JP6927431B2 - 被覆切削工具及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、優れた耐摩耗性を発揮する被覆切削工具及びその製造方法に関する。
本願は、２０１８年５月３０日に、日本に出願された特願２０１８−１０３４８０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

過酷な切削加工（高送り加工、高速加工等）で使用する種々の被覆切削工具が提案されている。

特許第４７１４１８６号公報（特許文献１）は、基材上に、（ＡｌＣｒＢ）Ｎ若しくは（ＡｌＣｒＢ）ＣＮ及び不可避不純物からなる第一成膜層と、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＣＮ若しくはＣＮＢ及び不可避不純物からなる第二成膜層とが交互に各２層以上積層された多層皮膜層を有する被覆切削工具を開示している。

特表２０１８−５０５３１０号公報（特許文献２）は、基材上に順に、（ＡｌＣｒ）Ｎからなるベース層２１２、（ＡｌＣｒＢ）ＮからなるＡ層と（ＡｌＣｒ）ＮからなるＢ層とを積層してなる多層膜２１６、及び（ＡｌＣｒＢ）Ｎからなる最外層２２０を有するコーティング（段落００２２、００２４、図２）を開示している。

特許第５６８４８２９号公報（特許文献３）は、基材上に、（ＡｌＣｒＢ）Ｎ個別層と（ＴｉＡｌ）Ｎ個別層とが交互に積層された多層構造を有する多層被覆システム（段落００１４）を開示している。

特開２００４−１３６４３０号公報（特許文献４）は、（ＴｉＢ）Ｎ皮膜と耐酸化性に優れた（ＴｉＡｌＮ）系硬質皮膜や（ＣｒＡｌ）Ｎ系硬質皮膜とを積層して多層構造にする旨（段落００１７）を開示している。

特許第４７１４１８６号公報 特表２０１８−５０５３１０号公報 特許第５６８４８２９号公報 特開２００４−１３６４３０号公報

特許文献１、２に記載の被覆切削工具を用いて、例えば炭素鋼（被削材）を切削加工した場合、当該切削工具のＡｌＣｒＮ系皮膜の特性から逃げ面摩耗は抑制されるが、すくい面摩耗が進行し易い。

特許文献３に記載の多層被覆システム及び特許文献４に記載の被覆工具はいずれも、本発明に係る積層部(a層とｂ層との組合せ）を欠いており、逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良く抑制できない。

従って、本発明の目的は、従来の（ＡｌＣｒ）Ｎ皮膜または（ＴｉＢ）Ｎ皮膜を形成した被覆切削工具よりも優れた耐摩耗性を発揮する新規で高性能な被覆切削工具及びその製造方法を提供することである。

本発明の被覆切削工具は、基材上に硬質皮膜を有する被覆切削工具であって、硬質皮膜として基材側から順に基材側単層部及び積層部を有し、基材側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなり、積層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＴｉが最も多く、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体のａ層と、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、かつ少なくともＣｒとＢを含有する窒化物主体のｂ層とが交互に積層されてなり、ａ層とｂ層との膜厚方向の積層周期は５〜１００ｎｍであり、基材側単層部及び積層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなり、前記基材側単層部の膜厚は前記積層部の全体の膜厚よりも大きい、ことを特徴とする。

前記被覆切削工具において、基材側単層部の膜厚（ｔ１）は１．０〜５μｍであり、積層部の全体の膜厚（ｔ２）は０．５〜２．５μｍであり、基材側単層部と積層部の全体との膜厚比（ｔ１／ｔ２）は１．０〜５であることが好ましい。

前記被覆切削工具において、積層部の上に表面側単層部を有し、表面側単層部の膜厚（ｔ３）は０．３〜５μｍであり、基材側単層部、積層部及び表面側単層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなり、表面側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなることが好ましい。

前記被覆切削工具において、前記Ｘ線回折パターンにおける（２００）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（２００）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２〜０．３７であることが好ましい。

前記被覆切削工具において、前記Ｘ線回折パターンにおける（３１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（３１１）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．０３〜０．１５であることが好ましい。

本発明の被覆切削工具の製造方法は、前記被覆切削工具をアークイオンプレーティング法により製造する方法であって、基材側単層部及びｂ層の形成用ターゲットは、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ａｌ_αＣｒ_{１−α−β−γ}Ｂ_βＣ_γ（ただし、α、１−α−β−γ、β及びγはそれぞれＡｌ、Ｃｒ、Ｂ及びＣの原子比を表し、０．４≦α≦０．８、０．０４≦β≦０．１６５、及び０≦γ≦０．０３５を満たす数字である。）で表される組成のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなり、ａ層の形成用ターゲットは、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ｔｉ_１−δＢ_δ（ただし、１−δ及びδはそれぞれＴｉ及びＢの原子比を表し、０．１≦δ≦０．５を満たす数字である。）で表される組成のＴｉＢ合金からなり、全圧２．７〜３．３Ｐａとした窒素ガス雰囲気において、基材温度を４００〜５５０℃とし、基材側単層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１６０〜−１００Ｖとし、及び積層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１４０〜−８０Ｖとすることを特徴とする。

前記被覆切削工具の製造方法において、積層部の上に表面側単層部を形成する工程を有し、表面側単層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１６０〜−１００Ｖとすることが好ましい。

前記被覆切削工具の製造方法において、表面側単層部の形成用ターゲットとして基材側単層部と同じＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金を用いることが好ましい。

前記被覆切削工具の製造方法において、積層部の形成にあたり、ａ層の形成用ターゲット及びｂ層用の形成用ターゲットに同時にアーク電流を通電することが好ましい。

本発明の被覆切削工具は、基材上に硬質皮膜を有し、前記硬質皮膜として基材側から順に基材側単層部及び積層部を有し、基材側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなり、積層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＴｉが最も多く、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体のａ層と、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、かつ少なくともＣｒとＢを含有する窒化物主体のｂ層とが交互に積層されてなり、ａ層とｂ層との膜厚方向の積層周期は５〜１００ｎｍであり、基材側単層部及び積層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなる。このため、従来の（ＡｌＣｒ）Ｎ皮膜または（ＴｉＢ）Ｎ皮膜を形成した被覆切削工具に比べて、逃げ面摩耗及びすくい面摩耗がバランス良く抑制される。この作用により本発明の被覆切削工具は、高性能で長寿命である。

本発明の被覆切削工具の製造方法によれば、上記本発明の新規で高性能な被覆切削工具を提供することができる。

本発明の被覆切削工具の硬質皮膜の形成に使用し得るアークイオンプレーティング装置の一例を示す正面図である。 本発明の被覆切削工具の断面組織の一例を説明する模式図である。 実施例１の被覆切削工具の断面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率２０，０００倍）である。 実施例４の被覆切削工具の断面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率２０，０００倍）である。 実施例６の被覆切削工具の断面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率２０，０００倍）である。 基材上に基材側単層部及び積層部を被覆した実施例１の被覆切削工具の断面における硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示すグラフである。 基材上に基材側単層部、積層部及び表面側単層部を被覆した実施例４の被覆切削工具の断面における硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示すグラフである。 基材上に基材側単層部、積層部及び表面側単層部を被覆した実施例６の被覆切削工具の断面における硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示すグラフである。 比較例１の被覆切削工具の断面における硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示すグラフである。 実施例１の積層部を拡大した透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による暗視野像（倍率１，６００，０００倍）である。 図１０の積層部の位置４におけるａ層のナノビーム回折パターンから解析した結晶構造を示す写真である。 図１０の積層部の位置５におけるｂ層のナノビーム回折パターンから解析した結晶構造を示す写真である。 本発明の被覆切削工具を構成するインサート基材の一例を示す斜視図である。 インサートを装着した刃先交換式回転工具の一例を示す概略図である。

本発明の実施形態を以下詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて適宜変更又は改良を加えても良い。また、１つの実施形態に関する説明は、特に断りがなければ他の実施形態にもそのまま適用できる。

［１］ 被覆切削工具
本実施形態の被覆切削工具は、基材上に硬質皮膜を有し、硬質皮膜として基材側から順に基材側単層部及び積層部を有し、基材側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなる。積層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＴｉが最も多く、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体のａ層と、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、かつ少なくともＣｒとＢを含有する窒化物主体のｂ層とが交互に積層されてなる。ａ層とｂ層との膜厚方向の積層周期は５〜１００ｎｍである。基材側単層部及び積層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなる。

図２は実施形態の被覆切削工具４０の断面の一例を示す模式図である。被覆切削工具４０は、基材３１と、基材３１の表面に必要に応じて設けられる改質層３２と、改質層３２の上に順に設けられる基材側単層部３３及び積層部３４と、を有する。積層部３４は、ａ層とｂ層とが交互に上記の積層周期で堆積された層である。

