JP6914046B2 - プリント配線板用積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents

プリント配線板用積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、プリント配線板用積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。
スマートフォンやタブレットPCといった小型電子機器には、配線の容易性や軽量性からフレキシブルプリント配線板(以下、FPC)等のプリント配線板が採用されている。FPCには、ポリイミド系樹脂基板に銅箔をラミネートし、接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形成される2層フレキシブル基板が使用される。また銅箔にポリイミド樹脂等の樹脂層を形成するタイプの2層フレキシブル基板も使用される。その手段としては、特に制限されるものではないが、例えば、芳香族ジアミン類と芳香族酸二無水物とを溶液状態で付加重合させて得られるポリアミック酸を含有する混合物を銅箔上に塗布し、さらに乾燥してポリイミド前駆体層としてのポリアミック酸層を形成した後、さらに窒素等の不活性雰囲気下で300℃〜400℃に加熱してイミド化して、ポリイミド系樹脂層を形成することができる。
従来、FPCに所望の配線パターンを形成するためには、サブトラクティブ法が使用されている。サブトラクティブ法では、上記2層フレキシブル基板における絶縁樹脂層に張り合わされた銅箔上において、配線とする箇所にレジスト層を設ける。レジスト層に露光、現像によりレジスト層を部分的に除去し、除去された部分から露出している銅箔層を塩化銅水溶液や塩化鉄水溶液などの溶液でエッチング除去する。最後にレジスト層を剥離除去することで、配線板を形成する方法である。このサブトラクティブ法により配線パターンを形成する場合、配線断面が裾広がりの台形形状になりやすいため、配線パターンの電気的絶縁性を得るためには、配線/スペースの幅を十分に確保する必要があり、ファインピッチ配線パターンには限界があった。
一方、サブトラクティブ法では難しいとされる、配線/スペース(L/S)=20/20μmや15/15μmといったファインピッチ配線を得る方法としては、セミアディティブ法が提案されている。セミアディティブ法とは、上記2層フレキシブル基板における絶縁樹脂層に張り合わされた銅箔上において、レジスト層を設ける。次に、レジスト層に露光、現像により、回路を形成する部分のレジストを剥離除去し、除去された部分から露出している銅箔層上に銅めっきを行う。銅めっきにより所望の銅層厚みを確保した後、残留するレジスト層を剥離除去して、回路形状を形成する。次に回路間の底部に存在する銅箔をフラッシュエッチングなどにより溶解除去することで、配線板を形成する方法である。
近年、電子機器の更なる軽薄短小化に伴い、配線の高密度化要求が強まっていて、セミアディティブ法を使用するファインピッチ配線技術が重要になっている。更にはファイピッチ配線でありつつ、フレキシブル配線板本来に要求される高い折り曲げ耐性が要求されている。
例えば、特許文献1においては、セミアディティブ法による電解めっき層中に、少なくとも一層の銅スパッタ層が中間層として設けられていることにより、電解めっき層に微小クラックや貫通クラックが発生することが防止され、摺動屈曲特性が大幅に改善される提案がなされている。また、特許文献2においては、セミアディティブ法により形成された銅めっき層が、多層構造を有し、双晶粒径が5μm未満とすることにより、MIT試験による耐折性が優れる提案がなされている。
特開2006−278950号公報 特開2011−014848号公報
しかしながら、特許文献1および特許文献2におけるプリント配線板は180度折り曲げるという過酷な耐折り曲げ性に劣るという問題があった。
本発明は、このような課題に鑑み、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、耐折り曲げ性及び回路形成性のいずれも良好なプリント配線板用積層体を提供する。
本発明者は鋭意検討の結果、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体について、積層体を、絶縁性樹脂基板、金属層1、金属層2をこの順で有する構成とし、且つ、積層体の金属層1及び金属層2の結晶配向性に着目し、金属層1及び金属層2の結晶配向性を制御することで、耐折れ曲げ性及び回路形成性のいずれも良好なプリント配線板用積層体が得られることを見出した。
以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、前記積層体は、絶縁性樹脂基板、金属層1及び金属層2をこの順で有し、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1及び前記金属層2はそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で15%以上97%未満であるプリント配線板用積層体である。
本発明のプリント配線板用積層体は一実施形態において、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1は一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の、前記一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が40%以上である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で90%以下である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で18%以上である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの等倍以上である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの1.1倍以上である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの1.3倍以上である。
本発明のプリント配線板用積層体は更に別の一実施形態において、前記金属層1が、圧延銅箔からなる。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記積層体の厚み方向に平行な断面は、金属層1が圧延金属箔である場合に、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、圧延方向に平行な方向の断面である、または、金属層1が電解金属箔である場合に、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、MD方向に平行な方向の断面であるプリント配線板用積層体である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、折り曲げる用途に用いられるプリント配線板用積層体であって、前記積層体の厚み方向に平行な断面は、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、前記折り曲げる用途に用いる場合において、折り曲げの曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面に相当する断面であるプリント配線板用積層体である。
本発明のプリント配線板用積層体は更に別の一実施形態において、前記積層体は回路又は配線を有し、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後に、前記加工断面をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記回路又は配線は複数の結晶粒を有し、前記回路又は配線の複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記回路又は配線の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が15%以上97%未満である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記回路又は配線が伸びる方向に平行な断面であるか、または、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記回路又は配線の幅方向に平行な断面であるプリント配線板用積層体である。
