JP6820724B2 - Semiconductor device manufacturing method and protective tape - Google Patents
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Description
本発明は、高いバンプを有する半導体デバイスにスパッタリングを行った場合であっても半導体デバイスを確実にピックアップできる半導体デバイスの製造方法及び上記半導体デバイスの製造方法に用いられる保護テープに関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device capable of reliably picking up a semiconductor device even when sputtering is performed on a semiconductor device having a high bump, and a protective tape used in the method for manufacturing the semiconductor device.
半導体デバイスの製造工程において、ウエハの加工時の取扱いを容易にし、破損を防止するために保護テープが用いられている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合、厚膜ウエハに保護テープを貼り合わせた後に研削が行われる。 In the manufacturing process of semiconductor devices, protective tapes are used to facilitate handling of wafers during processing and prevent damage. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to obtain a thin film wafer, grinding is performed after attaching a protective tape to the thick film wafer.
近年、携帯電話等の通信機器は通信の高速化や扱う情報量の増加等によって高周波化が進んでおり、高周波によるノイズが半導体デバイスの誤作動を引き起こすという問題が生じている。特に、近年の通信機器は小型化によるデバイス密度の増加やデバイスの低電圧化が進んでいるため、半導体デバイスは高周波によるノイズの影響を受けやすくなっており、誤動作の問題が顕著になってきている。そのため、特許文献１のようにスパッタリングによって半導体デバイスを金属の膜で覆うことで、高周波を遮断する方法が提案されている。
一般にこのような電磁波を遮断するためのスパッタリングを含む半導体デバイスの製造では、デバイス基板をダイシングした後、ダイシング時に基板を保護していた保護テープを得られた半導体デバイスに貼り付けたまま仮固定テープに積層し、スパッタリングが行われる。スパッタリング後はニードルピックアップ等の方法で、仮固定テープと仮固定テープに固定された保護テープは剥離される。
In recent years, communication devices such as mobile phones have been increasing in frequency due to high-speed communication and an increase in the amount of information handled, and there has been a problem that noise due to high frequency causes malfunction of semiconductor devices. In particular, in recent years, communication devices have been miniaturized, resulting in an increase in device density and a decrease in device voltage. As a result, semiconductor devices are more susceptible to noise due to high frequencies, and the problem of malfunction has become more prominent. There is. Therefore, as in
Generally, in the manufacture of a semiconductor device including sputtering for blocking such electromagnetic waves, after dicing the device substrate, a temporary fixing tape is attached to the obtained semiconductor device while the protective tape that protected the substrate during dicing is obtained. Is laminated and sputtering is performed. After sputtering, the temporary fixing tape and the protective tape fixed to the temporary fixing tape are peeled off by a method such as needle pickup.
一方、近年の半導体デバイスは、電気接続の信頼性を向上させるためにバンプ接続が使われており、そのバンプ高さが２００μｍ程度にまで達する半導体デバイス（以下、ハイバンプ電子デバイスともいう）が用いられるようになってきた。このようなハイバンプ電子デバイスに上記のスパッタリングを含む半導体デバイスの製造工程を行った場合、スパッタリング処理後のハイバンプ電子デバイスをピックアップする際にピックアップミスが生じるという問題があった。 On the other hand, in recent years, semiconductor devices use bump connections in order to improve the reliability of electrical connections, and semiconductor devices having a bump height of up to about 200 μm (hereinafter, also referred to as high bump electronic devices) are used. It has come to be. When the manufacturing process of the semiconductor device including the above sputtering is performed on such a high bump electronic device, there is a problem that a pickup error occurs when the high bump electronic device after the sputtering process is picked up.
本発明は、上記現状に鑑み、高さの高いバンプを有する半導体デバイスにスパッタリングを行った場合であっても半導体デバイスを確実にピックアップできる半導体デバイスの製造方法及び上記半導体デバイスの製造方法に用いられる保護テープを提供することを目的とする。 In view of the above situation, the present invention is used in a method for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing the above-mentioned semiconductor device, which can reliably pick up the semiconductor device even when sputtering is performed on the semiconductor device having a high bump. It is intended to provide a protective tape.
本発明は、高さが１５０μｍ以上のバンプを有する半導体デバイス基板のバンプが形成された面に、前記バンプの最大高さ以上に厚い硬化型粘着剤層と、厚み７５μｍ以上のサポート層からなる保護テープを硬化型粘着剤層側から積層する保護テープ積層工程と、前記保護テープに刺激を加えて前記硬化型粘着剤層を硬化する硬化工程と、前記デバイス基板の保護テープが積層された側の面とは反対側の面にダイシングテープを積層するダイシングテープ積層工程と、前記ダイシングテープが積層された半導体デバイス基板を、前記保護テープ側からダイシングして保護テープが積層された半導体デバイスを得るダイシング工程と、前記保護テープが積層された半導体デバイスをダイシングテープから剥離するとともに、前記保護テープ上に仮固定テープを積層する仮固定テープ積層工程と、前記仮固定テープ上の半導体デバイスの、該仮固定テープ側とは反対側の面に膜を形成する成膜工程と、仮固定テープ側からニードルで押すことにより前記膜が形成された半導体デバイスを保護テープから剥離するピックアップ工程を有する半導体デバイスの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention protects a surface of a semiconductor device substrate having bumps having a height of 150 μm or more, which comprises a curable adhesive layer thicker than the maximum height of the bumps and a support layer having a thickness of 75 μm or more. A protective tape laminating step of laminating the tape from the curable pressure-sensitive adhesive layer side, a curing step of stimulating the protective tape to cure the curable pressure-sensitive adhesive layer, and a side on which the protective tape of the device substrate is laminated. A dicing tape laminating step of laminating a dicing tape on a surface opposite to the surface, and dicing of a semiconductor device substrate on which the dicing tape is laminated is diced from the protective tape side to obtain a semiconductor device on which the protective tape is laminated. The step, the temporary fixing tape laminating step of peeling the semiconductor device on which the protective tape is laminated from the dicing tape and laminating the temporary fixing tape on the protective tape, and the temporary fixing tape laminating step of the semiconductor device on the temporary fixing tape. A semiconductor device having a film forming step of forming a film on the surface opposite to the fixing tape side and a pick-up step of peeling the semiconductor device on which the film is formed from the protective tape by pushing with a needle from the temporary fixing tape side. It is a manufacturing method.
The present invention will be described in detail below.
