JP2018147987A - Method for manufacturing semiconductor chip and adhesive tape - Google Patents

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畠井 宗宏
Munehiro Hatai
宗宏 畠井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a semiconductor chip capable of maintaining an enough adhesive force during a semiconductor chip processing step and peeling the adhesive tape without leaving adhesive deposit after the semiconductor chip processing step, and the adhesive tape used for the method for manufacturing the adhesive tape.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor chip comprises the steps of: sticking an adhesive tape 2 including a photocurable adhesive layer 21 and a base material 22 to one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes; installing a semiconductor chip 3 on the photocurable adhesive layer of the adhesive tape exposed from the through holes; curing the photocurable adhesive layer by applying stimulus to a curable pressure sensitive adhesive ; filling the surface on which the semiconductor chip is installed with a mold resin; thermally curing the mold resin; and peeling the adhesive tape from the stage substrate.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、加熱処理を施す半導体チップ処理工程を有するにもかかわらず、半導体チップ処理工程時には充分な接着力と保護性能を維持し、かつ、半導体チップ処理工程終了後には糊残りなく粘着テープを剥離できる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いる粘着テープに関する。 The present invention maintains a sufficient adhesive force and protective performance during the semiconductor chip processing step, and has an adhesive tape without adhesive residue after the semiconductor chip processing step, despite having a semiconductor chip processing step for performing heat treatment. The present invention relates to a method for producing a peelable semiconductor chip and an adhesive tape used for the method for producing the semiconductor chip.

半導体チップの製造工程において、ウエハや半導体チップの加工時の取扱いを容易にし、破損を防止するために粘着テープが用いられている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合、厚膜ウエハに粘着テープを貼り合わせた後に研削が行われる。 In a semiconductor chip manufacturing process, an adhesive tape is used to facilitate handling during processing of a wafer or a semiconductor chip and to prevent breakage. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to form a thin film wafer, grinding is performed after an adhesive tape is bonded to the thick film wafer.

このような粘着テープに用いられる接着剤組成物には、加工工程中にウエハや半導体チップを強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後にはウエハや半導体チップを損傷することなく剥離できることが求められる(以下、「高接着易剥離」ともいう。)。
高接着易剥離を実現した接着剤組成物として特許文献1には、アゾ化合物等の刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する接着層を有する両面接着テープを用いたウエハの処理方法が記載されている。特許文献1に記載されたウエハの処理方法では、まず、両面接着テープを介してウエハを支持板に固定する。その状態で研削工程等を行った後に刺激を与えると、気体発生剤から発生した気体がテープの表面とウエハとの界面に放出され、その圧力によって少なくとも一部が剥離される。特許文献1の両面接着テープを用いれば、ウエハを損傷することなく、かつ、糊残りもすることなく剥離できる。
Adhesive compositions used for such adhesive tapes can be peeled off without damaging the wafers and semiconductor chips after the process, as well as high adhesiveness that can firmly fix the wafers and semiconductor chips during the processing process. (Hereinafter also referred to as “high adhesion easy peeling”).
As an adhesive composition realizing high adhesion and easy peeling, Patent Document 1 describes a wafer processing method using a double-sided adhesive tape having an adhesive layer containing a gas generating agent that generates a gas upon stimulation with an azo compound or the like. Has been. In the wafer processing method described in Patent Document 1, first, a wafer is fixed to a support plate via a double-sided adhesive tape. When stimulation is performed after the grinding process or the like is performed in this state, the gas generated from the gas generating agent is released to the interface between the surface of the tape and the wafer, and at least a part is peeled off by the pressure. If the double-sided adhesive tape of patent document 1 is used, it can peel, without damaging a wafer and without the adhesive residue.

近年粘着テープを貼付した状態で加熱処理や薬品処理が行われるようになってきた。例えば、半導体チップをモールド樹脂で覆うモールド工程では、複数の貫通孔を有するステージ基板の片面に粘着テープを貼り付け、該貫通孔から露出した粘着テープの粘着面に半導体チップを固定し、その後モールド樹脂を充填、加熱硬化させる。
このようなモールド工程では、モールド樹脂を硬化させるために高温処理が行われる。しかしながら、従来の半導体チップの製造方法では高温処理によって粘着テープの接着昂進が起こり、粘着テープをはがす際に糊残りが発生してしまうという問題があった。特に、モールド工程ではモールド樹脂を充填する際に熱プレスを行うため、粘着テープと加熱したモールド樹脂とが接する部分では通常の加熱処理よりも接着昂進が大きくなりやすく、糊残りの問題がより顕著になっていた。
In recent years, heat treatment and chemical treatment have been performed with an adhesive tape attached. For example, in a molding process of covering a semiconductor chip with a mold resin, an adhesive tape is attached to one side of a stage substrate having a plurality of through holes, the semiconductor chip is fixed to the adhesive surface of the adhesive tape exposed from the through holes, and then molded. Fill with resin and heat cure.
In such a molding process, a high temperature treatment is performed to cure the mold resin. However, the conventional method for manufacturing a semiconductor chip has a problem in that adhesion of the adhesive tape occurs due to high-temperature treatment, and adhesive residue is generated when the adhesive tape is peeled off. In particular, since heat pressing is performed when the mold resin is filled in the molding process, adhesion progress tends to be larger than that in normal heat treatment at the portion where the adhesive tape and the heated mold resin are in contact, and the problem of adhesive residue is more prominent. It was.

特開2003−231872号公報JP 2003-231872 A

本発明は、上記現状に鑑み、加熱処理を施す半導体チップ処理工程を有するにもかかわらず、半導体チップ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、半導体チップ処理工程終了後には糊残りなく粘着テープを剥離できる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いる粘着テープを提供することを目的とする。 In view of the above situation, the present invention maintains a sufficient adhesive force at the time of the semiconductor chip processing step and has no adhesive residue after completion of the semiconductor chip processing step in spite of having the semiconductor chip processing step for performing the heat treatment. It aims at providing the manufacturing method of the semiconductor chip which can peel a tape, and the adhesive tape used for the manufacturing method of this semiconductor chip.

