JP6888087B2 - 複合セラミック材料、物品、および製造方法 - Google Patents
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Description
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例1に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例1に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する大きい方から10個の画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例2に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例2に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する最大画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例3に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例3に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する大きい方から10個の画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例4に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例4に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する大きい方から10個の画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例5に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例5に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する大きい方から10個の画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
チアライトおよび大きいドメインのコーディエライトからなる複合セラミック材料を、表1の実施例6に見られる材料から調製した。バッチ材料を押出し、乾燥させ、次いで表1の実施例6に見られる条件で焼成した。断面の画像を、EBSDデータから解析した。表1は、最大コーディエライトドメインに対応する大きい方から10個の画像オブジェクトの代表的な面積を示す。大きい方から10個の平均ドメインサイズも、表1に載せている。
第1の耐火材料からなる第1の結晶相であって、第1の融解点を有する、第1の結晶相、
前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有する第2の耐火材料からなる第2の結晶相であって、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して5,000μm2より大きいドメインサイズを含む、第2の結晶相を含む、セラミック材料。
前記第1の結晶相が、前記セラミック材料の少なくとも50体積%を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、前記セラミック材料の50体積%未満を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、前記セラミック材料の少なくとも50重量%を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、前記セラミック材料の35重量%未満を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、前記材料の少なくとも55重量%を構成し、前記第2の結晶相が、前記セラミック材料の35重量%未満を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、前記材料の少なくとも60重量%を構成し、前記第2の結晶相が、前記セラミック材料の30重量%未満を構成する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の前記融解点が、1500℃より高い、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相の前記融解点が、1500℃未満である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相の前記融解点が、1450℃以下である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相の前記融解点が、1300℃から1450℃である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相の前記融解点が、1425℃から1450℃である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の前記融解点が、1500℃より高く、前記第2の結晶相の前記融解点が、1500℃未満である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、10,000μm2より大きいドメインサイズを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、15,000μm2より大きいドメインサイズを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、20,000μm2より大きいドメインサイズを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、25,000μm2より大きいドメインサイズを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、30,000μm2より大きいドメインサイズを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、3,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、4,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、5,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、6,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、7,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、10,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、15,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、20,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、主にチアライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、互いに固溶した複数の耐火材料を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトと固溶したMgTi2O5を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、ムライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
第3の結晶相をさらに含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、ムライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、ムライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含み、第3の結晶相が、チアライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、ムライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含み、チアライトおよびMgTi2O5を含む第3の結晶相をさらに含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態32記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態32記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含み、前記第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態32記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトおよびMgTi2O5を含む、実施形態32記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、互いに固溶したチアライトおよびMgTi2O5を含む、実施形態32記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、主にコーディエライトを含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトから実質的になる、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトである、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、主たる擬ブルッカイト結晶構造を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の少なくとも大部分が、分岐した固体のネットワークを提供し、前記第2の結晶相の少なくとも一部が、前記固体のネットワークの1つ以上の枝に直接隣接して配置される、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、6.0以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、7.0以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、8.0以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、10.0以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、15以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比は、20以上である、実施形態1記載のセラミック材料。
10,000μm2より大きい前記第2の結晶相サイズのドメインが、前記第1の結晶相の粒と直接接触する、実施形態1記載のセラミック材料。
10,000μm2より大きい前記第2の結晶相サイズのドメインが、前記第1の結晶相の粒を少なくとも部分的に囲繞する、実施形態1記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、1種以上の希土類酸化物をさらに含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記材料が、水銀圧入法で測定して、40%よりも高いバルク気孔率を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記材料が、10μm以上のd10を有する孔径分布を有する複数の細孔を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記材料が、15μm以上のd50を有する孔径分布を有する複数の細孔を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
前記材料が、15から20μmのd50を有する孔径分布を有する複数の細孔を含む、実施形態1記載のセラミック材料。
実施形態1記載のセラミック材料からなる、セラミック構造体。
実施形態1記載のセラミック材料からなる少なくとも1つの壁からなる、セラミック構造体。
実施形態1記載のセラミック材料からなる交差壁のマトリクスからなる、セラミックハニカム構造体。
前記壁の少なくとも1つ上に配置された触媒ウォッシュコート材料をさらに含む、実施形態62記載のセラミックハニカム構造体。
実施形態1記載のセラミック材料からなる、ハニカム構造体を備える、フィルタ。
前記ハニカム構造体の複数のセル内に配置された複数のプラグをさらに備える、実施形態64記載のフィルタ。
第1の耐火材料からなる第1の結晶相であって、第1の融解点を有する、第1の結晶相、
前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有する第2の耐火材料からなる第2の結晶相であって、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して2,500μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、第2の結晶相を含む、セラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、3,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、5,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、10,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、15,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、20,000μm2より大きい平均ドメインサイズを有する、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含む、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、MgTi2O5をさらに含む、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態66記載のセラミック材料。
第3の耐火材料を含む第3の結晶相をさらに含む、実施形態66記載のセラミック材料。
前記第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態75記載のセラミック材料。
第1の耐火材料からなる第1の結晶相であって、第1の融解点を有する、第1の結晶相と、
前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有する第2の耐火材料からなる第2の結晶相であって、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、4,000μm2より大きいドメインサイズ、2,500μm2より大きい平均ドメインサイズを含む、第2の結晶相を含む、セラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含む、実施形態77記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、MgTi2O5をさらに含む、実施形態77記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態77記載のセラミック材料。
ムライトを含む第3の結晶相をさらに含む、実施形態77記載のセラミック材料。
複合セラミック材料からなる物品を製造する方法であって、当該方法は、
第1の耐火材料もしくはその前駆体、またはそれらの両方、および第2の耐火材料もしくはその前駆体、またはそれらの両方を含む初期混合物からなる物体を加熱することであって、前記加熱は、第1の耐火材料前駆体が存在する場合、前記第1の耐火材料の前駆体の少なくとも一部から第1の耐火材料が反応的に形成されるのを引き起こすのに十分なものであり、第2の耐火材料前駆体が存在する場合、前記第2の耐火材料の前駆体の少なくとも一部から第2の耐火材料が反応的に形成されるのを引き起こすのに十分なものであり、前記加熱は、前記加熱中に前記第2の耐火材料を融解せずに、前記第1の耐火材料の少なくとも一部を融解し、前記第2の耐火材料の少なくとも一部に接触させるのに十分なものである、加熱することと、次いで、
複合セラミック材料が形成されるように前記物体を冷却することと、を含み、前記複合セラミック材料は、前記第1の耐火材料からなる第1の結晶相、および前記第2の耐火材料からなる第2の結晶相を含み、当該第2の結晶相は、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、5,000μm2より大きいドメインサイズを含む、方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料のすべてが、前記加熱中に融解されるわけではない、実施形態82記載の方法。
融解していない第2の耐火材料が、前記第2の結晶相がエピタキシャルドメイン成長するための核生成部位を提供する、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料の少なくとも10%が、前記加熱中に融解される、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料の少なくとも20%が、前記加熱中に融解される、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料の少なくとも50%が、前記加熱中に融解される、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料の少なくとも90%が、前記加熱中に融解される、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に存在する前記第2の耐火材料のすべてが、前記加熱中に融解される、実施形態82記載の方法。
前記混合物は、1種以上の細孔形成材料をさらに含む、実施形態82記載の方法。
ある平均バルク気孔率が前記セラミック材料に付与されるように、前記加熱が前記物体からの前記1種以上の細孔形成材料の燃え尽きを生じさせる、実施形態90記載の方法。
前記平均バルク気孔率が、40%以上である、実施形態91記載の方法。
前記第1の結晶相が、第1の融解点を有し、前記第2の結晶相が、前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有する、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に前記物体が達する最高温度は、第1の融解点未満である、実施形態82記載の方法。
前記加熱中に前記混合物が達する最高温度は、1300℃から1450℃である、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相が、チアライトを含む、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相が、主にチアライトを含む、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相が、互いに固溶した複数の耐火材料を含む、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相が、チアライトと固溶したMgTi2O5を含む、実施形態82記載の方法。
前記複合セラミック材料が、第3の結晶相をさらに含む、実施形態82記載の方法。
前記第3の結晶相が、第3の耐火材料を含む、実施形態100記載の方法。
前記第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態100記載の方法。
前記第1の結晶相が、チアライトおよびMgTi2O5を含む、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相が、互いに固溶したチアライト、MgTi2O5、およびムライトを含む、実施形態82記載の方法。
前記第2の結晶相が、コーディエライトを含む、実施形態82記載の方法。
前記第2の結晶相が、主にコーディエライトを含む、実施形態82記載の方法。
前記第2の結晶相が、コーディエライトから実質的になる、実施形態82記載の方法。
前記第2の結晶相が、コーディエライトである、実施形態82記載の方法。
コーディエライト前駆体が、前記初期混合物中に存在する、実施形態82記載の方法。
前記初期混合物が、コーディエライトを実質的に含まない、実施形態109記載の方法。
前記第1の結晶相が、主たる擬ブルッカイト結晶構造を含む、実施形態82記載の方法。
前記第1の結晶相の少なくとも大部分が、分岐した固体のネットワークを提供し、前記第2の結晶相の少なくとも一部が、前記固体のネットワークの1つ以上の枝に直接隣接して配置される、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、80℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、50℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、40℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、20℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、前記物体の少なくとも一部が1200℃より高い温度を有するとき、80℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、前記物体の少なくとも一部が1100℃より高い温度を有するとき、80℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
前記冷却が、前記物体の少なくとも一部が1000℃より高い温度を有するとき、80℃/時以下の速度で前記物体を冷やすことを含む、実施形態82記載の方法。
チアライトからなる第1の結晶相であって、第1の融解点および選択した断面平面における第1の最大ドメインサイズを有する、第1の結晶相、
前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有するコーディエライトからなり、前記選択した断面平面における第2の最大ドメインサイズを有する第2の結晶相を含み、前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比は6.0以上である、複合セラミック材料。
前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、7.0以上である、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、8.0以上である、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、10.0以上である、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、15以上である、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、20以上である、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、5,000μm2より大きいドメインサイズを有する、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、前記材料の少なくとも50体積%を構成する、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、前記材料の50体積%未満を構成する、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、主にチアライトを含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、互いに固溶した複数の耐火材料を含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトと固溶したMgTi2O5を含む、実施形態120記載のセラミック材料。
第3の結晶相をさらに含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態132記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトを含み、前記第2の結晶相が、コーディエライトを含み、第3の結晶相が、ムライトを含む、実施形態132記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、チアライトおよびMgTi2O5を含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、互いに固溶したチアライトおよびMgTi2O5を含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、主にコーディエライトを含む、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトから実質的になる、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第2の結晶相が、コーディエライトである、実施形態120記載のセラミック材料。
前記第1の結晶相が、主たる擬ブルッカイト結晶構造を含む、実施形態120記載のセラミック材料。
Claims (6)
- セラミック材料であって、
第1の耐火材料からなる第1の結晶相であって、該第1の結晶相は、第1の融解点を有し、前記第1の結晶相は、前記材料の少なくとも50体積%を構成する、第1の結晶相と、
前記第1の融解点よりも低い第2の融解点を有する第2の耐火材料からなる第2の結晶相であって、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して5,000μm2より大きいドメインサイズおよび電子後方散乱回折(EBSD)で測定して3,000μm 2 より大きい平均ドメインサイズを有する、第2の結晶相と、
第3の結晶相を含み、
前記第1の結晶相は、ムライトまたはMgTi 2 O 5 と固溶したチアライト(tialite)を含み、前記第2の結晶相は、コーディエライトを含み、前記第3の結晶相は、ムライトを含む、セラミック材料。 - 前記第2の結晶相が、コーディエライトから実質的になる、請求項1記載のセラミック材料。
- 前記第1の結晶相が、選択した断面平面における第1の最大ドメインサイズを有し、前記第2の結晶相が、前記選択した断面平面における第2の最大ドメインサイズを有し、前記第1の最大ドメインサイズに対する前記第2の最大ドメインサイズの比が、6.0以上である、請求項1または2記載のセラミック材料。
- 前記第1の結晶相が、前記材料の少なくとも55重量%を構成し、前記第2の結晶相が、前記材料の35重量%未満を構成する、請求項1から3いずれか1項記載のセラミック材料。
- 前記第1の結晶相の最大ドメインサイズに対する、前記第2の結晶相の最大ドメインサイズの比が、7.0以上である、請求項1から4いずれか1項記載のセラミック材料。
- 複合セラミック材料からなる物品を製造する方法であって、該方法は、
第1の耐火材料もしくはその前駆体、またはそれらの両方、および第2の耐火材料もしくはその前駆体、またはそれらの両方を含む初期混合物からなる物体を加熱することであって、前記加熱は、第1の耐火材料前駆体が存在する場合、前記第1の耐火材料の前駆体の少なくとも一部から第1の耐火材料が反応的に形成されるのを引き起こすのに十分なものであり、第2の耐火材料前駆体が存在する場合、前記第2の耐火材料の前駆体の少なくとも一部から第2の耐火材料が反応的に形成されるのを引き起こすのに十分なものであり、前記加熱は、前記加熱中に前記第2の耐火材料を融解せずに、前記第1の耐火材料の少なくとも一部を融解し、前記第2の耐火材料の少なくとも一部に接触させるのに十分なものである、加熱することと、次いで、
複合セラミック材料が形成されるように前記物体を冷却することと、を含み、前記複合セラミック材料は、前記第1の耐火材料からなる第1の結晶相、および前記第2の耐火材料からなる第2の結晶相を含み、該第2の結晶相は、電子後方散乱回折(EBSD)で測定して、5,000μm2より大きいドメインサイズを含み、
前記第1の結晶相は、ムライトまたはMgTi2O 5 と固溶したチアライトを含み、前記第2の結晶相は、コーディエライトを含む、方法。
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