JP4710590B2 - 放電灯点灯装置及び画像表示装置 - Google Patents

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Description

本発明はチョッパ回路の出力により放電灯を点灯させる放電灯点灯装置及びこれを用いた画像表示装置に関するものである。
一般に高圧放電灯、特に水銀灯やメタルハライドランプの管電圧は、始動直後は低く、その後、ランプ内温度の上昇に従って、管電圧が上昇しながら安定するという固有の時間的変化特性がある。また、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビなどに使用する超高圧ショートアーク放電灯は、さらに安定した後の管電圧が使用中の電極磨耗により大きく変動するという特徴がある。
この種の放電灯の点灯装置の一例として、図5に示す構成のものがある。以下、その回路構成について説明する。スイッチング素子Q1、ダイオードD1、インダクタL1は降圧チョッパ回路2を構成しており、直流電源1から負荷である放電灯3へ供給される電力は、スイッチング素子Q1のオン/オフにより制御される。スイッチング素子Q1は、例えばパワーMOSFETよりなり、制御回路6の出力により高周波でオン/オフされる。
制御回路6は、検出回路4と駆動回路5を有している。検出回路4と駆動回路5には制御用電源Eから直流低電圧が供給されている。この直流低電圧は、トーテムポール接続されたバイポーラトランジスタQ2,Q3の直列回路に印加されている。トランジスタQ3の両端には、カップリングコンデンサC2を介して駆動トランスT1の1次巻線が接続されている。駆動トランスT1の2次巻線は抵抗R2を介してスイッチング素子Q1の制御端子に接続されている。トランジスタQ2,Q3の制御端子は抵抗R3を介してDフリップフロップ53のQ出力端子に接続されている。Dフリップフロップ53のQ出力端子がHighレベルになると、トランジスタQ2がオン、トランジスタQ3がオフとなり、チョッパ回路2のスイッチング素子Q1はオン状態となる。また、Dフリップフロップ53のQ出力端子がLowレベルになると、トランジスタQ2がオフとなり、カップリングコンデンサC2を電源として、トランジスタQ3がオンとなり、チョッパ回路2のスイッチング素子Q1はオフ状態となる。
Dフリップフロップ53の電源端子Vddとグランド端子Vssは、制御用電源Eの正極と負極にそれぞれ接続されている。Dフリップフロップ53のデータ入力端子Dは、制御用電源Eのレベルに接続されており、クロック入力端子CLKに立下りトリガ(ダウンエッジ信号)が入力されると、Q出力端子がHighレベルとなる。また、リセット入力端子RstがHighレベルになると、Q出力端子はLowレベルとなる。リセット入力端子Rstには、オン時間決定用の比較器52の出力端子が接続されており、この出力端子は抵抗R4により制御用電源Eのレベルにプルアップされている。比較器52の+入力端子には、チョッパ電流検出用の抵抗R1の検出電圧が入力されており、−入力端子には演算回路51から出力される目標電圧が入力されている。演算回路51は放電灯3に供給される負荷電圧Vlaを検出し、その負荷電圧Vlaに応じて最適のランプ電力が供給されるように、チョッパ電流の目標ピーク電流値に応じた電圧を比較器52の−入力端子に供給する。
チョッパ用のスイッチング素子Q1がオンすると、直流電源1→スイッチング素子Q1→インダクタL1→平滑用のコンデンサC1(及び放電灯3)→電流検出用の抵抗R1の経路で漸増電流が流れる。これにより抵抗R1の検出電圧は増大して行き、比較器52の+入力端子の検出電圧が−入力端子の目標電圧に達すると、比較器52の出力はオフ(高インピーダンス状態)となり、抵抗R4によりプルアップされるので、Dフリップフロップ53のリセット入力端子RstがHighレベルとなり、Q出力端子はLowレベルとなる。これによりスイッチング素子Q1はオフ状態となる。
次に、スイッチング素子Q1のオフ時電圧の監視について説明する。検出回路4は、チョッパ回路2を構成するスイッチング素子Q1のオフ時電圧を監視しており、オフ時電圧が略最小電圧になったことを検出すると、駆動回路5にスイッチング素子Q1を再びオンさせるための検出信号を出力する。図5の回路では、チョッパの回生電流通電用のダイオードD1のカソードの電位Vrを検出することで、実質的にスイッチング素子Q1の両端電圧VQ1(=Vin−Vr)を監視している。
