JP6865671B2 - 全固体電池電極の製造方法 - Google Patents
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Description
(a)基材を準備する
(b)平均サイズD50が100nm未満である電極材料粒子を含む懸濁液から、電気泳動により前記基材上に電極膜を成膜させる
(c)前のステップにて得られた膜を乾燥させる
(d)前のステップにて得た電極膜を、焼成によって熱硬化させる。焼成は温度TRにて行い、TRは、望ましくは0.7×最も低温にて融ける電極材料の融点(℃)を超えず、懸濁液中において、粒子は、互いに凝集してクラスターを形成することなく孤立している。
・LiMn2O4、LiCoO2、LiNiO2、LiMn1.5Ni0.5O4、LiMn1.5Ni0.5-xXxO4 (XはAl、Fe、Cr、Co、Rh、Nd、他の希土類から選ばれ、0 < x < 0.1である)、LiFeO 2
・リン酸塩LiFePO4、LiMnPO4、LiCoPO4、LiNiPO4、Li3V2(PO4)3、
・以下のカルコゲニドについての全てのリチウムカルコゲニド;V2O5、V3O8、TiS2、TiOySz、WOySz、CuS、CuS。
(i)スズの酸窒化物(典型的な式はSnOxNy)
(ii)シリコンとスズの酸窒化物との混合物(典型的な式はSiaSnbOyNz、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4、0<z≦3)(SiTONとも呼ばれる)、特にSiSn0.87O1.2N1.72、及びSiaSnbCcOyNzの形の酸窒化物、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<c-10、0<y<24、0<z<17、及びSiaSnbOyNzXn、ここでXnは少なくとも1つの以下の元素、つまりF、Cl、Br、I、S、Se、Te、P、As、Sb、Bi、Ge、Pb。
(iii)SixNy型の窒化物(特に、x=3及びy=4のもの)、SnxNy(特に、x=3及びy=4のもの)、ZnxNy(特に、x=3及びy=4のもの)、Li3-xMxN(ここでM=Co、Ni、Cu)
(iv)酸化物SnO2、Li4Ti5O12、SnB0.6P0.4O2.9。
(i)リチウム及びリンの酸窒化物系のリチウム化合物(LiPONと呼ばれる)であって、LixPOyNzの形でx~2.8、2y+3Z~7.8及び0.16≦z≦0.4であり、特に、Li2.9PO3.3N0.46。また、LiwPOxNySzの形のあらゆる変種であって、2x+3y+2z=5=wで且つ3.2≦x≦3.8、0.13≦y≦0.4、0≦z≦0.2、2.9≦w≦3.3であるものでも良いし、LitPxAlyOuNvSwの形であって、5x+3y=5、2u+3v+2w=5+t、2.9≦t≦3.3、0.84≦x≦0.94、0.094≦y≦0.26、3.2≦u≦3.8、0.13≦v≦0.46、0≦w≦0.2であるものでも良い。
ここで、“実際の密度”とは、成膜膜について測定した密度であり、固相材料の密度とは、成膜される材料について、積み重なったときに空孔を作る粒子の存在を無視する空洞無しの密度である。
成膜は、非常に安定なSP+又はSP−コロイド懸濁液から行い、粗さが無く、欠陥が僅かで、完全に均一な膜厚を有すると共に電気泳動成膜の工程後において可能な限り緻密な成膜物を得るのが良い。懸濁液の安定性は、P+、P−粒子の大きさ及び用いる溶媒及びコロイド懸濁液を安定化させるために用いる安定化剤の性質に依存する。
・スズの酸窒化物(典型的な式はSnOxNy)
・シリコンとスズの酸窒化物との混合物(典型的な式はSiaSnbOyNz、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4、0<z≦3)(SiTONとも呼ばれる)、特にSiSn0.87O1.2N1.72、及びSiaSnbCcOyNzの形の酸窒化物、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<c-10、0<y<24、0<z<17、及びSiaSnbOyNzXn、ここでXnは少なくとも1つの以下の元素、つまりF、Cl、Br、I、S、Se、Te、P、As、Sb、Bi、Ge、Pb。
・SixNy型の窒化物(特に、x=3及びy=4のもの)、SnxNy(特に、x=3及びy=4のもの)、ZnxNy(特に、x=3及びy=4のもの)、Li3-xMxN(ここでM=Co、Ni、Cu)
・酸化物SnO2、Li4Ti5O12、SnB0.6P0.4O2.9。
・リチウム及びリンの酸窒化物系のリチウム化合物(LiPONと呼ばれる)であって、LixPOyNzの形でx〜2.8、2y+3Z〜7.8及び0.16≦z≦0.4であり、特に、Li2.9PO3.3N0.46。また、LiwPOxNySzの形のあらゆる変形であって、2x+3y+2z=5=wで且つ3.2≦x≦3.8、0.13≦y≦0.4、0≦z≦0.2、2.9≦w≦3.3でも良いし、LitPxAlyOuNvSwの形であって、5x+3y=5、2u+3v+2w=5+t、2.9≦t≦3.3、0.84≦x≦094、0.094≦y≦0.26、3.2≦u≦3.8、0.13≦v≦0.46、0≦w≦0.2であっても良い。
