JP2017125093A - Processing method of semiconductor protective tape and wafer - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面に凹凸を有するウエハに高温処理を施す場合であっても、ウエハ処理工程時には充分なウエハ保護性能を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後には糊残りすることなくウエハから剥離できる半導体保護テープ、及び、ウエハの処理方法に関する。 The present invention maintains sufficient wafer protection performance at the time of wafer processing even when a wafer having an uneven surface is subjected to high temperature processing, and peels off from the wafer without leaving any adhesive after the wafer processing. The present invention relates to a semiconductor protective tape and a wafer processing method.
半導体チップの製造工程において、ウエハの加工時の取扱いを容易にし、破損を防止するために半導体保護テープが用いられている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合、厚膜ウエハに半導体保護テープを貼り合わせた後に研削が行われる。 In a semiconductor chip manufacturing process, a semiconductor protective tape is used to facilitate handling during processing of a wafer and prevent breakage. For example, when a thick film wafer cut out from a high-purity silicon single crystal or the like is ground to a predetermined thickness to form a thin film wafer, the semiconductor protective tape is bonded to the thick film wafer before grinding.
ウエハを支持板に粘着する粘着剤組成物には、加工工程中にウエハを強固に固定できるだけの高い粘着性とともに、工程終了後にはウエハを損傷、汚染することなく剥離できることが求められる（以下、「高粘着易剥離」ともいう。）。
高粘着易剥離を実現した粘着剤組成物として特許文献１には、アゾ化合物等の刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着層を有する両面粘着テープを用いた半導体ウエハの処理方法が記載されている。特許文献１に記載された半導体ウエハの処理方法では、まず、両面粘着テープを介して半導体ウエハを支持板に固定する。その状態で研削工程等を行った後に刺激を与えると、気体発生剤から発生した気体がテープの表面と半導体ウエハとの界面に放出され、その圧力によって少なくとも一部が剥離される。特許文献１の両面粘着テープを用いれば、半導体ウエハを損傷することなく、かつ、糊残りもすることなく剥離できる。
The pressure-sensitive adhesive composition that adheres the wafer to the support plate is required to have a high adhesive enough to firmly fix the wafer during the processing step, and to be able to be peeled off after the step without damaging or contaminating the wafer (hereinafter referred to as the following). Also referred to as “high adhesion easy peeling”).
As a pressure-sensitive adhesive composition that achieves high adhesion and easy peeling, Patent Document 1 discloses a semiconductor wafer processing method using a double-sided pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates a gas upon stimulation with an azo compound or the like. Have been described. In the semiconductor wafer processing method described in Patent Document 1, first, the semiconductor wafer is fixed to a support plate via a double-sided adhesive tape. When stimulation is performed after the grinding process or the like is performed in this state, the gas generated from the gas generating agent is released to the interface between the surface of the tape and the semiconductor wafer, and at least a part is peeled off by the pressure. If the double-sided adhesive tape of patent document 1 is used, it can peel, without damaging a semiconductor wafer and without adhesive residue.
一方、近年半導体保護テープを貼付した状態でウエハ上に形成された電極を、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することが行われるようになってきた。このような導電接続においては、半田の融点以上の温度、通常２５０℃以上の温度にウエハを加熱するリフロー工程が行われる。また、ウエハを樹脂で封止するモールド工程等においては、１７５℃以上の加熱が行われる。しかしながら、このような過酷な処理工程を伴うウエハの処理においては、従来の半導体保護テープでは、半導体保護テープ自体が高温に耐えられずに変形してしまったり、ウエハに反りが発生してしまったりするという問題があった。また、半導体保護テープの粘着剤が高温にさらされると、粘着力が増大する粘着昂進が起こるため、その結果、半導体保護テープを剥離する際にウエハに糊残り（以下、「残渣」とも言う。）が生じてしまうという問題もあった。特に、近年のウエハは高性能化に伴って複雑な回路が表面に形成されており、凹凸が多い構造であることから、上記残渣の問題がより顕著になってきている。 On the other hand, in recent years, an electrode formed on a wafer with a semiconductor protective tape attached is conductively connected to an electrode on a substrate or another semiconductor chip. In such a conductive connection, a reflow process is performed in which the wafer is heated to a temperature higher than the melting point of the solder, usually 250 ° C. or higher. Further, in a molding process or the like for sealing the wafer with resin, heating at 175 ° C. or higher is performed. However, in the processing of wafers involving such harsh processing steps, with conventional semiconductor protective tape, the semiconductor protective tape itself may not be able to withstand high temperatures and may be deformed, or the wafer may be warped. There was a problem to do. Further, when the adhesive of the semiconductor protective tape is exposed to a high temperature, adhesion progresses to increase the adhesive force. As a result, when the semiconductor protective tape is peeled off, the adhesive residue (hereinafter also referred to as “residue”) is left on the wafer. ) Would occur. Particularly, in recent years, a complicated circuit is formed on the surface of a wafer with high performance, and a structure with many irregularities has caused the problem of the residue to become more prominent.
本発明は、表面に凹凸を有するウエハに高温処理を施す場合であっても、ウエハ処理工程時には充分なウエハ保護性能を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後には糊残りすることなくウエハから剥離できる半導体保護テープ、及び、ウエハの処理方法を提供することを目的とする。 The present invention maintains sufficient wafer protection performance at the time of wafer processing even when a wafer having an uneven surface is subjected to high temperature processing, and peels off from the wafer without leaving any adhesive after the wafer processing. An object of the present invention is to provide a semiconductor protective tape and a wafer processing method.
