JP6899238B2 - 圧電素子およびその製造方法 - Google Patents
圧電素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6899238B2 JP6899238B2 JP2017065198A JP2017065198A JP6899238B2 JP 6899238 B2 JP6899238 B2 JP 6899238B2 JP 2017065198 A JP2017065198 A JP 2017065198A JP 2017065198 A JP2017065198 A JP 2017065198A JP 6899238 B2 JP6899238 B2 JP 6899238B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- opening
- film
- piezoelectric
- piezoelectric film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
AlNを主成分とする材料からなる圧電体膜への第2開口部の形成を、レジストマスクを用いたドライエッチングで行なおうとすると、次のような問題が生じる。すなわち、レジスト現像時にレジスト現像液であるTMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide)によって、圧電体膜の表面が異方性エッチングされ、圧電体膜の表面に凹凸が発生する。そのため、この後にドライエッチングによって圧電体膜をエッチングすると、圧電体膜の表面の凹凸に起因したオーバエッチングにより、下部電極に孔が形成されてしまうおそれがある。このため、下部電極にコンタクトをとるための適切な開口部を圧電体膜に形成することができない。
この発明の一実施形態では、前記平面視において、前記第1開口部における前記圧電体膜側の輪郭を第1輪郭とし、前記第2開口部における前記第1電極側の輪郭を第2輪郭とすると、前記第1輪郭と前記第2輪郭との隙間の間隔の絶対値が、前記圧電体膜の厚さ以下である。
この発明の一実施形態では、前記AlNを主成分とする材料からなる圧電体膜を第1圧電体膜とすると、前記第2電極における前記第1圧電体膜側とは反対側の表面に形成され、前記第1圧電体膜とは異なる材料からなる第2圧電体膜と、前記第2圧電体膜上に形成された第3電極とをさらに含む。
この発明の一実施形態では、前記第1圧電体膜は、AlN膜またはSc、NbおよびMgのうちの少なくとも1つの金属が添加されたAlN膜からなり、第2圧電体膜は、PZT膜からなる。
この発明の一実施形態では、前記圧電体膜上に形成された前記第2電極は、IrO2膜、Ir膜、Ti膜およびPt膜が、当該圧電体膜側からその順に積層されたIrO2/Ir/Ti/Pt積層膜である。
この発明の一実施形態は、第1電極上に、AINを主成分とする圧電体膜を形成する工程と、前記圧電体膜における前記第1電極側とは反対側の表面に第2電極を形成する工程と、前記第1電極にコンタクトをとるために、前記第2電極に厚さ方向に貫通する第1開口部を形成する工程と、前記第2電極をハードマスクとして、前記圧電体膜をウエットエッチングすることにより、前記圧電体膜に前記第1開口部に連通し厚さ方向に貫通する第2開口部を形成する工程とを含む、圧電素子の製造方法を提供する。
この発明の一実施形態では、前記第2開口部を形成する工程において、TMAHを含む水溶液がエッチング液として用いられる。
この発明の一実施形態は、第1電極上に、AINを主成分とする第1圧電体膜を形成する工程と、前記第1圧電体膜における前記第1電極側とは反対側の表面に第2電極を形成する工程と、前記第2電極における前記第1圧電体膜側とは反対側の表面に、前記第1圧電体膜とは異なる材料からなる第2圧電体膜を形成する工程と、前記第2圧電体膜における前記第2電極側とは反対側の表面に第3電極を形成する工程と、前記第2電極にコンタクトをとるために、前記第2圧電体膜に厚さ方向に貫通する第1開口部を形成するとともに、前記第1電極にコンタクトをとるために前記第2圧電体膜に厚さ方向に貫通する第2開口部を形成する工程と、前記第2電極のうち、前記第2開口部によって表面が露出している領域内に、前記第2開口部に連通しかつ厚さ方向に貫通する第3開口部を形成する工程と、前記第2電極をハードマスクとして、前記圧電体膜をウエットエッチングすることにより、前記圧電体膜に前記第3開口部に連通し厚さ方向に貫通する第4開口部を形成する工程とを含む、圧電素子の製造方法を提供する。
この発明の一実施形態では、前記第4開口部を形成する工程において、TMAHを含む水溶液がエッチング液として用いられる。
図1は、この発明の一実施形態に係る圧電素子が適用された圧電素子モジュールの図解的な平面図である。図2は、図1のII-II線に沿う図解的な断面図である。図3は、図1にIIIで示す部分を拡大して示す図解的な部分拡大断面図である。
圧電素子モジュール1は、表面2aおよび裏面2bを有する基板2と、基板2の表面2aに形成された振動板(メンブレン)3と、振動板3における基板2側とは反対側の表面に形成された圧電素子4とを含む。
圧電素子4は、振動板3上に形成された第1電極11と、第1電極11上に形成された第1圧電体膜12と、第1圧電体膜12上に形成された第2電極13と、第2電極13上に形成された第2圧電体膜14と、第2圧電体膜14上に形成された第3電極15とを含む。
第1圧電体膜12は、第1電極11の表面のほぼ全域に形成されている。第1圧電体膜12には、平面視において、開口部5の1辺の中間部と基板2の対応する1辺の中間部との間位置に、長方形状の開口部12aが形成されている。この開口部12aは第1圧電体膜12を厚さ方向に貫通しており、第1電極11の表面の一部が開口部12aを介して露出している。この露出部分は、第1電極11を外部に接続するためのパッド部11aを構成している。つまり、開口部12aは、第1電極11にコンタクトをとるための開口である。第1圧電体膜12は、AlN(アルミナイトライド)を主成分とする材料からなる。この実施形態では、第1圧電体膜12は、AlN膜からなる。第1圧電体膜12の厚さは、例えば1μm程度である。