・リチウム、リン及びシリコンの酸窒化物系のリチウム化合物(LiSiPONと呼ばれる)であって、特に、Li1.9Si0.28P1.0O1.1N1.0。
・LiBON、LiBSO、LiSiPON、LiSON、thio-LiSiCON、LiPONB型のリチウムの酸窒化物(ここで、B、P及びSは、順にホウ素、リン及び硫黄を表す)。
・化合物La0.51Li0.34Ti2.94、Li3.4V0.4Ge0.6O4、Li2O-Nb2O5、LiAlGaSPO4。
・以下の式、Li4SiO4、Li3PO4、Li2CO3、B2O3、Li2O、Al(PO3)3LiF、P2S3、Li2S、Li3N、Li14Zn(GeO4)4、Li3.6Ge0.6V0.4O4、LiTi2(PO4)3、Li0.35La0.55TiO3、Li3.25Ge0.25P0.25S4、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3、Li1+xAlxM2-x(PO4)3(ここで、M=Ge、Ti及び/又はHf、且つ0 < x <1)、Li1+x+yAlxTi2-xSiyP3-yO12 (ここで0≦x≦1で且つ0≦y≦1)、Li1+x+zMx(Ge1-yTiy)2-xSizP3-zO12(ここで0≦x≦0.8、0≦y≦1.0、0≦z≦0.6)の物質、特に、以下の式の物質4.9LiI-34.1Li2O-61B2O3、0.30Li2S-0.26B2S3-0.44LiI、60Li2S-40SiS2、0.02Li3PO4-0.98(Li2S-SiS2)、2(Li1.4Ti2Si0.4P2.6O12)-AlPO4、0.7Li2S-0.3P2S5。
本発明によると、電極膜が電気泳動によって成膜される。粒子の電気泳動成膜は、その上に成膜物が形成される基材と、対電極との間に電界を印加することにより行われ、これにより荷電粒子をコロイド懸濁液内にて移動させて、基材上に成膜させる。粒子と一緒に表面に成膜されるバインダー及び他の溶媒が無いので、非常に緻密に成膜される。電気泳動成膜であることから実現した緻密さと、成膜物中に量の大きな有機化合物が無いことから、乾燥のステップにおいて、成膜物に貫入が生じること又は他の欠陥が生じることを制限し又は防止することさえ可能である。
膜は、硬化されて空隙、空孔、割れ及び他の緻密化欠陥が最小化されるのが望ましい。硬化のステップは、以下のようにして行っても良い。
・熱処理による。温度は、成膜された粒子の化学組成に密接に依存する。成膜する粒子の化学組成によっては、雰囲気を制御することで被覆の酸化を避けることが有用である。
・熱処理と機械的手段の組み合わせ、特に、高圧焼成による。
本発明による方法は、以下に示す例によって使用可能である。
例1:カソード膜
1.コロイド懸濁液SP+の調製
ナノ粒子のクラスターからなるLiMn2O4粉末を合成して、カソード材料用P+粒子の懸濁液SP+を得る。これは、"Synthesis and Electrochemical Studies of Spinel Phase LiMn2O4Cathode Materials Prepared by the Pechini Process(ペチニ法により調製されたスピネル相LiMn2O4カソード材料の合成及び電気化学的研究)", W. Liu, G.C. Farrington, F. Chaput, B. Dunn, J. Electrochem. Soc., vol.143, No.3, 1996 に説明されたペチニ法により行う。600℃におけるカルシネーション(calcination、か焼)ステップの後、50nm〜100nmの大きさのクラスターを含む粉末を得た。
2.カソード膜の成膜
懸濁液に含まれるLiMn2O4粉末は、その後、厚さ100μmの銅シートからなる基材上に成膜される。成膜は、どちらもコロイド懸濁液中に浸漬された基材と対電極との間に100Vの電圧を印加することによって、厚さ4μmの成膜物が得られるまで行う。この成膜物をその後500MPaの圧力にて圧縮され、500℃の熱処理によって1時間硬化される前に、90℃にて1時間乾燥される。得られた成膜物の空孔率は、10%未満である。
例2:カソード粒子の懸濁液及びカソードの成膜
LiMn1.5Ni0.4Cr0.1O4のナノメートル級粉末を、下記の例5aに説明するように合成した。このナノ粉末を、粉砕し、アルコールに分散して、20g/lのLiMn1.5Ni0.4Cr0.1O4の懸濁液を得る。粉砕・分散は、懸濁液中の粒子サイズが30nmとなるまで続ける。続いて、この懸濁液をケトン系溶媒により希釈し、5g/lの懸濁液とする。成膜条件は70V/cmであり、これによって、僅か数秒の陽極泳動(anaphoresis)の後に厚さ1μm程度の成膜物が得られる。
例3:アノード膜
1.コロイド懸濁液SP−の調製
