JP6874922B2 - 発光粒子の製造方法、発光粒子、発光粒子分散体、インク組成物および発光素子 - Google Patents

Description

本発明は、発光粒子の製造方法、発光粒子、発光粒子分散体、インク組成物および発光素子に関する。

次世代の表示素子に要求される国際規格ＢＴ．２０２０（Broadcasting service 2020）は、極めて意欲的な規格であり、現在の顔料を用いたカラーフィルターや有機ＥＬでも、これを満たすことは困難である。
一方、発光性を有する半導体ナノ結晶は、発光波長の半値幅が狭い蛍光または燐光を発する材料であり、ＢＴ．２０２０を満足し得る材料として注目を集めている。初期には、半導体ナノ結晶としてＣｄＳｅ等が使用されていたが、その有害性を回避するため、最近では、ＩｎＰ等が使用されている。
しかしながら、ＩｎＰの安定性は低く、安定化の向上を目的として精力的な取り組みが進められている。また、ＩｎＰ等の半導体ナノ結晶は、その粒子サイズによって発光波長が決まるため、半値幅の狭い発光を得るためには粒子径の分散を精密に制御することが必要であり、その生産には問題が多い。

近年、ペロブスカイト型の結晶構造を有する半導体ナノ結晶が見出され、注目を集めている（例えば、特許文献１参照）。一般的なペロブスカイト型の半導体ナノ結晶は、ＣｓＰｂＸ_３（ＸはＣｌ、ＢｒまたはＩを示す。）で表される化合物である。ペロブスカイト型の半導体ナノ結晶は、その粒子サイズの他、ハロゲン原子の存在割合の調整により発光波長を制御することができる。この調整操作は簡便に行えるので、ペロブスカイト型の半導体ナノ結晶は、ＩｎＰ等の半導体ナノ結晶と比較して、発光波長の制御がより容易であり、よって生産性が高いという特徴を有している。
このように、ペロブスカイト型の半導体ナノ結晶は、極めて優れた発光特性を有しているが、酸素、水分、熱等により不安定化し易いという問題がある。そのため、ペロブスカイト型の半導体ナノ結晶には、何らかの方法により、その安定性を高める必要がある。

特開２０１７−２２２８５１号公報

本発明の目的は、発光特性に優れるペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を有しつつも、安定性が高い発光粒子およびその製造方法、ならびに、かかる発光粒子を含む発光粒子分散体、インク組成物および発光素子を提供することにある。

このような目的は、下記の（１）〜（２２）の本発明により達成される。
（１）内側空間と該空間に連通する細孔とを有する中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液を含浸し、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間に発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を析出させる工程を有することを特徴とする発光粒子の製造方法。

（２） 内側空間と該空間に連通する細孔とを有する中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液を含浸し、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間に発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を析出させて、前記中空粒子の内側空間に前記半導体ナノ結晶が収容された母粒子を得る工程１と、
次いで、前記母粒子の表面を疎水性ポリマーで被覆してポリマー層を形成する工程２とを有することを特徴とする発光粒子の製造方法。

（３） 前記中空粒子は、中空シリカ粒子、中空アルミナ粒子、中空酸化チタン粒子または中空ポリマー粒子である上記（１）または（２）に記載の発光粒子の製造方法。

（４） 前記中空粒子の平均外径は、５〜３００ｎｍである上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（５） 前記中空粒子の平均内径は、１〜２５０ｎｍである上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（６） 前記細孔のサイズは、０．５〜１０ｎｍである上記（１）〜（５）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（７） 前記ポリマー層の厚さは、０．５〜１００ｎｍである上記（２）〜（６）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（８） 前記疎水性ポリマーは、前記母粒子の表面に、非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を有する重合体とともに、非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶または難溶になる少なくとも１種の重合性不飽和単量体を担持させた後、前記重合体と前記重合性不飽和単量体とを重合させて得られる上記（２）〜（７）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（９） 前記非水溶媒は、脂肪族炭化水素系溶媒および脂環式炭化水素系溶媒の少なくとも一方を含む上記（８）に記載の発光粒子の製造方法。

（１０） 前記母粒子は、さらに、前記中空粒子と前記半導体ナノ結晶との間に位置し、該半導体ナノ結晶の表面に配位した配位子で構成される中間層を有する上記（１）〜（９）のいずれか１つに記載の発光粒子の製造方法。

（１１） 前記配位子は、前記半導体ナノ結晶に含まれるカチオンに結合する結合性基を有する上記（１０）に記載の発光粒子の製造方法。

（１２） 前記結合性基は、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、スルホン酸基およびボロン酸基のうちの少なくとも１種である上記（１１）に記載の発光粒子の製造方法。

（１３） 内側空間と該内側空間に連通する細孔とを有する中空粒子と、前記内側空間に収容され、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶とを有することを特徴とする発光粒子。

（１４） 内側空間と該内側空間に連通する細孔とを有する中空粒子と、前記内側空間に収容され、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶とを有する母粒子と、
該母粒子の表面を被覆し、疎水性ポリマーで構成されたポリマー層とを有することを特徴とする発光粒子。

（１５） 前記疎水性ポリマーは、非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を有する重合体と、非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶または難溶になる少なくとも１種の重合性不飽和単量体との重合物である上記（１４）に記載の発光粒子。

（１６） 上記（１３）〜（１５）のいずれか１つに記載の発光粒子と、
該発光粒子を分散する分散媒とを含有することを特徴とする発光粒子分散体。

（１７） 上記（１３）〜（１５）のいずれか１つに記載の発光粒子と、光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有することを特徴とするインク組成物。

（１８） 前記光重合性化合物は、光ラジカル重合性化合物である上記（１７）に記載のインク組成物。

（１９） 前記光重合開始剤は、アルキルフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物およびオキシムエステル系化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である上記（１７）または（１８）に記載のインク組成物。

（２０） 上記（１３）〜（１５）のいずれか１つに記載の発光粒子を含む発光層を有することを特徴とする発光素子。

（２１） さらに、前記発光層に光を照射する光源部を有する上記（２０）に記載の発光素子。

本発明によれば、発光特性に優れ、かつ中空粒子およびポリマー層の存在により安定性が高い発光粒子を得ることができる。

本発明の発光粒子の製造方法の一実施形態を示す断面図である。 母粒子の他の構成例を示す断面図である。 本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図である。 アクティブマトリックス回路の構成を示す概略図である。 アクティブマトリックス回路の構成を示す概略図である。

以下、本発明の発光粒子の製造方法、発光粒子、発光粒子分散体、インク組成物および発光素子について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の発光粒子の製造方法の一実施形態を示す断面図である。中空粒子として中空シリカ粒子を用いた場合の製造例を示す。
なお、図１では、下段のナノ結晶原料付与以降の中空粒子９１２において、細孔９１２ｂの記載を省略した。

＜発光粒子の製造方法＞
本発明の製造方法は、先ず、内側空間と該空間に連通する細孔とを有する中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液を含浸し、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間に発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を析出させて発光粒子を得ることができる（工程１）。斯かる製造方法により得られる発光粒子は、例えば、図１及び図２における９１で図示されるものが挙げられる。具体的には、図１において、内側空間９１２ａと内側空間９１２ａに連通する細孔９１２ｂとを有する中空粒子９１２と、内側空間９１２ａに収容され、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶（以下、単に「ナノ結晶９１１」と言うこともある。）とを有する構造を有するものとなる。
本発明では更に、この発光粒子９１を母粒子として、該母粒子９１の表面を疎水性ポリマーで被覆してたポリマー層９２を形成すること（工程２）が好ましい。具体的には、工程２を経て得られる発光粒子９０では、ナノ結晶９１１が中空粒子９１２およびポリマー層９２により保護されるため、優れた発光特性を維持しつつ、酸素、水、熱等に対する高い安定性を発揮することができる。

＜＜工程１（母粒子準備工程）＞＞
まず、工程１につき詳述するに、工程１を経て得られる発光粒子９１は、次工程である工程２における母粒子であると共に、中空粒子９１２と、この中空粒子９１２に収容されたナノ結晶９１１とを有しており、この母粒子９１自体、単体で発光粒子として使用することが可能である。
［ナノ結晶９１１］
工程１を経て得られるナノ結晶９１１は、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、励起光を吸収して蛍光または燐光を発光するナノサイズの結晶体（ナノ結晶粒子）である。かかるナノ結晶９１１は、例えば、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡によって測定される最大粒子径が１００ｎｍ以下である結晶体である。
ナノ結晶９１１は、例えば、所定の波長の光エネルギーや電気エネルギーにより励起され、蛍光または燐光を発することができる。

ペロブスカイト型の結晶構造を有するナノ結晶９１１は、一般式：Ａ_ａＭ_ｂＸ_ｃで表される化合物である。
式中、Ａは、有機カチオンおよび金属カチオンのうちの少なくとも１種である。有機カチオンとしては、アンモニウム、ホルムアミジニウム、グアニジニウム、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピロリジニウム、プロトン化チオウレア等が挙げられ、金属カチオンとしては、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉ等のカチオンが挙げられる。
Ｍは、少なくとも１種の金属カチオンである。金属カチオンとしては、Ａｇ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｅｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎａ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒ等のカチオンが挙げられる。
Ｘは、少なくとも１種のアニオンである。アニオンとしては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、シアン化物イオン等が挙げられる。
ａは、１〜４であり、ｂは、１〜２であり、ｃは、３〜９である。
かかるナノ結晶９１１は、その粒子サイズ、Ｘサイトを構成するアニオンの種類および存在割合を調整することにより、発光波長（発光色）を制御することができる。

ナノ結晶９１１の具体的な組成として、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨＮ_２Ｈ_４ＰｂＢｒ_３等のＭとしてＰｂを用いたナノ結晶９１１は、光強度に優れると共に量子効率に優れることから、好ましい。また、ＣｓＰｂＢｒ_３、ＣＨ_３ＮＨ_３ＰｂＢｒ_３、ＣＨＮ_２Ｈ_４ＰｂＢｒ_３等のＭとしてＰｂ以外の金属カチオンを用いたナノ結晶９１１は、低毒性であって環境への影響が少ないことから、好ましい。

ナノ結晶９１１は、６０５〜６６５ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（赤色光）を発する赤色発光性の結晶であってよく、５００〜５６０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（緑色光）を発する緑色発光性の結晶であってよく、４２０〜４８０ｎｍの波長範囲に発光ピークを有する光（青色光）を発する青色発光性の結晶であってもよい。また、一実施形態において、これらのナノ結晶の組み合わせでもよい。
なお、ナノ結晶９１１の発光ピークの波長は、例えば、絶対ＰＬ量子収率測定装置を用いて測定される蛍光スペクトルまたは燐光スペクトルにおいて確認することできる。

赤色発光性のナノ結晶９１１は、６６５ｎｍ以下、６６３ｎｍ以下、６６０ｎｍ以下、６５８ｎｍ以下、６５５ｎｍ以下、６５３ｎｍ以下、６５１ｎｍ以下、６５０ｎｍ以下、６４７ｎｍ以下、６４５ｎｍ以下、６４３ｎｍ以下、６４０ｎｍ以下、６３７ｎｍ以下、６３５ｎｍ以下、６３２ｎｍ以下または６３０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、６２８ｎｍ以上、６２５ｎｍ以上、６２３ｎｍ以上、６２０ｎｍ以上、６１５ｎｍ以上、６１０ｎｍ以上、６０７ｎｍ以上または６０５ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。
これらの上限値および下限値は、任意に組み合わせることができる。なお、以下の同様の記載においても、個別に記載した上限値および下限値は任意に組み合わせ可能である。

緑色発光性のナノ結晶９１１は、５６０ｎｍ以下、５５７ｎｍ以下、５５５ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５４７ｎｍ以下、５４５ｎｍ以下、５４３ｎｍ以下、５４０ｎｍ以下、５３７ｎｍ以下、５３５ｎｍ以下、５３２ｎｍ以下または５３０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、５２８ｎｍ以上、５２５ｎｍ以上、５２３ｎｍ以上、５２０ｎｍ以上、５１５ｎｍ以上、５１０ｎｍ以上、５０７ｎｍ以上、５０５ｎｍ以上、５０３ｎｍ以上または５００ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。

青色発光性のナノ結晶９１１は、４８０ｎｍ以下、４７７ｎｍ以下、４７５ｎｍ以下、４７０ｎｍ以下、４６７ｎｍ以下、４６５ｎｍ以下、４６３ｎｍ以下、４６０ｎｍ以下、４５７ｎｍ以下、４５５ｎｍ以下、４５２ｎｍ以下または４５０ｎｍ以下の波長範囲に発光ピークを有することが好ましく、４５０ｎｍ以上、４４５ｎｍ以上、４４０ｎｍ以上、４３５ｎｍ以上、４３０ｎｍ以上、４２８ｎｍ以上、４２５ｎｍ以上、４２２ｎｍ以上または４２０ｎｍ以上の波長範囲に発光ピークを有することが好ましい。

ナノ結晶９１１の形状は、特に限定されず、任意の幾何学的形状であってもよく、任意の不規則な形状であってもよい。ナノ結晶９１１の形状としては、例えば、直方体状、立方体状、球状、正四面体状、楕円体状、角錐形状、ディスク状、枝状、網状、ロッド状等が挙げられる。なお、ナノ結晶９１１の形状としては、直方体状、立方体状または球状が好ましい。

ナノ結晶９１１の平均粒子径（体積平均径）は、４０ｎｍ以下であることが好ましく、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、ナノ結晶９１１の平均粒子径は、１ｎｍ以上であることが好ましく、１．５ｎｍ以上であることがより好ましく、２ｎｍ以上であることがさらに好ましい。かかる平均粒子径を有するナノ結晶９１１は、所望の波長の光を発し易いことから好ましい。
なお、ナノ結晶９１１の平均粒子径は、透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡により測定し、体積平均径を算出することにより得られる。

ところで、ナノ結晶９１１は、配位サイトとなりうる表面原子を有するため、高い反応性を有している。ナノ結晶９１１は、このような高い反応性を有することや、一般の顔料に比べ大きい表面積を有することから、インク組成物中において凝集を起こし易い。
ナノ結晶９１１は、量子サイズ効果によって発光を生じる。このため、ナノ結晶９１１は、凝集すると消光現象が生じ、蛍光量子収率の低下を招き、輝度および色再現性が低下する。本発明では、ナノ結晶９１１が中空粒子９１２およびポリマー層９２で被覆されているため、発光粒子９０は、インク組成物を調製した際にも凝集し難く、この凝集による発光特性の低下も生じ難い。

［中空粒子９１２］
工程１で用いられる中空粒子９１２は、球状（真球状）、細長い球状（楕円球状）または立方体状形態（直方体、立方体を含む）をなしており、バルーン構造を有する粒子と呼ぶこともできる。かかる中空粒子９１２は、内側空間９１２ａと、内側空間９１２ａに連通する細孔９１２ｂとを有し、内側空間９１２ａにナノ結晶９１１を収容している。
内側空間９１２ａには、１個のナノ結晶９１１が存在していてもよく、複数個のナノ結晶９１１が存在していてもよい。また、内側空間９１２ａは、１個または複数のナノ結晶９１１によって全体が占有されていてもよく、一部のみが占有されていてもよい。
中空粒子としては、ナノ結晶９１１を保護できるものであれば、どのような材料であってもかまわない。合成の容易さ、透過率、コスト等の観点から、中空粒子としては、中空シリカ粒子、中空アルミナ粒子、中空酸化チタン粒子または中空ポリマー粒子であることが好ましく、中空シリカ粒子または中空アルミナ粒子であることがより好ましく、中空シリカ粒子であることがさらに好ましい。
中空粒子９１２の平均外径は、特に限定されないが、５〜３００ｎｍであることが好ましく、６〜１００ｎｍであることがよりこのましく、８〜５０ｎｍであることがさらに好ましく、１０〜２５ｎｍであることが特に好ましい。また、中空シリカ粒子９１２の平均内径も、特に限定されないが、１〜２５０ｎｍであることが好ましく、２〜１００ｎｍであることがより好ましく、３〜５０ｎｍであることがさらに好ましく、５〜１５ｎｍであることが特に好ましい。かかるサイズの中空粒子９１２であれば、ナノ結晶９１１の熱に対する安定性を十分に高めることができる。

特に、貫通孔を有する柱状材料を使用するよりも、中空粒子９１２を使用すれば、ナノ結晶９１１を全体にわたって覆うことができるため、上記効果をより高めることができる。さらに、得られる発光粒子９０においては、後述するポリマー層９２との間に中空粒子９１２が介在するため、ナノ結晶９１１の酸素ガス、水分に対する安定性も向上する。
また、細孔９１２ｂのサイズは、特に限定されないが、０．５〜１０ｎｍであることが好ましく、１〜５ｎｍであることがより好ましい。この場合、ナノ結晶９１１の原料化合物を含有する溶液を内側空間９１２ａ内に円滑かつ確実に充填することができる。

中空粒子９１２の一例である中空シリカ粒子は、図１に示すように、（ａ）一級アミノ基および／または二級アミノ基を有する脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）と疎水性有機セグメント（ｘ２）とを有する共重合体（Ｘ）を水性媒体と混合し、疎水性有機セグメント（ｘ２）を主成分とするコアと脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）を主成分とするシェル層とからなる会合体（ＸＡ）を形成する工程と、（ｂ）会合体（ＸＡ）を含む水性媒体にシリカ原料（Ｙ）を加え、会合体（ＸＡ）を鋳型（テンプレート）としてシリカ原料（Ｙ）のゾルゲル反応を行い、シリカを析出させてコア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）を得る工程と、（ｃ）コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）から、共重合体（Ｘ）を除去する工程とにより作製することができる。

脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）としては、例えば、ポリエチレンイミン鎖、ポリアリルアミン鎖等が挙げられる。中空シリカナノ粒子９１２の前駆体であるコア―シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）を効率的に製造できるため、ポリエチレンイミン鎖がより好ましい。また、脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の分子量は、疎水性有機セグメント（ｘ２）の分子量とのバランスの図るため、繰り返し単位の数が５〜１０，０００の範囲であることが好ましく、１０〜８，０００の範囲であることがより好ましい。
脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の分子構造も、特に限定されず、例えば、直鎖状、分岐状、デンドリマー状、星状または櫛状等が挙げられる。シリカ析出に鋳型とする会合体を効率的に形成でき、製造コスト等の観点から、分岐状ポリエチレンイミン鎖が好ましい。

疎水性有機セグメント（ｘ２）としては、例えば、アルキル化合物に由来するセグメント、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリウレタンのような疎水性ポリマーに由来するセグメント等が挙げられる。
アルキル化合物の場合、炭素原子数が５以上のアルキレン鎖を有する化合物であることが好ましく、炭素原子数１０以上のアルキレン鎖を有する化合物であることがより好ましい。
疎水性有機セグメント（ｘ２）の鎖長は、会合体（ＸＡ）をナノサイズで安定化できる範囲であれば特に制限されないが、繰り返し単位の数が５〜１０，０００の範囲であることが好ましく、５〜１，０００の範囲であることがより好ましい。

疎水性有機セグメント（ｘ２）は、脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の末端にカップリングにより結合してもよく、脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の途中にグラフトにより結合してもよい。１つの脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）には、１つの疎水性有機セグメント（ｘ２）のみが結合しても、複数の疎水性有機セグメント（ｘ２）が結合してもよい。
共重合体（Ｘ）に含まれる脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）と疎水性有機セグメント（ｘ２）との割合は、水性媒体中で安定な会合体（ＸＡ）を形成できれば、特に限定されない。具体的には、脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の割合が１０〜９０質量％の範囲であることが好ましく、３０〜７０質量％の範囲であることがより好ましく、４０〜６０質量％の範囲であることがさらに好ましい。

工程（ａ）では、共重合体（Ｘ）を水性媒体中に溶解することにより、コア−シェル構造を有する会合体（ＸＡ）を自己組織化によって形成させることができる。かかる会合体（ＸＡ）のコアは疎水性有機セグメント（ｘ２）を主成分とし、シェル層は脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）を主成分とし、疎水性有機セグメント（ｘ２）の疎水相互作用により、水性媒体中に安定な会合体（ＸＡ）を形成すると考えられる。
水性媒体としては、例えば、水、水と水溶性溶媒との混合溶液等が挙げられる。混合溶液を用いる場合、混合溶液中に含まれる水の量は、体積比で水／水溶性溶媒が０．５／９．５〜３／７であることが好ましく、０．１／９．９〜５／５であることがより好ましい。生産性、環境やコスト等の観点から、水単独または水とアルコールとの混合溶液を使用することが好ましい。

水性媒体中に含まれる共重合体（Ｘ）の量は、０．０５〜１５質量％であることが好ましく、０．１〜１０質量％であることがより好ましく、０．２〜５質量％であることがさらに好ましい。
水性媒体中において共重合体（Ｘ）の自己組織化により会合体（ＸＡ）を形成する際には、２以上の官能基を有する有機架橋性化合物を使用し、シェル層において脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）を架橋してもよい。かかる有機架橋性化合物としては、例えば、アルデヒド含有化合物、エポキシ含有化合物、不飽和二重結合含有化合物、カルボン酸基含有化合物等が挙げられる。

次に、水の存在下で会合体（ＸＡ）を鋳型として、シリカ原料（Ｙ）のゾルゲル反応を行う（工程（ｂ））。
シリカ原料（Ｙ）としては、例えば、水ガラス、テトラアルコキシシラン類、テトラアルコキシシランのようなオリゴマー類等が挙げられる。
テトラアルコキシシラン類としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラ−ｔ−ブトキシシラン等が挙げられる。
オリゴマー類としては、例えば、テトラメトキシシランの４量体、テトラメトキシシランの７量体、テトラエトキシシラン５量体、テトラエトキシシラン１０量体等が挙げられる。

ゾルゲル反応は、溶媒の連続相では生じず、会合体（ＸＡ）上のみで選択的に進行する。したがって、会合体（ＸＡ）が解砕されない範囲で、反応条件を任意に設定することができる。
ゾルゲル反応において、会合体（ＸＡ）とシリカ原料（Ｙ）との割合は、適宜に設定することができる。
ゾルゲル反応の温度は、特に限定されず、０〜９０℃の範囲であることが好ましく、１０〜４０℃の範囲であることがより好ましく、１５〜３０℃の範囲であることがさらに好ましい。この場合、効率的にコア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）を得ることができる。

反応活性の高いシリカ原料（Ｙ）の場合、ゾルゲル反応の時間は、１分〜２４時間の範囲であることが好ましく、３０分〜５時間の範囲であることがより好ましい。また、反応活性が低いシリカ原料（Ｙ）の場合、ゾルゲル反応の時間は、５時間以上であることが好ましく、一週間とすることがより好ましい。
工程（ｂ）により、互いに凝集せず、粒径が均一なコア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）を得ることができる。得られるコア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）の粒径分布は、製造条件や、目的とする粒径によっても異なるが、目的とする粒径（平均粒径）に対して±１５％以下、好ましいくは±１０％以下に設定することができる。

コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）は、疎水性有機セグメント（ｘ２）を主成分とするコアと脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）とシリカとを主成分とする複合体をシェル層とする。ここで、主成分とは、意図的な第３成分が含まれないことを言う。コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）におけるシェル層は、シリカが形成するマトリックスに脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）が複合化されてなる有機無機複合体である。
コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）の粒径は、５〜３００ｎｍであることが好ましく、６〜１００ｎｍであることがよりこのましく、８〜５０ｎｍであることがさらに好ましく、１０〜２５ｎｍであることが特に好ましい。かかる粒径は、共重合体（Ｘ）の種類、組成および分子量、シリカ原料（Ｙ）の種類、ゾルゲル反応条件等により調整できる。また、コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）は、分子の自己組織化により形成されるため、極めて優れた単分散性を示し、粒径分布の幅が平均粒径に対して±１５％以下とすることができる。

コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）の形状は、球状またはアスペクト比が２以上の細長い球状とすることができる。また、一つの粒子内に複数のコアを有するコア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）を作製することもできる。かかる粒子の形状や構造等は、共重合体（Ｘ）の組成、シリカ原料（Ｙ）の種類およびゾルゲル反応条件等を変更することにより調整できる。
コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）中に含まれるシリカの量は、３０〜９５質量％の範囲であることが好ましく、６０〜９０質量％の範囲であることがより好ましい。シリカの量は、共重合体（Ｘ）中に含まれる脂肪族ポリアミン鎖（ｘ１）の量、会合体（ＸＡ）の量、シリカ原料（Ｙ）の種類および量、ゾルゲル反応時間および温度等を変更することにより調整することができる。

次に、工程（ｃ）で、コア−シェル型シリカナノ粒子（ＹＡ）から共重合体（Ｘ）を除去することにより、目的とする中空シリカナノ粒子９１２を得ることができる。
共重合体（Ｘ）を除去する方法としては、例えば、焼成処理、溶剤洗浄による処理が挙げられるが、共重合体（Ｘ）の除去率の観点から、焼成炉中での焼成処理法が好ましい。
焼成処理としては、例えば、空気または酸素存在下での高温焼成、不活性ガス（例えば、窒素、ヘリウム）の存在下での高温焼成が挙げられるが、空気中での高温焼成が好ましい。
焼成温度としては、３００℃以上であることが好ましく、３００〜１０００℃の範囲であることがより好ましい。

中空粒子９１２の作製方法は、上記工程（ａ）〜（ｃ）を行う方法に限定されず、任意の方法で作製することができる。例えば、中空粒子９１２の一例である立方体状形態の中空シリカ粒子は、例えば、次のようにして形成することができる。

まず、水系溶媒中にてコロイド状炭酸カルシウム、アルコキシシラン及び塩基性触媒を混合することにより、コロイド状炭酸カルシウムの表面にアルコキシシランを生じさせ、加水分解反応によってシリカ殻を形成する。

コア粒子となるコロイド状炭酸カルシウムは、一次粒子径が２０〜２００ｎｍの立方体状形態の炭酸カルシウムである。コロイド状炭酸カルシウムは、水酸化カルシウムの水スラリーに炭酸ガスを導入することによって沈殿した炭酸カルシウムを回収する方法等により得ることができる。炭酸カルシウムの結晶は、カルサイトであり通常は六方晶系であるが、合成条件の制御により、立方晶系に近い形状、すなわち「立方体状形態」に成長させることができる。ここで「立方体状形態」とは、立方体に限らず面で囲まれた立方体に似た形状をいう。目的とするコロイド状炭酸カルシウムを得るためには、比較的低温下で、沈殿反応の速度が比較的大きい条件であることが好ましい。

水酸化カルシウムと炭酸ガスとの反応によって生じたコロイド状炭酸カルシウムは、反応直後は２０〜２００ｎｍの一次粒子が凝集して数μｍの凝集粒子を形成している。そこで、この凝集粒子が沈殿した水系媒体を、室温下で静置したり、加熱下で攪拌するなどにより、平均粒子径が２０〜７００ｎｍとなるまで熟成し、一次粒子として分散させることが好ましい。

また、水系溶媒中にコロイド状炭酸カルシウムを混合する際、コロイド状炭酸カルシウムの水スラリーをそのまま混合してもよく、或いは、濃度調整を適宜行ったものを混合してもよい。水スラリー中に均一に分散したコロイド状炭酸カルシウム粒子を用いることにより、粒径がナノサイズであってかつ分散性に優れた中空シリカ粒子を得ることができる。

シリカ殻の原料として用いるアルコキシシランは、その加水分解によりシリカを生成するものであれば特段の制約はなく、例えば、トリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、トリエトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリプロポキシシラン等を用いることができる。

塩基性触媒としては、アンモニア水やアミン類等を用いることができる。

コロイド状炭酸カルシウム及びアルコキシシランに加えて塩基性触媒を水系溶媒中にて混合することにより、シリカ被覆された炭酸カルシウムを得る。前記混合の方法としては、水系溶媒とコロイド状炭酸カルシウムとアルコキシシラン塩基性触媒とを十分に混合できる方法であればよく、予めコロイド状炭酸カルシウムを分散させた水系溶媒中にアルコキシシラン及び塩基性触媒を添加あるいは滴下する方法、水系溶媒とアルコキシシランの混合液中にコロイド状炭酸カルシウム及び塩基性触媒を添加する方法、コロイド状炭酸カルシウムを分散させたアルコキシシランを塩基性触媒を含有する水系溶媒中に添加あるいは滴下する方法などを挙げることができる。また、必要に応じて、シリカ中空粒子の分散性をさらに向上させるための分散剤や界面活性剤など適宜添加してもよい。

水系溶媒、コロイド状炭酸カルシウム、アルコキシシラン、塩基性触媒の混合比率は、所望するシリカ殻の厚さや性状を勘案して、適宜調節することができる。例えば、シリカ殻厚を厚くしたい場合には、アルコキシシラン／コロイド状炭酸カルシウムの比を大きくすればよく、また、反応時間を短縮したい場合には、塩基性触媒／アルコキシシランの比を大きくすればよい。

高品質のシリカ中空粒子を効率よく製造するためには、水系溶媒に混合されるコロイド状炭酸カルシウムの固形分濃度を１〜２０重量％とすることが好ましい。１重量％未満であると、製造効率が低下するだけでなく、コロイド状炭酸カルシウムの表面にシリカ殻が形成されずに、シリカの遊離粒子が水スラリー中に生成することがあるため好ましくない。一方、２０重量％を超えると、粘度が上昇して均一なシリカ殻を形成できないことがあるため好ましくない。

さらに、アルコキシシランとコロイド状炭酸カルシウムとの比は、より平滑でかつ高純度のシリカ殻を比較的短時間で形成できることから、アルコキシシラン１モルに対してコロイド状炭酸カルシウムを０．１５モル以上とするのが好ましい。０．１５モル未満の場合には、シリカの遊離粒子が生成することがあるため好ましくない。

また、塩基性触媒としてはアンモニア水が最も好適であり、アルコキシシラン１モルに対しアンモニアが２〜４０モルが好ましく、２〜１０モルがより好ましい。２モル未満であると反応に要する時間が極端に長くなり製造効率が悪化するため好ましくない。一方、４０モルを超えると、シリカ殻の平滑性が低下したり、シリカの遊離粒子が生成することがあるため好ましくない。

さらに、水系溶媒中に、コロイド状炭酸カルシウムとアルコキシシランと塩基性触媒と混合するときの温度は、特段の制約はないが、６０℃以下が好ましく４５℃以下であることがより好ましい。前記温度が６０℃を超えると、シリカ殻の平滑性が低下したり、シリカの遊離粒子が生成することがあり、得られるシリカ中空粒子の性状を悪化させることがあるため好ましくない。

以上の条件で前記混合を行うことにより、平滑かつ高純度のシリカ殻をより効率よく形成させることができる。

次に、シリカ殻が被覆されたコロイド状炭酸カルシウムを酸処理して炭酸カルシウムを溶解させ、シリカ殻のみを残存させることにより、シリカからなる中空粒子を形成する。

酸処理に使用する酸としては、塩酸、酢酸、硝酸など、炭酸カルシウムを溶解させることができる酸であれば特段の制約はない。酸処理する際の溶液の酸濃度は０．１〜３モル／Ｌとすることが好ましい。０．１モル／Ｌ未満であると、酸処理に要する時間が長くなってしまうほか、場合によっては炭酸カルシウムを完全に溶解させることができなくなることがあるため好ましくない。一方、３モル／Ｌを超えると炭酸カルシウムの酸分解反応が急激に起こり、特にシリカ殻が薄い場合には、シリカ殻が破壊されてしまうことがあるため好ましくない。

酸処理に際しては、シリカ殻被覆後の溶液を水で置換したり、脱水洗浄などを行うことにより、未反応のアルコキシシランを十分に除去することが望ましい。未反応のアルコキシシランが大量に残留している場合、酸処理によりゲルが生成して、シリカ中空粒子の性状を悪化させることがあるからである。

このように、炭酸カルシウムを酸処理により溶解させることによって炭酸カルシウムが存在していた部分が中空になる一方、シリカ殻のみが残存することにより、シリカ中空粒子が得られる。このとき、シリカ殻には多数の細孔が形成される。

その後、得られたシリカ中空粒子を回収し、加熱焼成処理することにより、炭酸カルシウムが流出した孔を塞ぐと共に、緻密な多孔質体からなるシリカ殻を形成する。この結果、目的とする中空シリカ粒子を得ることができる。加熱焼成処理としては、例えば、空気または酸素存在下での高温焼成、窒素ガス、ヘリウム等の不活性ガスの存在下での高温焼成が挙げられるが、空気中での高温焼成が好ましい。焼成温度は、３００℃以上であることが好ましく、３００〜１０００℃の範囲であることがより好ましい。

このようにして得られる中空シリカ粒子は、緻密なシリカ殻からなる中空粒子であり、透過型電子顕微鏡法による一次粒子径が３０〜３００ｎｍの範囲であり、水銀圧入法により測定される細孔分布において２〜２０ｎｍの範囲の細孔が検出されないものであり、そのシリカ殻が平滑かつ不純分の少ない高純度のものとなる。

この緻密なシリカ殻は、少なくとも２ｎｍ以上の分子等を浸透させない一方、２ｎｍ未満の分子等を選択的に浸透させることができる。そのため、空気との接触、光、熱などにより分解あるいは変質しやすい成分であっても、当該中空シリカ粒子に内包することにより、該成分の分解あるいは変質を抑制することができる。

以上のようにして、中空シリカ粒子９１２が作製される。なお、中空シリカ粒子９１２には、市販品を使用することもできる。かかる市販品としては、例えば、日揮触媒化成株式会社製の「スルーリア」、日鉄鉱業株式会社製の「ＳｉｌｉＮａｘ ＳＰ−ＰＮ（ｂ）」等が挙げられる。中空アルミナ粒子、中空酸化チタン粒子または中空ポリマー粒子についても、同様の方法によって製造することができるが、本発明ではとりわけ中空シリカ粒子であることが半導体ナノ結晶の安定化に加えて、発光性やインク等への分散特性の点から好ましい。

本発明では、このようにして得られた中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液（Ｚ）を含浸し（図１中の（ｄ））、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間内に、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶が析出し（図１中の（ｄ））、発光粒子９１を得ることができる。

ここで用いる、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液としては、固形分濃度０．５〜２０質量％の溶液であることが中空粒子９１２への含侵性の点から好ましい。また、有機溶媒はナノ結晶９１１との良溶媒であればよいが、特に、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、エタノール、メタノール、２-プロパノール、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、水及びこれらの混合溶媒であることが相溶性の点から好ましい。