被覆切削工具４０は、少なくとも基材側単層部３３及び積層部３４からなる硬質皮膜を有する。被覆切削工具４０は、基材側単層部３３、積層部３４及び表面側単層部３５から構成される硬質皮膜を有しても良い。前記硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなるのが好ましい。

（Ａ） 基材
基材は耐熱性に富み、物理蒸着法を適用できる材質である必要がある。基材の材質として、例えば超硬合金、サーメット、高速度鋼、工具鋼または立方晶窒化ホウ素（ｃＢＮ）等のセラミックスが挙げられる。基材の材質は、強度、硬度、耐摩耗性、靱性及び熱安定性等の観点から、超硬合金基材又はセラミックス基材が好ましい。超硬合金は炭化タングステン粒子とＣｏまたはＣｏを主体とする合金の結合相とからなる。結合相の含有量は、炭化タングステン及び結合相の各含有量の合計（１００質量％）に対して１〜１３．５質量％が好ましく、３〜１３質量％がより好ましい。超硬合金中の結合相の含有量が、１質量％未満では靭性が不十分であり、１３．５質量％超では硬度（耐摩耗性）が不十分である。焼結後の基材の未加工面、研磨加工面及び刃先処理加工面のいずれにも本実施形態の硬質皮膜を形成できる。

（Ｂ） 超硬合金基材の改質層
基材が超硬合金の場合、基材表面にＴｉＢ合金のターゲットから発生したイオンを照射し（以後、イオンボンバードともいう）、平均厚さ１〜１０ｎｍのｆｃｃ構造を有する改質層を形成するのが好ましい。超硬合金は主成分の炭化タングステンがｈｃｐ構造を有するが、改質層は基材側単層部と同じｆｃｃ構造からなる。超硬合金の基材と改質層とは、それらの境界（界面）における結晶格子縞の好ましくは３０％以上、さらに好ましくは５０％以上、特に好ましくは７０％以上の部分が連続する。この構造により、改質層を介して超硬合金の基材と基材側単層部とが強固に密着する。

改質層を有する被覆切削工具では、ｆｃｃ構造を持つ改質層が高密度の薄層状に形成されるので破壊の起点になりにくい。改質層の平均厚さが、１ｎｍ未満では硬質皮膜の基材への密着力の向上効果が十分に得られず、１０ｎｍ超では逆に密着力が悪化する。改質層の平均厚さは２〜９ｎｍがさらに好ましい。

（Ｃ） 硬質皮膜
（１） 組成
（ａ） 基材側単層部及び表面側単層部
本実施形態の基材側単層部及び表面側単層部はいずれも、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなる。前記のＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であることにより当該皮膜の耐摩耗性が向上する。当該皮膜の耐摩耗性を向上するために、前記のＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）は０．９０〜０．９９が好ましく、Ａｌの含有比率（原子比）は０．５以上が好ましく、Ｂの含有比率（原子比）は０．０１以上が好ましい。前記のＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）、Ａｌの含有比率（原子比）及びＢの含有比率（原子比）が前記特定範囲を外れると耐摩耗性が低下する。なお、「窒化物主体」とは、Ｎの含有比率（原子比）が、非金属元素の含有比率（原子比）の合計１に対して０．５以上であることを意味し、Ｎの含有比率（原子比）は０．６以上であることが好ましい。

基材側単層部及び表面側単層部が（ＡｌＣｒＢ）Ｎ皮膜、（ＡｌＣｒＢ）ＮＯ皮膜または（ＡｌＣｒＢ）ＮＣＯ皮膜の場合、当該皮膜の組成は不可避的不純物を除いて下記一般式：（Ａｌ_ｘＣｒ_{１−ｘ−ｙ}Ｂ_ｙ）Ｎ_{１−ｅ−ｆ}Ｃ_ｅＯ_ｆ（ただし、ｘ、１−ｘ−ｙ、ｙ、１−ｅ−ｆ、ｅ及びｆはそれぞれＡｌ、Ｃｒ、Ｂ、Ｎ、Ｃ及びＯの原子比を表し、０．５≦ｘ≦０．７５、０．０１≦ｙ≦０．１、０≦ｅ≦０．０３、及び０≦ｆ≦０．０１０を満たす数字である。）により表されるのが好ましい。金属（半金属元素を含む）元素、Ｎ及びＯの含有量は後述のＥＰＭＡ及びＴＥＭ−ＥＤＳ（以後、ＥＤＳともいう）を併用して分析することができる。Ｃの含有量は後述のＥＰＭＡにより分析することができる。

Ａｌの原子比ｘの範囲は０．５〜０．７５であるのが好ましい。ｘが０．５未満ではＡｌの含有量が少なすぎるため、当該皮膜の耐酸化性が損なわれる。一方、ｘが０．７５を超えると当該皮膜中に軟質なｈｃｐ構造の結晶相が形成されて耐摩耗性が損なわれる。ｘは０．５０〜０．７４であるのがさらに好ましい。

Ｃｒの原子比１−ｘ−ｙの範囲は０．４９〜０．１５であるのが好ましい。１−ｘ−ｙが０．１５未満ではＡｌの含有量が多すぎるため、当該皮膜中に軟質なｈｃｐ構造の結晶相が形成されて耐摩耗性が損なわれる。一方、１−ｘ−ｙが０．４９を超えると当該皮膜中のＡｌの含有量が過少になるため耐酸化性が損なわれる。１−ｘ−ｙは０．４９〜０．１８であるのがさらに好ましい。

Ｂの原子比ｙの範囲は０．０１〜０．１であるのが好ましい。ｙが０．０１未満では添加効果が得られず、当該皮膜の潤滑性が損なわれる。一方、ｙが０．１を超えると当該皮膜が脆化する。ｙは０．０１〜０．０８であるのがさらに好ましい。

本実施形態の（ＡｌＣｒＢ）Ｎ皮膜、（ＡｌＣｒＢ）ＮＯ皮膜及び（ＡｌＣｒＢ）ＮＣＯ皮膜に含まれるＮの原子比１−ｅ−ｆは１〜０．９６であるのが好ましい。１−ｅ−ｆが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐摩耗性が低下しやすい。１−ｅ−ｆは０．９９８〜０．９６であるのがさらに好ましい。

本実施形態の（ＡｌＣｒＢ）Ｎ皮膜、（ＡｌＣｒＢ）ＮＯ皮膜及び（ＡｌＣｒＢ）ＮＣＯ皮膜に含まれるＯの原子比ｆはいずれも０．０１０以下であるのが好ましい。ｆが、０．０１０を超えると酸素含有量が過多になり、当該皮膜の耐摩耗性が低下しやすい。ｆは、０．００２〜０．０１０であるのがさらに好ましい。

本実施形態の（ＡｌＣｒＢ）ＮＣＯ皮膜に含まれるＣの原子比ｅは０．０３以下であるのが好ましい。ｅが、０．０３を超えると当該皮膜の耐摩耗性が低下する。当該皮膜の耐摩耗性を向上するためにｅは０．０１〜０．０３であるのがさらに好ましい。上記の（ＡｌＣｒＢ）Ｎ皮膜及び（ＡｌＣｒＢ）ＮＯ皮膜の場合、ｅは０．０１未満の不可避的不純物レベル（例えば０．００１〜０．００９程度）が許容される。

（ｂ） 積層部
本実施形態の積層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＴｉが最も多く、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体のａ層と、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、かつ少なくともＣｒとＢを含有する窒化物主体のｂ層とが交互に積層されてなる。ａ層において、Ｔｉの含有比率（原子比）は０．６５以上であるのが好ましく、Ｂの含有比率（原子比）は０．０１以上であるのが好ましい。ｂ層において、Ａｌの含有比率（原子比）は０．４２以上であるのが好ましく、Ｃｒの含有比率（原子比）は０．１以上であるのが好ましく、Ｂの含有比率（原子比）は０．０１以上であるのが好ましい。ａ層及びｂ層における各元素の含有比率（原子比）が前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐摩耗性が低下しやすい。なお、「窒化物主体」とは、Ｎの含有比率（原子比）が、非金属元素の含有比率（原子比）の合計１に対して０．５以上であることを意味し、Ｎの含有比率（原子比）は０．６以上であることが好ましい。

ａ層の金属（半金属を含む）元素の組成は、不可避的不純物を除いて下記一般式：（Ｔｉ_{１−ｐ−ｑ−ｒ}Ｂ_ｐＡｌ_ｑＣｒ_ｒ）（ただし、１−ｐ−ｑ−ｒ、ｐ、ｑ及びｒはそれぞれＴｉ、Ｂ、Ａｌ及びＣｒの原子比を表し、０．０１≦ｐ≦０．０５、０．０２≦ｑ≦０．２、及び０．０１≦ｒ≦０．１を満たす数字である。）により表されるのが好ましい。

