JP6928661B2 - ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法 - Google Patents

ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6928661B2
JP6928661B2 JP2019541355A JP2019541355A JP6928661B2 JP 6928661 B2 JP6928661 B2 JP 6928661B2 JP 2019541355 A JP2019541355 A JP 2019541355A JP 2019541355 A JP2019541355 A JP 2019541355A JP 6928661 B2 JP6928661 B2 JP 6928661B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
door opener
port
purge gas
ridge wall
gas inlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019541355A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2020506550A (ja
Inventor
デーヴィッド ティー. ブラニク,
デーヴィッド ティー. ブラニク,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2020506550A publication Critical patent/JP2020506550A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6928661B2 publication Critical patent/JP6928661B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67389Closed carriers characterised by atmosphere control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775Docking arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

関連出願
本出願は、すべての目的でその全体が参照により本願に援用される、2017年2月6日出願の「SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS FOR A LOAD PORT DOOR OPENER」と題された米国特許出願第15/426,037号(代理人整理番号24696/USA)に基づく優先権を主張する。
本出願は、電子デバイス製造システムに関し、より具体的には、ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法に関する。
ファクトリインターフェース(FI)と称されることもある装置フロントエンドモジュール(EFEM)は、キャリアから処理ツールへと基板を移動するための非反応性環境を提供する。これは、実用的な程度にEFEMの内部容積を密封し、該内部容積を基板材料と非反応性の窒素などのガスで満たすことによって達成される。非反応性ガスは、EFEMから酸素などの反応性ガスを押し出す。基板キャリアをドッキングするためのロードポートが、EFEMの前面に取り付けられている。ロードポートは、該ロードポートにドッキングされた基板キャリアからドアを取り外すためのドアオープナーを備えている。ドアオープナーとキャリアドアとの間に閉じ込められた空気は、EFEMに浸透し、基板を汚染する可能性がある。しかしながら、従来技術の方法及び装置を使用して、閉じ込められた空気を適切にパージすることは困難であり、時間がかかり、及び/又は高価でありうる。よって、閉じ込められた空気のパージを促進するロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法が必要とされている。
幾つかの実施態様では、基板キャリアドアとキャリアドアオープナーとの間に閉じ込められた空気をパージするように動作可能な、改善されたロードポートが提供される。実施態様は、キャリアドアを含む基板キャリアを受け入れるように適合されたドッキングトレイ;ドッキングトレイに隣接し、キャリアドアに結合して該キャリアドアを開くように適合されたドアオープナーであって、パージガス入口ポートを含む、ドアオープナー;少なくとも1つの排気出口ポート、及びドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネルを画成するリッジ壁を含み、ここで、リッジ壁はポートに近接した開口部を含み、ドアオープナーは、入口ポートからリッジ壁の開口部の少なくとも1つまでパージガスを導くように配置されたダイバータ構造をさらに含む。
他の幾つかの実施態様では、ロードポートドアオープナーが提供される。ロードポートドアオープナーは、パージガス入口ポート;少なくとも1つの排気出口ポート、及びドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネルを画成するリッジ壁を含み、ここで、リッジ壁はポートに近接した開口部を含み、ドアオープナーは、入口ポートからリッジ壁の開口部の少なくとも1つまでパージガスを導くように配置されたダイバータ構造をさらに含む。
さらに他の実施態様では、ロードポートドアオープナーと基板キャリアドアとの間の容積から空気をパージする方法が提供される。本方法は、パージガス入口ポート、少なくとも1つの排気出口ポート、及びドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネルを画成するリッジ壁を有するドアオープナーを備えたロードポートを提供することであって、リッジ壁がポートに近接した開口部を有する、提供すること;基板キャリアをドアオープナーにドッキングし、周囲チャネルを含むその間の容積に空気を閉じ込めること;パージガス入口ポートを介して容積内にパージガスを注入すること;パージガス入口ポートに近接したリッジ壁の開口部を介してパージガスを周囲チャネル内に導くこと;及び、少なくとも1つの排気出口ポートを介して容積の外に空気及びパージガスを排出すること、を含む。
実施態様のさらに他の特徴、態様、及び利点は、多くの例示的な実施態様及び実行形態を示すことにより、以下の詳細説明、添付の特許請求の範囲、及び添付の図面から、より十分に明らかになるであろう。実施態様はまた、他のさまざまな応用も可能でありえ、その幾つかの詳細は、開示された実施態様の範囲からすべて逸脱することなく、さまざまな点で修正することができる。したがって、図面及び説明は、本質的に例示的であると見なされるべきであり、限定的であると見なされるべきではない。図面は、必ずしも縮尺どおりには描かれていない。
幾つかの実施態様による、電子デバイス処理システムの例を示すブロック図。 幾つかの実施態様による、例示的なロードポートを示す正面等角図。 幾つかの実施態様による、例示的な基板キャリアを示す等角図。 幾つかの実施態様による、ロードポートドアオープナーの断面部分に対する例示的な基板キャリアドアを示す等角図。 幾つかの実施態様による、基板キャリアドアとロードポートのドアオープナーとの間のインターフェースを示す断面図。 幾つかの実施態様による、ロードポートドアオープナーの一部の詳細を示す平面図。 幾つかの実施態様による、ロードポートドアオープナーの一部の詳細を示す等角図。 幾つかの実施態様による、基板キャリアドアとロードポートドアオープナーとの間のガス流の詳細を示す平面ワイヤーフレーム図。 幾つかの実施態様による、基板キャリアドアとロードポートドアオープナーとの間のガス流の詳細を示す等角ワイヤーフレーム図。 幾つかの実施態様による、例示的な方法を示すフローチャート。 本明細書に開示される実施態様に対する、従来技術のシステム及び方法の時間とパージガス消費における相対的な違いを示すグラフ。 本明細書に開示される実施態様に対する、従来技術のシステム及び方法の時間とパージガス消費における相対的な違いを示すグラフ。
基板(例えばシリコンウエハ)処理技術がより小さい特徴寸法でより高い解像度へと向上するにつれて、粒子、水分、及び反応性ガス(例えば酸素(O))による汚染がより問題となる。電子デバイス製造システムの装置フロントエンドモジュール(EFEM)(ファクトリインターフェース(Fi)と称されることもある)は、窒素(N)などの非反応性ガスを使用して、他のすべてのガス(例えばO)、水分、及び他の粒子を強制的に押し出すことによって基板の汚染を防ぐ、基板の比較的不活性な(すなわち非反応性の)環境を作り出すことを目的としている。
EFEMは、基板キャリア(例えば、フロントオープンユニファイドポッド(FOUP))内部からシステムの残りの部分への基板の送達を促進するロードポート(LP)とインターフェースする。しかしながら、基板キャリアとEFEMのLPインターフェースとから空気(例えばOを含む)をパージする従来技術の方法では、ある特定の閉じ込められた空気の体積をパージ又はNで置換することができない。その後、このパージされていない空気の体積は、非反応性環境を汚染し、結果的に、OのPPM濃度を許容レベルにまで下げ戻すために、比較的大量のN流と時間を使用する必要が生じる。高純度のNは高価であり、複数のLPと高いスループットレベルとを有するEFEMを用いると、Oは従来技術のシステムに比較的迅速に導入され、比較的高いパージ速度で、したがって比較的高いコストで、処理されることとなる。
さらには、消耗品の過度の使用によって従来技術の方法のコストが比較的高くなるだけでなく、従来技術の方法を使用すると、基板汚染及びダウンタイムのリスクが著しく増加する。本明細書に開示される実施態様は、より高い純度(例えば、より高い非反応性レベル)のEFEMを可能にしつつ、これらの閉じ込められた空気の体積を、簡単かつ費用効果の高い方式で除去するシステム、方法、及び装置を提供する。
実施態様は、(1)基板キャリアドアのエッジと基板キャリアの外壁との間の周囲チャネルの閉じ込められた空気、及び、(2)基板キャリアドアとLPドアオープナーとの間の閉じ込められた空気の体積をパージするシステム、方法、及び装置を提供する。実施態様によれば、窒素ガスは、LPドアオープナーのパージガス入口ポートを通して注入され、LPドアオープナーの3つの排気ガス出口ポートを通して排出される。ポートは、LPドアオープナーの角に位置している。さまざまなリッジ壁及び他の構造に起因して、キャリアドアと従来技術のLPドアオープナーとの間の接触面は、閉じ込められた空気を除去するためにパージされる容積全体にわたって効果的な流れを生じさせることができない、高いガス流抵抗の領域を作り出す。LPドアオープナーの角に入口ポートと出口ポートとを配置し、基板キャリアドアの周囲のチャネルに出入りする開口部を作り出すことにより、実施態様は、キャリアドアとLPドアオープナーとの間の容積内の空気とともに、周囲チャネル内に閉じ込められた空気をパージすることを可能にする。
幾つかの実施態様では、チャネルに出入りする開口部は、LPドアオープナーの接触面上のリッジ壁の選択された部分を除去することによって形成され、N流が周囲チャネルに流入、周囲チャネルを通過、及び周囲チャネルから流出することが可能になる。パージガス入口ポートの近くと、入口ポートの対角線方向に対向する角に位置した3つの排気ガス出口ポートの1つの近くのリッジ壁のセクションが、除去される。さらには、N流は、ダイバータ構造の使用を通じて、入口ポートに近接したリッジ壁の開口部に向かって部分的に導かれる。ダイバータ構造は、注入口ポートを部分的に取り囲み、パージされる領域にNを押し込む高圧の領域を作り出す。
動作において、Nが低圧の排気出口ポートに向かうにつれて、Nは基板キャリアドアの周囲を流れ、空気/酸素をパージする。実施態様は、ポートサイズとリッジ壁の開口部とのバランス、並びに、ポート位置、リッジ壁開口部位置、及びダイバータ構造位置と幾何学形状を提供することにより、最小量のパージガスを使用して、閉じ込められたガスのパージを最短時間で最適化する。この体積の閉じ込められた空気を除去することにより、超高純度のN環境用途のためのOのPPM濃度ターゲットを、効率的かつ高い費用対効果で達成できる。「超高純度N環境」を構成するものは、使用する基板キャリアのサイズ及び形状と併せて、オペレータ及びEFEM環境の容積に応じて決まることに留意されたい。例えば、超高純度は、一部の用途では約1PPMから約3PPMのOとすることができ、他の用途では1PPM未満でありうる。パージされていない空気がEFEMのN非反応性環境に入ることを許容する従来技術の代替案は、O濃度を増加させ、環境を汚染する。このOは比較的大量のNで希釈されるため、次式によってほぼ定義される時間量を要し、
パージ=(V/Q)*ln(C初期/C最終
式中、VはEFEMの容積を表し、Qは汚染を取り除くNパージ速度を表し、C初期は初期のOのPPM濃度を表し、C最終は結果的に得られるターゲットOPPM濃度を表す。この関係から、比較的少量のNを使用して(OがEFEMに入る前に)、閉じ込められた空気の体積をパージすることの利点は明らかである。上式から、はるかに大きいEFEMの容積で希釈された後、同じ体積のOを取り除くために、比較的大量のN流及び時間が消費されるであろう。