本発明は、半導体チップの製造において、表面に凹凸が形成されたウエハの該凹凸が形成された面に貼付してウエハを保護する半導体保護テープであって、光硬化型粘着剤と、光重合開始剤とを含有する粘着剤層、及び、ポリエチレンナフタレートからなる基材層を有し、上記光重合開始剤は、０．０１重量％のアセトニトリル溶液の状態で、セル長１０ｍｍの石英セルを用いて、２００ｎｍ〜８００ｎｍの吸光度を測定した時に、吸光度が０．１以上となる最長の波長が３８０ｎｍ以上である半導体保護テープである。
以下に本発明を詳述する。
The present invention relates to a semiconductor protective tape for protecting a wafer by manufacturing the semiconductor chip by applying it to the surface of the wafer having irregularities formed on the surface, the photocurable pressure-sensitive adhesive, and photopolymerization. An adhesive layer containing an initiator and a base material layer made of polyethylene naphthalate, and the photopolymerization initiator is a quartz cell having a cell length of 10 mm in a state of 0.01 wt% acetonitrile solution. It is a semiconductor protective tape in which the longest wavelength at which the absorbance becomes 0.1 or more when measuring the absorbance at 200 nm to 800 nm is 380 nm or more.
The present invention is described in detail below.
本発明者は上記半導体保護テープの変形と残渣の問題に対して、以下の３つの方法を組み合わせることを考えた。
１．耐熱性を上げるために、基材層にポリエチレンナフタレートを用いる。
２．残渣の発生を防止するために、表面に凹凸が形成されたウエハの、凹凸が形成された面上に、凹部の底面から半導体保護テープが浮いた状態（以下、「中空状態」とも言う。）となるように貼り付ける。
ここで、図１を用いて上記中空状態を詳説する。半導体保護テープ１は、基材層１１と粘着剤層１２を有しており、凹凸を有するウエハ２はウエハ表面に凸部２１と凹部２２が形成されている。半導体保護テープの粘着剤層１２は凹凸を有するウエハの凹部２２の底部と接触しないように凸部２１の一部に貼り付けられ、凹部２２の底部と粘着剤層１２の間には空隙ができている。なお、貼付工程は常温常圧の大気下で行われるため、上記空隙には大気が存在している。
３．中空状態での半導体保護テープの貼り付けに伴う半導体保護テープとウエハとの接触面積の減少によって、ウエハ保護性能が低下することを防ぐために粘着剤層を光硬化させる。
しかしながら、上記３つの方法の組み合わせでは粘着剤層が充分に光硬化せず、その結果、未反応の粘着剤が糊残りしてしまうという問題が生じた。
The present inventor considered combining the following three methods for the problem of deformation and residue of the semiconductor protective tape.
1. In order to increase heat resistance, polyethylene naphthalate is used for the base material layer.
2. In order to prevent the generation of residues, the semiconductor protective tape is lifted from the bottom surface of the recesses on the surface of the wafers having the recesses and protrusions on the surface (hereinafter also referred to as “hollow state”). Paste to be.
Here, the said hollow state is explained in full detail using FIG. The semiconductor protective tape 1 has a
3. The pressure-sensitive adhesive layer is photocured in order to prevent the wafer protection performance from being lowered due to the reduction in the contact area between the semiconductor protective tape and the wafer accompanying the application of the semiconductor protective tape in the hollow state.
However, in the combination of the above three methods, the pressure-sensitive adhesive layer is not sufficiently photocured, resulting in a problem that unreacted pressure-sensitive adhesive remains.
本発明者は光硬化反応が阻害される問題について検討したところ、基材の性質と酸素による硬化阻害が原因であることを見出した。
即ち、ポリエチレンナフタレートは３８０ｎｍ未満の波長の光を通しにくい性質があるため、通常用いられる光重合開始剤では充分に励起できず、光硬化反応が起こりにくくなっていた。
また、中空状態で半導体保護テープを貼り付けると、ウエハ−半導体保護テープ間の空隙に大気が存在し、上記大気に由来する酸素が光照射によって生じたラジカルをトラップすることで、光硬化反応が起こりにくくなっていた。
そこで、本発明者は更に検討を重ねた結果、３８０ｎｍ以上の波長に吸収領域を持つ光重合開始剤を粘着剤層に用いることで、ポリエチレンナフタレートによる阻害と酸素による阻害を改善できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
The present inventor examined the problem that the photocuring reaction is inhibited, and found that the cause is the property of the substrate and the inhibition of curing by oxygen.
That is, since polyethylene naphthalate has a property that it is difficult to transmit light having a wavelength of less than 380 nm, it cannot be sufficiently excited by a commonly used photopolymerization initiator, so that a photo-curing reaction hardly occurs.
Moreover, when the semiconductor protective tape is pasted in a hollow state, air exists in the gap between the wafer and the semiconductor protective tape, and oxygen derived from the air traps radicals generated by light irradiation, so that the photocuring reaction occurs. It was hard to happen.
Therefore, as a result of further investigations, the present inventors have found that inhibition by polyethylene naphthalate and inhibition by oxygen can be improved by using a photopolymerization initiator having an absorption region at a wavelength of 380 nm or more in the pressure-sensitive adhesive layer. The present invention has been completed.
本発明の半導体保護テープは、光硬化型粘着剤と光重合開始剤とを含有する粘着剤層を有する。
粘着剤を光硬化型とすることで、半導体ウエハ貼り付け時には充分な粘着力を発揮し、貼り付け後は光硬化させて半導体保護テープ全体の弾性率を上げることにより、接触面積が小さくなる中空状態で半導体保護テープを貼り付けた場合であっても充分なウエハ保護性能を発揮することができる。また、ウエハの処理終了後は高い弾性率によってウエハから容易に半導体保護テープを剥離することができる。
The semiconductor protective tape of the present invention has a pressure-sensitive adhesive layer containing a photocurable pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator.
By making the adhesive a photo-curing type, it exhibits a sufficient adhesive force when a semiconductor wafer is affixed. After adhering, it is photocured to increase the elastic modulus of the entire semiconductor protective tape, thereby reducing the contact area. Even when the semiconductor protective tape is applied in a state, sufficient wafer protection performance can be exhibited. Further, after the processing of the wafer is completed, the semiconductor protective tape can be easily peeled off from the wafer with a high elastic modulus.