本発明者らは、スパッタリング処理を行った後のハイバンプ電子デバイスをピックアップする際にピックアップミスが生じる原因について検討した。その結果、高いバンプを有する半導体デバイス基板（以下、ハイバンプ電子デバイス基板とも言う）に保護テープを貼り付けた際に、保護テープ背面に形成される凹凸が原因であることを見出した。従来の保護テープをハイバンプ電子デバイス基板のバンプの存在する面に貼り付けてダイシング及びスパッタリングを行うと図１（ａ）のようにハイバンプ電子デバイス２′のバンプ６やチップなどの突起形状によって粘着剤層１１′及びサポート層１２が変形し保護テープ１の背面が凹凸になる。特にデバイス周縁部のバンプ６が存在しない部分は、バンプ６が存在する内側部分に比べて貼りつけた保護テープ背面は凹んでしまう。このような背面形状の保護テープ１上に仮固定テープ４を貼り付けると、保護テープ背面の凹んでいる部分は保護テープ１と仮固定テープ４との間に隙間を生じさせ、周縁部は浮いている状態となる。その結果、スパッタリング処理後に保護テープ１と仮固定テープ４をニードルピックアップによって剥離すると図１（ｂ）のように本来接着しているはずの保護テープ１と仮固定テープ４の間が先に剥がれてしまい、保護テープ１とハイバンプ電子デバイス２′が剥がれないピックアップミスが起こっていた。また、ハイバンプ電子デバイスはバンプが通常のバンプ付き電子デバイスよりも高く、この凹凸に粘着剤層が噛みこんで保護テープとハイバンプ電子デバイスとが強く接着されることから、剥離ミスがより起こりやすくなっていた。これらの知見から本発明者らは更に検討を進めた結果、保護テープの粘着剤層をより厚みの厚い硬化型の粘着剤層とし、更に、サポート層の厚みを厚くすることで突起の高さが高いハイバンプ電子デバイスに貼り付けた場合であっても保護テープ背面の凹凸変形を防ぐことができ、スパッタリング処理後に確実にハイバンプ電子デバイス（半導体デバイス）をピックアップできることを見出し、本発明を完成させるに至った。
The present inventors have investigated the causes of pickup errors when picking up high-bump electronic devices after sputtering. As a result, it was found that when the protective tape was attached to the semiconductor device substrate having high bumps (hereinafter, also referred to as high bump electronic device substrate), the unevenness formed on the back surface of the protective tape was the cause. When a conventional protective tape is attached to the bump-existing surface of the high-bump electronic device substrate and dicing and sputtering are performed, the adhesive is formed by the protrusion shape of the
本発明の半導体デバイスの製造方法は、まず、高さが１５０μｍ以上のバンプを有する半導体デバイス基板のバンプが形成された面に、前記バンプの最大高さ以上に厚い硬化型粘着剤層と、厚み７５μｍ以上のサポート層からなる保護テープを硬化型粘着剤層側から積層する保護テープ積層工程を行う。
ハイバンプ電子デバイス基板に保護テープを貼り付けることによって、スパッタリング処理によるバンプ面への金属膜付着を防止でき、得られるハイバンプ電子デバイスの導通不良や短絡を防ぐことができる。
ここで、上記保護テープがハイバンプ電子デバイス基板と貼り合わされた状態を模式的に示した断面図を図２に示す。保護テープ１は硬化型粘着剤層１１、サポート層１２を有しており、ハイバンプ電子デバイス基板２のバンプ６が形成された面に貼り付けられている。また、本発明ではサポート層の厚みが従来の保護テープより厚いため、硬化型粘着剤層１１とサポート層１２との境界面及びサポート層１２に段差が生じず平坦になっている。その結果、後述する仮固定テープ積層工程において保護テープ上に仮固定テープを積層した際に、仮固定テープと保護テープの間に隙間が生じないため、仮固定テープと保護テープは全面で接着し、スパッタリング処理後に半導体デバイスを確実にピックアップすることができる。なお、上記粘着シートは、図２に示すような構成に限定されず、各層の間に他の層を有していてもよい。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, first, a curable adhesive layer thicker than the maximum height of the bumps and a thickness are formed on the surface of the semiconductor device substrate having bumps having a height of 150 μm or more. A protective tape laminating step is performed in which a protective tape composed of a support layer of 75 μm or more is laminated from the curable adhesive layer side.
By attaching the protective tape to the high bump electronic device substrate, it is possible to prevent the metal film from adhering to the bump surface due to the sputtering process, and to prevent the resulting high bump electronic device from being poorly conducted or short-circuited.
Here, FIG. 2 shows a cross-sectional view schematically showing a state in which the protective tape is attached to the high bump electronic device substrate. The
上記硬化型粘着剤層を構成する硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分とし、重合開始剤として光重合開始剤を用いた光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分とし、重合開始剤として熱重合開始剤を用いた熱硬化型粘着剤が挙げられる。
Examples of the curable pressure-sensitive adhesive constituting the curable pressure-sensitive adhesive layer include a photo-curable pressure-sensitive adhesive that is cross-linked and cured by light irradiation, and a heat-curable pressure-sensitive adhesive that is cross-linked and cured by heating.
Examples of the photocurable pressure-sensitive adhesive include a photo-curable pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and using a photopolymerization initiator as a polymerization initiator.
Examples of the thermosetting pressure-sensitive adhesive include a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and using a heat polymerization initiator as a polymerization initiator.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）とを反応させることにより得ることができる。 For the polymerizable polymer, for example, a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter, referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance and reacts with the functional group in the molecule. It can be obtained by reacting a functional group to be subjected to a compound having a radically polymerizable unsaturated bond (hereinafter referred to as a functional group-containing unsaturated compound).
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。 As a polymer having adhesiveness at room temperature, the functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic in which the number of carbon atoms of the alkyl group is usually in the range of 2 to 18, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By using an acid alkyl ester and / or a methacrylate alkyl ester as a main monomer, and copolymerizing this with a functional group-containing monomer and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable with these by a conventional method. It is what you get. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylate and methacrylic acid, a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate, and an epoxy such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples thereof include a group-containing monomer, an isocyanate group-containing monomer such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate, and an amino group-containing monomer such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of the other copolymerizable monomer for modification include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 As the functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer, the same one as the above-mentioned functional group-containing monomer is used depending on the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those that are activated by irradiating light having a wavelength of 250 to 800 nm, and examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. , Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether, ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, phosphine oxide derivative compounds, and bis (η5-cyclopentadienyl) titanosen derivative compounds. Examples thereof include photoradical polymerization initiators such as benzophenone, Michler ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexylphenylketone, and 2-hydroxymethylphenylpropane. These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
ただし、上記硬化型粘着剤が高い耐熱性を発揮するためには、上記熱重合開始剤は、熱分解温度が２００℃以上である熱重合開始剤を用いることが好ましい。このような熱分解温度が高い熱重合開始剤は、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油社製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
Examples of the above-mentioned thermal polymerization initiator include those that generate active radicals that are decomposed by heat to initiate polymerization curing. For example, dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and t-butyl peroxybenzoale. , T-butylhydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentan hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like.
However, in order for the curable pressure-sensitive adhesive to exhibit high heat resistance, it is preferable to use a thermal polymerization initiator having a thermal decomposition temperature of 200 ° C. or higher. Examples of such a thermal polymerization initiator having a high thermal decomposition temperature include cumene hydroperoxide, paramentan hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide.
Of these thermal polymerization initiators, those commercially available are not particularly limited, but for example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, perpenta H (all of which are manufactured by NOF CORPORATION) and the like are suitable. These thermal polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤層は、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性、熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による硬化型粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably contains a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, photocurability and thermosetting are improved.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 so that the curable pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently reticulated by heating or irradiation with light. The number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20 below.
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate or the same methacrylate as above. Kind and the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and the same methacrylates as described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、ステージ基板から粘着テープを剥離する際に、刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく粘着テープを剥離することができる。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a gas generating agent that generates a gas by stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive layer contains the gas-generating agent, it is easier and easier to generate gas from the gas-generating agent by giving a stimulus when peeling the adhesive tape from the stage substrate. , The adhesive tape can be peeled off without leaving adhesive residue.
上記気体発生剤は特に限定されないが、加熱を伴う処理に対する耐性に優れることから、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール化合物又はその塩等が好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体を発生する一方、２００℃程度の高温下でも分解しない高い耐熱性を有する。 The gas generating agent is not particularly limited, but is excellent in resistance to treatments involving heating, and therefore, carboxylic acid compounds such as phenylacetic acid, diphenylacetic acid, and triphenylacetic acid or salts thereof, 1H-tetrazole, 5-phenyl-1H- Tetrazole compounds such as tetrazole and 5,5-azobis-1H-tetrazole or salts thereof are suitable. While such a gas generating agent generates a gas by irradiating it with light such as ultraviolet rays, it has high heat resistance that does not decompose even at a high temperature of about 200 ° C.
上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型粘着剤へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。 Regarding the content of the gas generating agent, the preferable lower limit is 5 parts by weight and the preferable upper limit is 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable pressure-sensitive adhesive. If the content of the gas generating agent is less than 5 parts by weight, the generation of carbon dioxide gas or nitrogen gas due to stimulation may be reduced and sufficient peeling may not be possible, and if it exceeds 50 parts by weight, the curing type It may not be completely dissolved in the adhesive and the adhesive strength may be reduced. The more preferable lower limit of the content of the gas generating agent is 10 parts by weight, and the more preferable upper limit is 30 parts by weight.
上記硬化型粘着剤層は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。
The curable pressure-sensitive adhesive layer may further contain a photosensitizer.
Since the photosensitizer has the effect of amplifying the stimulation of the gas generating agent by light, the gas can be released by irradiating less light. In addition, the gas can be emitted by light in a wider wavelength region.
上記硬化型粘着剤層は、上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、２００℃以上の加熱を伴う処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することにより上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより、ハイバンプ電子デバイス上への糊残りを防止する効果も発揮される。 The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain a silicone compound having a functional group that can be crosslinked with the curable pressure-sensitive adhesive. Since the silicone compound has excellent heat resistance, it prevents the adhesive from being scorched even after being subjected to a treatment accompanied by heating at 200 ° C. or higher, and bleeds out to the interface of the adherend at the time of peeling to facilitate peeling. Since the silicone compound has a functional group that can be crosslinked with the curable pressure-sensitive adhesive, it chemically reacts with the curable pressure-sensitive adhesive by light irradiation or heating and is incorporated into the curable pressure-sensitive adhesive. Silicone compounds do not adhere to the body and contaminate it. Further, by blending the silicone compound, the effect of preventing the adhesive residue on the high bump electronic device is also exhibited.
上記硬化型粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記硬化型粘着剤層は、ヒュームドシリカ等の無機フィラー、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
The curable pressure-sensitive adhesive layer appropriately contains various polyfunctional compounds to be blended in general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds, if desired, for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may.
The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain an inorganic filler such as fumed silica, a known additive such as a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax, and a fine particle filler.
上記硬化型粘着剤層は、上記保護テープ積層工程時の９０℃で測定したせん断弾性率が１×１０３〜１×１０６Ｐａであることが好ましい。上記硬化型粘着剤層の保護テープ積層工程時のせん断貯蔵弾性率がこの範囲内にあると、ハイバンプ電子デバイスのバンプ面の凹凸に追従して確実にバンプを埋めて保護できる一方、積層工程後の保護テープの背面を平坦にすることができる。上記９０℃で測定した保護テープ積層工程時のせん断貯蔵弾性率のより好ましい下限は５×１０３Ｐａ、より好ましい上限は５×１０５Ｐａである。 The curable pressure-sensitive adhesive layer preferably has a shear modulus of 1 × 10 3 to 1 × 10 6 Pa measured at 90 ° C. during the protective tape laminating step. When the shear storage elastic modulus during the protective tape laminating process of the curable adhesive layer is within this range, the bumps can be reliably filled and protected by following the unevenness of the bump surface of the high bump electronic device, but after the laminating process. The back of the protective tape can be flattened. The more preferable lower limit of the shear storage elastic modulus during the protective tape laminating step measured at 90 ° C. is 5 × 10 3 Pa, and the more preferable upper limit is 5 × 10 5 Pa.
上記硬化型粘着剤層の厚みは上記半導体デバイス基板に形成されたバンプの最大高さ以上である。
上記硬化型粘着剤層の厚みが上記ハイバンプ電子デバイス基板に形成されたバンプの最大高さ以上であることで硬化型粘着剤層がハイバンプ電子デバイスの凹凸をすべて覆うことができるため確実にハイバンプ電子デバイスを保護できる。上記硬化型粘着剤層の厚みは、１５０μｍ以上が好ましく、１７０μｍ以上がより好ましい。上記硬化型粘着剤層の厚みの上限については特に限定されないが、ロール形状への加工のしやすさから３００μｍ以下であることが好ましい。
なお、本明細書においてバンプの最大高さとは、ハイバンプ電子デバイス上に形成された突起物のうち、最も高さが高い突起物の高さを意味する。突起物にはバンプの他に、チップ等がある。
The thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is equal to or greater than the maximum height of bumps formed on the semiconductor device substrate.
When the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is equal to or greater than the maximum height of the bumps formed on the high-bump electronic device substrate, the curable pressure-sensitive adhesive layer can cover all the irregularities of the high-bump electronic device. You can protect your device. The thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is preferably 150 μm or more, more preferably 170 μm or more. The upper limit of the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 300 μm or less from the viewpoint of ease of processing into a roll shape.
In the present specification, the maximum height of the bump means the height of the protrusion having the highest height among the protrusions formed on the high bump electronic device. In addition to bumps, protrusions include chips and the like.
上記硬化型粘着層のゲル分率は１％〜８０％であることが好ましい。
ゲル分率が１％以上であればロール形状へ加工した時にロール側面からの粘着剤のはみ出しを抑えることができ、半導体デバイス製造時の粘着剤による汚れを抑えることができる。一方８０％以下であれば、ハイバンプデバイス基板に貼り合わせ時に粘着剤が塑性変形してバンプ面の凹凸を吸収しやすく、保護テープ背面を平坦にすることができる。
The gel fraction of the curable pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1% to 80%.
When the gel fraction is 1% or more, it is possible to prevent the adhesive from squeezing out from the side surface of the roll when it is processed into a roll shape, and it is possible to suppress stains caused by the adhesive during semiconductor device manufacturing. On the other hand, if it is 80% or less, the adhesive is plastically deformed at the time of bonding to the high bump device substrate to easily absorb the unevenness of the bump surface, and the back surface of the protective tape can be flattened.
上記サポート層としては、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリヘキサメチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート、テレフタル酸ブタンジオールポリテトラメチレングリコール共重合体、テレフタル酸ブタンジオールポリカプロラクトン共重合等の、耐熱性に優れ、かつ弾性率の高い樹脂からなるフィルムまたはシートが挙げられる。 Examples of the support layer include polyethylene naphthalate (PEN), polyimide (PI), polyetheretherketone (PEEK), polyphenylene sulfide (PPS), polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), and polyhexamethylene. Examples thereof include films or sheets made of resins having excellent heat resistance and high elasticity, such as terephthalate, polybutylene terephthalate, butanediol terephthalate polytetramethylene glycol copolymer, and butanediol terephthalate polycaprolactone copolymer.
上記サポート層は、厚みが７５μｍ以上である。
上記サポート層の厚みが７５μｍ以上であることによって、高さの高いバンプを有するハイバンプ電子デバイス基板に保護テープを貼り付けた場合であっても、保護テープ背面に凹凸、段差ができることを防止できる。その結果、後述する仮固定テープ積層工程で保護テープと仮固定テープとが全面で接着されることから、スパッタリング処理後にハイバンプ電子デバイスを確実にピックアップすることができる。上記サポート層の厚みは７５μｍ以上であることが好ましく、１００μｍ以上であることがより好ましい。上記サポート層の厚みの上限については特に制限されないが、ロールへの加工のしやすさを考慮すると２５０μｍ以下であることが好ましい。
The support layer has a thickness of 75 μm or more.
When the thickness of the support layer is 75 μm or more, it is possible to prevent unevenness and steps from being formed on the back surface of the protective tape even when the protective tape is attached to the high bump electronic device substrate having high bumps. As a result, since the protective tape and the temporary fixing tape are adhered to the entire surface in the temporary fixing tape laminating step described later, the high bump electronic device can be reliably picked up after the sputtering process. The thickness of the support layer is preferably 75 μm or more, and more preferably 100 μm or more. The upper limit of the thickness of the support layer is not particularly limited, but is preferably 250 μm or less in consideration of ease of processing into a roll.
上記サポート層は、９０℃における貯蔵弾性率が１×１０９Ｐａ以上であることが好ましい。
９０℃における貯蔵弾性率が１×１０９Ｐａ以上であると、高いバンプへの追従により発生した粘着層の変形歪を抑えることができ、保護テープ背面の凹凸、段差を防止できる。９０℃における貯蔵弾性率の上限については特に制限されないが、ロールへの加工のしやすさを考慮すると１×１０１１Ｐａ以下であることが好ましい。
The support layer preferably has a storage elastic modulus at 90 ° C. of 1 × 10 9 Pa or more.
When the storage elastic modulus at 90 ° C. is at 1 × 10 9 Pa or more, it is possible to suppress deformation distortion generated by tracking of the high bump adhesive layer, the protective tape back of the irregularities, the step can be prevented. The upper limit of the storage elastic modulus at 90 ° C. is not particularly limited, but is preferably 1 × 10 11 Pa or less in consideration of ease of processing into a roll.
上記サポート層は基材フィルムであってもよいし、離型フィルムであってもよい。
上記サポート層が基材フィルムである場合、上記保護テープは基材を有するサポートタイプの保護テープとなり、上記サポート層が離型フィルムである場合、上記保護テープはノンサポートタイプの保護テープとなる。
The support layer may be a base film or a release film.
When the support layer is a base film, the protective tape is a support type protective tape having a base material, and when the support layer is a release film, the protective tape is a non-support type protective tape.
本発明の半導体デバイスの製造方法では、次いで上記保護テープに刺激を加えて前記硬化型粘着剤層を硬化する硬化工程を行う。
刺激によって硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることによって硬化型粘着剤層の弾性率が上昇するため、ハイバンプ電子デバイスの保護性能がより向上するとともに後の工程において保護テープが変形して段差が生じることを防止できる。また、高温処理が行われた場合であっても、粘着剤が溶融したりハイバンプ電子デバイスに糊残りしたりすることを防止できるため、剥離力が低下してピックアップを容易にすることができる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a curing step is then performed in which the protective tape is stimulated to cure the curable pressure-sensitive adhesive layer.
By cross-linking and curing the curable pressure-sensitive adhesive layer by stimulation, the elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive layer is increased, so that the protective performance of the high-bump electronic device is further improved and the protective tape is deformed in a later process to form a step. It can be prevented from occurring. Further, even when the high temperature treatment is performed, it is possible to prevent the adhesive from melting or leaving adhesive on the high bump electronic device, so that the peeling force is reduced and the pickup can be facilitated.
上記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型粘着剤に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、７５０ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましい。
The curable pressure-sensitive adhesive is a photo-curable pressure-sensitive adhesive, and is a photo-curable pressure-sensitive adhesive containing a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm. When the agent is used, the photocurable pressure-sensitive adhesive layer can be crosslinked and cured by irradiating with light having a wavelength of 365 nm or more.
For such a photocurable pressure-sensitive adhesive, for example, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 365 nm with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and irradiate with an illuminance of 20 mW or more. It is more preferable, and it is particularly preferable to irradiate with an illuminance of 50 mW or more. Further, it is preferable to irradiate light having a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less, and further preferably with an integrated illuminance of 750 mJ or more and 5000 mJ or less. ..
また、上記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤である場合、保護テープ積層工程を１３０℃付近まで加熱して行う可能性があるため、熱分解温度が１５０℃以上、好ましくは、２００℃以上である熱重合開始剤を用いて上記熱硬化型粘着剤層を架橋、硬化させることができる。 When the curable pressure-sensitive adhesive is a thermosetting pressure-sensitive adhesive, the protective tape laminating step may be performed by heating to around 130 ° C., so that the thermal decomposition temperature is 150 ° C. or higher, preferably 200 ° C. or higher. The thermosetting pressure-sensitive adhesive layer can be crosslinked and cured by using the thermosetting initiator.
上記硬化工程後の上記硬化型粘着剤層は、２３℃の引張貯蔵弾性率が１０６〜１０９Ｐａあることが好ましい。架橋、硬化後の硬化型粘着剤層の引張貯蔵弾性率がこの範囲内にあることにより、ハイバンプ電子デバイスを充分に保護できる。また、加熱処理が行われた場合であっても、加熱により保護テープの硬化型粘着剤層が収縮してハイバンプ電子デバイスに反りが発生したり、接着昂進が生じてハイバンプ電子デバイスに残渣が付着したりするのを防止することができる。硬化工程後の上記硬化型粘着剤層の２３℃での引張貯蔵弾性率のより好ましい下限は３×１０６Ｐａ、より好ましい上限は７×１０８Ｐａである。 The curing type pressure-sensitive adhesive layer after the curing step is preferably tensile storage modulus of 23 ° C. is 10 6 ~10 9 Pa. When the tensile storage elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive layer after cross-linking and curing is within this range, the high-bump electronic device can be sufficiently protected. Further, even when the heat treatment is performed, the curing adhesive layer of the protective tape shrinks due to heating, causing warpage of the high bump electronic device or adhesion promotion, and the residue adheres to the high bump electronic device. It is possible to prevent it from happening. The more preferable lower limit of the tensile storage elastic modulus of the curable pressure-sensitive adhesive layer at 23 ° C. after the curing step is 3 × 10 6 Pa, and the more preferable upper limit is 7 × 10 8 Pa.
上記サポート層が離型フィルムである場合、本発明の半導体デバイスの製造方法は、硬化工程後からダイシング工程の前までの間に、上記離型フィルムを硬化型粘着剤層から剥離するサポート層剥離工程を行う。
上記硬化工程によって硬化型粘着剤層の離型フィルムと接する面が段差のない状態で固定されるため、硬化工程後は離型フィルムを剥離した場合であっても仮固定テープと硬化型粘着剤層との間に隙間が生じることがなく、スパッタリング処理後に半導体デバイスを確実にピックアップすることができる。なお、上記サポート層が基材フィルムである場合は、ピックアップ工程まで基材フィルムを硬化型粘着剤層から剥離しない。
When the support layer is a release film, the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention is a support layer peeling method for peeling the release film from the release type pressure-sensitive adhesive layer between after the curing step and before the dicing step. Perform the process.
Since the surface of the curing adhesive layer in contact with the release film is fixed without a step by the above curing step, the temporary fixing tape and the curing adhesive are used even if the release film is peeled off after the curing step. There is no gap between the layers, and the semiconductor device can be reliably picked up after the sputtering process. When the support layer is a base film, the base film is not peeled from the curable pressure-sensitive adhesive layer until the pickup step.
本発明の半導体デバイスの製造方法では、次いで上記基板の保護テープが積層された側の面とは反対側の面にダイシングテープを積層するダイシングテープ積層工程を行う。
ダイシングテープを貼り付けることで得られる半導体デバイスの位置ずれやデバイス飛びを防止することができる。上記ダイシングテープは特に限定されず従来公知のものを用いることができる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a dicing tape laminating step of laminating a dicing tape on a surface opposite to the surface on which the protective tape of the substrate is laminated is then performed.
It is possible to prevent the position shift and device skipping of the semiconductor device obtained by attaching the dicing tape. The dicing tape is not particularly limited, and conventionally known dicing tapes can be used.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、次いで上記ダイシングテープが積層された半導体デバイス基板を、上記保護テープ側からダイシングして保護テープが積層された半導体デバイスを得るダイシング工程を行う。
ここで上記ダイシング工程の一例を模式的に示した断面図を図３に示す。上記ダイシング工程は、保護テープ１及びハイバンプ電子デバイス基板２を貫通してダイシングテープ３の一部に達する深さまで切り込みが行われる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor device substrate on which the dicing tape is laminated is then diced from the protective tape side to obtain a semiconductor device on which the protective tape is laminated.
Here, FIG. 3 shows a cross-sectional view schematically showing an example of the dicing process. In the dicing step, a cut is made to a depth that penetrates the
上記ダイシングの方法は特に限定されず、例えば、ダイシング装置（例えば、ディスコ社製のＤＦＤ６３６１）を用いて上記保護テープごと上記ハイバンプ電子デバイス基板を分割する方法等が挙げられる。このとき、ダイシングを１段階で行っても２段階（ステップカット）で行ってもよいが、プロセスとして簡便な１段階が望ましい。また、上記ダイシング工程において上記保護テープごと上記ハイバンプ電子デバイス基板をダイシングする方法として、レーザー光を照射する方法を用いてもよい。レーザー光の照射により上記粘着シートごと上記ハイバンプ電子デバイス基板をダイシングする場合、レーザー光は上記ダイシングテープを貫通しないように照射される。 The dicing method is not particularly limited, and examples thereof include a method of dividing the high bump electronic device substrate together with the protective tape by using a dicing device (for example, DFD6361 manufactured by Disco Corporation). At this time, dicing may be performed in one step or two steps (step cut), but one step, which is simple as a process, is desirable. Further, as a method of dicing the high bump electronic device substrate together with the protective tape in the dicing step, a method of irradiating a laser beam may be used. When dicing the high bump electronic device substrate together with the adhesive sheet by irradiation with laser light, the laser light is irradiated so as not to penetrate the dicing tape.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、次いで、上記保護テープが積層された半導体デバイスをダイシングテープから剥離するとともに、上記保護テープ上に仮固定テープを積層する仮固定テープ積層工程を行う。
ここで、仮固定テープ積層工程後のハイバンプ電子デバイスの一例を模式的に示した断面図を図４に示した。ハイバンプ電子デバイス２′と保護テープ１との積層体に仮固定テープ４が積層体の保護テープ１側の面と接するように積層されている。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the semiconductor device on which the protective tape is laminated is then peeled from the dicing tape, and a temporary fixing tape laminating step of laminating the temporary fixing tape on the protective tape is performed.
Here, FIG. 4 shows a cross-sectional view schematically showing an example of the high bump electronic device after the temporary fixing tape laminating step. The
上記積層の方法は特に制限されず、ハイバンプ電子デバイスの保護テープが積層した面に仮固定テープを貼り付けた後にダイシングテープを剥離することで、一度に全ての積層体を仮固定テープに積層してもよく、ダイシングテープから積層体を個別に剥離して仮固定テープ上に積層してもよい。なかでも、間隔をあけて積層体を並べることで、後述する成膜工程において半導体デバイスの側方まで充分に膜を形成できることから、個別にハイバンプ電子デバイスを剥離して仮固定テープに積層する方法が好ましい。 The above laminating method is not particularly limited, and all the laminates are laminated on the temporary fixing tape at once by attaching the temporary fixing tape to the surface on which the protective tape of the high bump electronic device is laminated and then peeling off the dicing tape. Alternatively, the laminate may be individually peeled from the dicing tape and laminated on the temporary fixing tape. Among them, by arranging the laminated bodies at intervals, a film can be sufficiently formed up to the side of the semiconductor device in the film forming process described later. Therefore, a method of individually peeling off the high bump electronic device and laminating it on the temporary fixing tape. Is preferable.
上記仮固定テープは特に限定されないが、耐熱性を持つことが好ましい。上記耐熱性の仮固定テープとしては、ポリイミドテープ（ポリイミドを基材としたテープ）、テフロンテープ（テフロン（登録商標）を基材としたテープ）、シリコーンテープ等が挙げられる。なかでも耐熱性があることからポリイミドテープが好ましい。 The temporary fixing tape is not particularly limited, but is preferably heat resistant. Examples of the heat-resistant temporary fixing tape include polyimide tape (tape based on polyimide), Teflon tape (tape based on Teflon (registered trademark)), and silicone tape. Of these, polyimide tape is preferable because it has heat resistance.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、次いで、上記仮固定テープ上の半導体デバイスの、該仮固定テープ側とは反対側の面に膜を形成する成膜工程を行う。
上記膜としては、樹脂膜や金属膜等が挙げられ、所望の性能によって形成する膜を選択できる。例えば、高周波による半導体デバイスの誤作動を防止したい場合は、金属膜を形成して半導体デバイスを電磁波から遮蔽する。上記金属膜を形成する方法としては、スパッタリング法、スプレー法、メッキ法等が挙げられるが、スパッタリング法が好ましい。スパッタリングの条件については特に限定されず、従来のスパッタリング条件を用いることができる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a film forming step of forming a film on the surface of the semiconductor device on the temporary fixing tape opposite to the temporary fixing tape side is then performed.
Examples of the film include a resin film and a metal film, and a film formed according to desired performance can be selected. For example, when it is desired to prevent a malfunction of a semiconductor device due to high frequency, a metal film is formed to shield the semiconductor device from electromagnetic waves. Examples of the method for forming the metal film include a sputtering method, a spraying method, a plating method and the like, but the sputtering method is preferable. The sputtering conditions are not particularly limited, and conventional sputtering conditions can be used.
本発明の半導体デバイスの製造方法は、次いで、仮固定テープ側からニードルで押すことにより上記膜が形成された半導体デバイスを保護テープから剥離するピックアップ工程を行う。
本発明では保護テープ１を貼り付ける際にサポート層１２の厚みを特定の範囲としているため、図４に示すように保護テープ１に段差が発生せず、仮固定テープ４と保護テープ１との間に隙間が存在しない。そのため、仮固定テープ４と保護テープ１が全面で接着していることから、図５のようにニードルで半導体デバイスを突き上げた際に仮固定テープ４から保護テープ１が先に剥離することなく確実にピックアップすることができる。
In the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, a pickup step is then performed in which the semiconductor device on which the film is formed is peeled off from the protective tape by pushing with a needle from the temporary fixing tape side.
In the present invention, since the thickness of the
本発明の半導体デバイスの製造方法に用いられる保護テープであって、少なくとも硬化型粘着剤層とサポート層を有し、上記硬化型粘着剤層の厚みが半導体デバイス基板上のバンプの最大高さ以上で、かつ、上記サポート層の厚みが７５μｍ以上である保護テープも本発明の一つである。 A protective tape used in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, which has at least a curable pressure-sensitive adhesive layer and a support layer, and the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer is at least the maximum height of bumps on a semiconductor device substrate. A protective tape having a thickness of 75 μm or more of the support layer is also one of the present inventions.
本発明の保護テープを製造する方法は特に限定されず、上記サポート層が基材フィルムである場合は上記硬化型粘着剤の溶液を基材フィルムに塗工乾燥させる方法等が挙げられる。上記サポート層が離型フィルムである場合は、上記硬化型粘着剤の溶液を離型処理したフィルムに塗工乾燥させる方法等が挙げられる。 The method for producing the protective tape of the present invention is not particularly limited, and when the support layer is a base film, a method of applying a solution of the curable pressure-sensitive adhesive to the base film and drying it can be mentioned. When the support layer is a release film, a method of applying and drying a solution of the curable pressure-sensitive adhesive onto a release-treated film can be mentioned.
本発明によれば、高さの高いバンプを有する半導体デバイスにスパッタリングを行った場合であっても半導体デバイスを確実にピックアップできる半導体デバイスの製造方法及び上記半導体デバイスの製造方法に用いられる保護テープを提供することができる。 According to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device capable of reliably picking up a semiconductor device even when sputtering is performed on a semiconductor device having a high bump, and a protective tape used in the method for manufacturing the above-mentioned semiconductor device. Can be provided.
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
（保護テープの製造）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて重合性ポリマーを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部およびイソシアネート硬化剤（コロネートＬ）０．１５重量部を混合し、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面に離型処理を施した５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが６５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。これを片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮ）からなるサポート層のコロナ処理面上に貼り合わせた。さらに同様にして離型ＰＥＴフィルム上に粘着剤溶液を乾燥皮膜の厚さが６５μｍとなるように塗工し、先に作製したＰＥＮの粘着シートの離型フィルムを剥がした面に貼り合わせた。この操作を２回繰り返して硬化型粘着剤層の厚みが１９５μｍのＰＥＮ粘着シートを得た。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、保護テープを得た。ＰＥＮの９０℃における貯蔵弾性率は４．０×１０９Ｐａ、硬化型粘着剤の硬化前の貯蔵弾性率は１．１×１０４Ｐａ、硬化型粘着剤の硬化前のゲル分率は２６％であった。
(Example 1)
(Manufacturing of protective tape)
A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube is prepared, and in this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as a (meth) acrylic acid alkyl ester and 6 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate as a functional group-containing monomer are prepared. , 0.01 part by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate were added, and then the reactor was heated to start reflux. Subsequently, 0.01 part by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator into the reactor, and the polymerization was started under reflux. It was. Next, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added 1 hour and 2 hours after the start of the polymerization, and further, the polymerization was started. After 4 hours from the above, 0.05 parts by weight of t-hexyl peroxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of the polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
To 100 parts by weight of the resin solid content of the obtained ethyl acetate solution containing a functional group-containing (meth) acrylic polymer, 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate was added as a functional group-containing unsaturated compound to react. To obtain a polymerizable polymer. Then, with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the obtained polymerizable polymer, 1 part by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Siebel Hegner Japan) and 0.15 parts by weight of an isocyanate curing agent (Coronate L). The parts were mixed to obtain an ethyl acetate solution of a curable pressure-sensitive adhesive.
The obtained ethyl acetate solution of the curable pressure-sensitive adhesive was coated on a 50 μm polyethylene terephthalate (PET) film having a mold release treatment on one side with a doctor knife so that the thickness of the dry film was 65 μm. The coating solution was dried by heating at ° C. for 5 minutes. This was bonded onto the corona-treated surface of a support layer made of a transparent polyethylene naphthalate film (PEN) having a thickness of 75 μm, which was corona-treated on one side. Further, in the same manner, the pressure-sensitive adhesive solution was applied onto the release PET film so that the thickness of the dry film was 65 μm, and the release film of the previously prepared PEN pressure-sensitive adhesive sheet was attached to the peeled surface. This operation was repeated twice to obtain a PEN pressure-sensitive adhesive sheet having a thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer of 195 μm. Then, it was statically cured at 40 ° C. for 3 days to obtain a protective tape. The storage elastic modulus of PEN at 90 ° C. is 4.0 × 10 9 Pa, the storage elastic modulus of the curable adhesive before curing is 1.1 × 10 4 Pa, and the gel fraction of the curable adhesive before curing is 26. %Met.
（ハイバンプ電子デバイスの製造）
５０ｍｍ×１００ｍｍのハイバンプ電子デバイス基板（突起物の最大高さ：１８０μｍ）のバンプが形成された面に、得られた保護テープをローラーの温度が９０℃であるロールラミネーターにより加熱しながら貼り合わせた。次いで、保護テープ側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線を粘着テープへの照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた。次に保護テープとは反対側の面にダイシングテープを貼り合わせた。１０ｍｍ□にハイバンプ電子デバイス基板と保護テープを貫通してダイシングテープの一部に切り込むまでハイバンプ電子デバイス基板をダイシングカットし、ハイバンプ電子デバイスを得た。次いで、得られたハイバンプ電子デバイスをダイシングテープから剥離し、ハイバンプ電子デバイスと保護テープからなる積層体を仮固定テープであるポリイミドテープ上に各積層体の間隔を開けて保護テープ側の面がポリイミドテープの粘着面と接するように積層した。その後、通常のスパッタリング条件でハイバンプ電子デバイスをスパッタリングし、Ｃｕの膜を形成した。スパッタリング終了後、ニードルピックアップによってハイバンプ電子デバイスをピックアップし、金属膜が形成されたハイバンプ電子デバイスを得た。
(Manufacturing of high bump electronic devices)
The obtained protective tape was attached to the surface of a 50 mm × 100 mm high bump electronic device substrate (maximum height of protrusions: 180 μm) while being heated by a roll laminator having a roller temperature of 90 ° C. .. Next, using an ultra-high pressure mercury lamp from the protective tape side, the adhesive tape was irradiated with ultraviolet rays at 365 nm for 1 minute while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity of the adhesive tape was 80 mW / cm 2, and the curable adhesive layer was crosslinked. It was cured. Next, a dicing tape was attached to the surface opposite to the protective tape. The high bump electronic device substrate was diced and cut until it was cut into a part of the dicing tape through the high bump electronic device substrate and the protective tape to 10 mm □ to obtain a high bump electronic device. Next, the obtained high-bump electronic device is peeled off from the dicing tape, and the laminate composed of the high-bump electronic device and the protective tape is placed on the polyimide tape, which is a temporary fixing tape, with a space between the laminates, and the surface on the protective tape side is polyimide. Laminated so as to be in contact with the adhesive surface of the tape. Then, the high bump electronic device was sputtered under normal sputtering conditions to form a Cu film. After the sputtering was completed, the high bump electronic device was picked up by a needle pickup to obtain a high bump electronic device on which a metal film was formed.
（比較例１、２）
サポート層の厚さ及び硬化型粘着剤層の厚さを表１に示した通りとした以外は実施例１と同様にしてハイバンプ電子デバイスを製造した。
(Comparative Examples 1 and 2)
A high bump electronic device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the support layer and the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer were as shown in Table 1.
（実施例２）
（保護テープの製造）
実施例１と同様にして硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、アプリケーターを用いて厚さ１２５μｍの透明な離型ＰＥＴフィルム（サポート層）上に乾燥後の硬化型粘着剤層の厚みが６５μｍとなるように塗工し、乾燥させることにより、粘着シートを作製した。１枚目をサポート層となる重剥離タイプの離型ＰＥＴフィルムに塗工し、２枚目および３枚目を軽剥離タイプの離型ＰＥＴフィルムに乾燥後厚みが６５μｍになるよう塗工し、粘着シートを作製した。この３枚の粘着シートを積層し最終的に硬化型粘着剤層の厚みが１９５μｍの保護テープを製造した。使用時まで、得られた保護テープの表面を軽剥離タイプの離型ＰＥＴフィルムで保護した。ＰＥＴの９０℃における貯蔵弾性率は３．５×１０９Ｐａ、硬化型粘着剤の硬化前の貯蔵弾性率は１．１×１０４Ｐａ、硬化型粘着剤の硬化前のゲル分率は２６％であった。
(Example 2)
(Manufacturing of protective tape)
An ethyl acetate solution of the curable pressure-sensitive adhesive was obtained in the same manner as in Example 1. The obtained ethyl acetate solution of the curable pressure-sensitive adhesive is applied to a transparent release PET film (support layer) having a thickness of 125 μm using an applicator so that the thickness of the cured pressure-sensitive adhesive layer after drying is 65 μm. An adhesive sheet was prepared by working and drying. The first sheet is coated on a heavy release type release PET film that serves as a support layer, and the second and third sheets are coated on a light release type release PET film so that the thickness after drying is 65 μm. An adhesive sheet was prepared. These three pressure-sensitive adhesive sheets were laminated to finally produce a protective tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 195 μm. Until use, the surface of the obtained protective tape was protected with a light release type release PET film. The storage elastic modulus of PET at 90 ° C. is 3.5 × 10 9 Pa, the storage elastic modulus of the curable adhesive before curing is 1.1 × 10 4 Pa, and the gel fraction of the curable adhesive before curing is 26. %Met.
（ハイバンプ電子デバイスの製造）
実施例１で用いたハイバンプ電子デバイス基板に実施例２で作製したノンサポートタイプの保護テープを軽剥離タイプの離型ＰＥＴフィルムを剥離して、基板のバンプ面にローラーの温度が９０℃であるロールラミネーターにより加熱しながら貼り合わせた。次いで、保護テープ側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線を粘着テープへの照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた。その後保護テープのサポート層を剥離した。次に、保護テープとは反対側の面にダイシングテープを貼り合わせた。１０ｍｍ□にハイバンプ電子デバイス基板と硬化型粘着剤層を貫通してダイシングテープの一部に切り込むまでハイバンプ電子デバイス基板をダイシングカットし、ハイバンプ電子デバイスを得た。次いで、得られたハイバンプ電子デバイスをダイシングテープから剥離し、ハイバンプ電子デバイスと硬化型粘着剤層からなる積層体をポリイミドテープ上に実施例１と同様に積層した。その後、通常のスパッタリング条件でハイバンプ電子デバイスをスパッタリングし、Ｃｕの膜を形成した。スパッタリング終了後、ニードルピックアップによってハイバンプ電子デバイスをピックアップし、金属膜が形成されたハイバンプ電子デバイスを得た。
(Manufacturing of high bump electronic devices)
The non-support type protective tape produced in Example 2 is peeled off from the light release type release PET film on the high bump electronic device substrate used in Example 1, and the temperature of the roller is 90 ° C. on the bump surface of the substrate. They were bonded while being heated by a roll laminator. Next, using an ultra-high pressure mercury lamp from the protective tape side, the adhesive tape was irradiated with ultraviolet rays at 365 nm for 1 minute while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity of the adhesive tape was 80 mW / cm 2, and the curable adhesive layer was crosslinked. It was cured. Then, the support layer of the protective tape was peeled off. Next, the dicing tape was attached to the surface opposite to the protective tape. The high bump electronic device substrate was diced cut until it penetrated the high bump electronic device substrate and the curable adhesive layer to 10 mm □ and cut into a part of the dicing tape to obtain a high bump electronic device. Next, the obtained high bump electronic device was peeled off from the dicing tape, and a laminate composed of the high bump electronic device and the curable adhesive layer was laminated on the polyimide tape in the same manner as in Example 1. Then, the high bump electronic device was sputtered under normal sputtering conditions to form a Cu film. After the sputtering was completed, the high bump electronic device was picked up by a needle pickup to obtain a high bump electronic device on which a metal film was formed.
（比較例３、４）
サポート層の厚さ及び硬化型粘着剤層の厚さを表１に示した通りとした以外は実施例２と同様にしてハイバンプ電子デバイスを製造した。
(Comparative Examples 3 and 4)
A high bump electronic device was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the support layer and the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer were as shown in Table 1.
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた保護テープ及びハイバンプ電子デバイスについて、下記の評価を行った。
結果を表１に示した。
<Evaluation>
The protective tapes and high bump electronic devices obtained in Examples and Comparative Examples were evaluated as follows.
The results are shown in Table 1.
（サポート層の貯蔵弾性率）
サポート層に使用するフィルムまたはシートを幅５ｍｍ、長さ３５ｍｍの試料片に打ち抜いた。つかみ具間を２４ｍｍに設定し、歪０．１％、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分で引張モードの粘弾性測定を行った。０〜２００℃まで貯蔵弾性率の温度分散を測定し、９０℃の貯蔵弾性率を読み取った。測定装置には粘弾性測定装置ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御株式会社）を使用した。
(Storage modulus of support layer)
The film or sheet used for the support layer was punched into a sample piece having a width of 5 mm and a length of 35 mm. The viscoelasticity measurement in the tensile mode was performed with the distance between the gripping tools set to 24 mm, a strain of 0.1%, a frequency of 10 Hz, and a heating rate of 10 ° C./min. The temperature dispersion of the storage elastic modulus was measured from 0 to 200 ° C., and the storage elastic modulus at 90 ° C. was read. A viscoelasticity measuring device DVA-200 (IT Measurement Control Co., Ltd.) was used as the measuring device.
（硬化型粘着剤層の貯蔵弾性率）
硬化型粘着剤層の粘着剤のノンサポートテープを作製し、積層して約４００μｍの厚みになるよう試験片を調製した。幅５ｍｍ、長さ１０ｍｍに打ち抜き、専用治具へ取り付けて、歪０．０５％、周波数１０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分で引張モードの粘弾性測定を行った。−５０〜２００℃までせん断弾性率の温度分散を測定し、９０℃の貯蔵弾性率を読み取った。測定装置には粘弾性測定装置ＤＶＡ−２００（アイティー計測制御株式会社）を使用した。
(Storage modulus of curable adhesive layer)
A non-support tape for the adhesive of the curable adhesive layer was prepared, and a test piece was prepared so as to have a thickness of about 400 μm by laminating. It was punched to a width of 5 mm and a length of 10 mm, attached to a special jig, and viscoelasticity was measured in a tensile mode at a strain of 0.05%, a frequency of 10 Hz, and a heating rate of 10 ° C./min. The temperature dispersion of the shear modulus was measured from −50 to 200 ° C., and the storage modulus at 90 ° C. was read. A viscoelasticity measuring device DVA-200 (IT Measurement Control Co., Ltd.) was used as the measuring device.
（硬化型粘着剤層のゲル分率）
硬化型粘着剤層の硬化前粘着剤約０．０５ｇを採取ひょう量し、３０ｍｌサンプル管に詰めて酢酸エチル２０ｍｌを注入した。室温で１２時間しんとう後に、＃２００の金属メッシュで酢酸エチル不溶分をろ過した。ろ過物は１１０℃１時間乾燥した。乾燥後のろ過物はひょう量し、下式によりゲル分率を計算した。
（ゲル分率，％）＝（乾燥後のろ過物の重量，ｇ）×１００／（採取した粘着剤の重量，ｇ）
(Gel fraction of curable adhesive layer)
Approximately 0.05 g of the pre-curing adhesive in the curable pressure-sensitive adhesive layer was collected and weighed, packed in a 30 ml sample tube, and 20 ml of ethyl acetate was injected. After 12 hours of rinsing at room temperature, the ethyl acetate insoluble material was filtered through a # 200 metal mesh. The filtrate was dried at 110 ° C. for 1 hour. The filtered product after drying was weighed, and the gel fraction was calculated by the following formula.
(Gel fraction,%) = (Weight of filtered material after drying, g) x 100 / (Weight of collected adhesive, g)
（歩留まりの評価）
ピックアップミスが生じたハイバンプ電子デバイスの数から歩留まりを求めた。歩留まりが９０％以上の場合を〇、９０％未満の場合を×として評価した。
(Evaluation of yield)
The yield was calculated from the number of high-bump electronic devices in which pickup mistakes occurred. The case where the yield was 90% or more was evaluated as 〇, and the case where the yield was less than 90% was evaluated as x.
本発明によれば、高さの高いバンプを有する半導体デバイスにスパッタリングを行った場合であっても半導体デバイスを確実にピックアップできる半導体デバイスの製造方法及び上記半導体デバイスの製造方法に用いられる保護テープを提供することができる。 According to the present invention, a method for manufacturing a semiconductor device capable of reliably picking up a semiconductor device even when sputtering is performed on a semiconductor device having a high bump, and a protective tape used in the method for manufacturing the above-mentioned semiconductor device. Can be provided.
１ 保護テープ
１１ 硬化型粘着剤層
１１′ 粘着剤層
１２ サポート層
２ ハイバンプ電子デバイス基板
２′ ハイバンプ電子デバイス
３ ダイシングテープ
４ 仮固定テープ
５ 金属膜
６ バンプ
1
Claims (4)
前記保護テープに刺激を加えて前記硬化型粘着剤層を硬化する硬化工程と、
前記半導体デバイス基板の前記保護テープが積層された側の面とは反対側の面にダイシングテープを積層するダイシングテープ積層工程と、
前記ダイシングテープが積層された前記半導体デバイス基板を、前記保護テープ側からダイシングして前記保護テープが積層された半導体デバイスを得るダイシング工程と、
前記保護テープが積層された前記半導体デバイスを前記ダイシングテープから剥離するとともに、前記保護テープ上に仮固定テープを積層する仮固定テープ積層工程と、
前記仮固定テープ上の前記半導体デバイスの、該仮固定テープ側とは反対側の面に膜を形成する成膜工程と、
前記仮固定テープ側からニードルで押すことにより前記膜が形成された前記半導体デバイスを前記保護テープから剥離するピックアップ工程を有する
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 A semiconductor device substrate of bumps having a height of more than 150μm bumps are formed surface, the curing and thick-curable pressure-sensitive adhesive layer than the maximum height of the bump, the protective tape comprising a thickness 75μm or more support layers Protective tape laminating process of laminating from the mold adhesive layer side,
A curing step of stimulating the protective tape to cure the curable adhesive layer, and
And the dicing tape lamination step of laminating a dicing tape on the opposite side to the semiconductor device wherein the protective tape surface of the laminated side of the substrate,
A dicing step of the said semiconductor device substrate dicing tape are laminated to obtain a semiconductor device in which the protective tape is laminated by dicing from the protective tape side,
With peeling the semiconductor device in which the protective tape has been laminated from the dicing tape, the temporary fixing tape lamination step of laminating a temporary fixing tape on the protective tape,
Wherein the semiconductor devices on the temporary fixing tape, a film forming step of forming a film on the surface opposite to the provisional fixing tape side,
The method of manufacturing a semiconductor device characterized by having a pickup step of removing the semiconductor device in which the film is formed by pressing a needle from the temporary fixing tape side from the protective tape.
前記保護テープに刺激を加えて前記硬化型粘着剤層を硬化する硬化工程と、A curing step of stimulating the protective tape to cure the curable adhesive layer, and
前記離型フィルムを硬化型粘着剤層から剥離するサポート層剥離工程と、A support layer peeling step for peeling the release film from the curable adhesive layer,
前記半導体デバイス基板の前記硬化型粘着剤層が積層された側の面とは反対側の面にダイシングテープを積層するダイシングテープ積層工程と、A dicing tape laminating step of laminating a dicing tape on a surface of the semiconductor device substrate opposite to the surface on which the curable adhesive layer is laminated.
前記ダイシングテープが積層された前記半導体デバイス基板を、前記硬化型粘着剤層側からダイシングして前記硬化型粘着剤層が積層された半導体デバイスを得るダイシング工程と、A dicing step of dicing the semiconductor device substrate on which the dicing tape is laminated from the curable pressure-sensitive adhesive layer side to obtain a semiconductor device on which the curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated.
前記硬化型粘着剤層が積層された前記半導体デバイスを前記ダイシングテープから剥離するとともに、前記硬化型粘着剤層上に仮固定テープを積層する仮固定テープ積層工程とA temporary fixing tape laminating step of peeling the semiconductor device on which the curable pressure-sensitive adhesive layer is laminated from the dicing tape and laminating a temporary fixing tape on the curable pressure-sensitive adhesive layer.
前記仮固定テープ上の前記半導体デバイスの、該仮固定テープ側とは反対側の面に膜を形成する成膜工程と、A film forming step of forming a film on the surface of the semiconductor device on the temporary fixing tape opposite to the temporary fixing tape side.
前記仮固定テープ側からニードルで押すことにより前記膜が形成された前記半導体デバイスを前記硬化型粘着剤層から剥離するピックアップ工程を有するIt has a pickup step of peeling the semiconductor device on which the film is formed from the curable pressure-sensitive adhesive layer by pushing with a needle from the temporary fixing tape side.
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。A method for manufacturing a semiconductor device.
少なくとも前記硬化型粘着剤層と前記サポート層を有し、前記硬化型粘着剤層の厚みが前記半導体デバイス基板上のバンプの最大高さ以上、かつ、前記サポート層の厚みが７５μｍ以上である
ことを特徴とする保護テープ。 A protective tape used in the method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, 2 or 3.
At least the curable adhesive layer and the support layer, wherein the curable thickness of the adhesive layer is the semiconductor device substrate of the bump maximum height above, and the thickness of the support layer is 75μm or more Protective tape featuring.
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