JP2018147990A - Processing method for taiko wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法に関する。 The present invention can reliably prevent warping of a TAIKO wafer even when a TAIKO wafer is subjected to a sputtering process while grinding only the inner region while leaving the outer peripheral portion, and the protective tape can be peeled without any adhesive residue. The present invention relates to a method for processing a TAIKO wafer.
半導体チップの製造工程において、半導体ウエハや半導体チップの加工時の取扱いを容易にし、破損を防止するために粘着テープが用いられている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合、厚膜ウエハに粘着テープを貼り合わせた後に研削が行われる。 In a semiconductor chip manufacturing process, an adhesive tape is used to facilitate handling during processing of a semiconductor wafer or a semiconductor chip and to prevent breakage. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to form a thin film wafer, grinding is performed after an adhesive tape is bonded to the thick film wafer.
半導体ウエハは、機能特性を向上させる目的でより薄化してきている。このような薄化した半導体ウエハは、取り扱い性に劣るという問題がある。そこで、外周部を残して内側の領域のみが研削された、いわゆるＴＡＩＫＯウエハが提案されるようになってきた（例えば、特許文献１）。ＴＡＩＫＯウエハは、厚い外周部により充分な強度が維持され、取り扱い性に優れることから、パワー半導体等、種々の半導体分野において導入が進んでいる。 Semiconductor wafers are becoming thinner for the purpose of improving functional characteristics. Such a thinned semiconductor wafer has a problem of poor handling. Therefore, a so-called TAIKO wafer has been proposed in which only the inner region is ground leaving the outer peripheral portion (for example, Patent Document 1). The introduction of TAIKO wafers in various semiconductor fields such as power semiconductors has progressed because sufficient strength is maintained by a thick outer peripheral portion and excellent handleability.
しかしながら、ウエハの薄化は近年さらに進んできており、ＴＡＩＫＯウエハであっても反りが発生する等取扱いに問題が生じるようになった。そこで、ＴＡＩＫＯウエハにもウエハ保護テープを用いることが提案されている。しかし、従来のウエハ保護テープでは更に薄化が進んだＴＡＩＫＯウエハの反りを充分に防止できないという問題があった。 However, wafer thinning has been further advanced in recent years, and even TAIKO wafers have problems in handling such as warping. Therefore, it has been proposed to use a wafer protection tape for the TAIKO wafer. However, the conventional wafer protection tape has a problem that warping of the TAIKO wafer, which has been further thinned, cannot be sufficiently prevented.
また、ＴＡＩＫＯウエハを用いた半導体の製造では、スパッタリング等の高温処理が行われる。その際、従来のウエハ保護テープでは高温処理時の高温に耐えきれずにテープの粘着剤が溶融したり、熱によって接着昂進が起こったりすることで、テープの剥離時に糊残りが生じるという問題もあった。 In manufacturing a semiconductor using a TAIKO wafer, high-temperature processing such as sputtering is performed. At that time, the conventional wafer protection tape cannot withstand the high temperature during high temperature processing, and the adhesive of the tape melts or adhesion progresses due to heat, so that there is a problem that adhesive residue is generated when the tape is peeled off there were.
本発明は、上記現状に鑑み、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供することを目的とする。 In view of the above situation, the present invention reliably prevents warping of the TAIKO wafer even when the TAIKO wafer is subjected to the sputtering process except for the outer peripheral portion, and the inner region is ground. It is an object of the present invention to provide a method for processing a TAIKO wafer that can be peeled.
本発明は、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハの研削されていない側の面に基材と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼りつけ工程と、前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程と、ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程と、スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程とを有するＴＡＩＫＯウエハの処理方法であって、前記基材は厚みが３８〜２００μｍであり、前記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０８Ｐａ以上であるＴＡＩＫＯウエハの処理方法である。
以下に本発明を詳述する。
In the present invention, a wafer protective tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer containing a base material and a curable pressure-sensitive adhesive is applied to a non-ground side surface of a TAIKO wafer in which only the inner region is ground except for the outer peripheral portion. A tape attaching step, a tape curing step for stimulating the wafer protective tape to cure the wafer protective tape, a sputtering step for performing a sputtering treatment on the TAIKO wafer to which the wafer protective tape is attached, and a post-sputtering treatment A TAIKO wafer processing method including a tape peeling step of peeling a wafer protective tape from a TAIKO wafer, wherein the substrate has a thickness of 38 to 200 μm, and the substrate has a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 This is a method for processing a TAIKO wafer that is at least 10 8 Pa.