最初に、ナノメートルサイズの粒子クラスターからなるLi4Ti5O12粉末を、“Phase-pure nanocrystalline Li4Ti5O12 for a lithium-ion battery(リチウム電池用純相ナノ結晶性Li4Ti5O12)” by M. Kalbac et al., J Solid State Electrochem (2003) 8: 2-6 に説明される方法によって合成する。この合成は、0.9MのLiOEt溶液と、エタノール中のチタニウム(IV)ブトキシドとをアルゴン下にて混合することにより行う。
3時間、錯化剤として働く数ミリリットルのポリアクリル酸と共に磨り潰しを行うことにより、粒子サイズ(D50)が8μmに等しい粒子を有するコロイド溶液を得ることができる。この懸濁液のゼータ電位は、60mVである。
2.アノード膜の成膜
懸濁液に含まれるLi4Ti5O12粒子は、その後、厚さ100μmの銅シートからなる基材上に成膜される。成膜は、どちらもコロイド懸濁液中に浸漬された基材と対電極との間に200Vの電圧を印加することによって、厚さ8μmの成膜物が得られるまで行う。この成膜物をその後500MPaの圧力にて圧縮され、450℃の熱処理によって2時間硬化される前に、90℃にて1時間乾燥される。得られた成膜物の空孔率は、10%未満である。
例4:アノード膜
1.コロイド懸濁液SP−の調製
Li4Ti5O12粒子はAldrich社から購入し、10g/lの濃度にてエタノール中で粉砕した。この粉砕・分散ステップの後、懸濁液に超音波を照射し、沈静化させた。沈静化の後、懸濁液の上澄みのみを取り除き、100nmよりも大きいクラスターを含まない単分散のナノ粒子のコロイド懸濁液が確実に得られるようにした。
2.アノード膜の成膜
以下の例において、Li4Ti5O12電極は、電解研磨されたアルミニウム箔上に対するナノ粒子の電気泳動によって、薄膜として成膜される。
例5:アノード及びカソードの材料として使用できるナノ粒子の合成
(a)LiMn1.5Ni0.4Cr0.1O4
Li2O3粉末を、70℃に加熱したクエン酸とエチレングリコールの混合液に少量ずつ加えることにより溶解した。少量加える毎に、CO2の発生が観測された。混合液の温度を90℃に上昇し、量論量のMn(NO3)2・H2O、Ni(NO3)2・6H2O及びCr(NO3)2・9H2Oをこの最終溶液に加え、その後、混合液の温度を140℃に上昇して、泡立つ硬い物体を得た。この物体を250℃の乾燥炉に、粉末が得られるまで入れた。得られた粉末を、800℃にて6時間、か焼した。得られた粉末は、その後、Li−イオン型電池用のカソード膜を調製するために用いた。
(b)LiMnPO4
量論量のLi3PO4粉末及びMnSO4・4H2O粉末を乳鉢で粉砕した。粉砕された粉末をオートクレーブに190℃で12時間入れた。得られた生成物を洗浄し、遠心沈降して40℃にて一晩乾燥させた。得られた粉末は、Li−イオン型電池用のカソード膜を調製するために使用できる。
(c)LiFePO4
量論量のLi3PO4粉末及びFeSO4・7H2O粉末を乳鉢で粉砕した。粉砕された粉末をオートクレーブに190℃で12時間入れた。得られた生成物を洗浄し、遠心沈降して40℃にて一晩乾燥させた。得られた粉末は、Li−イオン型電池用のカソード膜を調製するために使用できる。
(d)Li2.9PO3.3N0.36/Li2.9PO3.3N0.46(LiPON)
高温の熱処理を受けていないナノメートル級のLi3PO4粉末を、アルミナ容器に納めて管状炉内に配置した。その後、粉末は650℃にて2時間、アンモニア雰囲気下にて熱処理された。得られた粉末は、Li−イオン型電池用の電解質膜を調製するために使用できる。
2、2a、2b、2c、2d 粒子
3 空孔
4 PVD成膜により得られた膜
5 クラスター
6 空隙
7 表面破断割れ
8 非表面破断割れ
10 従来技術による電池
11 セパレータ
12 カソード
13 カソード集電体
14 アノード
15 アノード集電体
16 欠陥
17 粒子2よりも小さい粒子
20 基材
21 アノード
22、22a、22b 電解質
23、23a、23b 切断端部
24 カソード
25 2つの電解質膜間の接続
26 電力源
27 電気泳動成膜用の対電極
28 成膜物
29 コロイド懸濁液
30 粒子
35、36 電気的接続
41 巻出機
42 コロイド懸濁液
43 対電極
44 金属基材
45 乾燥炉
46 機械的圧縮機
47 電気泳動による膜に被覆された基材の乾燥
50 基材端部
63 カソード膜
65 絶縁性基材
66 電解質膜
67 アノード膜
68a、68b 絶縁基材65上の金属膜
76 粒子と、空孔を充填する電解質との間の表面接触領域(低抵抗拡散経路)
77 粒子間の点接触領域(リチウムの拡散が点接触に限られている)
78 固体中に電荷輸送用(電子及びイオン)の拡散経路を形成することになる、硬化中の粒子の融合
79 粒子を互いに硬化する溶融可能な段階
Claims (30)
- 全固体電池における電極膜の製造方法において、以下の連続するステップ、つまり、
(a)基材を準備する
(b)平均サイズD50が100nm未満である電極材料粒子を含む懸濁液から、電気泳動により前記基材上に電極膜を成膜する
(c)前のステップにて得られた前記膜を乾燥する