本発明のプリント配線板用積層体は別の一実施形態において、折り曲げる用途に用いられるプリント配線板用積層体であって、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記折り曲げる用途に用いる場合において、折り曲げの曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面に相当する断面であるプリント配線板用積層体である。
本発明は別の一側面において、本発明のプリント配線板用積層体を用いてプリント配線板を製造する方法である。
本発明は別の一側面において、本発明のプリント配線板用積層体又は本発明の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法である。
セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、耐折り曲げ性及び回路形成性のいずれも良好なプリント配線板用積層体を提供することができる。
実施例に係る180°曲げ試験の説明図である。
(プリント配線板用積層体)
本発明のプリント配線板用積層体は、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体である。本発明のプリント配線板用積層体に回路を形成するためのセミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法及び埋め込み法の詳細は後述する。
本発明のプリント配線板用積層体は、絶縁性樹脂基板、金属層1及び金属層2をこの順で有している。
絶縁性樹脂基板は、紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、液晶ポリマー(LCP)、フッ素樹脂、ポリエチレンテレフタラート(PET)樹脂、ポリプロピレン(PP)樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シクロオレフィンポリマー等で形成してもよい。絶縁性樹脂基板は、プリプレグであってもよく、熱硬化性樹脂を含んでもよい。絶縁性樹脂基板は薄く柔軟性を有するフィルムであってもよい。絶縁性樹脂基板はどのような厚みを有しても良い。絶縁性樹脂基板の厚みは典型的には、1〜1000μm、5〜500μm、10〜300μm、12〜200μm、15〜100μm、15〜75μmである。なお、絶縁性樹脂基板としては、特に、薄く柔軟性を有するフィルム状の樹脂基板を使用すると、耐折り曲げ性が良好となるため好ましい。
金属層1は、金属箔(圧延金属箔、電解金属箔)、銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、銅合金箔、ニッケル合金箔、アルミ合金箔、ステンレス箔、鉄箔、鉄合金箔等を用いることができる。また、金属層1は、電解銅箔または圧延銅箔を用いることができ、特に本発明の耐折り曲げ性を実現するための加工性が良好である圧延銅箔を用いるのが好ましい。
一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)やリン脱酸銅(JIS H3100 合金番号C1201、C1220またはC1221)や電気銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。また、銅箔の材料としてはP、B、Ti、Mn、V、Cr、Mo、Ag、Sn、In、Au、Pd、Zn、Ni、Si、Zr及びMgの群から選ばれる1種又は2種以上を合計で30〜300wtppm含有する圧延銅箔または銅箔またはタフピッチ銅箔または無酸素銅箔またはリン脱酸銅箔を用いることができる。
金属層1の厚みは特に限定されず、例えば、1〜150μmとすることができる。また、金属層1の厚みは1.5〜110μm、2〜105μm、2.5〜90μm、3〜85μm、3.5〜80μm、4〜70μm、4.5〜35μm、又は、5〜35μmであってもよい。なお、プリント配線板の生産性が向上するため、金属層1の厚みは薄い方が好ましい。なお、本発明のプリント配線板用積層体が埋め込み法に用いられる場合には、金属層1は無電解Cuめっき及び/又は電解Cuめっきで形成することができる。
金属層2は、無電解Cuめっき及び/又は電解Cuめっきで形成することができる。金属層2の厚みは特に限定されず、例えば、1〜150μmとすることができる。また、金属層2の厚みは2〜110μm、3〜105μm、4〜90μm、5〜85μm、6〜80μm、9〜70μm、12〜35μm、又は、18〜35μmであってもよい。なお、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法及び埋め込み法のいずれかにおいて回路形成が行われる場合は、金属層2の厚みは薄い方が好ましい。なお、本発明のプリント配線板用積層体が埋め込み法に用いられる場合には、金属層2は前述の銅箔、アルミ箔、ニッケル箔、銅合金箔、ニッケル合金箔、アルミ合金箔、ステンレス箔、鉄箔、鉄合金箔等を用いることができる。
樹脂基板に積層後の金属層1は、積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率が高い方が(すなわち、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1は一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が高い方が)、金属層1の上に積層される金属層2の、積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を高くすることができるため好ましい。また、樹脂基板に積層後の金属層1は、化学研磨液を用いたハーフエッチング処理により、金属層1の厚みを減肉させた方が、金属層1の不要部分をフラッシュエッチング等により除去しやすくなるため、微細回路形成性が向上し、また、プリント配線板の生産性が向上するため好ましい。
上記金属層2を電解めっきで形成する際の電流密度は、例えば0.1〜1.0A/dm2などの低電流密度とする。高電流密度とした場合(例えば10A/dm2など)は、金属層2の積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を高くすることが困難となるため好ましくない。また、金属層2を積層後に、金属層2のめっき歪を解放するため、熱処理を行った方が好ましい。金属層2の電解Cuめっき条件では、添加剤濃度(有機添加剤、塩素など)の条件調整を行った方が好ましい。また、金属層2の電解Cuめっき温度は室温の方が好ましい。なお、上記金属層1には圧延銅箔を使用するのが好ましい。なお、前述の面積率を測定する際の、積層体の厚み方向に平行な断面は、圧延方向に平行な断面、または、MD方向に平行な断面であることが好ましい。本発明のプリント配線板用積層体は折り曲げて用いられる用途に用いることが好ましい。また、前述の面積率を測定する際の、積層体の厚み方向に平行な断面は、折り曲げる際の曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面であることが好ましい。前述の断面において、前述の面積率を後述の範囲に制御することで、より良好に耐折り曲げ性を向上させることができるからである。
本発明のプリント配線板用積層体は、積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1及び前記金属層2はそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で(「前記金属層1及び前記金属層2の合計で」は「前記金属層1と前記金属層2とを合わせて前述の面積率を算出した場合」の意味である。すなわち、前記金属層1と前記金属層2とを一つの層として捉えた場合を意味する。)15%以上97%未満となるように制御されている。当該面積率が金属層1及び金属層2の合計で15%以上であると、プリント配線板用積層体の耐折り曲げ性が向上する。また、当該面積率が金属層1及び金属層2の合計で97%未満であると、プリント配線板用積層体の回路形成性が向上する。以下、より具体的に説明する。