主電極部15Aは、平面視において、基板2の開口部5の天面部とほぼ相似でかつ開口部5の天面部よりも小さい長方形状である。主電極部15Aの長手方向の長さは、開口部5の天面部の長手方向の長さよりも短く形成されている。主電極部15Aの短手方向に沿う両端縁は、開口部5の天面部の対応する両端縁に対して所定間隔をあけて内側に配置されている。また、主電極部15Aの短手方向の幅は、開口部5の天面部の短手方向の幅よりも短く形成されている。主電極部15Aの長手方向に沿う両側縁は、開口部5の天面部の対応する両側縁に対して所定間隔をあけて内側に配置されている。
第3電極15は、第2圧電体膜14上に形成されたIrOx(酸化イリジウム)膜と、IrOx膜上に形成されたIr(イリジウム)膜との積層膜(IrOx/Ir積層膜)からなる。IrOx膜の厚さは50nm程度であり、Ir膜の厚さは50nm程度である。
後述するように、第1圧電体膜12の開口部12aは、開口部13aが形成された第2電極13をハードマスクとしたウエットエッチングによって形成される。このため、平面視において、第1圧電体膜12の開口部12aは、第2電極13の開口部13aと同じ位置に形成されており、第2電極13の開口部13aとほぼ同じ形状および大きさを有している。図4および図5に示すように、平面視において、開口部13aにおける第1圧電体膜12側の輪郭113と、開口部12aにおける第1電極11側の輪郭112との隙間の間隔をCとし、第1圧電体膜12の厚さをDとすると、|C|≦Dとなる。|C|は、輪郭112と輪郭113との隙間の間隔Cの絶対値である。輪郭113は、開口部13aの内周壁の下縁の輪郭であり、輪郭112は、開口部12aの内周壁の下縁の輪郭である。
|C|=|B−A|/2 …(1)
輪郭112の対向する2つの短辺の間隔をAとし、輪郭113の対向する2つの短辺の間隔をBとし、前記式(1)にAとBを代入することによって、輪郭112と輪郭113との隙間の間隔Cの絶対値|C|を求めてもよい。
図1〜図3に戻り、第1電極11と、第2電極13と、それらによって挟まれた第1圧電体膜12とによって、第1圧電素子4Aが構成されている。第2電極13と、第3電極15と、それらによって挟まれた第2圧電体膜14とによって、第2圧電素子4Bが構成されている。つまり、圧電素子4は、第1圧電素子4Aと、第2圧電素子4Bとを含んでいる。
また、前述したように、この実施形態では、第2圧電体膜14は、PZT膜からなる。第2圧電体膜14は、Pb(鉛)およびTi(チタン)を含む、PZT以外の強誘電性酸化物から構成されていてもよい。第2圧電体膜14は、SrBi2Ta2O9(タンタル酸ストロンチウムビスマス),FeBiO3(鉄酸ビスマス)等のように、Bi(ビスマス)を含む強誘電性酸化物から構成されていてもよい。また、第2圧電体膜14は、LiNbO3(ニオブ酸リチウム)のように、Li(リチウム)およびNb(ニオブ)を含む強誘電性酸化物から構成されていてもよい。また、第2圧電体膜14は、(K,Na)NbO3(ニオブ酸カリウム・ナトリウム)のように、K(カリウム)、Na(ナトリウム)およびNb(ニオブ)を含む強誘電性酸化物から構成されていてもよい。また、第2圧電体膜14は、BaTiO3(チタン酸バリウム)のように、Ba(バリウム)およびTi(チタン)を含む強誘電性酸化物から構成されていてもよい。
図6〜図14は、圧電素子モジュール1の製造工程の一例を示す断面図であり、図2に対応する切断面を示す。
次に、図7に示すように、スパッタ法によって、振動板3の表面の全面に、第1電極11が形成される。第1電極11は、Mo膜(例えば100nm厚)からなる。この後、スパッタ法によって、第1電極11の表面の全面に、第1圧電体膜12の材料膜である第1圧電体材料膜52が第1電極11上の全面に形成される。第1圧電体材料膜52は、AlN膜(例えば1μm厚)からなる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 基板
2a 表面
2b 裏面
3 振動板
4 圧電素子
5 開口部
11 第1電極
11a パッド部
12 第1圧電体膜
12a 開口部
13 第2電極
13a 開口部
13b パッド部
14 第2圧電体膜
14a 開口部
14b 開口部
15 第3電極
15A 主電極部
15B 延長部
15Ba パッド部
21 IrOx膜
22 Ir層
23 Ti膜
24 Pt膜
52 第1圧電体材料膜
53 第2電極膜
54 第2圧電体材料膜
55 第3電極膜
112 輪郭
113 輪郭
Claims (12)
- 第1電極と、
前記第1電極の一方の表面に形成され、AlNを主成分とする材料からなる第1圧電体膜と、
前記第1圧電体膜における前記第1電極側とは反対側の表面に配置された第2電極と、
前記第2電極における前記第1圧電体膜側とは反対側の表面に形成され、前記第1圧電体膜とは異なる材料からなる第2圧電体膜と、
前記第2圧電体膜上に形成された第3電極とを含み、
前記第2電極には、前記第1電極にコンタクトをとるために、厚さ方向に貫通する第1開口部が形成され、
前記第1圧電体膜には、前記第1開口部に連通しかつ厚さ方向に貫通する第2開口部が形成されており、
前記第1電極の表面に対して法線方向から見た平面視において、前記第1開口部と前記第2開口部の形状および大きさがほぼ等しく、
前記第2圧電体膜には、平面視において、前記第1開口部および前記第2開口部よりも大きくかつ厚さ方向に貫通する第3開口部が形成されている、圧電素子。 - 前記平面視において、前記第1開口部における前記第1圧電体膜側の輪郭を第1輪郭とし、前記第2開口部における前記第1電極側の輪郭を第2輪郭とすると、前記第1輪郭と前記第2輪郭との隙間の間隔の絶対値が、前記第1圧電体膜の厚さ以下である、請求項1に記載の圧電素子。