図1を参照すると、幾つかの実施態様による例示的な電子デバイス処理システム100のブロック図が示されている。システム100は、EFEM104に結合した基板処理ツール102を含む。EFEM104は、ロードポート108のバックプレーン106に結合している。ロードポート108のドッキングトレイ110は、ロードポート108のドアオープナー114によって開くことができる基板キャリア112を支持するように適合されている。図2は、基板キャリアが存在しないロードポート108の等角図を示している。ドアオープナー114の接触面は、ドッキングトレイ110に面しており、バックプレーン106によって囲まれていることがわかる。図3は、図2のドアオープナー114にドッキングされるように適合されたキャリアドア302を含む基板キャリア112の等角図を示している。図4は、ロードポートドアオープナー114の(線A―Aに沿った)断面部分に対して位置決めされた基板キャリアドア302(基板キャリア112の残りの部分なし)の等角内面図を示している。図5は、図4の線A―Aに沿った、基板キャリアドア302とドアオープナー114との間のインターフェースの一部の拡大した詳細断面図である。基板キャリア112がロードポート108にドッキングされたときに空気(Oを含む)を閉じ込めるキャリアドア302とドアオープナー114との間の(1)周囲チャネル502及び(2)間隙508などの容積に留意されたい。ドアオープナー114のリッジ壁504は、キャリアドア302の表面に接触し、キャリアドア302、リッジ壁504、及び基板キャリア112の外壁506によって画成される容積(すなわち、周囲チャネル502)を形成する。間隙508は、ドアオープナー114の主表面、キャリアドア302の主表面によって画成される容積であり、そのエッジがリッジ壁504によって取り囲まれている。
次に図6及び図7を参照すると、実施態様によるロードポート108の例示的なドアオープナー114の詳細な平面図及び等角図がそれぞれ描かれている。ドアオープナー114は、基板キャリアドア302と接触して示されている。ドアオープナー114は、パージガス入口ポート602と、各ポートがドアオープナー114の異なる角に配置された3つの排気ガス出口ポート604、606、608とを含む。ドアオープナー114の周囲には、3つの開口部614、616、618を含むリッジ壁504が備わっている。周囲チャネル502内の空気及びドアオープナー114の主要面とキャリアドア302との間の空気を効果的にパージする強化された流れを促進するために、開口部は、図示されるように対角線方向に対向する角に配置される。パージガス入口ポート602に近接したダイバータ構造620は、三日月形又は円弧形の形状を有してよく、ガスが周囲チャネル502内に押し込まれるように、リッジ壁504の開口部614の方向に流れを導くように配置されうる。他の形状を使用することもできる。ダイバータ構造620は、キャリアドア固定機構622、624、及びキャリアドアラッチキー位置626、628など、ドアオープナー114上の他の構造の周りの流れを改善するのにも役立つ。
図8及び図9は、それぞれ、図6及び図7に対応するワイヤーフレーム図であり、ポート602、604、606、608及びリッジ壁開口部614、616、618の配置によって生成される例示的な流量パターンを示している。多数の矢印802はガス流を表している。ダイバータ構造620の効果は、パージガス入口ポート602からリッジ壁開口部614を通って周囲チャネル502への流れによって示されている。ガスは、高圧によって周囲チャネル502に押し込まれ、ドアオープナー114の反対側の角にある排気ガス出口ポート606からの低圧によって周囲チャネル502から引き出される。
幾つかの実施態様では、ドアオープナー114とキャリアドア302との間のパージされる全容積は、約0.1Lから約0.2Lの範囲である。パージガス(例えばN)がパージガス入口ポート602を介して容積内に注入される速度は、約1.0LPMから約10.0LPMの範囲である。排気ガス出口ポート604、606、608のそれぞれから流出する速度は、約0.1LPMから約10.0LPMの範囲である。幾つかの実施態様では、13枚から25枚の基板を保持することができる基板キャリアを収容するように設計されたロードポートの容積をパージするのにかかる時間は、約5秒から約1.5分の範囲である。幾つかの実施態様では、パージガス入口ポート602の直径は、約0.125インチから約0.5インチの範囲である。幾つかの実施態様では、リッジ壁の開口部のサイズは、約0.15インチから約2.0インチの範囲である。幾つかの実施態様では、周囲チャネルの幅及び深さは、約0.1インチから約1.5インチの範囲である。他の速度、サイズ、寸法、時間、及び値もまた可能である。
次に図10を参照すると、ロードポートドアオープナーと基板キャリアドアとの間の容積をパージする例示的な方法1000を示すフローチャートが示されている。パージガス入口ポート、少なくとも1つの排気出口ポート、ダイバータ構造、及びドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネルを画成するリッジ壁を有するドアオープナーを含むロードポートが提供されており、ここで、リッジ壁は、ポートに近接した開口部を含む(1002)。基板キャリアをドアオープナーにドッキングし、周囲チャネルを含むその間の容積に空気を閉じ込める(1004)。その後、パージガス(例えばN)を、容積内にパージガス入口ポートを介して注入する(1006)。パージガスを、ダイバータ構造によって、パージガス入口ポートに近接したリッジ壁の開口部を介して周囲チャネルへと導く(1008)。空気及びパージガスを、少なくとも1つの排気出口ポートを介して容積から排出する(1010)。
以下の計算例は、先行技術の方法及び装置に対する開示されたシステムの実施態様の利点を例証するために提供される。3つのロードポートを有するシステムを考えると、各ポートでは、0.13Lの体積の閉じ込められた空気が、ロードポートドアオープナーと基板キャリアドアとの間からパージされる。例示的なシステムは、1700Lの容積を有するEFEMを含む。
EFEMの容積:
Figure 0006928661
閉じ込められた空気の体積:
Figure 0006928661
閉じ込められた空気をEFEMに浸透させた後にEFEM容積全体をパージすることによってO汚染に対処する従来の方法を使用して、EFEM容積由来の47.947PPMのOを10PPMに低下させるには、150LPMのNを0.3時間注入でき(これは、例えば2700LのNである)、あるいは、1000LPMで0.05時間注入できる(これは3000LのNである)。例示的なEFEM容積をパージするための流量と時間との関係が、図11のグラフ1100に示されている。完全な拡散を想定したとしても、パージ速度と時間の変動は、対数関係の影響を受ける。しかしながら、拡散は完全にはならず、よって、上記の計算とグラフ1100は最適な事例の消費シナリオを表している。
次に、本明細書に開示される実施態様の方法及び装置の使用について検討する。3つの基板キャリアドア及びキャリアドアオープナーの3つのロードポートのそれぞれから0.13Lの空気を除去するために、わずか5LPMのNが0.005時間、それぞれ同時に注入され、これは、それぞれのロードポートについて、わずか1.5LのNに相当する。0.13Lの閉じ込められた体積は、209,000PPMのO開始濃度(標準ATM空気のO濃度)のものである。例示的な閉じ込められた空気の体積をパージするための流量と時間の関係が、図12のグラフ1200に示されている。したがって、本実施態様の方法及び装置を使用して同じ体積の酸素を排除するために、OがEFEMに浸透する前にパージすることにより、わずかな時間が使用され、コストは99.95%削減される。
数多くの実施態様が本開示に記載されおり、これらは例示のみを目的として提示されている。記載された実施態様は、いかなる意味でも限定的ではなく、限定的であることが意図されてもいない。開示される本発明の実施態様は、本開示から容易に明らかなように、他の数多くの実施態様に広く適用可能である。当業者は、開示された実施態様が、構造的、論理的、ソフトウェア、及び電気に関する変更などのさまざまな修正及び変更を伴って実施されうることを認識するであろう。開示される実施態様の特定の特徴は、1つ以上の特定の実施態様及び/又は図面を参照して説明されうるが、このような特徴は、別段の明示的な指定がない限り、それらが記載されている1つ以上の特定の実施態様又は図面での使用に限定されないことが理解されるべきである。
本開示は、全ての実施態様の正確な説明ではなく、また、すべての実施態様に存在しなければならない実施態様の特徴の羅列でもない。本開示は、幾つかの実施態様の実施可能な説明を当業者に提供する。これらの実施態様のうちの幾つかは、本出願では特許請求されないかもしれないが、それにもかかわらず、本出願の優先権の利益を主張する1つ以上の継続出願において特許請求されうる。
前述の説明は、単に、例示的な実施態様を開示しているにすぎない。特許請求の範囲に含まれる、先に開示された装置、システム、及び方法の修正は、当業者にとって容易に明らかになるであろう。したがって、実施態様は、それらの例に関連して開示されているが、他の実施態様もまた、添付の特許請求の範囲によって定義される、意図された精神及び範囲内に入りうることが理解されるべきである。

