JP6870951B2 - Semiconductor manufacturing method - Google Patents
Semiconductor manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6870951B2 JP6870951B2 JP2016199090A JP2016199090A JP6870951B2 JP 6870951 B2 JP6870951 B2 JP 6870951B2 JP 2016199090 A JP2016199090 A JP 2016199090A JP 2016199090 A JP2016199090 A JP 2016199090A JP 6870951 B2 JP6870951 B2 JP 6870951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive tape
- sensitive adhesive
- pressure
- base material
- plasma ashing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Description
本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing method capable of preventing white turbidity and peeling of an adhesive tape even when plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced.
半導体チップの製造工程において、半導体チップの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ（半導体ウエハ保護テープ）によって半導体チップを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている。また、粘着テープでウエハを補強したまま、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することも行われている。
このような半導体ウエハ保護テープとしては、例えば、特許文献１には基材フィルムの片面に架橋されたポリマー層が形成され、この架橋されたポリマー層が形成された面に、剥離可能に調整されているウエハ貼付用の粘着剤層が積層されているバックグラインドテープであって、基材フィルムの引っ張り弾性率がフィルムの長手方向と幅方向の平均値で２ＧＰａ以上であり、該バックグラインドテープの反りが４ｍｍ以下であるバックグラインドテープが開示されている。
In the semiconductor chip manufacturing process, it is common practice to reinforce the semiconductor chip with an adhesive tape (semiconductor wafer protective tape) in order to facilitate handling during processing of the semiconductor chip and prevent it from being damaged. .. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to obtain a thin film wafer, an adhesive tape is attached for the purpose of protecting the wafer and then the grinding process is performed. ing. Further, while the wafer is reinforced with an adhesive tape, it is also conductively connected to an electrode on a substrate or another semiconductor chip.
As such a semiconductor wafer protective tape, for example, in Patent Document 1, a crosslinked polymer layer is formed on one side of a base film, and the surface on which the crosslinked polymer layer is formed is adjusted so as to be peelable. This is a backgrinding tape on which an adhesive layer for attaching a wafer is laminated, and the tensile elasticity of the base film is 2 GPa or more on average in the longitudinal direction and the width direction of the film, and the backgrinding tape A back grind tape having a warp of 4 mm or less is disclosed.
近年、半導体装置の製造において表面処理層の表面を滑らかにするためにプラズマアッシングが行われることがある。プラズマアッシングとは、酸素ガスを可視光線やマイクロ波等の非電離放射線を用いてプラズマ化し、それによって生じる酸素ラジカルによって、有機物を二酸化炭素、水等に酸化、蒸発させて除去する手法である。プラズマアッシングによって、半導体装置のウエハにダメージを与えることなく表面処理層に用いられるポリアミド樹脂やポリイミド樹脂等を除去、研削することができる。しかしながら、従来の粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが剥離してしまうという問題があった。 In recent years, plasma ashing may be performed in order to smooth the surface of the surface treatment layer in the manufacture of semiconductor devices. Plasma ashing is a method in which oxygen gas is converted into plasma using non-ionizing radiation such as visible light or microwaves, and organic substances are oxidized and evaporated to carbon dioxide, water, etc. by the oxygen radicals generated by the plasma ashing. By plasma ashing, the polyamide resin and polyimide resin used for the surface treatment layer can be removed and ground without damaging the wafer of the semiconductor device. However, if plasma ashing is performed with the conventional adhesive tape attached, there is a problem that the adhesive tape is peeled off.
粘着テープの剥離や糊残りの問題は、薬液処理や高温処理を行う工程において従来から発生しており、種々の対策が提案されてきた。例えば、特許文献２には、高弾性率層と低弾性率層の複合体からなる基材を有することで、エッチング工程に用いても剥離不良や糊残りを防止できる半導体ウエハ表面保護用粘着テープが開示されている。しかしながら、このような従来の耐薬品性、耐熱性粘着テープは、薬液処理や高温処理を行う工程においては高い効果を発揮するものの、プラズマアッシング工程に対しては粘着テープの剥離や糊残りを防止することができなかった。
The problem of peeling of the adhesive tape and residual adhesive has conventionally occurred in the process of performing chemical treatment or high temperature treatment, and various countermeasures have been proposed. For example,
また、粘着テープを貼り付けたままプラズマアッシングを行うと、粘着テープが白濁し、透明度が低下するという問題もあった。プラズマアッシング処理を行った半導体装置は、後に基板等に接続されるが、その際、光によって接続位置を調整するアライメントが行われる。しかし、粘着テープが白濁すると光が透過しにくくなるため、位置合わせが充分に行えず、アライメント不良となる場合があった。 Further, when plasma ashing is performed with the adhesive tape attached, there is a problem that the adhesive tape becomes cloudy and the transparency is lowered. The semiconductor device subjected to the plasma ashing process is later connected to a substrate or the like, and at that time, alignment is performed in which the connection position is adjusted by light. However, when the adhesive tape becomes cloudy, it becomes difficult for light to pass through, so that alignment cannot be performed sufficiently, and alignment may be poor.
本発明は、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing method capable of preventing white turbidity and peeling of an adhesive tape even when plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced.
本発明は、少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼りつける貼付工程と、プラズマアッシングを行うプラズマアッシング工程と、粘着テープを半導体から剥離する剥離工程とを有する半導体製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention includes a sticking step of sticking an adhesive tape having at least an adhesive layer and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance to a semiconductor, a plasma ashing step of performing plasma ashing, and peeling the adhesive tape from the semiconductor. It is a semiconductor manufacturing method including a peeling step.
The present invention will be described in detail below.
本発明者らは、プラズマアッシング工程において粘着テープの白濁及び剥離が起こる問題について検討したところ、プラズマによる粘着テープの基材の分解が原因であることを見出した。
図１（ａ）に示すように、プラズマアッシング前の半導体装置２は片方の面に表面処理層３が積層されており、もう一方の面には基材１１と粘着剤層１２からなる粘着テープ１が貼り付けられている。粘着テープによって補強された半導体装置は、半導体装置の損傷を防ぐ目的で接触面積の小さな橋脚４の上に置かれている（以下、橋脚４の上に半導体装置が置かれている状態を「中空状態」と言う。）。
このような半導体装置にプラズマアッシングが行われると、図１（ｂ）に示すように、ポリプロピレンやポリエチレンテレフタレート等の有機物が用いられている基材１１は、プラズマによる分解を受ける。このとき分解は一様には起こらず、基材表面では分解の程度の違いによって微細な凹凸が形成される。微細な凹凸構造は光を散乱させて光の透過を妨げるため、その結果、透明度が低下し白濁が起こっていた。また、基材１１が分解を受けると基材１１の応力が変化し、基材１１が収縮する。そのため粘着テープ１に反りが発生し、剥離の原因となっていた。特にプラズマアッシングが中空状態で行われる場合は、橋脚４の隙間からプラズマが侵入し、基材１１と接触しやすくなるため、基材１１の分解が顕著になっていた。
The present inventors investigated the problem of white turbidity and peeling of the adhesive tape in the plasma ashing step, and found that the cause was the decomposition of the base material of the adhesive tape by plasma.
As shown in FIG. 1A, the
When plasma ashing is performed on such a semiconductor device, as shown in FIG. 1 (b), the base material 11 in which an organic substance such as polypropylene or polyethylene terephthalate is used is decomposed by plasma. At this time, the decomposition does not occur uniformly, and fine irregularities are formed on the surface of the base material depending on the degree of decomposition. The fine uneven structure scatters light and hinders the transmission of light, resulting in a decrease in transparency and white turbidity. Further, when the base material 11 is decomposed, the stress of the base material 11 changes and the base material 11 contracts. As a result, the adhesive tape 1 was warped, causing peeling. In particular, when plasma ashing is performed in a hollow state, plasma invades through the gaps between the
上記知見をもとに、本発明者らは更に検討を進めた結果、プラズマによる分解を受けない無機物を基材に用いた粘着テープを使用することで、粘着テープを半導体装置に貼り付けたままプラズマアッシングを行った場合でも粘着テープの白濁を防ぐことができ、粘着テープの剥離も防止できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 Based on the above findings, the present inventors further studied, and as a result, by using an adhesive tape using an inorganic substance that is not decomposed by plasma as a base material, the adhesive tape remains attached to the semiconductor device. We have found that the white turbidity of the adhesive tape can be prevented and the peeling of the adhesive tape can be prevented even when plasma ashing is performed, and the present invention has been completed.
本発明の半導体製造方法では、まず、少なくとも粘着剤層と、無機物質で構成された無機基材層とを有する粘着テープを半導体に貼り付ける貼付工程を行う。半導体装置を粘着テープで補強することにより、半導体装置の処理時の取扱いを容易にし、破損を防止することができる。また、上記粘着テープの基材が無機物質であると、プラズマによって基材が分解されないため、中空状態でプラズマアッシングを行った場合でも粘着テープの白濁や剥離を抑えることができる。 In the semiconductor manufacturing method of the present invention, first, an adhesive tape having at least an adhesive layer and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance is attached to the semiconductor. By reinforcing the semiconductor device with the adhesive tape, it is possible to facilitate the handling of the semiconductor device during processing and prevent damage. Further, when the base material of the adhesive tape is an inorganic substance, the base material is not decomposed by plasma, so that white turbidity and peeling of the adhesive tape can be suppressed even when plasma ashing is performed in a hollow state.
