JP6041878B2 - マルチスポット表面走査検査システムの大粒子検出 - Google Patents
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Description
本特許出願は、米国特許法第119条の下で、2011年10月19日に出願された"Methods of Reducing Thermal Damage and Extending the Detection Range for a Multi-Spot Inspection System"と題する米国仮特許出願第61/548,815号および2011年8月15日に出願された"Method of Simultaneously Sensing Wafer Position and Detecting Large Particles"と題する米国仮特許出願第61/523,481号の優先権を主張する。前述の米国仮特許出願各々の主題を参照により本明細書に組み込む。
Claims (20)
- 第1の領域にわたる複数の一次照明スポットで試料の表面に光を照射すること、
前記複数の一次照明スポットの検査経路における第2の領域にわたる少なくとも1つの二次照明スポットで前記試料の表面に光を照射すること、
前記少なくとも1つの二次照明スポットから散乱される光の量を受け取ること、
前記受け取った散乱光の量に基づいて、前記一次照明スポットのうち少なくとも1つの照明電力密度を調整すること、
を備え、前記一次照明スポットは相対的に高電力であり、前記二次照明スポットは前記一次照明スポットよりも相対的に低電力である、方法。 - 前記少なくとも1つの二次照明スポットから検出器の表面に鏡面的に反射された光の量を受け取ること、
前記検出器の表面上で受け取った鏡面的に反射された前記光の量の入射位置の変化に基づいて、前記試料表面の高さの変化を判定すること、
をさらに備える請求項1に記載の方法。 - 前記照明電力密度の調整は、
前記少なくとも1つの二次照明スポットから受け取った前記光の量を示す検出器から信号を受信すること、
前記受信信号が所定の閾値を超えるかどうかを判定すること、
前記受信信号が前記閾値を超えていれば、照明電力密度減衰器に前記複数の一次照明スポットのうち少なくとも1つの照明電力密度を低減させるコマンド信号を前記照明電力密度減衰器に送信すること、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記照明電力密度の調整は、
前記複数の一次照明スポットおよび少なくとも2つの二次照明スポットから受け取った光の量を示す単一の検出器から信号を受信すること、
前記受信信号が所定の閾値を超える第1の時間を判定すること、
前記第1の時間から所定の時間が経過した第2の時間に前記受信信号が前記所定の閾値を超えているかどうかを判定すること、
前記受信信号が前記第2の時間に前記閾値を超えていれば、照明電力密度減衰器に前記複数の一次照明スポットのうち少なくとも1つの照明電力密度を低減させるコマンド信号を前記照明電力密度減衰器に送信すること、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記第1の領域にわたる前記複数の一次照明スポットで前記試料の表面に前記光を照射することは、第1の波長によって特徴付けられる第1の放射量を含み、かつ前記第2の領域にわたる前記少なくとも1つの二次照明スポットで前記試料の表面に前記光を照射することは、第2の波長によって特徴付けられる第2の放射量を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記試料が所定の運動軌道をたどるように、走査運動において前記試料を移動させること、をさらに備える請求項1に記載の方法。
- ウエハの表面の第1の部分に入射する複数の一次照明スポットから散乱される第1の光の量を受け取るように動作可能な第1の検出器と、
前記ウエハの表面の第2の部分上の少なくとも1つの二次照明スポットから散乱される第2の光の量を受け取るように動作可能な第2の検出器と、
前記第2の散乱光の量を示す信号を受信し、かつ照明電力密度減衰器にコマンド信号を送信して、前記受信信号に基づきマルチスポット検査システムの照明電力密度を低減するように動作可能な照明電力密度制御装置と、