Claims (13)

  1. ロードポートシステムであって、
    キャリアドア外面を有するキャリアドアを含む基板キャリアを受け入れるように適合されたドッキングトレイと、
    前記ドッキングトレイに隣接し、前記キャリアドアに結合して前記キャリアドアを開くように適合され、前記基板キャリアが前記ドッキングトレイに受け入れられる間に前記キャリアドア外面に対向するドアオープナー外面を有するドアオープナーであって、
    パージガス入口ポート、
    少なくとも1つの排気出口ポート
    前記ドアオープナー外面から突出して前記ドアオープナーの周囲に沿って延びるリッジ壁であって、前記パージガス入口ポート及び前記少なくとも1つの排気出口ポートが前記リッジ壁の内側に配置され、前記リッジ壁が前記パージガス入口ポート及び前記少なくとも1つの排気出口ポートに近接した複数の開口部を含み、前記リッジ壁が前記キャリアドア外面に接している間に周囲チャネルを画成し、前記周囲チャネルが前記リッジ壁の外側の前記ドアオープナーの全周囲に沿って延び且つ前記開口部につながる、リッジ壁、及び
    前記パージガス入口ポートから前記リッジ壁の前記開口部の少なくとも1つにパージガスを導くように配置された誘導構造
    を含む、ドアオープナーと、
    を含む、ロードポートシステム。
  2. 前記誘導構造が三日月形である、請求項に記載のロードポートシステム。
  3. 前記誘導構造、前記パージガス入口ポート、前記少なくとも1つの排気出口ポート、及び前記リッジ壁の前記開口部が、前記周囲チャネルを通る流れを生み出すように位置決めされ、寸法化される、請求項に記載のロードポートシステム。
  4. 前記ドアオープナーが3つの排気出口ポートを備えている、請求項1に記載のロードポートシステム。
  5. 前記パージガス入口ポート及び前記3つの排気出口ポートが、それぞれ、前記ドアオープナーの異なる角にある、請求項に記載のロードポートシステム。
  6. 前記パージガス入口ポート及び前記排気出口ポートが、前記ドアオープナーの対角線方向に対向する角に配置される、請求項1に記載のロードポートシステム。
  7. ロードポートドアオープナーであって、
    ドアオープナー外面から突出して前記ロードポートドアオープナーの周囲に沿って延びるリッジ壁であって、前記リッジ壁が、ドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネル及び間隙の両方を画成し、前記周囲チャネル及び前記間隙が前記リッジ壁の両側に画成された、リッジ壁、及び
    前記間隙に位置するパージガス入口ポート、
    前記間隙に位置する少なくとも1つの排気出口ポートであって、前記パージガス入口ポート及び前記少なくとも1つの排気出口ポートが前記リッジ壁の内側に配置された、少なくとも1つの排気出口ポート、
    前記リッジ壁にある複数の開口部であって、前記複数の開口部が、前記パージガス入口ポート及び前記少なくとも1つの排気出口ポートに近接し、前記周囲チャネルを前記間隙に結合し、前記周囲チャネルが前記リッジ壁の外側の全周囲に沿って延びて前記複数の開口部につながる、複数の開口部、及び
    前記パージガス入口ポートから前記リッジ壁の前記開口部の少なくとも1つにパージガスを導くように配置された誘導構造
    を含む、ロードポートドアオープナー。
  8. 前記誘導構造が三日月形である、請求項に記載のロードポートドアオープナー。
  9. 前記誘導構造、前記パージガス入口ポート、前記少なくとも1つの排気出口ポート、及び前記リッジ壁の前記開口部が、前記周囲チャネルを通る流れを生み出すように位置決めされ、寸法化される、請求項に記載のロードポートドアオープナー。
  10. 前記ロードポートドアオープナーが3つの排気出口ポートを含む、請求項に記載のロードポートドアオープナー。
  11. 前記パージガス入口ポート及び前記3つの排気出口ポートが、それぞれ、前記ロードポートドアオープナーの異なる角にある、請求項10に記載のロードポートドアオープナー。
  12. 前記パージガス入口ポート及び前記排気出口ポートが、前記ロードポートドアオープナーの対角線方向に対向する角に配置される、請求項に記載のロードポートドアオープナー。
  13. 請求項7から12のいずれか一項に記載のロードポートドアオープナーと基板キャリアドアとの間の容積をパージする方法であって、
    パージガス入口ポート、少なくとも1つの排気出口ポート、及びドッキングされた基板キャリアと協働して周囲チャネルを画成するリッジ壁を有するドアオープナーを備えたロードポートを提供することであって、前記リッジ壁が前記パージガス入口ポート及び前記少なくとも1つの排気出口ポートに近接した複数の開口部を有する、提供すること;
    基板キャリアを前記ドアオープナーにドッキングし、前記周囲チャネルを含むその間の容積に空気を閉じ込めること;
    前記パージガス入口ポートを介して前記容積内にパージガスを注入すること;
    前記パージガス入口ポートに近接した前記リッジ壁の開口部を介して、前記パージガスを前記周囲チャネルに導くこと;及び
    前記少なくとも1つの排気出口ポートを介して前記容積から前記空気及び前記パージガスを排出すること、
    を含む、方法。
JP2019541355A 2017-02-06 2018-01-04 ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法 Active JP6928661B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/426,037 US10741432B2 (en) 2017-02-06 2017-02-06 Systems, apparatus, and methods for a load port door opener
US15/426,037 2017-02-06
PCT/US2018/012413 WO2018144176A1 (en) 2017-02-06 2018-01-04 Systems, apparatus, and methods for a load port door opener