上記光硬化型粘着剤としては、例えば、重合性ポリマーが挙げられる。上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。なお、ここで「（メタ）アクリル」とはアクリル又はメタクリルを意味する。 As said photocurable adhesive, a polymerizable polymer is mentioned, for example. The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond. Here, “(meth) acryl” means acryl or methacryl.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic polymer having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記重合性ポリマーは、ラジカル重合性の不飽和結合の含有量の好ましい下限が０．０１ｍｅｑ／ｇ、好ましい上限が２．０ｍｅｑ／ｇである。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量がこの範囲内であることによって、上記粘着剤層を光硬化した後に、２００℃以上の熱を加える熱処理工程を行った場合にでも、処理中に半導体保護テープ自体が変形することなく、処理後のウエハに反りや残渣の付着が発生することがないという性能を充分に発揮させることができる。上記重合性ポリマーのラジカル重合性の不飽和結合の含有量のより好ましい下限は０．０５ｍｅｑ／ｇ、より好ましい上限は１．５ｍｅｑ／ｇである。 The polymerizable polymer preferably has a lower limit of the content of the radical polymerizable unsaturated bond of 0.01 meq / g and a preferable upper limit of 2.0 meq / g. When the content of the radically polymerizable unsaturated bond of the polymerizable polymer is within this range, even when a heat treatment step of applying heat of 200 ° C. or higher is performed after photocuring the pressure-sensitive adhesive layer, The semiconductor protective tape itself is not deformed during processing, and the performance that warpage or residue adhesion does not occur on the processed wafer can be sufficiently exhibited. The minimum with more preferable content of the radically polymerizable unsaturated bond of the said polymeric polymer is 0.05 meq / g, and a more preferable upper limit is 1.5 meq / g.
上記光硬化型粘着剤は、更に、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することが好ましい。ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーを含有することにより、光照射したときの硬化性が向上する。
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による硬化成分の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個のものである。
The photocurable pressure-sensitive adhesive preferably further contains a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer. By containing a radically polymerizable polyfunctional oligomer or monomer, curability when irradiated with light is improved.
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5,000 or less so that a three-dimensional network of the cured component can be efficiently formed by heating or light irradiation. The number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20.
上記多官能オリゴマー又はモノマーは、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリプロピレングリコール＃７００ジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。 The polyfunctional oligomer or monomer is, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, or the same methacrylate as described above. And the like. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polypropylene glycol # 700 diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記粘着剤層は、光硬化型粘着剤と、光重合開始剤を含有し、上記光重合開始剤は、０．０１重量％のアセトニトリル溶液の状態で、セル長１０ｍｍの石英セルを用いて、２００ｎｍ〜８００ｎｍの吸光度を測定した時に、吸光度が０．１以上となる最長の波長（以下、最大吸収波長とも言う。）が３８０ｎｍ以上である。
最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤を用いることで、基材のポリエチレンナフタレートが透過する波長の光によって粘着剤層を光硬化できる。また、上記光重合開始剤は反応性が高く、ラジカルを充分に発生させることができるので、中空状態で半導体保護テープを貼り付けた際に起こる、酸素によるラジカルのトラップの影響を受けずに充分に硬化を行うことができる。
The pressure-sensitive adhesive layer contains a photocurable pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator, and the photopolymerization initiator is in a state of 0.01 wt% acetonitrile solution using a quartz cell having a cell length of 10 mm, When the absorbance at 200 nm to 800 nm is measured, the longest wavelength at which the absorbance is 0.1 or more (hereinafter also referred to as the maximum absorption wavelength) is 380 nm or more.
By using a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more, the pressure-sensitive adhesive layer can be photocured with light having a wavelength that allows the polyethylene naphthalate of the base material to pass through. The photopolymerization initiator is highly reactive and can generate radicals sufficiently, so that it is not affected by radical trapping by oxygen that occurs when a semiconductor protective tape is stuck in a hollow state. Can be cured.
最大吸収波長の具体的な測定方法としては、以下の方法が挙げられる。まず、光重合開始剤を０．０１重量％となるようにアセトニトリルに溶解させ試料を調整する。次いで、調整した試料１ｍｌをセル長１０ｍｍの石英セルに移し、石英セルを分光光度計（Ｕ−３９００、日立社製）にセットする。ブランクも同時にセットし２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で吸光度を測定する。そして得られた吸光度が０．１以上となる最大の波長から、最大吸収波長を求める。
具体的な例として、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９を用いた例を示す。図２より、０．０１重量％のアセトニトリル溶液で測定したＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９の吸光スペクトルにおいて、吸光度が０．１となる最大の波長（最大吸収波長）が、３８０ｎｍであることがわかる。
Specific methods for measuring the maximum absorption wavelength include the following methods. First, a sample is prepared by dissolving a photopolymerization initiator in acetonitrile so as to be 0.01% by weight. Next, 1 ml of the adjusted sample is transferred to a quartz cell having a cell length of 10 mm, and the quartz cell is set in a spectrophotometer (U-3900, manufactured by Hitachi). A blank is also set at the same time, and the absorbance is measured in the range of 200 nm to 800 nm. Then, the maximum absorption wavelength is determined from the maximum wavelength at which the obtained absorbance is 0.1 or more.
As a specific example, an example using IRGACURE379 is shown. FIG. 2 shows that in the absorption spectrum of IRGACURE379 measured with a 0.01 wt% acetonitrile solution, the maximum wavelength (maximum absorption wavelength) at which the absorbance is 0.1 is 380 nm.
上記最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤としては、例えば、アシルフォスフィノキシド、α−アミノアルキルフェノン、アシルオキシム、チタノセン等が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。開始剤を２種類以上併用する場合は、上記の開始剤を最低１種類含んでいれば、他の開始剤はどんな吸収波長を有する開始剤でも使用してよい。
また、通常では３８０ｎｍ未満である開始剤であっても、増感剤を利用して最大吸収波長を３８０ｎｍ以上にする手法も有効である。
Examples of the photopolymerization initiator having the maximum absorption wavelength of 380 nm or more include acyl phosphinoxide, α-aminoalkylphenone, acyl oxime, titanocene and the like. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together. When two or more kinds of initiators are used in combination, the initiator having any absorption wavelength may be used as the other initiator as long as it contains at least one of the above-mentioned initiators.