上記無機基材層を構成する無機物質は特に限定されず、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ等の金属やＩｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等の金属酸化物などが挙げられる。なかでも、光によって硬化型粘着剤層を硬化することができ、プラズマアッシング後に粘着テープを貼り付けたままアライメントを行えることから、光透過性の無機物質を用いることが好ましい。上記光透過性の無機物質としては、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等が挙げられる。
The inorganic substance constituting the inorganic base material layer is not particularly limited, and for example, metals such as Au, Ag, Pt, Cu, Rh, Pd, Al, and Cr, In 2 O 3 , CdO, CdIn 2 O 4 , and Cd 2 are not particularly limited. Examples thereof include metal oxides such as SnO 4 , TiO 2 , SnO 2 , ZnO, and ZnSiO 3. Among them, it is preferable to use a light-transmitting inorganic substance because the curable pressure-sensitive adhesive layer can be cured by light and alignment can be performed with the pressure-sensitive adhesive tape attached after plasma ashing. As the light-transmitting inorganic material, In 2 O 3, CdO, CdIn 2
上記無機基材層は、紫外線透過率が１％以上であることが好ましい。
上記無機基材層の紫外線透過率が１％以上であることで、十分に紫外線による粘着剤層が硬化できる。紫外線透過率が１％以上である上記無機物質としては、Ｉｎ２Ｏ３、ＣｄＯ、ＣｄＩｎ２Ｏ４、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＺｎＳｉＯ３等が挙げられる。
The inorganic base material layer preferably has an ultraviolet transmittance of 1% or more.
When the ultraviolet transmittance of the inorganic base material layer is 1% or more, the pressure-sensitive adhesive layer can be sufficiently cured by ultraviolet rays. Examples of the inorganic substance having an ultraviolet transmittance of 1% or more include In 2 O 3 , CdO, CdIn 2 O 4 , Cd 2 SnO 4 , TIO 2 , SnO 2 , ZnO, ZnSiO 3, and the like.
上記無機基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記無機基材層の厚みがこの範囲内にあると、適度な屈曲性のため粘着テープの基材として半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。 The thickness of the inorganic base material layer is not particularly limited, but a preferable lower limit is 10 μm and a preferable upper limit is 200 μm. When the thickness of the inorganic base material layer is within this range, the semiconductor device can be reinforced as the base material of the adhesive tape due to appropriate flexibility, and the adhesive tape can be easily peeled off by turning over the adhesive tape in the adhesive tape peeling step. can do.
上記粘着テープは、無機基材層のほかにプラスチックからなる基材層を有していてもよい。粘着テープが無機基材層に加えてプラスチックからなる基材層を有することによって、粘着テープの強度と柔軟性をより高めることができる。なお、粘着テープがプラスチックからなる基材層を有する場合、プラズマアッシングによる基材の分解を防止するという本発明の効果を得るためには、無機基材層が粘着テープの最外層となる。 The adhesive tape may have a base material layer made of plastic in addition to the inorganic base material layer. When the adhesive tape has a base material layer made of plastic in addition to the inorganic base material layer, the strength and flexibility of the pressure-sensitive adhesive tape can be further enhanced. When the adhesive tape has a base material layer made of plastic, the inorganic base material layer is the outermost layer of the pressure-sensitive adhesive tape in order to obtain the effect of the present invention of preventing decomposition of the base material by plasma ashing.
上記プラスチックからなる基材層は耐熱性のプラスチックによって構成されることが好ましい。上記プラスチックからなる基材層が耐熱性を有すると、後述する熱硬化性の硬化型粘着剤を粘着剤層に用いた場合に、熱によるテープの剥がれや反りが発生し難い。上記耐熱性のプラスチックとしては、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート(ＰＥＮ)、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート等が挙げられる。 The base material layer made of the plastic is preferably made of a heat-resistant plastic. When the base material layer made of the plastic has heat resistance, the tape is less likely to be peeled off or warped due to heat when a thermosetting curable adhesive described later is used for the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the heat-resistant plastic include a sheet made of a resin such as acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), nylon, urethane, and polyimide, and a mesh-like structure. And the like.
上記プラスチックからなる基材層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記プラスチックからなる基材層の厚みがこの範囲内にあると、充分に半導体装置の補強ができるとともに、粘着テープ剥離工程において粘着テープをめくるようにして容易に剥離することができる。 The thickness of the base material layer made of the plastic is not particularly limited, but the preferable lower limit is 10 μm and the preferable upper limit is 200 μm. When the thickness of the base material layer made of the plastic is within this range, the semiconductor device can be sufficiently reinforced, and the adhesive tape can be easily peeled off by turning over the adhesive tape in the adhesive tape peeling step.
上記粘着剤層に使用される粘着剤は特に限定されないが、外部からの刺激によって硬化する硬化型粘着剤であることが好ましい。硬化型粘着剤を用いた硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることによって、硬化型粘着剤層はプラズマに対する耐性を獲得し、プラズマによって硬化型粘着剤層の周縁部が分解されることにより生じる、剥離や残渣を防止することができる。 The pressure-sensitive adhesive used for the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably a curable pressure-sensitive adhesive that is cured by an external stimulus. By cross-linking and curing the curable pressure-sensitive adhesive layer using the curable pressure-sensitive adhesive, the curable pressure-sensitive adhesive layer acquires resistance to plasma, and the peripheral portion of the curable pressure-sensitive adhesive layer is decomposed by the plasma. , Peeling and residue can be prevented.