Ｔｉの原子比１−ｐ−ｑ−ｒは０．９６〜０．６５であるのが好ましい。１−ｐ−ｑ−ｒが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐すくい面摩耗性が低下する。１−ｐ−ｑ−ｒは０．９６〜０．８であるのがさらに好ましい。

Ｂの原子比ｐは０．０１〜０．０５であるのが好ましい。ｐが、前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐すくい面摩耗性が低下する。ｐは０．０１〜０．０３であるのがさらに好ましい。

Ａｌの原子比ｑは０．０２〜０．２であるのが好ましい。ｑが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐すくい面摩耗性が低下する。ｑは０．０２〜０．１２であるのがさらに好ましい。

Ｃｒの原子比ｒは０．０１〜０．１であるのが好ましい。ｒが、前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐すくい面摩耗性が低下する。ｒは０．０１〜０．０５であるのがさらに好ましい。

ｂ層の金属（半金属を含む）元素の組成は、不可避的不純物を除いて下記一般式：（Ａｌ_{１−ｓ−ｔ−ｕ}Ｃｒ_ｓＢ_ｔＴｉ_ｕ）（ただし、１−ｓ−ｔ−ｕ、ｓ、ｔ及びｕはそれぞれＡｌ、Ｃｒ、Ｂ、及びＴｉの原子比を表し、０．１≦ｓ≦０．４、０．０１≦ｔ≦０．０８、及び０．０３≦ｕ≦０．１を満たす数字である。）により表されるのが好ましい。

Ａｌの原子比１−ｓ−ｔ−ｕは０．８６〜０．４２であるのが好ましい。１−ｓ−ｔ−ｕが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐逃げ面摩耗性が低下する。１−ｐ−ｑ−ｒは０．８４〜０．４４であるのがさらに好ましい。

Ｃｒの原子比ｓは０．１〜０．４であるのが好ましい。ｓが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐逃げ面摩耗性が低下する。ｓは０．１２〜０．４０であるのがさらに好ましい。

Ｂの原子比ｔは０．０１〜０．０８であるのが好ましい。ｔが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐逃げ面摩耗性が低下する。ｔは０．０１〜０．０７であるのがさらに好ましい。

Ｔｉの原子比ｕは０．０３〜０．１であるのが好ましい。ｕが前記特定範囲を外れると当該皮膜の耐逃げ面摩耗性が低下する。ｕは０．０３〜０．０９であるのがさらに好ましい。

ａ層及びｂ層はいずれも窒化物主体の硬質皮膜である。ａ層及びｂ層の非金属元素（Ｎ、Ｃ、Ｏ）についてＥＤＳ分析したところ、Ｃの含有は定性分析により確認されたが、Ｃ含有量の測定結果は安定せず、Ｃの正確な定量分析はできなかった。しかし、ａ層及びｂ層のＮ、Ｃ及びＯの各含有比率（原子比）についてはＮが主体であることが分かった。すなわち、ａ層及びｂ層において、Ｎ、Ｃ及びＯの各含有比率（原子比）の合計１に対してＮの含有比率（原子比）は０．５以上であり、好ましい例ではＮの含有比率（原子比）は０．６以上であった。このため、後述の表５、表６ではａ層及びｂ層の組成をいずれも金属（半金属を含む）元素の組成のみで示した。

（ｃ） 硬質皮膜におけるＢ添加の効果
基材側単層部、積層部のａ層及びｂ層、及び表面側単層部において、前記特定範囲のＢ含有量とすることにより、各皮膜の結晶粒の格子歪が増加する。この作用により、Ｂ添加された硬質皮膜において、皮膜硬度、耐摩耗性及び工具寿命がいずれも向上する。

（ｄ） 硬質皮膜におけるＣ添加の効果
基材側単層部、積層部のａ層及びｂ層、及び表面側単層部において、前記特定範囲のＢ含有量とすることを前提に、前記特定範囲のＣ含有量とすることにより、各皮膜の結晶粒の格子歪がさらに増加する。この作用により、Ｃ添加された硬質皮膜では、皮膜硬度、耐摩耗性及び工具寿命がいずれもさらに向上する。

（２） 膜厚
本実施形態の基材側単層部の膜厚（ｔ１）は積層部の全体の膜厚（ｔ２）より大きい。さらに、ｔ１は１．０〜５μｍであるのが好ましい。ｔ１が、１．０μｍ未満では逃げ面摩耗が進みやすく、５μｍ超では基材側単層部の密着力が顕著に低下する。ｔ１は１．２〜５．０μｍであるのがさらに好ましい。
積層部の全体の膜厚（ｔ２）は０．５〜２．５μｍであるのが好ましい。ｔ２が、０．５μｍ未満ではすくい面摩耗が進みやすく、２．５μｍ超では積層部の密着力が低下する。ｔ２は０．８〜２．２μｍであるのがさらに好ましい。

本実施形態の表面側単層部の膜厚（ｔ３）は０．３〜５μｍであるのが好ましい。ｔ３が、０．３μｍ未満では逃げ面摩耗の抑制効果が得られず、５μｍ超では表面側単層部３５と積層部３４との密着力が顕著に低下する。ｔ３は０．５〜４．５μｍであるのがさらに好ましい。

本実施形態の基材側単層部と積層部の全体との膜厚比（ｔ１／ｔ２）は１．０〜５であるのが好ましい。本実施形態の表面側単層部と積層部の全体との膜厚比（ｔ３／ｔ２）は０．３〜４であるのが好ましい。本実施形態の基材側単層部及び表面側単層部の各膜厚の合計と積層部の全体の膜厚との比（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２は１．０〜１０であるのが好ましい。各膜厚比ｔ１／ｔ２、ｔ３／ｔ２、及び（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２がそれぞれ上記特定範囲を外れると優れた耐逃げ面摩耗性及び耐すくい面摩耗性を両立しづらくなる。ｔ１／ｔ２は１．２〜５であるのがさらに好ましい。ｔ３／ｔ２は０．５〜３であるのがさらに好ましい。（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２は１．２〜８であるのがさらに好ましい。

特に限定されないが、本実施形態の積層部を構成するａ層の膜厚（ｔａ）及びｂ層の膜厚（ｔｂ）はいずれも３〜３０ｎｍであるのが好ましい。ｔａ及びｔｂが上記特定範囲を外れると優れた耐逃げ面摩耗性及び耐すくい面摩耗性を両立しづらくなる。ｔａ及びｔｂはいずれも４〜２８ｎｍであるのがさらに好ましい。

表面側単層部と基材側単層部との膜厚比（ｔ３／ｔ１）は０．１〜１．５であるのが好ましい。ｔ３／ｔ１が上記特定範囲を外れると優れた耐逃げ面摩耗性及び耐すくい面摩耗性を両立しづらくなる。ｔ３／ｔ１は０．２〜１．２であるのがさらに好ましい。

平坦ではない基材側単層部、積層部及び表面側単層部の「膜厚」は「算術平均厚さ」を意味する。

（３） 積層部の積層周期
本実施形態の積層部のａ層及びｂ層の積層周期Ｔは、図２に示すように、任意のａ層１層の下端から隣接する直上のｂ層１層の上端までの膜厚方向の距離（厚さ）である。Ｔは５〜１００ｎｍである。Ｔが５ｎｍ未満及び１００ｎｍ超ではいずれも当該皮膜の耐摩耗性が低下する。Ｔは１０〜９０ｎｍであるのが好ましく、２０〜８０ｎｍであるのがさらに好ましい。
なお、積層部において、ａ層とｂ層との相互拡散によってａ層とｂ層の境界が不明瞭になる場合がある。この場合、積層周期Ｔを、積層部において隣接する３層（例えば順に積層されるａ層、ｂ層、及びａ層）において、ｂ層を挟んで配置される２つのａ層の積層方向における距離として計測することもできる。２つのａ層間の距離は、各々のａ層の厚さ方向の中点同士を結んだ距離である。

（４） 結晶構造
本実施形態の基材側単層部及び積層部から構成される硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなる。さらに、本実施形態の基材側単層部、積層部及び表面側単層部から構成される硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなるのが好ましい。すなわち、本実施形態の前記硬質皮膜の部分がｆｃｃの結晶相であることにより、被覆切削工具としての高性能化、長寿命化に寄与する。なお、Ｘ線回折パターンに現れない範囲であれば、硬質皮膜内にｆｃｃ以外の微小相が存在していても構わない。積層部のみの結晶構造は微小相の検出が可能な電子回折（ＴＥＭ）により同定できる。高性能化、長寿命化の点から、前記電子回折において、積層部はｆｃｃを主構造とするのが好ましく、ｆｃｃの単一構造からなるのがさらに好ましい。