In addition, even if the initiator is usually less than 380 nm, it is also effective to use a sensitizer to increase the maximum absorption wavelength to 380 nm or more.
上記最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤の市販品としては、例えば、ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ＯＸＥ０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ ７８４（いずれもＢＡＳＦ ＪＡＰＡＮ社製）等が挙げられる。 Commercially available photopolymerization initiators having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more include, for example, DAROCUR TPO, IRGACURE 369, IRGACURE 379, IRGACURE 819, IRGACURE OXE01, IRGACURE OXE02, IRGACURE 784 (all manufactured by BASF JAPAN) Is mentioned.
上記光硬化型粘着剤１００重量部に対する上記最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤の含有量の好ましい下限は１重量部、好ましい上限は１５重量部である。上記最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤の含有量が上記範囲であることで、より確実に光硬化を行うことができる。上記最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は１０重量部である。 The minimum with preferable content of the photoinitiator whose said maximum absorption wavelength with respect to 100 weight part of said photocurable adhesives is 380 nm or more is 1 weight part, and a preferable upper limit is 15 weight part. When the content of the photopolymerization initiator having the maximum absorption wavelength of 380 nm or more is in the above range, photocuring can be performed more reliably. The minimum with more preferable content of the photoinitiator whose said maximum absorption wavelength is 380 nm or more is 1 weight part, and a more preferable upper limit is 10 weight part.
上記粘着剤層は、更に、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、上記半導体保護テープ剥離工程において、粘着剤層に刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなくウエハから半導体保護テープを剥離することができる。 The pressure-sensitive adhesive layer may further contain a gas generating agent that generates gas upon stimulation. When the pressure-sensitive adhesive layer contains the gas generating agent, in the semiconductor protective tape peeling step, the pressure-sensitive adhesive layer is stimulated to generate gas from the gas generating agent. The semiconductor protective tape can be peeled off from the wafer without remaining.
ここで、上記光硬化型粘着剤と上記気体発生剤とは、光硬化型粘着剤を架橋、硬化させる刺激と、気体発生剤から気体を発生させる刺激が質的又は量的に異なる組み合わせを選択することが好ましい。このような組み合わせを選択することにより、粘着剤層硬化工程における刺激によって気体発生剤から気体が発生し、ウエハと半導体保護テープとが剥離してしまうのを防止することができる。
具体的には例えば、光硬化型粘着剤を架橋、硬化させる光とは波長が異なったり、波長が重複しても、光硬化型粘着剤成分を架橋、硬化させる光量よりもより多くの光量を要したりする気体発生剤を選択する。
Here, the photo-curing pressure-sensitive adhesive and the gas generating agent are selected from combinations in which the stimulus for crosslinking and curing the photo-curing pressure-sensitive adhesive and the stimulus for generating gas from the gas generating agent are qualitatively or quantitatively different. It is preferable to do. By selecting such a combination, it is possible to prevent gas from being generated from the gas generating agent due to stimulation in the pressure-sensitive adhesive layer curing step and separation of the wafer and the semiconductor protective tape.
Specifically, for example, even if the wavelength is different from the light that crosslinks and cures the photocurable pressure-sensitive adhesive or the wavelength overlaps, the amount of light is larger than the amount of light that crosslinks and cures the photocurable pressure-sensitive adhesive component. Select the gas generating agent you need.
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができるが、リフロー工程中に気体が発生して剥離しないように、ケトプロフェンや２−キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩等の耐熱性に優れる気体発生剤を用いることが好ましい。 The gas generating agent is not particularly limited. For example, a conventionally known gas generating agent such as an azo compound or an azide compound can be used. However, in order to prevent gas generation and separation during the reflow process, ketoprofen and 2- For heat resistance of carboxylic acid compounds such as xanthone acetic acid or salts thereof, tetrazole compounds such as 1H-tetrazole, 5,5′-bistetrazole diammonium salt, 5,5′-bistetrazoleamine monoammonium salt or salts thereof It is preferable to use an excellent gas generating agent.
上記粘着剤層中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記光硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。 Although content of the said gas generating agent in the said adhesive layer is not specifically limited, The preferable minimum with respect to 100 weight part of said photocurable adhesives is 5 weight part, and a preferable upper limit is 50 weight part. When the content of the gas generating agent is within this range, a sufficient peelability improving effect can be obtained. The minimum with more preferable content of the said gas generating agent is 10 weight part, and a more preferable upper limit is 30 weight part.
上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がるため、リフロー工程後に保護が不要となったときに、半導体保護テープをウエハから糊残りすることなく容易に剥離できる。 The pressure-sensitive adhesive layer may further contain an inorganic filler such as fumed silica. By blending the inorganic filler, the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive layer is increased, and therefore, when protection is not necessary after the reflow process, the semiconductor protective tape can be easily peeled off from the wafer without leaving glue.
上記粘着剤層は、凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜含有してもよい。 The above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer may appropriately contain various polyfunctional compounds that are blended in general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds for the purpose of adjusting the cohesive force.
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあることで、充分な粘着力でウエハに貼付でき、処理中のウエハを保護することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍ、更に好ましい上限は３０μｍである。 Although the thickness of the said adhesive layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. When the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is within this range, it can be attached to the wafer with sufficient adhesive force, and the wafer being processed can be protected. The more preferable lower limit of the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is 10 μm, the more preferable upper limit is 100 μm, and the still more preferable upper limit is 30 μm.