第1の本発明は、貫通孔が複数設けられたステージ基板の一方の面に、重合性ポリマーと重合開始剤からなる硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層と基材を有する粘着テープを貼りつける粘着テープ貼り付け工程と、前記ステージ基板の前記粘着テープが貼られていない面において前記貫通孔より露出した前記粘着テープの硬化型粘着剤層上に半導体チップを設置する半導体チップ設置工程と、前記硬化型粘着剤に刺激を与えて前記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程と、前記半導体チップを設置した面にモールド樹脂を充填するモールド樹脂充填工程と、前記モールド樹脂を熱硬化させるモールド樹脂硬化工程と、前記粘着テープをステージ基板から剥離する粘着テープ剥離工程とを有する半導体チップの製造方法である。 The first aspect of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer containing a curable pressure-sensitive adhesive comprising a polymerizable polymer and a polymerization initiator and a base material on one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes. And a semiconductor chip installation step of installing a semiconductor chip on the curable adhesive layer of the adhesive tape exposed from the through hole on the surface of the stage substrate where the adhesive tape is not applied. An adhesive curing step for stimulating the curable adhesive to cure the curable adhesive layer, a mold resin filling step for filling a mold resin on the surface on which the semiconductor chip is installed, and the mold resin It is a manufacturing method of a semiconductor chip which has a mold resin curing step for thermosetting and an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from a stage substrate.

第2の本発明は、貫通孔が複数設けられたステージ基板の一方の面に、重合性ポリマーと重合開始剤からなる硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層と基材を有する粘着テープを貼りつける粘着テープ貼り付け工程と、前記ステージ基板の前記粘着テープが貼られていない面において前記貫通孔より露出した前記粘着テープの硬化型粘着剤層上に半導体チップを設置する半導体チップ設置工程と、前記半導体チップを設置した面にモールド樹脂を充填するモールド樹脂充填工程と、前記硬化型粘着剤に刺激を与えて前記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程と、前記モールド樹脂を熱硬化させるモールド樹脂硬化工程と、前記粘着テープをステージ基板から剥離する粘着テープ剥離工程とを有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The second aspect of the present invention is a pressure-sensitive adhesive tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer containing a curable pressure-sensitive adhesive composed of a polymerizable polymer and a polymerization initiator and a base material on one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes. And a semiconductor chip installation step of installing a semiconductor chip on the curable adhesive layer of the adhesive tape exposed from the through hole on the surface of the stage substrate where the adhesive tape is not applied. A mold resin filling step of filling the surface on which the semiconductor chip is installed with a mold resin, an adhesive curing step of stimulating the curable adhesive to cure the curable adhesive layer, and the mold resin. It is a manufacturing method of a semiconductor chip which has a mold resin curing step for thermosetting and an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from a stage substrate.
The present invention is described in detail below.

本発明者は、鋭意検討した結果、粘着テープの粘着剤を硬化型粘着剤とし、モールド樹脂を硬化させる前に硬化型粘着剤を硬化させることによって、接着昂進を防ぎ、モールド樹脂に糊残りすることなく粘着テープを剥離できることを見出し本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies, the present inventor has made the pressure-sensitive adhesive of the pressure-sensitive adhesive tape a curable pressure-sensitive adhesive, and cures the curable pressure-sensitive adhesive before curing the mold resin, thereby preventing the adhesion from progressing and leaving the adhesive on the mold resin. The present inventors have found that the pressure-sensitive adhesive tape can be peeled without causing the present invention to be completed.

第1及び第2の本発明の半導体チップの製造方法では、まず、貫通孔が複数設けられたステージ基板の一方の面に、重合性ポリマーと重合開始剤からなる硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層と基材を有する粘着テープを貼りつける粘着テープ貼り付け工程を行う。
粘着テープを貼りつけることにより、加工時の取扱いを容易にし、ステージ基板及び半導体チップの損傷を防ぐことができる。
上記粘着テープ貼り付け工程の様子を模式的に表した図を図1に示した。図1(b)に示すようにステージ基板1は複数の貫通孔12を有している。このようなステージ基板1の片面に基材22と硬化型粘着剤層21を有する粘着テープ2を図1(a)に示すように貼り付ける。
上記ステージ基板の材料としては、特に制限されないが、一般的にはエポキシ樹脂等が用いられる。
In the first and second semiconductor chip manufacturing methods of the present invention, first, curing containing a curable adhesive composed of a polymerizable polymer and a polymerization initiator on one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes. An adhesive tape attaching process for attaching an adhesive tape having a mold adhesive layer and a substrate is performed.
By sticking the adhesive tape, handling during processing can be facilitated, and damage to the stage substrate and the semiconductor chip can be prevented.
The figure which represented the mode of the said adhesive tape sticking process typically was shown in FIG. As shown in FIG. 1B, the stage substrate 1 has a plurality of through holes 12. An adhesive tape 2 having a base material 22 and a curable adhesive layer 21 is attached to one side of such a stage substrate 1 as shown in FIG.
The material for the stage substrate is not particularly limited, but generally an epoxy resin or the like is used.

上記硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分とし、重合開始剤として光重合開始剤を用いた光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分とし、重合開始剤として熱重合開始剤を用いた熱硬化型粘着剤が挙げられる。
Examples of the curable pressure-sensitive adhesive include a photo-curable pressure-sensitive adhesive that crosslinks and cures by light irradiation and a thermosetting pressure-sensitive adhesive that crosslinks and cures by heating.
As said photocurable adhesive, the photocurable adhesive which has a polymeric polymer as a main component and used the photoinitiator as a polymerization initiator is mentioned, for example.
Examples of the thermosetting pressure-sensitive adhesive include a thermosetting pressure-sensitive adhesive that contains a polymerizable polymer as a main component and uses a thermal polymerization initiator as a polymerization initiator.

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官能基含有不飽和化合物という)とを反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can be obtained by reacting a compound having a functional group and a radical polymerizable unsaturated bond (hereinafter referred to as a functional group-containing unsaturated compound).

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2〜18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万〜200万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate, and epoxy such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples thereof include group-containing monomers, isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate, and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.