(d)前のステップにて得られた前記膜を、焼成により熱硬化させる。焼成は温度TRにて行い、TRは、0.7×最も低温にて融ける電極材料の融点(℃)を超えない。
を含み、
前記懸濁液中において、前記粒子は、互いに凝集してクラスターを形成することなく孤立しており、
前記連続するステップにより得られた前記電極膜の空孔率が10%未満であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1の方法において、
前記基材が導電性であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1または2の方法において、
前記温度TRは、0.5×最も低温にて融ける電極材料の融点(℃)を超えないことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1または2の方法において、
前記温度TRは、0.3×最も低温にて融ける電極材料の融点(℃)を超えないことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つにおいて、
電極材料粒子の平均サイズD50は、30nm未満であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つにおいて、
前記熱硬化させるステップは、真空下又は不活性雰囲気下にて行うことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜6のいずれか1つおいて、
前記焼成ステップの前、途中又は後に、乾燥させた前記膜を機械的に緻密化させるステップを備えることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項7の方法において、
前記機械的に緻密化させるステップは、20MPa〜100MPaの圧縮圧力を印加することによって行うことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項8の方法において、
前記機械的に緻密化させるステップは、40MPa〜60MPaの圧縮圧力を印加することによって行うことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項7〜9のいずれか1つにおいて、
前記機械的に緻密化させるステップは、真空下又は不活性雰囲気下にて行うことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜10のいずれか1つにおいて、
前記基材はアルミニウム膜であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか1つにおいて、
前記電気泳動成膜は、陽極泳動によって行われることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜12のいずれか1つにおいて、
成膜された前記電極膜の厚さは、20μm未満であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項13の方法において、
成膜された前記電極膜の厚さは、10μm未満であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項13の方法において、
成膜された前記電極膜の厚さは、5μm未満であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜15の何れか1つの方法において、成膜された前記電極膜は有機バインダーを含有しないことを特徴とする電極膜の製造方法。
- 請求項1〜16のいずれか1つにおいて、
前記電極膜の製造に用いられるナノ粒子は、以下の材料、つまり、
・LiMn2O4、LiCoO2、LiNiO2、LiMn1.5Ni0.5O4、LiMn1.5Ni0.5-xXxO4(XはAl、Fe、Cr、Co、Rh、Nd、他の希土類から選ばれ、0 < x < 0.1である)、LiFeO 2
・リン酸塩LiFePO4、LiMnPO4、LiCoPO4、LiNiPO4、Li3V2(PO4)3
から1つ又は複数選ばれていることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜17のいずれか1つにおいて、
前記電極膜の製造に用いられるナノ粒子は、以下の材料、つまり、
(i)スズの酸窒化物
(ii)シリコンとスズの酸窒化物との混合物(式はSiaSnbOyNz、ここでa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4、0<z≦3)(SiTONとも呼ばれる)、及びSiaSnbCcOyNzの形の酸窒化物、ここでa>0、b>0、a+b≦2、10<c、0<y<24、0<z<17
(iv)酸化物SnO2、Li4Ti5O12、SnB0.6P0.4O2.9
から1つ又は複数選ばれていることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項18の方法において、