上記Ｘ線回折パターンにおいて、（２００）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（２００）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２〜０．３７であるのが好ましい。比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）が上記特定範囲を外れると逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良く抑制することが困難になる。比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２５〜０．３６であるのがさらに好ましい。

上記Ｘ線回折パターンにおいて、（３１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（３１１）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．０３〜０．１５であるのが好ましい。比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）が上記特定範囲を外れると逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良く抑制することが困難になる。比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．０６〜０．１２であるのがさらに好ましい。

（Ｄ） メカニズム
本発明者は、高性能で長寿命なナノ積層皮膜を鋭意検討した結果、（ｉ）基材上に上記特定組成の基材側単層部を形成したこと、（ｉｉ）基材側単層部の上に上記特定組成のａ層とｂ層とを交互に積層するとともに両層の膜厚方向の積層周期Ｔを５〜１００ｎｍとしたこと、及び（ｉｉｉ）基材側単層部及び積層部から構成される部分のＸ線回折パターンがｆｃｃの単一構造からなることにより、従来に比べて逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良く顕著に抑制できることを発見した。即ち、十分解明できていないものの、基材側単層部及びｂ層が主に逃げ面摩耗を抑制し、ａ層が主にすくい面摩耗（クレータ摩耗）を抑制することが分かった。さらに、表面側単層部が形成されると逃げ面摩耗の抑制効果がより向上することが分かった。

また、上記のとおり、比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２〜０．３７である場合に、逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良く抑制できることが分かった。基材側単層部及び積層部、さらには表面側単層部を構成する各皮膜の多結晶粒において、相対的に（２００）面配向が抑制され、（１１１）面配向が増加したことにより、本実施形態の被覆切削工具が高性能で長寿命になったと考えられる。

また、比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２〜０．３７であることを前提に、比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．０３〜０．１５である場合に、逃げ面摩耗及びすくい面摩耗をバランス良くさらに抑制できることが分かった。基材側単層部及び積層部、さらには表面側単層部を構成する各皮膜の多結晶粒において、相対的に（３１１）面配向が抑制され、（１１１）面配向が増加したことにより、本実施形態の被覆切削工具が高性能で長寿命になったと考えられる。

［２］ 成膜装置
本実施形態の硬質皮膜の形成にはアークイオンプレーティング（以後、ＡＩともいう）装置を使用することができる。ＡＩ装置は、例えば図１に示すように、減圧容器２５と、絶縁物１４を介して減圧容器２５に取り付けられたアーク放電式蒸発源１３，２７と、各アーク放電式蒸発源１３，２７に取り付けられたターゲット１０，１８と、各アーク放電式蒸発源１３，２７に接続されたアーク放電用電源１１，１２と、軸受け部２４を介して減圧容器２５の内部まで貫通する回転自在の支柱６と、基材７を保持するために支柱６に支持された保持具８と、支柱６を回転させる駆動部１と、基材７にバイアス電圧を印加するバイアス電源３とを具備する。減圧容器２５には、ガス導入部２及び排気口１７が設けられている。アーク点火機構１６，１６は、アーク点火機構軸受部１５，１５を介して減圧容器２５に取り付けられている。減圧容器２５内に導入したガス（アルゴンガス、窒素ガス等）のイオン化のために、フィラメント型の電極２０が絶縁物１９，１９を介して減圧容器２５に取り付けられている。ターゲット１０と基材７との間には、遮蔽板軸受け部２１を介して減圧容器２５に遮蔽板２３が設けられている。遮蔽板２３は遮蔽板駆動部２２により例えば上下または左右方向に移動し、遮蔽板２３がターゲット１０と基材７との間に存在しない状態にされた後に、本実施形態の硬質皮膜の形成が行われる。

（Ａ） 基材側単層部及び表面側単層部の形成用ターゲット
（１） ＡｌＣｒＢ合金及びＡｌＣｒＢＣ合金の組成
本実施形態の基材側単層部、ｂ層及び表面側単層部（以後、基材側単層部等ともいう）の形成用のターゲットとして使用するＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金は、例えば所定組成のＡｌ粉末またはＡｌＣ粉末及びＣｒＢ合金粉末を用いて、下記のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金の組成に配合及び混合し、得られた混合粉末を成形し、得られた成形体を焼結して得られる。上記工程により作製されるＡｌＣｒＢ焼結体合金またはＡｌＣｒＢＣ焼結体合金の含有酸素量は、例えばＡｌ粉末またはＡｌＣ粉末及びＣｒＢ合金粉末の粒径、及び配合工程から焼結工程までを非酸化性雰囲気（例えば、アルゴンガス雰囲気または真空度１〜１０×１０^−３Ｐａの雰囲気）で行うことにより適宜調整することができる。

ＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金は、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ａｌ_αＣｒ_{１−α−β−γ}Ｂ_βＣ_γ（ただし、α、１−α−β−γ、β及びγはそれぞれＡｌ、Ｃｒ、Ｂ及びＣの原子比を表し、０．４≦α≦０．８、０．０４≦β≦０．１６５、及び０≦γ≦０．０３５を満たす数字である。）により表される組成を有するのが好ましい。α、β及びγをそれぞれ上記特定範囲内にすることにより本実施形態の基材側単層部等を成膜することができる。

Ａｌの原子比αの範囲は０．４〜０．８であるのが好ましい。αが０．４未満では基材側単層部等のＡｌ含有量が少なすぎるため、基材側単層部等の耐酸化性が損なわれる。一方、αが０．８を超えると基材側単層部等に軟質なｈｃｐ構造の結晶相が形成されて耐摩耗性が損なわれる。αの範囲は０．４５〜０．７８であるのがさらに好ましい。

Ｃｒの原子比１−α−β−γの範囲は０．５６以下であるのが好ましい。１−α−β−γが０．５６を超えると基材側単層部等のＡｌ含有量が過少になり耐酸化性が損なわれる。１−α−β−γの範囲は０．４８５〜０．０２５であるのがさらに好ましい。

Ｂの原子比βの範囲は０．０４〜０．１６５であるのが好ましい。βが０．０４未満ではＢの添加効果が得られない。一方、βが０．１６５を超えると基材側単層部等がＸ線回折パターンにおいてｆｃｃの単一構造を保持できない。βの範囲は０．０５〜０．１６であるのがさらに好ましい。

Ｃの原子比γは０．０３５以下が好ましい。γが０．０３５を超えると被覆切削工具が短寿命になる。γの範囲は０．０１５〜０．０３５がさらに好ましい。

（２） ＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金の酸素含有量
ＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金の酸素含有量は２０００〜４０００μｇ／ｇであるのが好ましい。酸素含有量が２０００μｇ／ｇ未満及び４０００μｇ／ｇ超ではいずれも、基材側単層部等のＯの原子比ｆが０．００２未満または０．０１０超になる。ＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金の酸素含有量は、２０５０〜３９００μｇ／ｇであるのがさらに好ましく、２１００〜３８００μｇ／ｇであるのが特に好ましい。

（Ｂ） ＴｉＢ合金ターゲット
本実施形態の改質層及びａ層を形成するためのＴｉＢ合金ターゲットは、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ｔｉ_１−δＢ_δ（ただし、１−δ及びδはそれぞれＴｉ及びＢの原子比を表し、０．１≦δ≦０．５を満たす。）で表される組成を有するのが好ましい。δが０．１未満では脱炭層が形成されてｆｃｃ構造の改質層が得られない。δが０．５を超えるとｆｃｃ構造の改質層が得られない。δは０．１０〜０．３であるのがさらに好ましい。

（Ｃ） アーク放電式蒸発源及びアーク放電用電源
図１に示すように、アーク放電式蒸発源１３，２７はそれぞれ改質層若しくはａ層形成用のＴｉＢ合金からなるターゲット１０、及び基材側単層部等形成用のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲット１８を備える。例えば、ターゲット１０若しくはターゲット１８に、アーク電流として直流電流若しくはパルス電流を通電する。図示していないが、アーク放電式蒸発源１３、２７に磁場発生手段（電磁石及び／又は永久磁石とヨークとからなる構造体）を設け、基材７の近傍に数十Ｇ（例えば１０〜５０Ｇ）の磁場分布を形成するのが好ましい。

本実施形態の硬質皮膜の成膜時に発生するドロップレットは硬質皮膜の破壊の起点となる。そのため、１５０〜２５０Ａの直流アーク電流をＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲット１８及びＴｉＢ合金からなるターゲット１０に通電してドロップレットの過剰発生を抑えることが好ましい。