また、溶液を調製する方法としては、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、反応容器に、原料化合物と有機溶媒とを混合することが好ましい。この際の温度条件は室温〜３５０℃であることが好ましく、また、混合時の攪拌時間は１分〜１０時間であることが好ましい。

半導体ナノ結晶の原料化合物は、例えば、三臭化鉛セシウム溶液を調整する場合は、臭化セシウムと、臭化鉛（II）とを前記有機溶媒と混合することが好ましい。このとき、良溶媒１０００質量部に対して、臭化セシウムが０．５〜２００質量部、臭化鉛（II）が０．５〜２００質量部となるように、それぞれの添加量を調整することが好ましい。

次に、前記反応容器に中空シリカ粒子９１２を添加することにより、中空シリカ粒子９１２の内側空間９１２ａ内に三臭化鉛セシウム溶液を含浸させる。その後、前記反応溶液内の溶液をろ過することにより、過剰な前記三臭化鉛セシウム溶液を除去し固形物を回収する。そして、得られた固形物を−５０〜２００℃で減圧乾燥する。以上により、中空シリカ粒子９１１の内側空間９１２ａに、ペロブスカイト型の半導体ナノ結晶９１１が析出された母粒子９１を得ることができる。

＜＜工程２（ポリマー層形成工程）＞＞
次に、工程１で得られた母粒子９１の表面を、疎水性ポリマーで被覆してポリマー層９２を形成する（図１中の（ｆ））ことにより、発光粒子９０を得る。母粒子９１を疎水性のポリマー層９２で被覆する。これにより、発光粒子９０に酸素、水分に対する高い安定性を付与することができる。また、インク組成物を調製した際には、発光粒子９０の分散安定性も向上することができる。
かかるポリマー層９２は、方法Ｉ：疎水性ポリマーを含むワニスに、母粒子９１を添加して混合することにより、母粒子９１の表面を疎水性ポリマーで被覆する方法、方法II：母粒子９１の表面に、非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を有する重合体とともに、非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶または難溶になる少なくとも１種の重合性不飽和単量体を担持させた後、重合体と重合性不飽和単量体とを重合させる方法等により形成することができる。
なお、方法Ｉにおける疎水性ポリマーには、方法IIにおける重合体と重合性不飽和単量体とを重合させた重合物が含まれる。
中でも、ポリマー層９２は、方法IIにより形成することが好ましい。方法IIによれば、均一な厚さのポリマー層９２を、母粒子９１に高い密着性で形成することができる。

［非水溶媒］
本工程で使用する非水溶媒は、疎水性ポリマーを溶解し得る有機溶媒が好ましく、母粒子９１を均一に分散可能であれば、さらに好ましい。このような非水溶媒を用いることにより、非常に簡便に疎水性ポリマーを母粒子９１に吸着させてポリマー層９２を被覆させることができる。さらに、好ましくは、非水溶媒は低誘電率溶媒である。低誘電率溶媒を用いることにより、疎水性ポリマーと母粒子９１とを当該非水溶媒中で混合するだけで、疎水性ポリマーが母粒子９１表面に強固に吸着し、ポリマー層を被覆させることができる。
このようにして得られたポリマー層９２は、発光粒子９０を溶媒で洗浄しても、母粒子９１から除去され難い。さらに、非水溶媒の誘電率は低いほど好ましい。具体的には、非水溶媒の誘電率は、好ましくは１０以下であり、さらに好ましくは６以下であり、特に好ましくは５以下である。好ましい非水溶媒としては、脂肪族炭化水素系溶媒および脂環式炭化水素系溶媒であり、少なくとも一方を含む有機溶媒であることが好ましい。

脂肪族炭化水素系溶媒または脂環式炭化水素系溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
また、本発明の効果を損なわない範囲で、非水溶媒として、脂肪族炭化水素系溶媒および脂環式炭化水素系溶媒の少なくとも一方に、他の有機溶媒を混合した混合溶媒を使用してもよい。かかる他の有機溶媒としては、例えば、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸アミルのようなエステル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノンのようなケトン系溶媒；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノールのようなアルコール系溶媒等が挙げられる。
混合溶媒として使用する際には、脂肪族炭化水素系溶媒および脂環式炭化水素系溶媒の少なくとも一方の使用量を、５０質量％以上とすることが好ましく、６０質量％以上とすることがより好ましい。

［非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を含有する重合体］
本工程で使用する非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を含有する重合体（以下、「重合体（Ｐ）」とも記載する。）には、炭素原子数４以上のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（Ａ）または重合性不飽和基を有する含フッ素化合物（Ｂ、Ｃ）を主成分とする重合性不飽和単量体の共重合体に重合性不飽和基を導入したポリマー、あるいは、炭素原子数４以上のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（Ａ）または重合性不飽和基を有する含フッ素化合物（Ｂ、Ｃ）を主成分とする重合性不飽和単量体の共重合体からなるマクロモノマー等が含まれる。
アルキル（メタ）アクリレート（Ａ）としては、例えば、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートが挙げられる。ここで、本明細書中において、「（メタ）アクリレート」とは、メタクリレートおよびアクリレートの双方を意味する。「（メタ）アクリロイル」との表現についても同様である。

一方、重合性不飽和基を有する含フッ素化合物（Ｂ）としては、例えば、下記一般式（Ｂ１）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（Ｂ１）中、Ｒ^４は水素原子、フッ素原子、メチル基、シアノ基、フェニル基、ベンジル基または−Ｃ_ｎＨ_２ｎ−Ｒｆ’（ただし、ｎは１〜８の整数であり、Ｒｆ’は下記式（Ｒｆ−１）〜（Ｒｆ−７）のいずれか１つの基である。）である。

また、上記一般式（Ｂ１）中、Ｌは下記式（Ｌ−１）〜（Ｌ−１０）のいずれか１つの基である。

（上記式（Ｌ−１）、（Ｌ−３）、（Ｌ−５）、（Ｌ−６）および（Ｌ−７）中のｎは１〜８の整数である。上記式（Ｌ−８）、（Ｌ−９）および（Ｌ−１０）中のｍは１〜８の整数であり、ｎは０〜８の整数である。上記式（Ｌ−６）および（Ｌ−７）中のＲｆ’’は下記式（Ｒｆ−１）〜（Ｒｆ−７）のいずれか１つの基である。）

また、上記一般式（Ｂ１）中、Ｒｆは下記式（Ｒｆ−１）〜（Ｒｆ−７）のいずれか１つの基である。

（上記式（Ｒｆ−１）〜（Ｒｆ−４）中のｎは４〜６の整数である。上記式（Ｒｆ−５）中のｍは１〜５の整数であり、ｎは０〜４の整数であり、かつｍおよびｎの合計は４〜５である。上記式（Ｒｆ−６）中のｍは０〜４の整数であり、ｎは１〜４の整数であり、ｐは０〜４の整数であり、かつｍ、ｎおよびｐの合計は４〜５である。）

また、上記一般式（Ｂ１）で表される化合物の好ましい具体例としては、下記式（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−７）で表されるメタクリレート、下記（Ｂ１−８）〜（Ｂ１−１５）で表されるアクリレート等が挙げられる。なお、これらの化合物は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

また、重合性不飽和基を有する含フッ素化合物（Ｃ）としては、例えば、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖と、その両末端に重合性不飽和基とを有する化合物が挙げられる。
ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖は、炭素原子数１〜３の２価フッ化炭素基と酸素原子とが交互に連結した構造を有することが好ましい。
かかるポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖は、炭素原子数１〜３の２価フッ化炭素基を１種のみを含んでもよく、複数種を含んでもよい。具体的なポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）としては、下記一般式（Ｃ１）で表される構造が挙げられる。

上記一般式（Ｃ１）中、Ｘは下記式（Ｃ１−１）〜（Ｃ１−５）である。
複数のＸは同一であっても異なってもよい。異なるＸを含む場合（複数種の繰り返し単位Ｘ−Ｏを含む場合）、複数の同一の繰り返し単位Ｘ−Ｏがランダム状又はブロック状に存在していてもよい。
また、ｎは繰り返し単位の数であり、１以上の整数である。

中でも、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖としては、フッ素原子数と酸素原子数とのバランスが良好となり、重合体（Ｐ）が母粒子９１の表面に絡みつき易くなる点から、上記式（Ｃ１−１）で表されるパーフルオロメチレンと、上記式（Ｃ１−２）で表されるパーフルオロエチレンとが共存する構造が好ましい。
この場合、上記式（Ｃ１−１）で表されるパーフルオロメチレンと、上記式（Ｃ１−２）で表されるパーフルオロエチレンとの存在比率は、モル比率［パーフルオロメチレン（Ｃ１−１）／パーフルオロエチレン（Ｃ１−２）］で、１／１０〜１０／１であることが好ましく、２／８〜８／２であることがより好ましく、３／７〜７／３であることがさらに好ましい。
また、上記一般式（Ｃ１）中のｎは３〜１００であることが好ましく、６〜７０であることがより好ましい。さらに、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖に含まれるフッ素原子数は、合計で１８〜２００であることが好ましく、２５〜１５０であることがより好ましい。かかる構成のポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖において、フッ素原子数と酸素原子数とのバランスがさらに良好になる。

両末端に重合性不飽和基を導入する前のポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖を有する原料化合物としては、例えば、下記式（Ｃ２−１）〜（Ｃ２−６）が挙げられる。なお、下記式（Ｃ２−１）〜（Ｃ２−６）中の「−ＰＦＰＥ−」は、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖である。

ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖の両末端に導入される重合性不飽和基は、例えば、下記式Ｕ−１〜Ｕ−５で表される構造が挙げられる。

中でも、含フッ素化合物（Ｃ）自体の入手や製造の容易さ、あるいは他の重合性不飽和単量体との共重合の容易さから、上記式Ｕ−１で表されるアクリロイルオキシ基、または上記式Ｕ−２で表されるメタクリロイルオキシ基が好ましい。
含フッ素化合物（Ｃ）の具体例としては、下記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１３）で表される化合物が挙げられる。なお、下記式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１３）中の「−ＰＦＰＥ−」は、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖である。

中でも、含フッ素化合物（Ｃ）としては、工業的製造が容易である点から、上記式（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−５）または（Ｃ−６）で表される化合物が好ましく、母粒子９１の表面への絡み易い重合体（Ｐ）を合成可能である点から、上記式（Ｃ−１）で表されるポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖の両末端にアクリロイル基を有する化合物、または上記式（Ｃ−２）で表されるポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖の両末端にメタクリロイル基を有する化合物がより好ましい。

また、重合性不飽和単量体として使用可能なアルキル（メタ）アクリレート（Ａ）および含フッ素化合物（Ｂ、Ｃ）以外の化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−ｔ−ブチルスチレン、ビニルトルエンのような芳香族ビニル系化合物；ベンジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノ（メタ）アクリレート、ジエチルアミノ（メタ）アクリレート、ジブロモプロピル（メタ）アクリレート、トリブロモフェニル（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリレート系化合物；マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような不飽和ジカルボン酸と１価アルコールとのジエステル系化合物、安息香酸ビニル、「ベオバ」（オランダ国シェル社製のビニルエステル）のようなビニルエステル系化合物等が挙げられる。
これらの化合物は、アルキル（メタ）アクリレート（Ａ）または含フッ素化合物（Ｂ、Ｃ）とのランダム共重合体として使用することが好ましい。これにより、得られる重合体（Ｐ）の非水溶媒への溶解性を十分に高めることができる。

上記重合性不飽和単量体として使用可能な化合物は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。中でも、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリルメタクリレートのような直鎖状または分岐状の炭素原子数４〜１２のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（Ａ）を使用することが好ましい。
重合性不飽和単量体の共重合体は、重合性不飽和単量体を常法により重合することで得られる。
さらに、かかる共重合体に重合性不飽和基を導入することにより、重合体（Ｐ）が得られる。

重合性不飽和基の導入方法としては、例えば、次の方法Ｉ〜IVが挙げられる。
方法Ｉは、予め共重合成分としてアクリル酸、メタクリル酸のようなカルボン酸基含有重合性単量体、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノプロピルアクリルアミドのようなアミノ基含有重合性単量体を配合し共重合させ、カルボン酸基またはアミノ基を有する共重合体を得た後、このカルボン酸基またはアミノ基にグリシジルメタクリレートのようなグリシジル基および重合性不飽和基を有する単量体を反応させる方法である。
方法IIは、予め共重合成分として２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートのような水酸基含有単量体を配合し共重合させ、水酸基を有する共重合体を得た後、この水酸基にイソシアネートエチルメタクリレートのようなイソシアネート基および重合性不飽和基を有する単量体を反応させる方法である。
方法IIIは、重合の際にチオグリコール酸を連鎖移動剤として使用して共重合体の末端にカルボキシル基を導入し、このカルボキシル基にグリシジルメタクリレートのようなグリシジル基および重合性不飽和基を有する単量体を反応させる方法である。
方法IVは、重合開始剤としてアゾビスシアノペンタン酸のようなカルボキシル基含有アゾ開始剤を使用して共重合体にカルボキシル基を導入し、このカルボキシル基にグリシジルメタクリレートのようなグリシジル基および重合性不飽和基を有する単量体を反応させる方法である。
中でも、方法Ｉが最も簡便であることから好ましい。

（非水溶媒に可溶であり、かつ重合後に不溶もしくは難溶になる重合性不飽和単量体）
本工程で使用する非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶もしくは難溶になる重合性不飽和単量体（以下、「単量体（Ｍ）」とも記載する。）としては、例えば、反応性極性基（官能基）を有さないビニル系モノマー類、アミド結合含有ビニル系モノマー類、（メタ）アクリロイロキシアルキルホスフェート類、（メタ）アクリロイロキシアルキルホスファイト類、リン原子含有ビニル系モノマー類、水酸基含有重合性不飽和単量体類、ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート類、エポキシ基含有重合性不飽和単量体類、イソシアネート基含有α，β−エチレン性不飽和単量体類、アルコキシシリル基含有重合性不飽和単量体類、カルボキシル基含有α，β−エチレン性不飽和単量体類等が挙げられる。

反応性極性基を有さないビニル系モノマー類の具体例としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉ−プロピル（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリロニトリル、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニル、フッ化ビニリデンのようなオレフィン類等が挙げられる。
アミド結合含有ビニル系モノマー類の具体例としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、アルコキシ化Ｎ−メチロール化（メタ）アクリルアミド類等が挙げられる。

（メタ）アクリロイロキシアルキルホスフェート類の具体例としては、例えば、ジアルキル［（メタ）アクリロイロキシアルキル］ホスフェート類、（メタ）アクリロイロキシアルキルアシッドホスフェート類等が挙げられる。
（メタ）アクリロイロキシアルキルホスファイト類の具体例としては、例えば、ジアルキル［（メタ）アクリロイロキシアルキル］ホスファイト類、（メタ）アクリロイロキシアルキルアシッドホスファイト類等が挙げられる。
リン原子含有ビニル系モノマー類の具体例としては、例えば、上記（メタ）アクリロイロキシアルキルアシッドホスフェート類または（メタ）アクリロイロキシアルキルアシッドホスファイト類のアルキレンオキシド付加物、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレートのようなエポキシ基含有ビニル系モノマーとリン酸、亜リン酸またはこれらの酸性エステル類とのエステル化合物、３−クロロ−２−アシッドホスホキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

水酸基含有重合性不飽和単量体類の具体例としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジ−２−ヒドロキシエチルフマレート、モノ−２−ヒドロキシエチルモノブチルフマレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートのような重合性不飽和カルボン酸のヒドロキシアルキルエステル類またはこれらとε−カプロラクトンとの付加物；（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等の不飽和モノまたはジカルボン酸、ジカルボン酸と１価のアルコールとのモノエステル類のような重合性不飽和カルボン酸類；上記重合性不飽和カルボン酸のヒドロキシアルキルエステル類とポリカルボン酸の無水物（マレイン酸、コハク酸、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ヘンゼントリカルボン酸、ベンゼンテトラカルボン酸、「ハイミック酸」、テトラクロルフタル酸、ドデシニルコハク酸等）との付加物等の各種不飽和カルボン酸類と１価のカルボン酸のモノグリシジルエステル（やし油脂肪酸グリシジルエステル、オクチル酸グリシジルエステル等）、ブチルグリシジルエーテル、エチレンオキシド、プロピレンオキシド等のモノエポキシ化合物との付加物またはこれらとε−カプロラクトンとの付加物；ヒドロキシビニルエーテル等が挙げられる。

ジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート類の具体例としては、例えば、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
エポキシ基含有重合性不飽和単量体類の具体例としては、例えば、重合性不飽和カルボン酸類、水酸基含有ビニルモノマーと上記ポリカルボン酸の無水物との等モル付加物（モノ−２−（メタ）アクリロイルオキシモノエチルフタレート等）のような各種不飽和カルボン酸に、１分子中に少なくとも２個のエポキシ基を有する各種ポリエポキシ化合物を等モル比で付加反応させて得られるエポキシ基含有重合性化合物、グリシジル（メタ）アクリレート、（β−メチル）グルシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アリルグルシジルエーテル等が挙げられる。

イソシアネート基含有α，β−エチレン性不飽和単量体類の具体例としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとヘキサメチレンジイソシアネートとの等モル付加物、イソシアネートエチル（メタ）アクリレートのようなイソシアネート基およびビニル基を有するモノマー等が挙げられる。
アルコキシシリル基含有重合性不飽和単量体類の具体例としては、例えば、ビニルエトキシシラン、α−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシロキシエチル（メタ）アクリレートのようなシリコン系モノマー類等が挙げられる。

カルボキシル基含有α，β−エチレン性不飽和単量体類の具体例としては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸等の不飽和モノまたはジカルボン酸、ジカルボン酸と１価アルコールとのモノエステル類のようなα，β−エチレン性不飽和カルボン酸類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−クロロ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ジ−２−ヒドロキシエチルフマレート、モノ−２−ヒドロキシエチル−モノブチルフマレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレートのようなα，β−不飽和カルボン酸ヒドロアルキルエステル類とマレイン酸、コハク酸、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸、テトラヒドロフタル酸、ベンゼントリカルボン酸、ベンゼンテトラカルボン酸、「ハイミック酸」、テトラクロルフタル酸、ドデシニルコハク酸のようなポリカルボン酸の無水物との付加物等が挙げられる。

中でも、単量体（Ｍ）としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレートのような炭素原子数３以下のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましい。
さらに、重合体（Ｐ）と単量体（Ｍ）とを重合させる際には、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、ヒドロキシル基、ジメチルアミノ基のような官能基のうちの少なくとも１種を有する重合性不飽和単量体を共重合することが好ましい。これにより、形成される重合物（ポリマー層９２）のシロキサン結合との相互作用の高まりにより、母粒子９１の表面に対する密着性を向上することができる。

また、得られる発光粒子９０から疎水性ポリマーが溶出するのを防止または抑制するために、疎水性ポリマー（重合体（Ｐ））は架橋していることが好ましい。
架橋成分として使用可能な多官能重合性不飽和単量体としては、例えば、ジビニルベンゼン、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリエトキシトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、アリルメタクリレート等が挙げられる。

また、得られる疎水性ポリマーが非水溶媒に溶解しない範囲において、その他の重合性不飽和単量体を共重合するようにしてもよい。その他の重合性不飽和単量体としては、例えば、上記アルキル（メタ）アクリレート（Ａ）、含フッ素化合物（Ｂ、Ｃ）、これら以外に使用可能な重合体（Ｐ）用の重合性不飽和単量体として例示した化合物が挙げられる。

ポリマー層９２は、母粒子９１、非水溶媒および重合体（Ｐ）の存在下で、単量体（Ｍ）を重合させることで形成される。
母粒子９１と重合体（Ｐ）とは、重合を行う前に混合することが好ましい。混合には、例えば、ホモジナイザー、ディスパー、ビーズミル、ペイントシェーカー、ニーダー、ロールミル、ボールミル、アトライター、サンドミル等を使用することができる。
本発明において、使用する母粒子９１の形態は、特に限定されず問わず、スラリー、ウエットケーキ、粉体等のいずれであってもよい。
母粒子９１と重合体（Ｐ）との混合後に、単量体（Ｍ）および後述する重合開始剤をさらに混合し、重合を行うことにより、重合体（Ｐ）と単量体（Ｍ）との重合物で構成されるポリマー層９２が形成される。これにより、発光粒子９０が得られる。

この際、重合体（Ｐ）の数平均分子量は、１，０００〜５００，０００であることが好ましく、２，０００〜２００，０００であることがより好ましく、３，０００〜１００，０００であることがさらに好ましい。このような範囲の分子量を有する重合体（Ｐ）を用いることにより、母粒子９１の表面に良好にポリマー層９２を被覆し得る。
また、重合体（Ｐ）の使用量は、目的に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、通常、１００質量部の母粒子９１に対して、０．５〜５０質量部であることが好ましく、１〜４０質量部であることがより好ましく、２〜３５質量部であることがさらに好ましい。
また、単量体（Ｍ）の使用量も、目的に応じて適宜設定されるため、特に限定されないが、通常、１００質量部の母粒子９１に対して、０．５〜４０質量部であることが好ましく、１〜３５質量部であることがより好ましく、２〜３０質量部であることがさらに好ましい。

最終的に母粒子９１の表面を被覆する疎水性ポリマーの量は、１００質量部の母粒子９１に対して、１〜６０質量部であることが好ましく、２〜５０質量部であることがより好ましく、３〜４０質量部であることがさらに好ましい。
この場合、単量体（Ｍ）の量は、１００質量部の重合体（Ｐ）に対して、通常、１０〜１００質量部であることが好ましく、３０〜９０質量部であることがより好ましく、５０〜８０質量部であることがさらに好ましい。
ポリマー層９２の厚さは、０．５〜１００ｎｍであることが好ましく、０．７〜５０ｎｍであることがより好ましく、１〜３０ｎｍであることがさらに好ましい。ポリマー層９２の厚さが０．５ｎｍ未満であると、分散安定性が得られない場合が多い。ポリマー層９２の厚さが１００ｎｍを超えると母粒子９１を高濃度で含有させることが困難となる場合が多い。かかる厚さのポリマー層９２で母粒子９１を被覆することにより、発光粒子９０の酸素、水分に対する安定性をより向上させることができる。

母粒子９１、非水溶媒および重合体（Ｐ）の存在下における単量体（Ｍ）の重合は、公知の重合方法によって行うことができるが、好ましくは重合開始剤の存在下で行われる。
かかる重合開始剤としては、例えば、ジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、ベンゾイルパーオキシド、ｔ−ブチルパーベンゾエート、ｔ−ブチル−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド等が挙げられる。これらの重合開始剤は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
非水溶媒に難溶の重合開始剤は、単量体（Ｍ）に溶解した状態で、母粒子９１と重合体（Ｐ）とを含む混合液に添加することが好ましい。

また、単量体（Ｍ）または重合開始剤を溶解した単量体（Ｍ）は、重合温度に達した混合液に滴下法により添加して重合させてもよいが、昇温前の常温の混合液に添加し、充分に混合した後に昇温して重合させるのが安定であり好ましい。
重合温度は、６０〜１３０℃の範囲であることが好ましく、７０〜１００℃の範囲であることがより好ましい。かかる重合温度で単量体（Ｍ）の重合を行えば、ナノ結晶９１１の形態変化（例えば、変質、結晶成長等）を好適に防止することができる。
単量体（Ｍ）の重合後、母粒子９１表面に吸着しなかったポリマーを除去して発光粒子９０を得る。吸着しなかったポリマーを除去する方法としては、遠心沈降、限外ろ過が挙げられる。遠心沈降では、母粒子９１と吸着されなかったポリマーとを含む分散液を高速で回転させ、当該分散液中の母粒子９１を沈降させて、吸着しなかったポリマーを分離する。限外ろ過では、母粒子９１と吸着されなかったポリマーとを含む分散液を適切な溶媒で希釈し、適切な孔サイズを有するろ過膜に当該希釈液を通して、吸着されなかったポリマーと母粒子９１とを分離する。
以上のようにして、発光粒子９０が得られる。発光粒子９０は、分散媒あるいは光重合性化合物に分散させた状態で（すなわち、分散液として）保存してもよく、分散媒を除去して粉体（発光粒子９０単体の集合体）として保存してもよい。

＜発光粒子分散体＞
本発明の発光粒子分散体は、発光粒子９０と、この発光粒子９０を分散する分散媒とを含有する。なお、本発明の発光粒子分散体は、上述の母粒子９１を発光粒子とし、この発光粒子と、当該発光粒子を分散する分散媒とを含有する構成とすることも可能である。

＜＜分散媒＞＞
分散媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メトキシベンゼンのような芳香族系溶剤；酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのような酢酸エステル系溶剤；エトキシエチルプロピオネートのようなプロピオネート系溶剤；メタノール、エタノールのようなアルコール系溶剤；ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテルのようなエーテル系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンのようなケトン系溶剤；ヘキサンのような脂肪族炭化水素系溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクタム、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、アニリン、ピリジンのような窒素化合物系溶剤；γ−ブチロラクトンのようなラクトン系溶剤；カルバミン酸メチルとカルバミン酸エチルとを４８：５２で混合した混合物のようなカルバミン酸エステル、水等が挙げられる。
中でも、分散媒としては、発光粒子の発光特性を保持する観点から、芳香族系溶剤、酢酸エステル系溶剤、ケトン系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤のような非極性ないしは低極性溶剤であることが好ましく、芳香族系溶剤、脂肪族炭化水素系溶剤であることがより好ましい。これらの溶剤を使用する場合には、２種以上を併用することもできる。

＜インク組成物＞
本発明のインク組成物は、発光粒子９０と、この発光粒子９０を分散する光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有する。なお、本発明のインク組成物は、上述の母粒子９１を発光粒子とし、この発光粒子と、当該発光粒子を分散する光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有する構成とすることも可能である。
インク組成物中に含まれる発光粒子９０の量は、１０〜５０質量％であることが好ましく、１５〜４５質量％であることがより好ましく、２０〜４０質量％であることがさらに好ましい。インク組成物中に含まれる発光粒子９０の量を前記範囲に設定することにより、インク組成物をインクジェット印刷法により吐出する場合には、その吐出安定性をより向上させることができる。また、発光粒子９０同士が凝集し難くなり、得られる発光層（光変換層）の外部量子効率を高めることもできる。

＜＜光重合性化合物＞＞
本発明のインク組成物中に含まれる光重合性化合物は、好ましくは光の照射によって重合する光ラジカル重合性化合物であり、光重合性のモノマーまたはオリゴマーであってよい。これらは、光重合開始剤と共に用いられる。光重合性化合物は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
光ラジカル重合性化合物としては、（メタ）アクリレート化合物が挙げられる。（メタ）アクリレート化合物は、（メタ）アクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリレートであってよく、（メタ）アクリロイル基を複数有する多官能（メタ）アクリレートであってもよい。
インク組成物を調製した際の流動性に優れる観点、吐出安定性により優れる観点および発光粒子塗膜製造時における硬化収縮に起因する平滑性の低下を抑制し得る観点から、単官能（メタ）アクリレートと多官能（メタ）アクリレートとを組み合わせて用いることが好ましい。

単官能（メタ）アクリレートとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、オクタデシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェニルベンジル（メタ）アクリレート、こはく酸モノ（２−アクリロイルオキシエチル）、Ｎ−［２−（アクリロイルオキシ）エチル］フタルイミド、Ｎ−［２−（アクリロイルオキシ）エチル］テトラヒドロフタルイミド等が挙げられる。

多官能（メタ）アクリレートは、２官能（メタ）アクリレート、３官能（メタ）アクリレート、４官能（メタ）アクリレート、５官能（メタ）アクリレート、６官能（メタ）アクリレート等であってよく、例えば、ジオール化合物の２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート、トリオール化合物の２つまたは３つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジまたはトリ（メタ）アクリレート等であってよい。

２官能（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、１，３−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、３−メチル−１，５−ペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコ-ルヒドロキシピバリン酸エステルジアクリレ-ト、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートの２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート、１モルのネオペンチルグリコールに４モル以上のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加して得られるジオールの２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート、１モルのビスフェノールＡに２モルのエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加して得られるジオールの２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート、１モルのトリメチロールプロパンに３モル以上のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加して得られるトリオールの２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート、１モルのビスフェノールＡに４モル以上のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加して得られるジオールの２つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

３官能（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、１モルのトリメチロールプロパンに３モル以上のエチレンオキサイドまたはプロピレンオキサイドを付加して得られるトリオールの３つの水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
４官能（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
５官能（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
６官能（メタ）アクリレートの具体例としては、例えば、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。

多官能（メタ）アクリレートは、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等のジペンタエリスリトールの複数の水酸基が（メタ）アクリロイルオキシ基によって置換されたポリ（メタ）アクリレートであってもよい。
（メタ）アクリレート化合物は、リン酸基を有する、エチレンオキサイド変性リン酸（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性アルキルリン酸（メタ）アクリレート等であってもよい。

本発明のインク組成物において、硬化可能成分を、光重合性化合物のみまたはそれを主成分として構成する場合には、上記したような光重合性化合物としては、重合性官能基を１分子中に２以上有する２官能以上の多官能の光重合性化合物を必須成分として用いることが、硬化物の耐久性（強度、耐熱性等）をより高めることができることからより好ましい。
インク組成物中に含まれる光重合性化合物の量は、４０〜８０質量％であることが好ましく、４５〜７５質量％であることがより好ましく、５０〜７０質量％であることがさらに好ましい。インク組成物中に含まれる光重合性化合物の量を前記範囲に設定することにより、得られる発光層（光変換層）中での発光粒子９０の分散状態が良好になり、よって外部量子効率をより高めることもできる。

＜＜光重合開始剤＞＞
本発明に用いるインク組成物中の光重合開始剤は、アルキルフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物およびオキシムエステル系化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
前記アルキルフェノン系光重合開始剤としては、例えば、式（ｂ−１）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ１ａは、下記式（Ｒ^１a−１）〜式（Ｒ^１a−６）から選ばれる基を表し、Ｒ^２a、Ｒ^２ｂおよびＲ^２ｃは、それぞれ独立して、下記式（Ｒ^２−１）〜式（Ｒ^２−７）から選ばれる基を表す。）

上記式（ｂ−１）で表される化合物の具体例としては、下記式（ｂ−１−１）〜式（ｂ−１−６）で表される化合物が好ましく、下記式（ｂ−１−１）、式（ｂ−１−５）または式（ｂ−１−６）で表される化合物がより好ましい。

アシルホスフィンオキサイド系光重合開始剤としては、例えば、式（ｂ−２）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ^２４はアルキル基、アリール基または複素環基を表し、Ｒ^２５およびＲ^２６は、それぞれ独立して、アルキル基、アリール基、複素環基またはアルカノイル基を表すが、これらの基は、アルキル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホン基、アリール基、アルコキシ基、アリールチオ基で置換されてもよい。）

上記式（ｂ−２）で表される化合物の具体例としては、下記式（ｂ−２−１）〜式（ｂ−２−５）で表される化合物が好ましく、下記式（ｂ−２−１）または式（ｂ−２−５）で表される化合物がより好ましい。

オキシムエステル系光重合開始剤としては、例えば、下記式（ｂ−３−１）または式（ｂ−３−２）で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ^２７〜Ｒ^３１は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜１２の環状、直鎖状あるいは分岐状のアルキル基、またはフェニル基を表し、各アルキル基およびフェニル基は、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルコキシル基およびフェニル基からなる群から選ばれる置換基で置換されていてもよく、Ｘ^１は、酸素原子または窒素原子を表し、Ｘ^２は、酸素原子またはＮＲを表し、Ｒは炭素原子数１〜６のアルキル基を表す。）

上記式（ｂ−３−１）および式（ｂ−３−２）で表される化合物の具体例としては、下記式（ｂ−３−１−１）〜式（ｂ−３−１−２）および下記式（ｂ−３−２−１）〜（ｂ−３−２−２）で表される化合物が好ましく、下記式（ｂ−３−１−１）、式（ｂ−３−２−１）または式（ｂ−３−２−２）で表される化合物がより好ましい。

光重合開始剤の配合量は、インク組成物に含まれる光重合性化合物の総量に対して、０．０５〜１０質量％であることが好ましく、０．１〜８質量％であることがより好ましく、１〜６質量％であることがさらに好ましい。なお、光重合開始剤は、１種を単独で使用することもできるし、２種以上を混合して使用することもできる。かかる量で光重合開始剤を含むインク組成物は、光硬化時の感光度を十分に維持するとともに、塗膜の乾燥時に光重合開始剤の結晶が析出し難く、よって塗膜物性の劣化を抑制することができる。

インク組成物中に光重合開始剤を溶解する際には、予め光重合性化合物中に溶解してから使用することが好ましい。
光重合性化合物に溶解させるには、熱による反応が開始されないように、光重合性化合物を攪拌しながら光重合開始剤を添加することにより均一溶解させることが好ましい。
光重合開始剤の溶解温度は、用いる光重合開始剤の光重合性化合物に対する溶解性、および光重合性化合物の熱による重合性を考慮して適宜調節すればよいが、光重合性化合物の重合を開始させない観点から１０〜５０℃であることが好ましく、１０〜４０℃であることがより好ましく、１０〜３０℃であることがさらに好ましい。

本発明に用いるインク組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲で、発光粒子９０、光重合性化合物、光重合開始剤以外の他の成分を含有してもよい。かかる他の成分としては、重合禁止剤、酸化防止剤、分散剤、レベリング剤、連鎖移動剤、分散助剤、熱可塑性樹脂、増感剤、光散乱性粒子等が挙げられる。

＜＜重合禁止剤＞＞
重合禁止剤としては、例えば、ｐ−メトキシフェノール、クレゾール、ｔ−ブチルカテコール、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン、２，２’−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，２’−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４−メトキシ−１−ナフトール、４，４’−ジアルコキシ−２，２’−ビ−１−ナフトールのようなフェノール系化合物；ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、ｐ−ベンゾキノン、メチル−ｐ−ベンゾキノン、ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジフェニルベンゾキノン、２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロ−１，４−ナフトキノン、アントラキノン、ジフェノキノンのようなキノン系化合物；ｐ−フェニレンジアミン、４−アミノジフェニルアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−ｉ−プロピル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチル）−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−β−ナフチルアミン、４，４’−ジクミル−ジフェニルアミン、４，４’−ジオクチル−ジフェニルアミンのようなアミン系化合物；フェノチアジン、ジステアリルチオジプロピオネートのようなチオエーテル系化合物；２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカル、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルフリーラジカルのようなＮ−オキシル化合物；Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、Ｎ−ニトロソフェニルナフチルアミン、Ｎ−ニトロソジナフチルアミン、ｐ−ニトロソフェノール、ニトロソベンゼン、ｐ−ニトロソジフェニルアミン、α−ニトロソ−β−ナフトール、Ｎ、Ｎ−ジメチル−ｐ−ニトロソアニリン、ｐ−ニトロソジフェニルアミン、ｐ−ニトロンジメチルアミン、ｐ−ニトロン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミン、Ｎ−ニトロソエタノールアミン、Ｎ−ニトロソ−ジ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−ｎ−ブチル−４−ブタノールアミン、Ｎ−ニトロソ−ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−エチル−４−ブタノールアミン、５−ニトロソ−８−ヒドロキシキノリン、Ｎ−ニトロソモルホリン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩（富士フィルム和光純薬株式会社製、「Ｑ−１３００」）、ニトロソベンゼン、２，４，６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルニトロンベンゼン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−メチル−ｐ−トルエンスルホンアミド、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−エチルウレタン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−ｎ−プロピルウレタン、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフトール、１−ニトロソ−２−ナフトール−３，６−スルホン酸ナトリウム、２−ニトロソ−１−ナフトール−４−スルホン酸ナトリウム、２−ニトロソ−５−メチルアミノフェノール塩酸塩、２−ニトロソ−５−メチルアミノフェノール塩酸塩、Ｑ−１３０１（富士フィルム和光純薬株式会社製）のようなニトロソ系化合物等が挙げられる。
重合禁止剤の添加量は、インク組成物に含まれる光重合性化合物の総量に対して、０．０１〜１．０質量％であることが好ましく、０．０２〜０．５質量％であることがより好ましい。

＜＜酸化防止剤＞＞
酸化防止剤としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」）、チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（「ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５」）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート（「ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６」）、「ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１３３０」、４，６−ビス（オクチルチオメチル）−ｏ−クレゾール（「ＩＲＧＡＮＯＸ１５２０Ｌ」）、「ＩＲＧＡＮＯＸ１７２６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２４５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２５９」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３７９０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５０５７」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５６５」（以上、ＢＡＳＦ株式会社製）；「アデカスタブＡＯ−２０」、「アデカスタブＡＯ−３０」、「アデカスタブＡＯ−４０」、「アデカスタブＡＯ−５０」、「アデカスタブＡＯ−６０」、「アデカスタブＡＯ−８０」（以上、株式会社ＡＤＥＫＡ製）；「ＪＰ−３６０」、「ＪＰ−３０８Ｅ」、「ＪＰＥ−１０」（以上、城北化学工業株式会社製）；「スミライザーＢＨＴ」、「スミライザーＢＢＭ−Ｓ」、「スミライザーＧＡ−８０」（以上、住友化学株式会社製）等が挙げられる。
酸化防止剤の添加量は、インク組成物に含まれる光重合性化合物の総量に対して、０．０１〜２．０質量％であることが好ましく、０．０２〜１．０質量％であることがより好ましい。

＜＜分散剤＞＞
分散剤は、発光粒子９０のインク組成物中での分散安定性を向上させ得る化合物であれば、特に限定されない。分散剤は、低分子分散剤と高分子分散剤とに分類される。
本明細書中において、「低分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００以下の分子を意味し、「高分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００超の分子を意味する。なお、本明細書中において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定された値を採用することができる。

低分子分散剤としては、例えば、オレイン酸；リン酸トリエチル、ＴＯＰ（トリオクチルフォスフィン）、ＴＯＰＯ（トリオクチルフォスフィンオキサイド）、ヘキシルホスホン酸（ＨＰＡ）、テトラデシルホスホン酸（ＴＤＰＡ）、オクチルホスフィン酸（ＯＰＡ）のようなリン原子含有化合物；オレイルアミン、オクチルアミン、トリオクチルアミン、ヘキサデシルアミンのような窒素原子含有化合物；１−デカンチオール、オクタンチオール、ドデカンチオール、アミルスルフィドのような硫黄原子含有化合物等が挙げられる。

一方、高分子分散剤としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリウレア系樹脂、アミノ系樹脂、ポリアミン系樹脂（ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン等）、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ウッドロジン、ガムロジン、トール油ロジンのような天然ロジン、重合ロジン、不均化ロジン、水添ロジン、酸化ロジン、マレイン化ロジンのような変性ロジン、ロジンアミン、ライムロジン、ロジンアルキレンオキシド付加物、ロジンアルキド付加物、ロジン変性フェノールのようなロジン誘導体等が挙げられる。
なお、高分子分散剤の市販品としては、例えば、ビックケミー社製のＤＩＳＰＥＲＢＹＫシリーズ、エボニック社製のＴＥＧＯ Ｄｉｓｐｅｒｓシリーズ、ＢＡＳＦ社製のＥＦＫＡシリーズ、日本ルーブリゾール社製のＳＯＬＳＰＥＲＳＥシリーズ、味の素ファインテクノ社製のアジスパーシリーズ、楠本化成製のＤＩＳＰＡＲＬＯＮシリーズ、共栄社化学社製のフローレンシリーズ等を使用することができる。
分散剤の配合量は、１００質量部の発光粒子９０に対して、０．０５〜１０質量部であることが好ましく、０．１〜５質量部であることがより好ましい。

＜＜レベリング剤＞＞
レベリング剤としては、特に限定はないが、発光粒子９０の薄膜を形成する場合に、膜厚ムラを低減させ得る化合物が好ましい。
かかるレベリング剤としては、例えば、アルキルカルボン酸塩、アルキルリン酸塩、アルキルスルホン酸塩、フルオロアルキルカルボン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、フルオロアルキルスルホン酸塩、ポリオキシエチレン誘導体、フルオロアルキルエチレンオキシド誘導体、ポリエチレングリコール誘導体、アルキルアンモニウム塩、フルオロアルキルアンモニウム塩類等が挙げられる。

レベリング剤の具体例としては、例えば、「メガファックＦ−１１４」、「メガファックＦ−２５１」、「メガファックＦ−２８１」、「メガファックＦ−４１０」、「メガファックＦ−４３０」、「メガファックＦ−４４４」、「メガファックＦ−４７２ＳＦ」、「メガファックＦ−４７７」、「メガファックＦ−５１０」、「メガファックＦ−５１１」、「メガファックＦ−５５２」、「メガファックＦ−５５３」、「メガファックＦ−５５４」、「メガファックＦ−５５５」、「メガファックＦ−５５６」、「メガファックＦ−５５７」、「メガファックＦ−５５８」、「メガファックＦ−５５９」、「メガファックＦ−５６０」、「メガファックＦ−５６１」、「メガファックＦ−５６２」、「メガファックＦ−５６３」、「メガファックＦ−５６５」、「メガファックＦ−５６７」、「メガファックＦ−５６８」、「メガファックＦ−５６９」、「メガファックＦ−５７０」、「メガファックＦ−５７１」、「メガファックＲ−４０」、「メガファックＲ−４１」、「メガファックＲ−４３」、「メガファックＲ−９４」、「メガファックＲＳ−７２−Ｋ」、「メガファックＲＳ−７５」、「メガファックＲＳ−７６−Ｅ」、「メガファックＲＳ−７６−ＮＳ」、「メガファックＲＳ−９０」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ−１３６７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ１４３７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ１５３７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ−２０６６」（以上、ＤＩＣ株式会社製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「フタージェント１００」、「フタージェント１００Ｃ」、「フタージェント１１０」、「フタージェント１５０」、「フタージェント１５０ＣＨ」、「フタージェント１００Ａ-Ｋ」、「フタージェント３００」、「フタージェント３１０」、「フタージェント３２０」、「フタージェント４００ＳＷ」、「フタージェント２５１」、「フタージェント２１５Ｍ」、「フタージェント２１２Ｍ」、「フタージェント２１５Ｍ」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２２２Ｆ」、「フタージェント２１２Ｄ」、「ＦＴＸ−２１８」、「フタージェント２０９Ｆ」、「フタージェント２４５Ｆ」、「フタージェント２０８Ｇ」、「フタージェント２４０Ｇ」、「フタージェント２１２Ｐ」、「フタージェント２２０Ｐ」、「フタージェント２２８Ｐ」、「ＤＦＸ−１８」、「フタージェント６０１ＡＤ」、「フタージェント６０２Ａ」、「フタージェント６５０Ａ」、「フタージェント７５０ＦＭ」、「ＦＴＸ-７３０ＦＭ」、「フタージェント７３０ＦＬ」、「フタージェント７１０ＦＳ」、「フタージェント７１０ＦＭ」、「フタージェント７１０ＦＬ」、「フタージェント７５０ＬＬ」、「ＦＴＸ-７３０ＬＳ」、「フタージェント７３０ＬＭ」、（以上、株式会社ネオス製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「ＢＹＫ−３００」、「ＢＹＫ−３０２」、「ＢＹＫ−３０６」、「ＢＹＫ−３０７」、「ＢＹＫ−３１０」、「ＢＹＫ−３１５」、「ＢＹＫ−３２０」、「ＢＹＫ−３２２」、「ＢＹＫ−３２３」、「ＢＹＫ−３２５」、「ＢＹＫ−３３０」、「ＢＹＫ−３３１」、「ＢＹＫ−３３３」、「ＢＹＫ−３３７」、「ＢＹＫ−３４０」、「ＢＹＫ−３４４」、「ＢＹＫ−３７０」、「ＢＹＫ−３７５」、「ＢＹＫ−３７７」、「ＢＹＫ−３５０」、「ＢＹＫ−３５２」、「ＢＹＫ−３５４」、「ＢＹＫ−３５５」、「ＢＹＫ−３５６」、「ＢＹＫ−３５８Ｎ」、「ＢＹＫ−３６１Ｎ」、「ＢＹＫ−３５７」、「ＢＹＫ−３９０」、「ＢＹＫ−３９２」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ−Ｓｉｌｃｌｅａｎ３７００」（以上、ＢＹＫ株式会社製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２１００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２０１１」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２２００Ｎ」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２２５０」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２３００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２５００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２６００」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２６５０」、「ＴＥＧＯ Ｒａｄ２７００」、「ＴＥＧＯ Ｆｌｏｗ３００」、「ＴＥＧＯ Ｆｌｏｗ３７０」、「ＴＥＧＯ Ｆｌｏｗ４２５」、「ＴＥＧＯ Ｆｌｏｗ ＡＴＦ２」、「ＴＥＧＯ Ｆｌｏｗ ＺＦＳ４６０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ１００」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ１１０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ１３０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４１０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４１１」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４１５」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４３２」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４４０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４５０」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ４８２」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ Ａ１１５」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ Ｂ１４８４」、「ＴＥＧＯ Ｇｌｉｄｅ ＺＧ４００」、「ＴＥＧＯ Ｔｗｉｎ４０００」、「ＴＥＧＯ Ｔｗｉｎ４１００」、「ＴＥＧＯ Ｔｗｉｎ４２００」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２４０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２５０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２６０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２６５」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２７０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ２８０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ５００」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ５０５」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ５１０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ５２０」、「ＴＥＧＯ Ｗｅｔ ＫＬ２４５」（以上、エボニック・インダストリーズ株式会社製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「ＦＣ−４４３０」、「ＦＣ−４４３２」（以上、スリーエムジャパン株式会社製）、「ユニダインＮＳ」（以上、ダイキン工業株式会社製）、「サーフロンＳ−２４１」、「サーフロンＳ−２４２」、「サーフロンＳ−２４３」、「サーフロンＳ−４２０」、「サーフロンＳ−６１１」、「サーフロンＳ−６５１」、「サーフロンＳ−３８６」（以上、ＡＧＣセイミケミカル株式会社製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−８８０ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−８８１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−８８３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−７７ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−７１０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９２２」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９２７」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９５８」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ Ｐ−４１０ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ Ｐ−４２０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ Ｐ−４２５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＰＤ−７」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９７０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ２３０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＦ−１９８０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＦ−１９８２」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＦ−１９８３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＦ−１０８４」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＦ−１９８５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＨＰ−９０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＨＰ−９１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＨＰ−９５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＨＰ−９６」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＯＸ−７１５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９３０Ｎ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９３１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９３３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １９３４」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １７１１ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １７５１Ｎ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ １７６１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＳ−００９」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＳ−００１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ ＬＳ−０５０」（以上、楠本化成株式会社製）等が挙げられる。

レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「ＰＦ−１５１Ｎ」、「ＰＦ−６３６」、「ＰＦ−６３２０」、「ＰＦ−６５６」、「ＰＦ−６５２０」、「ＰＦ−６５２−ＮＦ」、「ＰＦ−３３２０」（以上、ＯＭＮＯＶＡ ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ社製）、「ポリフローＮｏ．７」、「ポリフローＮｏ．５０Ｅ」、「ポリフローＮｏ．５０ＥＨＦ」、「ポリフローＮｏ．５４Ｎ」、「ポリフローＮｏ．７５」、「ポリフローＮｏ．７７」、「ポリフローＮｏ．８５」、「ポリフローＮｏ．８５ＨＦ」、「ポリフローＮｏ．９０」、「ポリフローＮｏ．９０Ｄ−５０」、「ポリフローＮｏ．９５」、「ポリフローＮｏ．９９Ｃ」、「ポリフローＫＬ−４００Ｋ」、「ポリフローＫＬ−４００ＨＦ」、「ポリフローＫＬ−４０１」、「ポリフローＫＬ−４０２」、「ポリフローＫＬ−４０３」、「ポリフローＫＬ−４０４」、「ポリフローＫＬ−１００」、「ポリフローＬＥ−６０４」、「ポリフローＫＬ−７００」、「フローレンＡＣ−３００」、「フローレンＡＣ−３０３」、「フローレンＡＣ−３２４」、「フローレンＡＣ−３２６Ｆ」、「フローレンＡＣ−５３０」、「フローレンＡＣ−９０３」、「フローレンＡＣ−９０３ＨＦ」、「フローレンＡＣ−１１６０」、「フローレンＡＣ−１１９０」、「フローレンＡＣ−２０００」、「フローレンＡＣ−２３００Ｃ」、「フローレンＡＯ−８２」、「フローレンＡＯ−９８」、「フローレンＡＯ−１０８」（以上、共栄社化学株式会社製）等が挙げられる。

また、レベリング剤の他の具体例としては、例えば、「Ｌ−７００１」、「Ｌ−７００２」、「８０３２ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５７ＡＤＤＴＩＶＥ」、「Ｌ−７０６４」、「ＦＺ−２１１０」、「ＦＺ−２１０５」、「６７ＡＤＤＴＩＶＥ」、「８６１６ＡＤＤＴＩＶＥ」（以上、東レ・ダウシリコーン株式会社製）等が挙げられる。
レベリング剤の添加量は、インク組成物に含まれる光重合性化合物の総量に対して、０．００５〜２質量％であることが好ましく、０．０１〜０．５質量％であることがより好ましい。

＜＜連鎖移動剤＞＞
連鎖移動剤は、インク組成物の基材との密着性をより向上させること等を目的として使用される成分である。
連鎖移動剤としては、例えば、芳香族炭化水素類；クロロホルム、四塩化炭素、四臭化炭素、ブロモトリクロロメタンのようなハロゲン化炭化水素類；オクチルメルカプタン、ｎ−ブチルメルカプタン、ｎ−ペンチルメルカプタン、ｎ−ヘキサデシルメルカプタン、ｎ−テトラデシルメル、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−テトラデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタンのようなメルカプタン化合物；ヘキサンジチオール、デカンジチオール、１，４−ブタンジオールビスチオプロピオネート、１，４−ブタンジオールビスチオグリコレート、エチレングリコールビスチオグリコレート、エチレングリコールビスチオプロピオネート、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、トリメチロールプロパントリスチオプロピオネート、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラキスチオプロピオネート、トリメルカプトプロピオン酸トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、１，４−ジメチルメルカプトベンゼン、２、４、６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン、２−（Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノ）−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジンのようなチオール化合物；ジメチルキサントゲンジスルフィド、ジエチルキサントゲンジスルフィド、ジイソプロピルキサントゲンジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィドのようなスルフィド化合物；Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジビニルアニリン、ペンタフェニルエタン、α−メチルスチレンダイマー、アクロレイン、アリルアルコール、ターピノーレン、α−テルピネン、γ−テルビネン、ジペンテン等が挙げられるが、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン、チオール化合物が好ましい。

連鎖移動剤の具体例としては、例えば、下記一般式（９−１）〜（９−１２）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^９５は炭素原子数２〜１８のアルキル基を表し、該アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよく、該アルキル基中の１つ以上のメチレン基は酸素原子および硫黄原子が相互に直接結合することなく、酸素原子、硫黄原子、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよい。
Ｒ^９６は炭素原子数２〜１８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ以上のメチレン基は酸素原子および硫黄原子が相互に直接結合することなく、酸素原子、硫黄原子、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよい。
連鎖移動剤の添加量は、インク組成物に含まれる光重合性化合物の総量に対して、０．１〜１０質量％であることが好ましく、１．０〜５質量％であることがより好ましい。

＜＜分散助剤＞＞
分散助剤としては、例えば、フタルイミドメチル誘導体、フタルイミドスルホン酸誘導体、フタルイミドＮ−（ジアルキルアミノ）メチル誘導体、フタルイミドＮ−（ジアルキルアミノアルキル）スルホン酸アミド誘導体のような有機顔料誘導体等が挙げられる。これらの分散助剤は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
＜＜熱可塑性樹脂＞＞
熱可塑性樹脂としては、例えば、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、スチレンマレイン酸系樹脂、スチレン無水マレイン酸系樹脂、ポリエステルアクリレート系樹脂等が挙げられる。
＜＜増感剤＞＞
増感剤としては、光重合性化合物と付加反応を起こさないアミン類を使用することができる。かかる増感剤としては、例えば、トリメチルアミン、メチルジメタノールアミン、トリエタノールアミン、ｐ−ジエチルアミノアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン等が挙げられる。

＜＜光散乱性粒子＞＞
光散乱性粒子は、例えば、光学的に不活性な無機微粒子であることが好ましい。光散乱性粒子は、発光層（光変換層）に照射された光源部からの光を散乱させることができる。
光散乱性粒子を構成する材料としては、例えば、タングステン、ジルコニウム、チタン、白金、ビスマス、ロジウム、パラジウム、銀、スズ、プラチナ、金のような単体金属；シリカ、硫酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、タルク、酸化チタン、クレー、カオリン、硫酸バリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウム、アルミナホワイト、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛のような金属酸化物；炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、次炭酸ビスマス、炭酸カルシウムのような金属炭酸塩；水酸化アルミニウムのような金属水酸化物；ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等の複合酸化物、次硝酸ビスマスのような金属塩等が挙げられる。
中でも、光散乱性粒子を構成する材料としては、漏れ光の低減効果により優れる観点から、酸化チタン、アルミナ、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸バリウムおよびシリカからなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、酸化チタン、硫酸バリウムおよび炭酸カルシウムからなる群より選択される少なくとも一種を含むことがより好ましい。

＜母粒子９１の他の構成例＞
母粒子９１を作製する際には、ナノ結晶９１１の原料化合物を含有する溶液中に、配位子（例えば、オレイン酸および／またはオレイルアミン）を添加することができる。その場合、配位子がナノ結晶９１１の表面に配位し、中空粒子９１２とナノ結晶９１１との間に中間層９１３が形成される。かかる構成によれば、中間層９１３によって、ナノ結晶９１１の酸素、水分、熱等に対する安定性をさらに高めることができる。
配位子は、ナノ結晶９１１に含まれるカチオンに結合する結合性基を有する化合物が好ましい。結合性基としては、例えば、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、スルホン酸基およびボロン酸基のうちの少なくとも１種であることが好ましく、カルボキシル基およびアミノ基のうちの少なくとも１種であることがより好ましい。

かかる配位子としては、カルボキシル基またはアミノ基含有化合物等が挙げられ、これらの１種を単独で使用し、または２種以上を併用することができる。
カルボキシル基含有化合物としては、例えば、炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状の脂肪族カルボン酸が挙げられる。
かかるカルボキシル基含有化合物の具体例としては、例えば、アラキドン酸、クロトン酸、ｔｒａｎｓ−２−デセン酸、エルカ酸、３−デセン酸、ｃｉｓ−４，７，１０，１３，１６，１９−ドコサヘキサエン酸、４−デセン酸、ａｌｌ ｃｉｓ−５，８，１１，１４，１７−エイコサペンタエン酸、ａｌｌ ｃｉｓ−８，１１，１４−エイコサトリエン酸、ｃｉｓ−９−ヘキサデセン酸、ｔｒａｎｓ−３−ヘキセン酸、ｔｒａｎｓ−２−ヘキセン酸、２−ヘプテン酸、３−ヘプテン酸、２−ヘキサデセン酸、リノレン酸、リノール酸、γ−リノレン酸、３−ノネン酸、２−ノネン酸、ｔｒａｎｓ−２−オクテン酸、ペトロセリン酸、エライジン酸、オレイン酸、３−オクテン酸、ｔｒａｎｓ−２−ペンテン酸、ｔｒａｎｓ−３−ペンテン酸、リシノール酸、ソルビン酸、２−トリデセン酸、ｃｉｓ−１５−テトラコセン酸、１０−ウンデセン酸、２−ウンデセン酸、酢酸、酪酸、ベヘン酸、セロチン酸、デカン酸、アラキジン酸、ヘンエイコサン酸、ヘプタデカン酸、ヘプタン酸、ヘキサン酸、ヘプタコサン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、メリシン酸、オクタコサン酸、ノナデカン酸、ノナコサン酸、ｎ−オクタン酸、パルミチン酸、ペンタデカン酸、プロピオン酸、ペンタコサン酸、ノナン酸、ステアリン酸、リグノセリン酸、トリコサン酸、トリデカン酸、ウンデカン酸、吉草酸等が挙げられる。

アミノ基含有化合物としては、例えば、炭素原子数１〜３０の直鎖状または分岐状の脂肪族アミンが挙げられる。
かかるアミノ基含有化合物の具体例としては、例えば、１−アミノヘプタデカン、１−アミノノナデカン、ヘプタデカン−９−アミン、ステアリルアミン、オレイルアミン、２−ｎ−オクチル−１−ドデシルアミン、アリルアミン、アミルアミン、２−エトキシエチルアミン、３−エトキシプロピルアミン、イソブチルアミン、イソアミルアミン、３−メトキシプロピルアミン、２−メトキシエチルアミン、２−メチルブチルアミン、ネオペンチルアミン、プロピルアミン、メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、１−アミノデカン、ノニルアミン、１−アミノウンデカン、ドデシルアミン、１−アミノペンタデカン、１−アミノトリデカン、ヘキサデシルアミン、テトラデシルアミン等が挙げられる。

また、母粒子９１を作製する際に、ナノ結晶９１１の原料化合物を含有する溶液中に、反応性基を有する配位子（例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン）を添加することができる。この場合、図２に示すように、中空粒子９１２とナノ結晶９１１との間に位置し、ナノ結晶９１１の表面に配位した配位子で構成され、配位子の分子同士がシロキサン結合を形成している中間層９１３を有する母粒子９１とすることも可能である。かかる構成によれば、中間層９１３を介してナノ結晶９１１を中空粒子９１２により強固に固定することができる。なお、図中の黒丸は、ナノ結晶９１１の表面に存在する金属カチオン（例えば、Ｐｂカチオン）を意味する。
図２には、母粒子９１の他の構成例が示されている。図２に示す母粒子９１は、ＭサイトとしてＰｂカチオンを含むナノ結晶９１１の表面に、配位子として３−アミノプロピルトリメトキシシランを配位させて中間層９１３が形成されている。なお、図２も、中空粒子９１２において、細孔９１２ｂの記載を省略した。

反応性基を有する配位子は、ナノ結晶９１１に含まれるカチオンに結合する結合性基と、Ｓｉを含有し、シロキサン結合を形成する反応性基とを有する化合物が好ましい。なお、反応性基は、中空粒子９１２とも反応可能である。
結合性基としては、例えば、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、スルホン酸基、ボロン酸基等が挙げられる。中でも、結合性基としては、カルボキシル基およびアミノ基のうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらの結合性基は、反応性基よりもナノ結晶９１１に含まれるカチオンに対する親和性（反応性）が高い。このため、配位子は、結合性基をナノ結晶９１１側にして配位し、より容易かつ確実に中間層９１３を形成することができる。
一方、反応性基としては、シロキサン結合が容易に形成されることから、シラノール基、炭素原子数が１〜６のアルコキシシリル基のような加水分解性シリル基が好ましい。

かかる配位子としては、カルボキシル基またはアミノ基含有ケイ素化合物等が挙げられ、これらの１種を単独で使用し、または２種以上を併用することができる。
カルボキシル基含有ケイ素化合物の具体例としては、例えば、トリメトキシシリルプロピル酸、トリエトキシシリルプロピル酸、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］−Ｎ’−カルボキシメチルエチレンジアミン、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］フタルアミド、Ｎ−［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−三酢酸等が挙げられる。

一方、アミノ基含有ケイ素化合物の具体例としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジイソプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノイソブチルジメチルメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−１１−アミノウンデシルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルシラントリオール、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェニルトリイソプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェニルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルメチルジメトキシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−Ｎ−γ−（Ｎ−ビニルベンジル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ジ（ビニルベンジル）アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ジ（ビニルベンジル）アミノエチル）−Ｎ−γ−（Ｎ−ビニルベンジル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、メチルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ジメチルベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ベンジルアミノエチルアミノプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−フェニル）アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノエチル）フェネチルトリイソプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリプロポキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリイソプロポキシシラン、Ｎ−［２−［３−（トリメトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、Ｎ−［２−［３−（トリエトキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、Ｎ−［２−［３−（トリプロポキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン、Ｎ−［２−［３−（トリイソプロポキシシリル）プロピルアミノ］エチル］エチレンジアミン等が挙げられる。

＜インク組成物の調製方法＞
以上のようなインク組成物は、発光粒子９０を、光重合性化合物および光重合開始剤等を混合した溶液中に分散させて調製することができる。
発光粒子９０の分散には、例えば、ボールミル、サンドミル、ビーズミル、３本ロールミル、ペイントコンディショナー、アトライター、分散攪拌機、超音波等の分散機を使用することにより行うことができる。

本発明に用いるインク組成物の粘度は、インクジェット印刷時の吐出安定性の観点から、２〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましく、５〜１５ｍＰａ・ｓの範囲であることがより好ましく、７〜１２ｍＰａ・ｓの範囲であることがさらに好ましい。この場合、吐出ヘッドのインク吐出孔におけるインク組成物のメニスカス形状が安定するため、インク組成物の吐出制御（例えば、吐出量及び吐出のタイミングの制御）が容易となる。また、インク吐出孔からインク組成物を円滑に吐出させることができる。なお、インク組成物の粘度は、例えば、Ｅ型粘度計によって測定することができる。
また、インク組成物の表面張力は、インクジェット印刷法に適した表面張力であることが好ましい。表面張力の具体的な値は、２０〜４０ｍＮ／ｍの範囲であることが好ましく、２５〜３５ｍＮ／ｍの範囲であることがより好ましい。表面張力を前記範囲に設定することにより、インク組成物の液滴の飛行曲がりの発生を抑制することができる。なお、飛行曲がりとは、インク組成物をインク吐出孔から吐出させたとき、インク組成物の着弾位置が目標位置に対して３０μｍ以上のズレることをいう。

＜発光素子＞
図３は、本発明の発光素子の一実施形態を示す断面図、図４および図５は、それぞれアクティブマトリックス回路の構成を示す概略図である。
なお、図３では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。
以下では、説明の都合上、図３の上側を「上側」または「上方」と、上側を「下側」または「下方」と言う。また、図３では、図面が煩雑になることを避けるため、断面を示すハッチングの記載を省略している。

図３に示すように、発光素子１００は、下基板１と、下基板１上に配置されたＥＬ光源部２００と、ＥＬ光源部２００上に配置され、発光粒子９０を含む光変換層（発光層）９と、光変換層９上にオーバーコート層１０を介して配置された上基板１１とを有している。また、ＥＬ光源部２００は、陽極２と、陰極８と、陽極２と陰極８との間に配置されたＥＬ層１２とを備えている。
図３に示すＥＬ層１２は、陽極２側から順次積層された正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６および電子注入層７を含む。
かかる発光素子１００は、ＥＬ光源部２００（ＥＬ層１２）から発せられた光が光変換層９に入射し、この光を発光粒子９０が吸収し、その発光色に応じた色の光を発するフォトルミネッセンス素子である。
以下、各層について順次説明する。

＜＜下基板１および上基板１１＞＞
下基板１および上基板１１は、それぞれ発光素子１００を構成する各層を支持および／または保護する機能を有する。
発光素子１００がトップエミッション型である場合、上基板１１が透明基板で構成される。一方、発光素子１００がボトムエミッション型である場合、下基板１が透明基板で構成される。
ここで、透明基板とは、可視光領域の波長の光を透過可能な基板を意味し、透明には、無色透明、着色透明、半透明が含まれる。

透明基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、鉄、ステンレス、アルミニウム、銅等で構成される金属基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
また、発光素子１００に可撓性を付与する場合には、下基板１および上基板１１には、それぞれ、プラスチック基板（高分子材料を主材料として構成された基板）、比較的厚さの小さい金属基板が選択される。

下基板１および上基板１１の厚さは、それぞれ特に限定されないが、１００〜１，０００μｍの範囲であることが好ましく、３００〜８００μｍの範囲であることがより好ましい。
なお、発光素子１００の使用形態に応じて、下基板１および上基板１１のいずれか一方または双方を省略することもできる。

図４に示すように、下基板１上には、Ｒ、Ｇ、Ｂで示される画素電極ＰＥを構成する陽極２への電流の供給を制御する信号線駆動回路Ｃ１および走査線駆動回路Ｃ２と、これらの回路の作動を制御する制御回路Ｃ３と、信号線駆動回路Ｃ１に接続された複数の信号線７０６と、走査線駆動回路Ｃ２に接続された複数の走査線７０７とを備えている。
また、各信号線７０６と各走査線７０７との交差部近傍には、図５に示すように、コンデンサ７０１と、駆動トランジスタ７０２と、スイッチングトランジスタ７０８とが設けられている。

コンデンサ７０１は、一方の電極が駆動トランジスタ７０２のゲート電極に接続され、他方の電極が駆動トランジスタ７０２のソース電極に接続されている。
駆動トランジスタ７０２は、ゲート電極がコンデンサ７０１の一方の電極に接続され、ソース電極がコンデンサ７０１の他方の電極および駆動電流を供給する電源線７０３に接続され、ドレイン電極がＥＬ光源部２００の陽極４に接続されている。

スイッチングトランジスタ７０８は、ゲート電極が走査線７０７に接続され、ソース電極が信号線７０６に接続され、ドレイン電極が駆動トランジスタ７０２のゲート電極に接続されている。
また、本実施形態において、共通電極７０５は、ＥＬ光源部２００の陰極８を構成している。
なお、駆動トランジスタ７０２およびスイッチングトランジスタ７０８は、例えば、薄膜トランジスタ等で構成することができる。

走査線駆動回路Ｃ２は、走査線７０７を介して、スイッチングトランジスタ７０８のゲート電極に走査信号に応じた走査電圧を供給または遮断し、スイッチングトランジスタ７０８のオンまたはオフする。これにより、走査線駆動回路Ｃ２は、信号線駆動回路Ｃ１が信号電圧を書き込むタイミングを調整する。
一方、信号線駆動回路Ｃ１は、信号線７０６およびスイッチングトランジスタ７０８を介して、駆動トランジスタ７０２のゲート電極に映像信号に応じた信号電圧を供給または遮断し、ＥＬ光源部２００に供給する信号電流の量を調整する。

したがって、走査線駆動回路Ｃ２から走査電圧がスイッチングトランジスタ７０８のゲート電極に供給され、スイッチングトランジスタ７０８がオンすると、信号線駆動回路Ｃ１から信号電圧がスイッチングトランジスタ７０８のゲート電極に供給される。
このとき、この信号電圧に対応したドレイン電流が電源線７０３から信号電流としてＥＬ光源部２００に供給される。その結果、ＥＬ光源部２００は、供給される信号電流に応じて発光する。

＜＜ＥＬ光源部２００＞＞
［陽極２］
陽極２は、外部電源から発光層５に向かって正孔を供給する機能を有する。
陽極２の構成材料（陽極材料）としては、特に限定されないが、例えば、金（Ａｕ）のような金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）のようなハロゲン化金属、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のような金属酸化物等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

陽極２の厚さは、特に制限されないが、１０〜１，０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
陽極２は、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。この際、フォトリソグラフィー法やマスクを用いた方法により、所定のパターンを有する陽極２を形成してもよい。

［陰極８］
陰極８は、外部電源から発光層５に向かって電子を供給する機能を有する。
陰極８の構成材料（陰極材料）としては、特に限定されないが、例えば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、銀、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、希土類金属等が挙げられる。これらは、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

陰極８の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１，０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１〜２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
陰極３は、例えば、蒸着法やスパッタリング法のような乾式成膜法により形成することができる。

［正孔注入層３］
正孔注入層３は、陽極２から供給された正孔を受け取り、正孔輸送層４に注入する機能を有する。なお、正孔注入層３は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。

正孔注入層３の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン化合物；４，４’，４’’−トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミンのようなトリフェニルアミン誘導体；１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタンのようなシアノ化合物；酸化バナジウム、酸化モリブデンのような金属酸化物；アモルファスカーボン；ポリアニリン（エメラルディン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリピロールのような高分子等が挙げられる。

これらの中でも、正孔注入材料としては、高分子であることが好ましく、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳであることがより好ましい。
また、上述の正孔注入材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

正孔注入層３の厚さは、特に限定されないが、０．１〜５００ｍｍの範囲であることが好ましく、１〜３００ｎｍの範囲であることがより好ましく、２〜２００ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
正孔注入層３は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔注入層４は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。