上記硬化型粘着剤を架橋、硬化する刺激としては、光、熱、電磁波、電子線、超音波等が挙げられる。なかでも、熱又は光であることが好ましい。
上記硬化型粘着剤が光硬化性である場合の粘着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化成分が挙げられる。
上記硬化型粘着剤が熱硬化性である場合の粘着剤成分としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化成分が挙げられる。
Examples of the stimulus for cross-linking and curing the curable pressure-sensitive adhesive include light, heat, electromagnetic waves, electron beams, and ultrasonic waves. Of these, heat or light is preferable.
Examples of the pressure-sensitive adhesive component when the curable pressure-sensitive adhesive is photocurable include a photo-curable component containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.
Examples of the pressure-sensitive adhesive component when the curable pressure-sensitive adhesive is thermosetting include a thermosetting component containing a polymerizable polymer as a main component and a heat polymerization initiator.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。 For the polymerizable polymer, for example, a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance and reacted with the functional group in the molecule. It can be obtained by reacting with a compound having a functional group to be subjected to a radically polymerizable unsaturated bond (hereinafter, referred to as a functional group-containing unsaturated compound).
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。 As a polymer having adhesiveness at room temperature, the functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic in which the number of carbon atoms of the alkyl group is usually in the range of 2 to 18, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By using an acid alkyl ester and / or a methacrylate alkyl ester as a main monomer, and copolymerizing this with a functional group-containing monomer and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable with these by a conventional method. It is what you get. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylate and methacrylate; hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and epoxy groups such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomer: An isocyanate group-containing monomer such as isocyanate ethyl acrylate and ethyl methacrylate; an amino group-containing monomer such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate can be mentioned.
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of the other copolymerizable monomer for modification include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 As the functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer, the same one as the above-mentioned functional group-containing monomer is used depending on the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those that are activated by irradiating light having a wavelength of 250 to 800 nm, and examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; Ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; Phosphine oxide derivative compounds; Bis (η5-cyclopentadienyl) titanosen derivative compounds, benzophenone, Michler ketone , Chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxymethylphenylpropane and other photoradical polymerization initiators. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermal polymerization initiator include those that are decomposed by heat to generate active radicals that initiate polymerization, and examples thereof include dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, t-butyl peroxybenzoate, and t. -Butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentan hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like can be mentioned. These thermal polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは、硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
The curable pressure-sensitive adhesive preferably further contains a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. Curability is improved by containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less and radical polymerization in the molecule so that the cured component can be efficiently reticulated in three dimensions. The number of sex unsaturated bonds is 2 to 20.
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or the same methacrylate as above. Kind and the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polypropylene glycol # 700 diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and the same methacrylates as described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤は、架橋剤を含有していてもよい。上記架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート型架橋剤等が挙げられる。特に、基材に対する密着安定性に優れるため、イソシアネート系架橋剤が好ましい。上記イソシアネート系架橋剤として、例えば、コロネートＨＸ（日本ポリウレタン工業社製）、コロネートＬ（日本ポリウレタン工業社製）、マイテックＮＹ２６０Ａ（三菱化学社製）等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The curable pressure-sensitive adhesive may contain a cross-linking agent. Examples of the above-mentioned cross-linking agent include isocyanate-based cross-linking agents, aziridine-based cross-linking agents, epoxy-based cross-linking agents, and metal chelate-type cross-linking agents. In particular, an isocyanate-based cross-linking agent is preferable because it has excellent adhesion stability to the substrate. Examples of the isocyanate-based cross-linking agent include Coronate HX (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), Coronate L (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), Mitec NY260A (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), and the like. These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤が上記気体発生剤を含有する場合には、後述する粘着テープ剥離工程において、粘着剤層に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく半導体装置から粘着テープを剥離することができる。 The curable pressure-sensitive adhesive may contain a gas generating agent that generates a gas by stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive contains the gas-generating agent, it is easier and easier to generate gas from the gas-generating agent by stimulating the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive tape peeling step described later. The adhesive tape can be peeled off from the semiconductor device without leaving adhesive residue.
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができるが、ケトプロフェンや２−キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩等の耐熱性に優れる気体発生剤を用いることが好ましい。 The gas generator is not particularly limited, and for example, conventionally known gas generators such as azo compounds and azide compounds can be used, but carboxylic acid compounds such as ketoprofene and 2-xanthone acetic acid or salts thereof, 1H- It is preferable to use a tetrazole compound such as tetrazole, 5,5'-bistetrazole diammonium salt, 5,5'-bistetrazoleamine monoammonium salt, or a gas generator having excellent heat resistance such as a salt thereof.
上記硬化型粘着剤中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。 The content of the gas generating agent in the curable pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, but the preferable lower limit is 5 parts by weight and the preferable upper limit is 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable pressure-sensitive adhesive. When the content of the gas generating agent is within this range, a sufficient peeling property improving effect can be obtained. The more preferable lower limit of the content of the gas generating agent is 10 parts by weight, and the more preferable upper limit is 30 parts by weight.