本発明において、上記重合性ポリマーは水酸基価が40mgKOH/g以上であることが好ましい。
上記重合性ポリマーの水酸基価が40mgKOH/g以上であることによって、熱による硬化型粘着剤とモールド樹脂との反応を抑えることができるため、より確実にモールド樹脂に対する糊残りを防止できる。特に第2の本発明では硬化型粘着剤層をモールド樹脂充填工程後に硬化させるため、モールド樹脂充填工程時の熱プレスによって、硬化型粘着剤と加熱されたモールド樹脂が反応しやすいことから上記重合性ポリマーの水酸基価が40mgKOH/g以上であることが好ましい。上記水酸基価のより好ましい下限は45mgKOH/g、さらに好ましい下限は50mgKOH/g、好ましい上限は70mgKOH/gより好ましい上限は65mgKOH/gである。
In the present invention, the polymerizable polymer preferably has a hydroxyl value of 40 mgKOH / g or more.
Since the hydroxyl value of the polymerizable polymer is 40 mgKOH / g or more, the reaction between the curable pressure-sensitive adhesive and the mold resin due to heat can be suppressed, so that the adhesive residue on the mold resin can be prevented more reliably. In particular, in the second aspect of the present invention, since the curable pressure-sensitive adhesive layer is cured after the mold resin filling step, the polymerization is performed because the curable pressure-sensitive adhesive and the heated mold resin are easily reacted by hot pressing during the mold resin filling step. The hydroxyl value of the conductive polymer is preferably 40 mgKOH / g or more. A more preferred lower limit of the hydroxyl value is 45 mgKOH / g, a more preferred lower limit is 50 mgKOH / g, a preferred upper limit is 70 mgKOH / g, and a more preferred upper limit is 65 mgKOH / g.

上記光重合開始剤は、例えば、250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone, Benzoin ether compounds such as benzoinpropyl ether and benzoin isobutyl ether, ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, phosphine oxide derivative compounds, bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, Benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl group Examples include photo radical polymerization initiators such as lopan. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエール、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルD、パーブチルH、パーブチルP、パーペンタH(以上いずれも日油社製)等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization and curing, such as dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and t-butyl peroxybenzoale. , T-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, perpenta H (all are the NOF Corporation make) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記硬化型粘着剤層は、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性、熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による硬化型粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2〜20個のものである。
The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably contains a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, photocurability and thermosetting are improved.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 so that the three-dimensional network of the curable pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. The number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20 below.

上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or the same methacrylate as described above. And the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.

上記硬化型粘着剤層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、ステージ基板から粘着テープを剥離する際に、刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく粘着テープを剥離することができる。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a gas generating agent that generates gas upon stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive layer contains the gas generating agent, when peeling the pressure-sensitive adhesive tape from the stage substrate, it is easier to generate gas from the gas generating agent by giving a stimulus, and The adhesive tape can be peeled without any adhesive residue.

上記気体発生剤は特に限定されないが、加熱を伴う処理に対する耐性に優れることから、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、1H−テトラゾール、5−フェニル−1H−テトラゾール、5,5−アゾビス−1H−テトラゾール等のテトラゾール化合物又はその塩等が好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体を発生する一方、200℃程度の高温下でも分解しない高い耐熱性を有する。 Although the said gas generating agent is not specifically limited, Since it is excellent in the tolerance with respect to the process with a heating, carboxylic acid compounds, such as phenylacetic acid, diphenylacetic acid, and triphenylacetic acid, or its salt, 1H-tetrazole, 5-phenyl-1H- A tetrazole compound such as tetrazole or 5,5-azobis-1H-tetrazole or a salt thereof is preferred. Such a gas generating agent generates gas when irradiated with light such as ultraviolet rays, and has high heat resistance that does not decompose even at a high temperature of about 200 ° C.

上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型粘着剤100重量部に対する好ましい下限が5重量部、好ましい上限が50重量部である。上記気体発生剤の含有量が5重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、50重量部を超えると、硬化型粘着剤へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は10重量部、より好ましい上限は30重量部である。 As for the content of the gas generating agent, a preferable lower limit with respect to 100 parts by weight of the curable adhesive is 5 parts by weight, and a preferable upper limit is 50 parts by weight. When the content of the gas generating agent is less than 5 parts by weight, the generation of carbon dioxide gas or nitrogen gas due to stimulation may be reduced, and sufficient peeling may not be performed. The adhesive may not be able to be dissolved in the adhesive and the adhesive strength may be reduced. The minimum with more preferable content of the said gas generating agent is 10 weight part, and a more preferable upper limit is 30 weight part.

上記硬化型粘着剤層は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。
The curable pressure-sensitive adhesive layer may further contain a photosensitizer.
Since the photosensitizer has an effect of amplifying stimulation by light on the gas generating agent, gas can be released by irradiation with less light. In addition, gas can be emitted by light in a wider wavelength region.

上記硬化型粘着剤層は、上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、200℃以上の加熱を伴う処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することにより上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより、半導体チップ上への糊残りを防止する効果も発揮される。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a silicone compound having a functional group capable of crosslinking with the curable pressure-sensitive adhesive. Since the silicone compound is excellent in heat resistance, it prevents the adhesive from being burnt even after a treatment with heating at 200 ° C. or higher, and bleeds out to the adherend interface at the time of peeling to facilitate peeling. Since the silicone compound has a functional group capable of cross-linking with the curable pressure-sensitive adhesive, it is chemically reacted with the curable pressure-sensitive adhesive by light irradiation or heating, and is thus incorporated into the curable pressure-sensitive adhesive. Silicone compounds do not adhere to the body and become contaminated. Moreover, the effect which prevents the adhesive residue on a semiconductor chip is exhibited by mix | blending a silicone compound.

上記硬化型粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記硬化型粘着剤層は、ヒュームドシリカ等の無機フィラー、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
The curable pressure-sensitive adhesive layer appropriately contains various polyfunctional compounds blended in general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as needed for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. May be.
The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain known additives such as an inorganic filler such as fumed silica, a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax, and a fine particle filler.

