JP6873813B2 - セラミックヒータの製造方法及びグロープラグの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、セラミックヒータの製造方法及びグロープラグの製造方法に関する。

従来、ディーゼルエンジンの始動補助等に用いられるグロープラグとして、セラミックヒータを内蔵するグロープラグが用いられている。セラミックヒータとしては、絶縁性セラミックからなり、軸線方向に延びる形態の基体と、導電性セラミックからなり、基体の内部に埋設された導電部と、を備えるセラミックヒータが知られている。このうち、導電部は、例えば、軸線方向について後端側から先端側に向かって平行に延びる２つのリード部、及び、２つのリード部よりも軸線方向の先端側に位置して２つのリード部の先端部に接続する発熱部を有する。特許文献１には、このような構成を有するセラミックヒータの製造方法が開示されている。

ＷＯ２００９／０５７５９６号公報

具体的には、まず、焼成後に導電性セラミックとなる材料Ａ（導電部用混合物）を成形して、焼成前のリード部であるリード部中間体及び焼成前の発熱部である発熱部中間体を含む、焼成前の導電部である導電部中間体を作製する。次いで、射出成形工程において、導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に絶縁性セラミックとなる材料Ｂ（基体用混合物）を、金型の内部に軸線方向の後端側から先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の基体である基体中間体を成形することで、基体中間体の内部に導電部中間体が埋設された構成を有するセラミックヒータの中間体を形成する。次いで、焼成工程において、セラミックヒータの中間体を焼成する。

ところで、特許文献１には、材料Ｂ（基体用混合物）の粘度が１００Ｐａ・ｓになる温度を、材料Ａ（導電部用混合物）の粘度が１００Ｐａ・ｓになる温度よりも低くされていることが好ましいと記載されている。このようにすることで、射出成形工程において、導電部中間体が変形するのを抑制することができると記載されている。

しかしながら、このような関係では、射出成形工程において、材料Ｂ（基体用混合物）と導電部中間体との間（界面）で生じるせん断熱が小さくなるため、導電部中間体が溶解し難くなる。このために、導電部中間体に対する材料Ｂ（基体用混合物）の接着性が悪くなり、焼成後のセラミックヒータにおいて、導電部と基体との間に接着不良（界面の剥がれなど）が生じることがあった。

これに対し、例えば、材料Ｂ（基体用混合物）の粘度が材料Ａ（導電部用混合物）の粘度に比べて高いほど、導電部と基体との間の接着性が良好になる。しかしながら、このような関係とすると、導電部中間体（特に、リード部中間体）が変形し易くなる。このため、材料Ｂの粘度を材料Ａの粘度に比べて高くし過ぎると、射出成形工程において、リード部中間体の変形が大きくなり（具体的には、リード部中間体の表層が剥がれるように変形し）、２本のリード部中間体の間の距離が小さくなり過ぎることがあった。これにより、２本のリード部の間の絶縁抵抗が低下し（変形が特に大きい場合はリード部間が短絡し）、発熱部において適切に発熱させることができなくなる虞があった。

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形を小さくすることが可能となるセラミックヒータの製造方法及びグロープラグの製造方法を提供することを目的とする。

（１）本発明の一態様は、絶縁性セラミックからなり、軸線方向に延びる形態の基体と、導電性セラミックからなり、前記基体の内部に埋設された導電部と、を備え、前記導電部は、前記軸線方向について後端側から先端側に向かって平行に延びる２つのリード部、及び、前記２つのリード部よりも前記軸線方向の先端側に位置して前記２つのリード部の先端部に接続する発熱部、を有するセラミックヒータの製造方法において、焼成後に前記導電性セラミックとなる材料Ａを用いて、焼成前の前記リード部であるリード部中間体及び焼成前の前記発熱部である発熱部中間体を含む、焼成前の前記導電部である導電部中間体を作製する工程と、前記導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に前記絶縁性セラミックとなる材料Ｂを、前記金型の内部に前記軸線方向の前記後端側から前記先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の前記基体である基体中間体を成形することで、前記基体中間体の内部に前記導電部中間体が埋設された、前記セラミックヒータの中間体であるヒータ中間体を形成する射出成形工程と、前記ヒータ中間体を焼成する焼成工程と、を備え、前記射出成形工程は、前記リード部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で前記材料Ｂを射出する第１速度射出ステップを含み、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすセラミックヒータの製造方法である。

上述のセラミックヒータの製造方法は、導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に絶縁性セラミックとなる材料Ｂを、金型の内部に軸線方向の後端側から先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の基体である基体中間体を成形することで、基体中間体の内部に導電部中間体が埋設された「セラミックヒータの中間体であるヒータ中間体」を形成する射出成形工程を備えている。

そして、この射出成形工程が、リード部中間体に対する材料Ｂのせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で材料Ｂを射出する第１速度射出ステップを含んでいる。従って、この第１速度射出ステップでは、リード部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂがリード部中間体（リード部中間体の全体または一部）の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆく。換言すれば、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂがリード部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆくとき、リード部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

これに対し、上述の製造方法では、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ａ（リード部中間体を形成している材料）の粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ｂ（基体中間体を形成する材料）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。

なお、粘度ＶＡ１及び粘度ＶＢ１の測定温度（設定温度）を１００℃にしている理由は、通常、射出成形工程において材料Ｂを射出する温度が１００〜２５０℃の範囲内の温度であるため、第１速度射出ステップにおいてリード部中間体（材料Ａ）と材料Ｂとが接触するときのリード部中間体（材料Ａ）と材料Ｂとの境界部の温度が、１００℃を含む範囲内の温度になると考えられるからである。

１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂとリード部中間体との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、リード部中間体が溶解し易くなる。これにより、リード部中間体に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（リード部中間体と基体中間体との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータにおけるリード部と基体との間の接着不良が低減される。

さらに、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（７倍以下にする）ことで、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体の変形（具体的には、リード部中間体の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができ、２本のリード部中間体の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができる。

以上説明したように、上述のセラミックヒータの製造方法によれば、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形を小さくすることが可能となる。

なお、射出成形工程としては、例えば、第１速度射出ステップと、第１速度とは異なる射出速度（例えば、後述する第２速度）で材料Ｂを射出する１または複数のステップと、からなる工程を挙げることができる。また、射出成形工程を、第１速度射出ステップのみからなる工程としても良い。

（２）さらに、前記のセラミックヒータの製造方法であって、前記射出成形工程は、前記導電部中間体を金型Ａの内部に配置した状態で、前記材料Ｂを前記金型Ａの内部に射出して、前記基体中間体の一部である第１部分基体中間体であって、前記導電部中間体を前記軸線方向に直交する方向に切断した断面において前記導電部中間体の外周の一部を覆う態様で前記軸線方向に延びる形態の前記第１部分基体中間体を成形することで、前記第１部分基体中間体の内部に前記導電部中間体の一部が埋設された、前記ヒータ中間体の一部である第１部分ヒータ中間体を形成する第１射出成形工程と、前記第１部分ヒータ中間体を金型Ｂの内部に配置した状態で、前記材料Ｂを前記金型Ｂの内部に射出して、前記基体中間体のうち前記第１部分基体中間体を除いた部位である第２部分基体中間体を成形することで、前記第１部分基体中間体と前記第２部分基体中間体とによって前記基体中間体を形成しつつ、前記基体中間体の内部に前記導電部中間体が埋設された前記ヒータ中間体を形成する第２射出成形工程と、を備えるセラミックヒータの製造方法とするのが好ましい。

上述の製造方法では、射出成形工程を、第１射出成形工程と第２射出成形工程とに分けて行う。この製造方法でも、第１射出成形工程及び第２射出成形工程が、それぞれ、第１速度射出ステップを含んでいる。さらには、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。

これにより、第１射出成形工程において、第１部分基体中間体とリード部中間体との接着性を良好にすることができ、且つ、第２射出成形工程において、第２部分基体中間体とリード部中間体との接着性を良好にすることができ、その結果、焼成後のセラミックヒータにおけるリード部と基体との間の接着不良が低減される。さらには、第１射出成形工程に及び第２射出成形工程において、２本のリード部中間体の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができる。

従って、射出成形工程を第１射出成形工程と第２射出成形工程とに分けて行う場合でも、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形を小さくすることが可能となる。

（３）さらに、前記いずれかのセラミックヒータの製造方法であって、前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすセラミックヒータの製造方法とすると良い。

上述のセラミックヒータの製造方法では、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ａ（リード部中間体を形成している材料）の粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ｂ（基体中間体を形成する材料）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすようにしている。すなわち、前記のセラミックヒータの製造方法と比べて、材料Ａの粘度ＶＡ１に対する材料Ｂの粘度ＶＢ１の比率（ＶＢ１／ＶＡ１）の上限値を低くして、ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすようにしている。

このようにすることで、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体の変形（具体的には、リード部中間体の表層が剥がれるような変形）をより一層小さくすることができ、２本のリード部中間体の間の距離が小さくなり過ぎないようにできる。
従って、上述のセラミックヒータの製造方法によれば、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形をより一層小さくすることが可能となる。

（４）さらに、前記いずれかのセラミックヒータの製造方法であって、前記射出成形工程は、前記第１速度射出ステップの後、前記発熱部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となり且つ前記第１速度よりも遅い第２速度で、前記材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含み、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすセラミックヒータの製造方法とすると良い。

上述のセラミックヒータの製造方法では、射出成形工程が、第１速度射出ステップの後、発熱部中間体に対する材料Ｂのせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となる第２速度（第１速度よりも遅い速度）で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含んでいる。すなわち、射出成形工程が、前述の第１速度で材料Ｂを射出する第１速度射出ステップに加えて、その後、第１速度よりも低速な第２速度で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを有している。