積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1および金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒(以下、「結晶粒A」ともいう)の合計面積の、金属層1および金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率が高い金属層1および金属層2(例えば、銅箔や圧延銅箔)は耐折り曲げ性に優れる。なお、前述の「全結晶粒」は、金属層1および金属層2が前述の断面においてそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有する場合には、金属層1の一つまたは複数の結晶粒および金属層2の一つまたは複数の結晶粒を合わせた結晶粒を意味する。これは折り曲げ運動において生ずる歪(屈曲疲労)が、前述の結晶粒Aには蓄積されにくく、金属層1および金属層2の内部から表面まで歪が伝播しながら、解放されていくためである。
一方、電解銅箔および、無電解Cuめっきや電解Cuめっきにより金属層1および金属層2(Cu層)を形成した場合、<100>結晶方向を有する結晶粒(すなわち、結晶粒A)は顕著に形成されず、積層体の表面に{111}面が平行である結晶粒が多い場合や、ランダム方位の配向となる場合がほとんどである。この場合、結晶粒の配向性が積層体の表面に結晶粒の{111}面が平行である配向やランダム配向である金属層1および金属層2(Cu層)は、折り曲げ運動において生ずる歪(屈曲疲労)が反対に内部に蓄積され易くなり、結晶粒界でクラック破断を生じてしまう。結果的に耐折り曲げ性が劣る。
金属層1が<100>結晶方向に高配向している場合(すなわち、金属層1の結晶粒Aの合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率が高い場合)、金属層1の上に電解Cuめっきにより金属層2を形成した場合、金属層1の結晶配向性に影響を受けて、金属層2中の電解Cuめっき層の結晶粒も、部分的または全体的に、同様の結晶配向性で成長する、いわゆるエピタキシャル成長を生じる。なお、前述の「全結晶粒」は、金属層1が前述の断面において一つまたは複数の結晶粒を有する場合には、金属層1の一つまたは複数の結晶粒を意味する。エピタキシャル成長により、金属層2中においても上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率が高くなる。なお、前述の「全結晶粒」は、金属層2が前述の断面において一つまたは複数の結晶粒を有する場合には、金属層2の一つまたは複数の結晶粒を意味する。よって、金属層1と2の両方(すなわち、金属層1と金属層2を合わせて捉えた場合)において上記<100>結晶方向との角度のずれが15°以内の面積率が15%以上97%未満となることで、積層体として、折り曲げ運動による歪を蓄積しにくくなり、結果として折り曲げ運動によるクラック破断を生じにくくなることで、耐折り曲げ性に優れる。
金属層1の断面において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を制御するには以下の方法がある。
金属層1が圧延により形成される金属箔(圧延金属箔)である場合、最終冷間圧延において使用する圧延ロールの表面粗さを制御することで、金属層1の断面において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を制御することができる。圧延ロールの表面粗さが小さい場合(例えば算術平均粗さRa(JIS B0601 1994)が例えば0.05μm以下)、金属層1の断面において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を高い値とすることができる。また、圧延ロールの表面粗さが大きい場合(例えば算術平均粗さRa(JIS B0601 1994)が例えば0.15μm以上)、金属層1の断面において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を低い値とすることができる。これは、最終冷間圧延での表面粗さが大きい圧延ロールを用いた場合、銅箔の表面にオイルピットが形成されるが、加工が進むにつれ、オイルピットの先端部にせん断変形帯が生じやすいこと、一方で、最終冷間圧延において表面粗さの小さい圧延ロールで圧延することで、せん断変形帯があまり発達しないオイルピットの形状と頻度となることが原因と推定される。
なお最終冷間圧延の加工度を98%以上とすることが好ましく、99%以上とすることがより好ましい。最終冷間圧延の加工度を98%以上とすることで、金属層1において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を向上することができるからである。
金属層1が電気めっきにより形成される金属箔(電解金属箔)である場合、金属層1を形成する際に用いる電解液に以下の添加剤を添加することで、金属層1において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を制御することができる。添加剤の濃度を高くすることで、金属層1において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を高くすることができ、また、添加剤の濃度を低くすることで、金属層1において上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率を低くすることができる。
添加剤
ゼラチン:1〜5mg/L
3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸ナトリウム(MPS):1〜10mg/L
塩化物イオン:15〜50mg/L
チオ尿素:0.1〜2.5mg/L
例えば銅めっきのための電解液の場合、以下の電解液組成及び電解条件とすることができる
硫酸銅(銅換算):50〜100g/L
硫酸:90〜130g/L
ゼラチン:1〜5mg/L
3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸ナトリウム(MPS):1〜10mg/L
塩化物イオン:15〜50mg/L
チオ尿素:0.1〜2.5mg/L
液温:30〜80℃
電流密度:20〜120A/dm2
一方、金属層1と2の両方合わせた場合の上記積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1と金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1と金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率が15%未満の場合、金属層1と2はランダムな方向の配向性が高いため、折り曲げ運動に対して、結晶粒界にて歪が蓄積して、クラック破断により、耐折り曲げ性が劣る。なお、前述の「全結晶粒」は、金属層1および金属層2が前述の断面においてそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有する場合には、金属層1の一つまたは複数の結晶粒および金属層2の一つまたは複数の結晶粒を合わせた結晶粒を意味する。
なお、本発明のプリント配線板用積層体は、金属層1と金属層2の間に他の層(例えば無電解銅めっき層や、無電解銅めっき層さらに電解銅めっき層)を設けても良い。このように金属層1と金属層2の間に他の層を設けた場合でも、本発明で規定する積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1と金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1と金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率は、金属層1と、当該他の層と、金属層2とを合計した(「金属層1と、当該他の層と、金属層2とを合計した」とは、「金属層1と、当該他の層と、金属層2とを合わせて前述の面積率を算出した場合の」の意味である。すなわち、金属層1と当該他の層と金属層2とを一つの層として捉えた場合を意味する。)、面積率(すなわち、積層体の厚み方向に平行な断面の垂線と、金属層1と当該他の層と金属層2の当該断面の結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが、15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1と当該他の層と金属層2の当該断面の全結晶粒の合計面積に対する面積率)を示す。なお、前述の「全結晶粒」は、金属層1および他の層および金属層2が前述の断面においてそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有する場合には、金属層1の一つまたは複数の結晶粒、および、他の層の一つまたは複数の結晶粒、および、金属層2の一つまたは複数の結晶粒を合わせた結晶粒を意味する。
また、本発明のプリント配線板用積層体は、積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1及び前記金属層2はそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で15.1%以上であるのが好ましく、18%以上であるのがより好ましく、20%以上であるのがより好ましく、25%以上であるのがさらにより好ましく、27%以上であるのがさらにより好ましく、29%以上であるのがさらにより好ましく、31%以上であるのがさらにより好ましく、33%以上であるのがさらにより好ましく、96%以下であるのが好ましく、90%以下であるのがより好ましく、85%以下であるのがより好ましく、80%以下であるのがより好ましい。
本発明のプリント配線板用積層体は、積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1は一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が40%以上であるのが好ましい。このような構成によれば、耐折れ曲げ性が向上しやすくなるという利点がある。
また、本発明のプリント配線板用積層体は、積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1は一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が60%以上であるのがより好ましく、65%以上であるのがさらにより好ましく、70%以上であるのがさらにより好ましく、80%以上であるのがさらにより好ましく、90%以上であるのがさらにより好ましい。また、積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率の上限は特に限定する必要はないが、例えば典型的には100%以下、99.9%以下、99.5%以下、99.0%以下、98.5%以下、98.0%以下である。
本発明のプリント配線板用積層体は、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの等倍以上であるのが好ましい。このような構成によれば、回路形成性が向上する。
また、本発明のプリント配線板用積層体は、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの1.1倍以上であるのがより好ましく、1.2倍以上であるのがより好ましく、1.3倍以上であるのがより好ましく、1.4倍以上であるのがより好ましく、1.5倍以上であるのがさらにより好ましく、2倍以上であるのがさらにより好ましい。金属層2の厚みの上限は特に限定する必要はないが、典型的には金属層1の厚みの20倍以下、金属層1の厚みの15倍以下、又は、金属層1の厚みの10倍以下である。
本発明のプリント配線板用積層体は折り曲げて用いられる用途に適する。また、前述の面積率を測定する際の、積層体の厚み方向に平行な断面は、圧延方向に平行な断面、または、MD方向に平行な断面であることが好ましい。また、前述の面積率を測定する際の、積層体の厚み方向に平行な断面は、折り曲げる際の曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面であることが好ましい。前述の断面において、前述の面積率を前述の範囲に制御することで、より良好に耐折り曲げ性を向上させることができるからである。
本発明のプリント配線板用積層体は、回路又は配線を有し、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後に、前記加工断面をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記回路又は配線は複数の結晶粒を有し、前記回路又は配線の複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記回路又は配線の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が15%以上97%未満であるのが好ましい。当該面積率が15%以上であると、プリント配線板用積層体の耐折り曲げ性が向上する。また、当該面積率が97%未満であると、プリント配線板用積層体の回路形成性が向上する。
また、本発明のプリント配線板用積層体は、回路又は配線を有し、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後に、前記加工断面をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記回路又は配線は複数の結晶粒を有し、前記回路又は配線の複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記回路又は配線の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が15.1%以上であるのが好ましく、18%以上であるのがより好ましく、20%以上であるのがより好ましく、25%以上であるのがさらにより好ましく、27%以上であるのがさらにより好ましく、29%以上であるのがさらにより好ましく、31%以上であるのがさらにより好ましく、33%以上であるのがさらにより好ましく、96%以下であるのが好ましく、90%以下であるのがより好ましく、85%以下であるのがより好ましく、80%以下であるのがより好ましい。
前述の面積率を測定する際の、回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、回路又は配線が伸びる方向に平行な断面であるか、または、回路又は配線の幅方向に平行な断面であることが好ましい。また、前述の面積率を測定する際の、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、折り曲げる際の曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面であることが好ましい。前述の断面において、前述の面積率を前述の範囲に制御することで、より良好に耐折り曲げ性を向上させることができるからである。
(表面処理層)
本発明に係るプリント配線板用積層体は金属層1の絶縁性樹脂基板側の面または金属層2側の表面のいずれか一方または両方に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層が設けられていてもよい。前述の他の層は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層であってもよい。
粗化処理層を設けることで、金属層1と絶縁樹脂基板とを積層した際に、または積層体の金属層2側にパーマネントレジスト等の樹脂層を設けた際に、金属層1と絶縁性樹脂基板、または、積層体と樹脂層との密着強度が向上し、絶縁性樹脂基板と金属層1または積層体と樹脂層とが剥離し難いという利点を有する。当該粗化処理層は公知の方法を用いて設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理層は、ファインピッチ形成の観点から微細な粒子で構成されるのが好ましい。粗化粒子を形成する際の電気めっき条件について、電流密度を高く、めっき液中の銅濃度を低く、又は、クーロン量を大きくすると粒子が微細化する傾向にある。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理によりクロメート処理層、シランカップリング処理層を施してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
また、耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。
例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルトのいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
また、シランカップリング処理層の形成に用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤、メタクリロキシ系シランカップリング剤、ビニル系シランカップリング剤、イミダゾール系カップリング剤シラン、トリアジン系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐3‐(4‐(3‐アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。
ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐(3‐アクリルオキシ‐2‐ヒドロキシプロピル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリス(2‐エチルヘキソキシ)シラン、6‐(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3‐(1‐アミノプロポキシ)‐3,3‐ジメチル‐1‐プロペニルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、3‐(2‐N‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N‐ジエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N‐ジメチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、樹脂基材と金属箔との密着性をより向上させることができる。なお、上述のシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。
また、プリント配線板用積層体の金属層1の絶縁性樹脂基板側の面または金属層2側の面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。
本発明に係るプリント配線板用積層体の絶縁性樹脂基板と金属層1との間または金属層2側の面には樹脂層が設けられていてもよい。前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、プライマーであってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。
(プリント配線板、電子機器)
本発明に係る積層体は、積層体の金属層1および金属層2に回路を形成することでプリント配線板を作製することができる。更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板を作製することができる。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板及びプリント回路板及びプリント基板も含まれることとする。また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。
(プリント配線板の製造方法)
以下に、本発明のプリント配線板用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の例を幾つか示す。
本発明のプリント配線板用積層体を用いたプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明のプリント配線板用積層体に、セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、絶縁性樹脂基板を準備する工程、
前記絶縁性樹脂基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記絶縁性樹脂基板および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設けることにより金属層1を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設けて金属層2を設けて、本発明に係るプリント配線板用積層体を得る工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理及び/又は電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、金属層1と絶縁性樹脂基板とを準備する工程、
前記金属層1と前記絶縁性樹脂基板とを積層する工程、
前記金属層1と絶縁性樹脂基板とを積層した後に、
前記金属層1と前記絶縁性樹脂基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記金属層1表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記金属層1および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記金属層1および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁性樹脂基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層及び/又は電解めっき層である金属層2を設け、本発明に係るプリント配線板用積層体を得る工程、
を含む。
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁性樹脂基板上に金属箔などである金属層1を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅等の金属層2の厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属層1を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁性樹脂基板上に回路を形成する方法を指す。
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、金属層1と絶縁性樹脂基板とを準備する工程、
前記金属層1と前記絶縁性樹脂基板とを積層する工程、
前記金属層1と前記絶縁性樹脂基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記金属層1の表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより金属層2である回路を形成することにより本発明に係るプリント配線板用積層体を製造する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した金属層1をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、金属層1と絶縁性樹脂基板とを準備する工程、
前記金属層1と絶縁性樹脂基板とを積層する工程、
前記金属層1の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっきにより金属層2である回路を形成することで、本発明に係るプリント配線板用積層体を製造する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある金属層1をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
なお、上記スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。
本発明において、埋め込み法とは、金属層2の表面に回路めっきにより金属層1を形成し、当該形成した回路めっき(金属層1)を覆うように(回路めっき(金属層1)が埋没するように)金属層2上に埋め込み樹脂を設けて絶縁性樹脂基板を積層し、金属層2を除去して金属層1を露出させることで回路埋め込み基板(ETS, Embedded Trace Substrate)を製造する方法を指す。なお、前述の回路埋め込み基板を製造する方法において、必要に応じて絶縁性樹脂基板の所定位置に穴あけを行い、回路めっき(金属層1)を露出させてブラインドビアを形成して積層体の複数の層間で回路や配線を導通させてもよい。
埋め込み法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態を以下に示す。
工程1:まず、金属層2を準備する。
工程2:次に、金属層2の表面にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
工程3:次に、回路用のメッキである金属層1を形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路メッキ(金属層1)を形成する。
工程4:次に、回路メッキ(金属層1)を覆うように(回路メッキ(金属層1)が埋没するように)、金属層2の表面に埋め込み樹脂を設けて絶縁性樹脂基板を積層し、本発明に係るプリント配線板用積層体を製造した後、続いて別の金属層を接着させる。
工程5:次に、前記別の金属層および絶縁性樹脂基板の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路メッキ(金属層1)を露出させてブラインドビアを形成する。
工程6:次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。次に、ビアフィル上に、上記工程2及び3のようにして別の回路メッキを形成する。
工程7:次に、金属層2をフラッシュエッチングにより除去し、絶縁性樹脂基板内の回路メッキ(金属層1)の表面を露出させる。
工程8:次に、絶縁性樹脂基板内の回路メッキ(金属層1)上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明に係るプリント配線板用積層体を用いたプリント配線板を作製する。
上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路メッキ(金属層1)が絶縁性樹脂基板に埋め込まれた構成となっているため、例えば工程7のようなフラッシュエッチングによる金属層の除去の際に、回路メッキ(金属層1)が絶縁性樹脂基板によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路メッキ(金属層1)が絶縁性樹脂基板によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、工程7及び工程8に示すようにフラッシュエッチングによって金属層2を除去したとき、回路メッキの露出面が絶縁性樹脂基板から凹んだ形状となるため、当該回路メッキ(金属層1)上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。
なお、埋め込み樹脂(レジン)(絶縁性樹脂基板)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。
以下に本発明の実施例および比較例として実験例を示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
(プリント配線板用積層体の作製)
実施例1〜9、及び、比較例1〜3について、絶縁性樹脂基板として25μm厚の接着層(熱融着層)付きポリイミド樹脂(宇部興産製ユーピレックス25VT、BPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物)系(BPDA−PDA(パラフェニレンジアミン)系)のポリイミド樹脂基板))を使用し、また金属層1として表1に示す組成の元素を添加したタフピッチ銅(TPC)若しくは無酸素銅(OFC)又はタフピッチ銅又は無酸素銅の圧延銅箔(厚みは表1に記載)を使用した。なお、上述の圧延銅箔は表1に示す組成の元素を添加したタフピッチ銅又は無酸素銅を原料としてインゴットを鋳造し、800℃以上で厚さ10mmまで熱間圧延を行い、表面の酸化スケールを面削した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で表1に記載の厚みに仕上げた。最終冷間圧延での圧延加工度を99%とした。
なお、表1の組成の欄の「TPC+Ag200ppm」は、JIS−H3100(合金番号C1100)のタフピッチ銅(TPC)に200質量ppmのAgを添加したこと意味する。また、表1の組成の欄の「OFC+Ag100ppm+Sn30ppm」はJIS−H3100(合金番号C 1020)の無酸素銅(OFC)に100質量ppmのAg及び30質量ppmのSnを添加したことを意味する。なお、最終冷間圧延は10〜15パスで表1に記載の表面粗さを有する圧延ロールを用いて行った。最終冷間圧延の各パスに用いたロールの表面粗さはすべて同じである。
次に、実施例1〜9、及び、比較例1〜3について、ポリイミド樹脂の両面に圧延銅箔を配置し、300℃30分間の熱圧着により接合した。両面にある銅箔の片側を塩化銅エッチング溶液にてフルエッチング除去した。その後、実施例1〜9、及び、比較例2〜3については残りの面の銅箔をソフトエッチングにより表1に記載の厚みにした。比較例1については残りの面の銅箔に対してソフトエッチングを行わなかった。ソフトエッチング液は、三菱ガス化学製SE−07を使用して、温度は35℃にて行った。なおソフトエッチング液は公知の技術およびソフトエッチング液を使用して良い。
比較例4については、硫酸銅めっき浴からチタンのドラム上に銅を電解析出して電解銅箔を製造した。電解析出させた厚みを18μmになるように調整した。当該電解条件を以下に示す。
・電解液組成:Cu50g/L、H2SO4100g/L、
・電解時間:35分間
・電解液温度:60℃
・電流密度:8A/dm2
続いて、絶縁性樹脂基板として25μm厚の接着層(熱融着層)付きポリイミド樹脂(宇部興産製ユーピレックス25VT、BPDA(ビフェニルテトラカルボン酸二無水物)系(BPDA−PDA(パラフェニレンジアミン)系)のポリイミド樹脂基板))を使用し、当該ポリイミド樹脂の両面に電解銅箔を配置し、300℃30分間の熱圧着により接合した。両面にある銅箔の片側を塩化銅エッチング溶液にてフルエッチング除去した。その後、残りの面の銅箔をソフトエッチングにより表1に記載の厚みにした。ソフトエッチング液は、三菱ガス化学製SE−07を使用して、温度は35℃にて行った。なおソフトエッチング液は公知の技術およびソフトエッチング液を使用して良い。
<耐折り曲げ性評価用プリント配線板用積層体>
次に、実施例1〜9、比較例1、2については、下記のめっき条件で、ポリイミド樹脂の片面に接着した圧延銅箔上に、表1に示す厚みになるように、銅層(金属層2)を形成した。
・めっき液組成:硫酸銅Cu100g/L、H2SO4180g/L、Cl-50ppm
・めっき液添加剤:JCU製Cu−BRITE RF−MU10mL/L、JCU製Cu−BRITE RF−B1mL/L
・めっき液温度:25℃
・電流密度:0.5A/dm2
比較例3については、下記のめっき条件で、ポリイミド樹脂の片面に接着した圧延銅箔上に表1に示す厚みの銅層(金属層2)を形成した。比較例4については、下記の同様のめっき条件で、ポリイミド樹脂の片面に接着した電解銅箔上に表1に示す厚みの銅層(金属層2)を形成した。
・めっき液組成:硫酸銅Cu100g/L、H2SO4180g/L、Cl50ppm
・めっき液添加剤:JCU製Cu−BRITE RF−MU10mL/L、JCU製Cu−BRITE RF−B1mL/L
・めっき液温度:25℃
・電流密度:5.0A/dm2
<微細回路形成性用プリント配線板用積層体>
次に、実施例1〜9、比較例1〜4について、前述の耐折り曲げ性評価用プリント配線板用積層体の作成において圧延銅箔または電解銅箔の上に銅層(金属層2)を形成した条件と同じめっき条件で、ポリイミド樹脂の片面に接着した圧延銅箔または電解銅箔上に、パターン銅めっき層をL/S=25μm/25μmとなるように形成することにより、表1に示す厚みの銅層(金属層2)を形成した。なお、パターン銅めっき層は、金属層1が圧延銅箔の場合には圧延方向と平行な方向に銅めっきの配線を形成するように設け、金属層1が電解銅箔の場合にはMD方向(電解銅箔製造装置における進行方向)と平行な方向に銅めっきの配線を形成するように設けた。なお、「圧延方向」とは圧延機において、圧延される材料が進む方向を意味する。
実施例3については、金属層1の絶縁性樹脂基板と積層する側の面表面に対し、以下の条件で粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層をこの順で形成した。
・粗化処理層
3元系銅−コバルト−ニッケル合金めっき:
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:30〜45A/dm2
めっき時間:0.2〜1.5秒
なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
・耐熱層
コバルト−ニッケル合金めっき:
めっき浴組成:Co1〜20g/L、Ni1〜20g/L
pH:1.5〜3.5
温度:30〜80℃
電流密度Dk:1.0〜20.0A/dm2
めっき時間:0.5〜4秒
・防錆層
ニッケル−亜鉛合金めっき:
めっき浴組成:Zn1〜20g/L、Ni10〜20g/L
pH:3〜4
温度:50〜60℃
電流密度Dk:0.1〜1.0A/dm2
めっき時間:1〜3秒
・クロメート処理層
以下の条件で電解クロメート処理を実施した。
2Cr27:1〜10g/L
温度:20〜60°C
電流密度Dk:0.1〜1.0A/dm2
処理時間:1〜5秒
・シランカップリング処理層
以下のシランカップリング処理液を塗布することにより形成した。
シランの種類:N−2−(アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン
シラン濃度:0.5vol%
温度:10〜60°C
処理時間:1〜5秒
(プリント配線板用積層体の評価)
<加工断面の面積率>
プリント配線板用積層体(耐折り曲げ性評価用プリント配線板用積層体)を、日立ハイテクフィールディング製IM4000Plusを使用してイオンミリングで断面研磨を行い、金属層1が圧延銅箔の場合には、圧延方向に平行な方向で、かつ、板厚方向に平行な断面を形成し、また、金属層1が電解銅箔の場合には、MD方向に平行な方向で、且つ、板厚方向に平行な方向の断面を形成した。なお、前述のイオンミリングは、断面の結晶粒を明確に判別することが可能な程度に行った。ここでイオンミリングの代わりにクロスセクションポリッシャを用いて、断面研磨を行ってもよい。断面研磨後に、当該断面について株式会社日立ハイテクノロジーズ製 超高分解能分析走査電子顕微鏡SU−70に導入してEBSD(Electron Back Scatter Diffraction(後方散乱電子回折))観察を行った。解析ソフトとして、EBSD装置に付属の、株式会社TSLソリューションズ製OIMver5.31を使用した。
・加速電圧:15kV
・傾斜角:70°
・ステップ幅:0.2μm
・測定範囲:積層体金属層に平行方向に40μm、積層体金属層の厚み方向は金属層1および金属層2が厚み方向において全て含まれる四角形に囲まれた範囲を観察した。
得られたEBSD結果から、加工断面において金属層1及び金属層2は複数の結晶粒を有していることがわかった。また、当該複数の結晶粒のうち、加工断面の垂線と結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の面積の合計値の、複数の結晶粒の合計面積(前述の測定範囲の面積に相当する)に対する割合(面積率)を、金属層1のみで捉えた場合と、金属層1と金属層2とを合わせて捉えた場合とについて、上記ソフトにより求めた。なお観察箇所は3か所行い、面積率は3か所の解析結果の平均の値とした。なお、前述の断面は後述する耐折り曲げ性の評価における、180°密着曲げの曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面である。
なお、プリント配線板用積層体(微細回路形成性用プリント配線板用積層体)の金属層1及び金属層2に、L/S=25μm/25μmの回路(配線)を形成した後、当該回路(配線)の厚み方向に平行な方向であって、かつ、回路(配線)の伸びる方向に平行な方向の回路断面、および、当該回路(配線)の厚み方向に平行な方向であって、かつ、回路(配線)の幅方向に平行な方向の回路(配線)断面を、上記の加工断面の面積率の評価と同様の方法にて、日立ハイテクフィールディング製IM4000Plusを使用してイオンミリングで断面研磨した後に、加工断面をEBSDで観察した。得られたEBSD結果から、加工断面において金属層1及び金属層2は複数の結晶粒を有していることがわかった。また、当該複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内の結晶粒の面積の合計値の、複数の結晶粒の合計面積に対する割合(面積率)を測定したところ、前述の耐折り曲げ性評価用プリント配線板用積層体を用いて測定した場合の上記加工断面の面積率と同様の数値となった。
<加工断面の厚み比率>
プリント配線板用積層体の金属層1および金属層2の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製SMI3050に試料を導入して、FIB−SIM観察により、金属層1および金属層2の厚みを5μm間隔で10箇所測定し、その算術平均値を金属層1および金属層2の厚みの値とした。なお金属層1と金属層2の境界が判明しにくい場合は、積層体断面をイオンミリングにて断面加工後に、化学研磨溶液(過酸化水素1mL+アンモニア水29mL+水70mL)に2〜5秒浸漬させたのち、FIB−SIM観察により金属層1と金属層2の厚み測定を行ってもよい。化学研磨液に浸漬させることで、金属積層体の境界が浸食されて、境界の判定が行い易くなる。
<耐折り曲げ性>
プリント配線板用積層体の180°密着曲げを繰り返して行い、銅箔が割れるまでの回数を測定した。割れの有無は、各回の曲げ後の銅箔表面(曲げ外面)をCCDカメラで観察した。180°密着曲げは、図1に示すようにして行った。
まず、銅箔の圧延方向またはMD方向(電解銅箔製造装置における電解銅箔の進行方向)が長手方向となるように試験片を12.7mm×100mmの短冊状に切り出した。この試験片S1を長手方向の両端同士が合うように中央部でU字状に曲げ、長手方向が水平になるように横に向けて逆C字状にした状態で、圧縮試験機(島津製作所製の万能試験機 AGS−5kN)にセットした(図1(a))。具体的には、試験片S1を圧縮試験機の台座12上に載置し、試験片S1の上方のクロスヘッド11を荷重98kN(10kgf)、50mm/minの速度で下降させ、荷重を加えてから5秒保持して試験片S1を完全に潰した。その後、クロスヘッド11を上昇させ、U字部が潰れた試験片S2を取り出し、長手方向が上下になるよう向きを変えて試験片S3とした(図1(b))。試験片S2、S3は、U字部が潰れた突状の曲げ部Cを有している。
次に、曲げ部Cが上向きになるようにして試験片S3を上記圧縮試験機の台座12上に載置し、曲げ部Cの上方のクロスヘッド11を上記と同様の荷重及び速度で下降させ、荷重を加えてから5秒保持して試験片S3を完全に潰した(図1(c)、(d))。その後、クロスヘッド11を上昇させ、曲げ部Cが潰れてほぼ平坦になった試験片S4を取り出し、曲げ部Cを中心とする所定領域の曲げ外面Skを観察し、クラック破断の有無を判定した(図1(e))。そして、クラック破断までの折り曲げ回数を測定した。耐折り曲げ性の評価基準は、クラック破断までの折り曲げ回数について、4回以上を◎、3回を○、0回〜2回を×とした。
<微細回路形成性>
積層体の金属層1の表面にパターン銅めっき層をL/S=25μm/25μmとなるように金属層2を形成した。続いて、フラッシュエッチングを行い金属層1の不要部分を除去して回路(配線)を形成した。
・微細回路評価1
200μm×200μmの領域を5視野において観察し回路形成性を評価した。5視野において回路がショートしている箇所がなく、且つ、直径が50μm以上の凸部が5視野の平均で0.2個/(40000μm2)以下である場合、「◎」とした。ここで凸部を取り囲む最小円の直径を凸部の直径とした。5視野において回路がショートしている箇所がなく、且つ、直径が50μm以上の凸部が5視野の平均で0.2個/(40000μm2)より多く、1個/(40000μm2)未満である場合、「○」とした。5視野において一か所でも回路がショートしている箇所がある場合、または、直径が50μm以上の凸部が5視野の平均で1個/(40000μm2)以上である場合には、「×」とした。
・微細回路評価2
回路上面から見た回路下端幅の最大値と最小値の差(μm)を測定し、5箇所を測定した平均値とした。最大値と最小値の差が4μm以下であれば、良好な回路直線性を有すると判断し、「◎」とした。また、当該最大値と最小値の差が4μm超え且つ6μm以下のとき、「○」とした。また、当該最大値と最小値の差が6μm超え且つ7μm以下のとき、「△」とした。また、当該最大値と最小値の差が7μm超えのとき、「×」とした。
各試験条件及び評価結果を表1及び表2に示す。
Figure 0006914046
Figure 0006914046
(評価結果)