The present invention is described in detail below.
本発明者らは、鋭意検討した結果ウエハ保護テープの基材を特定の厚みにし、基材の弾性率を特定の範囲とすることで、薄化が進んだＴＡＩＫＯウエハであっても反りを充分に防ぐことができることを見出した。更に、ウエハ保護テープの粘着剤を硬化型粘着剤とし、スパッタリング処理の前に硬化させることで、スパッタリングの熱によるＴＡＩＫＯウエハへの糊残りを防止できるとともに、処理後にはウエハ保護テープを容易に剥離できることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies, the inventors have made the substrate of the wafer protective tape a specific thickness and the elastic modulus of the substrate is in a specific range, so that even a thin TAIKO wafer is sufficiently warped. I found that it can be prevented. In addition, the adhesive on the wafer protection tape is a curable adhesive and is cured before the sputtering process, so that adhesive residue on the TAIKO wafer due to the heat of sputtering can be prevented and the wafer protection tape can be easily removed after the process. The present inventors have found that the present invention can be accomplished and have completed the present invention.
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、まず、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハの研削されていない側の面に基材と硬化型粘着剤を含有する硬化型粘着剤層を有するウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼りつけ工程をおこなう。
ウエハ保護テープを貼り付けることによって、ＴＡＩＫＯウエハの反りを防いで取り扱い性を向上させることができる。
ここで、図１にウエハ保護テープが貼りつけられたＴＡＩＫＯウエハの様子を模式的に示した。硬化型粘着剤層１１と基材１２を有するウエハ保護テープ１がリングフレーム３を介してＴＡＩＫＯウエハ２の平坦な面（研削されていない面）を固定している。
なお、本明細書においてＴＡＩＫＯウエハとは、外周部を残して内側の領域のみが研削されたウエハを意味する。上記外周部は、通常０．５〜１ｍｍ程度の幅を有し、上記外周部と内側の領域との段差は通常５５０〜６５０μｍ程度である。上記ＴＡＩＫＯウエハは、片面に回路が形成されたものであってもよい。
In the TAIKO wafer processing method of the present invention, first, a curable pressure-sensitive adhesive containing a base material and a curable pressure-sensitive adhesive on the unground surface of the TAIKO wafer in which only the inner region is ground except for the outer peripheral portion. A tape attaching step of attaching a wafer protective tape having a layer is performed.
By sticking the wafer protective tape, it is possible to prevent warping of the TAIKO wafer and improve handling.
Here, FIG. 1 schematically shows the state of a TAIKO wafer to which a wafer protective tape is attached. A wafer
In this specification, the TAIKO wafer means a wafer in which only the inner region is ground with the outer peripheral portion remaining. The outer peripheral portion usually has a width of about 0.5 to 1 mm, and the step between the outer peripheral portion and the inner region is usually about 550 to 650 μm. The TAIKO wafer may have a circuit formed on one side.
上記基材は、厚みが３８〜２００μｍである。上記基材の厚みがこの範囲内にあることで、薄化したＴＡＩＫＯウエハであっても反りの発生を充分に防止することができるとともに、処理終了後には粘着テープを容易に剥離することができる。上記基材の好ましい厚みは、５０〜１５０μｍである。 The base material has a thickness of 38 to 200 μm. When the thickness of the base material is within this range, even if it is a thinned TAIKO wafer, the occurrence of warpage can be sufficiently prevented, and the adhesive tape can be easily peeled off after the processing is completed. . A preferable thickness of the substrate is 50 to 150 μm.