（Ｄ） バイアス電源
図１に示すように、基材７にバイアス電源３からバイアス電圧を印加する。

［３］ 成膜条件
本実施形態のイオンボンバードの条件、及び硬質皮膜の成膜条件を工程ごとに以下に詳述するが、特に限定されるものではない。

（Ａ） 基材のクリーニング工程
図１に示すＡＩ装置の保持具８上に基材７をセットした後、減圧容器２５内を１〜５×１０^−２Ｐａ（例えば１．５×１０^−２Ｐａ）に保持しながら、ヒーター（図示せず）により基材７を２５０〜６５０℃の温度に加熱する。図１では円柱体で示しているが、基材７はソリッドタイプのエンドミルまたはインサート等の種々の形状を取り得る。基材７は、例えばＷＣ基超硬合金からなる。基材７を加熱して昇温した後、アルゴンガスを減圧容器２５内に導入して０．５〜１０Ｐａ（例えば２Ｐａ）のアルゴンガス雰囲気とする。この状態で基材７にバイアス電源３により−２５０〜−１５０Ｖの直流バイアス電圧またはパルスバイアス電圧を印加して基材７の表面をアルゴンイオンによりボンバードしてクリーニングする。

基材温度が２５０℃未満ではアルゴンイオンによるエッチング効果がなく、また６５０℃超では成膜工程時に基材温度を所定条件に設定することが困難である。基材温度は基材に埋め込んだ熱電対により測定する（以降の工程でも同様）。減圧容器２５内のアルゴンガスの圧力が０．５〜１０Ｐａの範囲外であると、アルゴンイオンによるボンバード処理が不安定になる。直流バイアス電圧またはパルスバイアス電圧が、−２５０Ｖ未満では基材にアーキングの発生が起こり、−１５０Ｖ超ではボンバードのエッチングによるクリーニング効果が十分に得られない。

（Ｂ） 改質層形成工程
基材７への改質層の形成は、ＴｉＢ合金のターゲット１０を用いた基材７へのイオンボンバードにより行う。基材７のクリーニング後に、減圧容器２５内を流量が３０〜１５０ｓｃｃｍのアルゴンガス雰囲気とする。アーク放電式蒸発源１３に取り付けたＴｉＢ合金のターゲット１０の表面にアーク放電用電源１１から５０〜１００Ａのアーク電流（直流電流）を通電する。基材７を４５０〜７５０℃の温度に加熱するとともに、バイアス電源３から基材７に−１０００〜−６００Ｖの直流バイアス電圧を印加する。ＴｉＢ合金のターゲット１０を用いたイオンボンバードにより、Ｔｉイオン及びＢイオンが基材７に照射される。

基材７の温度が４５０〜７５０℃の範囲外ではｆｃｃ構造の改質層が形成されないか、若しくは基材７の表面に脱炭層が形成されて基材側単層部との密着力が著しく低下する。減圧容器２５内のアルゴンガスの流量が３０ｓｃｃｍ未満では基材７に入射するＴｉイオン等のエネルギーが強すぎて、基材７の表面に脱炭層が形成され、基材側単層部との密着性を損なう。一方、アルゴンガスの流量が１５０ｓｃｃｍ超ではＴｉイオン等のエネルギーが弱まり、改質層が形成されない。

アーク電流が、５０Ａ未満ではアーク放電が不安定になり、１００Ａ超では基材７の表面にドロップレットが多数形成されて基材側単層部との密着性を損なう。直流バイアス電圧が、−１０００Ｖ未満ではＴｉイオン等のエネルギーが強すぎて基材７の表面に脱炭層が形成され、−６００Ｖ超では基材表面に改質層が形成されない。

（Ｃ） 硬質皮膜の成膜工程
（１） 基材側単層部の成膜
基材７の上、又は改質層を形成した場合は改質層の上に、本実施形態の基材側単層部を形成する。この際、窒素ガスを使用し、アーク放電式蒸発源２７に取り付けたＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲット１８の表面にアーク放電用電源１２からアーク電流を通電する。同時に、下記温度に制御した基材７にバイアス電源３から直流バイアス電圧またはユニポーラパルスバイアス電圧を印加する。

（ａ） 基材温度
本実施形態の基材側単層部の成膜時の基材温度を４００〜５５０℃にする。基材温度が４００℃未満では基材側単層部が十分に結晶化しないため、基材側単層部が十分な潤滑性及び耐摩耗性を有しない。また、残留応力の増加により皮膜剥離の原因となる。一方、基材温度が５５０℃超では基材側単層部の結晶粒の微細化が過度に促進されて潤滑性及び耐摩耗性が損なわれる。基材温度は４８０〜５４０℃が好ましい。

（ｂ） 窒素ガスの圧力
本実施形態の基材側単層部の成膜ガスとして窒素ガスを使用する。窒素ガスの圧力（全圧）は２．７〜３．３Ｐａにする。窒素ガスの圧力が２．７Ｐａ未満では、基材側単層部の窒化が不十分になり、窒化されない異相の存在により被覆切削工具の短寿命化を招くほか、基材側単層部の酸素含有量が過多になる。一方、窒素ガスの圧力が３．３Ｐａ超では、基材側単層部の酸素含有量が過少になり、軟化を招く。窒素ガスの圧力は、２．８〜３．２Ｐａにするのが好ましく、２．９〜３．１Ｐａにするのがさらに好ましい。

（ｃ） 窒素ガスの流量
窒素ガスの流量は７５０〜９００ｓｃｃｍにするのが好ましい。窒素ガスの流量が７５０ｓｃｃｍ未満及び９００ｓｃｃｍ超ではいずれも上記窒素ガスの圧力（全圧）を２．７〜３．３Ｐａに調整するのが困難になる。窒素ガスの流量は７７０〜８８０ｓｃｃｍにするのがさらに好ましい。

（ｄ） 基材に印加するバイアス電圧
本実施形態の基材側単層部を形成するために、基材に直流又はユニポーラパルスのバイアス電圧を印加するのが好ましい。バイアス電圧は−１６０〜−１００Ｖにするのが好ましい。バイアス電圧が−１６０Ｖ未満ではＢ含有量が著しく低下する。一方、バイアス電圧が−１００Ｖ超では被覆切削工具が短寿命になる。バイアス電圧は−１５０〜−１１０Ｖにするのがさらに好ましい。

ユニポーラパルスバイアス電圧の場合、バイアス電圧はゼロから負側への立ち上がりの急峻な部分を除いた負のピーク値を意味する。ユニポーラパルスバイアス電圧の周波数は、２０〜５０ｋＨｚが好ましく、３０〜４０ｋＨｚがさらに好ましい。

（ｅ） アーク電流
基材側単層部の成膜時のドロップレットを抑制するために、ターゲット１８に通電するアーク電流（直流電流）は１５０〜２５０Ａにするのが好ましい。アーク電流が、１５０Ａ未満ではアーク放電が不安定になり、２５０Ａ超ではドロップレットが顕著に増加して基材側単層部の耐摩耗性が悪化する。アーク電流は１６０〜２４０Ａにするのがさらに好ましい。

（２） 積層部の成膜
基材側単層部の上に、本実施形態の積層部を形成する。積層部を最外層にしても良い。具体的には、基材側単層部の成膜を継続しつつ、ターゲット１８（ＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金）に加えてターゲット１０（ＴｉＢ合金）にアーク電流を通電することにより、ａ層とｂ層とが交互に堆積された本実施形態の積層部を形成する。積層部特有の成膜条件は以下の（ｉ）、（ｉｉ）のみであり、その他は基材側単層部の成膜条件と同一である。
（ｉ）基材に印加するバイアス電圧を−１４０〜−８０Ｖにするのが好ましい。積層部の成膜時に基材に印加するバイアス電圧を基材側単層部のバイアス電圧より正電圧側にシフト（このシフトは５〜３０Ｖが好ましい）することにより、積層部のｂ層の組成が基材側単層部及び表面側単層部の組成に比較してＡｌリッチになる。この構造により、高性能で長寿命の被覆切削工具を得られる。バイアス電圧が、−１４０Ｖ未満ではＢ含有量が大きく低下し、−８０Ｖ超では被覆切削工具が短寿命になる。バイアス電圧のさらに好ましい範囲は−１３０〜−９０Ｖである。
（ｉｉ）積層部の成膜時に、ターゲット１８及びターゲット１０に同時にアーク電流を通電するのが実用的である。

（３） 表面側単層部の成膜
積層部の上に、必要に応じて本実施形態の表面側単層部を形成する。例えば、成膜時間を調整して、表面側単層部と基材側単層部との膜厚比ｔ３／ｔ１を０．１〜１．５に設定するのが好ましい。これ以外は上記基材側単層部の成膜条件と同一である。

（４） 積層部または表面側単層部の上層
積層部または表面側単層部を最外層にしても良いが、必要に応じて積層部または表面側単層部の上に、例えば公知の硬質皮膜を少なくとも一層設けても良い。公知の硬質皮膜として、例えば（ＴｉＡｌ）Ｎ、（ＴｉＡｌＣｒ）Ｎ、（ＴｉＡｌＮｂ）Ｎ、（ＴｉＡｌＷ）Ｎ、（ＴｉＳｉ）Ｎ、（ＴｉＢ）Ｎ、ＴｉＣＮ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、（ＡｌＣｒ）Ｎ、及び（ＡｌＣｒＳｉ）Ｎからなる群から選ばれた少なくとも一層の硬質皮膜が例示される。

