JP6902168B2 - マイクロｌｅｄディスプレイパネルおよびマイクロｌｅｄディスプレイ - Google Patents
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Description
本発明はＬＥＤ表示分野に係わり、特にマイクロＬＥＤディスプレイパネルおよびマイクロＬＥＤディスプレイに係わる。
マイクロＬＥＤ技術とは、ＬＥＤの小型化およびマトリクス化技術のことである。マイクロＬＥＤディスプレイは、底層に通常のＣＭＯＳ集積回路製造工程を用いてＬＥＤ表示駆動回路を作成したものであり、その後、改めてＭＯＣＶＤ装置を用いて集積回路上にＬＥＤアレイを作成している。
しかし、既存の技術では、ＬＥＤ小型化技術に基づくディスプレイパネルは提供されておらず、ＬＥＤ小型化技術に基づくディスプレイパネルの配線および構造がブラインドゾーンとなっている。
よって、既存技術に存在する欠陥を、速やかに改善する必要がある。
本発明の目的は、マイクロＬＥＤディスプレイパネルおよびマイクロＬＥＤディスプレイを提供することにある。
上記の問題を解決するために本発明で提供する技術的解決手段は以下の通りである。
本発明で提供するマイクロＬＥＤディスプレイパネルは、
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含み、
そのうち、各ＬＥＤ発光素子は、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサー（ｅｎｅｒｇｙ ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含み、
絶縁層は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層であり、
第１基板および第２基板はいずれもガラス基板であり、
発光ユニットは無機ＬＥＤである。
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含み、
そのうち、各ＬＥＤ発光素子は、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサー（ｅｎｅｒｇｙ ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含み、
絶縁層は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層であり、
第１基板および第２基板はいずれもガラス基板であり、
発光ユニットは無機ＬＥＤである。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、発光ユニットは、スクリーン印刷工程、吹付け工程または銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、行信号線、列信号線および補償信号線は、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている。
本発明でさらに提供しているマイクロＬＥＤディスプレイパネルは、
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含む。
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含む。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、各ＬＥＤ発光素子は、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む。
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、絶縁層は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層である。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、第１基板および第２基板はいずれもガラス基板である。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、発光ユニットは無機ＬＥＤである。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、発光ユニットは、スクリーン印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、発光ユニットは、吹付け工程を用いて該第１基板上に設置されている。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、発光ユニットは、銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイパネルでは、行信号線、列信号線および補償信号線は、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている。
本発明はさらに、マイクロＬＥＤディスプレイパネルを含むマイクロＬＥＤディスプレイを提供しており、マイクロＬＥＤディスプレイパネルは、
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含む。
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号制御線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含む。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、各ＬＥＤ発光素子は、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む。
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、絶縁層は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層である。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、第１基板および第２基板はいずれもガラス基板である、
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、発光ユニットは無機ＬＥＤである。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、発光ユニットは無機ＬＥＤである。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、発光ユニットは、スクリーン印刷工程、吹付け工程または銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている。