これにより、射出成形の終盤（材料Ｂが発熱部中間体の表面に接触しつつ流れてゆくとき、すなわち、射出した材料Ｂによって金型の内部空間の多くが満たされたとき）において材料Ｂの射出速度を低速にすることができるので、金型内の圧力が急上昇するのを抑制でき、金型を構成する第１金型（上型）と第２金型（下型）との境界（合わせ面）に材料Ｂが漏出（進入）するのを抑制することができる。これにより、基体表面にバリが生じるのを抑制することができる。

また、第２速度射出ステップでは、発熱部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂが発熱部中間体（発熱部中間体の全体または一部）の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆく。換言すれば、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂが発熱部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆくとき、発熱部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

これに対し、上述の製造方法では、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにしている。すなわち、上述の製造方法では、材料Ａと材料Ｂとして、前述のように１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たし、且つ、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たす、材料Ａと材料Ｂを使用する。

なお、粘度ＶＡ２及び粘度ＶＢ２の測定温度（設定温度）を１００℃にしている理由は、粘度ＶＡ１及び粘度ＶＢ１の測定温度（設定温度）を１００℃にしている理由と同様に、通常、射出成形工程において材料Ｂを射出する温度が１００〜２５０℃の範囲内の温度であるため、第２速度射出ステップにおいて発熱部中間体（材料Ａ）と材料Ｂとが接触するときの発熱部中間体（材料Ａ）と材料Ｂとの境界部の温度が、１００℃を含む範囲内の温度になると考えられるからである。

１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂと発熱部中間体との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、発熱部中間体が溶解し易くなる。これにより、発熱部中間体に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（発熱部中間体と基体中間体との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータにおける発熱部と基体との間の接着不良を低減できる。

さらに、ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（６．０倍以下にする）ことで、第２速度射出ステップにおいて、発熱部中間体の変形（具体的には、発熱部中間体の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができる。これにより、焼成後のセラミックヒータにおいて、長期間にわたって、発熱部におけるマイグレーションを抑制することが可能となり（従って、導電部の電気抵抗値の変化を抑制することが可能となり）、長期間にわたって、発熱部において適切に発熱させることが可能となる。

以上説明したように、上述のセラミックヒータの製造方法によれば、発熱部（発熱部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部（発熱部中間体）の変形を小さくすることが可能となる。

なお、上述の製造方法における射出成形工程としては、例えば、以下のような工程を挙げることができる。具体的には、まず、前述の第１速度射出ステップにおいて、第１速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で材料Ｂの射出を開始する。これにより、リード部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂがリード部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆく。

その後、材料Ｂがリード部中間体と発熱部中間体との境界部（境界及びその近傍を含む部位）に初めて到達する（到達すると推測される）ときに、第２速度射出ステップに進み、材料Ｂの射出速度を、第１速度よりも低速の第２速度（例えば、２０ｍｍ／秒）に変更する。これにより、発熱部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂが発熱部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆく。

このように、射出成形の終盤（射出した材料Ｂによって金型内の空間の多くが満たされたとき）において、材料Ｂの射出速度を低くすることで、金型を構成する第１金型（上型）と第２金型（下型）との境界に材料Ｂが進入（漏出）するのを抑制することができ、基体表面にバリ（突起部）が生じるのを抑制することができる。

また、上述の製造方法において、射出成形工程を、第１速度射出ステップと第２速度射出ステップとにより構成する場合、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替える（すなわち、材料Ｂの射出速度を第１速度から第２速度に変更する）タイミングは、上述した例のように材料Ｂがリード部中間体と発熱部中間体との境界部に最初に到達するときに限定されない。

例えば、材料Ｂの射出を開始してから、射出した材料Ｂが、リード部中間体と発熱部中間体との境界部よりも軸線方向の後端側の所定位置に最初に到達するとき（すなわち、軸線方向についてリード部中間体の先端と後端との間の所定位置に最初に到達するとき）に、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替えるようにしても良い。

あるいは、材料Ｂの射出を開始してから、射出した材料Ｂが、リード部中間体と発熱部中間体との境界部よりも軸線方向の先端側の所定位置に最初に到達したとき（すなわち、軸線方向について発熱部中間体の後端と先端との間の所定位置に最初に到達したとき）に、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替えるようにしても良い。

いずれの場合でも、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂがリード部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆくとき、リード部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。さらには、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂが発熱部中間体の表面に接触しつつ軸線方向の後端側から先端側に向かって流れてゆくとき、発熱部中間体に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

なお、上述の製造方法は、射出成形工程を、例えば、導電部中間体の一部が埋設されるように、基体中間体の一部である第１部分基体中間体を成形して、第１部分ヒータ中間体を形成する第１射出成形工程と、第１部分ヒータ中間体に基体中間体の残部である第２部分中間体を成形して、基体中間体を形成すると共にヒータ中間体を形成する第２射出成形工程とに分けて行う場合も含む。この場合には、第１射出成形工程及び第２射出成形工程が、それぞれ、第２速度射出ステップを含んでいる。さらには、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにしている。

これにより、第１射出成形工程において、第１部分基体中間体と発熱部中間体との接着性を良好にすることができ、且つ、第２射出成形工程において、第２部分基体中間体と発熱部中間体との接着性を良好にすることができ、その結果、焼成後のセラミックヒータにおける発熱部と基体との間の接着不良が低減される。さらには、第１射出成形工程に及び第２射出成形工程において、発熱部中間体の変形を小さくすることができる。

（５）さらに、前記のセラミックヒータの製造方法であって、前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすセラミックヒータの製造方法とすると良い。

上述のセラミックヒータの製造方法では、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ａ（リード部中間体を形成している材料）の粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度（設定温度）で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ｂ（基体中間体を形成する材料）の粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすようにしている。すなわち、前記のセラミックヒータの製造方法と比べて、材料Ａの粘度ＶＡ２に対する材料Ｂの粘度ＶＢ２の比率（ＶＢ２／ＶＡ２）の上限値を低くして、ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすようにしている。

このようにすることで、第２速度射出ステップにおいて、発熱部中間体の変形（具体的には、発熱部中間体の表層が剥がれるような変形）をより一層小さくすることができる。
従って、上述のセラミックヒータの製造方法によれば、発熱部（発熱部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部（発熱部中間体）の変形をより一層小さくすることが可能となる。

（６）本発明の他の態様は、セラミックヒータと、前記セラミックヒータを保持する金具と、を備えるグロープラグであって、前記セラミックヒータは、絶縁性セラミックからなり、軸線方向に延びる形態の基体と、導電性セラミックからなり、前記基体の内部に埋設された導電部と、を備え、前記導電部は、前記軸線方向について後端側から先端側に向かって平行に延びる２つのリード部、及び、前記２つのリード部よりも前記軸線方向の先端側に位置して前記２つのリード部の先端部に接続する発熱部、を有するグロープラグの製造方法において、焼成後に前記導電性セラミックとなる材料Ａを成形して、焼成前の前記リード部であるリード部中間体及び焼成前の前記発熱部である発熱部中間体を含む、焼成前の前記導電部である導電部中間体を作製する工程と、前記導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に前記絶縁性セラミックとなる材料Ｂを、前記金型の内部に前記軸線方向の前記後端側から前記先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の前記基体である基体中間体を成形することで、前記基体中間体の内部に前記導電部中間体が埋設された、前記セラミックヒータの中間体であるヒータ中間体を形成する射出成形工程と、前記ヒータ中間体を焼成する焼成工程と、を備え、前記射出成形工程は、前記リード部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で前記材料Ｂを射出する第１速度射出ステップを含み、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすグロープラグの製造方法である。

上述のグロープラグの製造方法では、セラミックヒータを、前記（１）のセラミックヒータの製造方法によって製造する。従って、上述のグロープラグの製造方法によれば、前記（１）のセラミックヒータの製造方法と同様に、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形を小さくすることが可能となる。

（７）さらに、前記いずれかのグロープラグの製造方法であって、前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすグロープラグの製造方法とすると良い。

上述のグロープラグの製造方法では、セラミックヒータを、前記（３）のセラミックヒータの製造方法によって製造する。従って、上述のグロープラグの製造方法によれば、前記（３）のセラミックヒータの製造方法と同様に、リード部（リード部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部（リード部中間体）の変形をより一層小さくすることが可能となる。

（８）さらに、前記いずれかのグロープラグの製造方法であって、前記射出成形工程は、前記発熱部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となり且つ前記第１速度よりも遅い第２速度で、前記材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含み、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすグロープラグの製造方法とすると良い。

上述のグロープラグの製造方法では、セラミックヒータを、前記（４）のセラミックヒータの製造方法によって製造する。従って、上述のグロープラグの製造方法によれば、前記（４）のセラミックヒータの製造方法と同様に、基体表面にバリが生じるのを抑制することができる。さらには、発熱部（発熱部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部（発熱部中間体）の変形を小さくすることが可能となる。

（９）さらに、前記のグロープラグの製造方法であって、前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６０の関係を満たすグロープラグの製造方法とすると良い。

上述のグロープラグの製造方法では、セラミックヒータを、前記（５）のセラミックヒータの製造方法によって製造する。従って、上述のグロープラグの製造方法によれば、前記（５）のセラミックヒータの製造方法と同様に、発熱部（発熱部中間体）と基体（基体中間体）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部（発熱部中間体）の変形をより一層小さくすることが可能となる。