本発明の半導体保護テープはポリエチレンナフタレートからなる基材層を有する。基材層をポリエチレンナフタレートとすることで、半導体保護テープに耐熱性を付与することができ、高温処理時における半導体保護テープの変形やウエハの反りを防止することができる。また、高温処理時における半導体保護テープの変形が起こらないことによって、半導体保護テープがウエハの凹凸に噛みこむことがないため、残渣も発生し難い。 The semiconductor protective tape of the present invention has a base material layer made of polyethylene naphthalate. By using polyethylene naphthalate as the base material layer, heat resistance can be imparted to the semiconductor protective tape, and deformation of the semiconductor protective tape and warpage of the wafer during high-temperature processing can be prevented. Further, since the semiconductor protective tape is not deformed during the high-temperature treatment, the semiconductor protective tape does not bite into the irregularities of the wafer, so that residues are hardly generated.
上記基材層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記基材層の厚さがこの範囲内であると、適度なコシがあって、取り扱い性に優れる半導体保護テープとすることができる。上記基材層の厚さのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。 Although the thickness of the said base material layer is not specifically limited, A preferable minimum is 5 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. When the thickness of the base material layer is within this range, the semiconductor protective tape has an appropriate stiffness and is easy to handle. The minimum with more preferable thickness of the said base material layer is 10 micrometers, and a more preferable upper limit is 50 micrometers.
本発明の半導体保護テープを製造する方法は特に限定されず、例えば、上記基材層上に上記粘着剤層の原料となる粘着剤組成物をドクターナイフやスピンコーター等を用いて塗工する等の従来公知の方法を用いることができる。 The method for producing the semiconductor protective tape of the present invention is not particularly limited. For example, a pressure-sensitive adhesive composition as a raw material for the pressure-sensitive adhesive layer is coated on the base material layer using a doctor knife, a spin coater, or the like. A conventionally known method can be used.
本発明の半導体保護テープは、半導体チップの製造において、表面に凹凸が形成されたウエハの該凹凸が形成された面に貼付してウエハを保護するのに好適に用いることができる。とりわけ、本発明の半導体保護テープを貼り付けた状態でウエハに高温処理を施しても、粘着昂進の影響を抑えることができ、残渣の発生も防止することができる。 The semiconductor protective tape of the present invention can be suitably used to protect a wafer by sticking it to the surface of the wafer having irregularities formed on the surface in the production of semiconductor chips. In particular, even if the wafer is subjected to a high temperature treatment with the semiconductor protective tape of the present invention attached, the influence of adhesion progress can be suppressed and the generation of residues can be prevented.
少なくとも、光硬化型粘着剤と、光重合開始剤とを含有する粘着剤層、及び、ポリエチレンナフタレートからなる基材層を含有し、上記光重合開始剤は、０．０１重量％のアセトニトリル溶液の状態で、セル長１０ｍｍの石英セルを用いて、２００ｎｍ〜８００ｎｍの吸光度を測定した時に、吸光度が０．１以上となる最長の波長が３８０ｎｍ以上である半導体保護テープを、表面に凹凸が形成されたウエハの該凹部が形成された面に、上記凹部の底部が接触しない状態で貼付する貼付工程と、上記半導体保護テープに光を照射して上記粘着剤層を硬化させる硬化工程と、上記半導体保護テープが貼付されたウエハに２００℃以上の加熱処理又は発熱を伴う処理を施す熱処理工程と、上記熱処理工程後のウエハから、上記半導体保護テープを剥離する半導体保護テープ剥離工程を有するウエハの処理方法もまた、本発明の１つである。 At least a pressure-sensitive adhesive layer containing a photocurable pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator, and a base material layer made of polyethylene naphthalate, and the photopolymerization initiator is a 0.01 wt% acetonitrile solution In this state, when the absorbance of 200 nm to 800 nm is measured using a quartz cell having a cell length of 10 mm, the semiconductor protective tape having the longest wavelength at which the absorbance is 0.1 or more is 380 nm or more is formed with irregularities on the surface. An affixing step of affixing the surface of the wafer on which the recess is formed without contacting the bottom of the recess, a curing step of curing the adhesive layer by irradiating the semiconductor protective tape with light, and A heat treatment step of performing a heat treatment at 200 ° C. or higher on a wafer having a semiconductor protective tape attached thereto, or a process involving heat generation, and the semiconductor protective tape from the wafer after the heat treatment step. Method of processing a wafer having a semiconductor protective tape peeling step of releasing is also one of the present invention.
本発明のウエハの処理方法は、まず、少なくとも、光硬化型粘着剤と最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤とを含有する粘着剤層、及び、ポリエチレンナフタレートからなる基材層を含有する半導体保護テープを、表面に凹凸が形成されたウエハの該凹部が形成された面に、上記凹部の底部が接触しない状態で貼付する貼付工程を行う。
上述のように、半導体保護テープを中空状態で貼り付けることによって、高温処理による粘着昂進の影響を抑えることができ、残渣の発生を防止することができる。
また、上記半導体保護テープは、本発明の半導体保護テープが好適に用いられる。
In the wafer processing method of the present invention, first, at least a pressure-sensitive adhesive layer containing a photocurable pressure-sensitive adhesive and a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more, and a base material layer made of polyethylene naphthalate are prepared. A pasting step is performed in which the semiconductor protective tape to be contained is pasted on the surface of the wafer having concaves and convexes formed on the surface thereof in a state where the bottoms of the concaves are not in contact with each other.
As described above, by sticking the semiconductor protective tape in a hollow state, it is possible to suppress the influence of the adhesive advance due to the high temperature treatment, and to prevent the generation of residues.
Moreover, the semiconductor protective tape of this invention is used suitably for the said semiconductor protective tape.
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記半導体保護テープに光を照射して上記粘着剤層を硬化させる硬化工程を行う。
粘着剤層を光硬化させることによって、中空状態で半導体テープがウエハに貼り付けられた場合であっても、充分なウエハ保護性能を発揮することができる。また、半導体保護テープ全体の弾性率が高くなるため、ウエハ処理後の剥離が容易になり、残渣も発生し難くなる。更に、上記粘着剤層は最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤を含有しているため、上記基材層のポリエチレンナフタレートが透過する波長の光で光硬化を行うことができる。
In the wafer processing method of the present invention, a curing step is then performed in which the semiconductor protective tape is irradiated with light to cure the pressure-sensitive adhesive layer.