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020506550A JP2020506550A (ja) 2020-02-27
JP6928661B2 true JP6928661B2 (ja) 2021-09-01

Family

ID=63037966

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019541355A Active JP6928661B2 (ja) 2017-02-06 2018-01-04 ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10741432B2 (ja)
JP (1) JP6928661B2 (ja)
KR (1) KR102324676B1 (ja)
CN (1) CN110226223B (ja)
TW (1) TWI693661B (ja)
WO (1) WO2018144176A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10446428B2 (en) 2017-03-14 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Load port operation in electronic device manufacturing apparatus, systems, and methods
KR102423761B1 (ko) 2017-06-23 2022-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들
US10388547B2 (en) 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
US10763134B2 (en) 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
US10923375B2 (en) * 2018-11-28 2021-02-16 Brooks Automation, Inc. Load port module
TWI796191B (zh) * 2022-03-31 2023-03-11 華景電通股份有限公司 晶圓盒承載設備及複合式載座

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2693305A (en) * 1949-02-17 1954-11-02 Continental Can Co Apparatus for removing air from the head spaces of filled cans
SE467619B (sv) * 1987-10-15 1992-08-17 Plm Ab Saett och anordning foer att vakuumfoersluta en behaallare
KR100303075B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치
TW278200B (en) * 1995-07-06 1996-06-11 Brooks Automation Inc Door drive mechanisms for substrate carrier and load lock
US6261044B1 (en) * 1998-08-06 2001-07-17 Asyst Technologies, Inc. Pod to port door retention and evacuation system
JP4535477B2 (ja) * 2000-09-19 2010-09-01 大成建設株式会社 クリーンルーム及び半導体デバイスもしくは液晶ディスプレーの製造方法
JP3939101B2 (ja) * 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
KR100396468B1 (ko) * 2001-05-17 2003-09-02 삼성전자주식회사 공기 샘플링 캐리어와 공기 분석장치 및 방법
JP3880343B2 (ja) 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
US6922867B1 (en) * 2001-08-08 2005-08-02 Lam Research Corporation Two position robot design for FOUP purge
JP2003146429A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 St Lcd Kk キャリア受け渡し方法及びキャリア受け渡し装置
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
KR100583726B1 (ko) 2003-11-12 2006-05-25 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN1618716B (zh) * 2003-11-12 2011-03-16 周星工程股份有限公司 装载锁及使用其的装载锁腔室
US9010384B2 (en) * 2004-06-21 2015-04-21 Right Mfg. Co. Ltd. Load port
FR2874744B1 (fr) 2004-08-30 2006-11-24 Cit Alcatel Interface sous vide entre une boite de mini-environnement et un equipement
JP4891538B2 (ja) * 2004-11-04 2012-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ ロードポート
JP4301456B2 (ja) 2005-11-30 2009-07-22 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム
TWI367539B (en) 2006-01-11 2012-07-01 Applied Materials Inc Methods and apparatus for purging a substrate carrier
ITBO20060249A1 (it) * 2006-04-05 2007-10-06 Awax Progettazione Apparato e macchina per confezionare vaschette di prodotti in atmosfera modificata.
US7418982B2 (en) * 2006-05-17 2008-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate carrier and facility interface and apparatus including same
JP4309935B2 (ja) 2007-07-31 2009-08-05 Tdk株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
WO2009055612A1 (en) 2007-10-27 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
KR20100102616A (ko) 2007-12-18 2010-09-24 인티그리스, 인코포레이티드 기판의 오염물을 제어하기 위한 방법 및 장치
JP5617708B2 (ja) * 2011-03-16 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置
JP2012204645A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 蓋体開閉装置
TWI426861B (zh) * 2011-04-08 2014-02-11 Sunonwealth Electr Mach Ind Co 具有水平對流扇之散熱系統
JP5887719B2 (ja) * 2011-05-31 2016-03-16 シンフォニアテクノロジー株式会社 パージ装置、ロードポート、ボトムパージノズル本体、ボトムパージユニット
GB2505647A (en) * 2012-09-05 2014-03-12 Pva Tepla Ag A vacuum processing apparatus which neutralises plasma in a gas flow path
JP6268425B2 (ja) * 2013-07-16 2018-01-31 シンフォニアテクノロジー株式会社 Efem、ロードポート、ウェーハ搬送方法
CN204144233U (zh) * 2013-08-07 2015-02-04 应用材料公司 基板支撑载体和用于处理基板的系统
JP6526660B6 (ja) 2013-08-12 2019-06-26 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ファクトリインターフェースの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法
DE102013109210A1 (de) * 2013-08-20 2015-02-26 Aixtron Se Evakuierbare Kammer, insbesondere mit einem Spülgas spülbare Beladeschleuse
JP6291878B2 (ja) 2014-01-31 2018-03-14 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート及びefem
WO2016085622A1 (en) 2014-11-25 2016-06-02 Applied Materials, Inc. Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
TWI839967B (zh) 2015-08-04 2024-04-21 日商昕芙旎雅股份有限公司 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠

Also Published As

Publication number Publication date
TW201838072A (zh) 2018-10-16
KR102324676B1 (ko) 2021-11-09
US10741432B2 (en) 2020-08-11
CN110226223B (zh) 2023-04-04
TWI693661B (zh) 2020-05-11
JP2020506550A (ja) 2020-02-27
CN110226223A (zh) 2019-09-10
WO2018144176A1 (en) 2018-08-09
KR20190104467A (ko) 2019-09-09
US20180226284A1 (en) 2018-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6928661B2 (ja) ロードポートドアオープナーのためのシステム、装置、及び方法
US11782404B2 (en) Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls
KR100989887B1 (ko) 웨이퍼 잔존가스 제거장치
JP4288160B2 (ja) 窒素パージを行うトップ通気口を有する高速サイクルチャンバ
US9607871B2 (en) EFEM system and lid opening/closing method
JP4251580B1 (ja) 被収容物搬送システム
KR20080069125A (ko) 가열 장치, 가열 방법 및 기억 매체
KR101447349B1 (ko) 반도체 제조 툴을 위한 밸브 퍼지 어셈블리
US20150214078A1 (en) Load port apparatus
JP6226190B2 (ja) パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
TW202023932A (zh) 側面儲存盒、設備前端模組、及用於操作efem的方法
JP3071320B2 (ja) 真空装置
JP6206126B2 (ja) 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
KR102710954B1 (ko) 인접한 foup을 포함하는 공기 흐름 최적화를 위한 시스템, 디바이스 및 방법
US11735455B2 (en) Systems, devices, and methods for air flow optimization including adjacent a FOUP
JP4415006B2 (ja) カセットの運用管理方法及び基板の処理方法
KR100752148B1 (ko) 기판 처리 설비
KR100998663B1 (ko) 로드락챔버 진공형성장치
US20240083040A1 (en) Substrate processing device and method of controlling the same
KR20070033495A (ko) 배기 장치
KR20230111298A (ko) Efem의 기류 안정화 배기장치 및 이를 구비한 반도체 공정장치
KR20240037128A (ko) 기판 처리 장치 및 그 제어 방법
KR100635219B1 (ko) 반송 챔버 오염 방지 방법
CN116508141A (zh) 用于输送气体至工艺腔室的设备及系统
Vroman et al. Advanced diffuser technology helps reduce vent-up times while maintaining wafer integrity on vacuum tools loadlock chambers

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201022

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210720

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210806

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6928661

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250