実施形態にかかるグロープラグの縦断面図である。 同グロープラグの部分拡大断面図である。 同グロープラグの製造方法の流れを示すフローチャートである。 同フローチャートのサブルーチンである。 第１射出成形工程を説明する図である。 第１射出成形工程を説明する他の図である。 第１射出成形工程を説明する他の図である。 第２射出成形工程を説明する図である。 第２射出成形工程を説明する他の図である。 第２射出成形工程を説明する他の図である。 セラミックヒータの中間体（ヒータ中間体）の縦断面図である。 セラミックヒータの中間体（ヒータ中間体）の横断面図の一例である。 セラミックヒータの中間体（ヒータ中間体）の横断面図の一例である。

次に、本発明の実施形態について説明する。図１は、実施形態にかかるグロープラグ１００の縦断面図である。図２は、グロープラグ１００のうち軸線方向ＤＸの先端側ＸＳの部分の拡大断面図であり、セラミックヒータ４の断面等を図示している。なお、図１において、グロープラグ１００の軸線ＡＸに沿う方向（図１において上下方向）を軸線方向ＤＸ、軸線方向ＤＸのうちセラミックヒータ４が位置する側（図１において下側）を先端側ＸＳ、これと反対側（図１において上側）を後端側ＸＫとする。

グロープラグ１００は、図１に示すように、軸線方向ＤＸに延びる棒状の形態を有している。このグロープラグ１００は、主体金具２と、中軸３と、絶縁部材５と、ピン端子８と、外筒７と、セラミックヒータ４と、電極リング１８とを備えている。

このうち、主体金具２は、軸孔９を備えた略円筒状の形態を有する金属製の部材である。主体金具２の外周面のうち後端部（後端側ＸＫの部位）には、工具係合部１２が形成されている。この工具係合部１２は、所定の取り付け工具と係合可能な形状（例えば、六角形状）を有している。また、主体金具２の外周面のうち中央部には、雄ねじ部１１が形成されている。この雄ねじ部１１は、グロープラグ１００が図示しないエンジンのシリンダヘッドに取り付けられる際に、シリンダヘッドに形成されている雌ネジ（図示なし）に螺合する。

従って、主体金具２の工具係合部１２に所定の取り付け工具を係合させて、グロープラグ１００を軸線ＡＸを中心として回転させつつ、主体金具２の雄ねじ部１１をシリンダヘッドに形成されている雌ネジに螺合させることで、グロープラグ１００を図示しないエンジンのシリンダヘッドに取り付けることができる。

中軸３は、金属製で丸棒状の部材である。この中軸は、後端側ＸＫの部位が主体金具２の後端から後端側ＸＫに突出する態様で、主体金具２の軸孔９内に収容されている。中軸３の先端側ＸＳの部位には、円筒形状をなす電極リング１８の後端部が外嵌している。後述するように、中軸３は、この電極リング１８を介して、セラミックヒータ４と電気的に接続している。

絶縁部材５は、後端側ＸＫにフランジ部６を有する筒状の形態を有し、電気絶縁性材料により形成されている。この絶縁部材５の先端側ＸＳの部位は、主体金具２の後端側ＸＫから軸孔９内に嵌め込まれている。なお、絶縁部材５のフランジ部６は、工具係合部１２の後端に接している。絶縁部材５の軸孔内には、中軸３の後端側ＸＫの部位が挿通されている。絶縁部材５は、主体金具２の軸線及び中軸３の軸線がいずれも軸線ＡＸと一致するように、中軸３を固定している。絶縁部材５の後端は、ピン端子８の先端面と接している。絶縁部材５は、主体金具２と中軸３との間、及び、主体金具２とピン端子８との間を、電気的に絶縁している。

ピン端子８は、金属製で、有底穴を有する略円筒状をなしている。このピン端子は、その底穴内に、絶縁部材５のフランジ部６から後端側ＸＫに突出した中軸３の後端部が挿入されると共に、その先端面が絶縁部材５のフランジ部６に接触している。このピン端子の中間部は、有底穴内に挿入されている中軸３の後端部を囲むように加締められている。このようにピン端子８が加締められることにより、中軸３と主体金具２との間に嵌合された絶縁部材５が固定され、中軸３からの絶縁部材５の抜けが防止される。

外筒７は、金属製で、軸孔１０を有する略円筒状をなし、主体金具２の先端部に接合されている。外筒７の後端側ＸＫの部位には、厚肉部１５及び係合部１６が形成されている。係合部１６は、厚肉部１５よりも後端側ＸＫに位置しており、その外周径が厚肉部１５の外周径よりも小さくされている。係合部１６は、主体金具２の軸孔９内に嵌められている。厚肉部１５は、その後端が主体金具２の先端に接している。この外筒７は、セラミックヒータ４の軸線が軸線ＡＸと一致するように、軸孔１０内にセラミックヒータ４を保持している。なお、この外筒７が、セラミックヒータを保持する金具に相当する。

セラミックヒータ４は、軸線方向ＤＸに延びる棒状で、その先端面が曲面である円柱状の外観形状を有している。このセラミックヒータ４は、外筒７の軸孔１０内に嵌め込まれている（圧入されている）。セラミックヒータ４の先端部４ｂ（先端側ＸＳの部位）は、外筒７の先端から先端側ＸＳへ突出している（図２参照）。このセラミックヒータ４の先端部４ｂは、グロープラグ１００をエンジンのシリンダヘッド（図示なし）に取り付けたとき、燃焼室（図示なし）内に配置される。なお、セラミックヒータ４の先端部４ｂは、後述する発熱部３３を含んでいる。一方、セラミックヒータ４の後端部４ｃ（後端側ＸＫの部位）は、外筒７の後端から突出しており、主体金具２の軸孔９に収容されている。このセラミックヒータ４の後端部４ｃは、電極リング１８内に嵌め込まれている（圧入されている）。

さらに、セラミックヒータ４の構成について詳細に説明する。セラミックヒータ４は、図２に示すように、軸線方向ＤＸに延びる形態の基体２１と、基体２１の内部に埋設された導電部２２とを備えている。このうち、基体２１は、絶縁性セラミックにより形成されている。この基体２１は、その先端面が曲面である略円柱状の外観形状を有する。

導電部２２は、導電性セラミックからなり、基体２１の内部に埋設されている。この導電部２２は、軸線方向ＤＸに延びる２つのリード部３１，３２と、２つのリード部３１，３２よりも軸線方向ＤＸの先端側ＸＳに位置する発熱部３３と、２つの電極部２７，２８とを有する（図２参照）。２つのリード部３１，３２は、それぞれ、棒状の部材であり、基体２１内部に配置されている。２つのリード部３１，３２は、互いの長手方向（軸線方向ＤＸに一致する）が平行となるように、また、それぞれの軸線が軸線ＡＸと平行となるように配置されている。

電極部２７は、リード部３１の後端側ＸＫの部位に接続している。この電極部２７は、リード部３１と一体形成されており、リード部３１から径方向外側に突出するように形成されている。電極部２７の端面は、基体２１の表面に露出しており、電極リング１８の内周面に接している（図２参照）。これにより、電極リング１８とリード部３１とが電気的に接続されている。

電極部２８は、軸線方向ＤＸについて電極部２７よりも先端側ＸＳに位置し、リード部３２に接続している。この電極部２８は、リード部３２と一体形成されており、リード部３２から径方向外側に突出するように形成されている。電極部２８の端面は、基体２１の表面に露出しており、外筒７の内周面に接している（図２参照）。これにより、外筒７とリード部３２とが電気的に接続されている。

発熱部３３は、略Ｕ字形状をなし、２つのリード部３１、３２の先端部に接続している。発熱部３３の太さ（断面積）は、２つのリード部３１、３２の太さ（断面積）よりも細く（小さく）されている（図２参照）。

このようなセラミックヒータ４では、ピン端子８、中軸３、及び電極リング１８を通じて供給される電流（電力）が、電極部２７，２８、及び２つのリード部３１，３２を介して発熱部３３に導かれ、発熱部３３が発熱することで昇温する。発熱部３３は、通電により、例えば、１０００℃以上の温度にまで昇温する。この発熱部３３を含むセラミックヒータ４の先端部４ｂは、グロープラグ１００をエンジンのシリンダヘッド（図示なし）に取り付けたとき、燃焼室（図示なし）内に配置される。このため、セラミックヒータ４への通電により、燃焼室内を加熱することができる。

次に、実施形態にかかるグロープラグ１００及びセラミックヒータ４の製造方法について説明する。図３は、グロープラグ１００の製造方法の流れを示すフローチャートである。図４は、図３のフローチャートのサブルーチンであり、セラミックヒータ４の製造方法の流れを示すフローチャートである。

図３に示すように、ステップＳ１において、セラミックヒータ４を製造する。具体的には、図４に示すように、まず、ステップＳ１１において、材料Ａを作製する。なお、材料Ａは、導電部２２の成形材料であって、焼成後に導電部２２を構成する導電性セラミックとなる材料である。

具体的には、材料Ａは、セラミックを主成分とする材料であり、例えば、以下のようにして作製される。まず、窒化珪素とタングステンカーバイトと焼結助剤と水とを混合することによって、スラリーを生成する。そして、スプレードライによって、生成したスラリーを粉末にする。次いで、この粉末とバインダ等をニーダー（混練機）を用いて混練し、その後、これをペレット化することで、材料Ａを得ることができる。
なお、添加するバインダは、特に限定されるものではなく、例えば、ポリプロピレン等のバインダの他、ワックス、可塑剤、及び、分散剤等を、１種又は２種以上混合して用いることができる。また、焼結助剤は、例えば、希土類元素の他、アルミナやモリブデンの酸化物（ＭｏＯ₃）、タングステンの酸化物（ＷＯ₃）等を含んでもよい。