正孔注入層３を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔注入材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔注入層３を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。

［正孔輸送層４］
正孔輸送層４は、正孔注入層３から正孔を受け取り、発光層６まで効率的に輸送する機能を有する。また、正孔輸送層４は、電子の輸送を防止する機能を有していてもよい。なお、正孔輸送層４は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。

正孔輸送層４の構成材料（正孔輸送材料）としては、特に限定されないが、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）のような低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］（ｐｏｌｙ−ＴＰＡ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ−（４，４’−（Ｎ−（ｓｅｃ−ブチルフェニル）ジフェニルアミン））（ＴＦＢ）、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）のような共役系化合物重合体；およびこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。

これらの中でも、正孔輸送材料としては、トリフェニルアミン誘導体、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることが好ましく、置換基が導入されたトリフェニルアミン誘導体を重合することにより得られた高分子化合物であることがより好ましい。
また、上述の正孔輸送材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

正孔輸送層４の厚さは、特に限定されないが、１〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、５〜３００ｎｍの範囲であることがより好ましく、１０〜２００ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
正孔輸送層４は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような正孔輸送層４は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。

正孔輸送層４を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の正孔輸送材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、正孔輸送層４を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等を好適に用いることができる。

［電子注入層７］
電子注入層７は、陰極８から供給された電子を受け取り、電子輸送層６に注入する機能を有する。なお、電子注入層７は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。

電子注入層７の構成材料（電子注入材料）としては、特に制限されないが、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯのようなアルカリ金属カルコゲナイド；ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅのようなアルカリ土類金属カルコゲナイド；ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌのようなアルカリ金属ハライド；８−ヒドロキシキノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）のようなアルカリ金属塩；ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２のようなアルカリ土類金属ハライド等が挙げられる。

これらの中でも、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属ハライド、アルカリ金属塩であることが好ましい。
また、上述の電子注入材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

電子注入層７の厚さは、特に限定されないが、０．１〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、０．２〜５０ｎｍの範囲であることがより好ましく、０．５〜１０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
電子注入層７は、単層構成であっても、２層以上が積層された積層構成であってもよい。
このような電子注入層７は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。

電子注入層７を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の電子注入材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子注入層７を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用されうる。

［電子輸送層８］
電子輸送層８は、電子注入層７から電子を受け取り、発光層５まで効率的に輸送する機能を有する。また、電子輸送層８は、正孔の輸送を防止する機能を有していてもよい。なお、電子輸送層８は、必要に応じて設けるようにすればよく、省略することもできる。

電子輸送層８の構成材料（電子輸送材料）としては、特に制限されないが、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム（ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（Ｚｎｑ）のようなキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＯＸ）２）のようなベンズオキサゾリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）のようなベンゾチアゾリン骨格を有する金属錯体；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（ＣＯ１１）のようなトリまたはジアゾール誘導体；２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）のようなイミダゾール誘導体；キノリン誘導体；ペリレン誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）のようなピリジン誘導体；ピリミジン誘導体；トリアジン誘導体；キノキサリン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；ニトロ置換フルオレン誘導体；酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ_２）のような金属酸化物等が挙げられる。

これらの中でも、電子輸送材料としては、イミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、金属酸化物（無機酸化物）であることが好ましい。
また、上述の電子輸送材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
電子輸送層７の厚さは、特に限定されないが、５〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、５〜２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。
電子輸送層６は、単層であっても、２以上が積層されたものであってもよい。
このような電子輸送層７は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。

電子輸送層６を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の電子輸送材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、電子輸送層６を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用され得る。

［発光層５］
発光層５は、発光層５に注入された正孔および電子の再結合により生じるエネルギーを利用して発光を生じさせる機能を有する。
発光層５は、発光材料（ゲスト材料またはドーパント材料）およびホスト材料を含むことが好ましい。この場合、ホスト材料と発光材料との質量比は、特に制限されないが、１０：１〜３００：１の範囲であることが好ましい。
発光材料には、一重項励起エネルギーを光に変換可能な化合物または三重項励起エネルギーを光に変換可能な化合物を使用することができる。
また、発光材料としては、有機低分子蛍光材料、有機高分子蛍光材料および有機燐光材料からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

一重項励起エネルギーを光に変換可能な化合物としては、蛍光を発する有機低分子蛍光材料または有機高分子蛍光材料が挙げられる。
有機低分子蛍光材料としては、アントラセン構造、テトラセン構造、クリセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造、スチルベン構造、アクリドン構造、クマリン構造、フェノキサジン構造またはフェノチアジン構造を有する化合物が好ましい。
有機低分子蛍光材料の具体例としては、例えば、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−ピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン、クマリン６、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル、５，１０，１５，２０−テトラフェニルビスベンゾ［５，６］インデノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン等が挙げられる。

有機高分子蛍光材料の具体例としては、例えば、フルオレン誘導体に基づく単位からなるホモポリマー、フルオレン誘導体に基づく単位とテトラフェニルフェニレンジアミン誘導体に基づく単位とからなるコポリマー、タ―フェニル誘導体に基づく単位からなるホモポリマー、ジフェニルベンゾフルオレン誘導体に基づく単位からなるホモポリマー等が挙げられる。

三重項励起エネルギーを光に変換可能な化合物としては、燐光を発する有機燐光材料が好ましい。
有機燐光材料の具体例としては、例えば、イリジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウム、パラジウム、銀、金、アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む金属錯体が挙げられる。
中でも、有機燐光材料としては、イリジウム、ロジウム、白金、ルテニウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、ガドリニウムおよびパラジウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む金属錯体が好ましく、イリジウム、ロジウム、白金およびルテニウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属原子を含む金属錯体がより好ましく、イリジウム錯体または白金錯体がさらに好ましい。

ホスト材料としては、発光材料のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する化合物の少なくとも１種を使用することが好ましい。さらに、発光材料が燐光材料である場合、ホスト材料としては、発光材料の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい化合物を選択することが好ましい。

ホスト材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（III）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（III）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（II）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（III）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（II）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（II）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（II）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）、バソフェナントロリン、バソキュプロイン、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９，１０−ジフェニルアントラセン、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ビフェニル−４’−イル｝アントラセン、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン、５，１２−ジフェニルテトラセンまたは５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセン等が挙げられる。これらのホスト材料は、１種を単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。

発光層５の厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、１〜５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。
このような発光層５は、湿式成膜法または乾式成膜法により形成することができる。
発光層５を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の発光材料およびホスト材料を含有するインクを各種塗布法により塗布し、得られた塗膜を乾燥する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
一方、発光層５を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スパッタリング法等が適用され得る。

なお、ＥＬ光源部２００は、さらに、例えば、正孔注入層３、正孔輸送層４および発光層５を区画するバンク（隔壁）を有していてもよい。
バンクの高さは、特に限定されないが、０．１〜５μｍの範囲であることが好ましく、０．２〜４μｍの範囲であることがより好ましく、０．２〜３μｍの範囲であることがさらに好ましい。

バンクの開口の幅は、１０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、３０〜２００μｍの範囲であることがより好ましく、５０〜１００μｍの範囲であることがさらに好ましい。
バンクの開口の長さは、１０〜４００μｍの範囲であることが好ましく、２０〜２００μｍの範囲であることがより好ましく、５０〜２００μｍの範囲であることがさらに好ましい。
また、バンクの傾斜角度は、１０〜１００°の範囲であることが好ましく、１０〜９０°の範囲であることがより好ましく、１０〜８０°の範囲であることがさらに好ましい。

＜＜光変換層９＞＞
光変換層９は、図３に示すように、赤色発光性の発光粒子９０を含む赤色（Ｒ）光変換画素部（ＮＣ−Ｒｅｄ）と、緑色発光性の発光粒子９０を含む用ナノ結晶を含む緑色（Ｇ）光変換画素部（ＮＣ−Ｇｒｅｅｎ）と、青色発光性の発光粒子９０を含む青色（Ｂ）光変換画素部（ＮＣ−Ｂｌｕｅ）とを備えている。
かかる構成の光変換層９において、対応するＥＬ層１２から発せられた光が光変換画素部（ＮＣ−Ｒｅｄ、ＮＣ−Ｇｒｅｅｎ、ＮＣ−Ｂｌｕｅ）に入射すると、発光性のナノ結晶９０により赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかに発光スペクトルを有する光に変換される。すなわち、光変換層９は、発光層とも言える。

また、赤色光変換画素部（ＮＣ−Ｒｅｄ）と、緑色光変換画素部（ＮＣ−Ｇｒｅｅｎ）と、青色光変換画素部（ＮＣ−Ｂｌｕｅ）との間には、遮光部としてブラックマトリックスＢＭが配置されている。
なお、赤色光変換画素部（ＮＣ−Ｒｅｄ）と、緑色光変換画素部（ＮＣ−Ｇｒｅｅｎ）および青色光変換画素部（ＮＣ−Ｂｌｕｅ）には、それぞれの色に対応した色材を含んでもよい。
光変換層９の厚さは、特に限定されないが、１〜３０μｍの範囲であることが好ましく、３〜２０μｍの範囲であることがより好ましい。

このような光変換層９は、湿式成膜法により形成することができ、本発明のインク組成物を各種塗布法により供給し、得られた塗膜を乾燥した後、必要に応じて、活性エネルギー線（例えば、紫外線）の照射により硬化させて形成することができる。
塗布法としては、特に限定されないが、例えば、インクジェット印刷法（ピエゾ方式またはサーマル方式の液滴吐出法）、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、凸版印刷法、
グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。ここで、ノズルプリント印刷法とは、インク組成物をノズル孔から液柱としてストライプ状に塗布する方法である。
中でも、塗布法としては、インクジェット印刷法（特に、ピエゾ方式の液滴吐出法）が好ましい。これにより、インク組成物を吐出する際の熱負荷を小さくすることができ、発光粒子９０（ナノ結晶９１）自体に不具合が発生し難い。

インクジェット印刷法の条件は、次のように設定することが好ましい。
インク組成物の吐出量は、特に限定されないが、１〜５０ｐＬ／回であることが好ましく、１〜３０ｐＬ／回であることがより好ましく、１〜２０ｐＬ／回であることがさらに好ましい。
また、ノズル孔の開口径は、５〜５０μｍの範囲であることが好ましく、１０〜３０μｍの範囲であることがより好ましい。これにより、ノズル孔の目詰まりを防止しつつ、インク組成物の吐出精度を高めることができる。

塗膜を形成する際の温度は、特に限定されないが、１０〜５０℃の範囲であることが好ましく、１５〜４０℃の範囲であることがより好ましく、１５〜３０℃の範囲であることがさらに好ましい。かかる温度で液滴を吐出するようにすれば、インク組成物中に含まれる各種成分の結晶化を抑制することができる。
また、塗膜を形成する際の相対湿度も、特に限定されないが、０．０１ｐｐｍ〜８０％の範囲であることが好ましく、０．０５ｐｐｍ〜６０％の範囲であることがより好ましく、０．１ｐｐｍ〜１５％の範囲であることがさらに好ましく、１ｐｐｍ〜１％の範囲であることが特に好ましく、５〜１００ｐｐｍの範囲であることが最も好ましい。相対湿度が上記下限値以上であると、塗膜を形成する際の条件の制御が容易となる。一方、相対湿度が上記上限値以下であると、得られる光変換層９に悪影響を及ぼし得る塗膜に吸着する水分量を低減することができる。

得られた塗膜の乾燥は、室温（２５℃）で放置して行っても、加熱することにより行ってもよい。
乾燥を加熱により行う場合、乾燥温度は、特に限定されないが、４０〜１５０℃の範囲であることが好ましく、４０〜１２０℃の範囲であることがより好ましい。
また、乾燥は、減圧下で行うことが好ましく、０．００１〜１００Ｐａの減圧下で行うことがより好ましい。
さらに、乾燥時間は、１〜９０分間であることが好ましく、１〜３０分間であることがより好ましい。
このような乾燥条件で塗膜を乾燥することにより、分散媒のみならず、分散剤等も確実に塗膜中から除去され、得られる光変換層９の外部量子効率をより向上させることができる。

インク組成物を活性エネルギー線（例えば、紫外線）の照射により硬化させる場合、照射源（光源）としては、例えば、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＬＥＤ等が使用される。
照射する光の波長は、２００ｎｍ以上であることが好ましく、４４０ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、光の照射量（露光量）は、１０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることが好ましく、４０００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることがより好ましい。

＜＜オーバーコート層１０＞＞
オーバーコート層１０は、光変換層９を保護するとともに、上基板１１を光変換層９に接着する機能を有している。
本実施形態の発光素子１００は、トップエミッション型であるため、オーバーコート層１０は透明性（光透過性）を有することが好ましい。
かかるオーバーコート層１０の構成材料としては、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤等が好適に使用される。
オーバーコート層１０の厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、１〜５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。

発光素子１００は、トップエミッション型に代えて、ボトムエミッション型として構成することもできる。
また、発光素子１００は、ＥＬ光源部２００に代えて、他の光源を使用することもできる。
さらに、発光素子１００は、フォトルミネッセンス素子に代えて、エレクトロルミネッセンス素子として構成することもできる。この場合、図３に示す素子構成において、光変換層９を省略し、発光層５を光変換層９で構成すればよい。

以上、本発明の発光粒子の製造方法、発光粒子、発光粒子分散体、インク組成物および発光素子について説明したが、本発明は、上述した実施形態の構成に限定されるものではない。
例えば、本発明の発光粒子、発光粒子分散体、インク組成物および発光素子は、それぞれ、上述した実施形態の構成において、他の任意の構成を追加して有していてもよいし、同様の機能を発揮する任意の構成と置換されていてよい。
また、本発明の発光粒子の製造方法は、上述した実施形態の構成において、他の任意の目的の工程を有していてもよいし、同様の効果を発揮する任意の工程と置換されていてよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
１．母粒子の作製
（母粒子１）
まず、中空シリカ粒子（日鉄鉱業株式会社製、「ＳｉｌｉＮａｘ ＳＰ−ＰＮ（ｂ）」）を１５０℃で８時間減圧乾燥した。次いで、２００．０質量部の乾燥させた中空シリカ粒子を桐山ロートに秤取した。なお、中空シリカ粒子の平均外径は８０〜１３０ｎｍであり、平均内径は５０〜１２０ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子１（２１２．７質量部）を得た。

（母粒子２）
特開２０１４−７６９３５号公報の実施例１に記載の方法によって、中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は１１ｎｍであり、平均内径は３．５ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子２（２０３．５質量部）を得た。

（母粒子３）
特開２０１４−７６９３５号公報の実施例２に記載の方法によって、中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は１１ｎｍであり、平均内径は３．５ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子３（２０９．０質量部）を得た。

（母粒子４）
特開２０１４−７６９３５号公報の実施例３に記載の方法によって、中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は５０ｎｍであり、平均内径は３．５ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子４（２００．４質量部）を得た。

（母粒子５）
特開２０１４−７６９３５号公報の実施例４に記載の方法によって、紐状の中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は１５ｎｍであり、平均内径は４．０ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に３３．６質量部のメチルアミン臭化水素酸塩、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および１０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、メチルアンモニウム三臭化鉛溶液を得た。
次に、得られたメチルアンモニウム三臭化鉛溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰なメチルアンモニウム三臭化鉛溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１２０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型のメチルアンモニウム三臭化鉛結晶を紐状の中空シリカ粒子に内包した母粒子５（２１０．４質量部）を得た。

（母粒子６）
特表２０１０−５０２７９５号公報の実施例１に記載の方法によって、コア−シェル型シリカナノ粒子を製造した。得られたコア−シェル型シリカナノ粒子をアルミナるつぼに加え、電気炉内で焼成した。炉内温度は、５時間かけて６００℃まで上げ、その温度にて３時間保持した。これを自然冷却することによって、中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は３５ｎｍであり、平均内径は１５ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子６（２１５．５質量部）を得た。

（母粒子７）
特表２０１０−５０２７９５号公報の実施例２に記載の方法によって、コア−シェル型シリカナノ粒子を製造した。得られたコア−シェル型シリカナノ粒子をアルミナるつぼに加え、電気炉内で焼成した。炉内温度は、５時間かけて６００℃まで上げ、その温度に
て３時間保持した。これを自然冷却することによって、中空シリカ粒子を製造した。なお、得られた中空シリカ粒子の平均外径は３２ｎｍであり、平均内径は１０ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に６３．９質量部の臭化セシウム、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および３０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を中空シリカ粒子に添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を中空シリカ粒子に内包した母粒子７（２１２．３質量部）を得た。

（母粒子８）
まず、六角柱状シリカ（シグマアルドリッチ社製、「ＭＳＵ−Ｈ」）を１５０℃で８時間減圧乾燥した。次いで、２００．０質量部の乾燥させた六角柱状シリカを桐山ロートに秤取した。なお、六角柱状シリカの貫通孔の平均内径は７．１ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に２１．３質量部の臭化セシウム、３６．７質量部の臭化鉛（II）および１０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、三臭化鉛セシウム溶液を得た。
次に、得られた三臭化鉛セシウム溶液を六角柱状シリカに添加し、含浸させた。
次に、過剰な三臭化鉛セシウム溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１５０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶を六角柱状シリカの貫通孔に保持した母粒子８（１３６．８質量部）を得た。