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は勿論それらに限定されない。以下の実施例及び比較例において、ターゲットの金属元素及び半金属元素の組成は特に断りがなければ蛍光Ｘ線法による測定値であり、含有酸素量はキャリアガス法（carrier gas hot extraction method）による測定値である。また、実施例では硬質皮膜の基材としてインサートを用いたが、勿論本発明はそれらに限定される訳ではなく、インサート以外の切削工具（エンドミル、ドリル等）にも適用可能である。

実施例１
（１） 基材のクリーニング
８．０質量％のＣｏを含有し、残部がＷＣ及び不可避的不純物からなる組成を有するＷＣ基超硬合金製の仕上げミーリングインサート基材（図１３に示す三菱日ツール株式会社製のＺＤＦＧ３００−ＳＣ）、及び物性測定用インサート基材（三菱日立ツール株式会社製のＳＮＭＮ１２０４０８）を、図１に示すＡＩ装置の保持具８上にセットし、真空排気と同時にヒーター（図示せず）で５５０℃まで加熱した。その後、アルゴンガスを５００ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍは１ａｔｍ及び２５℃におけるｃｃ／分、以後同様）の流量で導入して減圧容器２５内の圧力を２．０Ｐａに調整するとともに、前記各基材（以後、基材７ともいう）に−２００Ｖの直流バイアス電圧を印加してアルゴンイオンのボンバードによるエッチングにより基材７のクリーニングを行った。

（２） ＴｉＢ合金ターゲットを用いた改質層の形成
基材温度を５５０℃に保持したまま、アルゴンガスの流量を７０ｓｃｃｍとし、組成がＴｉ_０．８５Ｂ_０．１５（原子比）で表されるＴｉＢ合金のターゲット１０をアーク放電用電源１１が接続されたアーク放電式蒸発源１３に配置した。バイアス電源３により基材７に−８００Ｖの直流電圧を印加するとともに、ターゲット１０の表面にアーク放電用電源１１から７５Ａのアーク電流（直流電流）を流し、基材７の表面に平均厚さ５ｎｍの改質層を形成した。改質層の平均厚さの測定は特許第５９６７３２９号に記載の方法で行った。

（３） 基材側単層部の形成
Ａｌ_０．５５Ｃｒ_０．３５Ｂ_０．１０（原子比）の金属元素及び半金属元素の組成、及び酸素含有量が２３００μｇ／ｇのＡｌＣｒＢ焼結体合金からなるターゲット１８を、図１のアーク放電用電源１２が接続されたアーク放電式蒸発源２７に配置した。基材７の温度を４５０℃に設定するとともに、窒素ガス雰囲気とした減圧容器２５内の窒素ガスの全圧を３．０Ｐａにし、及び窒素ガスの流量を８００ｓｃｃｍに調整した。

バイアス電源３により基材７に−１４０Ｖの直流電圧を印加するとともに、ターゲット１８にアーク放電用電源１２から２００Ａの直流アーク電流を流し、基材７の上に基材側単層部として、（Ａｌ_０．６０Ｃｒ_０．３８Ｂ_０．０２）Ｎ_{０．９９４}Ｏ_{０．００６}（原子比）の組成を有する膜厚（ｔ１）２．０μｍの基材側単層部を形成した。

（４） 積層部の形成
バイアス電源３により基材７に−１２０Ｖの直流電圧を印加した以外は、上記基材側単層部の成膜条件を維持しながら、組成がＴｉ_０．８５Ｂ_０．１５（原子比）で表されるＴｉＢ合金のターゲット１０にアーク放電用電源１１から２００Ａの直流アーク電流を流し、基材側単層部の上にａ層とｂ層とを交互に５０層ずつ堆積して全体の膜厚（ｔ２）が１．０μｍの積層部を形成した。こうして本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製した。

（５） 硬質皮膜の断面組織の観察
図３は、上記被覆切削工具の断面組織を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率：２０，０００倍）である。図３において、３１はＷＣ基超硬合金基材であり、３３は基材側単層部であり、３４は積層部である。改質層３２、積層部３４を構成するａ層及びｂ層はいずれも図３が低倍率なので見えない。

（６） 硬質皮膜の各膜厚、積層部の積層周期
図３の基材側単層部３３及び積層部３４においてそれぞれ左端及び右端の膜厚を測定し、測定値を算術平均して基材側単層部３３の膜厚（ｔ１）及び積層部３４の全体の膜厚（ｔ２）を得た。また図３の積層部３４から透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、日本電子株式会社製ＪＥＭ−２１００）の観察用試料を作製し、前記試料の積層部を当該ＴＥＭにより撮影した暗視野像（倍率１，６００，０００倍）を図１０に示す。図１０における積層部の上側から下側に向かって交互に積層したａ層及びｂ層の中央位置において積層周期Ｔを測定し、測定値を算術平均してＴを得た。Ｔは２０ｎｍであった。

（７） 硬質皮膜の組成
上記被覆切削工具の断面における基材側単層部の厚さ方向の中心位置を電子プローブマイクロ分析装置ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製ＪＸＡ−８５００Ｆ）により、加速電圧１０ｋＶ、照射電流０．０５Ａ、及びビーム径０．５μｍの条件で測定し、基材側単層部の組成を分析した。さらに、上記基材側単層部の厚さ方向の中心位置において基材側単層部のＮ元素及びＯ元素の定量分析を、ＴＥＭ（ＪＥＭ−２１００）に搭載のエネルギー分散型Ｘ線分光器（ＥＤＳ、ＮＯＲＡＮ社製ＵＴＷ型Ｓｉ（Ｌｉ）半導体検出器、ビーム径：約１μｍ）を使用したＥＤＳ分析により行った。ＥＰＭＡ及びＥＤＳ分析の測定条件は他の例でも同様である。

（８） 硬質皮膜のＸ線回折パターン
上記被覆切削工具の断面における基材側単層部及び積層部から構成される硬質皮膜の部分の結晶構造を観察するために、Ｘ線回折装置（Ｐａｎａｌｙｔｉｃａｌ社製のＥＭＰＹＲＥＡＮ）を使用し、当該硬質皮膜の表面に以下の条件でＣｕＫα１線（波長λ：０．１５４０５ｎｍ）を照射してＸ線回折パターン（図６）を得た。
管電圧：４５ｋＶ
管電流：４０ｍＡ
入射角ω：３°に固定
２θ：２０〜９０°

図６において、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、及び（３１１）面はいずれもｆｃｃ構造のＸ線回折ピークであった。従って、上記硬質皮膜の部分はｆｃｃの単一構造であることが分かる。なお、図６において、指数付けされていないＸ線回折ピークはＷＣ基超硬合金基材のＸ線回折ピークである。

（９） 積層部の組成、結晶構造
図１０のＴＥＭの暗視野像における白色部の位置４及び黒色部の位置５をそれぞれ、ＴＥＭ（ＪＥＭ−２１００）に付属するＵＴＷ型Ｓｉ（Ｌｉ）半導体検出器によりＥＤＳ分析を行った。その結果、白色部の位置４（ａ層）の金属（半金属を含む）組成は（Ｔｉ_０．９０Ｂ_０．０１Ａｌ_０．０８Ｃｒ_０．０１）であった。また黒色部の位置５（ｂ層）の金属（半金属を含む）組成は（Ａｌ_０．５７Ｃｒ_０．３３Ｂ_０．０２Ｔｉ_０．０８）であった。

図１０の位置４、５において、ＴＥＭ（ＪＥＭ−２１００）により、２００ｋＶの加速電圧及び５０ｃｍのカメラ長の条件でナノビーム回折を行った。位置４で得られた回折像を図１１に示す。位置５で得られた回折像を図１２に示す。図１１及び図１２ではいずれもｆｃｃ構造の（００２）面、（１１１）面、及び（１１−１）面の回折パターンが観察された。この結果から、本実施例の積層部は電子回折パターンもｆｃｃの単一構造であることが分かった。

（１０） 工具寿命の測定
図１３及び図１４に示すように、上記被覆切削工具（以後、インサート４０Ａともいう。）を、刃先交換式回転工具（三菱日立ツール株式会社製 ＡＢＰＦ３０Ｓ３２Ｌ１５０）５０の工具本体４６の先端部４８に止めねじ４７により装着した。刃先交換式回転工具５０の刃径は３０ｍｍとした。刃先交換式回転工具５０を使用して下記の転削条件で切削加工を行い、単位時間ごとにサンプリングしたインサート４０Ａのすくい面４５ａ及び逃げ面４５ｂを光学顕微鏡（倍率：１００倍）で観察し、すくい面４５ａ若しくは逃げ面４５ｂのいずれかの摩耗幅またはチッピング幅が０．２ｍｍ以上になったときの加工時間を工具寿命と判定した。