上記硬化型粘着剤層は、上記テープ貼り付け工程時のゲル分率が30%以上であることが好ましい。硬化前の硬化型粘着剤層のゲル分率がこの範囲内にあると、半導体チップの製造工程において粘着テープが意図せず剥離してしまうことがない一方、処理終了後に粘着テープを剥離する際、モールド樹脂の表面に糊残りが発生するのを防止することができる。上記ゲル分率のより好ましい下限は40%以上である。なお、上記ゲル分率の上限は特に限定されないが、80%以下であることが好ましい。 The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably has a gel fraction of 30% or more during the tape attaching step. When the gel fraction of the curable pressure-sensitive adhesive layer before curing is within this range, the adhesive tape will not be unintentionally peeled off during the manufacturing process of the semiconductor chip. It is possible to prevent adhesive residue from being generated on the surface of the mold resin. A more preferable lower limit of the gel fraction is 40% or more. In addition, although the upper limit of the said gel fraction is not specifically limited, It is preferable that it is 80% or less.

上記硬化型粘着剤層は、後述する粘着剤硬化工程の前における23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上であることが好ましい。
架橋、硬化前の硬化型粘着剤層の引っ張り貯蔵弾性率がこの範囲内にあることで、半導体チップを充分に保護できるとともに、高温処理によるステージ基板や半導体チップの反りを防止できる。また、接着昂進による半導体チップ及びモールド樹脂への糊残りも防止することができるため、処理終了後には糊残りなく粘着テープを剥離することができる。上記引っ張り貯蔵弾性率のより好ましい下限は5×10Paである。上記引っ張り貯蔵弾性率の上限は特に限定されないが、1×10Pa以下であることが好ましい。
なお、引っ張り貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置(例えば、アイティー計測制御社製、DVA−200)を用いて、動的粘弾性測定の引っ張りモード、角周波数10Hzの条件で測定を行うことで求めることができる。
The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably has a tensile storage elastic modulus of 1 × 10 5 Pa or more at 23 ° C. before the pressure-sensitive adhesive curing step described later.
When the tensile storage elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive layer before crosslinking and curing is within this range, the semiconductor chip can be sufficiently protected and warpage of the stage substrate and the semiconductor chip due to high-temperature treatment can be prevented. Further, since adhesive residue on the semiconductor chip and the mold resin due to adhesion progress can be prevented, the adhesive tape can be peeled without adhesive residue after the processing is completed. A more preferable lower limit of the tensile storage elastic modulus is 5 × 10 5 Pa. The upper limit of the tensile storage elastic modulus is not particularly limited, but is preferably 1 × 10 8 Pa or less.
The tensile storage elastic modulus is measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, DVA-200 manufactured by IT Measurement Control Co., Ltd.) under the tensile mode of dynamic viscoelasticity measurement and the angular frequency of 10 Hz. Can be obtained.

上記硬化型粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は5μm、好ましい上限は100μmである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力でウエハに貼着でき、処理中の半導体チップを保護することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は10μm、より好ましい上限は50μmである。 Although the thickness of the said curable adhesive layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within this range, it can be adhered to the wafer with sufficient adhesive force, and the semiconductor chip being processed can be protected. The minimum with more preferable thickness of the said adhesive layer is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 50 micrometers.

上記基材としては、例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリヘキサメチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、テレフタル酸ブタンジオールポリテトラメチレングリコール共重合体、テレフタル酸ブタンジオールポリカプロラクトン共重合等の、透明かつ耐熱性に優れる樹脂からなるシートが挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることからポリエチレンナフタレートが好ましい。 Examples of the base material include polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polyether ether ketone (PEEK), polyphenylene sulfide (PPS), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), and polyhexamethylene. Examples thereof include a sheet made of a resin having transparency and excellent heat resistance, such as terephthalate, polybutylene naphthalate, butanediol terephthalate polytetramethylene glycol copolymer, butanediol terephthalate polycaprolactone copolymer. Of these, polyethylene naphthalate is preferred because of its excellent heat resistance.

上記基材の厚みは特に制限されないが、好ましい下限は10μm、好ましい上限は200μmである。上記基材の厚みがこの範囲内にあると、充分にステージ基板や半導体チップの補強ができるとともに、工程終了後には粘着テープを容易に剥離することができる。 The thickness of the substrate is not particularly limited, but a preferable lower limit is 10 μm and a preferable upper limit is 200 μm. When the thickness of the base material is within this range, the stage substrate and the semiconductor chip can be sufficiently reinforced, and the adhesive tape can be easily peeled off after the process is completed.

第1及び第2の本発明の半導体チップの製造方法は、次いで、上記ステージ基板の上記粘着テープが貼られていない面において上記貫通孔より露出した上記粘着テープの硬化型粘着剤層上に半導体チップを設置する半導体チップ設置工程を行う。
半導体チップが設置されたステージ基板の様子を模式的に表した図を図2(b)に示した。粘着テープ2が貼られた面を下面にしてステージ基板1を置くと、貫通孔12の底部には粘着テープ2の硬化型粘着剤層21が露出する。この貫通孔12から露出した硬化型粘着剤層21上に半導体チップ3を設置する。ここで、設置される半導体チップ3は、図2(a)に示すように、高さがステージ基板1の厚み、即ち、貫通孔12の高さよりも低くなっている。半導体チップの高さを貫通孔の高さより低くすることで、後の工程でモールド樹脂を充填した際に確実に半導体チップの上面までモールド樹脂で覆いつくすことができる。
In the semiconductor chip manufacturing method according to the first and second aspects of the present invention, the semiconductor is then formed on the curable pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape exposed from the through hole on the surface of the stage substrate where the pressure-sensitive adhesive tape is not applied. A semiconductor chip installation process for installing chips is performed.
FIG. 2B schematically shows the state of the stage substrate on which the semiconductor chip is installed. When the stage substrate 1 is placed with the surface to which the adhesive tape 2 has been applied facing downward, the curable adhesive layer 21 of the adhesive tape 2 is exposed at the bottom of the through hole 12. The semiconductor chip 3 is placed on the curable pressure-sensitive adhesive layer 21 exposed from the through hole 12. Here, as shown in FIG. 2A, the installed semiconductor chip 3 has a height lower than the thickness of the stage substrate 1, that is, the height of the through hole 12. By making the height of the semiconductor chip lower than the height of the through hole, the upper surface of the semiconductor chip can be surely covered with the mold resin when the mold resin is filled in a later process.