次に、図４に示すように、ステップＳ１２において、混合材料５０（材料Ｂ）を作製する。なお、混合材料５０（材料Ｂ）は、基体２１の成形材料であって、焼成後に基体２１を構成する絶縁性セラミックとなる材料である。

具体的には、混合材料５０は、セラミックを主成分とする材料であり、例えば、以下のようにして作製される。まず、窒化珪素と焼結助剤と水とを混合することによって、スラリーを生成する。そして、スプレードライによって、生成したスラリーを粉末にする。次いで、この粉末とバインダ等とをニーダー（混練機）を用いて混練し、その後、これをペレット化することによって混合材料５０を得ることができる。なお、添加するバインダ及び焼結助剤は、上述した材料Ａと同様である。

なお、本実施形態のグロープラグ１００及びセラミックヒータ４の製造方法においては、ステップＳ１１において材料Ａを作製した後、ステップＳ１２において材料Ｂ（混合材料５０）を作製しているが、作製する順序はこれに限定されるものではない。例えば、材料Ｂを作製した後、材料Ａを作製するようにしても良い。あるいは、材料Ａと材料Ｂを同時に作製するようにしても良い。

次に、図４に示すように、ステップＳ１３において、導電部中間体２００（図５参照）を作製する。ここで、導電部中間体２００とは、焼成前の導電部２２であり、後述する脱脂（ステップＳ１６）、本焼成（ステップＳ１７）、及び研磨（ステップＳ１８）を経て導電部２２となる部材である。この導電部中間体２００は、焼成前のリード部３１，３２であるリード部中間体２１２，２２２、及び、焼成前の発熱部３３である発熱部中間体２３３を含む。導電部中間体２００は、例えば、材料Ａを射出成形するなどして作製することができる。なお、射出成形に代えて、プレス成形、シート積層成形、または、鋳込み成形等の成形方法を用いるようにしても良い。

次に、射出成形により、導電部中間体２００の周囲に、焼成前の基体２１である基体中間体２７０を成形することで、基体中間体２７０の内部に導電部中間体２００が埋設された、セラミックヒータ４の中間体であるヒータ中間体９００を形成する。本実施形態では、以下に説明するように、第１射出成形工程と第２射出成形工程とを行うことで、ヒータ中間体９００を形成する。

まず、図４に示すように、ステップＳ１４において、第１射出成形工程を行う。なお、図５〜図７は、第１射出成形工程を説明する図である。図５は、導電部中間体２００と下金型４００と上金型５００との分解斜視図である。図６は、下金型４００と上金型５００とを組み合わせた金型３００（金型Ａ）の内部に、導電部中間体２００を配置した状態で、混合材料５０（材料Ｂ）を金型３００の内部に射出している様子を示す断面図であり、金型３００を軸線方向ＤＸに沿って切断した断面図である。図７は、第１射出成形工程を終了した時点の様子を示す断面図であり、図５のＦ−Ｆの位置で金型３００を軸線方向ＤＸに直交する方向に切断した断面図である。

このステップＳ１４（第１射出成形工程）では、導電部中間体２００を金型３００の内部に配置した状態で、ステップＳ１２で作製した混合材料５０（加熱により軟化させた混合材料５０）を金型３００の内部に射出する。そして、基体中間体２７０の一部である第１部分基体中間体２８０であって、導電部中間体２００を軸線方向ＤＸに直交する方向に切断した断面において導電部中間体２００の外周の一部（具体的には半分）を覆う態様で軸線方向ＤＸに延びる形態の第１部分基体中間体２８０を成形する。これにより、第１部分基体中間体２８０の内部に導電部中間体２００の一部（具体的には半分）が埋設された、ヒータ中間体９００の一部である第１部分ヒータ中間体９５０を形成する。

具体的には、まず、導電部中間体２００を、下金型４００に形成されているキャビティ４２０内に配置する（図５参照）。次に、導電部中間体２００の上半分を覆うように、下金型４００の上部に上金型５００を配置する。なお、導電部中間体２００は、導電部２２とほぼ相似形の外観形状を有する。すなわち、導電部中間体２００は、リード部３１に対応するリード部中間体２１２と、リード部３２に対応するリード部中間体２２２と、発熱部３３に対応する発熱部中間体２３３と、２つの電極部２７，２８に対応する２つの電極部中間体２２７，２２８とを備えている。

２つのリード部中間体２１２，２２２は、後述する脱脂（ステップＳ１６）、本焼成（ステップＳ１７）、及び研磨（ステップＳ１８）の工程を経て、２つのリード部３１，３２となる。同様に、発熱部中間体２３３及び２つの電極部中間体２２７，２２８は、それぞれ、後述する脱脂（ステップＳ１６）、本焼成（ステップＳ１７）、及び研磨（ステップＳ１８）の工程を経て、発熱部３３及び２つの電極部２７，２８になる。

下金型４００に形成されているキャビティ４２０は、導電部中間体２００の下半分が収容可能な形状に形成されている。下金型４００には、図５に示すように、上述のキャビティ４２０に加えて、キャビティ４２０の内側に形成された第１平面部Ｓｆ１０、キャビティ４２０に連なりキャビティ４２０の外側に位置する第２平面部Ｓｆ１３および第３平面部Ｓｆ２３が形成されている。

上金型５００は、下金型４００との合わせ面側が開口した中空の直方体状の外観形状を有する。上金型５００には、略半円筒状のキャビティ５２０（図６参照）が形成されている。上金型５００のうち軸線方向ＤＸの後端側ＸＫに位置する後端部５９０には、外部から混合材料５０を上金型５００の内部に充填（射出）するための射出孔５１０が設けられている（図６参照）。

この上金型５００は、下金型４００の第２平面部Ｓｆ１３及び第３平面部Ｓｆ２３に接するようにして配置される（図５参照）。下金型４００と上金型５００とを組み合わせて金型３００（金型Ａ）を形成することにより、上金型５００と下金型４００との間には、上金型５００のキャビティ５２０を構成する略円筒状の内周面と、下金型４００の３つの平面部Ｓｆ１０，Ｓｆ１３，Ｓｆ２３と、導電部中間体２００の上方半分の外周表面とで囲まれた略密閉空間ＭＳ１（図６参照）が形成される。

上述のように導電部中間体２００、下金型４００、および上金型５００を配置した後、図６に示すように、ステップＳ１２で作製した混合材料５０（加熱により軟化させた混合材料５０）を、金型３００の内部（略密閉空間ＭＳ１内）に射出する。具体的には、上金型５００の後端部５９０に形成されている射出孔５１０を通じて、軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かう方向に、混合材料５０を射出する。なお、本実施形態の第１射出成形工程では、１００〜２５０℃の範囲内の温度（例えば、１５０℃）にした混合材料５０を射出するようにしている。

また、本実施形態の第１射出成形工程は、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０のせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で混合材料５０を射出する第１速度射出ステップを含んでいる。本実施形態の第１射出成形工程では、第１速度は１００ｍｍ／秒である。

また、本実施形態の第１射出成形工程では、射出速度を第１速度（１００ｍｍ／秒）として混合材料５０の射出を開始しているが、その後、途中で射出速度を変更しても良いし、変更することなく第１射出成形工程を終了するようにしても良い。すなわち、第１射出成形工程を、第１速度射出ステップと、第１速度とは異なる射出速度（例えば、後述する第２速度）で混合材料５０を射出する１または複数のステップとからなる工程としても良いし、第１射出成形工程を第１速度射出ステップのみからなる工程としても良い。

第１速度射出ステップでは、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０（材料Ｂ）のせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、混合材料５０（材料Ｂ）がリード部中間体２１２，２２２（リード部中間体２１２，２２２の一部）の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆく（図６参照）。換言すれば、第１速度射出ステップにおいて、混合材料５０（材料Ｂ）がリード部中間体２１２，２２２の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆくとき、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０（材料Ｂ）のせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

これに対し、本実施形態では、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ａ（リード部中間体２１２，２２２を形成している材料）の粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ｂ（混合材料５０、第１部分基体中間体２８０を形成する材料）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。すなわち、ステップＳ１１とステップＳ１２とにおいて、材料Ａと材料Ｂ（混合材料５０）を作製するとき、粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、混合する材料の添加率（体積比）を調整している。

なお、粘度ＶＡ１及び粘度ＶＢ１の測定温度を１００℃にしている理由は、通常、本実施形態と同様に、第１射出成形工程において材料Ｂ（混合材料５０）を射出する温度が１００〜２５０℃の範囲内の温度であるため、第１速度射出ステップにおいてリード部中間体２１２，２２２（材料Ａ）と材料Ｂ（混合材料５０）とが接触するときのリード部中間体２１２，２２２（材料Ａ）と材料Ｂとの境界部の温度が、１００℃を含む範囲内の温度になると考えられるからである。

１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂとリード部中間体２１２，２２２との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、リード部中間体２１２，２２２が溶解し易くなる。これにより、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（リード部中間体２１２，２２２と第１部分基体中間体２８０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４におけるリード部３１，３２と基体２１との間の接着不良が低減される。

さらに、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（７．０倍以下に抑制する）ことで、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体２１２，２２２の変形（具体的には、リード部中間体２１２，２２２の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができ、２本のリード部中間体２１２，２２２の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができる。

このような第１射出成形工程によって、混合材料５０を金型３００の内部（略密閉空間ＭＳ１内）に充填することで、第１部分基体中間体２８０の内部に導電部中間体２００の一部（具体的には半分）が埋設された構成を有する第１部分ヒータ中間体９５０を形成することができる。本実施形態では、第１部分ヒータ中間体９５０は、軸線方向ＤＸの全体にわたって、導電部中間体２００の上半分が第１部分基体中間体２８０の内部に埋設された形態となる（図７参照）。

次に、図４に示すように、ステップＳ１５において、第２射出成形工程を行う。なお、図８〜図１０は、第２射出成形工程を説明する図である。図８は、ステップＳ１４（第１射出成形工程）で作製した第１部分ヒータ中間体９５０と、下金型６００と、上金型８００との分解斜視図である。図９は、下金型６００と上金型８００とを組み合わせた金型７００（金型Ｂ）の内部に、第１部分ヒータ中間体９５０を配置した状態で、混合材料５０（材料Ｂ）を金型７００の内部に射出している様子を示す断面図であり、金型７００を軸線方向ＤＸに沿って切断した断面図である。図１０は、第２射出成形工程を終了した時点の様子を示す断面図であり、図８のＧ−Ｇの位置で金型７００を軸線方向ＤＸに直交する方向に切断した断面図である。

このステップＳ１５（第２射出成形工程）では、ステップＳ１４（第１射出成形工程）で作製した第１部分ヒータ中間体９５０を金型７００の内部に配置した状態で、材料Ｂ（加熱により軟化させた混合材料５０）を金型７００の内部に射出する。そして、基体中間体２７０のうち第１部分基体中間体２８０を除いた部位である第２部分基体中間体２９０を成形する。これにより、第１部分基体中間体２８０と第２部分基体中間体２９０とによって基体中間体２７０を形成しつつ、基体中間体２７０の内部に導電部中間体２００が埋設された構成を有するヒータ中間体９００（図１０及び図１１参照）を形成する。

具体的には、まず、ステップＳ１４（第１射出成形工程）で作製した第１部分ヒータ中間体９５０を上下反転させ、下金型６００に形成されているキャビティ６２０内に配置する（図８参照）。キャビティ６２０は、略円筒状の内周面を有する。キャビティ６２０の内周面の一部は、第１部分ヒータ中間体９５０（第１部分基体中間体２８０）の外周面と略同一の形状を有する。したがって、キャビティ６２０に収容された第１部分ヒータ中間体９５０の下方の外周面（円筒状の部分）は、キャビティ６２０の内周面と接触する。次に、第１部分ヒータ中間体９５０の上方（上半分）を覆うように上金型８００を配置する。

上金型８００は、下金型６００との合わせ面側が開口した中空の直方体状の外観形状を有する。上金型８００には、略半円筒状の内周面を有するキャビティ８２０が形成されている（図９参照）。上金型８００のうち軸線方向ＤＸの後端側ＸＫに位置する後端部８９０には、外部から混合材料５０（材料Ｂ）を上金型８００の内部に充填（射出）するための射出孔８１０が設けられている（図９参照）。

本実施形態では、下金型６００のキャビティ６２０に第１部分ヒータ中間体９５０の下半分を収容した状態で、下金型６００のうちキャビティ６２０に連なる上端面（平面部）と上金型８００のうちキャビティ８２０に連なる下端面（平面部）とが互いに接するように、下金型６００と上金型８００とを組み合わせて、金型７００（金型Ｂ）を形成する。これにより、下金型６００と上金型８００とが組み合わされた金型７００（金型Ｂ）が形成されると共に、第１部分ヒータ中間体９５０の上面と、下金型６００のキャビティ６２０の一部と、上金型８００のキャビティ８２０とで囲まれた略密閉空間ＭＳ２が形成される。

上述のように第１部分ヒータ中間体９５０、下金型６００、および上金型８００を配置した後、図９に示すように、ステップＳ１２で作製した混合材料５０（加熱により軟化させた混合材料５０）を、金型７００の内部（略密閉空間ＭＳ２内）に射出する。具体的には、上金型８００の後端部８９０に形成されている射出孔８１０を通じて、軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かう方向に、混合材料５０を射出する。なお、本実施形態の第２射出成形工程でも、第１射出成形工程と同様に、１００〜２５０℃の範囲内の温度（例えば、１５０℃）にした混合材料５０を射出するようにしている。

また、本実施形態の第２射出成形工程も、第１射出成形工程と同様に、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０のせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で混合材料５０を射出する第１速度射出ステップを含んでいる。本実施形態の第２射出成形工程では、第１速度は１００ｍｍ／秒である。

なお、本実施形態の第２射出成形工程でも、第１射出成形工程と同様に、射出速度を第１速度（１００ｍｍ／秒）として混合材料５０の射出を開始しているが、その後、途中で射出速度を変更しても良いし、変更することなく第２射出成形工程を終了するようにしても良い。すなわち、第２射出成形工程を、第１速度射出ステップと、第１速度とは異なる射出速度（例えば、後述する第２速度）で混合材料５０を射出する１または複数のステップとからなる工程としても良いし、第２射出成形工程を第１速度射出ステップのみからなる工程としても良い。

第２射出成形工程の第１速度射出ステップでも、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０（材料Ｂ）のせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、混合材料５０（材料Ｂ）がリード部中間体２１２，２２２（リード部中間体２１２，２２２の一部）の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆく（図９参照）。換言すれば、第１速度射出ステップにおいて、混合材料５０（材料Ｂ）がリード部中間体２１２，２２２の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆくとき、リード部中間体２１２，２２２に対する混合材料５０（材料Ｂ）のせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

これに対し、本実施形態では、前述のように、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ａ（リード部中間体２１２，２２２を形成している材料）の粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における材料Ｂ（混合材料５０、第１部分基体中間体２８０を形成する材料）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。すなわち、ステップＳ１１とステップＳ１２とにおいて、材料Ａと材料Ｂ（混合材料５０）を作製するとき、粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、混合する材料の添加率（体積比）を調整している。

１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第２射出成形工程の第１速度射出ステップにおいても、材料Ｂとリード部中間体２１２，２２２との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、リード部中間体２１２，２２２が溶解し易くなる。これにより、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（リード部中間体２１２，２２２と第２部分基体中間体２９０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４におけるリード部３１，３２と基体２１との間の接着不良が低減される。

さらに、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（７．０倍以下に抑制する）ことで、第２射出成形工程の第１速度射出ステップにおいても、リード部中間体２１２，２２２の変形（具体的には、リード部中間体２１２，２２２の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができ、２本のリード部中間体２１２，２２２の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができる。

このような第２射出成形工程によって、混合材料５０を金型７００の内部（略密閉空間ＭＳ２内）に充填することで、第２部分基体中間体２９０を成形すると共に、第１部分基体中間体２８０と第２部分基体中間体２９０とが接着した基体中間体２７０が形成されて、基体中間体２７０の内部に導電部中間体２００が埋設された構成を有するヒータ中間体９００を形成することができる（図１０参照）。

次に、図４に示すように、ステップＳ１６に進み、上述のように作製されたヒータ中間体９００の脱脂（仮焼成）を行う。ヒータ中間体９００には、バインダが含まれているので、加熱（仮焼成）することにより、このバインダが取り除かれる。脱脂（仮焼成）の方法としては、例えば、ヒータ中間体９００を、窒素雰囲気中にて２時間、６００℃で加熱する方法が挙げられる。

その後、ステップＳ１７に進み、本焼成を行う。この本焼成では、先の仮焼成よりも高温で加熱が行なわれる。具体的には、例えば、窒素雰囲気中にて最高１８００℃程度の温度に至るまで加熱する。これにより、ヒータ中間体９００が焼成されたヒータ焼成体（図示なし）が形成される。次いで、ステップＳ１８に進み、ヒータ焼成体（図示なし）に対し、研磨加工を行って、ヒータ焼成体の形状を整える。これにより、セラミックヒータ４が完成する。

次いで、図３に示すように、ステップＳ２において、グロープラグ１００の各構成部品（主体金具２、中軸３、絶縁部材５、ピン端子８、外筒７、セラミックヒータ４、電極リング１８など）を組み付ける。これにより、グロープラグ１００（図１参照）が完成する。

（実施例１〜５と比較例１〜２）
実施例１〜５及び比較例１〜２では、材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］との比であるＶＢ１／ＶＡ１の値を異ならせている点のみが相違しており、その他は同様として、セラミックヒータ４を製造している。

なお、材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］は、キャピログラフ（東洋精機製、型式：１Ｄ）を使用して測定している。測定条件は、測定温度（設定温度）１００℃、キャピラリー径１ｍｍ、キャピラリー長さ１０ｍｍ、ピストンスピード４００［ｍｍ／分］＝せん断速度４８６４［１／秒］としている。材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］についても同様にして測定している。

具体的には、実施例１では、材料Ａの粘度ＶＡ１を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を９．４［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝１．０２の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ１が９．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ１が９．４［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ１／ＶＡ１＝１．０２の関係を満たすようにしている。

また、実施例２では、材料Ａの粘度ＶＡ１を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を９．８［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝１．０７の関係を満たすようにしている。
また、実施例３では、材料Ａの粘度ＶＡ１を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を１０．３［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝１．１２の関係を満たすようにしている。

また、実施例４では、材料Ａの粘度ＶＡ１を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を１５．２［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝１．６５の関係を満たすようにしている。
また、実施例５では、材料Ａの粘度ＶＡ１を３．９［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を２７．３［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝７．００の関係を満たすようにしている。

また、比較例１では、材料Ａの粘度ＶＡ１を９．５［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を７．８［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝０．８２の関係を満たすようにしている。
また、比較例２では、材料Ａの粘度ＶＡ１を３．９［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１を２８．３［Ｐａ・秒］として、ＶＢ１／ＶＡ１＝７．２６の関係を満たすようにしている。

なお、実施例１〜５及び比較例１〜２では、いずれも、第１射出成形工程（ステップＳ１４）及び第２射出成形工程（ステップＳ１５）において、混合材料５０（材料Ｂ）の射出速度を途中で変更することなく、第１速度（１００ｍｍ／秒）の一定速度として、射出成形を行っている。すなわち、第１射出成形工程（ステップＳ１４）及び第２射出成形工程（ステップＳ１５）を、共に、第１度射出ステップのみからなる工程とした。従って、実施例１〜５では、リード部中間体２１２，２２２の全体にわたって、混合材料５０のせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる。

また、実施例１〜５及び比較例１〜２では、第１射出成形工程（ステップＳ１４）及び第２射出成形工程（ステップＳ１５）において射出する混合材料５０（材料Ｂ）の温度を、いずれも、１５０℃としている。

＜リード部中間体の変形度合いの調査＞
まず、実施例１〜５及び比較例１〜２のそれぞれの製造方法により、ヒータ中間体９００を作製した。そして、それぞれのヒータ中間体９００（焼成前のセラミックヒータ４）について、リード部中間体２１２，２２２の変形の程度を調査した。

具体的には、まず、ヒータ中間体９００を、リード部中間体２１２，２２２を軸線方向ＤＸに５等分する位置で、軸線方向ＤＸに直交する方向に切断した。このときの切断面のうち、図１１に示す、Ｄ１−Ｄ１の切断面、Ｄ２−Ｄ２の切断面、Ｄ３−Ｄ３の切断面、及び、Ｄ４−Ｄ４の切断面の４つの切断面について、リード部中間体２１２と２２２との間の最短距離Ｅを測定し、４つの最短距離Ｅの中で最も小さい値を「リード間距離」とした。従って、リード間距離が大きいほど、リード部中間体（ひいてはリード部）の変形を小さくすることができる製造方法であるといえる。

ここで、ヒータ中間体９００の切断面の一例を図１２と図１３に示す。図１２は、最短距離Ｅが大きい（すなわち、リード部中間体２１２，２２２の変形が小さい）ヒータ中間体９００の切断面の例である。一方、図１３は、最短距離Ｅが小さい（すなわち、リード部中間体２１２，２２２の変形が大きい）ヒータ中間体９００の切断面の例である。図１２及び図１３に示すように、第１射出成形工程及び第２射出成形工程（第１速度射出ステップ）を行うことで、リード部中間体２１２，２２２は、その表層が剥がれるように変形する（変形部２１２ｂ，２２２ｂが形成される）。図１２及び図１３より、リード部中間体２１２，２２２の変形が大きくなるほど（変形部２１２ｂ，２２２ｂが大きくなるほど）、リード部中間体２１２，２２２の最短距離Ｅ（リード間距離）が小さくなることがわかる。

なお、本調査では、リード間距離の設計値ＥＳ（変形なしである場合のリード間距離）に対するリード間距離の測定値ＥＭ（上述のように測定した実施例１〜５及び比較例１〜２のリード間距離）の比率＝（ＥＭ／ＥＳ）×１００（％）を算出し、比率が８０％以上であるものを「○」、比率が５０％以上８０％未満であるものを「△」、比率が５０％未満であるものを「×」として評価した。この結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１〜４及び比較例１では、リード間距離の評価がいずれも「○」となった。また、実施例５では、リード間距離の評価が「△」となった。なお、評価が「○」または「△」となった実施例１〜５及び比較例１では、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。このうち、評価が「○」となった実施例１〜４及び比較例１では、ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすようにしている。
一方、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たしていない比較例２では、リード間距離の評価が「×」となった。

この結果より、ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（７．０倍以下に抑制する）ことで、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体２１２，２２２の変形（具体的には、リード部中間体２１２，２２２の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができ、リード部中間体２１２と２２２の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができるといえる。

特に、ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすようにする（実施例１〜４及び比較例１）ことで、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体２１２，２２２の変形（具体的には、リード部中間体の表層が剥がれるような変形）をより一層小さくすることができ、リード部中間体２１２と２２２の間の距離が小さくなるのを抑制することができるといえる。

＜リード部と基体との間の接着性の評価＞
次に、実施例１〜５及び比較例１〜２のセラミックヒータ４について、リード部３１，３２と基体２１との間の接着状態を調査した。具体的には、まず、実施例１〜５及び比較例１〜２のそれぞれの製造方法により、多数のセラミックヒータ４を作製した。そして、各々のセラミックヒータ４について、リード部３１，３２と基体２１との界面を、透過型Ｘ線観察装置によって観察し、リード部３１，３２と基体２１との界面にクラック（剥がれ）が発生しているか否かを調査した。クラックが発生している場合は、リード部３１，３２と基体２１との間の接着不良であると判断することができる。

なお、本調査では、各々の実施例及び比較例について、クラック発生率（％）を算出した。具体的には、各々の実施例及び比較例について、調査したセラミックヒータ４の総数ＮＡに対し、クラックが発生していたセラミックヒータ４の数ＮＢの割合＝（ＮＢ／ＮＡ）×１００（％）を、クラック発生率（％）として算出した。この結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例２〜５及び比較例２では、いずれも、クラック発生率が０％であった。また、実施例１では、クラック発生率が０．２％であった。なお、このようにクラック発生率が低い実施例１〜５及び比較例２では、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たすようにしている。
一方、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たしていない比較例１では、クラック発生率が５．０％となり、他の例に比べて大きくなった。

この結果より、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂ（混合材料５０）とリード部中間体２１２，２２２との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、リード部中間体２１２，２２２が溶解し易くなるといえる。これにより、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂ（混合材料５０）の接着性を良好にでき（リード部中間体２１２，２２２と基体中間体２７０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４におけるリード部３１，３２と基体２１との間の接着不良を低減することができるといえる。

以上の結果より、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにすることで、セラミックヒータ４におけるリード部３１，３２と基体２１との間の接着不良を低減することができ、且つ、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形を小さくすることができるといえる。特に、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たすようにすることで、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形をより一層小さくすることができるといえる。

（実施例６〜１２）
実施例６〜１２は、実施例１〜５と異なり、第１射出成形工程（ステップＳ１４）が、第１速度射出ステップの後、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂ（混合材料５０）のせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となる第２速度（第１速度よりも低速）で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含んでいる。すなわち、第１射出成形工程（ステップＳ１４）が、第１速度（具体的には、１００ｍｍ／秒）で材料Ｂ（混合材料５０）を射出する第１速度射出ステップに加えて、その後、第１速度よりも低速な第２速度（具体的には、２０ｍｍ／秒）で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを有している。より具体的には、実施例６〜１２は、第１射出成形工程（ステップＳ１４）を、第１速度射出ステップと第２速度射出ステップとにより構成している。

これにより、第１射出成形工程の終盤（材料Ｂが発熱部中間体２３３の表面に接触しつつ流れてゆくとき、すなわち、射出した材料Ｂによって金型３００内の略密閉空間ＭＳ１の多くが満たされたとき）において材料Ｂの射出速度を低速にすることができるので、金型３００内の圧力が急上昇するのを抑制でき、金型３００を構成する上金型５００と下金型４００との境界（合わせ面）に材料Ｂが漏出（進入）するのを抑制することができる。これにより、基体２１（基体中間体２７０）の表面にバリが生じるのを抑制することができる。

さらに、実施例６〜１２は、実施例１〜５と異なり、第２射出成形工程（ステップＳ１５）も、第１速度射出ステップの後、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂ（混合材料５０）のせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となる第２速度で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含んでいる。すなわち、第２射出成形工程（ステップＳ１５）も、第１速度（具体的には、１００ｍｍ／秒）で材料Ｂ（混合材料５０）を射出する第１速度射出ステップに加えて、その後、第１速度よりも低速な第２速度（具体的には、２０ｍｍ／秒）で材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを有している。

これにより、第２射出成形工程の終盤（材料Ｂが発熱部中間体２３３の表面に接触しつつ流れてゆくとき、すなわち、射出した材料Ｂによって金型７００内の略密閉空間ＭＳ２の多くが満たされたとき）において材料Ｂの射出速度を低速にすることができるので、金型７００内の圧力が急上昇するのを抑制でき、金型７００を構成する上金型８００と下金型６００との境界（合わせ面）に材料Ｂが漏出（進入）するのを抑制することができる。これにより、基体２１（基体中間体２７０）の表面にバリが生じるのを抑制することができる。

また、実施例６〜１２では、実施例１〜５と同様に、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにしている。これにより、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂとリード部中間体２１２，２２２との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、リード部中間体２１２，２２２が溶解し易くなるので、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（リード部中間体２１２，２２２と第１部分基体中間体２８０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４におけるリード部３１，３２と基体２１との間の接着不良が低減される。さらには、第１速度射出ステップにおいて、リード部中間体２１２，２２２の変形を小さくすることができ、２本のリード部中間体２１２，２２２の間の距離が小さくなり過ぎるのを抑制することができる。

ところで、第１射出成形工程及び第２射出成形工程の第２速度射出ステップでは、第２速度（具体的には、２０ｍｍ／秒）で材料Ｂを射出することで、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂ（混合材料５０）のせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂが発熱部中間体２３３（発熱部中間体２３３の一部）の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆく。換言すれば、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂが発熱部中間体２３３の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆくとき、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

これに対し、実施例６〜１２のうち実施例７〜１１では、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにしている。すなわち、ステップＳ１１とステップＳ１２とにおいて、材料Ａと材料Ｂ（混合材料５０）を作製するとき、粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすように、混合する材料の成分比を調整している。

なお、粘度ＶＡ２及び粘度ＶＢ２の測定温度を１００℃にしている理由は、通常、本実施形態と同様に、第１射出成形工程において材料Ｂ（混合材料５０）を射出する温度が１００〜２５０℃の範囲内の温度（具体的には、１５０℃）であるため、第２速度射出ステップにおいて発熱部中間体２３３（材料Ａ）と材料Ｂとが接触するときの発熱部中間体２３３（材料Ａ）と材料Ｂとの境界部の温度が、１００℃を含む範囲内の温度になると考えられるからである。

１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂ（混合材料５０）と発熱部中間体２３３との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、発熱部中間体２３３が溶解し易くなる。これにより、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂの接着性を良好にでき（発熱部中間体２３３と基体中間体２７０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４における発熱部３３と基体２１との間の接着不良を低減することができる。

さらに、ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（６．０倍以下に抑制する）ことで、第２速度射出ステップにおいて、発熱部中間体２３３の変形（具体的には、発熱部中間体２３３の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができる。これにより、焼成後のセラミックヒータ４において、長期間にわたって、発熱部３３におけるマイグレーションを抑制することが可能となり（従って、導電部２２の電気抵抗値の変化を抑制することが可能となり）、長期間にわたって、発熱部３３において適切に発熱させることが可能となる。

以上説明したように、実施例７〜１１の製造方法によれば、発熱部３３（発熱部中間体２３３）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部３３（発熱部中間体２３３）の変形を小さくすることが可能となる。しかも、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形を小さくすることが可能となる

なお、実施例６〜１２の第１射出成形工程は、以下のように行うようにしている。具体的には、まず、第１速度射出ステップにおいて、第１速度（例えば、１００ｍｍ／秒）で材料Ｂ（混合材料５０）の射出を開始する。これにより、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂがリード部中間体２１２，２２２の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆく。

その後、材料Ｂがリード部中間体２１２，２２２と発熱部中間体２３３との境界部２２５（図５及び図６参照）に初めて到達する（到達すると推測される）ときに、第２速度射出ステップに進み、材料Ｂの射出速度を、第１速度よりも低速の第２速度（例えば、２０ｍｍ／秒）に変更する。これにより、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）、材料Ｂが発熱部中間体２３３の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆく。

このように、第１射出成形工程の終盤において、材料Ｂ（混合材料５０）の射出速度を低下させることで、金型３００を構成する上金型５００と下金型４００との境界（合わせ面）に材料Ｂが進入（漏出）するのを抑制することができ、基体２１の表面にバリ（突起部）が生じるのを抑制することができる。
また、実施例６〜１２では、第２射出成形工程も、上述した第１射出成形工程と同様にしている。

このような実施例６〜１２では、材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］との比であるＶＢ１／ＶＡ１の値、及び、材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］との比であるＶＢ２／ＶＡ２の値を異ならせている点のみが相違しており、その他は同様として、セラミックヒータ４を製造している。

なお、材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］は、キャピログラフ（東洋精機製、型式：１Ｄ）を使用して測定している。測定条件は、測定温度１００℃、キャピラリー径１ｍｍ、キャピラリー長さ１０ｍｍ、ピストンスピード４００［ｍｍ／分］＝せん断速度４８６４［１／秒］としている。材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］についても同様にして測定している。

また、材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］も、キャピログラフ（東洋精機製、型式：１Ｄ）を使用して測定している。測定条件は、測定温度１００℃、キャピラリー径１ｍｍ、キャピラリー長さ１０ｍｍ、ピストンスピード４０［ｍｍ／分］＝せん断速度４８６［１／秒］としている。材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］についても同様にして測定している。

具体的には、実施例６では、材料Ａの粘度ＶＡ２を２１．７［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を１９．５［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝０．９０の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が２１．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が１９．５［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝０．９０の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たしている。

また、実施例７では、材料Ａの粘度ＶＡ２を２１．７［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を２２．２［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．０２の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が２１．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が２２．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．０２の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たしている。

また、実施例８では、材料Ａの粘度ＶＡ２を２１．７［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を２３．２［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．０７の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が２１．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が２３．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．０７の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たしている。

また、実施例９では、材料Ａの粘度ＶＡ２を２１．７［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を２４．１［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．１１の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が２１．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が２４．１［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．１１の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たしている。

また、実施例１０では、材料Ａの粘度ＶＡ２を２１．７［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を３４．７［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．６０の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が２１．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が３４．７［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝１．６０の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たしている。

また、実施例１１では、材料Ａの粘度ＶＡ２を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を５５．２［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝６．００の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が９．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が５５．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝６．００の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．６５＜ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たしている。

また、実施例１２では、材料Ａの粘度ＶＡ２を９．２［Ｐａ・秒］とし、材料Ｂ（混合材料５０）の粘度ＶＢ２を６４．３［Ｐａ・秒］として、ＶＢ２／ＶＡ２＝６．９９の関係を満たすようにしている。すなわち、材料Ａを作製する際、粘度ＶＡ２が９．２［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整し、且つ、材料Ｂ（混合材料５０）を作製する際、粘度ＶＢ２が６４．３［Ｐａ・秒］となるように混合する材料の添加率を調整して、ＶＢ２／ＶＡ２＝６．９９の関係を満たすようにしている。なお、ＶＢ１／ＶＡ１については、１．６５＜ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たしている。

＜発熱部と基体との間の接着性の評価＞
次に、実施例６〜１２のセラミックヒータ４について、発熱部３３と基体２１との間の接着状態を調査した。具体的には、まず、実施例６〜１２のそれぞれの製造方法により、多数のセラミックヒータ４を作製した。そして、各々のセラミックヒータ４について、発熱部３３と基体２１との界面を、透過型Ｘ線観察装置によって観察し、発熱部３３と基体２１との界面にクラック（剥がれ）が発生しているか否かを調査した。クラックが発生している場合は、発熱部３３と基体２１との間の接着不良であると判断することができる。

なお、本調査では、各々の実施例について、クラック発生率（％）を算出した。具体的には、各々の実施例について、調査したセラミックヒータ４の総数ＮＡに対し、クラックが発生していたセラミックヒータ４の数ＮＢの割合＝（ＮＢ／ＮＡ）×１００（％）を、クラック発生率（％）として算出した。この結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例８〜１２では、いずれも、クラック発生率が０％であった。また、実施例７では、クラック発生率が０．２％であった。なお、このようにクラック発生率が低い実施例７〜１２では、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２の関係を満たすようにしている。
一方、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２の関係を満たすようにしていない実施例６では、クラック発生率が１．５％となり、他の例に比べて大きくなった。

この結果より、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くすることで、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂ（混合材料５０）と発熱部中間体２３３との間（界面）で生じるせん断熱を大きくすることができ、発熱部中間体２３３が溶解し易くなるといえる。これにより、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂ（混合材料５０）の接着性を良好にでき（発熱部中間体２３３と基体中間体２７０との間の接着性を良好にでき）、焼成後のセラミックヒータ４における発熱部３３と基体２１との間の接着不良が低減されるといえる。

＜発熱部の変形度合いの調査＞
また、実施例６〜１２のセラミックヒータ４について、発熱部３３の変形の程度を調査した。具体的には、各実施例のセラミックヒータ４について、１０００時間の連続通電による耐久試験を行い、耐久試験中における導電部２２の電気抵抗値を測定した。耐久試験期間中における電気抵抗変化率が大きいほど、発熱部３３の変形（具体的には、発熱部３３の表層が剥がれるような変形）の程度が大きいと判断することができる。その理由は、発熱部３３の表層が剥がれるような変形の程度が大きいほど、略Ｕ字形状をなす発熱部３３のうち軸線方向ＤＸに平行に延びる２つの直線部分の間の距離が小さくなり、当該部分において通電中にマイグレーションによって抵抗変化が発生し易くなるからである。

なお、本耐久試験では、セラミックヒータ４の表面の最高温度が１３００℃となるようにセラミックヒータ４に電圧を印加している。
また、本耐久試験では、各実施例のセラミックヒータ４について、試験開始前の導電部２２の電気抵抗値Ｒｓを測定しておき、連続通電開始から１００時間経過する毎に導電部２２の電気抵抗値Ｒｂを測定した。そして、１００時間毎に測定した電気抵抗値Ｒｂについて、試験開始前の電気抵抗値Ｒｓを基準にした抵抗変化率＝{｜Ｒｓ−Ｒｂ｜／Ｒｓ}×１００（％）を算出した。

そして、本耐久試験の評価は、次のようにした。具体的には、連続通電開始から１０００時間経過するまでの抵抗変化率が５％未満であったものを「◎」、連続通電開始から７００時間経過するまでは抵抗変化率が５％未満であったが、その後、連続通電開始から１０００時間経過するまでに抵抗変化率が５％以上となったものを「○」、連続通電開始から５００時間経過するまでは抵抗変化率が５％未満であったが、その後、連続通電開始から７００時間経過するまでに抵抗変化率が５％以上となったものを「△」、連続通電開始から５００時間経過するまでに抵抗変化率が５％以上となったものを「×」として評価した。この結果を表２に示す。

表２に示すように、実施例６〜１０では、耐久試験の評価がいずれも「◎」となった。また、実施例１１では、耐久試験の評価が「○」となった。なお、評価が「◎」または「○」となった実施例６〜１１では、ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにしている。このうち、評価が「◎」となった実施例６〜１０では、ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすようにしている。一方、ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たしていない実施例１２では、耐久試験の評価が「△」となった。