スイッチング素子Q1がオフすると、スイッチング素子Q1→インダクタL1のルートに流れていた電流は、ダイオードD1→インダクタL1のルートに転流し、スイッチング素子Q1がオンしている間にインダクタL1に蓄えたエネルギーの放出を終えた時点で、ダイオードD1はオフする。ダイオードD1がオフすると、コンデンサC1からインダクタL1を通じ、ダイオードD1の接合容量に充電するから、ダイオードD1の逆方向電圧Vrが上昇する。
検出回路4は、チョッパ回路2内に設けた検出点の電圧(ダイオードD1の逆方向電圧Vr)が比較基準値以上となったときに、立下りトリガ(ダウンエッジ信号)を出力する比較器42を有している。この比較器42は、オープンコレクタもしくはオープンドレイン出力のコンパレータよりなり、出力端子を抵抗R5により制御用電源Eのレベル(Highレベル)にプルアップされている。比較器42の−入力端子には、抵抗Rxを介してダイオードD1のカソードの電位Vrに応じた電圧が印加されており、+入力端子には基準電圧が印加されている。比較器42の−入力端子の検出電圧が+入力電圧の基準電圧を越えると、比較器42の出力はオン(グランドと短絡)となり、立下りトリガ(ダウンエッジ信号)を駆動回路5に与える。
駆動回路5のDフリップフロップ53では、データ入力端子Dが制御用電源Eのレベル(Highレベル)に接続されているので、クロック入力端子CLKに立下りトリガ(ダウンエッジ信号)が入力されると、Q出力端子がHighレベルとなる。これにより、スイッチング素子Q1は再びオン状態となる。以下、このサイクルを繰り返すことによりスイッチング素子Q1はオン/オフし、負荷電力を安定制御する。(なお、一定時間以上待っても検出回路4からダウンエッジ信号が得られない場合や電源投入直後の発振開始時には演算回路51などからDフリップフロップ53のセット入力端子SetにHighレベルの信号を与えて、強制的にスイッチング素子Q1をオンさせるようにしても良い。)
なお、放電灯点灯装置の電子安定器に用いる高周波D級電力増幅回路において、スイッチング素子の端子間電圧の時間微分係数がほぼ0となるタイミングを検出してスイッチング素子を制御する技術は特許文献1に開示されている。
特許第3430629号公報
図5の従来例において、制御回路6がスイッチング素子Q1の次のオンを指示しない時のダイオードD1の逆方向電圧Vr(=Vin−VQ1)を図6に示す。tonの期間ではスイッチング素子Q1を介してインダクタL1に電流が流れる。toffの期間ではダイオードD1を介してインダクタL1のエネルギーが放出される。ダイオードD1に流れる電流が無くなり、スイッチング素子Q1、ダイオードD1ともにオフすると、スイッチング素子Q1、ダイオードD1の容量成分により、ダイオードD1の逆方向電圧Vrは振動しながら負荷電圧Vlaへと収束する。
Vr=Vla・〔1−exp(−αt)・{cosβt+(α/β)・sinβt}〕 …(1)式
ただし、
α=R/2L
β=√(4L/C−R2 )/2L
2 ≪4L/C
上式において、RはインダクタL1の内部抵抗及びコンデンサC1、スイッチング素子Q1、ダイオードD1の内部抵抗その他の内部抵抗並びに銅箔抵抗などである。LはインダクタL1の内部誘導成分及びコンデンサC1、スイッチング素子Q1、ダイオードD1、銅箔等の誘導成分である。Cはスイッチング素子Q1、ダイオードD1の容量成分並びに図示しないが雑音対策などでスイッチング素子Q1又はダイオードD1に並列配置するスナバ回路の容量成分である。なお、負荷電圧Vlaは連続スイッチングする周期の時間オーダーでは一定であると見なせるものとする。
収束時減衰率は抵抗成分により変わるので、振動ループに流れる電流、周波数によって変化し、特にインダクタL1の設計に依存する。振動の中心Vrcは以下となる。
Vrc≒Vla{1−exp(−t・R/2L)}
振動電圧Vrのピークは、負荷電圧Vlaに応じて増減し、例えば図6に示すように、負荷電圧VlaがVlaA(大)の時には、振動電圧Vrのピークは高く(スイッチング素子Q1の電圧は低く)、逆に負荷電圧VlaがVlaB(小)の時には、振動電圧Vrのピークは低く(スイッチング素子Q1の電圧は高く)なる。