上記基材は、２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０８Ｐａ以上である。上記基材の厚みに加えて２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０８Ｐａ以上であることによって、薄化したＴＡＩＫＯウエハであっても反りの発生を充分に防止することができる。上記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率の好ましい下限は１×１０９Ｐａ以上である。上記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率の上限は特に限定されないが、実質１×１０１０Ｐａ程度である。なお、２３℃での引っ張り貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（例えば、アイティー計測制御社製、ＤＶＡ−２００）を用いて動的粘弾性測定の引っ張りモード角周波数１０Ｈｚで測定を行い、２３℃での貯蔵弾性率の値を測定することで求めることができる。 The base material has a tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more. When the tensile storage elastic modulus at 23 ° C. is 1 × 10 8 Pa or more in addition to the thickness of the base material, it is possible to sufficiently prevent the occurrence of warping even for a thinned TAIKO wafer. The preferable minimum of the tensile storage elastic modulus at 23 degreeC of the said base material is 1 * 10 < 9 > Pa or more. Although the upper limit of the tensile storage elastic modulus at 23 ° C. of the substrate is not particularly limited, it is substantially about 1 × 10 10 Pa. The tensile storage elastic modulus at 23 ° C. is measured at a tensile mode angular frequency of 10 Hz for dynamic viscoelasticity measurement using a dynamic viscoelasticity measuring device (for example, DVA-200, manufactured by IT Measurement Control Co., Ltd.). It can be determined by measuring the value of the storage elastic modulus at 23 ° C.
上記基材としては、上記厚みと上記２３℃での引っ張り貯蔵弾性率を満たしていれば特に限定されず、例えば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることからポリエチレンナフタレートが好ましい。 The base material is not particularly limited as long as the thickness and the tensile storage elastic modulus at 23 ° C. are satisfied. For example, polyethylene naphthalate (PEN), polyamide, polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone And polyimide. Of these, polyethylene naphthalate is preferred because of its excellent heat resistance.
上記硬化型粘着剤としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤や加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤が挙げられる。
上記熱硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、熱重合開始剤を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。
Examples of the curable pressure-sensitive adhesive include a photo-curable pressure-sensitive adhesive that crosslinks and cures by light irradiation and a thermosetting pressure-sensitive adhesive that crosslinks and cures by heating.
Examples of the photocurable pressure-sensitive adhesive include a photocurable pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.
Examples of the thermosetting pressure-sensitive adhesive include a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a polymerizable polymer as a main component and a thermal polymerization initiator.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）とを反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can be obtained by reacting a compound having a functional group and a radical polymerizable unsaturated bond (hereinafter referred to as a functional group-containing unsaturated compound).
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマーや、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマーや、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマーや、アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマーや、アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid and methacrylic acid, hydroxyl group-containing monomers such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate, and epoxy such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Examples thereof include group-containing monomers, isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate, and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記光重合開始剤は、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone, Benzoin ether compounds such as benzoinpropyl ether and benzoin isobutyl ether, ketal derivative compounds such as benzyldimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, phosphine oxide derivative compounds, bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, Benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl group Examples include photo radical polymerization initiators such as lopan. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
ただし、上記硬化型粘着剤が高い耐熱性を発揮するためには、上記熱重合開始剤は、熱分解温度が２００℃以上である熱重合開始剤を用いることが好ましい。このような熱分解温度が高い熱重合開始剤は、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。
これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーペンタＨ（以上いずれも日油社製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization and curing, such as dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and t-butyl peroxybenzoale. , T-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like.
However, in order for the curable pressure-sensitive adhesive to exhibit high heat resistance, it is preferable to use a thermal polymerization initiator having a thermal decomposition temperature of 200 ° C. or higher as the thermal polymerization initiator. Examples of the thermal polymerization initiator having a high thermal decomposition temperature include cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, and the like.
Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, perpenta H (all are the NOF Corporation make) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記光硬化型粘着剤や熱硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光硬化性、熱硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
The photocurable pressure-sensitive adhesive or thermosetting pressure-sensitive adhesive preferably further contains a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, photocurability and thermosetting are improved.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5000 or less so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. And the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2-20.
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or the same methacrylate as described above. And the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記硬化型粘着剤は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記硬化型粘着剤が上記気体発生剤を含有する場合には、ダイシング後の半導体チップからダイシングテープを剥離する際に、刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく粘着テープを剥離することができる。 The curable pressure-sensitive adhesive may contain a gas generating agent that generates gas upon stimulation. When the curable pressure-sensitive adhesive contains the gas generating agent, when the dicing tape is peeled from the semiconductor chip after dicing, it is easier to generate gas from the gas generating agent by applying a stimulus. In addition, the adhesive tape can be peeled without any adhesive residue.
上記気体発生剤は特に限定されないが、加熱を伴う処理に対する耐性に優れることから、フェニル酢酸、ジフェニル酢酸、トリフェニル酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５，５−アゾビス−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール化合物又はその塩等が好適である。このような気体発生剤は、紫外線等の光を照射することにより気体を発生する一方、２００℃程度の高温下でも分解しない高い耐熱性を有する。 Although the said gas generating agent is not specifically limited, Since it is excellent in the tolerance with respect to the process with a heating, carboxylic acid compounds, such as phenylacetic acid, diphenylacetic acid, and triphenylacetic acid, or its salt, 1H-tetrazole, 5-phenyl-1H- A tetrazole compound such as tetrazole or 5,5-azobis-1H-tetrazole or a salt thereof is preferred. Such a gas generating agent generates gas when irradiated with light such as ultraviolet rays, and has high heat resistance that does not decompose even at a high temperature of about 200 ° C.
上記気体発生剤の含有量は、上記硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量が５重量部未満であると、刺激による二酸化炭素ガス又は窒素ガスの発生が少なくなり充分な剥離を行うことができないことがあり、５０重量部を超えると、硬化型粘着剤へ溶けきれなくなり接着力が低下してしまうことがある。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。 As for the content of the gas generating agent, a preferable lower limit with respect to 100 parts by weight of the curable adhesive is 5 parts by weight, and a preferable upper limit is 50 parts by weight. When the content of the gas generating agent is less than 5 parts by weight, the generation of carbon dioxide gas or nitrogen gas due to stimulation may be reduced, and sufficient peeling may not be performed. The adhesive may not be able to be dissolved in the adhesive and the adhesive strength may be reduced. The minimum with more preferable content of the said gas generating agent is 10 weight part, and a more preferable upper limit is 30 weight part.
上記硬化型粘着剤は、更に、光増感剤を含有してもよい。
上記光増感剤は、上記気体発生剤への光による刺激を増幅する効果を有することから、より少ない光の照射により気体を放出させることができる。また、より広い波長領域の光により気体を放出させることができる。
The curable pressure-sensitive adhesive may further contain a photosensitizer.
Since the photosensitizer has an effect of amplifying stimulation by light on the gas generating agent, gas can be released by irradiation with less light. In addition, gas can be emitted by light in a wider wavelength region.
上記硬化型粘着剤は、上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。シリコーン化合物は、耐熱性に優れることから、２００℃以上の加熱を伴う処理を経ても粘着剤の焦げ付き等を防止し、剥離時には被着体界面にブリードアウトして、剥離を容易にする。シリコーン化合物が上記硬化型粘着剤と架橋可能な官能基を有することにより、光照射又は加熱することにより上記硬化型粘着剤と化学反応して上記硬化型粘着剤中に取り込まれることから、被着体にシリコーン化合物が付着して汚染することがない。また、シリコーン化合物を配合することにより半導体チップ上への糊残りを防止する効果も発揮される。 The curable pressure-sensitive adhesive may contain a silicone compound having a functional group capable of crosslinking with the curable pressure-sensitive adhesive. Since the silicone compound is excellent in heat resistance, it prevents the adhesive from being burnt even after a treatment with heating at 200 ° C. or higher, and bleeds out to the adherend interface at the time of peeling to facilitate peeling. Since the silicone compound has a functional group capable of cross-linking with the curable pressure-sensitive adhesive, it is chemically reacted with the curable pressure-sensitive adhesive by light irradiation or heating, and is thus incorporated into the curable pressure-sensitive adhesive. Silicone compounds do not adhere to the body and become contaminated. Moreover, the effect which prevents the adhesive residue on a semiconductor chip is demonstrated by mix | blending a silicone compound.
上記硬化型粘着剤層は、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。
上記硬化型粘着剤層は、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
The curable pressure-sensitive adhesive layer appropriately contains various polyfunctional compounds blended in general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as needed for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. May be.
The curable pressure-sensitive adhesive layer may contain known additives such as a plasticizer, a resin, a surfactant, a wax, and a fine particle filler.
上記硬化型粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力でウエハに貼着でき、処理中のウエハを保護することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。 Although the thickness of the said curable adhesive layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within this range, it can be adhered to the wafer with sufficient adhesive force, and the wafer being processed can be protected. The minimum with more preferable thickness of the said adhesive layer is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 50 micrometers.
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、上記ウエハ保護テープに刺激を与えて上記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程をおこなう。
硬化型粘着剤層を光の照射又は加熱により架橋、硬化させることによってウエハ保護テープの弾性率が上昇するため、スパッタリングによる高温下でも接着昂進しにくくなり、スパッタリング処理後にウエハ保護テープを剥離する際はＴＡＩＫＯウエハに糊残りすることなく容易に剥離を行うことができる。
In the TAIKO wafer processing method of the present invention, a tape curing step is then performed in which the wafer protective tape is stimulated to cure the wafer protective tape.
Since the elastic modulus of the wafer protective tape is increased by crosslinking and curing the curable pressure-sensitive adhesive layer by light irradiation or heating, it is difficult for adhesion to progress even at high temperatures due to sputtering, and when the wafer protective tape is peeled off after the sputtering process. Can be easily peeled off without leaving adhesive residue on the TAIKO wafer.
上記硬化型粘着剤が光硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと２５０〜８００ｎｍの波長で活性化する光重合開始剤を含有する粘着剤を用いた場合、３６５ｎｍ以上の波長の光を照射することにより、上記光硬化型接着剤を架橋、硬化させることができる。
このような光硬化型接着剤に対しては、例えば、波長３６５ｎｍの光を５ｍＷ以上の照度で照射することが好ましく、１０ｍＷ以上の照度で照射することがより好ましく、２０ｍＷ以上の照度で照射することが更に好ましく、５０ｍＷ以上の照度で照射することが特に好ましい。また、波長３６５ｎｍの光を３００ｍＪ以上の積算照度で照射することが好ましく、５００ｍＪ以上、１００００ｍＪ以下の積算照度で照射することがより好ましく、５００ｍＪ以上、７５００ｍＪ以下の積算照度で照射することが更に好ましく、１０００ｍＪ以上、５０００ｍＪ以下の積算照度で照射することが特に好ましい。
The curable pressure-sensitive adhesive is a photo-curable pressure-sensitive adhesive, and uses a pressure-sensitive adhesive containing a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a photopolymerization initiator activated at a wavelength of 250 to 800 nm. In such a case, the photocurable adhesive can be crosslinked and cured by irradiating light with a wavelength of 365 nm or more.
For such a photocurable adhesive, for example, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an illuminance of 5 mW or more, more preferably with an illuminance of 10 mW or more, and with an illuminance of 20 mW or more. More preferably, irradiation with an illuminance of 50 mW or more is particularly preferable. In addition, it is preferable to irradiate light with a wavelength of 365 nm with an integrated illuminance of 300 mJ or more, more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 10,000 mJ or less, and more preferably with an integrated illuminance of 500 mJ or more and 7500 mJ or less. It is particularly preferable to irradiate with an integrated illuminance of 1000 mJ or more and 5000 mJ or less.
また、上記硬化型粘着剤が熱硬化型粘着剤であり、側鎖にビニル基等の不飽和二重結合を有するポリマーと５０〜１５０℃程度の加熱で活性化する熱重合開始剤を含有する粘着剤を用いた場合、５０〜１５０℃程度の温度にまで加熱することにより、上記熱硬化型接着剤を架橋、硬化させることができる。 The curable pressure-sensitive adhesive is a thermosetting pressure-sensitive adhesive and contains a polymer having an unsaturated double bond such as a vinyl group in the side chain and a thermal polymerization initiator that is activated by heating at about 50 to 150 ° C. When the pressure-sensitive adhesive is used, the thermosetting adhesive can be crosslinked and cured by heating to a temperature of about 50 to 150 ° C.
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程をおこなう。
本発明では、上記スパッタリング工程の前にウエハ保護テープを硬化させて弾性率を上昇させているため、スパッタリング時の高温による粘着剤層の溶融や接着昂進を抑えることができる。
上記スパッタリングを行う方法については特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
In the TAIKO wafer processing method of the present invention, a sputtering process for performing sputtering processing on the TAIKO wafer to which the wafer protective tape is attached is then performed.
In the present invention, since the elastic modulus is increased by curing the wafer protective tape before the sputtering step, melting of the pressure-sensitive adhesive layer and adhesion progress due to a high temperature during sputtering can be suppressed.
The method for performing the sputtering is not particularly limited, and a conventionally known method can be used.
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法では、次いで、スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程をおこなう。
本発明のＴＡＩＫＯウエハの処理方法ではスパッタリング工程前にウエハ保護テープを硬化させているため、ウエハ保護テープを糊残りなく容易に剥離することができる。また、ウエハ保護テープの硬化型粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、剥離に先立って光を照射することにより該気体発生剤から気体が発生して、その圧力により更に容易に剥離することができる。
In the TAIKO wafer processing method of the present invention, a tape peeling step is then performed to peel the wafer protective tape from the TAIKO wafer after the sputtering process.
In the TAIKO wafer processing method of the present invention, since the wafer protective tape is cured before the sputtering step, the wafer protective tape can be easily peeled without any adhesive residue. Further, when the curable pressure-sensitive adhesive layer of the wafer protective tape contains the gas generating agent, gas is generated from the gas generating agent by irradiating light prior to peeling, and the pressure is further easily increased. Can be peeled off.
本発明によれば、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供できる。 According to the present invention, even when a sputtering process is performed on a TAIKO wafer in which only the inner region is ground with the outer peripheral portion being left, warping of the TAIKO wafer can be reliably prevented, and the protective tape can be peeled off without adhesive residue. It is possible to provide a TAIKO wafer processing method.
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
（１）硬化型粘着剤の合成
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル６重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部と、酢酸エチル８０重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させて重合性ポリマーＡを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、シリコーンアクリレート（ＥＢＥＣＲＹＬ ３５０、ダイセル・オルネクス社製）２０重量部、シリカフィラー（レオロシール ＭＴ−１０、トクヤマ社製）２０重量部、化学架橋材（コロネートＬ−４５、積水フーラー社製）０．５重量部、光重合開始剤（エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製）１重量部を混合し、硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を得た。
Example 1
(1) A reactor equipped with a thermosetting adhesive thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared. In this reactor, 94 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate as a (meth) acrylic acid alkyl ester, containing a functional group After adding 6 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate, 0.01 parts by weight of lauryl mercaptan and 80 parts by weight of ethyl acetate as monomers, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, after 1 hour and 2 hours from the start of polymerization, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added, and the polymerization was started. 4 hours later, 0.05 part by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 55% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
The resin solid content of 100 parts by weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer in ethyl acetate is added with 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate as a functional group-containing unsaturated compound, and reacted. Thus, a polymerizable polymer A was obtained. Thereafter, 20 parts by weight of silicone acrylate (EBECRYL 350, manufactured by Daicel Ornex Co., Ltd.), silica filler (Leolosil MT-10, manufactured by Tokuyama Co., Ltd.) with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the obtained polymerizable polymer ) 20 parts by weight, 0.5 parts by weight of a chemical cross-linking material (Coronate L-45, manufactured by Sekisui Fuller), and 1 part by weight of a photopolymerization initiator (Esacure One, manufactured by Nippon Siebel Hegner) were mixed to form acetic acid as a curable adhesive. An ethyl solution was obtained.
（２）ウエハ保護テープの製造
得られた硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルム（２３℃での引っ張り貯蔵弾性率：８×１０９Ｐａ）のコロナ処理面上に、硬化型粘着剤層の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ウエハ保護テープを得た。
(2) Production of wafer protective tape An ethyl acetate solution of the obtained curable adhesive was corona-treated on one side and a transparent polyethylene naphthalate film having a thickness of 50 μm (tensile storage elastic modulus at 23 ° C .: 8 × On the corona-treated surface of 10 9 Pa), coating was performed with a doctor knife so that the thickness of the curable pressure-sensitive adhesive layer was 30 μm, and the coating solution was dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes. Then, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain a wafer protective tape.
