JP6932174B2 - 半導体デバイスの検査または計測を実行するための光学装置及び方法 - Google Patents
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Description
本出願は、Anant Chimmalgiらによって2012年6月26日に出願された、Deep UV−UV−VIS−NIR Diode Laser Based Broad Band Light Sources for Wafer Inspection Toolsと題された米国仮特許出願第61/664,493号の優先権を主張するものであり、全ての目的のために参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
Claims (15)
- 異なる波長範囲を有する入射ビームを提供するように構成可能な複数のレーザーダイオードアレイであって、前記レーザーダイオードアレイが互いに異なる波長範囲を有する二次元(2D)スタックを形成し、前記2Dスタックの1つ以上を含む第1の組が深UV又はUVベースのレーザーダイオードから構成され、前記2Dスタックの1つ以上を含む第2の組がVISベースのレーザーダイオードから構成され、前記2Dスタックの1つ以上を含む第3の組がNIRベースのレーザーダイオードから構成される、複数のレーザーダイオードアレイと、
前記入射ビームを試料に向けて方向付けるための光学系と、
前記入射ビームに応答して前記試料から発せられる出力ビームに基づいて、出力信号または像を発生させるための検出器と、
前記出力ビームを前記検出器に向けて方向付けるための光学系と、
前記異なる波長範囲で前記入射ビームを提供するように、前記レーザーダイオードアレイを構成し、かつ前記出力信号または像に基づいて、前記試料の欠陥を検出するか、または特徴を特徴付けるためのコントローラであって、前記入射ビームが、前記異なる波長範囲から選択される特定の波長範囲を有するように、1つ以上のレーザーダイオードアレイを活性化するように構成されたコントローラと、
前記活性化された1つ以上のレーザーダイオードアレイから出力光を受信して結合するための結合光学系であって、前記レーザーダイオードアレイの個々のダイオードのパワーより高い正味パワーを達成するために、同一の波長を有する出力光を結合する空間カプラーまたは偏光カプラーと、異なる波長範囲を有する出力光を結合するための波長カプラーとを備える、結合光学系と、
を備える、半導体デバイスの検査または計測を実行するための光学装置。 - 前記2Dスタックが、広帯域範囲を共に形成する異なる波長範囲を有する前記入射ビームをもたらすように選択的に活性化することができる、ダイオードバーから形成される、請求項1に記載の装置。
- 前記活性化された1つ以上のレーザーダイオードアレイから出力光を受信し、かつ前記入射ビームに異なる照明プロファイルを形成するためのビーム成形光学系をさらに備える、請求項1に記載の装置。
- 異なる波長範囲を有する入射ビームを提供するように構成可能な複数のレーザーダイオードアレイであって、前記レーザーダイオードアレイが互いに異なる波長範囲を有する1つ以上の二次元(2D)スタックを形成し、前記2Dスタックが複数のダイオードバーから形成される、複数のレーザーダイオードアレイと、
前記入射ビームを試料に向けて方向付けるための光学系と、
前記入射ビームに応答して前記試料から発せられる出力ビームに基づいて、出力信号または像を発生させるための検出器と、
前記出力ビームを前記検出器に向けて方向付けるための光学系と、
前記異なる波長範囲で前記入射ビームを提供するように、前記レーザーダイオードアレイを構成し、かつ前記出力信号または像に基づいて、前記試料の欠陥を検出するか、または特徴を特徴付けるためのコントローラであって、前記入射ビームが、前記異なる波長範囲から選択される特定の波長範囲を有するように、1つ以上のレーザーダイオードアレイを活性化するように構成されたコントローラと、
前記活性化された1つ以上のレーザーダイオードアレイから出力光を受信して結合するための結合光学系であって、前記レーザーダイオードアレイの個々のダイオードまたはダイオードバーのパワーより高い正味パワーを達成するために、同一の波長を有する出力光を結合する空間カプラーまたは偏光カプラーと、異なる波長範囲を有する出力光を結合するための波長カプラーとを備える、結合光学系と、
を備える、半導体デバイスの検査または計測を実行するための光学装置。 - 前記2Dスタックの前記波長範囲が全体で約190nmから約1000nmの範囲を網羅する、請求項1に記載の装置。
- 前記2Dスタックの前記波長範囲が全体で前記深UV、UV、VIS、およびNIRの波長を含む、請求項1に記載の装置。
- 各2Dスタックが、約15から80nmの波長範囲幅を有する、請求項1に記載の装置。
- 各ダイオードバーの各レーザーダイオードが、約1ワット以上のパワーを提供する、請求項4に記載の装置。
- 各2Dスタックが、約200ワット以上のパワーを提供する、請求項8に記載の装置。
- 各2Dスタックの前記ダイオードバーが、その対応する2Dスタックと同一の波長範囲を有する、請求項4に記載の装置。
- 前記レーザーダイオードアレイが、深UV及びUV連続波ダイオードレーザーを含む、請求項4に記載の装置。
- 前記レーザーダイオードアレイが、VISおよびNIR連続波ダイオードレーザーを含む、請求項4に記載の装置。
- 1つ以上のレーザーダイオードアレイを選択および活性化して、選択された検査アプリケーションの指定された波長範囲で光を発生させ、他の1つ以上のレーザーダイオードアレイが、前記指定された波長範囲外で光を発生することを防止することであって、2Dスタックの1つ以上を含む第1の組が深UVまたはUVベースのレーザーダイオードから構成され、前記2Dスタックの1つ以上を含む第2の組がVISベースのレーザーダイオードから構成され、前記2Dスタックの1つ以上を含む第3の組がNIRベースのレーザーダイオードから構成される、ことと、
前記活性化された1つ以上のレーザーダイオードアレイからの光を共に結合して、入射ビームを形成することと、
前記入射ビームをウェハまたはレチクルに方向付けることと、
前記入射ビームに応答して前記ウェハまたはレチクルから検出された光に基づいて、前記選択された検査アプリケーションを実行することと、
1つ以上のレーザーダイオードアレイを選択及び活性化し、光を結合し、前記入射ビームを方向付け、前記選択された検査アプリケーションを実行するための動作を、異なる指定された波長範囲を有する複数の順次選択された検査アプリケーションに対して繰り返すことと、
を含み、前記入射ビームが、異なる波長範囲から選択される特定の波長範囲を有するように、1つ以上のレーザーダイオードアレイを活性化するように構成され、前記活性化された1つ以上のレーザーダイオードアレイから出力光を受信して結合する際に、前記レーザーダイオードアレイの個々のダイオードまたはダイオードバーのパワーより高い正味パワーを達成するために、同一の波長を有する出力光を結合する空間カプラーまたは偏光カプラーと、異なる波長範囲を有する出力光を結合するための波長カプラーとを備える、
半導体検査ツールにおいて光源を発生させるための方法。 - 前記2Dスタックが、広帯域範囲を全体で形成する異なる波長範囲を有する前記入射ビームをもたらすように選択的に活性化することができる、ダイオードバーから形成される、請求項13に記載の方法。
- 前記2Dスタックが、ダイオードバーから構成される、請求項13に記載の方法。
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US8896827B2 (en) | 2012-06-26 | 2014-11-25 | Kla-Tencor Corporation | Diode laser based broad band light sources for wafer inspection tools |
US9128387B2 (en) * | 2013-05-14 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting diode array light source for photolithography and method |