- 前記第1輪郭および前記第2輪郭の平面形状が矩形であり、前記第1輪郭の4辺のうちの対向する所定の2辺の間隔をAとし、前記第2輪郭の4辺のうち、前記所定の2辺に対応する2辺の間隔をBとすると、前記第1輪郭と前記第2輪郭との隙間の間隔の絶対値は、(|B−A|/2)で表される、請求項2に記載の圧電素子。
- 前記第3開口部は、平面視において、前記第1開口部および前記第2開口部の両方に重なっている部分を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 前記第1圧電体膜および前記第2圧電体膜のうちのいずれか一方の圧電体膜の圧電歪定数は、他方の圧電体膜よりも小さく、前記一方の圧電体膜の圧電電圧定数は、前記他方の圧電体膜よりも大きい、請求項4に記載の圧電素子。
- 前記第1圧電体膜は、AlN膜またはSc、NbおよびMgのうちの少なくとも1つの金属が添加されたAlN膜からなり、第2圧電体膜は、PZT膜からなる、請求項5に記載の圧電素子。
- 前記第1電極は、Moからなる請求項1〜6のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 前記第1圧電体膜上に形成された前記第2電極は、IrO2膜、Ir膜、Ti膜およびPt膜が、当該第1圧電体膜側からその順に積層されたIrO2/Ir/Ti/Pt積層膜である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の圧電素子。
- 第1電極上に、AINを主成分とする圧電体膜を形成する工程と、
前記圧電体膜における前記第1電極側とは反対側の表面に第2電極を形成する工程と、
前記第1電極にコンタクトをとるために、前記第2電極に厚さ方向に貫通する第1開口部を形成する工程と、
レジストを用いずに前記第2電極のみをハードマスクとして、前記圧電体膜をウエットエッチングすることにより、前記圧電体膜に前記第1開口部に連通し厚さ方向に貫通する第2開口部を形成する工程とを含む、圧電素子の製造方法。 - 前記第2開口部を形成する工程において、TMAHを含む水溶液がエッチング液として用いられる、請求項9に記載の圧電素子の製造方法。
- 第1電極上に、AINを主成分とする第1圧電体膜を形成する工程と、
前記第1圧電体膜における前記第1電極側とは反対側の表面に第2電極を形成する工程と、
前記第2電極における前記第1圧電体膜側とは反対側の表面に、前記第1圧電体膜とは異なる材料からなる第2圧電体膜を形成する工程と、
前記第2圧電体膜における前記第2電極側とは反対側の表面に第3電極を形成する工程と、
前記第2電極にコンタクトをとるために、前記第2圧電体膜に厚さ方向に貫通する第1の開口部を形成するとともに、前記第1電極にコンタクトをとるために前記第2圧電体膜に厚さ方向に貫通する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2電極のうち、前記第2の開口部によって表面が露出している領域内に、前記第2の開口部に連通しかつ厚さ方向に貫通する第3の開口部を形成する工程と、
前記第2電極をハードマスクとして、前記第1圧電体膜をウエットエッチングすることにより、前記第1圧電体膜に前記第3の開口部に連通し厚さ方向に貫通する第4の開口部を形成する工程とを含み、
前記第2の開口部は、平面視において、前記第3の開口部および前記第4の開口部よりも大きい、圧電素子の製造方法。 - 前記第4の開口部を形成する工程において、TMAHを含む水溶液がエッチング液として用いられる、請求項11に記載の圧電素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017065198A JP6899238B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 圧電素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017065198A JP6899238B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 圧電素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018170343A JP2018170343A (ja) | 2018-11-01 |
JP6899238B2 true JP6899238B2 (ja) | 2021-07-07 |
Family
ID=64020550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017065198A Active JP6899238B2 (ja) | 2017-03-29 | 2017-03-29 | 圧電素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6899238B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109829419B (zh) | 2019-01-28 | 2021-08-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别模组及其驱动方法和制作方法、显示装置 |
JP2021166220A (ja) * | 2020-04-06 | 2021-10-14 | 住友化学株式会社 | 圧電積層体、圧電積層体の製造方法、および圧電素子 |
WO2022107606A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2023147857A (ja) * | 2022-03-30 | 2023-10-13 | 沖電気工業株式会社 | 圧電体フィルム接合基板及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177933A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Sony Corp | 電気機械素子、並びに信号処理デバイス、通信装置 |