第1の本発明の半導体チップの製造方法は、次いで上記硬化型粘着剤に刺激を与えて上記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程を行う。
刺激によって硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることによって硬化型粘着剤層の弾性率が上昇し、高温によっても接着昂進しにくくなる。その結果、モールド工程終了後に粘着テープを剥離する際に、モールド樹脂に糊残りすることなく粘着テープを剥離することができる。なお、後述のように第2の本発明では、モールド樹脂充填工程の後に粘着剤硬化工程を行う。
In the semiconductor chip manufacturing method of the first aspect of the present invention, an adhesive curing step is then performed in which the curable adhesive is stimulated to cure the curable adhesive layer.
By cross-linking and curing the curable pressure-sensitive adhesive layer by stimulation, the elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive layer is increased, and it is difficult for the adhesive to progress even at high temperatures. As a result, when the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off after completion of the molding process, the pressure-sensitive adhesive tape can be peeled without leaving adhesive residue on the mold resin. As will be described later, in the second aspect of the present invention, the adhesive curing step is performed after the mold resin filling step.

上記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと250〜800nmの波長で活性化する光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤を用いた場合、365nm以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型粘着剤を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型粘着剤に対しては、例えば、波長365nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長365nmの光を300mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、500mJ以上、10000mJ以下の積算照度で照射することがより好ましく、500mJ以上、7500mJ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、1000mJ以上、5000mJ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
The curable pressure-sensitive adhesive is a photo-curable pressure-sensitive adhesive, and contains a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in a side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm. When an agent is used, the photocurable pressure-sensitive adhesive can be crosslinked and cured by irradiating light with a wavelength of 365 nm or more.
For such a photocurable pressure-sensitive adhesive, for example, light with a wavelength of 365 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. In addition, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.

また、上記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと50〜150℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤を用いた場合、50〜150℃程度の温度にまで加熱することにより、上記熱硬化型粘着剤を架橋、硬化させることができる。 The curable pressure-sensitive adhesive is a thermosetting pressure-sensitive adhesive and contains a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a thermal polymerization initiator that is activated by heating at about 50 to 150 ° C. When a thermosetting pressure-sensitive adhesive is used, the thermosetting pressure-sensitive adhesive can be crosslinked and cured by heating to a temperature of about 50 to 150 ° C.

第1及び第2の本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、上記半導体チップを設置した面にモールド樹脂を充填するモールド樹脂充填工程を有する。
上記モールド樹脂充填工程の様子を模式的に表した図を図3(a)に示した。上記モールド樹脂充填工程では、ステージ基板1の粘着テープ2が貼られた面を下面としてモールド樹脂4を貫通孔に充填する。モールド樹脂4は貫通孔を埋め、図2(b)のようにステージ基板上面の貫通孔が設けられた範囲を覆うまで充填される。その後、120℃、12kg/cm程度の熱プレスを行う。
In the semiconductor chip manufacturing method according to the first and second aspects of the present invention, the method further includes a mold resin filling step of filling the surface on which the semiconductor chip is installed with a mold resin.
A view schematically showing the state of the mold resin filling step is shown in FIG. In the mold resin filling step, the through hole is filled with the mold resin 4 with the surface of the stage substrate 1 on which the adhesive tape 2 is applied as the lower surface. The mold resin 4 is filled up to fill the through hole and cover the area where the through hole is provided on the upper surface of the stage substrate as shown in FIG. Thereafter, hot pressing at about 120 ° C. and about 12 kg / cm 2 is performed.

上記モールド樹脂としては例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。なかでも、信頼性の観点からエポキシ樹脂が好ましい。 Examples of the mold resin include an epoxy resin and a phenol resin. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of reliability.

第2の本発明の半導体チップの製造方法では、次いで上記硬化型粘着剤に刺激を与えて上記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程を行う。
半導体チップの製造において、製造設備によってはモールド樹脂充填工程までが一連の工程となることがある。その場合、モールド樹脂充填工程の前に硬化型粘着剤層の硬化を行えないため、第1の本発明を用いることができない。そこで、粘着剤硬化工程をモールド樹脂充填工程の後に行うことによって、製造設備による制約に柔軟に対応することができる。なお、上記粘着剤硬化工程の条件については第1の本発明と同じ条件を用いることができる。
In the semiconductor chip manufacturing method of the second aspect of the present invention, an adhesive curing step is then performed in which the curable adhesive is stimulated to cure the curable adhesive layer.
In the manufacture of semiconductor chips, depending on the manufacturing equipment, the process up to the mold resin filling step may be a series of steps. In that case, since the curable pressure-sensitive adhesive layer cannot be cured before the mold resin filling step, the first aspect of the present invention cannot be used. Therefore, by performing the pressure-sensitive adhesive curing step after the mold resin filling step, it is possible to flexibly cope with restrictions due to manufacturing equipment. In addition, about the conditions of the said adhesive hardening process, the same conditions as 1st this invention can be used.

第1及び第2の本発明の半導体チップの製造方法では、次いで、上記モールド樹脂を熱硬化させるモールド樹脂硬化工程を有する。
モールド樹脂がエポキシ樹脂である場合、モールド樹脂を硬化させる温度としては、170℃〜190℃であることが好ましい。
In the semiconductor chip manufacturing method according to the first and second aspects of the present invention, the method further includes a mold resin curing step of thermally curing the mold resin.
When the mold resin is an epoxy resin, the temperature for curing the mold resin is preferably 170 ° C. to 190 ° C.

第1及び第2の本発明の半導体チップの製造方法では、上記モールド樹脂硬化工程後に粘着テープをステージ基板から剥離する粘着テープ剥離工程を有する。上記粘着剤硬化工程において硬化型粘着剤は架橋、硬化していることから、モールド樹脂や半導体チップに糊残りすることなく、容易に粘着テープを剥離することができる。 The semiconductor chip manufacturing method according to the first and second aspects of the present invention includes an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from the stage substrate after the mold resin curing step. Since the curable pressure-sensitive adhesive is crosslinked and cured in the pressure-sensitive adhesive curing step, the pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled off without leaving adhesive residue on the mold resin or the semiconductor chip.

上記硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、粘着テープ剥離工程において処理後の粘着テープに刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易にステージ基板から粘着テープを剥離することができる。 When the curable pressure-sensitive adhesive layer contains the gas generating agent, the stage substrate is more easily generated by generating a gas from the gas generating agent by stimulating the pressure-sensitive adhesive tape after the treatment in the pressure-sensitive adhesive tape peeling step. The adhesive tape can be peeled off.