US9581554B2 (en) * | 2013-05-30 | 2017-02-28 | Seagate Technology Llc | Photon emitter array |
US9558858B2 (en) * | 2013-08-14 | 2017-01-31 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with a laser sustained plasma illumination output |
US9709510B2 (en) | 2014-06-26 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corp. | Determining a configuration for an optical element positioned in a collection aperture during wafer inspection |
US9599573B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-03-21 | Kla-Tencor Corporation | Inspection systems and techniques with enhanced detection |
US10180248B2 (en) | 2015-09-02 | 2019-01-15 | ProPhotonix Limited | LED lamp with sensing capabilities |
US10257918B2 (en) * | 2015-09-28 | 2019-04-09 | Kla-Tencor Corporation | System and method for laser-sustained plasma illumination |
EP3276389A1 (en) * | 2016-07-27 | 2018-01-31 | Fundació Institut de Ciències Fotòniques | A common-path interferometric scattering imaging system and a method of using common-path interferometric scattering imaging to detect an object |
CN106568396A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-04-19 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 一种激光投影仪及其深度相机 |
CN106501959A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-03-15 | 深圳奥比中光科技有限公司 | 一种面阵激光投影仪及其深度相机 |
DE102017108873A1 (de) * | 2017-04-26 | 2018-10-31 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Phasenkontrast-Bildgebung mit Übertragungsfunktion |
CN108646167B (zh) * | 2018-04-27 | 2020-12-04 | 中科晶源微电子技术(北京)有限公司 | 用于半导体器件的激光辅助的电子束检测设备和方法 |
CN109211803B (zh) * | 2018-09-17 | 2020-10-09 | 中国科学院生态环境研究中心 | 一种基于显微多光谱技术对微塑料进行快速识别的装置 |
US11262591B2 (en) | 2018-11-09 | 2022-03-01 | Kla Corporation | System and method for pumping laser sustained plasma with an illumination source having modified pupil power distribution |
WO2020132960A1 (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-02 | 合刃科技(深圳)有限公司 | 缺陷检测方法及缺陷检测系统 |
US11156846B2 (en) * | 2019-04-19 | 2021-10-26 | Kla Corporation | High-brightness illumination source for optical metrology |
KR102170357B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2020-10-27 | 재단법인대구경북과학기술원 | 비파괴 결함 검출방법 |
KR20220030067A (ko) | 2020-09-02 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 검사 장치 및 이를 포함하는 시스템 |
JP2023139436A (ja) | 2022-03-22 | 2023-10-04 | 株式会社Screenホールディングス | フォトマスク検査装置 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR880014520A (ko) * | 1987-05-12 | 1988-12-24 | 안시환 | 레이저 다이오드 어레이를 사용한 광 디스크 재생장치 |
US5715270A (en) * | 1996-09-27 | 1998-02-03 | Mcdonnell Douglas Corporation | High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor |
JPH10282009A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Toshiba Corp | 微粒子評価方法・装置 |
JPH1164793A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ光源装置および放射線画像読取装置 |
US7028899B2 (en) * | 1999-06-07 | 2006-04-18 | Metrologic Instruments, Inc. | Method of speckle-noise pattern reduction and apparatus therefore based on reducing the temporal-coherence of the planar laser illumination beam before it illuminates the target object by applying temporal phase modulation techniques during the transmission of the plib towards the target |
US6104481A (en) | 1997-11-11 | 2000-08-15 | Kabushiki Kaisha Topcon | Surface inspection apparatus |
US6020957A (en) * | 1998-04-30 | 2000-02-01 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inspecting semiconductor wafers |
US6181472B1 (en) * | 1998-06-10 | 2001-01-30 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method and system for imaging an object with a plurality of optical beams |