切削加工条件
加工方法： 連続転削加工
被削材： １２０ｍｍ×２５０ｍｍのＳ５０Ｃ角材（ＨＢ２２０）
使用インサート： ＺＤＦＧ３００−ＳＣ（ミーリング用）
切削工具： ＡＢＰＦ３０Ｓ３２Ｌ１５０
切削速度： ３８０ｍ／分
１刃当たりの送り量： ０．３ｍｍ／刃
軸方向の切り込み量： ０．３ｍｍ
半径方向の切り込み量：０．１ｍｍ
切削液： なし（乾式加工）

使用したＡｌＣｒＢ合金のターゲット及びＴｉＢ合金のターゲットの組成を表１に示す。基材側単層部の成膜条件を表２に示す。積層部の成膜時に印加するＤＣバイアス電圧を表３に示す。基材側単層部の組成を表４に示す。ａ層の金属（半金属を含む）組成を表５に、ｂ層の金属（半金属を含む）組成を表６にそれぞれ示す。基材側単層部及び積層部の全体の各膜厚ｔ１及びｔ２、基材側単層部と積層部の全体との膜厚比ｔ１／ｔ２、及び積層部の積層周期Ｔを表８に示す。基材側単層部及び積層部から構成される硬質皮膜の部分のＸ線回折の結果、ａ層及びｂ層の電子回折の結果、及び工具寿命を表９に示す。

実施例２
基材側単層部及び積層部の各成膜時間を調整することにより、膜厚ｔ１を１．０μｍとし、膜厚ｔ２を０．８μｍとして、膜厚比ｔ１／ｔ２を１．２５に、及び積層周期Ｔを１６ｎｍに変化させた。前記以外は実施例１と同様にして本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例３
基材側単層部の成膜時間を調整することにより膜厚ｔ１を５．０μｍとし、膜厚比ｔ１／ｔ２を５に変化させた。前記以外は実施例１と同様にして本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例４
基材側単層部の成膜時間を調整して膜厚ｔ１を１．２μｍとした以外、実施例１と同様に、改質層を形成した基材の上に順に基材側単層部及び積層部を形成した。続いて、積層部の上に、成膜時間を調整した以外は基材側単層部と同じ成膜条件により表面側単層部として、（Ａｌ_０．６０Ｃｒ_０．３８Ｂ_０．０２）Ｎ_{０．９９４}Ｏ_{０．００６}（原子比）の組成を有し、膜厚（ｔ３）を１．２μｍとした硬質皮膜を形成した。こうして、膜厚比ｔ１／ｔ２を１．２に、膜厚比ｔ３／ｔ２を１．２に、膜厚比（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２を２．４に、及び膜厚比ｔ３／ｔ１を１に変化させた本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例５
基材側単層部の成膜時間を調整した以外は実施例１と同様にして、改質層を形成した基材の上に順に膜厚ｔ１が４．０μｍの基材側単層部、及び膜厚ｔ２が１．０μｍの積層部を形成した。続いて、積層部の上に、成膜時間を調整した以外は基材側単層部と同じ成膜条件により表面側単層部として、（Ａｌ_０．６０Ｃｒ_０．３８Ｂ_０．０２）Ｎ_{０．９９４}Ｏ_{０．００６}（原子比）の組成を有し、膜厚（ｔ３）を３．０μｍとした硬質皮膜を形成した。こうして、膜厚比ｔ１／ｔ２を４に、膜厚比ｔ３／ｔ２を３に、膜厚比（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２を７に、及び膜厚比ｔ３／ｔ１を０．７５に変化させた本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例６
実施例１と同様にして、改質層を形成した基材の上に順に基材側単層部及び積層部を形成した。続いて、積層部の上に、成膜時間を調整した以外は基材側単層部と同じ成膜条件により表面側単層部として、（Ａｌ_０．６０Ｃｒ_０．３８Ｂ_０．０２）Ｎ_{０．９９５}Ｏ_{０．００５}（原子比）の組成を有し、膜厚（ｔ３）を０．５μｍとした硬質皮膜を形成した。こうして、膜厚比ｔ１／ｔ２を２とし、膜厚比ｔ３／ｔ２を０．５とし、膜厚比（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２を２．５とし、及び膜厚比ｔ３／ｔ１を０．２５に変化させた本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

図４は実施例４の被覆切削工具の断面組織を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率：２０，０００倍）である。図４において、３１はＷＣ基超硬合金基材であり、３３は基材側単層部であり、３４は積層部であり、３５は表面側単層部である。改質層３２、積層部３４を構成するａ層及びｂ層はいずれも図４が低倍率なので見えない。図７は、実施例４の基材側単層部、積層部及び表面側単層部から構成される硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示す。図７から、実施例４の硬質皮膜の部分はｆｃｃの単一構造からなるのが分かる。

図５は実施例６の被覆切削工具の断面組織を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真（倍率：２０，０００倍）である。図５において、３１はＷＣ基超硬合金基材であり、３３は基材側単層部であり、３４は積層部であり、３５は表面側単層部である。改質層３２、積層部３４を構成するａ層及びｂ層はいずれも図５が低倍率なので見えない。図８は、実施例６の基材側単層部、積層部及び表面側単層部から構成される硬質皮膜の部分のＸ線回折パターンを示す。図８から、実施例６の硬質皮膜の部分はｆｃｃの単一構造からなるのが分かる。

実施例２〜６について、各例のＡｌＣｒＢ合金ターゲット及びＴｉＢ合金ターゲットの組成を表１に示す。各例の基材側単層部の成膜条件を表２に示す。各例の積層部のバイアス電圧を表３に示す。各例の基材側単層部の組成を表４に示す。各例のａ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表５に示し、各例のｂ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表６にそれぞれ示す。実施例４〜６の各例の表面側単層部の組成を表７に示す。実施例２〜６について、各例の各膜厚ｔ１、ｔ２及びｔ３、各膜厚比ｔ１／ｔ２、ｔ３／ｔ２、（ｔ１＋ｔ３）／ｔ２、ｔ３／ｔ１及び各積層周期Ｔを表８に示す。基材側単層部及び積層部から構成される部分、並びに基材側単層部、積層部及び表面側単層部から構成される部分のＸ線回折の結果、各例のａ層及びｂ層の電子回折の結果、及び各例の工具寿命を表９に示す。

実施例７〜１３
表１に示す各例のＡｌＣｒＢ合金ターゲット及びＴｉＢ合金ターゲットを使用し、表２に示す各例の基材側単層部の成膜条件を使用し、及び表３に示す各例の積層部のバイアス電圧を使用した以外、実施例１と同様にして各例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製した。実施例７では実施例１に対してＡｌＣｒＢ合金ターゲットのＡｌ（Ｃｒ）添加量を変化させた。実施例８及び９では実施例１に対してＡｌＣｒＢ合金ターゲットのＢ添加量を大きく変化させた。実施例１０及び１３では実施例１に対して窒素ガスの全圧を変化させた。実施例１１では実施例９に対してバイアス電圧を変化させた。実施例１２では実施例１に対してＡｌＣｒＢ合金ターゲットの含有酸素量を大きく増加させた。各例のＡｌＣｒＢ合金ターゲット及びＴｉＢ合金ターゲットの組成を表１に示す。各例の基材側単層部の成膜条件を表２に示す。各例の積層部のバイアス電圧を表３に示す。各例の基材側単層部の組成を表４に示す。各例のａ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表５に示し、各例のｂ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表６にそれぞれ示す。各例の各膜厚ｔ１及びｔ２、各膜厚比ｔ１／ｔ２及び各積層周期Ｔを表８に示す。基材側単層部及び積層部から構成される部分のＸ線回折の結果、各例のａ層及びｂ層の電子回折の結果、及び各例の工具寿命を表９に示す。

比較例１
表１に示すＡｌＣｒＢ合金ターゲットを使用し、成膜時における減圧容器２５内の窒素ガス雰囲気の全圧を２Ｐａとし、窒素ガスの流量を７００ｓｃｃｍとし、及びＤＣバイアス電圧を−１２０Ｖとした以外、実施例１と同様にして、実施例１と同種の基材の上に基材側単層部のみを形成した本比較例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。図９に比較例１の被覆切削工具の基材側単層部のＸ線回折パターンを示す。

比較例２
表１に示すＡｌＣｒＢ合金ターゲットを使用し、成膜時における減圧容器２５内の窒素ガス雰囲気の全圧を３．５Ｐａとし、窒素ガスの流量を９００ｓｃｃｍとし、及びＤＣバイアス電圧を−１２０Ｖとした以外、実施例１と同様にして、実施例１と同種の基材の上に基材側単層部のみを形成した本比較例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