（母粒子９）
まず、六角柱状シリカ（シグマアルドリッチ社製、「ＭＳＵ−Ｈ」）を１５０℃で８時間減圧乾燥した。次いで、２００．０質量部の乾燥させた六角柱状シリカを桐山ロートに秤取した。なお、六角柱状シリカの貫通孔の平均内径は７．１ｎｍであった。
次に、アルゴン雰囲気下、反応容器に３３．６質量部のメチルアミン臭化水素酸塩、１１０．１質量部の臭化鉛（II）および１０００質量部のＮ−メチルホルムアミドを供給し、５０℃で３０分間撹拌することにより、メチルアンモニウム三臭化鉛溶液を得た。
次に、得られたメチルアンモニウム三臭化鉛溶液を六角柱状シリカに添加し、含浸させた。
次に、過剰なメチルアンモニウム三臭化鉛溶液をろ過により除去し、固形物を回収した。
その後、得られた固形物を１２０℃で１時間減圧乾燥することにより、ペロブスカイト型のメチルアンモニウム三臭化鉛結晶を六角柱状シリカの貫通孔に保持した母粒子９（２４５．２質量部）を得た。

２．発光粒子の製造
（実施例１）
まず、温度計、攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた四つ口フラスコに、１９０質量部のヘプタンを供給し、８５℃に昇温した。
次に、同温度に到達した後、６６．５質量部のラウリルメタクリレート、３．５質量部のジメチルアミノエチルメタクリレートおよび０．５質量部のジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）を２０質量部のヘプタンに溶解した混合物を、上記四つ口フラスコのへプタンに３．５時間かけて滴下し、滴下終了後も、同温度に１０時間保持し、反応を継続した。
反応液の温度を５０℃に降温した後、０．０１質量部のｔ−ブチルピロカテコールを１．０質量部のヘプタンに溶解した溶液を添加し、さらに１．０質量部のグリシジルメタクリレートを添加した後、８５℃まで昇温し、同温度で５時間反応を継続した。これにより、重合体（Ｐ）を含有する溶液を得た。
なお、溶液中に含まれる不揮発分（ＮＶ）の量は２５．１質量％であり、重合体（Ｐ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は１０，０００であった。

次いで、温度計、攪拌機、還流冷却器および窒素ガス導入管を備えた四つ口フラスコに、２６質量部のヘプタン、３質量部の母粒子１および３．６質量部の重合体（Ｐ）を供給した。
さらに、０．２質量部のエチレングリコールジメタクリレート、０．４質量部のメチルメタクリレートおよび０．１２質量部のジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）を上記四つ口フラスコに供給した。
その後、上記四つ口フラスコ内の混合液を、室温で３０分間攪拌した後、８０℃に昇温し、同温度で１５時間反応を継続した。反応終了後、母粒子１に吸着しなかったポリマーを遠心分離により分離し、ついで、沈降した発光粒子をヘプタンに分散することで、発光粒子１のヘプタン溶液を得た。透過型電子顕微鏡で観察したところ、母粒子表面に厚み約１０ｎｍのポリマー層が形成されていた。

（実施例２）
母粒子１に代えて母粒子２を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子２のヘプタン溶液を得た。
（実施例３）
母粒子１に代えて母粒子３を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子３のヘプタン溶液を得た。
（実施例４）
母粒子１に代えて母粒子４を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子４のヘプタン溶液を得た。
（実施例５）
母粒子１に代えて母粒子５を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子５のヘプタン溶液を得た。

（実施例６）
母粒子１に代えて母粒子６を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子６のヘプタン溶液を得た。
（実施例７）
母粒子１に代えて母粒子７を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子７のヘプタン溶液を得た。
（比較例１）
母粒子１に代えて母粒子８を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子８のヘプタン溶液を得た。
（比較例２）
母粒子１に代えて母粒子９を使用した以外は、実施例１と同様にして、発光粒子９のヘプタン溶液を得た。

（比較例３）
まず、温度計、攪拌機、セプタムおよび窒素ガス導入管を備えた四つ口フラスコに、０．８１４質量部の炭酸セシウム、４０質量部のオクタデセンおよび２．５質量部のオレイン酸を供給し、窒素雰囲気下、１５０℃で均一な溶液になるまで加熱撹拌した。全て溶解させた後、１００℃まで冷却することによって、オレイン酸セシウム溶液を得た。
次に、温度計、攪拌機、セプタムおよび窒素ガス導入管を備えた四つ口フラスコに、０．０６９質量部の臭化鉛（II）および５質量部のオクタデセンを供給し、窒素雰囲気下、１２０℃で１時間加熱撹拌した。さらに、０．５質量部のオレイルアミンおよび０．５質量部のオレイン酸を供給し、窒素雰囲気下、１６０℃で均一な溶液となるまで加熱撹拌した。
次に、０．４重量部のオレイン酸セシウム溶液を供給し、１６０℃で５秒間撹拌した後、反応容器を氷冷した。得られた反応液を遠心分離によって分離し、上澄み液を除去することによって、オレイン酸およびオレイルアミンが配位したペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶０．４５質量部を得た。
得られたオレイン酸およびオレイルアミンが配位したペロブスカイト型の三臭化鉛セシウム結晶０．２質量部を、ヘプタン２質量部に添加し分散させることによってヘプタン溶液を得た。

（比較例４）
まず、温度計、攪拌機、セプタムおよび窒素ガス導入管を備えた四つ口フラスコに、１．４７質量部の臭化鉛（II）、０．４５質量部のメチルアミン臭化水素酸塩、１質量部のオレイルアミン、１質量部のオレイン酸および１００質量部のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを供給して溶解させた。
次に、激しく撹拌子ながら、得られた溶液をトルエン２０００質量部に添加した。得られた反応液を遠心分離によって分離し、上澄み液を除去することによって、オレイン酸およびオレイルアミンが配位したペロブスカイト型のメチルアンモニウム臭化鉛結晶１．２質量部を得た。
得られたオレイン酸およびオレイルアミンが配位したペロブスカイト型のメチルアンモニウム臭化鉛結晶０．２質量部を、ヘプタン２質量部に添加し分散させることによってヘプタン溶液を得た。

３．発光粒子分散体の評価
３−１．量子収率保持率
各実施例および各比較例で得られたヘプタン溶液の量子収率を、絶対ＰＬ量子収率測定装置（浜松ホトニクス株式会社製、「Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ」）で測定した。各ヘプタン溶液の量子収率保持率（調製後大気下で１０日静置した後の量子収率を、調製直後の量子収率で除した値）を算出した。
なお、量子収率保持率が高いほど、発光粒子の酸素ガスおよび水蒸気に対する安定性が高いことを意味する。

３−２．分散安定性
各実施例および各比較例で得られたヘプタン溶液を大気下で１０日間放置した後、沈殿物の有無を確認し、以下の基準に従って評価した。
Ａ：沈殿物が全く生じていない。
Ｂ：沈殿物がごくわずかに生じてる。
Ｃ：沈殿物がやや多く生じている。
これらの結果を、以下の表１にまとめて示す。

表１の結果から、本発明の製造方法によって製造された発光粒子は酸素ガスおよび水蒸気に対する安定性が高く、ヘプタンに対する分散安定性が高いことがわかる。

４．インク組成物および光変換層
＜発光粒子／光重合性化合物分散体の調製＞
（調製例１）
実施例１で得られたヘプタン溶液からロータリーエバポレーターによりヘプタンを除去し、次いで、光重合性化合物であるラウリルアクリレート（共栄社化学製）を混合し、ロータリーエバポレーターにて攪拌することにより、発光粒子／光重合性化合物分散体１（発光粒子１の含有量：５０質量％）を得た。
＜光散乱性粒子分散体の調製＞
まず、５５質量部の酸化チタン粒子（テイカ株式会社製、「ＪＲ−８０６」）と、２質量部の高分子分散剤（ビックケミー社製、「アジスパーＰＢ−８２１」）と、４５質量部の光重合性化合物である１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（共栄社化学株式会社製）と、０．０３質量部の重合禁止剤である４−メトキシフェノール（精工化学株式会社製、「メトキノン」）とを配合した。なお、酸化チタン粒子の平均粒子径（体積平均径）は３００ｎｍである。
次に、得られた配合物にジルコニアビーズ（直径：０．３ｍｍ）を加えた後、ペイントコンディショナーを用いて２時間振とうさせることで配合物の分散処理を行った。これにより光散乱性粒子分散体１を得た。

（実施例８）
まず、２７．５質量部の光重合性化合物である１，６−ヘキサンジオールジアクリレート」を、３質量部の光重合開始剤（ＩＧＭ Ｒｅｓｉｎ社製、「Ｏｍｎｉｒａｄ ＴＰＯ」）および０．５質量部の酸化防止剤（城北化学工業株式会社製、「ＪＰＥ−１０」）に混合し、室温で攪拌することにより均一溶解した。
得られた溶液に、さらに、６５質量部の発光粒子／光重合性化合物分散体１および４質量部の光散乱性粒子分散体１を混合し、室温にて攪拌して均一分散させた。
次いで、得られた分散液を孔径５μｍのフィルターでろ過することにより、インク組成物１を得た。

次に、得られたインク組成物１を、ガラス基板（コーニング社製、「ＥａｇｌｅＸＧ」）上に、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように、スピンコーターにて塗布した。
得られた膜に窒素雰囲気下でＬＥＤランプ波長３６５ｎｍの紫外光を２０００ｍＪ／ｃｍ^２の露光量で照射した。これにより、インク組成物１を硬化させて、ガラス基板上にインク組成物の硬化物からなる層（光変換層１）を形成した。

（実施例９〜１４）
実施例１で得られたヘプタン溶液に代えて、実施例２〜７で得られたヘプタン溶液を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、インク組成物２〜７を得た。このインク組成物２〜７を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、光変換層２〜７を得た。
（比較例５〜８）
実施例１で得られたヘプタン溶液に代えて、比較例１〜４で得られたヘプタン溶液を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、インク組成物Ｃ１〜Ｃ４を得た。このインク組成物Ｃ１〜Ｃ４を用いたこと以外は、実施例８と同様にして、光変換層ｃ１〜ｃ４を得た。

５．インク組成物および光変換層の評価
上記で得られたインク組成物および光変換層について、以下の手順で吐出安定性、外部量子効率保持率および表面平滑性の評価を行った。
５−１．インク組成物の吐出安定性
インクジェットプリンター（富士フィルムＤｉｍａｔｉｘ社製、「ＤＭＰ−２８３１」）を用いて、インク組成物を１０分間連続で吐出させ、以下の基準に従って評価した。
なお、本インクジェットプリンターのインクを吐出するヘッド部には１６個のノズルが形成されており、１ノズル当たり、吐出一回あたりのインク組成物の使用量は１０ｐＬとした。
Ａ：連続吐出可能（１６個のノズル中、１０ノズル以上で連続吐出可能）
Ｂ：連続吐出不可（１６個のノズル中、連続吐出可能なノズル数が９ノズル以下）
Ｃ：吐出不可

５−２．光変換層の外部量子効率保持率
得られた光変換層の形成直後および大気下で１０日保管した後の外部量子効率を、以下のようにして測定し、光変換層の外部量子効率保持率（光変換層の形成１０日後の外部量子効率を、光変換層の形成直後の外部量子効率で除した値）を算出した。
面発光光源として青色ＬＥＤ（ピーク発光波長４５０ｎｍ；シーシーエス株式会社製）を用い、この光源上にガラス基板側を下側にして光変換層を設置した。
放射分光光度計（大塚電子株式会社製、「ＭＣＰＤ−９８００」）に積分球を接続し、青色ＬＥＤ上に設置した光変換層上に積分球を近接させた。この状態で青色ＬＥＤを点灯させ、励起光および光変換層の発光（蛍光）の量子数を測定し、外部量子効率を算出した。
なお、外部量子効率保持率が高いほど、発光粒子を含む光変換層の酸素ガスおよび水蒸気に対する安定性が高いことを意味する。

５−３．光変換層の表面平滑性
得られた光変換層の表面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて観察し、その表面粗さＳａを測定した。
これらの結果をまとめて以下の表２に示す。

表１に示すように、ポリマー層で被覆された実施例１〜７の発光粒子分散体は、量子収率保持率および分散安定性に優れることを確認した。また、表２に示すように、ポリマー層で被覆された実施例１〜７の発光粒子分散体から調製したインク組成物は、インクジェットの吐出安定性に優れ、形成される光変換層は外部量子効率保持率と表面平滑性に優れることを確認した。

１００ 発光素子
２００ ＥＬ光源部
１ 下基板
２ 陽極
３ 正孔注入層
４ 正孔輸送層
５ 発光層
６ 電子輸送層
７ 電子注入層
８ 陰極
９ 光変換層
１０ オーバーコート層
１１ 上基板
１２ ＥＬ層
９０ 発光素子
９１ 母粒子
９１１ ナノ結晶
９１２ 中空ナノ粒子
９１２ａ 内側空間
９１２ｂ 細孔
９１３ 中間層
９２ ポリマー層
７０１ コンデンサ
７０２ 駆動トランジスタ
７０５ 共通電極
７０６ 信号線
７０７ 走査線
７０８ スイッチングトランジスタ
Ｃ１ 信号線駆動回路
Ｃ２ 走査線駆動回路
Ｃ３ 制御回路
ＰＥ，Ｒ，Ｇ，Ｂ 画素電極
X 共重合体
ｘ１ 脂肪族ポリアミン鎖
ｘ２ 疎水性有機セグメント
ＹＡ コア−シェル型シリカナノ粒子
Ｚ 半導体ナノ結晶の原料化合物を含有する溶液

Claims (21)

1. 内側空間と該空間に連通する細孔とを有する中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液を含浸し、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間に発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を析出させる工程を有することを特徴とする発光粒子の製造方法。
2. 内側空間と該空間に連通する細孔とを有する中空粒子に、半導体ナノ結晶の原料化合物を含む溶液を含浸し、乾燥することにより、前記中空粒子の前記内側空間に発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶を析出させて、前記中空粒子の内側空間に前記半導体ナノ結晶が収容された母粒子を得る工程１と、
   次いで、前記母粒子の表面を疎水性ポリマーで被覆してポリマー層を形成する工程２とを有することを特徴とする発光粒子の製造方法。
3. 前記中空粒子は、中空シリカ粒子、中空アルミナ粒子、中空酸化チタン粒子または中空ポリマー粒子である請求項１または２に記載の発光粒子の製造方法。
4. 前記中空粒子の平均外径は、５〜３００ｎｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光粒子の製造方法。
5. 前記中空粒子の平均内径は、１〜２５０ｎｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光粒子の製造方法。
6. 前記細孔のサイズは、０．５〜１０ｎｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光粒子の製造方法。
7. 前記ポリマー層の厚さは、０．５〜１００ｎｍである請求項２に記載の発光粒子の製造方法。
8. 前記疎水性ポリマーは、前記母粒子の表面に、非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を有する重合体とともに、非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶または難溶になる少なくとも１種の重合性不飽和単量体を担持させた後、前記重合体と前記重合性不飽和単量体とを重合させて得られる請求項２又は７に記載の発光粒子の製造方法。
9. 前記非水溶媒は、脂肪族炭化水素系溶媒および脂環式炭化水素系溶媒の少なくとも一方を含む請求項８に記載の発光粒子の製造方法。
10. 前記母粒子は、さらに、前記中空粒子と前記半導体ナノ結晶との間に位置し、該半導体ナノ結晶の表面に配位した配位子で構成される中間層を有する請求項２、７、８及び９のいずれか１項に記載の発光粒子の製造方法。
11. 前記配位子は、前記半導体ナノ結晶に含まれるカチオンに結合する結合性基を有する請求項１０に記載の発光粒子の製造方法。
12. 前記結合性基は、カルボキシル基、カルボン酸無水物基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、ホスフィン基、ホスフィンオキシド基、リン酸基、ホスホン酸基、ホスフィン酸基、スルホン酸基およびボロン酸基のうちの少なくとも１種である請求項１１に記載の発光粒子の製造方法。
13. 内側空間と該内側空間に連通する細孔とを有する中空粒子と、前記内側空間に収容され、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶とを有することを特徴とする発光粒子。
14. 内側空間と該内側空間に連通する細孔とを有する中空粒子と、前記内側空間に収容され、発光性を有するペロブスカイト型の半導体ナノ結晶とを有する母粒子と、
    該母粒子の表面を被覆し、疎水性ポリマーで構成されたポリマー層とを有することを特徴とする発光粒子。
15. 前記疎水性ポリマーは、非水溶媒に可溶な重合性不飽和基を有する重合体と、非水溶媒に可溶でありかつ重合後に不溶または難溶になる少なくとも１種の重合性不飽和単量体との重合物である請求項１４に記載の発光粒子。
16. 請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の発光粒子と、
    該発光粒子を分散する分散媒とを含有することを特徴とする発光粒子分散体。
17. 請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の発光粒子と、光重合性化合物と、光重合開始剤とを含有することを特徴とするインク組成物。
18. 前記光重合性化合物は、光ラジカル重合性化合物である請求項１７に記載のインク組成物。
19. 前記光重合開始剤は、アルキルフェノン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物およびオキシムエステル系化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１７または１８に記載のインク組成物。
20. 請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の発光粒子を含む発光層を有することを特徴とする発光素子。
21. さらに、前記発光層に光を照射する光源部を有する請求項２０に記載の発光素子。

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