例えば、上記気体発生剤として300nm以下の波長の光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、300nm以下の波長の光を照射することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。
このような気体発生剤に対しては、例えば、波長254nmの光を5mW以上の照度で照射することが好ましく、10mW以上の照度で照射することがより好ましく、20mW以上の照度で照射することが更に好ましく、50mW以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長254nmの光を1000mJ以上の積算照度で照射することが好ましく、1000mJ以上、20J以下の積算照度で照射することがより好ましく、1500mJ以上、15J以下の積算照度で照射することが更に好ましく、2000mJ以上、10J以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
For example, when a gas generating agent that generates gas by irradiating light with a wavelength of 300 nm or less is used as the gas generating agent, gas is emitted from the gas generating agent by irradiating light with a wavelength of 300 nm or less. The support plate can be easily peeled off from the wafer.
For such a gas generating agent, for example, light with a wavelength of 254 nm is preferably irradiated with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiation with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. Moreover, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 254 nm with an integrated illuminance of 1000 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 20 J or less, and more preferably with an integrated illuminance of 1500 mJ or more and 15 J or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 2000 mJ or more and 10 J or less.

また、例えば、上記気体発生剤として200℃以上の加熱により気体を発生する気体発生剤を用いた場合には、200℃以上の温度に加熱することにより上記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから容易に剥離することができる。 Further, for example, when a gas generating agent that generates gas by heating at 200 ° C. or higher is used as the gas generating agent, the gas is generated from the gas generating agent by heating to a temperature of 200 ° C. or higher, The support plate can be easily peeled from the wafer.

上記第1及び第2の本発明に用いられる粘着テープもまた本発明の1つである。 The pressure-sensitive adhesive tape used in the first and second aspects of the present invention is also one aspect of the present invention.

本発明によれば、加熱処理を施す半導体チップ処理工程を有するにもかかわらず、半導体チップ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、半導体チップ処理工程終了後には糊残りなく粘着テープを剥離できる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いる粘着テープを提供することができる。 According to the present invention, despite having a semiconductor chip processing step for performing heat treatment, sufficient adhesive force is maintained during the semiconductor chip processing step, and the adhesive tape is peeled off without any adhesive residue after the semiconductor chip processing step. The manufacturing method of the semiconductor chip which can be manufactured, and the adhesive tape used for the manufacturing method of this semiconductor chip can be provided.

粘着テープ貼り付け工程の様子を模式的に表した断面図(a)及び上面図(b)である。It is sectional drawing (a) and the top view (b) which represented the mode of the adhesive tape sticking process typically. 半導体チップ設置工程において、半導体チップが設置されたステージ基板の様子を模式的に表した断面図(a)及び上面図(b)である。In a semiconductor chip installation process, it is sectional drawing (a) and the top view (b) which represented the mode of the stage board | substrate with which the semiconductor chip was installed typically. モールド樹脂充填工程の様子を模式的に表した断面図(a)及び上面図(b)である。It is sectional drawing (a) and the top view (b) which represented the mode of the mold resin filling process typically.

以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited only to these examples.

(実施例1)
(1)硬化型粘着剤の合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとして2−エチルヘキシルアクリレート94重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル6重量部、ラウリルメルカプタン0.01重量部と、酢酸エチル80重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン0.01重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から1時間後及び2時間後にも、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサンを0.01重量部ずつ添加し、更に、重合開始から4時間後にt−ヘキシルパーオキシピバレートを0.05重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から8時間後に、固形分55重量%、重量平均分子量60万の官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として2−イソシアナトエチルメタクリレート3.5重量部を加えて反応させて重合性ポリマーA(水酸基価59mgKOH/g)を得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分100重量部に対して、シリコーンアクリレート(EBECRYL 350、ダイセル・オルネクス社製)20重量部、シリカフィラー(レオロシール MT−10、トクヤマ製)20重量部、化学架橋剤(コロネートL−45、積水フーラー社製)0.5重量部、光重合開始剤(エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製)1重量部を混合し、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
Example 1
(1) A reactor equipped with a thermosetting adhesive thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared. In this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as a (meth) acrylic acid alkyl ester, containing a functional group After adding 6 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate, 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate as monomers, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the functional group-containing (meth) acrylic polymer was added and reacted with 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate as the functional group-containing unsaturated compound. To obtain a polymerizable polymer A (hydroxyl value 59 mgKOH / g). Thereafter, 20 parts by weight of silicone acrylate (EBECRYL 350, manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.) and silica filler (Reorosil MT-10, manufactured by Tokuyama) per 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the obtained polymerizable polymer 20 parts by weight, chemical cross-linking agent (Coronate L-45, manufactured by Sekisui Fuller) 0.5 part by weight, and photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Siebel Hegner) 1 part by weight are mixed, and ethyl acetate as a curable adhesive is mixed. A solution was obtained.

(2)粘着テープの製造
得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ50μmの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、硬化型粘着剤層の厚さが30μmとなるようにドクターナイフで塗工し、110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、40℃、3日間静置養生を行い、粘着テープを得た。
(2) Production of pressure-sensitive adhesive tape An ethyl acetate solution of the obtained curable pressure-sensitive adhesive was applied on the corona-treated surface of a transparent polyethylene naphthalate film having a thickness of 50 μm and subjected to corona treatment on one side. Coating was performed with a doctor knife so that the thickness was 30 μm, and the coating solution was dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes. Thereafter, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain an adhesive tape.