減衰振動周期Tは、T=2π・2L/√(4L/C−R2 )≒2π√(L・C)となる。よって、減衰振動周期Tが小さく、且つR/Lが小さいと、Vrのピークは大きく、スイッチング素子Q1のピーク電圧は低くなる。
スイッチング素子Q1のターンオンタイミングによりスイッチングロスは異なり、ターンオン直前のスイッチング素子Q1の電圧が小であれば、スイッチング素子Q1のターンオン時のスイッチングロスは小さい。
従来は、出力が小さい場合はスイッチングロスの絶対値は小さいので、図5の検出回路4における比較器42の比較基準値は略0Vに設定することが多かった。しかし、出力を大きくとり、スイッチング素子Q1のスイッチングロスが大きい場合には、その低減を図る必要がある。このような場合、従来は図5の例で示す検出回路4の比較基準値を0Vよりも大きい固定値に設定し、ターンオンを遅らせることにより、スイッチング素子Q1のスイッチングロスの低減を図っていた。
しかし、図6に示すように、検出回路4の比較基準値を大きくすると、次のスイッチング素子Q1のターンオンを指示できない場合が生じ得るので、比較基準値は負荷電圧が最小であるVlaBの時の閾値Vb以下に設定する必要がある。
比較基準値として図6の閾値Vbを設定した時、負荷電圧が低いVlaBのとき、ターンオン・タイミングはbであり、スイッチングロスは小さいが、負荷電圧が高いVlaAの場合のターンオンタイミングはaとなるので、本来設定したいタイミングcからずれることになり、その結果、スイッチング素子Q1のスイッチングロスは大きくなる。
本発明はこのような問題を解決しようとするものであり、管温度の上昇や電極の磨耗により管電圧が変動する放電灯をチョッパ回路の出力により点灯せしめる放電灯点灯装置において、負荷電圧が高い場合でも低い場合でもスイッチング素子のスイッチングロスを低減可能とすることを目的とする。
本発明によれば、上記の課題を解決するために、図1に示すように、直流電源1と負荷である放電灯3との間に接続されて、放電灯3に供給する電力を調整するチョッパ回路2と、チョッパ回路2内に設けた検出点の電圧Vrを微分する微分回路7と、微分回路7の出力に基づいてチョッパ回路2を構成するスイッチング素子Q1のオフ時電圧が略最小電圧になったタイミングを判定する判定回路(コンパレータCP1)と、判定回路による判定結果を受けて前記スイッチング素子Q1をオンさせる駆動回路9とを備えることを特徴とするものである。
本発明によれば、負荷電圧が高い場合でも低い場合でもスイッチング素子のオフ時電圧が略最小電圧となったタイミングでスイッチング素子をオンさせることができるから、スイッチングロスを確実に低減でき、様々な要因によって管電圧が変動する放電灯を常に効率良く点灯させることができる。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1の回路図である。以下、その回路構成について説明する。直流電源1は、例えば昇圧チョッパ回路よりなる直流安定化電源回路であり、商用交流電圧を安定した直流電圧Vinに変換して出力する。直流電源1の負出力端子は接地されており、正出力端子はスイッチング素子Q1の一端に接続されている。スイッチング素子Q1は、例えばパワーMOSFETよりなり、駆動回路9の出力により高周波でオン/オフされる。スイッチング素子Q1の他端には、チョッパ用のインダクタL1の一端とダイオードD1のカソードが接続されている。インダクタL1の他端には、平滑用のコンデンサC1の正極が接続されている。平滑用のコンデンサC1の負極はダイオードD1のアノードに接続されている。ダイオードD1のアノードは、チョッパ電流検出用の低抵抗R1を介して直流電源1の負出力端子に接続されている。平滑用のコンデンサC1の両端には、負荷である放電灯3が接続されている。放電灯3は、例えば水銀灯やメタルハライドランプなどの高輝度高圧放電灯(HIDランプ)である。スイッチング素子Q1、ダイオードD1、インダクタL1よりなるチョッパ回路2は、入力直流電圧Vinを任意の負荷電圧Vlaに降圧して出力する降圧チョッパ回路を構成している。
