JP6861614B2 - 放射冷却装置および放射冷却方法 - Google Patents
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Description
本発明は、紫外光を反射する紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを備え、放射面から赤外光を放射する放射冷却装置および放射冷却方法に関する。
放射冷却とは、物質が周囲に赤外線などの電磁波を放射することでその温度が下がる現象のことを言う。この現象を利用すれば、たとえば、電気などのエネルギーを消費せずに物を冷やす冷却装置として利用することができる。
特許文献１には、銀でなる太陽光反射層（光反射層）の上に二酸化ケイ素や酸化ハフニウムの紫外反射層を形成し、当該紫外反射層の上に二酸化ケイ素および酸化ハフニウムで成る厚さ数μｍの赤外線放射層を形成した放射冷却装置が開示されている。
この特許文献１の放射冷却装置は、受光した太陽光に含まれる紫外光は紫外反射層で反射し、また、その他の光は、主に太陽光反射層（光反射層）で反射して、その系外に逃がすようになっている。また、受光した太陽光に含まれる赤外光の一部と、雰囲気や冷却対象物などからの入熱は、赤外線放射層により所定の波長域の赤外光に変換し、その系外に逃がすようになっている。
上記特許文献１が開示する従来の放射冷却装置は、太陽光を受光した際に、赤外線放射層や太陽光反射層（光反射層）に太陽光に含まれる紫外光が吸収される場合がある。また、銀のような金属の直上に、膜状の層による多層構造を備えると、太陽光反射層（光反射層）において当該多層構造による表面プラズモン共鳴により紫外光の吸収が増幅される場合がある。
そのため、従来の放射冷却装置では、十分な冷却性能が得られない場合があり、改善が望まれる。
そのため、従来の放射冷却装置では、十分な冷却性能が得られない場合があり、改善が望まれる。
本発明は、かかる実状に鑑みて為されたものであって、その目的は、紫外光の吸収を抑
制した放射冷却装置および放射冷却方法を提供することにある。
制した放射冷却装置および放射冷却方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明に係る放射冷却装置の特徴構成は、
紫外光を反射する紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを備え、放射面から赤外光を放射する放射冷却装置において、
前記放射面の側から見て、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成り、
前記紫外反射層が、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い点にある。
紫外光を反射する紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを備え、放射面から赤外光を放射する放射冷却装置において、
前記放射面の側から見て、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成り、
前記紫外反射層が、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い点にある。
上記構成によれば、放射冷却装置の放射面の側から入射する太陽光などの光に含まれる紫外光は、放射面の側にある紫外反射層で反射され、放射面から系外へ逃がされる。そのため紫外光が赤外放射層や光反射層に入射することを回避することができる。また、光反射層の直上に、膜状の層による多層構造を設けることを要しないため、光反射層における表面プラズモン共鳴による紫外光の吸収増加を回避することができる。したがって、上記構成によれば、紫外光の吸収を抑制することができる。
なお、本明細書の記載において、単に光と称する場合、当該光の概念には赤外光、可視光、紫外光を含む。これらを電磁波としての光の波長で述べると、その波長が１０ｎｍから２００００ｎｍの電磁波を含む。
なお、本明細書の記載において、単に光と称する場合、当該光の概念には赤外光、可視光、紫外光を含む。これらを電磁波としての光の波長で述べると、その波長が１０ｎｍから２００００ｎｍの電磁波を含む。
また、上記光に含まれる、紫外光以外の光は、光反射層で反射され、放射面から系外へ逃がされる。そして、放射冷却装置への入熱は、赤外放射層で赤外線に変換されて、放射面から系外へ逃がされる。
このように、上記構成によれば、放射冷却装置へ照射される光を反射し、また、放射冷却装置への伝熱（例えば、大気からの伝熱や、放射冷却装置が冷却する冷却対象物からの伝熱）を赤外光として系外へ放射することができる。
すなわち、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置を提供することができる。
このように、上記構成によれば、放射冷却装置へ照射される光を反射し、また、放射冷却装置への伝熱（例えば、大気からの伝熱や、放射冷却装置が冷却する冷却対象物からの伝熱）を赤外光として系外へ放射することができる。
すなわち、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置を提供することができる。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記紫外反射層は、二種以上の誘電体を積層して成り、
前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、
二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブのいずれかから選択される点にある。
前記紫外反射層は、二種以上の誘電体を積層して成り、
前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、
二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブのいずれかから選択される点にある。
導電性よりも誘電性の方が優位な物質のことを誘電体という。屈折率の異なる誘電体を多層重ねると任意の波長の光を反射させられる。これら誘電体としては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム（サファイア）、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブを用いることが好ましい。