JP5928690B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2016-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 |
JP2015050761A (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-16 | 日本電波工業株式会社 | 圧電振動片、圧電デバイス、圧電振動片の製造方法、及び圧電デバイスの製造方法 |
JP6792225B2 (ja) * | 2014-10-08 | 2020-11-25 | ローム株式会社 | インクジェット装置およびインクジェット装置の製造方法 |
JP6519652B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-05-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス、圧電デバイスアレイおよび圧電トランス |
-
2017
- 2017-03-29 JP JP2017065198A patent/JP6899238B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018170343A (ja) | 2018-11-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6899238B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法 | |
US11711067B2 (en) | Micromachined ultrasound transducer using multiple piezoelectric materials | |
JP7033846B2 (ja) | 圧電素子 | |
JP6886357B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ | |
US10469049B2 (en) | Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer | |
CN104242862B (zh) | 声波装置 | |
JP7269719B2 (ja) | 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
JP2018164039A (ja) | 圧電素子、圧電デバイス、超音波探触子、及び電子機器 | |
JP2006295380A (ja) | 圧電薄膜共振子およびフィルタ | |
JP2018029748A (ja) | 超音波デバイス、超音波モジュール、及び超音波測定装置 | |
US11393973B2 (en) | Hafnium-zirconium oxide (HZO) ferroelectric transducer and method of making the same | |
JP6861558B2 (ja) | 超音波装置 | |
JP2015204544A (ja) | Mems素子、mems素子の製造方法、及び電子機器 | |
JP7022572B2 (ja) | 超音波センサ | |
JP2007242778A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
JP7027144B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法並びにマルチプレクサ | |
US11759823B2 (en) | Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same | |
JP2005051690A (ja) | 超音波アレイセンサの製造方法および超音波アレイセンサ | |
JP7307029B2 (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
US11498097B2 (en) | Piezoelectric micromachined ultrasonic transducer and method of fabricating the same | |
JP2007288504A (ja) | 圧電薄膜共振子 | |
JP2016225420A (ja) | 圧電デバイスの製造方法、圧電デバイス、圧電モジュール、及び電子機器 | |
US10554196B2 (en) | Acoustic wave device | |
TWI726800B (zh) | 壓電微機械超聲波換能器及其製作方法 | |
JP7383404B2 (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200217 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20201210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210415 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210430 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210527 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6899238 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |