JP6910115B2 - アクティブスナバ回路 - Google Patents
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Description
本発明の第1の態様は、スイッチング素子とグランド端子との間に直列に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング時に生ずるサージ電圧を吸収するスナバコンデンサと前記スナバコンデンサに直列に接続されたスナバ抵抗を含むスナバ回路と、前記スイッチング素子の出力電圧が印加されたときの、前記スナバコンデンサと前記スナバ抵抗との間の接点と、前記グランド端子と、の間の電圧を微分する微分回路と、前記微分回路の出力電圧が閾値電圧以上である間はオンする半導体スイッチであって、前記半導体スイッチがオンしている間のみ、前記スイッチング素子と前記スナバ回路との直列接続を構成する半導体スイッチとを備える。
本発明の第2の態様は、前述した本発明の第1の態様において、前記半導体スイッチは、MOSFETである、アクティブスナバ回路である。
本発明の第3の態様は、前述した本発明の第2の態様において、前記スナバ回路は、前記スイッチング素子のスイッチング時に生ずるサージ電圧を吸収するスナバコンデンサと、前記スナバコンデンサに直列に接続され、前記スナバコンデンサの電流を制限するスナバ抵抗と、前記スナバコンデンサの電荷を放電する放電ダイオードと、を含む、アクティブスナバ回路である。
本発明の第3の態様によれば、スナバ回路として構成がシンプルなRCスナバ回路を用いることによって、本発明に係るアクティブスナバ回路において、部品点数の削減により小型、低コスト化が可能になる。
本発明の第4の態様は、前述した本発明の第3の態様において、前記放電ダイオードは、前記MOSFETの寄生ダイオードである、アクティブスナバ回路である。
本発明の第4の態様によれば、放電ダイオードを別個に設ける必要がないので、本発明に係るアクティブスナバ回路において、さらに部品点数の削減により小型、低コスト化が可能になる。
本発明の第5の態様は、前述した本発明の第3の態様又は第4の態様において、前記微分回路は、前記MOSFETの寄生容量を利用する構成である、アクティブスナバ回路である。
本発明の第5の態様によれば、微分回路に別個のコンデンサを設ける必要がないので、本発明に係るアクティブスナバ回路において、さらに部品点数の削減により小型、低コスト化が可能になる。
本発明の第6の態様は、前述した本発明の第3〜第5の態様のいずれかにおいて、前記スナバ抵抗は、前記MOSFETの内部オン抵抗である、アクティブスナバ回路である。
本発明の第6の態様によれば、スナバ抵抗を別個に設ける必要がないので、本発明に係るアクティブスナバ回路において、さらに部品点数の削減により小型、低コスト化が可能になる。
電源装置の一例である降圧コンバータ100は、スイッチング素子Q1、ダイオードD1、コイルL1、コンデンサC1、C4を備える。
尚、本発明は、上記説明した実施例に特に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変形が可能であることは言うまでもない。
11 スナバ回路
12 微分回路
13 スイッチ回路
100 降圧コンバータ
C2 スナバコンデンサ
D2 放電ダイオード
Q1 スイッチング素子
Q2 トランジスタ
R1 スナバ抵抗
Claims (6)
- スイッチング素子とグランド端子との間に直列に接続され、前記スイッチング素子のスイッチング時に生ずるサージ電圧を吸収するスナバコンデンサと前記スナバコンデンサに直列に接続されたスナバ抵抗を含むスナバ回路と、
前記スイッチング素子の出力電圧が印加されたときの、前記スナバコンデンサと前記スナバ抵抗との間の接点と、前記グランド端子と、の間の電圧を微分する微分回路と、
前記微分回路の出力電圧が閾値電圧以上である間はオンする半導体スイッチであって、前記スナバ回路の前記スナバ抵抗と前記グランド端子との間に直列に接続された半導体スイッチと、を備え、
前記スナバ回路の前記スナバコンデンサは、前記スイッチング素子のスイッチング動作に応答して充放電される、
アクティブスナバ回路。 - 請求項1に記載のアクティブスナバ回路において、前記半導体スイッチは、MOSFETである、アクティブスナバ回路。
- 請求項2に記載のアクティブスナバ回路において、前記スナバ回路は、前記スイッチング素子のターンオンに応答して前記サージ電圧により充電される前記スナバコンデンサと、前記スナバコンデンサに直列に接続され、前記スナバコンデンサの電流を制限する前記スナバ抵抗と、放電ダイオードと、を含み、前記放電ダイオードは、前記スイッチング素子のターンオフに応答して前記スナバコンデンサに充電された電荷を放電する、アクティブスナバ回路。
- 請求項3に記載のアクティブスナバ回路において、前記放電ダイオードは、前記MOSFETの寄生ダイオードを利用する構成である、アクティブスナバ回路。
- 請求項3又は4に記載のアクティブスナバ回路において、前記微分回路はコンデンサ及び抵抗を含み、前記コンデンサの代わりに前記MOSFETの寄生容量を利用する構成である、アクティブスナバ回路。
- 請求項3〜5のいずれか1項に記載のアクティブスナバ回路において、前記スナバ抵抗は、前記MOSFETの内部オン抵抗を利用する構成である、アクティブスナバ回路。
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