さらに、先述の通り屈折率の異なる二種以上の誘電体を積層すると、紫外反射層での紫外光の反射率が向上するため好ましい。紫外反射層を形成するそれぞれの誘電体の境界からの反射光の干渉を利用することで紫外反射層全体の反射率が向上するためである。
したがって、上記構成によれば、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置を提供することができる。
さらに、先述の通り屈折率の異なる二種以上の誘電体を積層すると、紫外反射層での紫外光の反射率が向上するため好ましい。紫外反射層を形成するそれぞれの誘電体の境界からの反射光の干渉を利用することで紫外反射層全体の反射率が向上するためである。
したがって、上記構成によれば、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置を提供することができる。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記誘電体の層厚が、２００ｎｍ未満である点にある。
前記誘電体の層厚が、２００ｎｍ未満である点にある。
上記構成によれば、紫外反射層で効率良く紫外光を反射することができる。紫外光の波長は約４００ｎｍ未満であるが、当該波長の半波長、すなわち２００ｎｍ未満の厚みとすると、紫外光を効率よく反射することができるためである。
具体的に述べると、紫外線の反射を増やすためには、反射させたい紫外線の波長の４分の１波長程度、あるいは２分の１波長程度の光路長が得られる厚みの膜を多数積層させるのが望ましい。
紫外線は一般的に１０から４００ｎｍと定義されることが多く、太陽光スペクトルは３００ｎｍよりも短波長側の光が殆ど含まれない。つまり、屈折率が当該波長域で１程度の誘電体を用いる場合は７５から１００ｎｍ程度あるいは１５０から２００ｎｍ、屈折率が当該波長域で３程度の誘電体を用いる場合は２５から３３ｎｍ程度あるいは５０から６６ｎｍとなる。
紫外線は一般的に１０から４００ｎｍと定義されることが多く、太陽光スペクトルは３００ｎｍよりも短波長側の光が殆ど含まれない。つまり、屈折率が当該波長域で１程度の誘電体を用いる場合は７５から１００ｎｍ程度あるいは１５０から２００ｎｍ、屈折率が当該波長域で３程度の誘電体を用いる場合は２５から３３ｎｍ程度あるいは５０から６６ｎｍとなる。
すなわち、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム（サファイア）、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブは、数百ｎｍの膜厚で紫外線の吸収率が殆どない紫外線反射層に適した誘電体であるが、このような誘電体により効率良く紫外光を反射するためには、これら誘電体の層厚を、２００ｎｍ未満とするのが好ましいのである。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記放射面となる前記紫外反射層の前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、五酸化ニオブのいずれかから選択される点にある。
前記放射面となる前記紫外反射層の前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、五酸化ニオブのいずれかから選択される点にある。
上記構成によれば、外部環境に直接に接する放射面の対候性を向上させることができる。二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、五酸化ニオブは、環境中の水分で加水分解を生じにくく、また、大気中の酸素による酸化に強く、対候性が高いためである。また、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、五酸化ニオブは、酸化物の中では酸素移動性が低く、経時的（継時的）な変化が少なく材料（物質）として安定しているためである。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記赤外放射層は、二酸化ケイ素で成る点にある。
前記赤外放射層は、二酸化ケイ素で成る点にある。
放射冷却においては、いわゆる大気の窓の領域（光の波長８０００ｎｍから２００００ｎｍの領域）における放射の効率を高めると、冷却効率が向上する。放射冷却装置が放射した赤外線が大気に吸収されて、再度放射冷却装置に伝熱することが回避できるためである。
光を透過し、８０００ｎｍから２００００ｎｍの赤外線の放射を生じる好ましい材料（物質）としては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、二酸化ハフニウムがある。特に、二酸化ケイ素は、波長１００００ｎｍ付近に大きな吸収ピークを有しており、波長８０００ｎｍから２００００ｎｍの間である波長１００００ｎｍの赤外線を効率よく放射する。そのため、赤外放射層に用いる材料（物質）としては、二酸化ケイ素を用いることが好ましい。
すなわち、上記構成によれば、光を受けて発熱することを回避し、また、放射冷却装置の熱を効率よく赤外線として放射して、冷却性能を向上させることができる。
光を透過し、８０００ｎｍから２００００ｎｍの赤外線の放射を生じる好ましい材料（物質）としては、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、二酸化ハフニウムがある。特に、二酸化ケイ素は、波長１００００ｎｍ付近に大きな吸収ピークを有しており、波長８０００ｎｍから２００００ｎｍの間である波長１００００ｎｍの赤外線を効率よく放射する。そのため、赤外放射層に用いる材料（物質）としては、二酸化ケイ素を用いることが好ましい。
すなわち、上記構成によれば、光を受けて発熱することを回避し、また、放射冷却装置の熱を効率よく赤外線として放射して、冷却性能を向上させることができる。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記赤外放射層の厚みが１μｍを超える厚みである点にある。
前記赤外放射層の厚みが１μｍを超える厚みである点にある。
上記構成によれば、赤外放射層において、十分な赤外放射能が得られ、高い冷却性能が得られる。