(3)硬化前の硬化型粘着剤のゲル分率の測定
得られた粘着テープを20mm×40mmの平面長方形状に裁断して試験片を作製し、重量を測定した。試験片を酢酸エチル中に23℃にて24時間浸漬した後、試験片を酢酸エチルから取り出して、110℃の条件下で1時間乾燥させた。乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式(1)を用いてゲル分率を算出した。結果を表1に示した。
ゲル分率(重量%)=100×(W−W)/(W−W) (1)
(W:基材の重量、W:浸漬前の試験片の重量、W:浸漬、乾燥後の試験片の重量)
(3) Measurement of gel fraction of curable pressure-sensitive adhesive before curing The obtained pressure-sensitive adhesive tape was cut into a plane rectangular shape of 20 mm × 40 mm to prepare a test piece, and the weight was measured. After immersing the test piece in ethyl acetate at 23 ° C. for 24 hours, the test piece was taken out from ethyl acetate and dried at 110 ° C. for 1 hour. The weight of the test piece after drying was measured, and the gel fraction was calculated using the following formula (1). The results are shown in Table 1.
Gel fraction (% by weight) = 100 × (W 2 −W 0 ) / (W 1 −W 0 ) (1)
(W 0 : weight of substrate, W 1 : weight of test piece before immersion, W 2 : weight of test piece after immersion and drying)

(4)硬化前の硬化型粘着剤層の引っ張り貯蔵弾性率の測定
「(1)硬化型粘着剤の合成」で得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面に離形処理を施した厚さ50μmの透明なPETフィルムの離形処理面上に、乾燥後の硬化型粘着剤層の厚さが50μmとなるようにドクターナイフで塗工し、反対側に離形処理を施した厚さ50μmの透明なPETフィルムを貼り合わせ、110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた後、40℃、3日間静置養生を行った。次いで、PETフィルムを剥離し、粘着剤同士を折り重ねて400μm厚の粘着テープとし、得られた粘着テープを縦0.6cm、横1.0cmの長方形状に切断して、評価用サンプルとした。
得られた評価用サンプルを、動的粘弾性測定装置(アイティー計測制御社製のDVA−200)を用いて動的粘弾性測定の引っ張りモード、角周波数10Hzで測定を行い、23℃での貯蔵弾性率の値を得た。結果を表1に示した。
(4) Measurement of tensile storage modulus of curable pressure-sensitive adhesive layer before curing The ethyl acetate solution of the curable pressure-sensitive adhesive obtained in “(1) Synthesis of curable pressure-sensitive adhesive” was subjected to release treatment on one side. On the surface of the release treatment of a transparent PET film having a thickness of 50 μm, coating was performed with a doctor knife so that the thickness of the curable adhesive layer after drying was 50 μm, and release treatment was performed on the opposite side. A transparent PET film having a thickness of 50 μm was bonded, heated at 110 ° C. for 5 minutes to dry the coating solution, and then subjected to static curing at 40 ° C. for 3 days. Next, the PET film was peeled off, the adhesives were folded over to form a 400 μm thick adhesive tape, and the obtained adhesive tape was cut into a rectangular shape having a length of 0.6 cm and a width of 1.0 cm to obtain a sample for evaluation. .
The obtained sample for evaluation was measured using a dynamic viscoelasticity measuring device (DVA-200 manufactured by IT Measurement Control Co., Ltd.) in a tensile mode of dynamic viscoelasticity measurement at an angular frequency of 10 Hz. A storage modulus value was obtained. The results are shown in Table 1.

(5)糊残りの評価
200×200mm□に10mm□の貫通孔が5mm間隔で格子状に設けられているエポキシ樹脂で固めたステージ基板に得られた粘着テープを真空中で貼り付けた。粘着テープを貼り付けた面を下面にし、8mm□、厚み100μmのSiベアの半導体チップを真空中でステージ基板の貫通孔から露出した粘着剤層に貼りつけた。
次いで、粘着テープ側から超高圧水銀灯を用いて、365nmの紫外線を粘着テープへの照射強度が80mW/cmとなるよう照度を調節して1分間照射して、硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた。
硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた後の積層体の粘着テープが貼られていない面からモールド樹脂としてエポキシ樹脂を充填した。充填は貫通孔を埋め、ステージ基板表面の貫通孔が設けられた部分を覆うまで行った。モールド樹脂を充填後、120℃、12kg/cmで2分間熱プレスを行った。
次いで、熱プレス後の積層体に180℃、1時間の熱処理を行い、モールド樹脂を硬化させた。放冷後、粘着テープを剥離した。
粘着テープを剥離した積層体の表面を目視にて観察して、糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが全体の面積の5%未満であった場合を「○」、糊残り全体の面積の5%以上であった場合を「×」として評価した。結果を表1に示した。
(5) Evaluation of adhesive residue An adhesive tape obtained on a stage substrate solidified with an epoxy resin in which through holes of 10 mm □ were provided in a lattice shape at intervals of 5 mm in 200 × 200 mm □ was attached in vacuum. The surface to which the adhesive tape was applied was the lower surface, and an 8 mm □, 100 μm thick Si bare semiconductor chip was attached to the adhesive layer exposed from the through hole of the stage substrate in a vacuum.
Next, using an ultra-high pressure mercury lamp from the pressure-sensitive adhesive tape side, irradiation with 365 nm ultraviolet light is performed for 1 minute while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity of the pressure-sensitive adhesive tape is 80 mW / cm 2, and the curable pressure-sensitive adhesive layer is crosslinked. Cured.
An epoxy resin was filled as a mold resin from the side where the adhesive tape of the laminate after the curable adhesive layer was crosslinked and cured. Filling was performed until the through hole was filled and the portion of the stage substrate surface provided with the through hole was covered. After filling with the mold resin, hot pressing was performed at 120 ° C. and 12 kg / cm 2 for 2 minutes.
Next, the laminated body after hot pressing was heat treated at 180 ° C. for 1 hour to cure the mold resin. After cooling, the adhesive tape was peeled off.
When the surface of the laminate from which the adhesive tape has been peeled is visually observed, “◎” indicates that no adhesive residue is present, and “◯” indicates that the adhesive residue is less than 5% of the total area. The case where it was 5% or more of the entire remaining area was evaluated as “x”. The results are shown in Table 1.