駆動回路9はフリップフロップのようなラッチ回路を備え、オンタイミング判定用のコンパレータCP1の出力によりセットされて、スイッチング素子Q1をオン状態とし、オフタイミング判定用のコンパレータCP2の出力によりリセットされて、スイッチング素子Q1をオフ状態とする。図5の従来例のように駆動トランスT1を用いた構成としても良いことは言うまでもない。
チョッパ用のスイッチング素子Q1がオンすると、直流電源1→スイッチング素子Q1→インダクタL1→平滑用のコンデンサC1(及び放電灯3)→電流検出用の抵抗R1の経路で漸増電流が流れる。これにより抵抗R1の検出電圧は増大して行き、コンパレータCP2の入力電圧が増大する。コンパレータCP2には演算回路8から目標ピーク電流値に相当する基準電圧が入力されており、抵抗R1の検出電圧が基準電圧に達すると、コンパレータCP2の出力は反転し、駆動回路2をリセットするから、スイッチング素子Q1はオフ状態となる。
チョッパ用のスイッチング素子Q1がオフすると、スイッチング素子Q1→インダクタL1のルートに流れていた電流は、ダイオードD1→インダクタL1のルートに転流し、スイッチング素子Q1がオンしている間にインダクタL1に蓄えたエネルギーの放出を終えた時点で、ダイオードD1はオフする。ダイオードD1がオフすると、コンデンサC1からインダクタL1を通じ、ダイオードD1の接合容量に充電するから、ダイオードD1の逆方向電圧Vrが上昇する。
図1の回路では、ダイオードD1の電流が0になった後のダイオードD1の逆方向電圧Vrの振動をコンデンサCx、抵抗Rxよりなる微分回路7により微分し、その微分結果をコンパレータCP1により判定する。微分回路7の抵抗Rxは、電流検出が目的であるので、一般的には数百Ω以下の低抵抗が用いられる。ダイオードD1の電圧Vrの時間微分値が最初に正から負に反転するタイミングでコンパレータCP1の出力を反転させて、駆動回路2をセットする。これにより、スイッチング素子Q1はオン状態となる。以下、このサイクルを繰り返すことによりスイッチング素子Q1はオン/オフし、負荷電力を安定制御する。
ダイオードD1の電圧Vrの時間微分値が正から負に反転するタイミングでは、スイッチング素子Q1の両端電圧VQ1の時間変化もほぼ0となり、且つ、スイッチング素子Q1がオフした後、ダイオードD1の電圧Vrの時間微分値が最初に正から負に反転するタイミングにおいて、スイッチング素子Q1のオフ時電圧は略最小となるので、このタイミングでスイッチング素子Q1をオンさせることにより、スイッチング素子Q1のスイッチングロスは最小となる。
図2は本実施の形態1の動作波形図であり、(a)はダイオードD1の電流が0になった後のダイオードD1の逆方向電圧Vrの振動波形、(b)は電圧VrをコンデンサCx、抵抗Rxよりなる微分回路7によりで微分した結果である抵抗Rxの電圧であり、(c)はダイオードD1に流れる順方向電圧である。ダイオードD1がオフとなり、ダイオードD1の逆方向電圧Vrが上昇すると、微分用のコンデンサCxを充電し、その電流検出用抵抗Rxの両端に正の電圧を生じる。この電流は、電圧Vrの上昇カーブが緩やかになると減少し、電圧Vrが上昇から下降に転じる際、抵抗Rxの電圧は、正から負に反転する。このタイミングでスイッチング素子Q1をオンさせれば、スイッチング素子Q1のオフ時電圧VQ1=Vin−Vrが最小のタイミングでスイッチング素子Q1をオンさせることができるから、スイッチングロスを最小化できる。
図2(a)に示されるように、ダイオードD1の逆方向電圧Vrは時間の経過に伴なって、減衰振動を伴いながら、最終的には負荷電圧Vlaに収束するから、負荷電圧Vlaが増減すると、電圧Vrの振動ピーク値も変動するが、ダイオードD1がオフした後、最初に、電圧Vrの時間微分値が正から負に反転するタイミングでは、常に電圧Vrがピーク値に達している。したがって、本実施の形態1によれば、負荷電圧Vlaが変動しても適切なターンオン・タイミングを失することがなく、負荷電圧Vlaが高い場合でも低い場合でもスイッチング素子Q1のオフ時電圧が略最小電圧となったタイミングでスイッチング素子Q1をオンさせることができるから、スイッチングロスを確実に低減でき、管温度の上昇や電極の磨耗により管電圧が変動する放電灯を常に効率良く点灯させることができる。