を備え、前記一次照明スポットは相対的に高電力であり、前記二次照明スポットは前記一次照明スポットよりも相対的に低電力である、マルチスポット検査システム。 - 前記一次照明スポットが検査経路に沿って前記ウエハの表面上を移動するように、走査運動において前記ウエハを移動させるように動作可能なウエハ位置決めシステム、をさらに備える請求項7に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記少なくとも1つの二次照明スポットは前記検査経路において前記一次照明スポットの前方に位置付けられる、請求項8に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記信号が前記第2の散乱光の量が所定の閾値を超えていることを示す場合、前記照明電力密度制御装置は前記照明電力密度減衰器に前記コマンド信号を送信して、前記一次照明スポットのうち少なくとも1つに供給される前記照明電力密度を低減する、請求項7に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記第1および第2の検出器は同一の検出器である、請求項9に記載のマルチスポット検査システム。
- 第1の二次照明スポットおよび第2の二次照明スポットは前記検査経路に連続して位置付けられ、かつ所定の時間だけ離れた時間における2つのインスタンスで前記受信信号が所定の閾値を超える場合、前記照明電力密度制御装置は前記照明電力密度減衰器に前記コマンド信号を送信して、前記一次照射スポットのうち少なくとも1つに供給される前記照明電力密度を低減する、請求項11に記載のマルチスポット検査システム。
- 第1の二次照明スポットおよび第2の二次照明スポットは、前記検査経路においていずれか一方がいずれか他方の前方に位置付けられ、かつ前記検査経路に跨がって互いに斜めに位置付けられ、かつ前記受信信号が所定の閾値を超える場合、前記照明電力密度制御装置は2つのインスタンスの時間差に基づいて大粒子の位置を判定する、請求項9に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記照明電力密度制御装置は照明電力密度減衰器にコマンド信号を送信して、前記大粒子の位置に基づき前記一次照明スポットの1つまたは複数で前記照明電力密度を低減する、請求項13に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記複数の一次照明スポットに向けられる放射量は第1の波長によって特徴付けられ、かつ前記少なくとも1つの二次照明スポットに向けられる放射量は前記第1の波長とは異なる第2の波長によって特徴付けられる、請求項7に記載のマルチスポット検査システム。
- 前記少なくとも1つの二次照明スポットから鏡面的に反射される第3の光の量を受け取るように動作可能な第3の検出器をさらに備え、ウエハの高さの変化は、前記第3の検出器の表面で受け取られる前記第3の鏡面的に反射された光の入射位置の変化に基づいて判定される、請求項15に記載のマルチスポット検査システム。
- プロセッサと、
指示を保存するコンピュータ可読媒体であって、前記プロセッサによって実行された場合に、前記指示が装置に、
複数の一次照明スポットの検査経路の前方に位置付けられた少なくとも1つの二次照明スポットから散乱される光の量を示す第1の信号を受信させ、
前記第1の信号が所定の閾値を超えているかどうかを判定させ、かつ
前記第1の信号が前記閾値を超えていれば、照明電力密度減衰器にコマンド信号を送信して、前記複数の一次照明スポットのうち少なくとも1つの照明電力密度を低減させる、
コンピュータ可読媒体と、
を備え、前記一次照明スポットは相対的に高電力であり、前記二次照明スポットは前記一次照明スポットよりも相対的に低電力である、装置。 - 前記指示は指示をさらに含み、前記プロセッサによって実行された場合に、該指示が前記装置に、
前記少なくとも1つの二次照明スポットから検出器の表面上に鏡面的に反射される光の量の入射位置の変化を示す第2の信号を受信させ、かつ
前記第2の信号に基づいて試料表面の高さの変化を判定させる、
請求項17に記載の装置。 - 前記第1の信号は、前記一次照明スポットの前記検査経路に連続して位置付けられた第1の二次照明スポットおよび第2の二次照明スポットから散乱される光の量を示し、かつ前記指示は指示をさらに含み、前記プロセッサによって実行された場合に、該指示が前記装置に、
前記第1の信号が所定の閾値を超える第1の時間を判定させ、
前記第1の時間から所定の時間が経過した第2の時間に前記第1の信号が前記所定の閾値を超えているかどうかを判定させ、かつ
前記第1の信号が前記第2の時間で前記閾値を超えれば、前記照明電力密度減衰器に前記コマンド信号を送信して、前記複数の一次照明スポットのうちの1つまたは複数で前記照明電力密度を低減させる、
請求項17に記載の装置。 - 前記複数の一次照明スポットに向けられる放射量は第1の波長によって特徴付けられ、かつ前記少なくとも1つの二次照明スポットに向けられる放射量は前記第1の波長とは異なる第2の波長によって特徴付けられる、請求項17に記載の装置。
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