実施例1〜9は、いずれも積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、加工断面の金属層1及び金属層2をEBSDで観察したとき、加工断面において金属層1及び金属層2は複数の結晶粒を有し、金属層1の複数の結晶粒及び金属層2の複数の結晶粒のうち、加工断面の垂線と結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の複数の結晶粒及び金属層2の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、金属層1及び金属層2の合計で15%以上97%未満であった。このため、耐折り曲げ性及び回路形成性がいずれも良好であった。
一方、比較例1及び2は、当該加工断面の垂線と結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の複数の結晶粒及び金属層2の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、金属層1及び金属層2の合計で97%以上であった。このため、回路形成性が不良であった。
また、比較例3及び4は、当該加工断面の垂線と結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、金属層1の複数の結晶粒及び金属層2の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、金属層1及び金属層2の合計で15%未満であった。このため、耐折り曲げ性が不良であった。
11 クロスヘッド
12 台座
S1 試験片
S2 試験片
S3 試験片
S4 試験片
C 曲げ部
Sk 曲げ外面

Claims (15)

  1. セミアディティブ法、パートリーアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法又は埋め込み法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、
    前記積層体は、絶縁性樹脂基板、金属層1及び金属層2をこの順で有し、前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1及び前記金属層2はそれぞれ一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で15%以上97%未満であり、以下の(1)、(2)のいずれか一つを満たすプリント配線板用積層体。
    (1)前記積層体がセミアディティブ法、パートリーアディティブ法およびモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、前記金属層1は圧延銅箔からなり、前記金属層2は電解Cuめっき層からなる。
    (2)前記積層体が埋め込み法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、前記金属層1は電解Cuめっき層からなり、前記金属層2は圧延銅箔からなる。
  2. 前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記金属層1は一つまたは複数の結晶粒を有し、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の、前記一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が40%以上である請求項1に記載のプリント配線板用積層体。
  3. 前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で90%以下である請求項1または2に記載のプリント配線板用積層体。
  4. 前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記金属層1の一つまたは複数の結晶粒及び前記金属層2の一つまたは複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が、前記金属層1及び前記金属層2の合計で18%以上である請求項1〜3のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  5. 前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの等倍以上である請求項1〜4のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  6. 前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの1.1倍以上である請求項5に記載のプリント配線板用積層体。
  7. 前記積層体の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後、前記加工断面の前記金属層1及び前記金属層2を観察したとき、前記金属層2の厚みが、前記金属層1の厚みの1.3倍以上である請求項6に記載のプリント配線板用積層体。
  8. 前記積層体がセミアディティブ法、パートリーアディティブ法およびモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法に用いられる積層体であって、前記金属層1が、圧延銅箔からなり、前記金属層2が、電解Cuめっき層からなる請求項1〜7のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  9. 前記積層体の厚み方向に平行な断面は、金属層1が圧延金属箔である場合に、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、圧延方向に平行な方向の断面である、または、金属層1が電解金属箔である場合に、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、MD方向に平行な方向の断面である請求項1〜8のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  10. 折り曲げる用途に用いられるプリント配線板用積層体であって、前記積層体の厚み方向に平行な断面は、前記積層体の厚み方向に平行であって、かつ、前記折り曲げる用途に用いる場合において、折り曲げの曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面に相当する断面である請求項1〜9のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  11. 前記積層体は回路又は配線を有し、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面をイオンミリング加工した後に、前記加工断面をEBSDで観察したとき、前記加工断面において前記回路又は配線は複数の結晶粒を有し、前記回路又は配線の複数の結晶粒のうち、前記加工断面の垂線と前記結晶粒の<100>結晶方向との角度のずれが15°以内である結晶粒の合計面積の、前記回路又は配線の複数の結晶粒の合計面積に対する面積率が15%以上97%未満である請求項1〜10のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体。
  12. 前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記回路又は配線が伸びる方向に平行な断面であるか、または、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記回路又は配線の幅方向に平行な断面である請求項11に記載のプリント配線板用積層体。
  13. 折り曲げる用途に用いられるプリント配線板用積層体であって、前記回路又は配線の厚み方向に平行な断面は、前記回路又は配線の厚み方向に平行であって、かつ、前記折り曲げる用途に用いる場合において、折り曲げの曲げ軸が伸びる方向に対して垂直な方向の断面に相当する断面である請求項11または12に記載のプリント配線板用積層体。
  14. 請求項1〜13のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体を用いてプリント配線板を製造する方法。
  15. 請求項1〜13のいずれか一項に記載のプリント配線板用積層体又は請求項14に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法。
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