（３）糊残りの評価
得られたウエハ保護テープを直径２０ｃｍのＴＡＩＫＯウエハの回路面にラミネートし、ウエハの外径サイズにテープをカットした。次いで、テープ面から超高圧水銀灯を用いて、４０５ｎｍの紫外線をウエハ保護テープ表面への照射強度が８０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１分間照射して、硬化型粘着剤層を架橋、硬化させた。その後、ＴＡＩＫＯ専用のグランダーにより研削面でのウエハ厚が１００μｍになるまで研削した。研削後、通常のスパッタリング条件でスパッタリングし、Ｃｕの膜を形成した（厚み０．０１μｍ）。その後ウエハ保護テープを剥離した。
ウエハ保護テープを剥離したＴＡＩＫＯウエハの表面を目視にて観察して、糊残りが存在しなかった場合を「◎」、糊残りが全体の面積の５％未満であった場合を「○」、糊残り全体の面積の５％以上であった場合を「×」と評価した。
結果を表１に示した。
(3) Evaluation of adhesive residue The obtained wafer protective tape was laminated on the circuit surface of a 20 cm diameter TAIKO wafer, and the tape was cut to the outer diameter size of the wafer. Next, using a super high pressure mercury lamp from the tape surface, the curable adhesive layer is crosslinked by irradiating 405 nm UV light for 1 minute while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity on the surface of the wafer protective tape is 80 mW / cm 2. And cured. Then, it grind | polished until the wafer thickness in the grinding surface became 100 micrometers with the TAIKO exclusive grounder. After grinding, sputtering was performed under normal sputtering conditions to form a Cu film (thickness 0.01 μm). Thereafter, the wafer protective tape was peeled off.
The surface of the TAIKO wafer from which the wafer protective tape has been peeled is visually observed, and “◎” indicates that no adhesive residue is present, and “◯” indicates that the adhesive residue is less than 5% of the entire area. The case where it was 5% or more of the total area of the adhesive residue was evaluated as “x”.
The results are shown in Table 1.
（比較例１〜３）
基材を表１に示したものに変更した以外は実施例１と同様にして硬化型粘着剤及びウエハ保護テープを得た。得られたウエハ保護テープを用いて、実施例１と同様の測定、評価を行った。
なお、比較例１では、「（３）糊残りの評価」で硬化型粘着剤層の光硬化を行わなかった。
結果を表１に示した。
(Comparative Examples 1-3)
A curable adhesive and a wafer protective tape were obtained in the same manner as in Example 1 except that the base material was changed to that shown in Table 1. Using the obtained wafer protective tape, the same measurement and evaluation as in Example 1 were performed.
In Comparative Example 1, the curable pressure-sensitive adhesive layer was not photocured in “(3) Evaluation of adhesive residue”.
The results are shown in Table 1.
本発明によれば、外周部を残して内側の領域のみが研削されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施す場合であってもＴＡＩＫＯウエハの反りを確実に防止し、糊残りなく保護テープを剥離することができるＴＡＩＫＯウエハの処理方法を提供できる。 According to the present invention, even when a sputtering process is performed on a TAIKO wafer in which only the inner region is ground with the outer peripheral portion being left, warping of the TAIKO wafer can be reliably prevented, and the protective tape can be peeled off without adhesive residue. It is possible to provide a TAIKO wafer processing method.
１ ウエハ保護テープ
１１ 硬化型粘着剤層
１２ 基材
２ ＴＡＩＫＯウエハ
３ リングフレーム
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記ウエハ保護テープに刺激を与えて前記ウエハ保護テープを硬化させるテープ硬化工程と、
ウエハ保護テープが貼付されたＴＡＩＫＯウエハにスパッタリング処理を施すスパッタリング工程と、
スパッタリング処理後のＴＡＩＫＯウエハからウエハ保護テープを剥離するテープ剥離工程とを有するＴＡＩＫＯウエハの処理方法であって、
前記基材は厚みが３８〜２００μｍであり、
前記基材の２３℃での引っ張り貯蔵弾性率が１×１０８Ｐａ以上である
ことを特徴とするＴＡＩＫＯウエハの処理方法。
Tape affixing a wafer protective tape having a curable pressure-sensitive adhesive layer containing a base material and a curable pressure-sensitive adhesive on a non-ground surface of a TAIKO wafer in which only the inner region is ground leaving the outer periphery Process,
Tape curing step of stimulating the wafer protection tape to cure the wafer protection tape;
A sputtering step of performing a sputtering process on the TAIKO wafer to which the wafer protective tape is attached;
A TAIKO wafer processing method comprising: a tape peeling step of peeling a wafer protective tape from a TAIKO wafer after sputtering treatment,
The substrate has a thickness of 38 to 200 μm,
A TAIKO wafer processing method, wherein the substrate has a tensile storage modulus at 23 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more.
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