上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がる。このため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、半導体ウェハ保護用フィルムを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。 The pressure-sensitive adhesive layer may further contain an inorganic filler such as fumed silica. By blending an inorganic filler, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is increased. Therefore, when the protection becomes unnecessary after the reflow step, the semiconductor wafer protection film can be easily peeled off from the semiconductor chip without leaving adhesive residue.
上記粘着剤層は、更に、シリコーン化合物を含有してもよい。なかでも上記粘着剤層が光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分を含有する場合には、該光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
シリコーン化合物は、耐薬品性、耐熱性に優れることから、リフロー工程における高温処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と架橋可能な官能基を有する場合には、光照射又は加熱することにより上記光硬化型粘着剤成分又は熱硬化型粘着剤成分と化学反応して上記光硬化型粘着剤成分中又は熱硬化型粘着剤成分中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。
The pressure-sensitive adhesive layer may further contain a silicone compound. In particular, when the pressure-sensitive adhesive layer contains a photocurable pressure-sensitive adhesive component or a thermosetting type pressure-sensitive adhesive component, a silicone having a functional group crosslinkable with the photo-curable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting type pressure-sensitive adhesive component. It may contain a compound.
Since the silicone compound is excellent in chemical resistance and heat resistance, it prevents the adhesive from being scorched even after high temperature treatment in the reflow process, and bleeds out to the interface of the adherend at the time of peeling to facilitate peeling. When the silicone compound has a functional group that can be crosslinked with the photocurable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting type pressure-sensitive adhesive component, the photo-curable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting type pressure-sensitive adhesive component can be obtained by irradiating or heating with light. Since it is chemically reacted with and incorporated into the photocurable pressure-sensitive adhesive component or the thermosetting type pressure-sensitive adhesive component, the silicone compound does not adhere to the adherend and contaminate it.
上記硬化型粘着剤は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。 The curable pressure-sensitive adhesive may further contain known additives such as plasticizers, resins, surfactants, waxes, and fine particle fillers.
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力で半導体装置に貼着でき、かつ、処理後の半導体装置に反りが発生するのを防止することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 μm and a preferable upper limit is 200 μm. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within this range, it can be attached to the semiconductor device with sufficient adhesive force, and it is possible to prevent the semiconductor device after processing from being warped. The more preferable lower limit of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 10 μm, and the more preferable upper limit is 100 μm.
上記粘着剤層が硬化型粘着剤層である場合、本発明の半導体装置の製造方法では、上記貼付工程と後述するプラズマアッシング工程の間に、刺激によって硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を行うことが好ましい。
架橋、硬化した硬化型粘着剤層はプラズマによって分解されにくくなるため、粘着剤層の周縁部が分解されることで生じる剥離や残渣を防止することができる。
When the pressure-sensitive adhesive layer is a curable pressure-sensitive adhesive layer, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a curing step of curing the curable pressure-sensitive adhesive layer by stimulation is performed between the pasting step and the plasma ashing step described later. It is preferable to do so.
Since the crosslinked and cured curable pressure-sensitive adhesive layer is less likely to be decomposed by plasma, it is possible to prevent peeling and residue caused by decomposition of the peripheral portion of the pressure-sensitive adhesive layer.
上記硬化型粘着剤層が光硬化性であり、例えば側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることができる。
このような硬化型粘着剤層に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
When the curable pressure-sensitive adhesive layer is photocurable and contains, for example, a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm, it is 365 nm or more. The curable pressure-sensitive adhesive layer can be crosslinked and cured by irradiating with light having the same wavelength.
For such a curable pressure-sensitive adhesive layer, for example, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 365 nm with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiate with an illuminance of 20 mW or more. It is more preferable, and it is particularly preferable to irradiate with an illuminance of 50 mW or more. Further, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and further preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、粘着テープと半導体装置とを貼り合わせた状態でプラズマアッシングを行うアッシング工程を行う。
プラズマアッシング工程によって表年処理層の表面を平滑化、微細加工等の処理ができる。また、本発明の半導体装置の製造方法は、無機基材層を有する粘着テープを用いているため、基材がプラズマによって分解されることがない。そのため、中空状態でプラズマアッシングを行っても粘着テープの白濁や剥離を防止することができる。なお、プラズマアッシングは、例えば、ＰＣ−３００（ＳＵＭＣＯ社製）を用いて出力３００Ｗ、Ｏ２ガス流量１２ｓｃｃｍ、真空度１０Ｐａ等の条件下にて行うことができる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, an ashing step of performing plasma ashing in a state where the adhesive tape and the semiconductor device are bonded to each other is then performed.