(実施例2〜4、比較例1)
「(1)硬化型粘着剤の合成」において、用いる化合物及び配合量を表1の通りとした以外は実施例1と同様にして硬化型粘着剤及び粘着テープを得た。得られた粘着テープを用いて、実施例1と同様の測定、評価を行った。
なお、実施例3、4では、「(5)糊残りの評価」において硬化型粘着剤層の光硬化を熱プレスと熱処理の間に行った。また、比較例1では「(5)糊残りの評価」において硬化型粘着剤層の光硬化を行わなかった。
結果を表1に示した。
(Examples 2 to 4, Comparative Example 1)
In “(1) Synthesis of curable pressure-sensitive adhesive”, a curable pressure-sensitive adhesive and a pressure-sensitive adhesive tape were obtained in the same manner as in Example 1 except that the compounds used and the blending amounts were as shown in Table 1. Measurements and evaluations similar to those of Example 1 were performed using the obtained adhesive tape.
In Examples 3 and 4, the photocuring of the curable pressure-sensitive adhesive layer was performed between hot pressing and heat treatment in “(5) Evaluation of adhesive residue”. In Comparative Example 1, the curable pressure-sensitive adhesive layer was not photocured in “(5) Evaluation of adhesive residue”.
The results are shown in Table 1.

Figure 2018147987
Figure 2018147987

本発明によれば、加熱処理を施す半導体チップ処理工程を有するにもかかわらず、半導体チップ処理工程時には充分な接着力を維持し、かつ、半導体チップ処理工程終了後には糊残りなく粘着テープを剥離できる半導体チップの製造方法及び該半導体チップの製造方法に用いる粘着テープを提供することができる。 According to the present invention, despite having a semiconductor chip processing step for performing heat treatment, sufficient adhesive force is maintained during the semiconductor chip processing step, and the adhesive tape is peeled off without any adhesive residue after the semiconductor chip processing step. The manufacturing method of the semiconductor chip which can be manufactured, and the adhesive tape used for the manufacturing method of this semiconductor chip can be provided.

1 ステージ基板
12 貫通孔
2 粘着テープ
21 硬化型粘着剤層
22 基材
3 半導体チップ
4 モールド樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stage substrate 12 Through-hole 2 Adhesive tape 21 Curable adhesive layer 22 Base material 3 Semiconductor chip 4 Mold resin

Claims (6)

貫通孔が複数設けられたステージ基板の一方の面に、重合性ポリマーと重合開始剤からなる硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層と基材を有する粘着テープを貼りつける粘着テープ貼り付け工程と、
前記ステージ基板の前記粘着テープが貼られていない面において前記貫通孔より露出した前記粘着テープの硬化型粘着剤層上に半導体チップを設置する半導体チップ設置工程と、
前記硬化型粘着剤に刺激を与えて前記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程と、
前記半導体チップを設置した面にモールド樹脂を充填するモールド樹脂充填工程と、
前記モールド樹脂を熱硬化させるモールド樹脂硬化工程と、
前記粘着テープをステージ基板から剥離する粘着テープ剥離工程とを有する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
Adhesive tape affixing a curable adhesive layer containing a curable adhesive composed of a polymerizable polymer and a polymerization initiator and an adhesive tape having a base material on one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes Process,
A semiconductor chip installation step of installing a semiconductor chip on the curable adhesive layer of the adhesive tape exposed from the through-hole on the surface of the stage substrate where the adhesive tape is not attached;
An adhesive curing step for stimulating the curable adhesive to cure the curable adhesive layer;
A mold resin filling step of filling the surface on which the semiconductor chip is installed with a mold resin;
A mold resin curing step for thermosetting the mold resin;
A method for producing a semiconductor chip, comprising: an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from a stage substrate.
貫通孔が複数設けられたステージ基板の一方の面に、重合性ポリマーと重合開始剤からなる硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層と基材を有する粘着テープを貼りつける粘着テープ貼り付け工程と、
前記ステージ基板の前記粘着テープが貼られていない面において前記貫通孔より露出した前記粘着テープの硬化型粘着剤層上に半導体チップを設置する半導体チップ設置工程と、
前記半導体チップを設置した面にモールド樹脂を充填するモールド樹脂充填工程と、
前記硬化型粘着剤に刺激を与えて前記硬化型粘着剤層を硬化させる粘着剤硬化工程と、
前記モールド樹脂を熱硬化させるモールド樹脂硬化工程と、
前記粘着テープをステージ基板から剥離する粘着テープ剥離工程とを有する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
Adhesive tape affixing a curable adhesive layer containing a curable adhesive composed of a polymerizable polymer and a polymerization initiator and an adhesive tape having a base material on one surface of a stage substrate provided with a plurality of through holes Process,
A semiconductor chip installation step of installing a semiconductor chip on the curable adhesive layer of the adhesive tape exposed from the through-hole on the surface of the stage substrate where the adhesive tape is not attached;
A mold resin filling step of filling the surface on which the semiconductor chip is installed with a mold resin;
An adhesive curing step for stimulating the curable adhesive to cure the curable adhesive layer;
A mold resin curing step for thermosetting the mold resin;
A method for producing a semiconductor chip, comprising: an adhesive tape peeling step for peeling the adhesive tape from a stage substrate.
重合性ポリマーの水酸基価が40mgKOH/g以上であることを特徴とする請求項2記載の半導体チップの製造方法。 The method for producing a semiconductor chip according to claim 2, wherein the polymerizable polymer has a hydroxyl value of 40 mgKOH / g or more. 硬化型粘着剤層のテープ貼り付け工程時のゲル分率が30%以上であることを特徴とする請求項1、2又は3に記載の半導体チップの製造方法。 The method for producing a semiconductor chip according to claim 1, 2 or 3, wherein the gel fraction during the tape attaching step of the curable pressure-sensitive adhesive layer is 30% or more. 粘着剤硬化工程前の硬化型粘着剤層の23℃での引っ張り貯蔵弾性率が1×10Pa以上であることを特徴とする請求項1、2、3又は4に記載の半導体チップの製造方法。 The semiconductor chip according to claim 1, 2, 3, or 4, wherein the tensile storage elastic modulus at 23 ° C of the curable pressure-sensitive adhesive layer before the pressure-sensitive adhesive curing step is 1 x 10 5 Pa or more. Method. 請求項1、2、3、4又は5のいずれかに記載の半導体チップの製造方法に用いられることを特徴とする粘着テープ。
An adhesive tape used in the method for producing a semiconductor chip according to any one of claims 1, 2, 3, 4 and 5.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020184612A (en) * 2019-04-26 2020-11-12 積水化学工業株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape
JP2021050266A (en) * 2019-09-24 2021-04-01 積水化学工業株式会社 Adhesive tape

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