By photocuring the pressure-sensitive adhesive layer, sufficient wafer protection performance can be exhibited even when the semiconductor tape is stuck to the wafer in a hollow state. Moreover, since the elasticity modulus of the whole semiconductor protective tape becomes high, peeling after the wafer processing becomes easy, and residues are hardly generated. Further, since the pressure-sensitive adhesive layer contains a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more, photocuring can be performed with light having a wavelength that is transmitted by the polyethylene naphthalate of the base material layer.
上記光照射は、波長２５０ｎｍ以上の光を１０ｍＷ／ｃｍ２以上の照度で照射することが好ましく、５０ｍＷ／ｃｍ２以上の照度で照射することがより好ましく、８０ｍＷ／ｃｍ２以上の照度で照射することが特に好ましい。 The light irradiation, it is preferable to irradiate the above optical wavelength 250nm at 10 mW / cm 2 or more illumination, it is more preferable to irradiate at 50 mW / cm 2 or more illuminance, irradiation at 80 mW / cm 2 or more illumination It is particularly preferred.
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記半導体保護テープが貼付されたウエハに２００℃以上の加熱処理又は発熱を伴う処理を施す熱処理工程を行う。
上記熱処理工程は、ウエハ上に形成された電極を、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続する際に、半田の融点以上の温度に加熱するリフロー工程が代表的である。その他にも、スパッタリング、蒸着、エッチング、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、レジスト塗布・パターンニング、モールド等の加熱処理又は発熱を伴う処理も挙げられる。なお、リフロー工程は通常２４０℃〜２６０℃で行われ、モールド工程は通常１７５℃〜２００℃で行われる。
Next, in the wafer processing method of the present invention, a heat treatment step is performed in which the wafer having the semiconductor protective tape attached thereto is subjected to a heat treatment at 200 ° C. or higher or a treatment accompanied by heat generation.
The heat treatment step is typically a reflow step in which the electrode formed on the wafer is heated to a temperature equal to or higher than the melting point of the solder when conductively connected to the electrode on the substrate or other semiconductor chip. In addition, heat treatment such as sputtering, vapor deposition, etching, chemical vapor deposition (CVD), physical vapor deposition (PVD), resist coating / patterning, mold, etc., or treatment involving heat generation may also be mentioned. In addition, a reflow process is normally performed at 240 to 260 degreeC, and a mold process is normally performed at 175 to 200 degreeC.
本発明のウエハの処理方法は、後述する剥離工程に先立って、上記処理後のウエハの処理面にダイシングテープを貼付するダイシングテープ貼付工程を有してもよい。予めダイシングテープを貼付しておくことにより、剥離工程において半導体保護テープを剥離した後、速やかにダイシング工程に進むことができる。 The wafer processing method of the present invention may have a dicing tape attaching step of attaching a dicing tape to the processed surface of the wafer after the processing prior to the peeling step described later. By pasting the dicing tape in advance, the semiconductor protective tape is peeled off in the peeling step, and then the dicing step can be proceeded promptly.
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記熱処理工程後のウエハから、上記半導体保護テープを剥離する半導体保護テープ剥離工程を行う。上記硬化工程において粘着剤層は架橋、硬化していることから、ウエハからの半導体保護テープの剥離を容易に、かつ、糊残りなく行うことができる。また、剥離にかかる時間が短縮されるため、生産効率を上げることができる。 In the wafer processing method of the present invention, a semiconductor protective tape peeling step for peeling the semiconductor protective tape from the wafer after the heat treatment step is then performed. Since the pressure-sensitive adhesive layer is cross-linked and cured in the curing step, the semiconductor protective tape can be easily peeled off from the wafer without adhesive residue. Moreover, since the time required for peeling is shortened, the production efficiency can be increased.
上記粘着剤層が上記気体発生剤を含有する場合には、剥離工程において処理後のウエハに刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることによって、より容易にウエハから半導体保護テープを剥離することができる。 When the pressure-sensitive adhesive layer contains the gas generating agent, the semiconductor protective tape is more easily peeled from the wafer by generating a gas from the gas generating agent by stimulating the processed wafer in the peeling step. can do.
本発明によれば、表面に凹凸を有するウエハに高温処理を施す場合であっても、ウエハ処理工程時には充分なウエハ保護性能を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後には糊残りすることなくウエハから剥離できる半導体保護テープ、及び、ウエハの処理方法を提供することができる。 According to the present invention, even when a wafer having an uneven surface is subjected to high-temperature processing, sufficient wafer protection performance is maintained during the wafer processing step, and no adhesive remains after the wafer processing step. A semiconductor protective tape that can be peeled off from the wafer and a wafer processing method can be provided.
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
（半導体保護テープの製造）
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、アクリル酸２．５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２．５重量部、ラウリルメルカプタン０．０１重量部、酢酸エチル８２重量部を加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン０．０１重量部を添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から４時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを０．０１重量部ずつ添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを０．０５重量部添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分３５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレート８重量部を加えて反応させて光硬化型粘着剤を得た。
Example 1
(Manufacture of semiconductor protective tape)
A reactor equipped with a thermometer, a stirrer, and a cooling tube was prepared. In this reactor, 95 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 2.5 parts by weight of acrylic acid, 2.5 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate, lauryl After adding 0.01 part by weight of mercaptan and 82 parts by weight of ethyl acetate, the reactor was heated to start refluxing. Subsequently, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was added as a polymerization initiator in the reactor, and polymerization was started under reflux. It was. Next, 0.01 parts by weight of 1,1-bis (t-hexylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane was also added 4 hours after the start of polymerization, and 4 hours after the start of polymerization. 0.05 parts by weight of t-hexylperoxypivalate was added to continue the polymerization reaction. Then, 8 hours after the start of polymerization, an ethyl acetate solution of a functional group-containing (meth) acrylic polymer having a solid content of 35% by weight and a weight average molecular weight of 600,000 was obtained.
To 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution containing the obtained functional group-containing (meth) acrylic polymer, 8 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate as a functional group-containing unsaturated compound was added and reacted. A photocurable pressure-sensitive adhesive was obtained.
得られた光硬化型粘着剤の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、光重合開始剤（ＢＡＳＦ ＪＡＰＡＮ社製、ＤＡＲＯＣＵＲ ＴＰＯ、最大吸収波長３８０ｎｍ）５重量部、可塑剤（根上工業社製、ＵＮ−５５００）２０重量部、及び、ポリイソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン社製、コロネートＬ−４５）０．６重量部、を混合して粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を調製した。
得られた粘着剤組成物の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムのコロナ処理面上に、乾燥皮膜の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、半導体保護テープを得た。
5 parts by weight of a photopolymerization initiator (manufactured by BASF JAPAN, DAROCUR TPO,
The obtained pressure-sensitive adhesive composition in ethyl acetate solution has a dry film thickness of 30 μm on the corona-treated surface of a transparent polyethylene naphthalate (PEN) film having a thickness of 50 μm with one side corona-treated. It was coated with a doctor knife and heated at 110 ° C. for 5 minutes to dry the coating solution. Thereafter, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain a semiconductor protective tape.
（実施例２〜４、比較例１〜４）
光重合開始剤を表１に記載のものに変更した以外は実施例１と同様にして半導体保護テープを製造した。
(Examples 2-4, Comparative Examples 1-4)
A semiconductor protective tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the photopolymerization initiator was changed to that shown in Table 1.
（比較例５）
基材層をポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に変更した以外は実施例１と同様にして半導体保護テープを製造した。
(Comparative Example 5)
A semiconductor protective tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the base material layer was changed to polyethylene terephthalate (PET).
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体保護テープを用いて下記の評価を行った。結果を表１に示した。
<Evaluation>
The following evaluation was performed using the semiconductor protective tape obtained by the Example and the comparative example. The results are shown in Table 1.
（粘着剤層の反応率測定）
得られた半導体保護テープの、光照射前後におけるアクリロイル基由来のピークを、赤外分光装置（ＢＩＯＲＡＤ社製、「ＦＴＳ３０００」）を用いて測定した。そして、測定したピークの変化量から粘着剤層の反応率を測定した。
(Measurement of reaction rate of adhesive layer)
The peak derived from the acryloyl group before and after the light irradiation of the obtained semiconductor protective tape was measured using an infrared spectroscopic device (“FTS3000” manufactured by BIORAD). And the reaction rate of the adhesive layer was measured from the amount of change of the measured peak.
（耐接着昂進性の評価）
得られた半導体保護テープを２５ｍｍ幅の短冊状に裁断して試験片を作製した。この試験片をステンレス板に、粘着剤層がステンレス板に対向した状態となるように載せた後、試験片上に３００ｍｍ／分の速度で２ｋｇのゴムローラーを一往復させることにより、試験片とステンレス板とを貼り合わせ、その後、２３℃で２４時間静置して試験サンプルを作製した。次いで、高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの可視光を半導体保護テープ表面への照射強度が５０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１０秒間照射して、試験サンプルを架橋、硬化させた。この試験サンプルを１８０℃のオーブンで２時間加熱し、２３℃で２４時間静置した後に、ＪＩＳ Ｚ０２３７に準じて、剥離速度３００ｍｍ／分で９０°方向の引張試験を行い、耐接着昂進性１（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。また、上記試験サンプルを硬化した後、１８０℃のオーブンで２時間加熱する代わりに２５０℃のオーブンで１０分間加熱した以外は、耐接着昂進性１と同様にして耐接着昂進性２を測定した。得られた測定値が０．１Ｎ／２５ｍｍ未満の場合を「○」、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上の場合を「×」として評価した。
(Evaluation of adhesion resistance)
The obtained semiconductor protective tape was cut into a 25 mm width strip to prepare a test piece. After placing this test piece on a stainless steel plate so that the adhesive layer faces the stainless steel plate, a 2 kg rubber roller is reciprocated once on the test piece at a speed of 300 mm / min. The plate was bonded together, and then allowed to stand at 23 ° C. for 24 hours to prepare a test sample. Next, using a high-pressure mercury UV irradiator, 405 nm visible light is irradiated for 10 seconds while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity on the surface of the semiconductor protective tape is 50 mW / cm 2, and the test sample is crosslinked and cured. It was. This test sample was heated in an oven at 180 ° C. for 2 hours and allowed to stand at 23 ° C. for 24 hours. (N / 25 mm) was measured. Further, after the test sample was cured,
（ウエハの残渣付着性の評価）
半導体保護テープの粘着剤層側の面を、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍであって、高さ１５μｍ、幅１００μｍの溝を有する回路が形成されたシリコンウエハに中空状態となるように貼り付けて積層体を得た。高圧水銀ＵＶ照射機を用いて、４０５ｎｍの可視光を半導体保護テープ表面への照射強度が５０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して１０秒間照射して、試験サンプルを架橋、硬化させた。
得られた積層体のウエハに電極同士が対向するように他の半導体チップを重ね、その状態でリフロー炉に入れて、２６０℃、６分間の熱処理を合計３回行い、導電接続を行った。
熱処理工程後、めくるようにして半導体保護テープを剥離した。
また、半導体保護テープを剥離した後のウエハの表面を、電子顕微鏡を用いて１０００倍の倍率で観察し、残渣の付着が認められなかった場合を「○」、残渣の付着が認められた場合を「×」として評価した。
(Evaluation of wafer residue adhesion)
The surface of the adhesive layer side of the semiconductor protective tape is affixed to a silicon wafer on which a circuit having a groove having a diameter of 20 cm and a thickness of about 750 μm and a height of 15 μm and a width of 100 μm is formed. A laminate was obtained. Using a high-pressure mercury UV irradiator, visible light of 405 nm was irradiated for 10 seconds while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity on the surface of the semiconductor protective tape was 50 mW / cm 2, and the test sample was crosslinked and cured.