The surface of the surface treatment layer can be smoothed and microfabricated by the plasma ashing process. Further, since the method for manufacturing the semiconductor device of the present invention uses an adhesive tape having an inorganic base material layer, the base material is not decomposed by plasma. Therefore, it is possible to prevent the adhesive tape from becoming cloudy or peeling even if plasma ashing is performed in the hollow state. Plasma ashing can be performed using, for example, a PC-300 (manufactured by SUMCO Corporation) under conditions such as an output of 300 W, an O 2 gas flow rate of 12 sccm, and a vacuum degree of 10 Pa.
本発明の半導体装置の製造方法では、次いで、上記処理後の半導体装置から粘着テープを剥離する粘着テープ剥離工程を行う。この際、上記硬化工程を行っていた場合は、上記硬化工程によって上記硬化型粘着剤層が架橋、硬化し、粘着テープ全体の弾性率が高くなっているため、半導体装置からの粘着テープの剥離は、比較的容易に、かつ、糊残りなく行うことができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from the semiconductor device after the above treatment is then performed. At this time, when the curing step is performed, the curing adhesive layer is crosslinked and cured by the curing step, and the elastic modulus of the entire adhesive tape is increased, so that the adhesive tape is peeled off from the semiconductor device. Can be performed relatively easily and without adhesive residue.
上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、粘着テープ剥離工程において処理後の粘着テープに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、更に容易に半導体装置から粘着テープを剥離することができる。
例えば、上記気体発生剤として３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、３００ｎｍ以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、粘着テープを半導体装置から容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長２５４ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長２５４ｎｍの光を１０００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、１０００ｍＪ以上、２０Ｊ以下の積算照度で照射することがより好ましく、１５００ｍＪ以上、１５Ｊ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、２０００ｍＪ以上、１０Ｊ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
When the pressure-sensitive adhesive layer contains the gas-generating agent, the pressure-sensitive adhesive tape is more easily generated from the gas-generating agent by stimulating the pressure-sensitive adhesive tape after the treatment in the pressure-sensitive adhesive tape peeling step. Can be peeled off.
For example, when a gas generating agent that generates a gas by irradiating light having a wavelength of 300 nm or less is used as the gas generating agent, the gas is released from the gas generating agent by irradiating light having a wavelength of 300 nm or less. It can be generated and the adhesive tape can be easily peeled off from the semiconductor device.
For such a gas generating agent, for example, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 254 nm with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and it is possible to irradiate with an illuminance of 20 mW or more. It is more preferable to irradiate with an illuminance of 50 mW or more. Further, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 254 nm with an integrated illuminance of 1000 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 20 J or less, and further preferably with an integrated illuminance of 1500 mJ or more and 15 J or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 2000 mJ or more and 10 J or less.
本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor manufacturing method capable of preventing white turbidity and peeling of the adhesive tape even if plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced.
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
（光硬化型粘着剤の合成）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
(Example 1)
(Synthesis of photocurable adhesive)
A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube is prepared, and in this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as a (meth) acrylic acid alkyl ester and 5 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate as a functional group-containing monomer are prepared. , 0.01 part by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate were added, and then the reactor was heated to start reflux. Subsequently, 0.01 part by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator into the reactor, and the polymerization was started under reflux. It was. Next, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added 1 hour and 2 hours after the start of the polymerization, and further, the polymerization was started. After 4 hours from the above, 0.05 parts by weight of t-hexyl peroxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of the polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
To 100 parts by weight of the resin solid content of the obtained ethyl acetate solution containing a functional group-containing (meth) acrylic polymer, 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added as a functional group-containing unsaturated compound to react. To obtain an ethyl acetate solution of a photocurable pressure-sensitive adhesive.
（粘着テープの製造）
得られた光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−５５００）２０重量部、及び、架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ−４５）０．５重量部を混合して粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
得られた粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、厚み１００μｍの超薄板ガラス(Ｇ−ｌｅａｆ、日本電気硝子社製)上に、乾燥後の硬化型粘着剤層の厚さが４０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、粘着テープを得た。
(Manufacturing of adhesive tape)
1 part by weight of photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Siebel Hegner) and plasticizer (manufactured by Negami Kogyo Co., Ltd., UN-5500) with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the obtained ethyl acetate solution of the photocurable pressure-sensitive adhesive. ) 20 parts by weight and 0.5 parts by weight of a cross-linking agent (Coronate L-45 manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) were mixed to prepare an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive composition.
The ethyl acetate solution of the obtained pressure-sensitive adhesive composition is placed on an ultra-thin glass (G-leaf, manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd.) having a thickness of 100 μm so that the thickness of the cured pressure-sensitive adhesive layer after drying is 40 μm. The coating was applied with a doctor knife and heated at 110 ° C. for 5 minutes to dry the coating solution. Then, it was statically cured at 40 ° C. for 3 days to obtain an adhesive tape.