US6959870B2 (en) * | 1999-06-07 | 2005-11-01 | Metrologic Instruments, Inc. | Planar LED-based illumination array (PLIA) chips |
JP4332933B2 (ja) | 1999-06-10 | 2009-09-16 | ソニー株式会社 | 検査装置 |
JP4030815B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2008-01-09 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 同時のまたは連続的な多重の斜視的な試料欠陥検査のためのシステムおよび方法 |
US6862090B2 (en) | 2001-08-09 | 2005-03-01 | Therma-Wave, Inc. | Coaxial illumination system |
US6809808B2 (en) | 2002-03-22 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Wafer defect detection system with traveling lens multi-beam scanner |
US6979578B2 (en) | 2002-08-13 | 2005-12-27 | Lam Research Corporation | Process endpoint detection method using broadband reflectometry |
US20040207836A1 (en) | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
AU2003265989A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-23 | Applied Materials Israel, Ltd. | Illumination system for optical inspection |
US7126131B2 (en) | 2003-01-16 | 2006-10-24 | Metrosol, Inc. | Broad band referencing reflectometer |
US7889776B2 (en) * | 2004-01-20 | 2011-02-15 | Trumpf Photonics Inc. | High-power semiconductor laser |
US8077305B2 (en) | 2004-04-19 | 2011-12-13 | Owen Mark D | Imaging semiconductor structures using solid state illumination |
US20060109876A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Selim Shahriar | Method and system for combining multiple laser beams using transmission holographic methodologies |
US7424902B2 (en) * | 2004-11-24 | 2008-09-16 | The Boeing Company | In-process vision detection of flaw and FOD characteristics |
KR100655545B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-12-08 | 엘지전자 주식회사 | 집적광학 유닛 및 이를 이용한 광 픽업 장치 |
TWI428582B (zh) | 2005-01-20 | 2014-03-01 | Zygo Corp | 用於檢測物體表面之特性的干涉裝置以及干涉方法 |
JP4721803B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-07-13 | 株式会社モリテックス | 面照明装置 |
US8194242B2 (en) * | 2005-07-29 | 2012-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Substrate distortion measurement |
US7372556B2 (en) * | 2005-10-31 | 2008-05-13 | The Boeing Company | Apparatus and methods for inspecting a composite structure for inconsistencies |
US7349103B1 (en) | 2005-10-31 | 2008-03-25 | N&K Technology, Inc. | System and method for high intensity small spot optical metrology |
JP4723362B2 (ja) | 2005-11-29 | 2011-07-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 光学式検査装置及びその方法 |
US7405417B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
US7564544B2 (en) * | 2006-03-22 | 2009-07-21 | 3i Systems Corporation | Method and system for inspecting surfaces with improved light efficiency |
US7970199B2 (en) | 2006-06-05 | 2011-06-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for detecting defect on a surface of a specimen |
JP2008066032A (ja) * | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Moritex Corp | 照明装置 |
US7755775B1 (en) | 2006-10-03 | 2010-07-13 | N&K Technology, Inc. | Broadband optical metrology with reduced wave front distortion, chromatic dispersion compensation and monitoring |
DE102006059190B4 (de) * | 2006-12-15 | 2009-09-10 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Wafer-Inspektion |
WO2008151266A2 (en) | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Zygo Corporation | Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination |
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JP5832455B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2015-12-16 | テラダイオード, インコーポレーテッド | 選択的再配置および回転波長ビーム結合システムならびに方法 |
DE112011100812T5 (de) * | 2010-03-05 | 2013-03-07 | TeraDiode, Inc. | System und Verfahren zur Wellenlängenstrahlkombination |
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