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2の要部回路図である。本実施の形態2では、実施の形態1の微分回路7として、チョッパ回路2のスイッチングノイズを低減するフィルター回路を兼用する、あるいは、チョッパ回路2の電流検出回路を兼用するものである。
図3(a)のCR微分回路あるいは図3(b)に示すCRD微分回路は、チョッパ回路2のスイッチングノイズ発生箇所に接続されて、スイッチングノイズを吸収するフィルター回路(ノイズ・アブソーバ)を構成している。これらのフィルター回路は、チョッパ回路2内のスイッチングノイズ発生箇所(したがって、スイッチング素子Q1の両端電圧VQ1の時間変化を反映して電圧変動する箇所)に設けられるので、それらの回路を、実施の形態1の微分回路7として兼用すれば、部品点数も増えることがなく好適である。
また、図3(c)に示すように、チョッパ回路2の回生電流通電用のダイオードD1と直列に電流検出用の低抵抗R1を挿入する場合、ダイオードD1はオフ状態では、容量成分となるので、CR微分回路またはCRD微分回路のコンデンサCxとして兼用することが出来、電流検出用の低抵抗R1と共に微分回路を構成すると、部品点数も増えることがなく好適である。
前述の説明は、チョッパ回路2が降圧チョッパ回路の構成である場合について説明したが、入力電圧変動幅など設計条件によっては、降圧チョッパ回路でなく、昇圧チョッパ回路や昇降圧チョッパ回路を用いる場合もある。そのような場合にも、本発明を適用できることは言うまでもない。
(実施の形態3)
上述の各実施の形態の放電灯点灯装置は、プロジェクタやリアプロジェクションテレビのような画像表示装置の光源となる放電灯の点灯に用いられる。ここでは、プロジェクタに実装する場合を例示する。図4は画像表示装置30の内部構成を示す概略構成図である。図中、31は投光窓、32は電源部、33a,33b,33cは冷却用ファン、34は外部信号入力部、35は光学系、36はメイン制御基板、40は放電灯点灯装置、3は放電灯である。破線で示した枠内にメイン制御基板36が実装されている。光学系35の途中には、放電灯3からの光を透過または反射する画像表示手段(透過型液晶表示板または反射型画像表示素子)が設けられており、この画像表示手段を介する透過光または反射光をスクリーンに投射するように光学系35が設計されている。このように、放電灯点灯装置40は放電灯3と共に画像表示装置30の内部に実装されているが、本発明の放電灯点灯装置40を採用することにより、従来よりもスイッチングロスを低減できるので、大きな放熱(冷却)効果を求める必要がなく、冷却用ファンの静音化や装置の小型化、低価格化などが実現できる。
本発明の実施の形態1の放電灯点灯装置の回路図である。 本発明の実施の形態1の動作波形図である。 本発明の実施の形態2の要部構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態3に係る画像表示装置の内部構成を示す概略構成図である。 従来の放電灯点灯装置の回路図である。 従来の放電灯点灯装置の動作波形図である。
符号の説明
1 直流電源
2 チョッパ回路
3 放電灯
7 微分回路
8 演算回路
9 駆動回路
Q1 スイッチング素子
CP1 コンパレータ(判定手段)

Claims (2)

  1. 直流電源と負荷である放電灯との間に接続されて、放電灯に供給する電力を調整するチョッパ回路と、
    チョッパ回路内に設けた検出点の電圧を微分する微分回路と、
    微分回路の出力に基づいてチョッパ回路を構成するスイッチング素子のオフ時電圧が略最小電圧になったタイミングを判定する判定回路と、
    判定回路による判定結果を受けて前記スイッチング素子をオンさせる駆動回路とを備えることを特徴とする放電灯点灯装置。
  2. 請求項1の放電灯点灯装置と、該放電灯点灯装置により点灯される放電灯と、この放電灯からの光を透過または反射する画像表示手段と、画像表示手段を介する透過光または反射光をスクリーンに投射する光学系とを備えることを特徴とする画像表示装置。
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