（プラズマアッシング処理）
粘着テープの硬化型粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍのミラーウエハに貼り付けた。その後、ＰＣ−３００（ＳＵＭＣＯ社製）を用いて出力３００Ｗ、Ｏ２ガス流量１２ｓｃｃｍ、真空度１０Ｐａの条件下にて１０分間プラズマアッシング処理を行った。このときステージとウェハを橋脚で固定し、橋脚の高さはおよそ５ｍｍとした。アッシング処理後、４０５ｎｍの波長の光を粘着テープ表面の積算照度が２０００ｍＪ／ｃｍ２となるよう照射し、粘着テープを剥離した。
(Plasma ashing process)
The surface of the adhesive tape on the curable adhesive layer side was attached to a mirror wafer having a diameter of 20 cm. Then, using a PC-300 (manufactured by SUMCO Corporation), plasma ashing treatment was performed for 10 minutes under the conditions of an output of 300 W, an O 2 gas flow rate of 12 sccm, and a vacuum degree of 10 Pa. At this time, the stage and the wafer were fixed by the piers, and the height of the piers was set to about 5 mm. After the ashing treatment, light having a wavelength of 405 nm was irradiated so that the integrated illuminance on the surface of the adhesive tape was 2000 mJ / cm 2, and the adhesive tape was peeled off.
（アッシング時の剥がれの評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハを目視にて観察し、粘着テープの剥がれが見られなかった場合を「○」、粘着テープの剥がれが一部見られた場合を「△」、粘着テープの剥がれが見られた場合を「×」、としてアッシング時の剥がれを評価した。
結果を表１に示した。
(Evaluation of peeling during ashing)
Visually observe the mirror wafer after plasma ashing, and if no peeling of the adhesive tape is seen, "○", if some peeling of the adhesive tape is seen, "△", peeling of the adhesive tape is seen. The peeling during ashing was evaluated as "x" in the case of being struck.
The results are shown in Table 1.
（残渣付着性の評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。シリコンウエハの表面を、電子顕微鏡を用いて１００倍率で観察し、粘着テープの残渣が認められなかった場合を「○」、粘着テープの残渣が一部認められた場合を「△」、粘着テープの残渣が認められた場合を「×」として残渣付着性を評価した。
結果を表１に示した。
(Evaluation of residue adhesion)
The adhesive tape was peeled off from the mirror wafer after plasma ashing. The surface of the silicon wafer was observed at 100 magnification using an electron microscope, and "○" was found when no adhesive tape residue was found, "△" was found when some adhesive tape residue was found, and the adhesive tape. The adhesiveness of the residue was evaluated as "x" when the residue of was observed.
The results are shown in Table 1.
（粘着テープの白濁の評価）
プラズマアッシング後のミラーウエハから粘着テープをめくるように剥離した。剥離後の粘着テープの基材表面を、目視で観察し、白濁しておらず透明な場合を「○」、白濁が認められた場合を「×」として粘着テープの白濁を評価した。
結果を表１に示した。
(Evaluation of cloudiness of adhesive tape)
The adhesive tape was peeled off from the mirror wafer after plasma ashing. The surface of the base material of the adhesive tape after peeling was visually observed, and the white turbidity of the adhesive tape was evaluated as "○" when it was not cloudy and transparent, and "x" when it was found to be cloudy.
The results are shown in Table 1.
（実施例２）
基材として、厚み１００μｍの柔軟性のあるサファイア板を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
(Example 2)
An adhesive tape was produced, plasma ashed and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a flexible sapphire plate having a thickness of 100 μm was used as the base material.
（実施例３）
基材として、厚み１００μｍの柔軟性のあるガラス基材（日本電気硝子社製、Ｇ−ｌｅａｆ）と厚み２５μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基材との積層体を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
(Example 3)
As the base material, the same as in Example 1 except that a laminate of a flexible glass base material (manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., G-leaf) having a thickness of 100 μm and a polyethylene naphthalate (PEN) base material having a thickness of 25 μm was used. In the same manner, the adhesive tape was manufactured, plasma ashing treatment and evaluation were performed.
（実施例４）
実施例１で作製した粘着テープの硬化型粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍのミラーウエハに貼り付けた。その後、４０５ｎｍの波長の光を粘着テープ表面の積算照度が２０００ｍＪ／ｃｍ２となるよう照射した後、実施例１と同様にプラズマアッシング処理を行い、粘着テープを剥離した。評価は実施例１と同様の方法で行った。
(Example 4)
The surface of the adhesive tape produced in Example 1 on the curable adhesive layer side was attached to a mirror wafer having a diameter of 20 cm. Then, light having a wavelength of 405 nm was irradiated so that the integrated illuminance on the surface of the adhesive tape was 2000 mJ / cm 2, and then plasma ashing treatment was performed in the same manner as in Example 1 to peel off the adhesive tape. The evaluation was carried out in the same manner as in Example 1.
（比較例１）
基材として、厚み５０μｍのＰＥＮ基材を用いた以外は実施例１と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
(Comparative Example 1)
An adhesive tape was produced, plasma ashed, and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a PEN base material having a thickness of 50 μm was used as the base material.
