퍼(90)가 적재된 웨이퍼 보트 (130)를 반응튜브(120)의 내측으로 인입시키게 된다. 따라서, 웨이퍼(90) 상에는 소정 박막이 증착되어지는 것이다.
한편, 도 2 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일실시예인 웨이퍼 트랜스퍼(160)에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 크게 웨이퍼(90)를 이송하는 트랜스퍼몸체(161)와, 트랜스퍼몸체(161)의 상부에 구비되며 웨이퍼 보트(130)의 웨이퍼(90)가 쿨링되도록 웨이퍼 보트(130)의 웨이퍼(90) 측으로 쿨링가스를 분사하는 쿨링가스 분사유닛(167)으로 구성된다.
구체적으로, 트랜스퍼몸체(161)는 웨이퍼(90)를 이송하도록 상하 이동 및 회전된다. 그리고, 트랜스퍼몸체(161)의 일측에는 웨이퍼(90)의 밑면을 지지하도록 트랜스퍼몸체(161)에서 소정거리 연장형성된 블레이드(Blade;162)가 마련된다. 따라서, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 상하 이동 및 회전되는 트랜스퍼몸체(161)와 이 트랜스퍼몸체(161)에서 소정거리 연장형성된 블레이드(162)를 이용하여 웨이퍼(90)를 이송하게 되는 것이다.
또한, 쿨링가스 분사유닛(167)은 트랜스퍼몸체(161)의 상부에 마련된 가스분사 실린더(166)와, 가스분사 실린더(166)에서 소정거리 신축되는 가스분사 피스톤(165) 및, 가스분사 피스톤(165)의 끝단에 결합되어 웨이퍼(90) 측으로 쿨링가스를 분사하는 가스분사헤드(164)를 포함한다. 이때, 가스분사 피스톤(165)의 내부에는 외부로부터 쿨링가스가 공급되도록 가스공급라인(168)이 마련된다. 그리고, 가스분사헤드(164)에는 가스분사 피스톤(165)의 가스공급라인(168)과 연통되어 가스공급라인(168)으로부터 공급되는 쿨링가스를 분사하는 다수의 가스분사홀(163)이 형성 된다. 따라서, 웨이퍼(90)는 이 가스분사홀(163)을 통해 분사되는 쿨링가스에 의해서 빠르게 냉각되어지는 것이다.
미설명 부호 169는 가스분사 피스톤(165)의 가스공급라인(168)으로 Ar이나 N2 등의 소정 쿨링가스를 공급해주는 쿨링가스 공급원을 지칭한 것이다.
이하, 이상과 같이 구성된 본 발명 반도체 제조설비(100) 및, 본 발명 반도체 제조설비(100)에 구비된 웨이퍼 트랜스퍼(160)의 작용 및 효과를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 외부로부터 증착반응이 진행될 웨이퍼(90)가 로딩되면, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 블레이드(162)를 이용하여 로딩된 웨이퍼(90)를 웨이퍼 보트(130) 측으로 이송하게 된다.
이후, 웨이퍼(90)가 웨이퍼 보트(130) 측으로 이송되면, 보트 엘리베이터(150)는 웨이퍼(90) 상에 소정 박막증착공정이 진행되도록 웨이퍼 보트(130)를 반응튜브(120)의 내측으로 인입시키게 된다.
이후, 반응튜브(120) 내에 약 600℃ 이상의 고온과, 대략 0.1 ~ 10 Torr 정도의 저압 상태가 적절하게 유지되어 웨이퍼(90) 상에 소정 박막이 증착되면, 보트 엘리베이터(150)는 다시 다수의 웨이퍼(90)가 적재된 웨이퍼 보트(130)를 반응튜브(120)의 하측으로 인출하게 된다.
이후, 반응튜브(120)에서 인출되는 웨이퍼(90)는 고온상태인 바, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 고온의 웨이퍼(90)가 빠르게 쿨링되도록 쿨링가스 분사유닛(167)을 이용하여 웨이퍼(90) 측으로 소정 쿨링가스를 분사하게 된다. 따라서, 웨이퍼(90)는 빠르게 쿨링되는 것이다. 여기서, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 매우 다양한 방법으로 웨이퍼(90)를 쿨링시킬 수 있다. 예를 들면, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 반응튜브(120)의 하측으로 미리 이동되어 반응튜브(120)에서 인출되기 시작한 웨이퍼(90)부터 순차적으로 쿨링시킬 수도 있고, 반응튜브(120)로부터 인출이 완료된 웨이퍼 보트(130)의 측면으로 먼저 이동한 다음 웨이퍼 보트(130)의 높이만큼 소정거리 상하 이동되면서 웨이퍼(90)를 쿨링시킬 수도 있다.
이후, 웨이퍼(90)가 쿨링되면, 웨이퍼 트랜스퍼(160)는 다시 블레이드(162)를 이용하여 웨이퍼 보트(130)에 적재된 웨이퍼(90)를 외부로 이송시키게 된다. 따라서, 본 발명 반도체 제조설비(100)를 이용한 박막 증착공정은 완료된다.
이상, 본 발명은 도시된 실시예를 참고로 설명하였으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 그러므로 본 발명의 범위는 첨부된 특허청구의 범위와 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비에는 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사시키도록 쿨링가스 분사유닛이 구비되기 때문에 유저는 이 쿨링가스 분사유닛을 이용하여 고온으로 가열된 웨이퍼를 빠르게 쿨링시킬 수 있는 효과가 있다. 따라서, 본 발명 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼 트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비를 이용하면, 박막 증착공정 등의 공정을 진행하는데 드는 시간을 상당부분 단축시킬 수 있다. 이에, 웨이퍼의 생산량을 증대된다.

Claims (5)

  1. 다수의 웨이퍼가 적재되는 웨이퍼 보트;
    상기 웨이퍼 보트가 인입되도록 마련된 반응튜브;
    상기 웨이퍼 보트를 상기 반응튜브의 내부로 인입시키는 보트 엘리베이터;
    상기 웨이퍼 보트의 웨이퍼를 외부로 이송하거나 외부의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 보트로 이송하는 웨이퍼 트랜스퍼; 및,
    상기 웨이퍼 트랜스퍼에 구비되며, 상기 웨이퍼 보트의 웨이퍼가 쿨링되도록 상기 웨이퍼 보트의 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 쿨링가스 분사유닛을 포함하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 쿨링가스 분사유닛은 상기 웨이퍼 트랜스퍼에 마련된 가스분사 실린더와, 상기 가스분사 실린더에서 소정거리 신축되는 가스분사 피스톤 및, 상기 가스분사 피스톤의 끝단에 결합되어 상기 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 가스분사헤드를 포함한 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 가스분사헤드에는 쿨링가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 형성되고,
    상기 가스분사 피스톤의 내부에는 외부로부터 쿨링가스가 공급되도록 가스공 급라인이 마련되며,
    상기 가스분사홀과 상기 가스공급라인은 상호 연통된 것을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  4. 웨이퍼를 이송하도록 상하 이동 및 회전되는 트랜스퍼몸체;
    상기 웨이퍼의 밑면을 지지하도록 상기 트랜스퍼몸체에서 소정거리 연장형성된 블레이드;
    상기 트랜스퍼몸체에 마련된 가스분사 실린더;
    상기 가스분사 실린더에서 소정거리 신축되는 가스분사 피스톤;
    상기 가스분사 피스톤의 끝단에 결합되어 상기 웨이퍼 측으로 쿨링가스를 분사하는 가스분사헤드를 포함하는 웨이퍼 트랜스퍼.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 가스분사헤드에는 쿨링가스가 분사되도록 다수의 가스분사홀이 형성되고,
    상기 가스분사 피스톤의 내부에는 외부로부터 쿨링가스가 공급되도록 가스공급라인이 마련되며,
    상기 가스분사홀과 상기 가스공급라인은 상호 연통된 것을 특징으로 하는 웨이퍼 트랜스퍼.
KR1020050049033A 2005-06-08 2005-06-08 쿨링 기능을 갖는 웨이퍼 트랜스퍼 및 이 웨이퍼트랜스퍼가 구비된 반도체 제조설비 KR20060127695A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN110323160A (zh) * 2018-03-29 2019-10-11 Asm国际股份有限公司 晶片舟皿冷却装置
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