Other semiconductor chips were stacked on the wafer of the obtained laminate so that the electrodes face each other, put in that state into a reflow furnace, and subjected to heat treatment at 260 ° C. for 6 minutes three times in total to conduct conductive connection.
After the heat treatment step, the semiconductor protective tape was peeled off.
In addition, when the surface of the wafer after peeling off the semiconductor protective tape was observed with a magnification of 1000 times using an electron microscope, “○” was given when no residue was found, and when the residue was found Was evaluated as “×”.
（参考例１）
実施例１の半導体保護テープを、中空状態ではなく、粘着剤層がウエハの凹部の底部と接触するようにウエハに貼り付けて、ウエハの残渣付着性の評価を行った。
(Reference Example 1)
The semiconductor protective tape of Example 1 was affixed to the wafer so that the pressure-sensitive adhesive layer was in contact with the bottom of the recess of the wafer instead of being in a hollow state, and the residue adhesion of the wafer was evaluated.
基材層にポリエチレンナフタレートを用い、最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤を用いた実施例１〜４、比較例５、参考例１は光硬化が充分に進行していた。一方、基材層にポリエチレンナフタレートを用い、最大吸収波長が３８０ｎｍ未満である光重合開始剤を用いた比較例１〜４は、充分に光硬化しておらず、未硬化の粘着剤層が粘着昂進を起こした結果、剥離性に劣り、残渣も発生していた。基材層にポリエチレンテレフタレートを用いた比較例５では、高温処理に基材が耐え切れず、変形したことによって、半導体保護テープがウエハの凹凸に噛みこみ、処理後に剥離し難くなった。最大吸収波長が３８０ｎｍ以上である光重合開始剤を用いている場合であっても、中空状態で貼り付けていない参考例１は、光硬化によって粘着昂進は抑えられているものの、凹凸を有するウエハの全面に貼り付けたことによって残渣が発生した。 In Examples 1-4, Comparative Example 5, and Reference Example 1 in which polyethylene naphthalate was used for the base material layer and a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more was used, photocuring sufficiently proceeded. On the other hand, Comparative Examples 1 to 4 using polyethylene naphthalate as a base material layer and a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of less than 380 nm are not sufficiently photocured, and the uncured pressure-sensitive adhesive layer is not cured. As a result of the adhesion progress, the peelability was inferior and a residue was also generated. In Comparative Example 5 in which polyethylene terephthalate was used for the base material layer, the base material could not withstand the high temperature treatment and was deformed, so that the semiconductor protective tape was bitten into the irregularities of the wafer and became difficult to peel off after the treatment. Even in the case where a photopolymerization initiator having a maximum absorption wavelength of 380 nm or more is used, the reference example 1 which is not attached in a hollow state is a wafer having unevenness, although the adhesion progress is suppressed by photocuring. A residue was generated by sticking on the entire surface.
本発明によれば、表面に凹凸を有するウエハに高温処理を施す場合であっても、ウエハ処理工程時には充分なウエハ保護性能を維持し、かつ、ウエハ処理工程終了後には糊残りすることなくウエハから剥離できる半導体保護テープ、及び、ウエハの処理方法を提供する。 According to the present invention, even when a wafer having an uneven surface is subjected to high-temperature processing, sufficient wafer protection performance is maintained during the wafer processing step, and no adhesive remains after the wafer processing step. The present invention provides a semiconductor protective tape that can be peeled from a wafer and a wafer processing method.
１ 半導体保護テープ
１１ 基材層
１２ 粘着剤層
２ 凹凸を有するウエハ
２１ ウエハ表面に形成された凸部
２２ ウエハ表面に形成された凹部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor
Claims (2)
光硬化型粘着剤と、光重合開始剤とを含有する粘着剤層、及び、ポリエチレンナフタレートからなる基材層を有し、
前記光重合開始剤は、０．０１重量％のアセトニトリル溶液の状態で、セル長１０ｍｍの石英セルを用いて、２００ｎｍ〜８００ｎｍの吸光度を測定した時に、吸光度が０．１以上となる最長の波長が３８０ｎｍ以上である
ことを特徴とする半導体保護テープ。 In the manufacture of semiconductor chips, a semiconductor protective tape that protects the wafer by sticking to the surface of the wafer with irregularities formed on the surface,
A pressure-sensitive adhesive, a pressure-sensitive adhesive layer containing a photopolymerization initiator, and a base material layer made of polyethylene naphthalate,
The photopolymerization initiator is the longest wavelength at which the absorbance becomes 0.1 or more when the absorbance at 200 nm to 800 nm is measured using a quartz cell having a cell length of 10 mm in a 0.01 wt% acetonitrile solution state. A semiconductor protective tape characterized by having a thickness of 380 nm or more.
前記半導体保護テープに光を照射して前記粘着剤層を硬化させる硬化工程と、
前記半導体保護テープが貼付されたウエハに２００℃以上の加熱処理又は発熱を伴う処理を施す熱処理工程と、
前記熱処理工程後のウエハから、前記半導体保護テープを剥離する半導体保護テープ剥離工程を有する
ことを特徴とするウエハの処理方法。
A pressure-sensitive adhesive layer, a pressure-sensitive adhesive layer containing a photopolymerization initiator, and a base material layer made of polyethylene naphthalate, wherein the photopolymerization initiator is in a state of 0.01 wt% acetonitrile solution; Then, when the absorbance at 200 nm to 800 nm was measured using a quartz cell having a cell length of 10 mm, the semiconductor protective tape having the longest wavelength at which the absorbance was 0.1 or more was 380 nm or more was uneven on the surface. A sticking step of sticking to the surface of the wafer where the concave portion is formed in a state where the bottom of the concave portion does not contact;
A curing step of curing the adhesive layer by irradiating the semiconductor protective tape with light;
A heat treatment step of performing a heat treatment at 200 ° C. or higher or a treatment accompanied by heat generation on the wafer to which the semiconductor protective tape is attached;
A wafer processing method comprising: a semiconductor protective tape peeling step of peeling the semiconductor protective tape from the wafer after the heat treatment step.
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