この結果より、ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすように、材料Ａの粘度に比べて材料Ｂの粘度を高くし過ぎないようにする（６．０倍以下に抑制する）ことで、第２速度射出ステップにおいて、発熱部中間体２３３の変形（具体的には、発熱部中間体２３３の表層が剥がれるような変形）を小さくすることができるといえる。これにより、焼成後のセラミックヒータ４において、長期間にわたって、発熱部３３におけるマイグレーションを抑制することが可能となり（従って、導電部２２の抵抗変化率を小さくすることが可能となり）、長期間にわたって、発熱部３３において適切に発熱させることが可能となる。

特に、ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすようにすることで、第２速度射出ステップにおいて、発熱部中間体２３３の変形（具体的には、発熱部中間体２３３の表層が剥がれるような変形）をより一層小さくすることができるといえる。

以上説明したことから、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにすることで、発熱部３３（発熱部中間体２３３）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部３３（発熱部中間体２３３）の変形を小さくすることが可能となるといえる。その上、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにすることで、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形を小さくすることが可能となるといえる。

特に、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たすようにすることで、発熱部３３（発熱部中間体２３３）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部３３（発熱部中間体２３３）の変形を特に小さくすることが可能となるといえる。その上、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６０の関係を満たすようにすることで、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形を特に小さくすることが可能となるといえる。

以上において、本発明を実施例１〜１２に即して説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。

例えば、実施例１〜１２では、射出成形工程を、第１射出成形工程（ステップＳ１４）と第２射出成形工程（ステップＳ１５）との２つの工程に分けて行うようにした。すなわち、基体中間体２７０を、２回の射出成形によって、２つに分割して成形するようにした。しかしながら、射出成形工程を２つの工程に分けることなく、１つの工程のみで行うようにしても良い。すなわち、基体中間体２７０を１回の射出成形によって成形するようにしても良い。あるいは、射出成形工程を３つ以上の工程に分けて行うようにして、基体中間体２７０を、３回以上の射出成形によって、３つ以上に分割して成形するようにしても良い。

また、実施例６〜１２では、第１射出成形工程及び第２射出成形工程において、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替える（すなわち、材料Ｂの射出速度を第１速度から第２速度に変更する）タイミングを、材料Ｂ（混合材料５０）がリード部中間体２１２，２２２と発熱部中間体２３３との境界部２２５に最初に到達するときにしたが、これに限定されない。

例えば、材料Ｂの射出を開始してから、射出した材料Ｂが、リード部中間体２１２，２２２と発熱部中間体２３３との境界部２２５よりも軸線方向ＤＸの後端側ＸＫ（図６及び図９において境界部２２５よりも右側）に最初に到達するとき（すなわち、軸線方向ＤＸについてリード部中間体２１２，２２２の後端と先端との間の所定位置に最初に到達するとき）に、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替えるようにしても良い。

あるいは、材料Ｂの射出を開始してから、射出した材料Ｂが、リード部中間体２１２，２２２と発熱部中間体２３３との境界部２２５よりも軸線方向ＤＸの先端側ＸＳ（図６及び図９において境界部２２５よりも左側）の所定位置に最初に到達したとき（すなわち、軸線方向ＤＸについて発熱部中間体２３３の後端と先端との間の所定位置に最初に到達したとき）に、第１速度射出ステップから第２速度射出ステップに切り替えるようにしても良い。

いずれの場合でも、第１速度射出ステップにおいて、材料Ｂがリード部中間体２１２，２２２の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆくとき、リード部中間体２１２，２２２に対する材料Ｂのせん断速度を７５０〜３００００［１／秒］の範囲内として（７５０〜３００００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。さらには、第２速度射出ステップにおいて、材料Ｂが発熱部中間体２３３の表面に接触しつつ軸線方向ＤＸの後端側ＸＫから先端側ＸＳに向かって流れてゆくとき、発熱部中間体２３３に対する材料Ｂのせん断速度を１５０〜６０００［１／秒］の範囲内として（１５０〜６０００［１／秒］の範囲内のせん断速度で）流れることになる。

従って、いずれの場合でも、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たすようにすることで、第１速度射出ステップにおいて、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、リード部３１，３２（リード部中間体２１２，２２２）の変形を小さくすることが可能となる。さらには、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たすようにすることで、発熱部３３（発熱部中間体２３３）と基体２１（基体中間体２７０）との間の接着不良を低減することが可能になると共に、発熱部３３（発熱部中間体２３３）の変形を小さくすることが可能となる。

２ 主体金具
３ 中軸
４ セラミックヒータ
５ 絶縁部材
７ 外筒
８ ピン端子
１８ 電極リング
２１ 基体
２２ 導電部
２７，２８ 電極部
３１，３２ リード部
３３ 発熱部
５０ 混合材料（材料Ｂ）
１００ グロープラグ
２００ 導電部中間体
２１２，２２２ リード部中間体
２２７，２２８ 電極部中間体
２３３ 発熱部中間体
２７０ 基体中間体
２８０ 第１部分基体中間体
２９０ 第２部分基体中間体
３００ 金型Ａ
４００ 下金型
５００ 上金型
６００ 下金型
７００ 金型Ｂ
８００ 上金型
９００ ヒータ中間体
９５０ 第１部分ヒータ中間体
ＤＸ 軸線方向
ＸＫ 後端側
ＸＳ 先端側
Ｓ１４ 第１射出成形工程
Ｓ１５ 第２射出成形工程
Ｓ１６，Ｓ１７ 焼成工程

Claims (8)

1. 絶縁性セラミックからなり、軸線方向に延びる形態の基体と、
   導電性セラミックからなり、前記基体の内部に埋設された導電部と、を備え、
   前記導電部は、前記軸線方向について後端側から先端側に向かって平行に延びる２つのリード部、及び、前記２つのリード部よりも前記軸線方向の先端側に位置して前記２つのリード部の先端部に接続する発熱部、を有する
   セラミックヒータの製造方法において、
   焼成後に前記導電性セラミックとなる材料Ａを用いて、焼成前の前記リード部であるリード部中間体及び焼成前の前記発熱部である発熱部中間体を含む、焼成前の前記導電部である導電部中間体を作製する工程と、
   前記導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に前記絶縁性セラミックとなる材料Ｂを、前記金型の内部に前記軸線方向の前記後端側から前記先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の前記基体である基体中間体を成形することで、前記基体中間体の内部に前記導電部中間体が埋設された、前記セラミックヒータの中間体であるヒータ中間体を形成する射出成形工程と、
   前記ヒータ中間体を焼成する焼成工程と、を備え、
   前記射出成形工程は、前記リード部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で前記材料Ｂを射出する第１速度射出ステップを含み、
   １００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たす
   セラミックヒータの製造方法。
2. 請求項１に記載のセラミックヒータの製造方法であって、
   前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たす
   セラミックヒータの製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のセラミックヒータの製造方法であって、
   前記射出成形工程は、前記第１速度射出ステップの後、前記発熱部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となり且つ前記第１速度よりも遅い第２速度で、前記材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含み、
   １００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たす
   セラミックヒータの製造方法。
4. 請求項３に記載のセラミックヒータの製造方法であって、
   前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦１．６０の関係を満たす
   セラミックヒータの製造方法。
5. セラミックヒータと、前記セラミックヒータを保持する金具と、を備えるグロープラグであって、
   前記セラミックヒータは、
   絶縁性セラミックからなり、軸線方向に延びる形態の基体と、
   導電性セラミックからなり、前記基体の内部に埋設された導電部と、を備え、
   前記導電部は、前記軸線方向について後端側から先端側に向かって平行に延びる２つのリード部、及び、前記２つのリード部よりも前記軸線方向の先端側に位置して前記２つのリード部の先端部に接続する発熱部、を有する
   グロープラグの製造方法において、
   焼成後に前記導電性セラミックとなる材料Ａを成形して、焼成前の前記リード部であるリード部中間体及び焼成前の前記発熱部である発熱部中間体を含む、焼成前の前記導電部である導電部中間体を作製する工程と、
   前記導電部中間体を金型の内部に配置した状態で、焼成後に前記絶縁性セラミックとなる材料Ｂを、前記金型の内部に前記軸線方向の前記後端側から前記先端側に向かう方向へ射出して、焼成前の前記基体である基体中間体を成形することで、前記基体中間体の内部に前記導電部中間体が埋設された、前記セラミックヒータの中間体であるヒータ中間体を形成する射出成形工程と、
   前記ヒータ中間体を焼成する焼成工程と、を備え、
   前記射出成形工程は、前記リード部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が７５０〜３００００［１／秒］の範囲内の値となる第１速度で前記材料Ｂを射出する第１速度射出ステップを含み、
   １００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６４［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦７．０の関係を満たす
   グロープラグの製造方法。
6. 請求項５に記載のグロープラグの製造方法であって、
   前記材料Ａの粘度ＶＡ１［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ１［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６５の関係を満たす
   グロープラグの製造方法。
7. 請求項５または請求項６に記載のグロープラグの製造方法であって、
   前記射出成形工程は、前記発熱部中間体に対する前記材料Ｂのせん断速度が１５０〜６０００［１／秒］の範囲内の値となり且つ前記第１速度よりも遅い第２速度で、前記材料Ｂを射出する第２速度射出ステップを含み、
   １００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と、１００℃の温度で測定したせん断速度４８６［１／秒］における前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ２／ＶＡ２≦６．０の関係を満たす
   グロープラグの製造方法。
8. 請求項７に記載のグロープラグの製造方法であって、
   前記材料Ａの粘度ＶＡ２［Ｐａ・秒］と前記材料Ｂの粘度ＶＢ２［Ｐａ・秒］とが、１．０２≦ＶＢ１／ＶＡ１≦１．６０の関係を満たす
   グロープラグの製造方法。

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