本発明のマイクロＬＥＤディスプレイでは、行信号線、列信号線および補償信号線は、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている。
本発明は、既存技術に較べて、第１基板上に陰極駆動回路を設置し、第２基板上に行信号線、列信号線および補償信号線を設置することによって、マイクロＬＥＤディスプレイパネルおよびマイクロＬＥＤディスプレイの機能を実現するとともに、行信号線、列信号線および補償信号線を通して発光素子に対する発光スイッチ制御および光束制御を実現することができる。
以下の各実施例の説明は、添付されている図式を参考にしており、本発明の実施可能な特定の実施例を例示するために用いられる。本発明で言及している方向用語、例えば「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」、「側面」などは、図面の方向の参考にすぎない。したがって、使用されている方向用語は本発明の説明および理解に用いられるものであって、本発明を限定するものではない。
図中では、構造が類似するモジュールは、同じ記号で表示されている。
図１、図２および図３を参照すると、該マイクロＬＥＤディスプレイパネルは、第１基板１０と、第２基板２０と、Ｎ本の行信号線３０と、絶縁層４０と、Ｍ本の列信号線５０と、Ｍ本の補償信号線６０と、複数のＬＥＤ発光素子７０を含む。該複数のＬＥＤ発光素子７０は、アレイ配置されている。
そのうち、該第１基板１０はガラス基板である。
そのうち、該第２基板２０はガラス基板である。該第２基板２０の第１基板に対向する面上には陰極駆動回路２１が設置されている。該陰極駆動回路２１は、フォトリソグラフィープロセスを用いて該第２基板２０上に形成することができる。
そのうち、該Ｎ本の信号線３０は、いずれも第１基板１０上に設置されている。各行信号線３０は、対応する行のＬＥＤ発光素子７０に第１電気信号を提供するために用いられる。
そのうち、該絶縁層４０は第１基板１０および行信号制御線３０上に設置されている。絶縁層４０は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層であってよく、化学気相蒸着法を用いて作成される。
そのうち、該Ｍ本の列信号線５０はいずれも絶縁層４０上に設置されており、各行信号線は、対応する列のＬＥＤ発光素子７０に第２電気信号を提供するために用いられる。
そのうち、該Ｍ本の補償信号線６０は絶縁層４０上に設置されており、各補償信号線は、対応する列のＬＥＤ発光素子７０に補償信号を提供するために用いられる。
そのうち、該複数のＬＥＤ発光素子７０は、Ｍ行Ｎ列配列で第１基板１０上に配置されており、各ＬＥＤ発光素子７０の、第１基板１０から遠い方の一端が第２基板２０と接続され、かつ陰極駆動回路２１と電気接続されており、各ＬＥＤ発光素子７０は、対応する行の行信号線３０、対応する列の補償信号線６０および対応する列の列信号線５０と電気接続されている。
実際の作製においては、行信号線、列信号線および補償信号線は、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている。該行信号線３０は、第１サブ行信号線３０ａおよび第２サブ行信号線３０ｂを含む。
該ＬＥＤ発光素子７０は、発光ユニット７１と、第１接続金属層７２と、第２接続金属層７３と、第１薄膜トランジスタ７５と、第２薄膜トランジスタ７４を含む。
そのうち、発光ユニット７１は無機ＬＥＤである。発光ユニット７１は、吹付け工程を用いて該第１基板１０上に設置することができる。または、該発光ユニット７１は、銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板１０上に設置することができる。または、発光ユニット７１は、スクリーン印刷工程を用いて該第１基板１０上に設置することができる。
第１薄膜トランジスタ７５は第１基板１０上に設置され、そのソース電極は対応する列信号線５０と電気接続され、そのゲート電極は対応する行信号線３０の第２サブ行信号線３０ｂと電気接続されている。そのドレイン電極は第２薄膜トランジスタ７４のゲート電極と電気接続されている。第２薄膜トランジスタ７４は第１基板１０上に設置されており、そのソース電極は対応する列の補償信号線６０と電気接続されている。
第１接続金属層７２は第１基板１０上に設置され、該行信号線３０と同じ層に位置している。また、該第１接続金属層７２は該行信号線３０の第１サブ行信号線３０ａと電気接続されている。まず、該第１基板１０に金属層を形成し、その後、該金属層に対してパターン化処理を行って、該複数の行信号線３０と第１接続金属層７２をそれぞれ形成する。
該第２接続金属層７３は該第１基板１０上に設置されている。具体的には、該第２接続金属層７３は該絶縁層４０上に設置されている。該第１接続金属層７２は第２接続金属層７３と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーＣを形成している。該第２接続金属層７３は列信号線５０、補償信号線６０と同じ層に位置している。該発光ユニット７１の陽極は、該第２接続金属層７３および該第２薄膜トランジスタ７４のドレイン電極と接続されている。該発光ユニット７１の陰極は、第２基板２０上の陰極駆動回路２１と電気接続されている。
実際の作製においては、まず該絶縁層４０上に金属層を蒸着させ、その後、該金属層に対してパターン化処理を行って、該第２接続金属層７３、列信号線５０、補償信号線６０をそれぞれ形成することができる。
動作時には、該列信号線が該第１薄膜トランジスタのソース電極に第２電気信号を提供する。該行信号線は、該エネルギー蓄積コンデンサーＣ１および第１薄膜トランジスタのソース電極に第１電気信号を提供する。該補償信号線は、該第２薄膜トランジスタのドレイン電極に補償電圧信号を提供する。該第１電気信号は、該エネルギー蓄積コンデンサーＣ１によって該発光ユニットの陽極に給電し、それにより該発光ユニットの発光を駆動する。該第１電気信号は、該第１薄膜トランジスタを開いて、該第２電気信号を該第２薄膜トランジスタのゲート電極に伝達し、それによって該第２薄膜トランジスタを導通させ、該第２薄膜トランジスタが導通することで、該補償電圧信号を該発光ユニットの陽極に伝達し、補償電流を該発光ユニットに提供し、その発光輝度を調節する。
本発明の実施例では、上記の実施例におけるマイクロＬＥＤディスプレイパネルを含むマイクロＬＥＤディスプレイをさらに提供している。