なお、光反射層の厚みは、１μｍを超える厚みであればよく、経済的側面を考慮して１００００μｍ以下に形成される。通常は２０μｍから１００００μｍの厚みに形成すると、経済的側面と、制作上ないし作製上の技術的側面の点でバランスが良い。
なお、光反射層の厚みは、１μｍを超える厚みであればよく、経済的側面を考慮して１００００μｍ以下に形成される。通常は２０μｍから１００００μｍの厚みに形成すると、経済的側面と、制作上ないし作製上の技術的側面の点でバランスが良い。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記光反射層が、銀またはアルミニウムで成る点にある。
前記光反射層が、銀またはアルミニウムで成る点にある。
上記構成によれば、広い波長域で高い反射率を得て、光を受光した場合に発熱を回避することができる。
本発明に係る放射冷却装置の更なる特徴構成は、
前記光反射層の厚みが８０ｎｍを超える厚みである点にある。
前記光反射層の厚みが８０ｎｍを超える厚みである点にある。
上記構成によれば、光反射層において波長２０００ｎｍ以下で透過を生ずることなく可視光及び赤外光反射することができる。
なお、光反射層の厚みは、８０ｎｍを超える厚みであればよく、経済的側面を考慮して１０００ｎｍ以下に形成される。通常は２００ｎｍ前後の厚みに形成すると、経済面と、対候性および耐久性の点でバランスが良い。
なお、光反射層の厚みは、８０ｎｍを超える厚みであればよく、経済的側面を考慮して１０００ｎｍ以下に形成される。通常は２００ｎｍ前後の厚みに形成すると、経済面と、対候性および耐久性の点でバランスが良い。
上記目的を達成するための本発明に係る放射冷却方法の特徴構成は、
紫外光を反射し且つ大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成る放射冷却装置を用いて、前記赤外光を前記紫外反射層の前記赤外放射層と接する面とは反対側の放射面から放射する点にある。
紫外光を反射し且つ大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成る放射冷却装置を用いて、前記赤外光を前記紫外反射層の前記赤外放射層と接する面とは反対側の放射面から放射する点にある。
上記構成によれば、上述の放射冷却装置を用いた場合と同様の効果を得ることができる。
本発明に係る放射冷却方法の更なる特徴構成は、
前記放射面を空に向け、当該空に向けた放射面から放射する点にある。
前記放射面を空に向け、当該空に向けた放射面から放射する点にある。
上記構成によれば、放射面から系外へ逃がされる赤外線を空に向けて放射し、空、すなわち宇宙に対して放出することができる。したがって、放射した赤外線が大気層に吸収されることを抑制し、冷却性能を向上することができる。
〔実施形態の説明〕
図面に基づいて、本発明の実施形態に係る放射冷却装置１００および放射冷却方法について説明する。
図１に示す放射冷却装置１００は、冷却効果を得るための冷却装置である。たとえば、放射冷却装置１００は、冷却対象物（図示せず）を冷却する。
図面に基づいて、本発明の実施形態に係る放射冷却装置１００および放射冷却方法について説明する。
図１に示す放射冷却装置１００は、冷却効果を得るための冷却装置である。たとえば、放射冷却装置１００は、冷却対象物（図示せず）を冷却する。
放射冷却装置１００は、放射冷却装置１００に入射した光Ｌ（たとえば、太陽光）を反射し、また、放射冷却装置１００への入熱（例えば、大気の雰囲気や冷却対象物からの熱伝導による入熱）を赤外線に変換して放射することで、冷却効果を実現する。
なお、本実施形態において光とは、その波長が１０ｎｍから２００００ｎｍの電磁波のことを言う。つまり、光Ｌには、紫外光ＵＶ、赤外光ＩＲおよび可視光ＶＬが含まれる。
なお、本実施形態において光とは、その波長が１０ｎｍから２００００ｎｍの電磁波のことを言う。つまり、光Ｌには、紫外光ＵＶ、赤外光ＩＲおよび可視光ＶＬが含まれる。
本実施形態に係る放射冷却装置１００は、図１に示すように、紫外光ＵＶを反射する紫外反射層１０と、可視光及び赤外光を反射する光反射層２０と、赤外光ＩＲを放射する赤外放射層３０とを備え、放射面４０から赤外光ＩＲを放射する。
そして、放射冷却装置１００は、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層されて成る。
なお、放射面４０とは、本実施形態においては、紫外反射層１０における、赤外放射層３０と接する面とは反対側の面である。
そして、放射冷却装置１００は、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層されて成る。
なお、放射面４０とは、本実施形態においては、紫外反射層１０における、赤外放射層３０と接する面とは反対側の面である。
つまり、本実施形態に係る放射冷却方法は、紫外光ＵＶを反射する紫外反射層１０と、可視光及び赤外光を反射する光反射層２０と、赤外光ＩＲを放射する赤外放射層３０とを、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層し、赤外光ＩＲを紫外反射層１０の赤外放射層３０と接する面とは反対側の放射面４０から放射する。
紫外反射層１０は、紫外光ＵＶを反射し、可視光ＶＬおよび赤外光ＩＲを透過する光学構造を有する、誘電体で成る層である。本実施形態では、紫外反射層１０は、図２に示すように、二種以上の誘電体を積層して成る。図２に示す紫外反射層１０は、誘電体でなる層として、誘電体層１１から誘電体層１５を積層して備える。
紫外反射層１０は、一方の面が、赤外放射層３０と密接している。
紫外反射層１０は、一方の面が、赤外放射層３０と密接している。
なお、本実施形態において紫外光ＵＶとは、その波長が１０ｎｍから４００ｎｍの電磁波のことを言う。また、本実施形態において赤外光ＩＲとは、その波長がおよそ７００ｎｍから２００００ｎｍの電磁波のことを言う。また、本実施形態において可視光ＶＬとは、その波長がおよそ４００ｎｍから７００ｎｍの電磁波のことを言う。
紫外反射層１０の誘電体としては、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（サファイア）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、二酸化ジルコニウム（ＺｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）のいずれかから選択される。
紫外反射層１０の誘電体の層は、それぞれの層が２００ｎｍ未満の膜状でなる。この膜状の層は、例えば、いわゆるＣＶＤ法や、スパッタリング法で形成可能であり、その形成方法については問わない。
紫外反射層１０の赤外放射層３０と接する面とは反対側の面、すなわち、雰囲気に開放されている側の面は、放射冷却装置１００において、赤外光ＩＲを放射する放射面４０としても機能する。つまり、紫外反射層１０の赤外放射層３０と接する面に対して反対側（他端側）にある誘電体の層における、当該層の雰囲気に開放されている側の面が、放射面４０である。言い換えると、紫外反射層１０の、雰囲気に開放されている側の誘電体の層の表面が、放射冷却装置１００の放射面４０となる。
放射面４０となる誘電体層１１は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウムのいずれかから選択される材料（物質）で成る。図２には、誘電体層１１が酸化アルミニウムとしてのサファイアで形成される場合を図示している。
図２の誘電体層１１から誘電体層１５はそれぞれ順に、サファイア、二酸化ケイ素、サファイア、二酸化ケイ素、サファイアで成る場合を図示している。
また、図２には、誘電体の厚み（層厚）が２００ｎｍ未満である具体例として、誘電体層１１から誘電体層１５の厚みがそれぞれ順に、３０ｎｍ、５０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、４０ｎｍである場合を例示して図示している。
尚、図７及び図８に、図２で示す紫外反射層１０の反射率、透過率、吸収率を示す。紫外反射層１０は、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高く、１００００ｎｍ付近の波長域の赤外光を放射することになる。
また、図２には、誘電体の厚み（層厚）が２００ｎｍ未満である具体例として、誘電体層１１から誘電体層１５の厚みがそれぞれ順に、３０ｎｍ、５０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、４０ｎｍである場合を例示して図示している。
尚、図７及び図８に、図２で示す紫外反射層１０の反射率、透過率、吸収率を示す。紫外反射層１０は、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高く、１００００ｎｍ付近の波長域の赤外光を放射することになる。
赤外放射層３０は、光Ｌを透過し、また赤外光ＩＲを放射する層である。
赤外放射層３０は、一方の面が紫外反射層１０と密接し、他方の面が光反射層２０と密接している。
なお、本実施形態において「光を透過する」などの記載する場合は、その光の一部を吸収および反射し、大部分を透過する場合を含む。たとえば、入射した光のエネルギーの９０％以上を透過する場合は、単に「光を透過する」などと記載する。
赤外放射層３０は、一方の面が紫外反射層１０と密接し、他方の面が光反射層２０と密接している。
なお、本実施形態において「光を透過する」などの記載する場合は、その光の一部を吸収および反射し、大部分を透過する場合を含む。たとえば、入射した光のエネルギーの９０％以上を透過する場合は、単に「光を透過する」などと記載する。
赤外放射層３０は、紫外反射層１０および光反射層２０と熱伝導可能に接続されている。つまり、赤外放射層３０は、自身の有する熱エネルギーと、紫外反射層１０からの入熱（熱エネルギー）と、光反射層２０からの入熱（熱エネルギー）とを、赤外光ＩＲに変換して放射する。
赤外放射層３０は、本実施形態では、光Ｌを透過し、大気の窓の領域である波長８０００ｎｍから２００００ｎｍの間における、波長１００００ｎｍ付近の赤外光ＩＲを効率よく放射する、二酸化ケイ素で成る。
赤外放射層３０は、その厚みが１μｍを超えるように形成される。通常は、赤外放射層３０は、その厚みが１μｍを超えていればよく、１００００μｍ以下程度とするのが経済的であり、特に２０μｍ以上１００００μｍ以下の範囲とすると、経済面と性能面のバランスが良い。
図３に、二酸化ケイ素で成る赤外放射層３０の層厚（厚み）を、１μｍ、２０μｍ、１００μｍとした場合の、赤外放射層３０の放射スペクトルを示す。縦軸は、赤外放射層３０の光の吸収率ＡＢを示し、横軸が波長ＷＬを示す。なお、１μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０はスパッタリングにより作製された膜状の層であり、２０μｍ、１００μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０は溶融固化して形成した層である。
なお、キルヒホッフの法則により、任意の波長における光の吸収率と光の放射率は等しいため、図３において赤外放射層３０の吸収率ＡＢが示す分布は、赤外放射層３０が放射する場合の放射光の強度の分布に等しい。
光反射層２０は、光Ｌを反射する金属で成る層であり、いわゆる鏡として機能する層である。
本実施形態では、光反射層２０は、金属としての銀またはアルミニウムのいずれかで形成する。本実施形態では、光反射層２０は、銀である場合を説明している。
本実施形態では、光反射層２０は、金属としての銀またはアルミニウムのいずれかで形成する。本実施形態では、光反射層２０は、銀である場合を説明している。
光反射層２０は、その層厚が８０ｎｍよりも厚く形成して用いる。
光反射層２０が、８０ｎｍ以下の膜厚となると、波長２０００ｎｍ以下の波長域において透過が生じはじめ、光の反射性能が発揮されなくなるためである。
なお、光反射層２０の厚みが、８０ｎｍを超えると、光の透過は生じず、光の反射率は変化しない。すなわち、光反射層２０の厚みに係る技術的な上限は存在しない。しかし、経済面では、光反射層２０の厚みは、１ｍｍ以下で足りる。
なお、図１には、光反射層２０が８０ｎｍを超える厚みである場合の具体例として、光反射層２０が、厚み２００ｎｍの銀である場合を示している。
光反射層２０が、８０ｎｍ以下の膜厚となると、波長２０００ｎｍ以下の波長域において透過が生じはじめ、光の反射性能が発揮されなくなるためである。
なお、光反射層２０の厚みが、８０ｎｍを超えると、光の透過は生じず、光の反射率は変化しない。すなわち、光反射層２０の厚みに係る技術的な上限は存在しない。しかし、経済面では、光反射層２０の厚みは、１ｍｍ以下で足りる。
なお、図１には、光反射層２０が８０ｎｍを超える厚みである場合の具体例として、光反射層２０が、厚み２００ｎｍの銀である場合を示している。
〔実施例の説明〕
以下では、本実施形態における実施例を説明する。
以下で説明する実施例１、実施例２および実施例３はそれぞれ、図１に示す構造を備えた、本実施形態に係る放射冷却装置１００の一つの態様である。この放射冷却装置１００は、上述のとおり、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層されている。
以下では、本実施形態における実施例を説明する。
以下で説明する実施例１、実施例２および実施例３はそれぞれ、図１に示す構造を備えた、本実施形態に係る放射冷却装置１００の一つの態様である。この放射冷却装置１００は、上述のとおり、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層されている。
以下で説明する比較例１および比較例２はそれぞれ、図４に示す構造を備えた、従来の放射冷却装置２００である。この放射冷却装置２００は、放射面４０の側から見て、赤外放射層３０、紫外反射層１０、および光反射層２０の順に積層されている。
以下では、実施例１、実施例２および実施例３の放射冷却装置１００と、比較例１および比較例２の従来の放射冷却装置２００との、雰囲気温度が３０℃の場合の冷却性能を比較する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のいずれの場合も、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００の放射面４０を天上（空、宇宙）に向けて、放射面４０を鉛直方向上向きに設置する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のいずれの場合も、光として太陽光が、材料の鉛直方向からおよそ１０００Ｗ／ｍ２のエネルギーで入射する環境下に置く。太陽光は、主として放射面４０から、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００に対して入射する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のいずれの場合も、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００の放射面４０を天上（空、宇宙）に向けて、放射面４０を鉛直方向上向きに設置する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のいずれの場合も、光として太陽光が、材料の鉛直方向からおよそ１０００Ｗ／ｍ２のエネルギーで入射する環境下に置く。太陽光は、主として放射面４０から、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００に対して入射する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２における、冷却性能の比較を表１から表５に示す。
表１には、実施例１の場合の冷却性能を示す。
表２には、実施例２の場合の冷却性能を示す。
表３には、実施例３の場合の冷却性能を示す。
表４には、比較例１の場合の冷却性能を示す。
表５には、比較例２の場合の冷却性能を示す。
なお、表１から表５に示す項目はそれぞれ同じである。
表１には、実施例１の場合の冷却性能を示す。
表２には、実施例２の場合の冷却性能を示す。
表３には、実施例３の場合の冷却性能を示す。
表４には、比較例１の場合の冷却性能を示す。
表５には、比較例２の場合の冷却性能を示す。
なお、表１から表５に示す項目はそれぞれ同じである。
実施例１、実施例２および実施例３の放射冷却装置１００と、比較例１および比較例２の従来の放射冷却装置２００とに共通する構成を説明する。
光反射層２０は以下の構成で比較する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の光反射層２０はいずれも、厚み２００ｎｍの銀の層で成る。
以下では光反射層２０についての説明を省略する。
光反射層２０は以下の構成で比較する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の光反射層２０はいずれも、厚み２００ｎｍの銀の層で成る。
以下では光反射層２０についての説明を省略する。
赤外放射層３０は以下の構成で比較する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の赤外放射層３０を形成する材料（物質）はいずれも、二酸化ケイ素である。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のそれぞれの場合において、赤外放射層３０の厚みが、１μｍ、１０μｍ、２０μｍ、１００μｍ、１０００μｍ、１００００μｍ、１０００００μｍである場合を比較する。なお、１μｍ、１０μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０はスパッタリングにより作製された膜状の層である。２０μｍ、１００μｍ、１０００μｍ、１００００μｍ、１０００００μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０は溶融固化して形成した層である。
以下では赤外放射層３０についての説明を省略する。
以下、実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の異なる構成部分を説明する。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の赤外放射層３０を形成する材料（物質）はいずれも、二酸化ケイ素である。
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２のそれぞれの場合において、赤外放射層３０の厚みが、１μｍ、１０μｍ、２０μｍ、１００μｍ、１０００μｍ、１００００μｍ、１０００００μｍである場合を比較する。なお、１μｍ、１０μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０はスパッタリングにより作製された膜状の層である。２０μｍ、１００μｍ、１０００μｍ、１００００μｍ、１０００００μｍの二酸化ケイ素の赤外放射層３０は溶融固化して形成した層である。
以下では赤外放射層３０についての説明を省略する。
以下、実施例１、実施例２、実施例３、比較例１および比較例２の異なる構成部分を説明する。
〔実施例１〕
実施例１の放射冷却装置１００は、以下の構成で成る。
紫外反射層１０は、図２に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層１１から誘電体層１５を積層して備える。
誘電体層１１から誘電体層１５はそれぞれ順に、サファイア、二酸化ケイ素、サファイア、二酸化ケイ素、サファイアで成る。
また、誘電体層１１から誘電体層１５の厚みはそれぞれ順に、３０ｎｍ、５０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、４０ｎｍである。
実施例１の放射冷却装置１００は、以下の構成で成る。
紫外反射層１０は、図２に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層１１から誘電体層１５を積層して備える。
誘電体層１１から誘電体層１５はそれぞれ順に、サファイア、二酸化ケイ素、サファイア、二酸化ケイ素、サファイアで成る。
また、誘電体層１１から誘電体層１５の厚みはそれぞれ順に、３０ｎｍ、５０ｎｍ、５０ｎｍ、４０ｎｍ、４０ｎｍである。
〔実施例２〕
実施例２の放射冷却装置１００は、以下の構成で成る。
実施例２は、実施例１と、紫外反射層１０の積層構造が異なる。
紫外反射層１０は、図５に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層５１から誘電体層６６を備える。
誘電体層５１から誘電体層６６はそれぞれ順に、二酸化ケイ素、二酸化チタンを交互に１６層積層したものである。
また、誘電体層５１から誘電体層６６の厚みはそれぞれ順に、１００ｎｍ、３３ｎｍ、６５ｎｍ、１３ｎｍ、８０ｎｍ、３７ｎｍ、２３ｎｍ、４６ｎｍ、１８０ｎｍ、１０６ｎｍ、１７２ｎｍ、８８ｎｍ、１７２ｎｍ、１０４ｎｍ、１７５ｎｍ、１０３ｎｍである。
実施例２の放射冷却装置１００は、以下の構成で成る。
実施例２は、実施例１と、紫外反射層１０の積層構造が異なる。
紫外反射層１０は、図５に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層５１から誘電体層６６を備える。
誘電体層５１から誘電体層６６はそれぞれ順に、二酸化ケイ素、二酸化チタンを交互に１６層積層したものである。
また、誘電体層５１から誘電体層６６の厚みはそれぞれ順に、１００ｎｍ、３３ｎｍ、６５ｎｍ、１３ｎｍ、８０ｎｍ、３７ｎｍ、２３ｎｍ、４６ｎｍ、１８０ｎｍ、１０６ｎｍ、１７２ｎｍ、８８ｎｍ、１７２ｎｍ、１０４ｎｍ、１７５ｎｍ、１０３ｎｍである。
〔実施例３〕
実施例３は、実施例１や実施例２と、紫外反射層１０の積層構造が異なる。
紫外反射層１０は、図６に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層７１から誘電体層７４を備える。
誘電体層７１から誘電体層７４はそれぞれ順に、二酸化ケイ素、五酸化ニオブを交互に４層積層したものである。
また、誘電体層７１から誘電体層７４の厚みはそれぞれ順に、１１１ｎｍ、２５ｎｍ、５６ｎｍ、２９ｎｍである。
実施例３は、実施例１や実施例２と、紫外反射層１０の積層構造が異なる。
紫外反射層１０は、図６に示すように、誘電体でなる層として、誘電体層７１から誘電体層７４を備える。
誘電体層７１から誘電体層７４はそれぞれ順に、二酸化ケイ素、五酸化ニオブを交互に４層積層したものである。
また、誘電体層７１から誘電体層７４の厚みはそれぞれ順に、１１１ｎｍ、２５ｎｍ、５６ｎｍ、２９ｎｍである。
尚、図９及び図１０に、図６で示す紫外反射層１０の反射率、透過率、吸収率を示す。紫外反射層１０は、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高く、１００００ｎｍ付近の波長域の赤外光を放射することになる。
〔比較例１〕
比較例１の放射冷却装置２００は、実施例１の場合と同じ積層構造の紫外反射層１０を備える。
比較例１の放射冷却装置２００は、実施例１の場合と、紫外反射層１０が配置される位置が異なる。
比較例１の放射冷却装置２００は、実施例１の場合と同じ積層構造の紫外反射層１０を備える。
比較例１の放射冷却装置２００は、実施例１の場合と、紫外反射層１０が配置される位置が異なる。
〔比較例２〕
比較例２の放射冷却装置２００は、実施例２の場合と同じ積層構造の紫外反射層１０を備える。
比較例２の放射冷却装置２００は、実施例２の場合と、紫外反射層１０が配置される位置が異なる。
比較例２の放射冷却装置２００は、実施例２の場合と同じ積層構造の紫外反射層１０を備える。
比較例２の放射冷却装置２００は、実施例２の場合と、紫外反射層１０が配置される位置が異なる。
表１から表５の以下のＰ１からＰ４は、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００における以下の特性を示す。
ｔ ：赤外放射層３０の厚み(μｍ)
Ｐ１：放射のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ２：太陽光からの入熱のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ３：雰囲気（大気）からの入熱のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ４：冷却能力のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｔ ：放射冷却装置１００または放射冷却装置２００の平衡温度（℃）
なお、上述の「密度」は、放射面４０の表面の面積に対するエネルギーの出入りの密度を意味する。
また、Ｐ２は、およそ１０００Ｗ／ｍ２のエネルギーで入射された太陽光のエネルギーのうち、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００で反射されなかったエネルギーを意味する。
また、Ｐ４の値は、Ｐ１の値から、Ｐ２の値とＰ３の値との合計を差し引いた値である。
Ｐ１及びＰ３の値は、放射面４０に対する放射角が６０度であるとして計算した値である。
ｔ ：赤外放射層３０の厚み(μｍ)
Ｐ１：放射のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ２：太陽光からの入熱のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ３：雰囲気（大気）からの入熱のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｐ４：冷却能力のエネルギーの密度(Ｗ／ｍ２)
Ｔ ：放射冷却装置１００または放射冷却装置２００の平衡温度（℃）
なお、上述の「密度」は、放射面４０の表面の面積に対するエネルギーの出入りの密度を意味する。
また、Ｐ２は、およそ１０００Ｗ／ｍ２のエネルギーで入射された太陽光のエネルギーのうち、放射冷却装置１００または放射冷却装置２００で反射されなかったエネルギーを意味する。
また、Ｐ４の値は、Ｐ１の値から、Ｐ２の値とＰ３の値との合計を差し引いた値である。
Ｐ１及びＰ３の値は、放射面４０に対する放射角が６０度であるとして計算した値である。
表１から表５によれば、実施例１、実施例２および実施例３の放射冷却装置１００は、比較例１および比較例２の放射冷却装置２００に比べて、冷却能力が高いことがわかる。
したがって、放射冷却装置２００のように、放射面４０の側から見て、赤外放射層３０、紫外反射層１０、および光反射層２０の順に積層するよりも、放射冷却装置１００のように、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層する方が、冷却能力が高いと判断できる。
つまり、本実施形態にかかる放射冷却装置１００と、従来の放射冷却装置２００との冷却能力の差は、本実施形態にかかる放射冷却装置１００の場合には、紫外光の吸収が抑制されたためであると考えられる。
したがって、放射冷却装置２００のように、放射面４０の側から見て、赤外放射層３０、紫外反射層１０、および光反射層２０の順に積層するよりも、放射冷却装置１００のように、放射面４０の側から見て、紫外反射層１０、赤外放射層３０、および光反射層２０の順に積層する方が、冷却能力が高いと判断できる。
つまり、本実施形態にかかる放射冷却装置１００と、従来の放射冷却装置２００との冷却能力の差は、本実施形態にかかる放射冷却装置１００の場合には、紫外光の吸収が抑制されたためであると考えられる。
実施例１の表１と、実施例２の表２と、実施例３の表３との比較によれば、紫外反射層１０の誘電体でなる層が適切に積層されれば、積層の層数によらず、良好な冷却能力を発揮すると言える。しかも、紫外反射層１０を形成する材料（物質）が同じであれば、積層の層数が増加すると、冷却能力が向上する傾向にあることがわかる。
実施例１の表１と、実施例２の表２と、実施例３の表３とによれば、赤外放射層３０の厚みは、１μｍ以上、好ましくは１μｍを超えると、十分な冷却性能を発揮することがわかる。特に、赤外放射層３０の厚みが、１０μｍ以上であると、特に良好な冷却性能を発揮することがわかる。
また、赤外放射層３０の厚みは、１０００００μｍに達する場合でも良好な冷却性能を発揮し、赤外放射層３０の厚みは１０００００μｍを超える場合においても良好な冷却性能を発揮するものと想定される。ただし、通常は、赤外放射層３０の厚みは１０００００μｍあれば十分に足りる。
以上のようにして、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置および放射冷却方法を提供す
ることができる。
ることができる。
［別実施形態］
（１）上記実施形態では、紫外反射層１０の誘電体でなる層が５層の場合、または１６層の場合を例示したが、紫外反射層１０の誘電体でなる層はこれらの積層の層数に限られない。
紫外反射層１０の誘電体でなる層は、異なる誘電体が１層以上、好ましくは２層以上であればよい。また、紫外反射層１０の誘電体でなる層の層数は偶数でも奇数でもよい。
（１）上記実施形態では、紫外反射層１０の誘電体でなる層が５層の場合、または１６層の場合を例示したが、紫外反射層１０の誘電体でなる層はこれらの積層の層数に限られない。
紫外反射層１０の誘電体でなる層は、異なる誘電体が１層以上、好ましくは２層以上であればよい。また、紫外反射層１０の誘電体でなる層の層数は偶数でも奇数でもよい。
（２）上記実施形態では、光反射層２０が銀である場合を説明したが、光反射層２０がアルミニウムや、金である場合にも同様の効果を奏することができる。
（３）上記実施形態では、紫外反射層１０における放射面４０を有する誘電体でなる層が、二酸化ケイ素または酸化アルミニウムである場合を例示した。
しかし、放射面４０を有する誘電体でなる層が、窒化ケイ素や二酸化ジルコニウム、または二酸化チタンである場合もある。
しかし、放射面４０を有する誘電体でなる層が、窒化ケイ素や二酸化ジルコニウム、または二酸化チタンである場合もある。
（４）上記実施形態では、紫外反射層１０における誘電体でなる層が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウムまたは二酸化チタンである場合を例示した。
しかし、紫外反射層１０における誘電体でなる層を形成する材料（物質）が、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブである場合もある。また、紫外反射層１０における誘電体でなるそれぞれの層を形成する材料（物質）の組み合わせも、上記実施形態における記載の範囲に限られない。
しかし、紫外反射層１０における誘電体でなる層を形成する材料（物質）が、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブである場合もある。また、紫外反射層１０における誘電体でなるそれぞれの層を形成する材料（物質）の組み合わせも、上記実施形態における記載の範囲に限られない。
（５）上記実施形態では、赤外線放射層３０を形成する材料が、二酸化ケイ素である場合を例示したが、赤外線放射層３０を形成する材料としては、ホウケイ酸ガラスであるテンパックス（登録商標、以下同じ）等の他の材料を用いても良い。
尚、図１１に、テンパックスに関する波長と吸収率との関係、つまり、テンパックスの吸収率、テンパックスと光反射層２０としての銀とを積層した場合の吸収率、実施例１の紫外線反射層とテンパックスと光反射層２０としての銀とを本発明の形態で積層した場合の吸収率、実施例１の紫外線反射層とテンパックスとを積層した場合の吸収率、及び、テンパックスと実施例１の紫外線反射層と光反射層２０としての銀とを従来の形態で積層した場合の吸収率、並びに、銀の吸収率の夫々を示す。
尚、図１１に、テンパックスに関する波長と吸収率との関係、つまり、テンパックスの吸収率、テンパックスと光反射層２０としての銀とを積層した場合の吸収率、実施例１の紫外線反射層とテンパックスと光反射層２０としての銀とを本発明の形態で積層した場合の吸収率、実施例１の紫外線反射層とテンパックスとを積層した場合の吸収率、及び、テンパックスと実施例１の紫外線反射層と光反射層２０としての銀とを従来の形態で積層した場合の吸収率、並びに、銀の吸収率の夫々を示す。
なお、上記実施形態（別実施形態を含む、以下同じ）で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能であり、また、本明細書において開示された実施形態は例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されず、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。
本発明は、紫外光の吸収を抑制した放射冷却装置および放射冷却方法に適用できる。
１０ ：紫外反射層
１１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
２０ ：光反射層（誘電体、紫外反射層）
３０ ：赤外放射層
４０ ：放射面
５１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５６ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５７ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５８ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５９ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６０ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６６ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１００ ：放射冷却装置
２００ ：放射冷却装置
２００ｎｍ：厚み
ＩＲ ：赤外光
Ｌ ：光
ＵＶ ：紫外光
ＶＬ ：可視光
１１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
２０ ：光反射層（誘電体、紫外反射層）
３０ ：赤外放射層
４０ ：放射面
５１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５６ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５７ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５８ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
５９ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６０ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６５ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
６６ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７１ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７２ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７３ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
７４ ：誘電体層（誘電体、紫外反射層）
１００ ：放射冷却装置
２００ ：放射冷却装置
２００ｎｍ：厚み
ＩＲ ：赤外光
Ｌ ：光
ＵＶ ：紫外光
ＶＬ ：可視光
Claims (10)
- 紫外光を反射する紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを備え、放射面から赤外光を放射する放射冷却装置において、
前記放射面の側から見て、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成り、
前記紫外反射層が、大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い放射冷却装置。 - 前記紫外反射層は、二種以上の誘電体を積層して成り、
前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ハフニウム、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、五酸化ニオブのいずれかから選択される請求項１に記載の放射冷却装置。 - 前記誘電体の層厚が、２００ｎｍ未満である請求項２に記載の放射冷却装置。
- 前記放射面となる前記紫外反射層の前記誘電体は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン、五酸化ニオブのいずれかから選択される請求項２または３に記載の放射冷却装置。
- 前記赤外放射層は、二酸化ケイ素で成る請求項１から４の何れか一項に記載の放射冷却装置。
- 前記赤外放射層の厚みが１μｍを超える厚みである請求項５に記載の放射冷却装置。
- 前記光反射層が、銀またはアルミニウムで成る請求項１から６の何れか一項に記載の放射冷却装置。
- 前記光反射層の厚みが８０ｎｍを超える厚みである請求項７に記載の放射冷却装置。
- 紫外光を反射し且つ大気の窓に相当する１００００ｎｍ付近の波長域において吸収率が高い紫外反射層と、可視光及び赤外光を反射する光反射層と、赤外光を放射する赤外放射層とを、前記紫外反射層、前記赤外放射層、および前記光反射層の順に積層して成る放射冷却装置を用いて、赤外光を前記紫外反射層の前記赤外放射層と接する面とは反対側の放射面から放射する放射冷却方法。
- 前記放射面を空に向け、当該空に向けた放射面から放射する請求項９に記載の放射冷却方法。
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