比較例３
表１に示す過少な酸素含有量（４２０μｇ／ｇ）のＡｌＣｒＢ合金ターゲットを使用し、ＤＣバイアス電圧を−１２０Ｖとした以外、実施例１と同様にして、実施例１と同種の基材の上に基材側単層部のみを形成した本比較例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

比較例４
表１に示す過多の酸素含有量（５３９０μｇ／ｇ）のＡｌＣｒＢ合金ターゲットを使用し、ＤＣバイアス電圧を−１２０Ｖとした以外、実施例１と同様に、実施例１と同種の基材の上に基材側単層部のみを形成した本比較例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例１４
ＷＣ基超硬合金基材にＴｉＢ合金ターゲットを用いた改質層を形成しない以外、実施例１と同様にして本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例１５〜１７
表１に示す各例のＡｌＣｒＢＣ合金ターゲットを使用した以外、実施例１と同様にして、本実施例の被覆切削工具（ミーリングインサート）を作製し、工具寿命等を測定した。

実施例１４〜１７及び比較例１〜４で使用した各例のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲット、及びＴｉＢ合金ターゲットの組成を表１に示す。各例の基材側単層部の成膜条件を表２に示す。各例の積層部の成膜時に印加するＤＣバイアス電圧を表３に示す。各例の基材側単層部の組成を表４に示す。各例のａ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表５に、各例のｂ層の金属（半金属を含む）元素の組成を表６に示す。各例の各膜厚ｔ１及びｔ２、各膜厚比ｔ１／ｔ２及び各積層周期Ｔを表８に示す。基材側単層部及び積層部から構成される各例の硬質皮膜の部分のＸ線回折の結果、各例のａ層及びｂ層の電子回折の結果、及び各例の工具寿命を表９に示す。
実施例１、４、６及び比較例１の各硬質皮膜の部分のＸ線回折パターン（図６〜９）からそれぞれ読み取った各比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）及び各比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）を表１０に示す。

表９に示すとおり、実施例１〜１７の各刃先交換式回転工具は比較例１〜４の各刃先交換式回転工具より長寿命であった。特に、基材側単層部として０．０１〜０．０３（原子比）のＣを含有する各（ＡｌＣｒＢ）ＮＣＯ皮膜（表４）を形成した実施例１５〜１７の各刃先交換式回転工具は実施例１の刃先交換式回転工具と同等以上に長寿命であった。ＷＣ基超硬合金基材の表面に改質層を形成しなかった実施例１４の刃先交換式回転工具は実施例１〜１３及び実施例１５〜１７の各刃先交換式回転工具よりも短寿命であったが、比較例１〜４の各刃先交換式回転工具より長寿命であった。

比較例１〜４の各ミーリングインサートを装着した刃先交換式回転工具はいずれも本発明に係る積層部を欠いているため、良好な耐摩耗性を発揮できず、短寿命になったと判断される。

表１０から、比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）について、実施例１で０．３０、実施例４で０．３５、及び実施例６で０．３６であった。これに対して比較例１の比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．３９で大きかった。比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）について、実施例１で０．０６、実施例４で０．０９、及び実施例６で０．１１であった。これに対して比較例１の比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．１８で大きかった。

上記実施例では、基材側単層部、ｂ層、さらには表面側単層部を同一のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲットを使用し、ほぼ同一組成物に成膜したが特に限定されない。例えば、複数の異なる組成のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなるターゲットを使用し、基材側単層部及び積層部のｂ層、さらには表面側単層部のいずれかの組成を本発明の範囲内で適宜変更しても良い。

１：駆動部
２：ガス導入部
３：バイアス電源
６：下部保持具（支柱）
７：基材
８：上部保持具
１０、１８：陰極物質（ターゲット）
１１、１２：アーク放電用電源
１３、２７：アーク放電式蒸発源
１４：アーク放電式蒸発源固定用絶縁物
１５：アーク点火機構軸受部
１６：アーク点火機構
１７：排気口
１９：電極固定用絶縁物
２０：電極
２１：遮蔽板軸受け部
２２：遮蔽板駆動部
２３：遮蔽板
２４：軸受け部
２５：減圧容器
３１：ＷＣ基超硬合金基材
３２：改質層
３３：基材側単層部
３４：積層部
３５：表面側単層部
４０Ａ：ミーリング用インサート（インサート基材）
４５ａ：インサートのすくい面
４６：工具本体
４７：インサート用止めねじ
４８：工具本体の先端部
５０：被覆切削工具（刃先交換式回転工具）
ａ：ａ層
ｂ：ｂ層

Claims (9)

1. 基材上に硬質皮膜を有する被覆切削工具であって、
   前記硬質皮膜として基材側から順に基材側単層部及び積層部を有し、
   前記基材側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなり、
   前記積層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＴｉが最も多く、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体のａ層と、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、かつ少なくともＣｒとＢを含有する窒化物主体のｂ層とが交互に積層されてなり、
   ａ層とｂ層との膜厚方向の積層周期は５〜１００ｎｍであり、
   前記基材側単層部及び前記積層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなり、
   前記基材側単層部の膜厚は前記積層部の全体の膜厚よりも大きい、
   ことを特徴とする被覆切削工具。
2. 請求項１に記載の被覆切削工具において、
   前記基材側単層部の膜厚（ｔ１）は１．０〜５μｍであり、前記積層部の全体の膜厚（ｔ２）は０．５〜２．５μｍであり、前記基材側単層部と前記積層部の全体との膜厚比（ｔ１／ｔ２）は１．０〜５であることを特徴とする被覆切削工具。
3. 請求項１または２に記載の被覆切削工具において、
   前記積層部の上に表面側単層部を有し、前記表面側単層部の膜厚（ｔ３）は０．３〜５μｍであり、
   前記基材側単層部、前記積層部及び前記表面側単層部から構成される部分のＸ線回折パターンはｆｃｃの単一構造からなり、
   前記表面側単層部は、金属（半金属を含む）元素の割合でＡｌが最も多く、ＡｌとＣｒの合計の含有比率（原子比）が０．９以上であり、かつ少なくともＢを含有する窒化物主体の硬質皮膜からなることを特徴とする被覆切削工具。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の被覆切削工具において、
   前記Ｘ線回折パターンにおける（２００）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（２００）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（２００）／Ｉ（１１１）は０．２〜０．３７であることを特徴とする被覆切削工具。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の被覆切削工具において、
   前記Ｘ線回折パターンにおける（３１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（３１１）と（１１１）面のＸ線回折ピーク値Ｉ（１１１）との比Ｉ（３１１）／Ｉ（１１１）は０．０３〜０．１５であることを特徴とする被覆切削工具。
6. 請求項１に記載の被覆切削工具をアークイオンプレーティング法により製造する方法であって、
   前記基材側単層部及び前記ｂ層の形成用ターゲットは、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ａｌ_αＣｒ_{１−α−β−γ}Ｂ_βＣ_γ（ただし、α、１−α−β−γ、β及びγはそれぞれＡｌ、Ｃｒ、Ｂ及びＣの原子比を表し、０．４≦α≦０．８、０．０４≦β≦０．１６５、及び０≦γ≦０．０３５を満たす数字である。）で表される組成のＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金からなり、
   前記ａ層の形成用ターゲットは、不可避的不純物を除いて下記一般式：Ｔｉ_１−δＢ_δ（ただし、１−δ及びδはそれぞれＴｉ及びＢの原子比を表し、０．１≦δ≦０．５を満たす数字である。）で表される組成のＴｉＢ合金からなり、
   全圧２．７〜３．３Ｐａとした窒素ガス雰囲気において、基材温度を４００〜５５０℃とし、前記基材側単層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１６０〜−１００Ｖとし、前記積層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１４０〜−８０Ｖとすることを特徴とする被覆切削工具の製造方法。
7. 請求項６に記載の被覆切削工具の製造方法において、
   前記積層部の上に表面側単層部を形成する工程を有し、
   前記表面側単層部の形成時に基材に印加するバイアス電圧を−１６０〜−１００Ｖとすることを特徴とする被覆切削工具の製造方法。
8. 請求項７に記載の被覆切削工具の製造方法において、
   前記表面側単層部の形成用ターゲットとして前記基材側単層部と同じＡｌＣｒＢ合金またはＡｌＣｒＢＣ合金を用いることを特徴とする被覆切削工具の製造方法。
9. 請求項６〜８のいずれか１項に記載の被覆切削工具の製造方法において、
   前記積層部の形成にあたり、前記ａ層の形成用ターゲット及び前記ｂ層の形成用ターゲットに同時にアーク電流を通電することを特徴とする被覆切削工具の製造方法。

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