本発明は、既存技術に較べて、第１基板上に陰極駆動回路を設置し、第２基板上に行信号線、列信号線および補償信号線を設置することによって、マイクロＬＥＤディスプレイパネルおよびマイクロＬＥＤディスプレイの機能を実現するとともに、行信号線、列信号線および補償信号線を通して発光素子に対する発光スイッチ制御および光束制御を実現することができる。
以上のように、本発明を好適な実施例により上記のように開示しているが、上記の好適な実施例は本発明を限定するためのものではなく、当業者であれば、本発明の主旨および範囲を逸脱せずに各種の変更や潤色を行うことができるので、本発明の保護範囲は、請求項により画定された範囲を基準と見なすものとする。
Claims (17)
- 第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含み、
そのうち、前記各ＬＥＤ発光素子が、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含み、
前記絶縁層は窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層であり、
前記第１基板および第２基板はいずれもガラス基板であり、
前記発光ユニットは無機ＬＥＤである、
マイクロＬＥＤディスプレイパネル。 - 請求項１に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記発光ユニットが、スクリーン印刷工程、吹付け工程または銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項１に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記行信号線、列信号線および補償信号線が、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含み、
前記各ＬＥＤ発光素子が、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む、
マイクロＬＥＤディスプレイパネル。 - 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記絶縁層が窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層である、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記第１基板および第２基板がいずれもガラス基板である、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記発光ユニットが無機ＬＥＤである、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記発光ユニットが、スクリーン印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記発光ユニットが、吹付け工程を用いて該第１基板上に設置されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記発光ユニットが、銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- 請求項４に記載のマイクロＬＥＤディスプレイパネルにおいて、前記行信号線、列信号線および補償信号線が、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている、マイクロＬＥＤディスプレイパネル。
- マイクロＬＥＤディスプレイパネルを含むマイクロＬＥＤディスプレイであって、前記マイクロＬＥＤディスプレイパネルは、
第１基板と、
第１基板に対向する面上に陰極駆動回路が設置されている第２基板と、
第１基板上に設置されたＮ本の行信号線と、
第１基板および行信号線上に設置された絶縁層と、
絶縁層上に設置されたＭ本の列信号線と、
絶縁層上に設置されたＭ本の補償信号線と、
Ｍ行Ｎ列配列で第１基板上に配置された複数のＬＥＤ発光素子であって、そのうち、同一行のＬＥＤ発光素子と同一行信号線が電気接続され、同一列のＬＥＤ発光素子と同一補償信号線および同一列信号線が接続されており、各ＬＥＤ発光素子の、第１基板から遠い方の一端が第２基板と接続され、かつ陰極駆動回路と電気接続されている複数のＬＥＤ発光素子と、を含み、
前記各ＬＥＤ発光素子が、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列信号線と電気接続され、そのゲート電極が対応する行信号線と電気接続されている第１薄膜トランジスタと、
第１基板上に設置され、そのソース電極が対応する列の補償信号線と接続され、そのゲート電極が第１薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている第２薄膜トランジスタと、
第１基板に設置され、かつ該行信号線と電気接続されている第１接続金属層と、
絶縁層上に設置され、該第１接続金属層と部分的に相互に正対してエネルギー蓄積コンデンサーを形成する第２接続金属層と、
片端が陰極駆動回路と電気接続され、他端が第２接続金属層および第２薄膜トランジスタのドレイン電極と電気接続されている発光ユニットと、を含む、
マイクロＬＥＤディスプレイ。 - 請求項１２に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、前記絶縁層が窒化ケイ素層または二酸化ケイ素層である、マイクロＬＥＤディスプレイ。
- 請求項１２に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、前記第１基板および第２基板がいずれもガラス基板である、マイクロＬＥＤディスプレイ。
- 請求項１２に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、前記発光ユニットが無機ＬＥＤである、マイクロＬＥＤディスプレイ。
- 請求項１２に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、前記発光ユニットが、スクリーン印刷工程、吹付け工程または銀接着剤ドット印刷工程を用いて該第１基板上に設置されている、マイクロＬＥＤディスプレイ。
- 請求項１２に記載のマイクロＬＥＤディスプレイにおいて、前記行信号線、列信号線および補償信号線が、いずれもフォトリソグラフィープロセスを用いて形成されている、マイクロＬＥＤディスプレイ。
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