前記電極膜の製造に用いられるナノ粒子は、SixNy型の窒化物(ここで、x=3及びy=4)、SnxNy(ここで、x=3及びy=4)、ZnxNy(ここで、x=3及びy=4)から選ばれていることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項18の方法において、
前記電極膜の製造に用いられるナノ粒子は、SiSn0.87O1.2N1.72であることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜20のいずれか1つにおいて、
電子伝導性及び/又はリチウムイオン伝導性のナノ粒子が、電極材料ナノ粒子と同時に成膜されることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項21の方法において、
前記伝導性のナノ粒子は、以下のセラミック及び/又は結晶化ガラス材料、つまり、
(i)リチウム及びリンの酸窒化物系のリチウム化合物(LiPONと呼ばれる)であって、LixPOyNzの形でx=2.8、2y+3Z=7.8及び0.16≦z≦0.4である。また、LiwPOxNySzであって、2x+3y+2z=5=wで且つ3.2≦x≦3.8、0.13≦y≦0.4、0≦z≦0.2、2.9≦w≦3.3であり、LitPxAlyOuNvSwの形であって、5x+3y=5、2u+3v+2w=5+t、2.9≦t≦3.3、0.84≦x≦0.94、0.094≦y≦0.26、3.2≦u≦3.8、0.13≦v≦0.46、0≦w≦0.2である。
(ii)リチウム、リン及びシリコンの酸窒化物系のリチウム化合物(LiSiPONと呼ばれる)である。
(iii)LiBON、LiBSO、LiSiPON、LiSON、チオ-LiSiCON、LiPONB型のリチウムの酸窒化物(ここで、B、P及びSは、順にホウ素、リン及び硫黄を表す)。
(iv)化合物La0.51Li0.34Ti2.94、Li3.4V0.4Ge0.6O4、Li2O-Nb2O5、LiAlGaSPO4。
(v)以下の式、Li4SiO4、Li3PO4、Li2CO3、B2O3、Li2O、Al(PO3)3LiF、P2S3、Li2S、Li3N、Li14Zn(GeO4)4、Li3.6Ge0.6V0.4O4、LiTi2(PO4)3、Li0.35La0.55TiO3、Li3.25Ge0.25P0.25S4、Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3、Li1+xAlxM2-x(PO4)3(ここで、M = Ge、Ti及び/又はHf、且つ0 < x <1)、Li1+x+yAlxTi2-xSiyP3-yO12 (ここで0≦x≦1で且つ0≦y≦1)、Li1+x+zMx(Ge1-yTiy)2-xSizP3-zO12(ここで0≦x≦0.8、0≦y≦1.0、0≦z≦0.6)の物質
から1つ又は複数選ばれていることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項22の方法において、
前記伝導性のナノ粒子は、Li2.9PO3.3N0.46からなることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項22の方法において、
前記伝導性のナノ粒子は、Li1.9Si0.28P1.0O1.1N1.0からなることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項22の方法において、
前記伝導性のナノ粒子は、以下の式の物質、4.9LiI-34.1Li2O-61B2O3、0.30Li2S-0.26B2S3-0.44LiI、60Li2S-40SiS2、0.02Li3PO4-0.98(Li2S-SiS2)、2(Li1.4Ti2Si0.4P2.6O12)-AlPO4、0.7Li2S-0.3P2S5
から選ばれていることを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜25のいずれか1つにおいて、
電極材料粒子の懸濁液は、2g/L〜20g/Lの乾燥抽出物を含むことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜26のいずれか1つにおいて、
電極材料粒子の懸濁液は、安定化剤を含まないことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項1〜16のいずれか1つにおいて、
前記電極材料粒子の懸濁液は、更に、電子伝導性材料のナノ粒子、及び/又は、リチウムイオン伝導性材料を含むことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項28の方法において、
前記電極材料粒子の懸濁液は、前記電子伝導性材料のナノ粒子としてグラファイトを含むことを特徴とする電極膜の製造方法。 - 請求項28の方法において、前記リチウムイオン伝導性材料として、前記電極材料よりも低い温度にて融ける材料を含むことを特徴とする電極膜の製造方法。
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