（比較例２）
基材として、厚み５０μｍのＰＥＮ基材を用いた以外は実施例４と同様にして粘着テープの製造、プラズマアッシング処理及び評価を行った。
(Comparative Example 2)
An adhesive tape was produced, plasma ashed, and evaluated in the same manner as in Example 4 except that a PEN base material having a thickness of 50 μm was used as the base material.
本発明によれば、粘着テープを半導体装置に貼り付けて補強した状態でプラズマアッシングを行っても、粘着テープの白濁及び剥離を防止できる半導体製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor manufacturing method capable of preventing white turbidity and peeling of the adhesive tape even if plasma ashing is performed in a state where the adhesive tape is attached to a semiconductor device and reinforced.
１ 粘着テープ
１１ 基材
１２ 粘着剤層
２ 半導体装置
３ 表面処理層
４ 橋脚
1 Adhesive tape 11
Claims (2)
粘着テープを半導体から剥離する剥離工程とを有し、
前記粘着剤層が硬化型粘着剤層であり、前記貼付工程と前記プラズマアッシング工程の間に、刺激によって前記硬化型粘着剤層を硬化させる硬化工程を有する
ことを特徴とする半導体製造方法。 A sticking step of sticking an adhesive tape having at least an adhesive layer and an inorganic base material layer composed of an inorganic substance to a semiconductor, a plasma ashing step of performing plasma ashing, and a plasma ashing step.
Possess a peeling step of peeling the adhesive tape from the semiconductor,
The semiconductor is characterized in that the pressure-sensitive adhesive layer is a curable pressure-sensitive adhesive layer, and has a curing step of curing the curable pressure-sensitive adhesive layer by stimulation between the pasting step and the plasma ashing step. Production method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016199090A JP6870951B2 (en) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Semiconductor manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016199090A JP6870951B2 (en) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Semiconductor manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018060965A JP2018060965A (en) | 2018-04-12 |
| JP6870951B2 true JP6870951B2 (en) | 2021-05-12 |
Family
ID=61910085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016199090A Active JP6870951B2 (en) | 2016-10-07 | 2016-10-07 | Semiconductor manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6870951B2 (en) |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000310697A (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Fuji Electric Co Ltd | Processing device and method for solid waste |
| CN100440452C (en) * | 2004-07-20 | 2008-12-03 | 夏普株式会社 | Plasma processing system |
| JP2007184430A (en) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Adhesive tape for protection |
| KR101386764B1 (en) * | 2006-10-03 | 2014-04-21 | 가부시끼가이샤 이테크 | Adhesive composition and adhesive sheet |
| JP2012238765A (en) * | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Hitachi Chem Co Ltd | Wafer processing tape |
| JP6289104B2 (en) * | 2014-01-08 | 2018-03-07 | 日東電工株式会社 | Film adhesive, dicing tape with film adhesive, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device |
| US20150255349A1 (en) * | 2014-03-07 | 2015-09-10 | JAMES Matthew HOLDEN | Approaches for cleaning a wafer during hybrid laser scribing and plasma etching wafer dicing processes |
| JP6522998B2 (en) * | 2015-03-13 | 2019-05-29 | 古河電気工業株式会社 | Semiconductor wafer processing method, semiconductor chip and surface protection tape for semiconductor wafer processing |
-
2016
- 2016-10-07 JP JP2016199090A patent/JP6870951B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018060965A (en) | 2018-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7088736B2 (en) | Surface protection film | |
| JP2006216721A (en) | Pressure sensitive adhesive sheet for semiconductor wafer grinding, and method of grinding semiconductor wafer | |
| JP6820724B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method and protective tape | |
| JP2017125093A (en) | Processing method of semiconductor protective tape and wafer | |
| JP2016146437A (en) | Method for treating wafer | |
| JP2013231159A (en) | Adhesive composition, adhesive tape, and method for processing wafer | |
| JP6802029B2 (en) | Semiconductor protective tape | |
| JP2018147988A (en) | Method for manufacturing semiconductor chip | |
| JP6870951B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JP6867202B2 (en) | Wafer processing method | |
| JP2018147990A (en) | Processing method for taiko wafer | |
| JP5946708B2 (en) | Adhesive tape | |
| JP6789057B2 (en) | Double-sided adhesive tape and wafer processing method | |
| JP6654825B2 (en) | Double-sided adhesive tape for semiconductor processing | |
| JP2018162452A (en) | Surface protective film | |
| JP5328132B2 (en) | Semiconductor processing tape | |
| WO2020217793A1 (en) | Adhesive tape | |
| JP2018147987A (en) | Method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape | |
| JP7011420B2 (en) | Removable Adhesive Composition and Adhesive Tape | |
| JP2018060964A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP6673677B2 (en) | Double-sided adhesive tape for semiconductor processing | |
| JP2020094199A (en) | Adhesive tape | |
| JP2019033214A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP6713864B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape for temporarily fixing wafer | |
| JP4619212B2 (en) | Adhesive tape peeling method and adhesive tape peeling apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190925 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200722 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200825 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200911 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210323 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210415 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6870951 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |